DE2134774A1 - Current stabilization circuit - Google Patents

Current stabilization circuit

Info

Publication number
DE2134774A1
DE2134774A1 DE19712134774 DE2134774A DE2134774A1 DE 2134774 A1 DE2134774 A1 DE 2134774A1 DE 19712134774 DE19712134774 DE 19712134774 DE 2134774 A DE2134774 A DE 2134774A DE 2134774 A1 DE2134774 A1 DE 2134774A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
current
emitter
collector
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19712134774
Other languages
German (de)
Other versions
DE2134774B2 (en
DE2134774C3 (en
Inventor
Ronald Bruce Los Angeles Calif Wheatley jun Carl Franklin Somerset NJ Goyer (V St A )
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE2134774A1 publication Critical patent/DE2134774A1/en
Publication of DE2134774B2 publication Critical patent/DE2134774B2/en
Application granted granted Critical
Publication of DE2134774C3 publication Critical patent/DE2134774C3/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors
    • G05F3/265Current mirrors using bipolar transistors only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Description

7236-71/Kö/S7236-71 / Kö / S

IICA Docket No.: 62,100/63,205 IICA Docket No .: 62,100 / 63,205

Convention Date:Convention Date:

July 13, 1970 and January 11,1971July 13, 1970 and January 11, 1971

RCA Corporation, Iiew York, Ν.Ϋ., V.St.A.RCA Corporation, Iiew York, Ν.Ϋ., V.St.A.

StrömstabilisierschaltungFlow stabilization circuit

Die Erfindung betrifft eine Stromstabilisierschaltung mit einem ersten Transistor, der mit seinem Kollektor gleichstromleitend an die erste von zwei an eine Energiequelle anscÜLießbaren Speiseklemmen und mit seinem Emitter über ein Gegenkoppltmgsglied mit einer ohmschen Widerstandsstrecke an die zweite Speiseklemme angeschlossen ist, sowie mit einer zwischen die Basis dieses Transistors und die zweite Speiseklemme geschalteten geregelten Spannungscuelie. The invention relates to a current stabilizing circuit a first transistor, the collector of which can be connected to the first of two to an energy source so as to conduct direct current Feed terminals and with its emitter via a negative coupling element is connected with an ohmic resistance path to the second supply terminal, and with one between the base of this transistor and the second supply terminal switched regulated voltage cuelie.

Stromstabilisierschaltungen können dazu verwendet werden, den Basis-Emitterübergang eines Transistors so vorzuspannen, daii am Kollektor ein vorbestimmter Strompegel für die Vorspannung eines weiteren ilalbleiterverstärkers ?.ur Verfügung steht. Oder sie können als Zweipol-Stromregler dasu verwendet v/erden, einen Verbraucher /regen .Scxmrari!tunken der. Betriebssparmungsriuelle zu stabilisieren.Current stabilizers can be used to bias the base-emitter junction of a transistor so that am Collector a predetermined current level for the bias of a further semiconductor amplifier? .Ur is available. Or they can as a two-pole current regulator dasu used v / earth, a consumer / rain .Scxmrari! dip the. To stabilize operating savings funds.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Stromstabilisiernchaltung ru schaffen, die aus einer Spannungsquelle, tieren Spannung über einen weiten Pereich schwanken kann, einen relativ konstanten Strom vorbestimmten icrtes liefert, und die sich besonders für difj Herstellung in form einer monolithischen integrierten Schaltung eignet,The invention is based on the object of a current stabilizing circuit ru create that from a voltage source, animal voltage can fluctuate over a wide range, a relative constant current provides predetermined icrtes, and which is special for difj manufacture in the form of a monolithic integrated Circuit is suitable,

109884/1309109884/1309

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß bei einer Stromstabilisierschaltung der eingangs genannten Art ein zweiter Transistor gleichstromleitend mi.t seiner Basis an den Emit ter und mit seinem Kollektor an die Basis des ersten Transistors und mit seinem Emitter an die zweite Speiseklemme angeschlossen ist und daß ein Stromverstärker mit seinem Eingang· an den Kolloktor des ersten und mit seinem Ausgang an den Kollektor des zweiten Transistors sowie mit einem Eingang· und Ausgang gemeinsamen Anschluß an die erste Speiseklemme angeschlossen ist. According to the invention this object is achieved in that at a current stabilizing circuit of the type mentioned above second transistor conducting direct current with its base to the emit ter and connected with its collector to the base of the first transistor and with its emitter to the second supply terminal is and that a current amplifier with its input · to the collocator of the first and with its output to the collector of the second transistor and with an input · and output common connection to the first supply terminal.

Es liegt also die strombestimmende Impedanz des ersten Transistors in !leihe mit seinem Basis-Emitterübergang. An dieser Reihenschaltung liegt eine regulierte Spannung, so daß vom Kollektor des Transistors ein konstanter Strom erhalten wird. Dieser i-:onstante Strom fließt zum Eingang eines dreipoligen Stromumkehrverstärkers, der einen Ausgangsstrom liefert, der seinem Eineraiirsstrom proportional, ,jedoch von entgegengesetzter Flugrichtung ist.So it is the current-determining impedance of the first transistor in! borrow with its base-emitter junction. At this series connection is a regulated voltage so that a constant current is obtained from the collector of the transistor. This i-: constant Current flows to the input of a three-pole current reversing amplifier, which provides an output current that is equal to its individual current proportional, but of opposite flight direction.

Die geregelte Spannung wird von einem ' e'ienschlunregler mit dem in Emitterverstärkerschaltung ausgelegten zweiten l'rensietor geliefert. Er wird eingangsseitig von den an der strombestimmenden Impedanz erzeugten Spannungen gespeist. Den Kollektorstrom des zweiten Transistors liefert der· Ausgang des Stromumkehrverstärkers. Aufgrund dieser Sehaltungsv/eise legt der zweite Transistor die geregelte Spannung zwischen seinem Kollektor und Emitter e.n die Reihenschaltung des Basis-Emitterübergangs des ersten Transistor? und der strombestimmenden Impedanz.The regulated voltage is supplied by a loop regulator with the second l'rensietor, which is designed in an emitter amplifier circuit. It is fed on the input side by the voltages generated at the current-determining impedance. The output of the current reversing amplifier supplies the collector current of the second transistor. Because of this attitude, the second transistor applies the regulated voltage between its collector and emitter and the series connection of the base-emitter junction of the first transistor? and the current-determining impedance.

Die Betriebsspanmings^uelle ist zwischen den gemeinsamen. Anschluß des Stromumkehrverstärizers und den Emitter des zweiter Transistors geschaltet. An diesen beiden AnscMüssen ergibt sich bei angelegten Spannungen, die größer sind als ein bestimmter Schwellwert, ein koτstanter Strom.The operational voltage source is between the common. Connection of the current reversing amplifier and the emitter of the second Transistor switched. At these two connections the result is with applied voltages that are greater than a certain threshold value, a constant current.

Statt dessen kann auch ein dritter Transistor vorgesehen sein, dessen ",Jasis-Emitterübergang in der deichen ..eise vorgespannt ist. itfie die "asis-Emitterübergänge des ersten und des rwe.iten Transistors. Da die KolleS'tirströme des ersten und des --weiter« Tran-Instead, a third transistor can also be provided, the "Jasis-emitter junction" of which is biased in the dike. itfie the "base emitter junctions of the first and the white transistor. Since the collective currents of the first and the next tran-

109884/1309 ΒΑΌ ömGmAL 109884/1309 ΒΑΌ ömGmAL

sisters stabilisiert sind, ist auch der Kolleictorstrom des dritten Transistors stabilisiert und kann als l'orstrora für nachgeschaltete Anordnungen verwendet werden.sisters are stabilized, the collector current of the third is also Stabilized transistor and can be used as a l'orstrora for downstream Arrangements are used.

Hie Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnungren im einzelnen erläutert. Es zeigen:Hie invention is hereinafter based on the drawings in individually explained. Show it:

•igur 1 das Schaltschema einer zweipoligen Stromstabilisierschaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung} und• igur 1 the circuit diagram of a two-pole current stabilization circuit according to an embodiment of the invention} and

Figur 2 das Schaltschema einer Schaltungsanordnung, bei der eine Stromstabilisierschaltung zusammen mit Hilfstransistoren dazu verwendet wird, die Vorströme für einen ^iederleistungs-Funktions- Jj Verstärker zu erzeugen.Figure 2 shows the circuit diagram of a circuit arrangement in which a current stabilizing circuit together with auxiliary transistors is used, the bias currents for a low power function Jj Generate amplifier.

hämtliche Bauelemente der Schaltung nach Figur 1 eignen sich für die Herstellung in integrierter Form auf einem monolithischen tfchaltungsplättchen.all components of the circuit according to FIG. 1 are suitable for manufacture in integrated form on a monolithic circuit board.

iiine Retr'iebsspannungsquelle (B+) ist zwischen zwei Klemmen 11 und 12 roschaltet, wobei die Klemme 12 an den Null- oder Massepol der Betriehsspamiungsquelle angeschlossen ist. Zwischen den Klemmen 11 und 12 liegt eine Vorspannanordnung, wie sie z. Q. .?um Vorspannen eines in Kaskodenschaltung ausgelegten Differenzverstärkers (nicht gezeigt) in integrierter Schaltung verwendet werden kann. Die Vorspannanordnung enthält die Reihenschaltung zxveier als m Dioden geschalteter npn-Transistoren 13 und 14 > eines Spannungsabfallvviderstancles Ie, eines als Diode geschalteten pnp-Transistors 1/, einer rweipoliren Stromstabilisierschaltung 20 und eines als Diode geschalteten rpn-Transistors 18.A return voltage source (B +) is connected between two terminals 11 and 12, with terminal 12 being connected to the neutral or ground pole of the electrical power source. Between the terminals 11 and 12 is a biasing arrangement, as it is, for. Q ... can be used to bias a cascode differential amplifier (not shown) in an integrated circuit. The bias arrangement contains the series connection of four npn transistors 13 and 14 connected as m diodes, a voltage drop resistor Ie, a pnp transistor 1 / connected as a diode, a double-polarized current stabilizing circuit 20 and an RPN transistor 18 connected as a diode.

