DE2203688A1 - SELF-HOLDING AND DISCHARGE CIRCUIT - Google Patents

SELF-HOLDING AND DISCHARGE CIRCUIT

Info

Publication number
DE2203688A1
DE2203688A1 DE19722203688 DE2203688A DE2203688A1 DE 2203688 A1 DE2203688 A1 DE 2203688A1 DE 19722203688 DE19722203688 DE 19722203688 DE 2203688 A DE2203688 A DE 2203688A DE 2203688 A1 DE2203688 A1 DE 2203688A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
self
holding
switching stage
voltage divider
threshold switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19722203688
Other languages
German (de)
Inventor
Uwe Dipl Ing Strache
Helmut Dipl Ing Unger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mess und Regelungstechnik VEB
Original Assignee
Mess und Regelungstechnik VEB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mess und Regelungstechnik VEB filed Critical Mess und Regelungstechnik VEB
Publication of DE2203688A1 publication Critical patent/DE2203688A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28Modifications for introducing a time delay before switching

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

Selbsthalte- und~EntladesELLltung Die Erfindung betrifft eine Selbsthalte- und Entladeschaltung, vorzugsweise für elektronische Verzögerungsschaltungen mit Schwellwertschalter.Self-holding and discharge line The invention relates to a self-holding and discharge circuit, preferably for electronic delay circuits with Threshold switch.

Es sind bereits Schaltungen bekannt, die Selbsthaltung und Entladung mit getrennten Schaltungsanordnungen realisieren , und es wurde eine Schaltung vorgeschlagen, bei der Selbsthaltung und Entladung mit einer Schaltungsanordnung verwirklicht werden.Circuits are already known, the self-holding and discharging realize with separate circuit arrangements, and a circuit has been proposed in the self-holding and discharging can be realized with a circuit arrangement.

Bei den erstgenannten Schaltungen sind die Nachteile offensichtlich ; die letztgenannte Schaltung hat den Nachteil, daß die Schaltungsparameter von der Belastung der Schaltstufe abhängig sind.The disadvantages of the first-mentioned circuits are obvious ; the latter circuit has the disadvantage that the circuit parameters of the load of the switching stage are dependent.

Zweck der Erfindung ist, den genannten Nachteil durch eine Schaltungsanordnung mit annähernd gleichem Aufwand zu vermeiden.The purpose of the invention is to remedy the disadvantage mentioned by means of a circuit arrangement to avoid with almost the same effort.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Selbsthalte- und Entladeschaltung, vorzugsweise für elektronie Verzögerungsschaftungen mit Schwellwertschalter, unabhängig von der Belastung der Schaltstufe zu schaffen.The invention is based on the object of a self-holding and discharging circuit, preferably for electronic delay systems with threshold switch, independent to create from the load of the switching stage.

Die Aufgabe löst eine Schaltungsanordnung, bei der erfindungsgemäß durch einen nichtlinearen Spannungsteiler zwischen Schwellwertschalter-Ausgang und Transistor-Schaltstufe, einem Rückführzweig zwischen Spannungsteilerabgriff und Schwellwertschalter-Eingang sowie einem Entkoppelwiderstand zwischen Spannungsteilerabgriff, Auf ladekondensator und Masse im Ein-Zustand des Schwellwertschalters am Spannungsteilerabgriff ein positives Potential gegenüber dem Schwel5iwertschalter-Eingang erzeugt wird, während sich im Aus-Zustand der Spannungsteilerabgriff auf Nullpotential befindet Beide Bedingungen werden durch den nichtlinearen Spannungsteiler erfüllt, der aus einer Z-Diode und einem ohmschen Widerstand besteht. Der Sückführzweig enthält eine Diode und einen Widerstand. Die Diode ist so gepolt, daß bei positivem Spannungsteilerabgriff ein Strom zur Selbsthaltung zum Schwellwertschalter-Eingang fließen und der Auf ladekondensator entladen werden kann.The object is achieved by a circuit arrangement in which, according to the invention by a non-linear voltage divider between the threshold switch output and Transistor switching stage, a feedback branch between voltage divider tap and Threshold switch input and a decoupling resistor between the voltage divider tap, On charging capacitor and ground in the on state of the threshold switch at the voltage divider tap a positive potential compared to the threshold switch input is generated while the voltage divider tap is at zero potential in the off state Both conditions are met by the non-linear voltage divider, which consists of a Zener diode and an ohmic resistor. The return branch contains a diode and a resistor. The diode is polarized so that with a positive voltage divider tap a current for self-holding flow to the threshold switch input and the open charging capacitor can be discharged.

Die Z-Diode des Spannungsteilers dient gleichzeitig zur logischen Ansteuerung der nachgeschalteten i'ransistor-SchaltstuSe.The zener diode of the voltage divider is also used for the logic Control of the downstream transistor switching stage.

Bei einer modifizierten Schaltungsanordnung, bestehend aus einem Rückfüiirzweig zwischen Schwellwertschalter-Ausgang und -Singang und dem Antkoppelwiderstand ist keine nachgeschaltete Transistor-Schaltstufe erforderlich.In the case of a modified circuit arrangement, consisting of a return branch between the threshold value switch output and input and the coupling resistor no downstream transistor switching stage required.

