DE2203688A1 - SELF-HOLDING AND DISCHARGE CIRCUIT - Google Patents
SELF-HOLDING AND DISCHARGE CIRCUITInfo
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching
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Description
Selbsthalte- und~EntladesELLltung Die Erfindung betrifft eine Selbsthalte- und Entladeschaltung, vorzugsweise für elektronische Verzögerungsschaltungen mit Schwellwertschalter.Self-holding and discharge line The invention relates to a self-holding and discharge circuit, preferably for electronic delay circuits with Threshold switch.
Es sind bereits Schaltungen bekannt, die Selbsthaltung und Entladung mit getrennten Schaltungsanordnungen realisieren , und es wurde eine Schaltung vorgeschlagen, bei der Selbsthaltung und Entladung mit einer Schaltungsanordnung verwirklicht werden.Circuits are already known, the self-holding and discharging realize with separate circuit arrangements, and a circuit has been proposed in the self-holding and discharging can be realized with a circuit arrangement.
Bei den erstgenannten Schaltungen sind die Nachteile offensichtlich ; die letztgenannte Schaltung hat den Nachteil, daß die Schaltungsparameter von der Belastung der Schaltstufe abhängig sind.The disadvantages of the first-mentioned circuits are obvious ; the latter circuit has the disadvantage that the circuit parameters of the load of the switching stage are dependent.
Zweck der Erfindung ist, den genannten Nachteil durch eine Schaltungsanordnung mit annähernd gleichem Aufwand zu vermeiden.The purpose of the invention is to remedy the disadvantage mentioned by means of a circuit arrangement to avoid with almost the same effort.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Selbsthalte- und Entladeschaltung, vorzugsweise für elektronie Verzögerungsschaftungen mit Schwellwertschalter, unabhängig von der Belastung der Schaltstufe zu schaffen.The invention is based on the object of a self-holding and discharging circuit, preferably for electronic delay systems with threshold switch, independent to create from the load of the switching stage.
Die Aufgabe löst eine Schaltungsanordnung, bei der erfindungsgemäß durch einen nichtlinearen Spannungsteiler zwischen Schwellwertschalter-Ausgang und Transistor-Schaltstufe, einem Rückführzweig zwischen Spannungsteilerabgriff und Schwellwertschalter-Eingang sowie einem Entkoppelwiderstand zwischen Spannungsteilerabgriff, Auf ladekondensator und Masse im Ein-Zustand des Schwellwertschalters am Spannungsteilerabgriff ein positives Potential gegenüber dem Schwel5iwertschalter-Eingang erzeugt wird, während sich im Aus-Zustand der Spannungsteilerabgriff auf Nullpotential befindet Beide Bedingungen werden durch den nichtlinearen Spannungsteiler erfüllt, der aus einer Z-Diode und einem ohmschen Widerstand besteht. Der Sückführzweig enthält eine Diode und einen Widerstand. Die Diode ist so gepolt, daß bei positivem Spannungsteilerabgriff ein Strom zur Selbsthaltung zum Schwellwertschalter-Eingang fließen und der Auf ladekondensator entladen werden kann.The object is achieved by a circuit arrangement in which, according to the invention by a non-linear voltage divider between the threshold switch output and Transistor switching stage, a feedback branch between voltage divider tap and Threshold switch input and a decoupling resistor between the voltage divider tap, On charging capacitor and ground in the on state of the threshold switch at the voltage divider tap a positive potential compared to the threshold switch input is generated while the voltage divider tap is at zero potential in the off state Both conditions are met by the non-linear voltage divider, which consists of a Zener diode and an ohmic resistor. The return branch contains a diode and a resistor. The diode is polarized so that with a positive voltage divider tap a current for self-holding flow to the threshold switch input and the open charging capacitor can be discharged.
Die Z-Diode des Spannungsteilers dient gleichzeitig zur logischen Ansteuerung der nachgeschalteten i'ransistor-SchaltstuSe.The zener diode of the voltage divider is also used for the logic Control of the downstream transistor switching stage.
Bei einer modifizierten Schaltungsanordnung, bestehend aus einem Rückfüiirzweig zwischen Schwellwertschalter-Ausgang und -Singang und dem Antkoppelwiderstand ist keine nachgeschaltete Transistor-Schaltstufe erforderlich.In the case of a modified circuit arrangement, consisting of a return branch between the threshold value switch output and input and the coupling resistor no downstream transistor switching stage required.
In beiden Schaltungsanordnungen kann die Diode im Hückführzweig durch den Kontakt einer Schaltstufe, beispielsweise durch einen Arbeitskontakt der nachgeschalteten Transistor-Schaltstufe ersetzt werden.In both circuit arrangements, the diode in the return branch can through the contact of a switching stage, for example through a normally open contact of the downstream Transistor switching stage to be replaced.
Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt eine elektronische Verzögerungsschaltung mit Schwellwertschalter und nachgeschalteter Transistor-Schaltstufe.The invention is to be described in more detail below using an exemplary embodiment explained. The accompanying drawing shows an electronic delay circuit with threshold switch and downstream transistor switching stage.
Der nichtlineare Spannungsteiler zwischen Schwellwertschalter-Ausgang A und Transistor-Schaltstufe 2 besteht aus einer Z-Diode D 1 und einem ohmschen Widerstand R 1 . Die Z-Diode D 1 ist so bemessen, daß nur im Ein-Zustand des Schwellwertschalters 1 ein pannungsteilerstrom fließen kann. Dann wird am Spamlungsteilexabgriff A' ein Potential erzeugt, das positiv gegenüber dem Schwellwertschalter-Eingang E ist.The non-linear voltage divider between the threshold switch output A and transistor switching stage 2 consists of a Zener diode D 1 and an ohmic one Resistance R 1. The Zener diode D 1 is dimensioned so that only when the threshold switch is on 1 a voltage divider current can flow. Then at the Spamlungteilexabgriff A 'becomes a Potential generated, which is positive compared to the threshold switch input E.
Der Rückführzweig zwischen Spannungsteilerabgriff Al und Schwellwertschalter-Eingang E besteht aus einer Diode D 2 und einem Widerstand R 2. Die in Durchlaßrichtung geschaltete Diode D 2 läßt infolge der positiven Fotentialdifferenz einen Stromfluß vom Spannungsteilerabgriff At zum Schwellwertschalter-Eingang E zu.The feedback branch between the voltage divider tap Al and Threshold switch input E consists of a diode D 2 and a resistor R. 2. The diode D 2, which is switched in the forward direction, can be caused by the positive photodifference a current flow from the voltage divider tap At to the threshold switch input E. to.
Der Rückführstrom bewirkt die Selbsthaltung des Schwellwertschalters 1 . Gleichzeitig kann sich der Auf ladekondensator C über die Diode D 2 entladen. Der Widerstand R 2 ist so bemessen, daß die Entladung schnell erfolgt, der Entladestrom jedoch auf einen von der Diode D 2 vorgegebenen zulässigen Wert begrenzt wird.The feedback current causes the threshold switch to hold itself 1 . At the same time, the charging capacitor C can be discharged through the diode D 2. The resistor R 2 is dimensioned so that the discharge takes place quickly, the discharge current however, it is limited to a permissible value predetermined by the diode D 2.
Der Entkoppelwiderstand R 3 trennt den Entladekreis G D 2 , R 2 hochohmig von Masse.The decoupling resistor R 3 separates the discharge circuit G D 2, R 2 with high resistance of mass.
Der Selbsthalte- und Entladevorgang ist damit unabhängig von der Belastung der Transistor-Sc halt stufe 2 Über die Z-Diode D 1 wird gleichzeitig die Transistor-Schaltstufe 2 logisch angesteuert.The self-holding and discharging process is therefore independent of the load the transistor switch stage 2 Via the Zener diode D 1, the transistor switch stage is activated at the same time 2 logically controlled.
Wenn dem Schwellwertschalter 1 keine Transistor-Schaltstufe nachgeschaltet ist, wird die Schaltungsanordnung in der Weise modifiziert, daß die Z-Diode D 1 dem Rückfür zweig zugeschlagen wird.If the threshold switch 1 is not followed by a transistor switching stage is, the circuit arrangement is modified in such a way that the Zener diode D 1 the Rückfürzweig is slammed.
Die Diode D 2 im Rückfülirzweig kann in jedem Falle durch den Kontakt einer beliebigen Schaltstufe, beispielsweise durch einen Arbeitskontakt der Transistor-Schaltstufe 2, ersetzt werden.The diode D 2 in the return branch can in any case through the contact any switching stage, for example by a normally open contact of the transistor switching stage 2, to be replaced.
Claims (4)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD15599671 | 1971-06-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2203688A1 true DE2203688A1 (en) | 1973-02-15 |
Family
ID=5483991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722203688 Pending DE2203688A1 (en) | 1971-06-23 | 1972-01-27 | SELF-HOLDING AND DISCHARGE CIRCUIT |
Country Status (4)
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HU (1) | HU164471B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3109708A1 (en) * | 1981-03-13 | 1982-09-23 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Device for pulse conditioning with defined reset |
-
1972
- 1972-01-27 DE DE19722203688 patent/DE2203688A1/en active Pending
- 1972-02-22 BG BG019782A patent/BG24682A3/en unknown
- 1972-06-08 CS CS396072A patent/CS161659B2/cs unknown
- 1972-06-21 HU HUME001511 patent/HU164471B/hu unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3109708A1 (en) * | 1981-03-13 | 1982-09-23 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Device for pulse conditioning with defined reset |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HU164471B (en) | 1974-02-28 |
BG24682A3 (en) | 1978-04-12 |
CS161659B2 (en) | 1975-06-10 |
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