Die als Dioden geschalteten Transistoren 13, 14, 17 und 18 stellen eine beispielsweise Anordnung dar, in Verbindung mit der die Stromstnbilisierschaltung 20 verwendet werden kann. Bei diesen Transistoren 13, 14, 17 und 18 sowie bei einem weiteren als Diode geschalteten pnp-Transistor 23 sind .ieweils Kollektor und Basis zusammengeKchaltet. Dadurch ergibt sich ein zweipoliges Diodenelement mit den Eigenschaften des üblichen Haloleitergleichrichters.The transistors 13 , 14, 17 and 18 connected as diodes represent an arrangement, for example, in connection with which the current stabilizing circuit 20 can be used. In these transistors 13, 14, 17 and 18 and in a further pnp transistor 23 connected as a diode, the collector and base are connected together. This results in a two-pole diode element with the properties of the usual haloconductor rectifier.

i)ie erf jnduiifsß-emäli ausgebildete r>tronii--t nbilisierschaltuTig 20i) ie erf jnduiifsß-emäli trained r> tronii - t nbilisierschaltuTig 20

109884/1309 BAD 0RlaiNAL 109884/1309 BATHROOM 0RlaiNAL

.hat zwei Hauptstromwege. Der erste besteht aus einem Widerstand 21, der Emitter-Kollektorstrecke eines npn-Transistors 22 und dem als Diode geschalteten pnp-Transistor 23. Der zweite besteht aus der Emitter-Kollektorstrecke eines npn-.Transistors 2 6 und der Kollektor-Emitterstrecke eines pnp-Tran^istors 27..has two main flow paths. The first consists of a resistor 21, the emitter-collector path of an npn transistor 22 and the as Diode-connected pnp transistor 23. The second consists of the emitter-collector path of an npn transistor 2 6 and the collector-emitter path of a pnp tran ^ istors 27.

Der Widerstand 21 ist zwischen Basis und Emitter des Transistors 26 geschaltet. Basis und Emitter des Transistors 22 sind an den Kollektor bzw, die Basis des Transistors 26 angeschlossen, so daß zwischen Kollektor und Basis des Transistors 2 6 eine Gegenkopplung (negative Rückkopplung) besteht.The resistor 21 is connected between the base and emitter of the transistor 26. Base and emitter of transistor 22 are connected to the collector or the base of the transistor 26, so that a negative feedback between the collector and base of the transistor 2 6 (negative feedback) exists.

Der als Diode geschaltete Transistor 23 und der Transistor 27 liegen mit ihren Eingangskreisen (Basis-Emitterkreisen) parallel und sind so eingerichtet, daß ihre Stromleitungseigenschaften proportional (z.B. gleich) sind. Die Anordnung der Transistoren 23 und 27 arbeitet daher als Stromumkehrverstärker, der im vorliegenden Fall beispielsweise den Verstärkungsgrad -1 haben soll. Dieser Stromumkehrverstärker hat einen Eingangsanschluß, einen Ausgangsanschluß und einen Eingang und Ausgang gemeinsamen Anschluß. Der Eingangsanschluß befindet sich am Verbindungspunkt zwischen Basis und Kollektor des Transistors 23 und der Basis des Transistors 27. Der Ausgangsanschluß befindet sich am Kollektor des Transistors Der den Eingangs- und den Ausgangsstrom rückleitende gemeinsame Anschluß befindet sich am Verbindungspunkt der Emitter der Transistoren 23 und 27.The transistor 23, connected as a diode, and the transistor 27 are parallel with their input circuits (base-emitter circuits) and are arranged so that their conduction characteristics are proportional (e.g., equal). The arrangement of the transistors 23 and 27 therefore functions as a current reversing amplifier used in the present Case, for example, should have the gain level -1. This current reversing amplifier has an input terminal, an output terminal and an input and output common terminal. Of the The input connection is located at the connection point between the base and collector of the transistor 23 and the base of the transistor 27. The output connection is located at the collector of the transistor The common which conducts the input and output currents back The connection is at the junction of the emitters of the transistors 23 and 27.

Der positive Pol der Stromstabilisierschaltung 20 befindet sich am Verbindungspunkt der Emitter der pnp-Transistoren 23 und 27, während der negative Pol sich am Emitter des npn-Transistors 2 6 befindet'. Die .Stromstabilisierschaltung 20 hält auch bei Schwankungen der Betriebsspannung B+ oberhalb eines gegebenen Schwellwertes einen vorbestimmten Stromfluß zwischen den beiden genannten Polen sowie durch die Vorspann- oder Vorstromschaltung 13, 14? 16, l'J, 18 aufrecht. Die Spannungsabfälle an den einzelnen Bauelementen dieser Vorstromschaltung sind daher gegen solche Betriebsspannungrs schwanklingen stabilisiert. Und r.war bewirkt die Stronistabilisierschaltunp· 20 dieae Stabilisierung auf folgende Weise.The positive pole of the current stabilizing circuit 20 is located at the connection point of the emitters of the pnp transistors 23 and 27, while the negative pole is located at the emitter of the npn transistor 26 '. The .Stromstabilisierschaltung 20 maintains a predetermined current flow between the two mentioned poles and through the bias or bias circuit 13, 14 even when the operating voltage B + fluctuates above a given threshold value. 16, l'J, 18 upright. The voltage drops across the individual components of this bias circuit are therefore stabilized against such operating voltage fluctuations. And r.war the current stabilization circuit 20 effects the stabilization in the following way.

109884/1309109884/1309

-■ 5 -- ■ 5 -

Es sei angenommen, daß die Transistoren 23 und 2/ im wesentlichen identische Bauelemente und dicht beieinander auf einem integrierten Schaltungsplättchen angeordnet sind. Sie sind daher wegen ihrer räumlichen Nähe den gleichen thermischen Umgebungseinflüssen ausgesetzt. Sie haben im wesentlichen gleiche Kollektorströme, wenn ihre Eingangskreise parallelgeschaltet sind. Die Basisströme sind normalerweise klein gegenüber den Kollektorströmen, so daß sie bei der folgenden Erläuterung vernachlässigt werden können.Assume that transistors 23 and 2 / are essentially identical components and are arranged close together on an integrated circuit board. You are therefore exposed to the same thermal environmental influences because of their spatial proximity. They have essentially the same collector currents, if their input circuits are connected in parallel. The base currents are usually small compared to the collector currents, so that they can be neglected in the following explanation.

In der Anordnung nach Figur I fließt im wesentlichen die ^ Hälfte des den zusammengeschalteten Emittern der Transistoren 23 " und 27 angelieferten Stromes durch den ersten Stromweg mit der Emitter-Kollektorstrecke des Transistors 23, der Kollektor-Emitterstrecke des Transistors 22 und dem Widerstand21. Die andere Hälfte des angelieferten Stromes fließt durch den zweiten Stromweg mit der Emitter-Kollektorstrecke des Transistors 27 und der Kollektor-Emitter strecke des Transistors 26.In the arrangement according to FIG. I, the ^ essentially flows Half of the interconnected emitters of the transistors 23 " and 27 delivered current through the first current path with the Emitter-collector path of transistor 23, the collector-emitter path of transistor 22 and resistor 21. The other half of the supplied current flows through the second current path with the emitter-collector path of the transistor 27 and the collector-emitter stretch of transistor 26.

Der Kollektor des Transistors 26 wird auf einer geregelten Spannung 2V_F in bezug auf die Emitterspannung gehalten, wobei V_E die Spannung an einem durchlaßgespannten Basis-Emitterübergang ist (annähernd 0,6 Volt bei einem integrierten Siliciumtransistor). Die Basis-Emitterspannung des als Emitterverstärker geschalteten Jj Transistors 26 wird durch die Gegenkopplung vom KolJdctor zur Basis aufgrund der Eraitterfolgerwirkung des Transistors 22 geregelt.The collector of transistor 26 is maintained at a regulated voltage 2V_ F with respect to the emitter voltage, the voltage at a V_ E durchlaßgespannten base-emitter junction is (approximately 0.6 volts in a silicon integrated transistor). The base-emitter voltage of the transistor 26 connected as an emitter amplifier is regulated by the negative feedback from the collector to the base due to the output follower effect of the transistor 22.

Durch die Gegenkopplung wird die Kollektorspannung des Transistors 30 erniedrigt, solange die Rückkopplungsschleifen-Verstärkung einigermaßen.groß ist. Die Gegenkopplung ist nichtlinear und arbeitet nur dann mit nennenswerter Verstärkung, wenn der Basis-Kmitterübergang des Transistors 26 durchlaßgespannt ist. Durch die Gegenkopplung wird daher am Basis-Emitterübergang des Transistors 2( ein Spannunpvsabfall von IV. c aufrechterhalten. Diese Spannung bestimmt den Strom durch den Widerstand 21, der über den Trans i: f.nv 22 von dessen Emitter reliefort werden mini. Dieser Strom hält ,-im " a.';?.«-Emitter üboxTi'. η f des Transistors 22 einivt Spau;ump\sabfall von 1 7 am recht.The negative feedback lowers the collector voltage of transistor 30 as long as the feedback loop gain is reasonably large. The negative feedback is non-linear and only works with a significant gain when the base-Kmitter junction of the transistor 26 is forward-biased. Due to the negative feedback, therefore emitter junction base of the transistor is at the 2 (maintained a Spannunpvsabfall of IV c This voltage determines the current through the resistor 21 i via the Trans:.. F are nv reliefort 22 of the emitter mini This current.. holds, -im "a. ';?." - Emitter over oxTi'. η f of transistor 22 einivt Spau; ump \ sabfall von 1 7 am right.