In beiden Schaltungsanordnungen kann die Diode im Hückführzweig durch den Kontakt einer Schaltstufe, beispielsweise durch einen Arbeitskontakt der nachgeschalteten Transistor-Schaltstufe ersetzt werden.In both circuit arrangements, the diode in the return branch can through the contact of a switching stage, for example through a normally open contact of the downstream Transistor switching stage to be replaced.

Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt eine elektronische Verzögerungsschaltung mit Schwellwertschalter und nachgeschalteter Transistor-Schaltstufe.The invention is to be described in more detail below using an exemplary embodiment explained. The accompanying drawing shows an electronic delay circuit with threshold switch and downstream transistor switching stage.

Der nichtlineare Spannungsteiler zwischen Schwellwertschalter-Ausgang A und Transistor-Schaltstufe 2 besteht aus einer Z-Diode D 1 und einem ohmschen Widerstand R 1 . Die Z-Diode D 1 ist so bemessen, daß nur im Ein-Zustand des Schwellwertschalters 1 ein pannungsteilerstrom fließen kann. Dann wird am Spamlungsteilexabgriff A' ein Potential erzeugt, das positiv gegenüber dem Schwellwertschalter-Eingang E ist.The non-linear voltage divider between the threshold switch output A and transistor switching stage 2 consists of a Zener diode D 1 and an ohmic one Resistance R 1. The Zener diode D 1 is dimensioned so that only when the threshold switch is on 1 a voltage divider current can flow. Then at the Spamlungteilexabgriff A 'becomes a Potential generated, which is positive compared to the threshold switch input E.

Der Rückführzweig zwischen Spannungsteilerabgriff Al und Schwellwertschalter-Eingang E besteht aus einer Diode D 2 und einem Widerstand R 2. Die in Durchlaßrichtung geschaltete Diode D 2 läßt infolge der positiven Fotentialdifferenz einen Stromfluß vom Spannungsteilerabgriff At zum Schwellwertschalter-Eingang E zu.The feedback branch between the voltage divider tap Al and Threshold switch input E consists of a diode D 2 and a resistor R. 2. The diode D 2, which is switched in the forward direction, can be caused by the positive photodifference a current flow from the voltage divider tap At to the threshold switch input E. to.

Der Rückführstrom bewirkt die Selbsthaltung des Schwellwertschalters 1 . Gleichzeitig kann sich der Auf ladekondensator C über die Diode D 2 entladen. Der Widerstand R 2 ist so bemessen, daß die Entladung schnell erfolgt, der Entladestrom jedoch auf einen von der Diode D 2 vorgegebenen zulässigen Wert begrenzt wird.The feedback current causes the threshold switch to hold itself 1 . At the same time, the charging capacitor C can be discharged through the diode D 2. The resistor R 2 is dimensioned so that the discharge takes place quickly, the discharge current however, it is limited to a permissible value predetermined by the diode D 2.

Der Entkoppelwiderstand R 3 trennt den Entladekreis G D 2 , R 2 hochohmig von Masse.The decoupling resistor R 3 separates the discharge circuit G D 2, R 2 with high resistance of mass.

Der Selbsthalte- und Entladevorgang ist damit unabhängig von der Belastung der Transistor-Sc halt stufe 2 Über die Z-Diode D 1 wird gleichzeitig die Transistor-Schaltstufe 2 logisch angesteuert.The self-holding and discharging process is therefore independent of the load the transistor switch stage 2 Via the Zener diode D 1, the transistor switch stage is activated at the same time 2 logically controlled.

Wenn dem Schwellwertschalter 1 keine Transistor-Schaltstufe nachgeschaltet ist, wird die Schaltungsanordnung in der Weise modifiziert, daß die Z-Diode D 1 dem Rückfür zweig zugeschlagen wird.If the threshold switch 1 is not followed by a transistor switching stage is, the circuit arrangement is modified in such a way that the Zener diode D 1 the Rückfürzweig is slammed.

Die Diode D 2 im Rückfülirzweig kann in jedem Falle durch den Kontakt einer beliebigen Schaltstufe, beispielsweise durch einen Arbeitskontakt der Transistor-Schaltstufe 2, ersetzt werden.The diode D 2 in the return branch can in any case through the contact any switching stage, for example by a normally open contact of the transistor switching stage 2, to be replaced.