109884/1309 BAD 0R1G|NAL 109884/1309 BAD 0R1G | NAL

Der Kollektor des Transistors 26 wird auf einer Spannung vonThe collector of transistor 26 is at a voltage of

2Vnr, in bezug auf seine Emitterspannung durch erstens die Soannunps lib " —2V no , with regard to its emitter voltage by firstly the Soannunps lib "-

regelwirkung der die Basis - Emitterspannung des Transistors 2·' konstanthaltenden Gegenkopplung, snreitens die Stromregelv/irkunfr der geregelten Spannung am Widerstand 21, die den Emitterstrom im Basis-Emitterübergang des Transistors 22 stabil hält, und drittens den Spannungsabfall am Basis-Emitterübergang des Transistors 26, der durch den stabilisierten Emitterstrom stabilisiert ist, gehalten. Dies ergibt sich daraus, daß die Kollektor-Emitterspannung des Transistors 26 gleich der Summe der stabilisierten Spannungen an den Basis-Emitterübergängen der Transistoren 26 und 22 ist.control effect of the base-emitter voltage of the transistor 2 · 'holding constant Negative coupling, next is the flow control circuit Regulated voltage across resistor 21, which controls the emitter current in the base-emitter junction of the transistor 22 keeps stable, and thirdly, the voltage drop at the base-emitter junction of the transistor 26, the is stabilized by the stabilized emitter current, held. This results from the fact that the collector-emitter voltage of the Transistor 26 is equal to the sum of the stabilized voltages at the base-emitter junctions of transistors 26 and 22.

Damit die Emitterfolgerwirkung im Transistor 22 erhalten bleibt, muß dessen Kollektor gegenüber der Basis sperrgespannt gehalten werden. Der Stromumkehrverstärker mit den Transistoren 23 und 27 muß t damit er arbeitet s eingangsseitig an dem als Diode geschalteten Transistor 23 einen Spannungsabfall von mindestens 1 V aufweisen. Die Stromstabilisierschaltung 20 muß also, damit sie als Konstantstrom-Zweipol arbeitet, mit Spannungen von annähernd 3 V„p (d,h» 1,8 Volt für Siliciumtransistoren) versorgt werden.So that the emitter follower effect is maintained in transistor 22, its collector must be kept biased with respect to the base. The current inverting amplifier with the transistors 23 and 27 must ensure that it operates t s on the input side of the diode-connected transistor 23 has a voltage drop of at least 1 V have. The current stabilizing circuit 20 must therefore be supplied with voltages of approximately 3 V "p (d, h" 1.8 volts for silicon transistors) so that it operates as a constant current two-terminal network.

Bs soll jetzt die Arbeitsweise der Stromstabilisierschaltung bei Speisespannungen, die aisreichen, um alle ihre Transistoren normalgespannt zu halten, betrachtet werden. Die Größe des konstanten Stromes ist gleich der Summe des Stromes im Widerstand 21 und des Emitterstromes des Transistors 26. Wegen der vorausgesetzten Eigenschaften der Transistoren 23 und 27 sind diese beiden Ströme im wesentlichen gleich. Der Strom im Widerstand 21 ist auf denjenigen Wert begrenzt, der nötig ist, um an ihm eine Spannung .-u erzeugen, die gleich ist dem V_p des Transistors 26 bei gleichem Stromdurchgang. Dieser Strom kann beispielsweise mit Hilfe der bekannten Diodengleichung ermittelt werden:We shall now consider the mode of operation of the current stabilizing circuit with supply voltages that are sufficient to keep all of its transistors at normal voltage. The magnitude of the constant current is equal to the sum of the current in resistor 21 and the emitter current of transistor 26. Because of the presupposed properties of transistors 23 and 27, these two currents are essentially the same. The current in the resistor 21 is limited to that value which is necessary to generate a voltage.-U across it which is equal to the V_ p of the transistor 26 with the same current passage. This current can be determined, for example, with the help of the well-known diode equation:

£l£ l

I =i (eki - 1),
es '
I = i (e ki - 1),
it '

wobei:whereby:

I = Emitterstrom des Transistors in Ampere;I = emitter current of transistor 2ύ in amps;

e - 3 κ e - 3 κ

1 — Snttifomp s Ft rom des Transistors 2( (t^'Oincherweise Ο,'-'χΙυ Anrnere für integrierte Trp-isintore-i) ;1 - Snttifomp s Ft rom of transistor 2 ( (t ^ 'Oincherweise Ο,' - 'χΙυ Anrnere for integrated Trp-isintore-i);

109884/1309109884/1309

BAD ORiGINALBAD ORiGINAL

-Y--Y-

R21(0hm) - 2 x Or " cR 21 (0hm) - 2 x Or "c

constant wobeiconstant where

Iconstant = der 1<onsi:'ani:'e Strom des zweipoligen Stromstabilisier p otrr wer Ice s (Stromstabilisierschaltung) I constant = der 1 <onsi: ' ani: ' e current of the two-pole current stabilizer p otrr wer Ice s (current stabilizing circuit)

109884/1309109884/1309

e = Basis des natürlichen Logarithmus; σ = Ladung eines Elektrons in Coulombs; V = Basis-Emitterspannung des Transistors 26 in Volt; k = Boltzmannsche Konstante; T = Betriebstemperatur in Grad Kelvin.e = base of natural logarithm; σ = charge of an electron in coulombs; V = base-emitter voltage of transistor 26 in volts; k = Boltzmann's constant; T = operating temperature in degrees Kelvin.

Wie oben erwähnt, ist die Basis-Emitterspannung des Transistors 26 gleich dem Produkt des Wertes des Widerstands 21 und des Stromes im Transistor 22, der bei den angegebenen Bedingungen im wesentlichen gleich I ist. Setzt man in der obigen Gleichung Ϊ il für die Spannung V ein, so ergibt sich:As mentioned above, the base-emitter voltage of transistor 26 is equal to the product of the value of resistor 21 and of the current in transistor 22, which is essentially equal to I under the specified conditions. Put in the above equation Ϊ il for the voltage V ein, we get:

I Ra I Ra

I = I (e kT - 1) e sI = I (e kT - 1) es

die, wenn man die natürlichen Logarithmen .jeder Seite der Gleichung nimmt, sich wie folgt umschreiben läßt:which, if you take the natural logarithms .each side of the equation takes, can be paraphrased as follows:

I RaI Ra

log I - log I = ' ■· -e e ee s IcTlog I - log I = ' ■ · -ee e es IcT

IcT * οIcT * ο

Der Wert von — kann für eine typische Temperatur von 300 K.The value of - can be for a typical temperature of 300 K.

als 26 χ 10 ' approximiert werden.can be approximated as 26 χ 10 '.

Der Wert des Widerstands 21 kann daher für einen gewünschten Strom aus der' folgenden Gleichung errechnet werden: d The value of the resistor 21 can therefore be calculated for a desired current from the following equation: d

~ log I - log I ~ log I - log I

■.{. = 26 χ 10~J 2_ä■. {. = 26 χ 10 ~ J 2_ä

Stattdessen kann der Wert des Widerstands 21 auch dadurch mit annehmbarer Genauigkeit approximiert werden, daß man für Vn-, den Wert von 0,i; Volt voraussetzt und in die folgende Gleichung einsetzt: Instead, the value of the resistor 21 can also be approximated with acceptable accuracy in that for V n -, the value of 0, i ; Assume volts and plug it into the following equation:

Eine genauere Wahl des Widerstandswertes mit Hilfe dieser Methode kann dadurch geschehen, daß man den genauen Basis-Emitterspr.nnuhgis abfall des Transistors 2 c für einen gegebenen Strom aus den Kennlinien des Transistors ermittelt.A more precise choice of the resistance value with the help of this method can be done by specifying the exact base emitter jump drop of the transistor 2 c determined for a given current from the characteristics of the transistor.

Bei einer typischen Anordnung mit einem Wert des Widerstands 21 von 15 Kiloohm liefert die Stromstabilisierschaltung 20 einen im wesentlichen konstanten Strom von 80 Mikroampere selbst dann, wenn die angelegte Spannung· um das Mehrfache des für/die Begrensungswirkung erforderlichen Schwellwertes schwankt. Je nach der Konstruktion der Transistoren 22 und 27 im Hinblick auf ihre Kollektor Basis-Spanmiijgsdurchbruchseigenschafter kann die Stromstarilisierschaltung 20 eine angelegte Spannung· (E+) von bis zu 30 Volt oder so/iar noch mehr bei nach wie vor im wesentlichen konstantpehrJtenem Stromfluß vo;i 80 Mikroampere verarbeiten.In a typical arrangement with a value of the resistor 21 of 15 kiloohms, the current stabilizing circuit 20 supplies a substantially constant current of 80 microamps even if the applied voltage fluctuates by a multiple of the threshold value required for the limiting effect. Depending on the construction of the transistors 22 and 27 with regard to their collector-base voltage breakdown properties, the current stabilizing circuit 20 can apply an applied voltage (E +) of up to 30 volts or so / iar even more with an essentially constant current flow Process 80 microamps.

Anstelle der npn-Transistoren können auch pnp-Transistoren verwendet xierden und umgekehrt, wobei denn die betriebs spnmiur.gsnuelle entsprechend umzupolen wäre. Statt eines einfachen Stromverstärkers in Form des Transistors 27 mit durch den als Diode freschalteten Transistor 23 überbrücktem Basis-Emitterüberpang, der für seinen Betrieb nur sehr kleine Spannungen zwischen gemeinsamem Anschluß und Eingangs- sowie Ausgangsanschluß braucht, kann man auch andere bekannte Stromverstärkerschaltungen verwenden* Da die Transistoren 22, 23, 2C und 2/ konstante Kollektorströme haben, liefert ein Transistor vom gleichen Leitungstyp, der seine ßasis-Emittervorspannung von einer Anordnung, die einem dieser Transistoren 22, 23, 2(/ oder 27 ähnlich ist, einen konstanten Koilektorstrom. Ferner kaivi, wie im Zusammenhang mit- Figur 2 erläutert wird, der Widerstand 21 durch die Reihenschaltung eines Widerstands und einesInstead of the npn transistors, pnp transistors can also be used uses xierden and vice versa, whereby the operating spnmiur.gsnuelle would have to be reversed accordingly. Instead of a simple current amplifier in the form of transistor 27 with freschalten through the as a diode Transistor 23 bridged base-emitter overpang, the for its operation only very small tensions between common Connection and input and output connection needs, one can also use other known current amplifier circuits * Since transistors 22, 23, 2C and 2 / have constant collector currents, supplies a transistor of the same conductivity type, which its base-emitter bias a constant coil current from an arrangement which is similar to one of these transistors 22, 23, 2 (/ or 27). Furthermore, as will be explained in connection with FIG. 2, the Resistor 21 by the series connection of a resistor and one

als Diode geschalteten Transistors mit Durchlaßspannung ersetzt, '//erden.replaced as a diode-connected transistor with forward voltage, '//earth.

Figur 2 7:eigt einen Niederleistungs- Funktionsverstärker, der für die Herstellung in Form einer integrierten monolithischen - ^haltung gesLgnet ist. Dieser Funktionsverstärker erhält seine Vorströrae von einer Anordnung mit der erfindungsgemäilen Stromstabilisiorr.chal.tuni.1:. Sämtliche Bauelemente innerhalb dm* gestrichel-Figure 2 7: Eigt a low-power function amplifier, which is suitable for production in the form of an integrated monolithic - ^ attitude. This functional amplifier receives its pre-currents from an arrangement with the current stabilizer.chal.tuni according to the invention. 1 :. All components within dm * dashed

109884/1309109884/1309

BAD ORfGfNALBAD ORfGfNAL

21 3A77421 3A774

ten Linie köniiou au:' einem einzigen integrierten Schaltur.Tsplättcheii 30 untergebracht v/erden.th line can be au: 'a single integrated circuit 30 housed v / earth.

Ein wesentlicher Teil der Verstärkeranordnung des Schaltungsplättchens 30 ist in der USA-Patentanmeldung Serial f· ο. 8C^ /ü8 der gleichen Anmelder in (eingereicht am 2'/.1O. 19''9) beschrieben. Der Verstärker wird daher hier nur insofern beschrieben, als er mit der SJtromstabilisierschaltung 40 zusammenhängt.An essential part of the amplifier arrangement of the circuit board 30 is in the USA patent application Serial f · o. 8C ^ / ü8 by the same applicant in (filed on 2 '/. 10.19''9). The amplifier is therefore only described here insofar as it is related to the current stabilizing circuit 40.

Das integrierte vSchalturigsplättchen 30 hat Anschlüsse 31, 32, 33, 3c und 35, die dazu dienen, die Schaltung an eine erste Ein-gangssigi-al^uelle, eine zweite Eingangssignalnuelle, eine !'etriebs- A gleichsnari^xmgsnuelle (IM-), eine ausgangsseitipe Vernraucheraiiordnurig '.»;-w. >je.:ugspotential (Masse) anzxischließen.The integrated vSchalturigsplättchen 30 has terminals 31, 32, 33, 3c, and 35, which serve the circuit to a first one-gangssigi-al ^ ual, a second Eingangssignalnuelle, one! 'A etriebs- gleichsnari ^ xmgsnuelle (IM) , an exit side pipe Vernrauchaiiordnurig '. »; - w. > each: connect traction potential (ground).

-Oie Eingangssignalanschlüsse 31 und 32 sind mit den Hasen ie eines npn· Transistors 51 b^w. 52 verbunden, die mit ihren zusammengeschalteten Emittern an den Kollektor eines npn -Konstantstromtrarvsistors 53 unter Bildung eines emittergekoppelten Differenzverstär-I'.ers 50 angeschlossen sind. i)ie Kollektoren der Transistoren 51 und 52 sind an den Eingang ie eines StromumkehrVerstärkers 54 bzw. 55 angeschlossen.-Oie input signal terminals 31 and 32 are with the rabbits ie of an npn · transistor 51 b ^ w. 52 connected to their interconnected Emitters to the collector of an npn constant current transistor 53 to form an emitter-coupled differential amplifier 50 are connected. i) ie collectors of transistors 51 and 52 are connected to the input ie of a current reversal amplifier 54 or 55 connected.

.•Jie Stromumkehrverstärker 54 und 55 bestehen n'e aus einem pnpfransifitor, mit dessen J3asis-Emitterübergang ein als Diode geschalte- Λ ter p"p-Trans:i.stor parrllel.geschaltet ist. Diese Stromumkehrverstärko.r sind άαιι durch die Transistoren 23 und 2/ in Figur 1 gebildeten Verstärkern ähnlich. Die Eingang und Ausgang gemeinsamen Anschlüsse der Stromumkehrvcrstärker 54 und 55 sind beide mit dem Anschluii 33 verbunden, dem die Betriebsspannung B-I- zugeführt ist.. • Jie current inverting amplifier 54 and 55 consist of a n'e pnpfransifitor, with its J3asis-emitter junction of a diode-geschalte- Λ ter p "p-Trans. This is i.stor parrllel.geschaltet Stromumkehrverstärko.r are άαιι by transistors 23 and 2 / in Figure 1. The input and output common connections of the current inverter 54 and 55 are both connected to the connection 33 to which the operating voltage BI- is fed.

Die Aunganrsarischlüsse der Stromumkehrverstärker 54 und 55 sind an den Eingangs- und den Ausgangsarischluß eines dritten Stromumkehrverstärkers 5() angeschlossen. Der Stromumkohrverstärker 56 ist gleich geschaltet wie die Stromumkehrverstärker 54 und 55, ,jedoch aus np:i--Transistoren statt pnp~Transistoren aufgebaut. Der Eingang und Ausgang gemeinsame Anschluß des Stromumkehrverstärkers 56 ist mit dem Masseanschluß 35 verbunden. An den miteinander verbundenen Auegangsanschlüssen der Stromumkehrverstärker 55 und 5^-The output connections of the current reversing amplifiers 54 and 55 are connected to the input and output connections of a third current reversing amplifier 5 ( FIG. 5). The current reversing amplifier 56 is connected in the same way as the current reversing amplifiers 54 and 55, but made up of np: i transistors instead of pnp transistors. The input and output common connection of the current reversing amplifier 56 is connected to the ground connection 35. At the connected output connections of the current reversing amplifier 55 and 5 ^ -

109884/1309 bad109884/1309 bath

wird ein ei nt-aktiver Ausirangssignalstrom erzeugt, der dem Einpa-r eines stromverstärker.? : 0 rugelei tet wird.an active output signal stream is generated, which is used by a current amplifier. : 0 is initiated.

Eine Anordnunp mit einem StMmverPTrp_r'.psti'a''Sistor (2, e.'b.er pnp-Dioden Transistor'nmbinetion 63 und eimern Vorspa;:..etzwerk L--beliefert einen Treibertransist ">r (1 des ;>troinverstär;«-.ers t'O mit 3etriebsstrom. Das Vorspamietzwerk 64 -cnppelt der. iusrane (Kollektor) des Transistors Mmit einer komplementärsymraetrisc'iei; Aus gangsstufe mit Transistoren 71, 72, 73 und /J. Tie Ausgangssig-iale werden an den zusaraaienpeschalteteri Kollektoren der Transistoro-Ί ,": und /4 (d.h. am Anschluß 34 des "-chaltungsplättchens 30) er-euft.An arrangement with a StMmverPTrp_r'.psti'a''Sistor (2, e.'b.er pnp-Dioden Transistor'nmbinetion 63 and a bucket Vorspa;: .. network L - supplies a driver transistor "> r (1 des ; >troinverstär;.."-.erst'o with 3etriebsstrom the Vorspamietzwerk 64 of iusrane -cnppelt (collector) of transistor mmit a komplementärsymraetrisc'iei; from speed stage with transistors 71, 72, 73 and / Tie J Ausgangssig-ial be. at the interconnected collectors of the transistor Ί, ": and / 4 (ie at the connection 34 of the" circuit board 30) .

Die Stromversorgungstransistoren 53 und C? sind erf'induiifs ■-gemäß an die Stromstabilisierschaltung^ 40 angekoppelt und arbeiten mit im Vergleich zur Ausgangsstufe verhältnismäßig niedrigem , etriebsstrom. Die Stromstabilisierschaltunp £0 enthält xwei Tran sistoren 41 und 42 vom gleichen Leituiiffstyp (npn), die mit ihren Basen 41b und 42b über einen gemeinsamen Schaltunfspunkt 43 P" eine Stromversorfrungsanordnurig· angeschlossen sind. l»er Emitter /j2e des Transistors 42 liegt direkt am Masseanschluß 3 5> während der Emitter 41e des Transistors 41 über einen Strombestimmunprswiderstand 44 mit dem Masseanschluß 3 5 verbunden sind.The power supply transistors 53 and C? are according to the invention coupled to the current stabilizing circuit 40 and work with a relatively low operating current compared to the output stage. The Stromstabilisierschaltunp £ 0 contains xwei Tran sistoren 41 and 42 from the same Leituiiffstyp (npn) having a Stromversorfrungsanordnurig · are connected by their bases 41b and 42b on a common Schaltunfspunkt 43 P. "L" he emitter / j2e of transistor 42 is located on the Ground connection 3 5> while the emitter 41e of the transistor 41 is connected to the ground connection 3 5 via a current determination resistor 44.

Die Transistoren 41 und 42 sind nahe beieinander auf dem Schaltungsplättchen 30 angebracht und haben proportionale Leitunpseigenschaften. Die effektive Basis -Emitterüber«rangstlache des Transistors 41 ist viermal so groß wie die deis Transistors J 2. Beispielsweise kann bei einer typischen Ausführunfsform die p.asi s-Emitterübergangsfläche des Transistors 42 2 5 x -5 Mikron, dagegeji die des Transistors 41 2 5 x 100 Mikron bei gleichem Ulffusionsprofil betragen; Der Kollektor 41c des Transistors 41 ist ebenfalls direkt mit der Basis 41b verbunden, so daß der Transistor 41 als Diode arbeitet.The transistors 41 and 42 are mounted close together on the circuit board 30 and have proportional conductivity properties. The effective base -Emitterüber "rangstlache of transistor 41 is four times as large as the deis transistor J 2. For example, in a typical Ausführunfsform the p .asi s-emitter junction area of the transistor 42 2 5 x -5 microns, dagegeji that of the transistor 41 2 5 x 100 microns with the same ulfusion profile; The collector 41c of the transistor 41 is also directly connected to the base 41b, so that the transistor 41 operates as a diode.