Claims (4)

PatentansrücheClaims Selbsthalte- und Entladeschal-tung, vorzugsweise für elektronische Verzögerungssciialtungen mit Schwellwertschalters dadurch gekennzeichnet, daß durch eine Schaltungsanordnung,bestehend aus einem nicht linearen Spannungsteiler ( D 1 , R 1 ) einem Rückführzweig ( D 2 , R 2 ) und einem Entkoppelwiderstand ( R 3 ) , unabhängig von der Belastung der Transistor-Schaltstufe ( 2 ) im Sin-Zustand des Schwellwertschalters ( 1 ) am Spannungsteilerabgriff ( A' ) ein positives Potential gegenüber dem Schwellwertschalter)-Eingang ( E ) erzeugt wird, während sich im Aus-Zustand der Spannungsteilerabgriff ( A' ) auf I<ullpotential befindet.Self-holding and discharging circuit, preferably for electronic ones Delay sciialtungen with threshold switch characterized in that by a circuit arrangement consisting of a non-linear voltage divider (D 1, R 1) a feedback branch (D 2, R 2) and a decoupling resistor (R 3 ), regardless of the load on the transistor switching stage (2) in the sin state of the threshold switch (1) at the voltage divider tap (A ') has a positive potential opposite the threshold switch) input (E) is generated while in the off state the voltage divider tap (A ') is at I <zero potential. 2. Selbsthalte- und Entladeschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Z-Diode ( D 1 ) gleichzeitig zur logischen Ansteuerung der Transistor-Schaltstufe ( 2 ) dient.2. self-holding and discharging circuit according to claim 1, characterized in that that the Zener diode (D 1) simultaneously for the logical control of the transistor switching stage (2) serves. 3. Selbsthalte- und Entladeschaltung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß mit einer modifizierten Schaltungsanordnung, bestehend aus einem Rückführzweig ( D 1 ; D 2 , R 2 ) und dem Entkoppelwiderstand ( R 3 ) , keine Transistor-Schaltstufe ( 2 j erforderlich ist.3. self-holding and discharging circuit according to claim 1, characterized in that that with a modified circuit arrangement, consisting of a feedback branch (D 1; D 2, R 2) and the decoupling resistor (R 3), no transistor switching stage (2j is required. 4. Selbsthalte- und Entladeschaltung nach Anspruch 1 und 3 , dadurch gekennzeichnet, daß die Diode ( D 2 ) durch den Kontakt einer Schaltstufe, beispielsweise durch einen Arbeitskontakt der Transistor-Schaltstufe ( 2 ) ersetzt werden kann.4. self-holding and discharging circuit according to claim 1 and 3, characterized characterized in that the diode (D 2) through the contact of a switching stage, for example can be replaced by a normally open contact of the transistor switching stage (2).
DE19722203688 1971-06-23 1972-01-27 SELF-HOLDING AND DISCHARGE CIRCUIT Pending DE2203688A1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD15599671 1971-06-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2203688A1 true DE2203688A1 (en) 1973-02-15

Family

ID=5483991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19722203688 Pending DE2203688A1 (en) 1971-06-23 1972-01-27 SELF-HOLDING AND DISCHARGE CIRCUIT

Country Status (4)

Country Link
BG (1) BG24682A3 (en)
CS (1) CS161659B2 (en)
DE (1) DE2203688A1 (en)
HU (1) HU164471B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3109708A1 (en) * 1981-03-13 1982-09-23 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Device for pulse conditioning with defined reset

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3109708A1 (en) * 1981-03-13 1982-09-23 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Device for pulse conditioning with defined reset

Also Published As

Publication number Publication date
HU164471B (en) 1974-02-28
BG24682A3 (en) 1978-04-12
CS161659B2 (en) 1975-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2647982A1 (en) LOGICAL CIRCUIT ARRANGEMENT IN INTEGRATED MOS CIRCUIT TECHNOLOGY
EP0415081A2 (en) Control circuit for a pulsed load in a vehicle
EP0013710A1 (en) Push-pull driver, the output of which may be directly connected to the outputs of other drivers
DE2203688A1 (en) SELF-HOLDING AND DISCHARGE CIRCUIT
DE3430961A1 (en) Semiconductor switch
DE2148437C3 (en) Circuit arrangement for improving the short-circuit strength of circuits of the slow, fail-safe logic type
EP0015364B1 (en) Field effect transistor multivibrator
DE3333653C1 (en) Electronic switching device
DE19532677A1 (en) Monitoring circuit for power supply
DE2203180A1 (en) CONNECTION MONITORING CIRCUIT
DE2063517A1 (en) Circuit arrangement for generating pulses which correspond to the characteristic times of the modulation of a telegraphic character
DE4231178C2 (en) Storage element
AT302849B (en) Traffic signal system with a circuit to prevent impermissible signal combinations
DE2052519A1 (en) Logical circuit
DE1956515C3 (en) Signal transmission device
DE19913933A1 (en) Circuit for switching on user load e.g safety release equipment
DE69129262T2 (en) Storage element with high metastability immunity
DE1149926B (en) Binary counter for processing data
DE3130263C1 (en) Transistor switch with high switching rate
DE1139546B (en) Relayless delay circuit with transistors
DE2807814B1 (en) Voltage monitoring circuit
DE2202749A1 (en) Blocking circuit for interference signals
DE2252973B2 (en) Protection circuit for a thyristor horizontal deflection circuit in a television receiver, which triggers an interruption of the power supply of the deflection stage in the event of power overload of the picture tube or voltage overload of the deflection stage
DE2163628C3 (en) Electronic delay circuit
DE1282083B (en) Circuit arrangement with one or more bistable multivibrator (s) as storage element (s) (adhesive storage)