Die den Schaltungspunkt 43 mit .Strom beliefernde Anordnung enthält einen Einschaltstromtransistor i\.( mit an den B+-Anschluß 3.^ angeschlossenem Kollektor, anschlußfreier Basis und über einen in Darlington-Schaltung ausgelegten Verstärker 47 mit dem Schaltungs punkt 43 verbundenem Emitter. Der Kollektor 42c des Transistors 4 2The arrangement which supplies the circuit point 43 with .Strom contains an inrush current transistor i \. ( With a collector connected to the B + terminal 3. ^ , a connection-free base and an emitter connected to the circuit point 43 via an amplifier 47 designed in a Darlington configuration 42c of transistor 4 2

109884/1309109884/1309

BAD ORlQJNALBAD ORlQJNAL

ist an den Verbindunpspunkt des Emitters des Transistors q( und des iiinpanps (Rpsis) 47b des Verstärkers 4 7 angeschlossen.is connected to the connection point of the emitter of the transistor q ( and the iiinpanps (Rpsis) 47b of the amplifier 4 7 .

Der wirksame Emitter 4/e des Verstärkers 4 7 ist an den Schaltunnspnnkt 43 angreschlossen. Der effektive Kollektor 47c des Verstärkers 4 7 ist an eine Anordnung, die die Kollektorströme der Transistoren. 41 und 42 in einem im wesentlichen festen Verhältnis zueinander (:··. r%. ρ ! eich) hält, angekoppelt. Diese Anordnung besteht .-us einem als Diode geschalteten pnp-lransistor 48 und einem weitereu ρ ip--Transistor /!■>, die mit ihren Emittern 48e bzw. 4-9e direkt an den !'+-Anschluß 33 rnfreschlossei; sind. Ihre Basen 48b und 49k .•sind susammenfteschaltet sowie direkt mit dem Kollektor 48c ver- m bnnden.The effective emitter 4 / e of the amplifier 4 7 is connected to the switching point 43. The effective collector 47c of the amplifier 4 7 is connected to an arrangement which the collector currents of the transistors. 41 and 42 in an essentially fixed relationship to each other (: ··. R% . Ρ ! Eich) holds, coupled. This arrangement consists of a pnp transistor 48 connected as a diode and a further u ρ ip transistor /! ■>, which with its emitters 48e or 4-9e rnfreschlossei directly to the! '+ - terminal 33; are. Their bases 48b and 49k. • are susammenfteschaltet as well as directly to the collector 48c comparable m bnnden.

i)er Kollektor c'^c ist direkt mit dem Kollektor 4 2c verbunden, während der Kollektor 48c über die 47c mit 47e verbindende Kollektor Emitterstrecke mit dem Kollektor 41c verbunden ist. Die pnp-Transifitoren n$ und 4-9 .si^d im wesentlichen identisch sowie nahe beieinander auf dem Schaltunpsplättchen 30 angebracht und arbeiten als Stromverstärker mit einem Verstärkuncrspxad von -1. Die Transistoren 48 und 4 '"> sind daher bestrebt, die Kollektorströme der Transistoren 41 und 42 im wesentlicher! gleich zu halten, wie nachstehend erläutert wird.i) the collector c '^ c is connected directly to the collector 4 2c, while the collector 48c is connected to the collector 41c via the collector emitter path connecting 47c to 47e. The pnp transistors n $ and 4-9 .si ^ d are essentially identical and mounted close to one another on the circuit board 30 and work as current amplifiers with a gain amplitude of -1. The transistors 48 and 4 '"> therefore strive to keep the collector currents of the transistors 41 and 42 essentially the same, as will be explained below.

iJei der '•■>eschreibunp_ der Arbeitsweise der Stromstabilisier- M schaltunp· 40 soll zunächst der Teil mit den Transistoren 41, 42 und dem Widerstand 44 betrachtet werden, wobei die Arbeitsweise der Transistoren Λ1 und 4 ~ anlland der idealisierten Halbleiterdiodenrleichuiifr ff fir die Stromdichte J statt den "jtrom I) untersucht werden: iJ hen '• ■> eschreibunp_ the operation of the Stromstabilisier- M schaltunp · 40 will initially the part with the transistors 41, 42 and the resistor 44 are considered, the operation of the transistors Λ1 and 4 ~ anlland the idealized Halbleiterdiodenrleichuiifr ff fir the Current density J instead of the "jtrom I) can be examined:

j - j /-ekT - 1 7j - y / -e kT - 1 7

wobf'i: J = Stromdichte eines Basis-EmitterüberpranjErsj J^ ~ Sättipunjsrsstromdichte des 'Jlierffän^sJ q = Ladung eines Elektrons;
k I'oltzmannnche Konstante;
T nlisolnto 'J'emperatur in Grad Kolvi-ij
wobf'i: J = current density of a base-emitter overhang J ^ ~ saturation current density of the 'Jlierffän ^ sJ q = charge of an electron;
k - I'oltzmann's constant;
T - nlisolnto 'J' temperature in degrees Kolvi-ij

109884/1309109884/1309

BAD ORlQiNALBAD ORlQiNAL

e = Basis des natürlichen Logarithmus; V = Spannung am Basis-Emitterübergang.e = base of natural logarithm; V = voltage at the base-emitter junction.

"Die Stromdichte" ist gleich dem Strom durch den Basis-Emitterübergang; dividiert durch die Fläche des T?a sis-Emit te rüber gangs."The current density" is equal to the current through the base-emitter junction; divided by the area of the T? a sis emitter crossing.

Gleichungen dieser Art können für die Basis-Emitterübergänge der Transistoren 41 und 42 wie folgt aufgestellt werden:Equations of this kind can be set up for the base-emitter junctions of transistors 41 and 42 as follows:

be42 be 42

= d / e= d / e

S- —S- -

be42 be 42

- be41- be 41

^1 -\ /-e-^r-- 1.7^ 1 - \ / -e- ^ r-- 1.7

41 be,.41 be ,.

Durch Umstellen der obigen Gleichungen bezüglich Stromdichte und Spannung ergibt sich: By rearranging the above equations with regard to current density and voltage, we get:

'be'be be« be «

^- - Ζ". M - 1 7^ - - Ζ ". M - 1 7

be41 be 41

be.
42
be.
42

be42 be 42

- /"· kT - ι 7- / "· kT - ι 7

Es sei im Augenblick angenommen, daß Maßnahmen getroffen sind, um die Emitterströme der Transistoren 41 und 42 im wesentlichen gleich zu halten, und daß die effektive Basis-Emitterübergangsfläche des Transistors 41 N-mal so groß ist wie die des Transistors 42. Da die Transistoren 41 und 42 aus im wesentlichen gleichem Material bestehen, sind unter diesen Voraussetzungen ihre Stromdichten wie folgt aufeinander bezogen: Assume for the moment that measures have been taken to keep the emitter currents of transistors 41 and 42 substantially the same and that the effective base-emitter junction area of transistor 41 is N times that of transistor 42. Since the transistors 41 and 42 consist of essentially the same material, their current densities are related to one another under these conditions as follows:

be42 * be41 be 42 * be 41

109884/1309109884/1309

Wegen der Gleichartir-eit der Herstellung sind die Sättigungs ,stromdichten der beiden Transistoren 41 und 42 im wesentlichen gleich, d.h.:Because of the similarity of production, the saturation , current densities of the two transistors 41 and 42 are essentially same, i.e.:

Js, = Js,
oe4l 42
J s, = J s,
oe 4l 42

Setzt man für J und J, ein und nimmt die Logarithmen, so ergibt sich: 42If you substitute J and J, and take the logarithms, you get: 42

log J1 - log Jlog J 1 - log J

f e be e f e be e

J1 - log J rJ 1 - log J r

e be41 e s, IcTe be 41 es, ICT

41 be41 be

DeDe

log NJ, - log J = —r—ii &e be.. ' e s, IcT 41 be41 log NJ, -log J = -r-ii & e be .. 'es, IcT 41 be 41

i)er Einheitsausdruck in der Klammer ist für alle interessierenden Werte von V, unerheblich und daher nicht berücksichtigt.)i) the unit expression in brackets is for all of interest Values of V, insignificant and therefore not taken into account.)

Die Differenz zwischen den Basis-Emitterspannungen der Transistoren 41 und 42 kann dann durch Kombinieren der Gleichungen wie folgt errechnet werden:The difference between the base-emitter voltages of the transistors 41 and 42 can then by combining the equations such as can be calculated as follows:

) = hl ) = St.

e~ s, q e ~ s, q

Für eine typische Betriebstemperatur von 300 Kelvin kann derFor a typical operating temperature of 300 Kelvin, the

JcT
Ausdruck -— als 2C Millivolt approximiert werden.
JcT
Expression - can be approximated as 2C millivolts.

Wenn daher das Flächenverhältnis N gleich 4 ist (log kann die Differenz der Basis-Emitterspannungen der Transistoren 42 und 41 wie folgt errechnet werden:Therefore, if the area ratio N is 4 (log the difference between the base-emitter voltages of transistors 42 and 41 can be calculated as follows:

= 36 mV= 36 mV

109884/1309109884/1309

2Ί347742Ί34774

Da die Spannung am Pasis-Emitterübergang des Transistors 42 gleich der Summe der Spannung am V/iclerstarid l\/\. und der .Spannung am Basis-Emitter übergang des Transistor's 41 ist, bestimmt die Uiff'erenz zwischen den Spannungen an den Basis-Emitterüberf^ängen der Transistoren 42 und 41 dfe Spannung am Widerstand 44. Entsprechend der obigen Gleichung ist daher die Spannung am widerstand /14 rleich 36 Millivolt, wenn das Flächenverhältnis der Transistoren ύΐ und o/l gleich 4 ist und die Kollektorströme dieser beiden Transistoren gleich sind. Der Widerstandswert U,. des Widerstands 44 itfird entsprechend der folgenden Gleichung gewählt:Since the voltage at the base-emitter junction of transistor 42 is equal to the sum of the voltage at V / iclerstarid l \ / \. and the voltage at the base-emitter junction of the transistor 41 is determined by the Uiff'erenz between the voltages at the base-emitter junction of the transistors 42 and 41 dfe voltage at the resistor 44. According to the above equation, the voltage at the resistor is therefore / 14 equals 36 millivolts if the area ratio of the transistors ύΐ and o / l is 4 and the collector currents of these two transistors are the same. The resistance value U ,. of resistor 44 itf is chosen according to the following equation:

A *A *

1 Ii-T /1 1 9 VT "A 11 Ii-T / 1 1 9 VT "A 1

44 " \l q A*2 " Iout q A'12 44 " \ l q A * 2 " Iout q A '12

wobei: I = Emitterstrom des Transistors 41jwhere: I = emitter current of transistor 41j

e41 e 41

Α.,,/Α.» = das Verhältnis der effektiven Flächen der Basisemitterübergänge der Transistoren 4I und 42;Α. ,, / Α. » = the ratio of the effective areas of the base-emitter junctions the transistors 4I and 42;

I , = Gesamtstrom in der Stromstabilisierschaltung 40. outI, = total current in the current stabilizing circuit 40. out

Für einen Strom I von 10 Mikroampere hat der Widerstand 44For a current I of 10 microamps, the resistor has 44

einen Wert von 3600 Ohm41 (d.h. 2 χ —). I ist ina value of 3600 ohms 41 (i.e. 2 χ -). I is in

v 20 Mikroampere out v 20 microamps out

diesem Fall 20 Mikroampere.in this case 20 microamps.

Für einen gegebenen gewünschten Ausgangsstrom k#nn man daher das Flächenverhältnis wie auch den Wert des Widerstands 44 im Hinblick auf die beste Ausnützung der Fläche des Schaltungsplättchens 30 wählen. Um den Ausgangsstrom zu erhöhen, kann man ent weder den Wert des Widerstands 44 verringern oder die Fläche des Transistors 41 vergrößern.For a given desired output current, one can therefore the area ratio as well as the value of the resistor 44 im With regard to the best utilization of the surface of the circuit board Choose 30. In order to increase the output current, one can either decrease the value of the resistor 44 or the area of the Enlarge transistor 41.

Bei der obigen Untersuchung wurde vorausgesetzt, daß die Emitterströme der Transistoren 4I und 42 im wesentlichen gleich gehalten werden. Kachstehend wird erläutert, wie diese Stromgleichheit erreicht wird.The above investigation has assumed that the emitter currents of transistors 4I and 42 are substantially equal being held. How this current balance is achieved is explained below.

Wenn die Betriebsspannung anfänglich zwischen die Anschlüsse 33 und 35 gelegt wird, koppelt der Transistor 46, der als Leckstromelement mit geöffneter oder anschlußfreier P.asis arbeitet, einenWhen the operating voltage is initially applied between the terminals 33 and 35, the transistor 46, which acts as a leakage current element, couples works with an open or connection-free P.asis, one

109884/1309109884/1309

BAD ORIGINAL . ..■,-·BATH ORIGINAL. .. ■, - ·

verhältnismäßip- kleinen Strom auf die Basis 47b des Verstärkers 47· Dieser Leckstroai wird um einen Faktor verstärkt, der gleich ist dem Produkt der Stromverstärkungen der Bauelemente des Verstärkersrelatively ip- small current to the base 47b of the amplifier 47 This leakage troai is amplified by a factor that is the same the product of the current gains of the components of the amplifier

.17 (d.h. ß ' ) , die in der Größenordnung von 1000 betrafen können. v npn. '.17 (ie ß ') which can affect on the order of 1000. v npn. '

Ein Teil des hochverstärkten Leckstromes gelangt dann zu den zusammenfreschalteten üasen 41h, 42b, und zugleich gelangt der verstärkte Anfangs- oder Einschaltstrom zu den -usammengeschalteten V.ase»! 48b, 4l,vb. Da die Basen 41b und 42b verbunden sind und der Transistor 41 eine größere (z, .B. um das Vierfache) effektive BasisT Kmitterflache hat als der Transistor 42, neigt der Kollektorstrom des Transistors 41 dazu, ungefähr viermal so groß wie der des Transistors 42 zu sein, und zwar bei Stromwerten, die so niedrig· ™ sind, daß die Spannung am Widerstand 44 wesentlich kleiner als der gewünschte Betriebswert ist.Part of the highly amplified leakage current then arrives at the interconnected oases 41h, 42b, and at the same time the amplified initial or inrush current arrives at the interconnected V.ase »! 48b, 4 l , v b. Since the bases 41b and 42b are connected and the transistor 41 has a larger (e.g., four times) effective base T Kmitter area than the transistor 42, the collector current of the transistor 41 tends to be about four times that of the transistor 42, at current values which are so low that the voltage across resistor 44 is significantly less than the desired operating value.

Der Kollektorstrom des Transistors 41 gelangt über die die Elektroden 4/c und 47e verbindende Strecke zum pnp-Transistor 48. Die Transistoren 48 und 49 arbeiten als gemeinsamer Stromverstärker mit einem Verstärkungsgrad von ungefähr 1 und mit Signalumkehrung. Da die Transistoren 48 und 49 parallelgeschaltet und in ihren Betriebseigenschaften im wesentlichen identisch sind, sind ihre Kollektor ströme im wesentlichen gleich. Vernachlässigt man die Tatsache, daß der dem Kollektor 47c der Darlington-Stufe 47 außer dem Kollektorstrom des Transistors 48 auch die kleineren Basisströme j der Transistoren 48 und 49 enthalten muß, so erscheint der Kollektorstrom des Verstärkers 47 auch am Kollektor 49c des Transistors 49.The collector current of transistor 41 passes through the Path connecting electrodes 4 / c and 47e to pnp transistor 48. The transistors 48 and 49 work as a common current amplifier with a gain of approximately 1 and with signal inversion. Since the transistors 48 and 49 are connected in parallel and in their operating characteristics are essentially identical, their collector currents are essentially the same. If one neglects the fact that the collector 47c of the Darlington stage 47, in addition to the collector current of transistor 48, also has the smaller base currents j of transistors 48 and 49 must contain, the collector current appears of amplifier 47 also at collector 49c of the transistor 49.

Da der Kollektorstrom des Transistors 42 bei Anfangsstromwerten in der Größenordnung von I/4 des Kollektorstromes des Transistors 41 beträgt, beliefert der Transistor 49 die Darlington-Stufe 47 mit einem erheblichen Basisstrom. An die Transistoren 41 und 42 ist daher eine positiv rückkoppelnde Anordnung (Mitkopplungsanordnung) mit dem Verstärker 47 und den Transistoren 48 und 49 angekoppelt. Wenn der Strom in den Transistoren 41 und 42 weiter ansteigt, nimmt die Spannung am Widerstand 44 einen im Vergleich zum gewünschten vor bestimmt en Betriebswert (:*.B. 3 C. Millivolt) beträchtlichen Wert an. Der Transistor 41 wird daher mit einerSince the collector current of transistor 42 at initial current values is on the order of 1/4 of the collector current of transistor 41, transistor 49 supplies the Darlington stage 47 with a significant base current. To the transistors 41 and 42 is therefore a positive feedback arrangement (positive feedback arrangement) with the amplifier 47 and the transistors 48 and 49 coupled. As the current in transistors 41 and 42 increases further, the voltage across resistor 44 takes a comparison to the desired pre-determined operating value (: *. B. 3 C. millivolt) considerable Value. The transistor 41 is therefore with a

109884/1309109884/1309

. . BAD ORIGINAL. . BATH ORIGINAL

niedrigeren r-asis-Emitterspannung beliefert als der Transistor z'2, und als Folge davon steigt der Emitterstrom des Transistors 41 nicht genügend weiter an, um das Verhältnis von 4:1 r.um Emitterstrom des Transistors al beizubehalten.supplies lower r-asis emitter voltage than transistor z'2, and as a result, the emitter current of transistor 41 does not rise further enough to maintain the ratio of 4: 1 r. to emitter current of transistor al .

Wenn die Spannung.am Widerstand 44 sich dem Wert von ungefährWhen the voltage across resistor 44 is equal to approximately

IrT A 1
3 C Millivolt (~- log T^) annähert, werden die Kollektor ströme der Transistoren 41 und 42 annähernd gleich. Danach sind die pnp-Transistoren 48 und 49 bestrebt, die Kolle'ctorströme der Transistoren 41 und 42 im wesentlichen gleich .^u halten. Die -McIc-kopplungsanordnung mit dem Darlington-Verstärker 47, den Transistoren 48 und 49 und den Transistoren 41 und 4·?· erreicht daher einen stabilen oder gegengekoppelten Zustand, so daß die Spannung am Widerstand 44 (und folglich der Strom der Transistoren i[l und 42) dazu neigt, auf dem vorbestimmten gewünschten Wert konstant r\i bleiben.
IrT A 1
3 C millivolts (~ - log T ^) , the collector currents of the transistors 41 and 42 are approximately the same. Thereafter, the pnp transistors 48 and 49 endeavor to keep the collector currents of the transistors 41 and 42 essentially the same. The -McIc coupling arrangement with the Darlington amplifier 47, the transistors 48 and 49 and the transistors 41 and 4 ·? · Therefore reaches a stable or negative feedback state, so that the voltage across the resistor 44 (and consequently the current of the transistors i [ l and 42) tends to remain constant at the predetermined desired value r \ i.

Zusätzliche Transistoren, beispielsweise die Transistoren 53 und 62, können mit ihren Basis-Emitterübergängen zum Basis-Emitterübergang des Transistors 42 parallelgeschaltet sein, so daß sich im wesentlichen konstante Ströme ergeben, die durch den Wert des Widerstands 44 bestimmt sind. So gibt man z.B. bei einem Wert des Widerstands /J4 von 3 C-OO Ohm dem Transistor 53 eine effektive oder wirksame Basis-Emitterfläche, die gleich der des Transistors 42 ist, wodurch der Differenzverstärker 50 mit einem Strom λόιι 10 Mikroampere beliefert wird.Additional transistors, for example transistors 53 and 62, can be connected in parallel with their base-emitter junctions to the base-emitter junction of transistor 42, so that essentially constant currents which are determined by the value of resistor 44 result. For example, at a value of the resistor / J4 of 3 C-OO ohms, the transistor 53 has an effective or effective base-emitter area which is equal to that of the transistor 42, as a result of which the differential amplifier 50 is supplied with a current λόιι 10 microamps.

Dem Transistor 02 gibt man eine effektive Basis-Bmittorfläehe, die 1, 5-mal großer ist als die des Transistors 42, so daß sich ein Strom von 15 Mikroampere für den Stromverstärker 03 ergibt. Statt dessen kann man auch den Stromquellentransistor 02 und den Stromverstärker 63 nach Figur 2 durch einen einfachen pnp-Stromquellentransistor ersetzen, dessen Basis-Emitterübergang 1,5-mal so groß ist wie der des Transistors 48. In diesem Fall wären die Basis-EmJtterübergänge des pnp-Stromquellentransistors und des Transistors 68 parallelzuschalten und der Kollektor des pnp Stromquelleutransistors an die Basis des Transistors 71 anzuschließen.The transistor 02 is given an effective base Bmittor area, which is 1.5 times larger than that of transistor 42, so that a Current of 15 microamps for the current amplifier 03 results. Instead of You can also use the current source transistor 02 and the current amplifier 63 according to Figure 2 by a simple pnp current source transistor replace whose base-emitter junction 1.5 times as large is like that of transistor 48. In this case the base-to-emitter junctions would be of the pnp current source transistor and the transistor 68 to be connected in parallel and the collector of the pnp current source transistor to be connected to the base of transistor 71.

beachten int, daß der gewünschte Strompegel in dor .Strom- note int that the desired current level in the .current-

.109884/1309.109884 / 1309

stabilisierschaltunp 40 mit Mitteln hergestellt v/ird, die nur das Zweifache des gewünschten Stromes verbrauchen (d.h. gleiche Ströme in den die Kollektoren der Transistoren 41 und /\2 enthaltenden Stromwefen). Ferner wird als einziger Widerstand der Widerstand 44 frebraucht, der verhältnismäßig niedrig bemessen sein kann.stabilisierschaltunp 40 is made with means v / ith that only two times the desired current consumption (ie, equal currents in the collectors of the transistors 1 and 4 / \ 2 containing Stromwefen). Furthermore, the only resistor that is used is resistor 44, which can be relatively low.

Die Differenz zwischen der Speisespannung am Anschluß 33 und der opannunp am Widerstand 44 erscheint hauptsächlich an der Kollektor -Emitterstrecke des Transistors 49 im einen und an der Kollektor -Emitter st recke der Darlinf^ton-Stuf e 4/ im anderen Stromwef der Stromstabilisierschaltiuir 40. Dem Anschluß 33 können daher j Speisesparinunren mit einem verhältnismäßig weiten Bereich unter- ™ sciiiedlicher /erte r-ugreleitet werden, ohne daß die Ströme in der Stromstr.bilisierschaltuiift 40 oder die von den Hilfsstromquellentransistoren 5,] und (2 gelieferten Ströme dadurch in ihrem Wert beeiniluüt werden.The difference between the supply voltage at terminal 33 and the opannunp at resistor 44 appears mainly at the collector-emitter path of transistor 49 in one and at the collector -emitter path of Darlinf ^ ton stage 4 / in the other current wave of Stromstabilisierschaltiuir 40. The connection 33 can therefore be fed with a relatively wide range of different values without the currents in the Stromstr.bilisierschaltuiift 40 or the currents supplied by the auxiliary current source transistors 5, 1 and (2 in their value be influenced.

Die ochalturifr nach "ifrur iilaiit sich in verschiedener ilinsicht abwandeln, Beispiel r.weise kann anstelle des Dar Linpto ι-Verstärkers 47 ein ei-i'^ifer Transistor verwendet werden. Die Leitu"pstypen sämtlicher Transistoren können umrokehrt sein, in welchem -'alle die dem Anschluß 33 r-ufveführte Spannurif; die entpefenffesetrte Polarität haken müßte, ferner haaa die Funktion der Transistoren 41, 42, i[o u.id ι\ (.i ,-jov/eils von einer Kr.skade aus mehreren Bauelementen J übernomme·! xverden. seispielsweise Jcann in bekannter V/eise jedes der pnp-.Jaueleme:ite durch einen αηι- und einen pnp- Transirtor in DirektJ'.opplunr mit hohem zusamraen/reset-rten prip-ii-Wert realisiert werdo ;.The ochalturifr according to "ifrur iilaiit change in different ways, for example, instead of the Dar Linpto ι amplifier 47 a single transistor can be used. The conductivity types of all transistors can be reversed, in which - ' all of the tensioning urif carried out to terminal 33; the correct polarity would have to be hooked, furthermore the function of the transistors 41, 42, i [o u.id ι \ ( .i, -jov / eils is taken over from a circuit consisting of several components V / eise each of the pnp-.Jaueleme: ite is realized by a αηι- and a pnp- Transirtor in directJ'.opplunr with high combined / reset-rten prip-ii value;.

ir &ργ, "erhält'iis der wirksamen Flächen der Basis-Emitterüber^är« der Transistoren 41 und 42 kan-'i auch ein anderer Wert als 4 gewählt werdfiii. Jedoch muß dieses Verhältnis in Verbindung mit anderen Scha] tunp.sparametern so frroß sein, daß sich für den Anfanff.svui;tand der .Stromquelle (Stromstabilisierschaltunp) 40 eine Mitkopplurii»· (Verstärkung größer als 1) erp-ibt. linter Berücksichti- l^np dieses Erfordernisses kann auch für das Verhältnis der Flächen der Ba.si.s -Kmitterüberfiänjrre der pnp -Transistoren 48 und 4(> eine anderer Wert als 1 gewählt werden.ir & ργ, "erhält'iis the effective areas of the base-emitter ^ är" of transistors 41 and 42 kan-'i another value werdfiii chosen as the fourth However, this ratio must be in conjunction with other shaving] tunp.sparametern so frroß be that for the Anfanff.svui; the .Stromquelle (Stromstabilisierschaltunp) tand 40 is a Mitkopplurii »· (gain greater than 1) ibt erp linter into account l ^ np this requirement can also for the ratio of the areas of Ba.. si.s -Kmitterüberfiänjrre of pnp -transistors 48 and 4 ( > a value other than 1 can be selected.

mQPAA/Hilft 6ADORlGiNAtmQPAA / Hilft 6ADORlGiNAt

Der Einschaltstromtransistor A( !earn in bestimmten Fal3.cn auch entfallen, wremi die pnp Transistoren einen ausroichend.cn Leckstrom liefern odor wenn /yenügend Htreu'.:apa:-ität oder -spa: πα·;," vorhanden ist, um ein verläßliches Einschalten r-u gewährleiste'.The inrush current transistor A ( ! Earn in certain cases is also omitted, if the pnp transistors deliver a sufficient leakage current or if there is enough Htreu '.: Apa: -ity or -spa: πα · ;, "is available to a reliable switching on is guaranteed.

''.wischen dem Emitter des Tra isirtors i<'.?. n.nd dem !^.SReanrchlub 3 5 kann ein Widerstand vorhanden sein, ü.oi* iecbc. in seinem .Vert !Wesentlich kleiner als der des ividerstands 44 usd vorr-iirrsv/eir.e ~·; nähernd null ist.''. wipe the emitter of the tra isirtor i <'.?. After the! ^. SReanrchlub 3 5 there may be a resistance, ü.oi * iecbc. in his .Vert! considerably smaller than that of the individual estate 44 usd vorr-iirrsv / eir.e ~ ·; is close to zero.

109884/1309109884/1309

Claims (2)

ίΛ π t e η t a η s ρ r ü c h cί Λ π te η ta η s ρ r ü chc \J Stromrtr.bilisierschaltung mit einem ersten Transistor, der mit seinem Kollektor gleichstromloitend p.n die erste von zwei ar> eine iinorri equel.1 c anschließharen Speiseklemmen und mit seinem ■Emitter or ein Gegenkopnlungsglied mit einer ohmschen Widerstands? strecke an die r.weite Speiseklemme angeschlossen ist, sowie mit einer zwische··» die iasis dieses Transistors und die zweite Spciselderamc rreschnltcteu geregelten Spannun^snuelle, da durch g e k e η η ζ e i c h η e t , daß ein zweiter Tran- , sistor (26) rleichstromleitend mit seiner basis an den Emitter ™ urd mit seinem Kollelctor ar? die "visis des ersten Transistors (22) und mit seinem Emitter an die zweite Speiseklemme (12) anpeschlos-ί-'cn ist und daß ein Stromverstärker (?■/, 23) mit seinem Eingang an den Kollektor des ersten (22) und mit seinem Ausgang an den Kollektor des zweiton (2f) Transistors sowie mit einem Eingang und Axisganf fremeinsamen. Anschluß an die erste Speiseklemme (11) .".'!geschlossen ist. \ J Stromrtr.bilisierschaltung with a first transistor with its collector direct current loitend pn the first of two a r > one iinorri equel.1 c connectharen supply terminals and with its ■ emitter " or a negative feedback element with an ohmic resistance path to the r .wide supply terminal is connected, as well as with a between ·· »the iasis of this transistor and the second Spciselderamc rreschnltcteu regulated voltage source, because by geke η η ζ calibrate η et that a second transistor (26) conducts direct current with its base to the Emitter ™ and with its collector ar? the "visis of the first transistor (22) and its emitter to the second supply terminal (12) is connected and that a current amplifier (? ■ /, 23) with its input to the collector of the first (22) and its output to the collector of the two-tone (2f) transistor as well as an input and Axisganf alien. Connection to the first supply terminal (11). ". '! Is closed. 2. Stromstabilisierschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromverstärker einen dritten Transistor (2/), der mit seiner Basis an den Eingang, mit seinem Emitter an den gemeinsamen Anschluß und mit seinem Kollektor m an den Ausgang des Stromverstärkers angeschlossen ist, sowie einen vierten Transistor (23), der mit seiner Basis und seinem Kollektor gemeinsam r. > den Eingang und mit seinem Emitter an den gemeinsamen A:ii chluß des Stromverstärkers aageschl.ossen ist, enthält. 2. Current stabilizing circuit according to claim 1, characterized in that the current amplifier has a third transistor (2 /) which is connected with its base to the input, with its emitter to the common terminal and with its collector m to the output of the current amplifier, and a fourth transistor (23) which has its base and its collector together r. > the input and its emitter is connected to the common terminal of the current amplifier. .'5. Stromstabilisierschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g ο k e η η :: e i c h η e t , daß ein Hilfstrarisistor mit seiner Basis-Emitterstrecke zur I'asis-Emitterstrecke eines der genannten Transistoren parallelgeschaltet ist und eine wtromruellc für einen an seinen Kollektor angeschalteten Verbraucher bildet..'5. Stromstabilisierschaltung according to claim 1 or 2, characterized g ο ke η η :: calibration η et that a Hilfstrarisistor is connected in parallel with its base-emitter path for I'asis-emitter path of one of said transistors and forms a wtromruellc for a turned-on to its collector consumer . / . M-romstabilisier.^chaltung nach einem dor Ansprüche 1 bin /. M-romstabilisier. ^ Circuit according to any one of claims 1 am 109884/ 1309 bad original109884/1309 bad original , d r. d. -τι r c Ii ;i e !". e η η r c i c h ·. e t , da.- eier erste r _ηΓ:; r,..;.>r ε,,Γ ---(.roi in ^arliifto^-Sch^-unf ver*"u*ice cn T1ITnictore·· -cstchfc,, d rd -τι rc Ii; ie! ". e η η rc i ·. et, da.- eier first r _ ηΓ:; r , .. ; . > r ε ,, Γ --- (. roi in ^ arliifto ^ -Sch ^ -unf ver * "u * ice cn T 1 ITnictore ·· -cstchfc, r. r3^r imr^^n^ilisierschaltui β :^ch einen rnr A 'corüche 1 >-is /j d r d u r c h f e ;-. e η ·:, ,τ e i c h ··· e h , c'ci dr.ε Gero.·-..r.oppaus eines '/iclerstand ( ?, 1 "· bestohv,. r . r 3 ^ r imr ^^ n ^ ilisierschaltui β : ^ ch a rnr A 'corüche 1> -is / j drdurch f e; -. e η · :,, τ eich ··· eh, c'ci dr.ε Gero. · - .. r.oppaus einer '/ iclerstand (?, 1 "· bestohv ,. ■■ . ntroms1:-?"'ij-isierschal"tun£r nach ei:iem der Anp d a d u r c h /rc h e η η reichte t. , dr.ib des Go.re-.-zorsO- ^ lunrTSjP"ixed aus dor Reihenschaltunr eines Widerstands (21) u-\ö. ei^es Halbleitergleichrichterβ (lo) besteht.■■. ntroms1: -? "'ij-isierschal" do £ r after ei : iem the adaption thereby / rc he η η reached t. , Dr.ib of Go.re zorsO- -.- ^ lun r TSjP "ixed from dor Reihenschaltunr a resistor (21) u- \ ö. Ei ^ there is Halbleitergleichrichterβ (lo). / . --trotnstaT'ilisieririciialtunp nrcli A'isiruch f , el f. d η r ch f e h e η T~- ^eic h η et, daü wischen die erste Speise'zlemme und die ^asis des ersten Transistors eine Lec^stroma^.orriv-un/r reschaltet ict./. --trotnstaT'ilisieririciialtunp nrcli A'isiruch f, el f. d η r ch fehe η T ~ - ^ eic h η et, the first feed terminal and the base of the first transistor wipe a Lec ^ stroma ^ .orriv -un / r switched on ict. 1 09884/ 1 3091 09884/1 309 LeerseiteBlank page
DE2134774A 1970-07-13 1971-07-12 Circuit arrangement for stabilizing a current Expired DE2134774C3 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US5453670A 1970-07-13 1970-07-13
US10552071A 1971-01-11 1971-01-11

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2134774A1 true DE2134774A1 (en) 1972-01-20
DE2134774B2 DE2134774B2 (en) 1978-05-11
DE2134774C3 DE2134774C3 (en) 1985-01-31

Family

ID=26733140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2134774A Expired DE2134774C3 (en) 1970-07-13 1971-07-12 Circuit arrangement for stabilizing a current

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS5214431B1 (en)
BE (1) BE769899A (en)
DE (1) DE2134774C3 (en)
FR (2) FR2104782B1 (en)
GB (1) GB1364047A (en)
NL (1) NL7109589A (en)
SE (1) SE383216B (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2459360A1 (en) * 1973-12-20 1975-07-03 Itt Ind Gmbh Deutsche MONOLITHICALLY INTEGRATED POWER SOURCE WITH HIGH OUTPUT RESISTANCE AND ITS USE IN A TWO-WIRE / FOUR-WIRE TRANSITION CIRCUIT
DE2616363A1 (en) * 1975-04-24 1976-12-02 Philips Nv DEVICE FOR DELIVERING A REGULATED CURRENT
DE2711864A1 (en) * 1976-03-31 1977-10-06 Philips Nv CURRENT STABILIZATION CIRCUIT

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54171887U (en) * 1978-05-25 1979-12-05
JPS57162505A (en) * 1981-03-31 1982-10-06 Toshiba Corp Transistor circuit
JPS5863298A (en) * 1981-10-12 1983-04-15 Sony Corp Speaker
JPS59200510A (en) * 1983-04-26 1984-11-13 Citizen Watch Co Ltd Amplifier with low power consumption

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2978630A (en) * 1956-12-28 1961-04-04 Lear Inc Transistor current regulator
US2991407A (en) * 1958-02-17 1961-07-04 Sylvania Electric Prod Current supply apparatus
DE1110286B (en) * 1959-09-25 1961-07-06 Siemens Ag Electronic, two-pole arrangement for keeping a direct current constant
US3246233A (en) * 1962-05-11 1966-04-12 Gen Precision Inc Current regulator
GB1094089A (en) * 1966-03-29 1967-12-06 Ibm Current limiter circuit
US3391311A (en) * 1966-02-07 1968-07-02 Westinghouse Electric Corp Constant current gain composite transistor
DE1293306B (en) * 1963-08-15 1969-04-24 Motorola Inc Current limiting two-pole
DE1293308B (en) * 1966-01-21 1969-04-24 Siemens Ag Transistor arrangement for current limitation
GB1273049A (en) * 1968-09-23 1972-05-03 Siemens Ag Improvements in or relating to active two-terminal networks

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2978630A (en) * 1956-12-28 1961-04-04 Lear Inc Transistor current regulator
US2991407A (en) * 1958-02-17 1961-07-04 Sylvania Electric Prod Current supply apparatus
DE1110286B (en) * 1959-09-25 1961-07-06 Siemens Ag Electronic, two-pole arrangement for keeping a direct current constant
US3246233A (en) * 1962-05-11 1966-04-12 Gen Precision Inc Current regulator
DE1293306B (en) * 1963-08-15 1969-04-24 Motorola Inc Current limiting two-pole
DE1293308B (en) * 1966-01-21 1969-04-24 Siemens Ag Transistor arrangement for current limitation
US3391311A (en) * 1966-02-07 1968-07-02 Westinghouse Electric Corp Constant current gain composite transistor
GB1094089A (en) * 1966-03-29 1967-12-06 Ibm Current limiter circuit
GB1273049A (en) * 1968-09-23 1972-05-03 Siemens Ag Improvements in or relating to active two-terminal networks

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z.:"Electronic Design", 01.02.1968, S.134 *
US-Z.:"Electronics" v. 28.04.1969, S. 140,141 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2459360A1 (en) * 1973-12-20 1975-07-03 Itt Ind Gmbh Deutsche MONOLITHICALLY INTEGRATED POWER SOURCE WITH HIGH OUTPUT RESISTANCE AND ITS USE IN A TWO-WIRE / FOUR-WIRE TRANSITION CIRCUIT
DE2616363A1 (en) * 1975-04-24 1976-12-02 Philips Nv DEVICE FOR DELIVERING A REGULATED CURRENT
DE2711864A1 (en) * 1976-03-31 1977-10-06 Philips Nv CURRENT STABILIZATION CIRCUIT

Also Published As

Publication number Publication date
SE383216B (en) 1976-03-01
DE2134774B2 (en) 1978-05-11
JPS472969A (en) 1972-02-14
JPS5214431B1 (en) 1977-04-21
FR2104782A1 (en) 1972-04-21
DE2166356A1 (en) 1973-10-25
DE2166356B2 (en) 1977-01-20
DE2134774C3 (en) 1985-01-31
NL7109589A (en) 1972-01-17
FR2209145A1 (en) 1974-06-28
BE769899A (en) 1971-11-16
GB1364047A (en) 1974-08-21
FR2209145B1 (en) 1976-06-18
FR2104782B1 (en) 1976-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2437427C3 (en) Temperature compensated constant current circuit
DE102011001346B4 (en) Low noise bandgap references
DE1906213B2 (en) Current control circuit
DE2154904A1 (en) Reference voltage source
DE102017125831B4 (en) Band gap reference voltage circuit, cascaded band gap reference voltage circuit and method for generating a temperature stable reference voltage
DE2113630A1 (en) Electric control circuit
EP0080567B1 (en) Semiconducter integrated current source
DE2424812A1 (en) AMPLIFIER WITH OVERCURRENT PROTECTION
DE1813326B2 (en) Circuit arrangement for biasing the base-emitter path of a transistor by means of a temperature-dependent bias
DE1901804B2 (en) STABILIZED DIFFERENTIAL AMPLIFIER
DE2337138A1 (en) AMPLIFIER CIRCUIT
DE2260405B2 (en) Reference voltage generator circuit
DE2705276A1 (en) CONSTANT CURRENT CIRCUIT
DE3210644C2 (en)
DE3439114A1 (en) BAND GAP VOLTAGE REFERENCE
DE2607422C3 (en) Current control circuit
DE2147606A1 (en) Circuit arrangement, in particular for generating voltages
DE2434947C3 (en) Current amplifier
DE2850487A1 (en) TRANSISTOR AMPLIFIER CIRCUIT
DE3212396C2 (en)
DE2134774A1 (en) Current stabilization circuit
DE2339751B2 (en) Circuit arrangement for supplying a stabilized DC voltage
DE2354340A1 (en) PRELOAD SWITCH FOR A TRANSISTOR
DE2553431A1 (en) REFERENCE SOURCE FOR GENERATING A TEMPERATURE-INDEPENDENT CURRENT
DE3715238A1 (en) TRANSISTOR SWITCHING DEVICE WITH BASIC CURRENT REGULATION

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee