DE2126427C3

DE2126427C3 - Receiver input circuit

Info

Publication number: DE2126427C3
Application number: DE19712126427
Authority: DE
Inventors: Clive Lombard; McDonald James Anthony Downers Grove; 111. Hoffman (V.StA.)
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1970-05-28
Filing date: 1971-05-27
Publication date: 1976-12-23

Description

ίο Empfänger-Eingangsschaltungen, wie sie für Rundfunkgeräte, Fernsehgeräte und andere Einrichtungen Verwendung finden, mit denen elektromagnetische Energie empfangen wird, sind in vielfacher Form für den Empfang und die Verarbeitung von HF-Signalinformationen bekannt. Bei einem bekannten Schaltungsaufbau wird eine bekannte Wandlerstufe benutzt, welche als kombinierte Oszillator- und Mischschaltung Verwendung findet und aus den empfangenen HF-Signalen ZF-Signale bildet. Eine derar-ίο Receiver input circuits as they are for Radios, televisions and other devices are used with which electromagnetic Energy is received are in multiple forms for the reception and processing of RF signal information known. A known converter stage is used in a known circuit structure used, which is used as a combined oscillator and mixer circuit and from the received HF signals form IF signals. One of these

ao tige Empfängereingangsschaltung ist trotz einiger Nachteile im großen Umfang in Anwendung, da sie verhältnismäßig billig herzustellen ist und mit weniger Lehtuiigsanforderungen zu betreiben ist, als dies bei herkömmlichen Empfängereingangsschaltungen der Fall ist, die aus einer separaten Mischstufe und einem separaten Überlagerungsoszillator aufgebaut sind.ao term receiver input circuit is, despite some disadvantages, widely used because it is relatively cheap to manufacture and can be operated with fewer Lehtuiig requirements than this conventional receiver input circuits is the case, which consists of a separate mixer stage and a separate local oscillator are built.

Bei einer weiteren bekannten Empfängereingangsschaltung sind mehrere HF-Verstärkerstufen vorhanden, um die Amplitude des ausgewählten HF-Signals zu verstärken, bevor es mit der Oszillatorfrequenz gemischt wird. Obwohl derartige Empfängereingangsschaltungen mit mehreren HF-Verstärkerstufen und einer getrennten Oszillatorstufe sowie einer getrennten Mischstufe gegenüber einer Empfängereingangs-In another known receiver input circuit there are several RF amplifier stages to increase the amplitude of the selected RF signal before mixing it with the oscillator frequency. Although such receiver input circuits with several RF amplifier stages and a separate oscillator stage and a separate one Mixing stage compared to a receiver input

schaltung vom Wandlertyp wesentlich bessere charakteristische Eigenschaften besitzt, macht eine solche Schaltung gegenwärtig Schwierigkeiten, da sie nur verhältnismäßig teuer herzustellen ist und einen verhältnismäßig großen Raumbedarf benötigt, der insbe-converter-type circuit has much better characteristic properties, makes such a Circuit is currently experiencing difficulties as it is only relatively expensive to manufacture and one relatively requires a large amount of space, in particular

sondere auf die Verwendung von Koppeltransformatoren zwischen den einzelnen Stufen zurückgeht. Außerdem wird den einzelnen Stufen der Schaltung der Betriebsstrom separat und unabhängig voneinander zugeführt, da jede Stufe bezüglich der Versor-special goes back to the use of coupling transformers between the individual stages. In addition, the operating current is separate and independent of each other for the individual stages of the circuit supplied, as each stage with regard to the supply

gungsenergie parallel zu den übrigen geschaltet ist und somit über die einzelnen Stufen parallel liegende Stromkreise verlaufen. Dadurch ergibt sich ein verhältnismäßig hoher Leistungsbedarf. Auch kann der Leistungsbedarf des Überlagerungsoszillators in einem Empfänger verhältnismäßig hoch sein, wenn dieser nicht bezüglich der Amplitude des Oszillatorausgangssignals, das der Mischstufe zugeführt wird, geregelt wird. Daraus ergibt sich, daß auch der Überlagerungsoszillator einen verhältnismäßig hohen Leistungsbedarf hat. Der insgesamt sich daraus ergebende hohe Leistungsbedarf für die Empfängereingangsschaltung ist von Nachteil, wenn derartige Empfänger von einer einzigen verhältnismäßig kleinen batterie aus betrieben werden sollen, die nur eine geringe begrenzte Energiemenge abgeben können. Derartige Batterien werden deshalb verhältnismäßig schnell verbraucht, so daß möglicherweise das Empfangsgerät nicht betriebsbereit ist, wenn es benötigt wird.energy is connected in parallel to the others and thus lying in parallel across the individual stages Circuits run. This results in a relatively high power requirement. Also can Power requirement of the local oscillator in a receiver can be relatively high if this not with regard to the amplitude of the oscillator output signal that is fed to the mixer stage, is regulated. It follows that the local oscillator also has a relatively high power requirement has. The overall resulting high power requirement for the receiver input circuit is disadvantageous when such recipients from a single relatively small battery should be operated from, which can only deliver a small, limited amount of energy. Such batteries are therefore used up relatively quickly, so that possibly the receiving device is not operational when it is needed.

Es ist auch bekannt (britische Patentschrift 1 168 963), bei einer Frequenzwandlerschaltung zwei Transistoren in Serie direkt miteinander zu verbinden, womit jedoch bei batteriebetriebenen Schaltungen mitIt is also known (British Patent 1,168,963) to have two in one frequency converter circuit To connect transistors in series directly with one another, which, however, with battery-operated circuits

(f(f

TTL3SSMerino P ^Abst _u ^ellun8 EmpfängereingangsschaJtung 10 besitzt einen HF- T TL3SSMerino P ^Abst _u ^{ellun 8 Receiver input switch} 10 has an HF

- äSSil?SrJL⁸v^H ⁿ-^rgiebedarf EingangU.dermftciner Antenne verbunden werden- äSSil? SrJL ⁸ v ^ H ⁿ - ^rgiebedarf entranceU.dermftciner antenna to be connected

_eJne Fehlanp^ung nicht zu vermeiden ist. kann und die von einer geeigneten Sendestation aus- _eJ ne incorrect adaptation cannot be avoided. and which can be sent from a suitable transmitter

^ ™f ^?env^Erfi?^{dUng Üegt} 8^esen^ten HF-Signale empfängt. Diese HF-Signale^ ™ f ^{? En} v ^Erfi ? ^Manure 8 ^Üegt ^ese n ^ th receiving RF signals. These RF signals

ugmndeemelanpfangerEin d i ZFSi l d i EiugmndeemelanpfangerEin d i ZFSi l d i Ei

T^- ^f£te ™™f ^?v?^{g gt} 8^esen^ten HFSignale empfängt. Diese HFSignale deshalb^dieAuf^bezugmnde.emelanpfanger-Ein- ₅ werden in ZF-Signale umgewandelt und einer Ein- |angss(±altung™schaffen, die gegenüber bekannten richtung 14zugeführt, in welcher die ZF-Signale verSchaltungen einen verhältnismäßig niederen Energie- arbeitet werden T ^ - ^ f £ te ™ Brille f ^? v? ^g ^ese ^gt 8 receives n ^ th RF signals. These RF signals therefore dieAuf ^ ^ bezugmnde.emelanpfanger input ₅ are converted into IF signals and an input | angss (± tra ting ™ provide the 14zugeführt over known direction in which the IF signals interconnections operates a relatively low energy will

Φ?? ^Unl^dS^e^if^neT^{qll i} Φ ?? ^Un l ^d S ^e ^ if ^ne T ^{qll i}

Φ??? tl»S^ifT^qA ^{nUr geringfÜ}- ^Eine HF-Verstärkerstufe 16 empfängt die HF-Si- Φ ??? tl »S ^ ifT ^q A ^{only low} - ^An HF amplifier stage 16 receives the HF Si

g,g belastet, wobei jedoch auch eine Anpassung der gnale und überträgt diese nach einer Verstärkung ang, g loaded, but also an adaptation of the signals and transmits them after an amplification

Ausgangsimpedanz der_HF-Verstarkerstufe an die _l0 den Eingang 18a einer Mischstufe 18. Ein Betriebs-Output impedance of the_HF amplifier stage to the _l0 the input 18a of a mixer 18. An operating

Eingangraipedanz der Mischstufe gegeben sein soll. potential B+ wird an die Eingangsklemme 20 derInput traction of the mixer should be given. potential B + is applied to input terminal 20 of the

Zwar ist es dem Fachmann bekannt, Resonanz- Mischstufe 18 angelegt, so daß auf Grund der Gleich-It is known to the person skilled in the art to apply a resonance mixer stage 18 so that due to the equalization

schwmgkreise zur Impedanzanpassung zu verwenden, Stromkopplung 22 ein gemeinsamer Strom durch dieTo use oscillating circuits for impedance matching, current coupling 22 a common current through the

jedoch bei der Verringerung der Leistungsanforde- Mischstufe 18 und die HF-Verstärkerstufe 16 fließt,However, with the reduction of the power requirement mixer stage 18 and the RF amplifier stage 16 flows,

rung stoßt dies bei Empfä^ger-Eingangsschaltungen ₁₅ Diese Gleichstromkopplung zwischen der MischstufeThis encounters this in receiver input circuits ₁₅ This DC coupling between the mixer stage

auf Schwierigkeiten, wenn die Schaltung nicht nur mi- =und der HF-Verstärkerstufe verringert den Strombe-difficulties if the circuit is not only mi- = and the HF amplifier stage reduces the current

niatunsiert, sondern auch als Batteriegerät mit Ver- darf dieser Stufen erheblich im Vergleich zum Strom-niatunsiert, but also as a battery device with the requirement of these levels considerably in comparison to the electricity

hältnismaßig kleinen Batterien betrieben werden soll. bedarf, der bei der üblichen unabhängigen Betriebs-relatively small batteries should be operated. required, which in the usual independent operating

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind weise auftritt. Damit wird bezüglich des von derAdvantageous developments of the invention occur wisely. With regard to the

in den Unteranspruchen beschrieben. ₂₀ Stromversorgung B+ über die Mischstufe 18 und diedescribed in the subclaims. ₂₀ Power supply B + via mixer 18 and the

Der bei der Schaltung nach Anspruch 4 auftretende HF-Verstärkerstufe 16 gemeinsam fließenden Stroverhältmsmaßig hohe Spannungsabfall an der Basis- mes beim Betrieb dieser Stufen ein wesentlicher An-Emitterstrecke des Mischtransistors verursacht einen teil an Verlustleistung eingespart, verhältnismäßig großen Strom im Steuertransistor, Ein Überlagerungsoszillator 24 ist mit seiner Ausder seinerseits eine verhältnismäßig hohe Ausgangs- ₂₅ gangsklemme 24a an die zweite Eingangsklemme 18 b amplitude für das Oszillatorsignal auslöst, das an die der Mischstufe 18 gleichstrommäßig angeschlossen, so Basis des Mischtransistors angelegt wird. Jedoch ver- daß das HF-Signal und das Oszillatorsignal in der ursacht das hochfrequente, an der Basis-Emitter- Mischstufe überlagert wird und ein Differenzsignal strecke des Mischtransistors erzeugte Signal - dieses mit der gewünschten ZF liefert. Diese Gleichstromhochfrequente Signal ist nur das Oszillatorsign?l oder ₃₀ kopplung zwischen der Ausgangsklemme 24a des die Kombination des HF-Signals von der HF-Vemär- Überlagerungsoszillators 24 und der Eingangsklemme kerstufe mit dem Oszillatorsignal der Oszillatorstufe 18b der Mischstufe 18 führt zu der Einsparung der - eine Verringerung des mittleren Gleichspannungs- für eine Wechselstromkopplung nötigen Kompoabfalls an der Basis-Emitterstrecke des Mischtransi- nente, die üblicherweise aus einem Transformator bestors, wobei dieser Spannungsabfall eine Funktion des _3S steht. Durch diesen speziellen Aufbau ist es möglich, Betrags des Frequenzsignals ist, das der Mischstufe die Empfängereingangsschaltung 10 verhältnismäßig zugeführt wird. Dieser von der Signalzuführung ab- kleinvolumig und mit einem Minimum an Komponenhängige Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke ten aufzubauen, wodurch sich die Kosten im Vergleich des Mischtransistors verursacht eine Verringerung des mit bisher bekannten Empfängereingangsschaltungen Stromes durch den Steuertransistor, was seinerseits ₄₀ beträchtlich verringern lassen, die Signalamplitude der vom Überlagerungsoszillator Um sicherzustellen, daß der Signalpegel des an die gelieferten Oszillatorschwingung verringert. Diese Eingangsklemme 186 der Mischstufe 18 angelegten Rückkopplungsanordnung steuert besonders vorteil- Signals den richtigen Wert besitzt, ist eine Oszillatorhaft die Amplitude des Oszillatorausgangssignals in kontrollschaltung 26 vorgesehen, deren Ausgangs-Abhängigkeit von der Signalinformation, die dem ₄₅ klemme 26a direkt mit der Eingangsklemme 24b des Mischtransistor zugeführt wird. Überlagerungsoszillators 24 gekoppelt ist und dieThe HF amplifier stage 16 occurring in the circuit according to claim 4, common flowing current-proportionally high voltage drop at the base mes during the operation of these stages a substantial on-emitter path of the mixer transistor causes part of the power loss saved, relatively large current in the control transistor, a superimposed oscillator 24 is with its apparent from his hand, a relatively high output ₂₅ through terminal 24a to the second input terminal 18 b amplitude triggers for the oscillator signal applied to the connected DC-wise from the mixer 18, so the base of the mixing transistor is applied. However, the RF signal and the oscillator signal cause the high frequency, which is superimposed at the base-emitter mixer stage and a difference signal stretch of the mixer transistor signal - this delivers with the desired IF. This direct current high-frequency signal is only the oscillator signal? L or ₃₀ coupling between the output terminal 24a of the combination of the HF signal from the HF-Vemär- superposition oscillator 24 and the input terminal kerstufe with the oscillator signal of the oscillator stage 18b of the mixer 18 leads to the saving of the - a reduction in the mean DC voltage drop required for an AC coupling at the base-emitter path of the mixed transient, which usually consists of a transformer, this voltage drop being a function of the _3S . This special structure makes it possible to determine the amount of the frequency signal which is fed to the mixer stage by the receiver input circuit 10 in proportion. This from the signal feed off small volume and with a minimum of Komponenhängige voltage drop across the base-emitter junction th building, thus increasing the costs compared the mixing transistor causes a reduction of with previously known receiver input circuits flow through the control transistor, which can be reduced in turn ₄₀ considerably, the signal amplitude of the local oscillator to ensure that the signal level of the supplied to the oscillator oscillation is reduced. This input terminal 186 of the mixer 18 applied feedback arrangement controls particularly advantageous signal has the correct value, an oscillator-like the amplitude of the oscillator output signal is provided in control circuit 26, its output dependence on the signal _{information that the 45} terminal 26a directly with the input terminal 24b of the mixer transistor is fed. Local oscillator 24 is coupled and the

Es ist von Vorteil, einer oder mehrerer dieser Stu- Amplitude der Oszillatorschwingung regelt. Die Am-It is advantageous to regulate one or more of these Stu amplitudes of the oscillator oscillation. The Am-

fen der Empfängereingangsschaltung Bypasskonden- plitudenregelung der Oszillatorfrequenz wird durchfen the receiver input circuit bypass capacitance control of the oscillator frequency is through

satoren zuzuordnen, die eine Ableitung zur Versor- eine Parallelschaltung der Eingangsklemmen 26 b undto assign sators that a derivation to the supply a parallel connection of the input terminals 26 b and

gungsspannung und nicht zum Massepotential bzw. ₅₀ 26c der Oszillatorkontrollschaltung 26 zu den Einsupply voltage and not to the ground potential or ₅₀ 26c of the oscillator control circuit 26 to the on

einem anderen Bezugspotential bewirken. Damit gangsklemmen 18a und 18b der Mischstufe 18 be-cause a different reference potential. So that the output terminals 18a and 18b of the mixer 18 load

können Widerstände, an welchen sich Signale auf- wirkt. Die Oszillatorkontrollschaltung 26 wird dannthere can be resistors on which signals act. The oscillator control circuit 26 then becomes

bauen, zwischen die Transistoren und das Massepo- entsprechend dem an den Eingangsklemmen 18a undbuild, between the transistors and the ground pole corresponding to the one at the input terminals 18a and

tential bzw. das Bezugspotential geschaltet werden, 18b liegenden Potential gesteuert, wobei dieses Po-potential or the reference potential are switched, 18b controlled potential, this Po-

so daß die Signalinformation von diesen Widerständen ₅₅ tential seinerseits proportional dem Wert des Signalsso that the signal _{information from these resistors 55} is in turn potentially proportional to the value of the signal

ohne komplizierten Schaltungsaufbau abgreifbar ist. ist, das in die Mischstufe 18 eingespeist wird. Ist z. B.can be tapped without a complicated circuit structure. which is fed into the mixer 18. Is z. B.

Die Erfindung ist nachfolgend beschrieben. Es zeigt der Signalpegel am Ausgang des uberlagerungsoszil-The invention is described below. It shows the signal level at the output of the superimposed oscilloscope

Fig. 1 ein Blockdiagramm einer Empfängerein- lators 24 wesentlich höher als der Signalpegel von der1 shows a block diagram of a receiver emitter 24 which is substantially higher than the signal level of the

gangsschaltung gemäß der Erfindung, Verstärkerstufe 16, so fällt das Potential zwischen denoutput circuit according to the invention, amplifier stage 16, the potential falls between the

Fig. 2 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer 6o Klemmen 18a und 18b ab und bewirkt entsprechendFig. 2 shows a circuit diagram of an embodiment of a 6o terminals 18a and 18b and effects accordingly

Empfängereingangsschaltung, c>ne Verringerung des Ausgangssignals der Oszilla-Receiver input circuit, c> ne reduction of the output signal of the oscillator

Fig. 3 eine äquivalente Gleichstromschaltung der torkontrollschaltung 26, das seinerseits die AmplitudeFig. 3 shows an equivalent direct current circuit of the gate control circuit 26, which in turn shows the amplitude

Empfängereingangsschaltung gemäß Fig. 2, aus der der Oszillatorfrequenz entsprechend verringert. DieseReceiver input circuit according to FIG. 2, from which the oscillator frequency is reduced accordingly. This

die verschiedenen Gleichstromkopplungen zwischen Schaltkreisanordnung bewirkt eine geschlossenethe various DC couplings between circuitry causes a closed circuit

den einzelnen Transistoren erkennbar sind, 65 Schleifenrückkopplung, die auf die der Mischslufe 18the individual transistors are recognizable, 65 loop feedback, which is based on that of the mixer 18

Fig. 4 eine weitere Ausführungsform einer Emp- zugeführten Signale anspricht, so daß immer der rich-Fig. 4 responds to another embodiment of a received signal, so that always the correct

fängereingangsschaltung gemäß der Erfindung. tige Signalpegel zwischen dem HF-Signa! an der Ein-catcher input circuit according to the invention. term signal level between the HF signal at the entrance

Das in Fig. 1 dargestellte Blockdiagramm einer gangsklemme 18« und dem Oszillatorsignal an derThe block diagram shown in Fig. 1 of an output terminal 18 'and the oscillator signal at the

Eingangsklemme 186 eingestellt wird und sich eine richtige Mischung der Signale zur Erzeugung des ZF-Signals ergibt.Input terminal 186 is set and the signals are properly mixed to generate the IF signal results.

Eine ZF-Verstärkerstufe 28 ist mit seiner Eingangsklemme 28a direkt mit der Ausgangsklemme 18c der Mischstufe 18 gekoppelt, um die zur ZF-Verarbeitungseinrichtung 14 übertragenen ZF-Signale zu verstärken. Es kann jedoch auch die ZF-Verstärkerstufe 28 in der ZF-Verarbeitungseinrichiung 14 untergebracht sein.An IF amplifier stage 28 is connected to its input terminal 28a coupled directly to the output terminal 18c of the mixer 18 in order to transfer the to the IF processing device 14 to amplify transmitted IF signals. However, the IF amplifier stage can also be used 28 be accommodated in the ZF processing device 14.

In F ig. 2 ist das Schaltbild der Empfängereingangsschaltung mit einer bevorzugten Ausführung der Gleichstromkopplung zwischen den einzelnen Stufen dargestellt. Die HF-Verstärkerstufe 16 umfaßt einen Transistor 30 vom NPN-Leitfähigkeitstyp, dessen Basis direkt mit dem HF-Eingang 12 über eine Leitung 31 und einen Teil der Induktivität 32 verbunden ist. Ein Kondensator 33 liegt parallel zur Induktivität 32 und bildet mit dieser einen Schwingkreis, der auf eine Frequenz abstimmbar ist, die der Frequenz des gewünschten HF-Signals entspricht. Der Kondensator 33 ist als Festkondensator dargestellt, obwohl an dessen Stelle auch ein Kondensator mit veränderbarer Kapazität verwendbar ist, um die Eingangsschaltung auf verschiedene HF-Frequenzen abstimmen zu können. Selbstverständlich kann auch die Induktivität 32 für die Abstimmung des Schwingkreises veränderbar ausgeführt sein. Zwischen dem Emitter des Transistors 30 und einem auf der Leitung 35 wirksamen Bezugspotential, z. B. Masse, liegt ein Widerstand 34.In Fig. 2 is the circuit diagram of the receiver input circuit with a preferred embodiment of FIG DC coupling between the individual stages is shown. The RF amplifier stage 16 includes one NPN conductivity type transistor 30, its base is directly connected to the RF input 12 via a line 31 and part of the inductance 32. A capacitor 33 is parallel to the inductance 32 and forms with this a resonant circuit, which on a Frequency is tunable, which corresponds to the frequency of the desired RF signal. The condenser 33 is shown as a fixed capacitor, although in its place there is also a variable capacitor Capacitance can be used to tune the input circuit to different RF frequencies. Of course, the inductance 32 for tuning the resonant circuit can also be changed be executed. Between the emitter of transistor 30 and a reference potential effective on line 35, z. B. ground, there is a resistor 34.

Die Mischstufe 18 umfaßt einen Transistor 36 vom NPN-Typ, dessen Emitter mit dem Kollektor des Transistors 30 über eine Leitung 22 gekoppelt ist. In der Leitung 22 ist eine Induktivität 37 vorgesehen, die parallel zu einem Kondensator 38 liegt und mit diesem zusammen einen Schwingkreis bildet, der auf die Frequenz des in der HF-Verstärkerstufe 16 verarbeitenden Signals abstimmbar ist und die Ausgangsimpedanz des Transistors 30 an die Eingangsimpedanz 'des Transistors 36 anpaßt. Die eingangsseitige Impedanzanpassung an der Basis des Transistors 30 wird durch den Schwingkreis aus der Induktivität 32 und dem Kondensator 33 bewirkt, wogegen die ausgangsseitige Impedanzanpassung des Transistors 30 durch die Induktivität 37 und den Kondensator 38 erfolgt. Durch die Verwendung des Schwingkreises aus der Induktivität 37 und dem Kondensator 38 im direkten Kopplungspfad zwischen dem Transistor 30 und dem Transistor 36 wird eine Phasenumkehr oder Neutralisation des in der HF-Verstärkerstufe entwickelten Signals bereits durch einen einzigen Kondensator 39 bewirkt, dessen eines Ende mit der Basis des Transistors 30 und dessen anderes Ende mit dem Kollektor des Transistors 30 Ober die Induktivität 37 verbunden ist. Der Kondensator 39 wirkt auch als Bypasskondensatorfürdas ZF-Signal, das sich am Emitter des Transistors 36 ausbilden kann. Vorzugsweise ist die Basis lies Transistors 3CD auch mitemem Bypasskondensator 40 überdielüität 32 verbunden, dessen anderes Ende mit der Stromvrg B+ und vorzugsweise nicht mit Massepotenfial bzw. dem Bezugspotential auf der Leitung 35 m Verbindung steht.The mixer 18 comprises a transistor 36 of the NPN type, the emitter of which is coupled to the collector of the transistor 30 via a line 22. In the line 22 an inductance 37 is provided, which is parallel to a capacitor 38 and together with this forms an oscillating circuit which can be tuned to the frequency of the signal processed in the RF amplifier stage 16 and the output impedance of the transistor 30 to the input impedance ' of transistor 36 adapts. The input-side impedance matching at the base of the transistor 30 is effected by the resonant circuit comprising the inductance 32 and the capacitor 33, whereas the output-side impedance matching of the transistor 30 is effected by the inductance 37 and the capacitor 38. By using the resonant circuit of the inductance 37 and the capacitor 38 in the direct coupling path between the transistor 30 and the transistor 36, a phase reversal or neutralization of the signal developed in the RF amplifier stage is already effected by a single capacitor 39, one end of which is connected to the Base of transistor 30 and the other end of which is connected to the collector of transistor 30 via inductance 37. Capacitor 39 also acts as a bypass capacitor for the IF signal that may develop at the emitter of transistor 36. The base read transistor 3CD is preferably also connected to the bypass capacitor 40 via dielectric 32, the other end of which is connected to the current supply B + and preferably not to ground potential or the reference potential on the line 35 m.

Der ÜberlageTungsoszüTatör 24 umfaßt einen Transistor 41 vom NFN-LtäEtungstyp, dessen KoBeklordnieWinader Basis des Transistors 36 der Misch-Stufe 18 verbanden fet Durch die gleichstrommäßige JuJ des ODerfe©smngsoszillators mit der wird dfe Notwendigkeit von Wechselstromkoppeigliedern eliminiert, die z. B. aus Kondensatoren oder Transformatoren bestehen können. Das Oszillatorsignal an der Basis des Transistors 36 wird mit dem HF-Signal am Emitter des Transistors 36 gemischt, um ein Differenzsignal zu erzeugen, das der gewünschten Zwischenfrequenz entspricht. Diese Zwischenfrequenz baut sich in einem Schwingkreis auf, der aus einer Induktivität 42 und einer'Kapazität 43 besteht und am Kollektor des Transistors 36 ange-The overlay monitor 24 includes one Transistor 41 of the NFN LtäEtungtyp, whose KoBeklordnieWinader Base of transistor 36 of the mixer stage 18 connected fet through the direct current JuJ of the ODerfe © smng oscillator with the will eliminate the need for AC couplers eliminated, the z. B. can consist of capacitors or transformers. The The oscillator signal at the base of transistor 36 is mixed with the RF signal at the emitter of transistor 36, to generate a difference signal corresponding to the desired intermediate frequency. This Intermediate frequency builds up in an oscillating circuit made up of an inductance 42 and a capacitance 43 and connected to the collector of transistor 36

schlossen ist. Das am Ausgang der Mischstufe erzeugte ZF-Signal wird dann gleichstrommäßig an die ZF-Verstärkerstufe 28 über eine Leitung 44 angelegt. Der Transistor 41 des Überlagerungsoszillators ist mit dem Emitter über einen Widerstand 45 an die Leitung 35 für das Bezugssignal angeschlossen. Der Emitter des Transistors 41 ist auch mit dem Resonanzkreis verbunden, der aus der Induktivität 46 und einem piezoelektrischen Element 47 aufgebaut ist, wodurch eine Kristallstabilisierung des Oszillators er-is closed. That generated at the output of the mixer The IF signal is then applied in the form of direct current to the IF amplifier stage 28 via a line 44. The transistor 41 of the local oscillator is connected to the emitter via a resistor 45 Line 35 connected for the reference signal. The emitter of transistor 41 is also connected to the resonance circuit connected, which is composed of the inductance 46 and a piezoelectric element 47, crystal stabilization of the oscillator

folgt. Mit der Induktivität 46 und dem piezoelektrischen Element 47 sind ferner zwei Kondensatoren 48 und 49 in Schaltungspunkt 50 verbunden, zu denen parallel eine Induktivität 51 liegt. Obwohl der Transistor 41 zusammen mit dem piezoelektrischen Elementfollows. With the inductance 46 and the piezoelectric element 47 there are also two capacitors 48 and 49 connected in circuit point 50, to which an inductance 51 is connected in parallel. Although the transistor 41 together with the piezoelectric element

a₅ 47 einen kristallgesteuerten Oszillator für eine feste Frequenz darstellt, kann es wünschenswert sein, die Oszillatorfrequenz variabel zu gestalten, damit die . Oszillatorfrequenz der veränderlichen Eingangsfrequenz an der Eingangsklemme 12 nachgezogen wer-a ₅ 47 represents a crystal controlled oscillator for a fixed frequency, it may be desirable to make the oscillator frequency variable so that the. Oscillator frequency of the variable input frequency at input terminal 12

den kann, so daß die Empfängereingangsschaltung 10 für den Empfang eines ganzen Frequenzbandes geeignet ist.can, so that the receiver input circuit 10 is suitable for the reception of an entire frequency band is.

Vorteilhafterweise umfaßt die OszillatorkontroiI-schaltung 26 einen Transistor 52 vom PNP-Typ, des-The oscillator control circuit advantageously comprises 26 a transistor 52 of the PNP type, which-

sen Kollektor über einen Widerstand 53 mit der Leitung für das Bezugspotential 35 verbunden ist. Die Basis-Emitterstrecke des Transistors 52 liegt parallel zur Basis-Emitterstrecke des Transistors 36 der Mischstufe 18, so daß der Transistor 52 in Abhängig-sen collector through a resistor 53 to the line for the reference potential 35 is connected. The base-emitter path of the transistor 52 is parallel to the base-emitter path of the transistor 36 of the mixer 18, so that the transistor 52 depends on

keit vom Spannungsabfall an den beiden Eingängen der Mischstufe, d. h. an der Basis und dem Emitter des Transistors 36 leitend wird und entsprechend die Amplitude des Ausgangssignals des Überlagerungsoszillators 24 steuert. Zu diesem Zweck ist die Basis speed of the voltage drop at the two inputs of the mixer, d. H. at the base and the emitter of transistor 36 becomes conductive and controls the amplitude of the output signal of local oscillator 24 accordingly. To this end is the basis

des Transistors 52 mit einem Mittelabgriff 37ß der Induktivität 37 über eine Leitung 54 und die eine Seite der Induktivität mit dem Emitter des Transistors 36 verbunden. Der Emitter des Transistors 52 steht mit der Basis des Transistors 36 über eine Leitung 56,of the transistor 52 with a center tap 37β of the inductance 37 via a line 54 and one side of the inductance is connected to the emitter of transistor 36. The emitter of transistor 52 is with the base of transistor 36 via line 56,

einem Leirungsabschnitt 57, über welchen das Bezugspotential zugeführt wird, und die Induktivität 51 mit der Basis des Transistors 36 in Verbindung. Da der Transistor 52 der Oszülatorkontrollschaltung 26 ate gleichstromgesteuerte Vorrichtung Verwendunga Leirungsabschnitt 57, over which the reference potential is supplied, and the inductance 51 with the base of the transistor 36 in connection. There the transistor 52 of the oscillator control circuit 26 ate DC controlled device use

findet, um das Ausgangspotential des Ü
os2ÜTators24einzustelleiidddfinds the output potential of the Ü
os2ÜTators24 to be set iiddd

einzustellen,iwiddurdidieVerfö^ing der Basis des Tiansistors 36 über den Leitungsabschnitt 57 bereite ein Strompfad für den funktioneilen Betrieb aufgebaut.cease, iwiddurdidieVerfö ^ ing the base of the transistor 36 via the line section 57 prepare a current path for the functional Established operation.

So Vorzugsweise ist der Transistor 36 der Mischstufe 18 als Transistor für hohe FreqtSo preferably transistor 36 is the mixer stage 18 as a transistor for high freqt

wogegen der Transistor 52 der OszfllatoriDntrolI-whereas the transistor 52 of the oscillator control

tenkann. Damit ist die charaMeristfecheEfiodenspitirnung an der Basis-Emitterstreeke des TiänsstiHS 36 größer als die entsprechende xäara&fenstsche
odenspaannngd
ssto 52can. This means that the characteristic field intensity at the base emitter line of the TiänsstiHS 36 is greater than the corresponding xäara & fenstsche
odenspaannngd
ssto 52

pg BasisgSUKdesTiranpg BasisgSUKdesTiran

sstors 52, wenn einι gegeben» Vorspannungsgleicfr-sstors 52, if given »bias voltage equation

7 \J 87 \ J 8

strom über die Basis-Emitterstrecke dieser Transisto- Darstellung des neuen Konzepts der Erfindung eingeren aufrechterhalten wird. Bei der dargestellten zeichnet sind. Die den Teilen der Schaltung gemäß Ausführungsform kann die charakteristische Dioden- Fig. 2 entsprechenden Komponenten sind in Fig. 3 spannung des Transistors 36 in der Größenordnung mit denselben Bezugszeichen versehen. Das Vorspanvon 50 bis 100 mV, jedoch auch darunter und darüber, 5 nungspotential, das von einer außen gelegenen Quelle größer als die charakteristische Diodenspannung an zugeführt werden kann, wird an die Basiselektrode der Basis-Emitterstrecke des Transistors 52 sein. des Transistors 30 angelegt, wobei der Spannungswert Diese Spannungsangaben dienen jedoch nur der bei- derart ausgewählt ist, daß dieser Transistor 30 Strom spielweisen Erörterung. Wenn jedoch ein Hochfre- führt und etwa eine Spannung von ungefähr 0,1 Volt quenzsignal an die Basis des Transistors 36 vom Aus- io bzw. mehr oder weniger am Widerstand 34 im Emitgang des Überlagerungsoszillators 24 angelegt wird, terkreis des Transistors 30 abfällt. Diese Anordnung kann die Basis-Emitterspannung des Transistors 36 veranlaßt den Transistor 30, als Spannungsquelle für bis zu einem Wert abnehmen, der unterhalb der cha- die HF-Verstärkerstufe 16 und die Mischstufe 18 zu rakteristischen Diodenspannung an der Basis-Emit- wirken. Die Basis-Emitterstrecke des Transistors 36 terstrecke des Transistors 52 ist. Diese Abnahme der 15 liegt innerhalb der gestrichelten Linie 36a. Diese Ba-Basis-Emitterspannung am Mischtransistor 36 verrin- sis-Emitterstrecke 36 ist parallel zur Basis-Emittergert entsprechend das Ausgangssignal des Transistors strecke des Transistors 52 geschaltet, wobei diese Par-52, womit seinerseits die Amplitude der Oszillatorfre- aufschaltung eine gleichstrommäßige Verbindung ist. quenz am Transistor 41 entsprechend verringert wird. Wie bereits erwähnt, wird der Transistor 36 derart Zwischen dem Eingang und dem Ausgang des Über- 20 ausgewählt, daß er eine verhältnismäßig hohe Grenzlagerungsoszillators besteht eine geschlossene Kopp- frequenz besitzt, wogegen der Transistor 52 eine verlungsschleife, die auf die Signalinjektion an der hältnismäßig niedere Grenzfrequenz aufweisen soll. Mischstufe 18 anspricht. Da der Basis-Emitter-Spannungsabfall am Transistorcurrent through the base-emitter path of this transistor representation of the new concept of the invention eineren is maintained. When shown are characterized. The parts of the circuit according to Embodiment can have the characteristic diode components corresponding to FIG. 2 are shown in FIG. 3 voltage of the transistor 36 in the order of magnitude with the same reference numerals. The preamble of 50 to 100 mV, but also below and above, 5 voltage potential that comes from an external source greater than the characteristic diode voltage can be supplied to the base electrode the base-emitter path of the transistor 52. of transistor 30 is applied, the voltage value However, these voltage specifications are only used when the two are selected in such a way that this transistor 30 current game-wise discussion. If, however, a high frequency leads and a voltage of about 0.1 volts quenzsignal to the base of the transistor 36 from the output or more or less at the resistor 34 in the output of the local oscillator 24 is applied, the circuit of the transistor 30 drops. This arrangement can, the base-emitter voltage of transistor 36 causes transistor 30 to act as a voltage source for decrease to a value below the value of the HF amplifier stage 16 and the mixer stage 18 characteristic diode voltage at the base emit. The base-emitter junction of transistor 36 terstrecke of the transistor 52 is. This decrease in FIG. 15 lies within the dashed line 36a. This Ba base emitter voltage on the mixing transistor 36, the reduction emitter path 36 is parallel to the base emitter device corresponding to the output signal of the transistor stretch of the transistor 52 switched, this Par-52, which in turn means that the amplitude of the oscillator frequency connection is a direct current connection. frequency at transistor 41 is reduced accordingly. As previously mentioned, transistor 36 becomes such Between the input and the output of the over-20 selected that it has a relatively high limit position oscillator there is a closed coupling frequency, whereas the transistor 52 has a losing loop, which should have on the signal injection at the relatively lower cutoff frequency. Mixer 18 responds. Because the base-emitter voltage drop across the transistor

Die ZF-Verstärkerstufe 28 umfaßt einen Transistor 36, der etwa in der Größenordnung zwischen 50 und 60, dessen Basis an die Leitung 44 angeschlossen ist 25 100 mV, bzw. mehr oder weniger, größer als der Ba- und das vom Ausgang der Mischstufe 18 gelieferte sis-Emitter-Spannungsabfall am Transistor 52 ist, ZF-Signal empfängt. Ein Arbeitswiderstand 61 ist mit wird dieser Transistor 52 stark leitend gemacht. Um dem Kollektor des Transistors 60 einerseits und ande- einen höheren Spannungsabfall im Basis-Emitterrerseits mit der Betriebsspannung B+ verbunden. schaltkreis des Transistors 36 zu erreichen, ist es Der Emitter dieses Transistors 60 liegt über einen By- 30 selbstverständlich, daß eine Diode oder ein Widerpasskondensator 62 ebenfalls an der Betriebsspan- stand in der Leitung 36b in Serie zur Basis des Transinung B +. Ein Widerstand 63 ist zwischen den Emitter stors 36 geschaltet werden kann. Bei diesem Schaldes Transistors 60 und die Leitung 35 geschaltet, die tungsaufbau können die Transistoren 36 und 52 vom auf Bezugspotential liegt. gleichen Typ sein.The IF amplifier stage 28 comprises a transistor 36, which is approximately in the order of magnitude between 50 and 60, the base of which is connected to the line 44, 25 100 mV, or more or less, greater than the Ba and that from the output of the mixer stage 18 sis emitter voltage drop at transistor 52 is supplied, IF signal is received. A working resistor 61 is made highly conductive with this transistor 52. To the collector of the transistor 60 on the one hand and on the other hand a higher voltage drop in the base-emitter side is connected to the operating voltage B + . The emitter of this transistor 60 is connected via a by-30 of course that a diode or a resistor-pass capacitor 62 is also connected to the operating voltage in the line 36b in series with the base of the transistor B +. A resistor 63 is connected between the emitter stors 36 can be connected. In this case, the transistor 60 and the line 35 are connected, the device structure, the transistors 36 and 52 can be connected to the reference potential. be the same type.

Es ist besonders vorteilhaft, daß alle Bypasskon- 35 Der Strom des Transistors 30 ist abhängig vomIt is particularly advantageous that all bypass con 35 The current of transistor 30 depends on the

densatoren, die in der Empfängereingangsschaltung Wert der Vorspannung an dessen Basis, die einencapacitors, which in the receiver input circuit value of the bias voltage at its base, the one

10 Verwendung finden, an der Betriebsspannung B + Stromfluß über die Emitter-Basisstrecke des Transi-10 are used, at the operating voltage B + current flow via the emitter-base path of the transi-

angeschlossen sind und nicht am Bezugspotential lie- stors 52 verursacht und diesen dadurch leitend macht,are connected and not caused to the reference potential of the lie- stors 52 and thereby make it conductive,

gen, das vorzugsweise Massepotential ist und auf der Der Leitfähigkeitszustand des Transistors 52 kanngene, which is preferably ground potential and on which the conductivity state of the transistor 52 can

Leitung 35 wirkt. So ist z. B. die Basis des Transistors 40 wegen des Spannungsabfalls an der Basis-Emitter-Line 35 acts. So is z. B. the base of transistor 40 because of the voltage drop at the base-emitter

41 des Überlagerungsoszillators 24 über einen By- strecke des Transistors 36 verhältnismäßig hoch sein passkondensator 65 mit der Betriebsspannung mittels und möglicherweise sogar den Sättigungszustand erder Leitungsabschnitte 66 und 56 verbunden. In ent- reichen. Als Ergebnis der Gleichstromkopplung zwisprechender Weise liegt die Basis des Transistors 52 sehen dem Kollektor des Transistors 52 und der Basis der Oszillatorkontrollschaltung 26 über einen By- 45 des Transistors 41 wird dieser in einem Umfang leipasskondensator 67 und die Leitungen 68 sowie 56 tend, der von der Stromführung des Transistors 52 an der Betriebsspannung. Auch der Emitter des Tran- abhängt; d. h., ein hoher Strom im Transistor 52 versistors 30 der HF-Verstärkerstufe 16 ist über einen ursacht entsprechend einen hohen Strom im Transi-Bypasskondensator 69 und die Leitung 56 mit der Be- stör 41. Da der Transistor 41 das aktive Element des triebsspannung verbunden. Der von der Induktivität 50 Überlagerungsoszillators ist, verursacht ein hoher41 of the local oscillator 24 can be relatively high via a bypass of the transistor 36 pass capacitor 65 with the operating voltage by means of and possibly even the saturation state Line sections 66 and 56 connected. In reach. As a result of DC coupling, more talkative Way lies the base of transistor 52 see the collector of transistor 52 and the base of the oscillator control circuit 26 via a by-45 of the transistor 41, this becomes a leipass capacitor to an extent 67 and the lines 68 and 56 tend, from the current conduction of the transistor 52 at the operating voltage. Also the emitter of the tran- depends; d. i.e., a high current in transistor 52 versistors 30 of the RF amplifier stage 16 is causing a correspondingly high current in the transi-bypass capacitor 69 and the line 56 with the disturbance 41. Since the transistor 41 is the active element of the drive voltage connected. The local oscillator of the inductor 50 causes a high

42 und dem Kondensator 43 gebildete Resonanz- Strom in diesem Transistor ein Oszillatorausgangssischwingkreis und ebenso der aus den Kondensatoren gnal mit einer entsprechend hohen Amplitude, das an 48 und 49 sowie der Induktivität 51 gebildete Reso- die Basis des Mischtransistors 36 angelegt wird. Entnanzschwingkreis liefern das Betriebspotential für die sprechend den Ausführungen über die Basis-Emitter-Transistoren 36 und 41, so daß somit diese Transisto- 55 strecke 36a des Transistors 36 wird durch das an diese ren 36 und 41 ihre HF-mäßige Masse ebenfalls über Sperrschicht angelegte hochfrequente Ausgangssignal die Betriebsspannung B + erhalten. Damit wird durch des Überlagerungsoszillators 24 die charakteristische das Anschließen aller Bypasskondensatoren an die Diodenspannung erzeugt, die mit dem Amplituden-Betriebsspannung B+ erreicht, daß jeder der Wider- anstieg des Oszillatorsignals abnimmt Wenn somit ein stände 34,53,45 und 63 als Arbeitswiderstand wirk- 60 Oszillatorsignal an der Basis-Emitterstrecke des sam ist, an dem sich das Signal aufbaut, so daß eine Transistors 36 wirksam ist, nimmt der Spannüngsab-Gleichstromkopplung wie_;z. B. zwischen dem Kollek- fall an dieser Grenzschicht ab und kann auf einen Befor des Transistors 52 und der Basis des Transistors gelwert erniedrigt werden, der kleiner ist als der Span-41 tatsachlich erhalten wird, ohne Wechselstromkop- nungsabfall an der Basis-Emitterstrecke des Transipeiglieder zu verwenden- 6₅ stors 52. Durch diese Funktion tendiert der Transistor42 and the capacitor 43 formed resonance current in this transistor is an oscillator output resonant circuit and also the signal from the capacitors with a correspondingly high amplitude, the reso formed at 48 and 49 and the inductance 51, the base of the mixer transistor 36 is applied. Denanzschwingkreis supply the operating potential for the speaking of the statements about the base-emitter transistors 36 and 41, so that this transistor section 36a of the transistor 36 is also applied to these ren 36 and 41 their HF-moderate ground via a barrier layer high-frequency output signal received the operating voltage B + . With this, the local oscillator 24 generates the characteristic connection of all bypass capacitors to the diode voltage, which with the amplitude operating voltage B + achieves that each rise in the oscillator signal decreases. 60 is the oscillator signal at the base-emitter path of the sam, at which the signal builds up, so that a transistor 36 is effective, takes the voltage down DC coupling such as _; z. B. between the collector at this boundary layer and can be lowered to a before of the transistor 52 and the base of the transistor gel value, which is lower than the span 41 actually obtained, without ac coupling drop at the base-emitter path of the Use transipers- 6 ₅ stors 52. This function causes the transistor to tend

In Fig. 3 ist eine vereinfachte Schaltkreisanord- 52, nicht leitend zu werden oder in einem im wesentli-In Fig. 3 is a simplified circuit arrangement 52, to become non-conductive or in a substantially

mmggemäß Fig. 2 dargestellt, bei der nur die Gleich- chen nicht leitenden Zustand zu verbleiben, was einemmg according to FIG. 2, in which only the same non-conductive state remains, which is a

stromverbmdungen zur einfacheren und klareren wesentliche Verringerung des Stromes durch den Os-Stromverbmdungen for easier and clearer substantial reduction of the current through the OS

zillatortransistor 41 bewirkt, das seinerseits eine Verringerung des Oszillatorausgangssignals auslöst, das an die Basis des Transistors 36 angelegt wird. Damit ergibt sich eine gleichstrommäßige Rückkopplungsschleife zwischen dem Oszillatortransistor 41 und dem Mischtransistor 36, wobei der Transistor 52 der Oszillatorkontrollschaltung den Strom in der Rückkopplungsschleife steuert. Diese Rückkopplungsschleife bewirkt, daß das hochfrequente Ausgangssignal am Oszillator kontinuierlich auf einen Wert gesteuert wird, der gerade groß genug ist, um zu veranlassen, daß die an den Basis-Emitterstrecken der Transistoren 36 und 52 abfallende charakteristische Diodenspannung im wesentlichen gleich ist. Dies ist die Bedingung, welche einen optimalen Betrieb für den Überlagerungsoszillator 24 mit einem minimalen, durch den Oszillatortransistor 41 fließenden Strom bewirkt.Zillatortransistor 41 causes, which in turn triggers a reduction in the oscillator output signal, the is applied to the base of transistor 36. This results in a DC feedback loop between the oscillator transistor 41 and the Mixing transistor 36, transistor 52 of the oscillator control circuit controlling the current in the feedback loop controls. This feedback loop causes the high frequency output signal to am Oscillator is continuously controlled to a value just large enough to cause that the falling across the base-emitter paths of the transistors 36 and 52 characteristic diode voltage is essentially the same. This is the condition which ensures optimal operation for the Local oscillator 24 with a minimal current flowing through the oscillator transistor 41 causes.

Durch die Steuerung des Überlagerungsoszillators 24 in Abhängigkeit von dem Betrag des Oszillatorsignals, das der Mischstufe 18 zugeführt wird, wird nur derjenige Strom von der Spannungsversorgung B + gezogen, der unbedingt notwendig ist, um ein Oszillatorsignal der gewünschten Amplitude zu erzeugen und eine einwandfreie Mischung in der Mischstufe 18 auszulösen. Bei diesem Aufbau der Empfängereingangsschaltung 10 wird die stromsparende Eigenschaft der Schaltung besonders günstig. Dies führt zu der Möglichkeit, daß zusammen mit dem Merkmal eines gemeinsamen Stromes zwischen der HF-Verstärkerstufe 16 und der Mischstufe 18 (Verstärkertransistor 30 und Mischtransistor 36) die Empfängereingangsschaltung 10 mit einer Betriebsspannung betrieben werden kann, die etwa in der Größenordnung von 1 bis IV₂ Volt bei einer minimalen Stromabnahme liegt. Die Leistung kann von Trockenzellen od. dgl. geliefert werden, wobei der Empfänger über eine längere Zeitdauer bei einer gegebenen Batterie arbeitet, als dies bisher der Fall ist.By controlling the local oscillator 24 as a function of the amount of the oscillator signal that is fed to the mixer 18, only that current is drawn from the power supply B + that is absolutely necessary to generate an oscillator signal of the desired amplitude and a perfect mixing in the mixer 18 to trigger. With this structure of the receiver input circuit 10, the power-saving property of the circuit is particularly favorable. This leads to the possibility that, together with the feature of a common current between the RF amplifier stage 16 and the mixer stage 18 (amplifier transistor 30 and mixer transistor 36), the receiver input circuit 10 can be operated with an operating voltage that is approximately in the order of magnitude of 1 to IV ₂ volts with a minimal current draw. The power can be provided by dry cells or the like, with the receiver operating for a longer period of time on a given battery than has previously been the case.

Die an die Basis des Transistors 30 angelegte Bezugsspannung kann von einer getrennten Bezugsspannungsquelle abgegriffen werden, welche den Arbeitspunkt für die Empfängereingangsschaltung 10 festlegt. Die Vorspannung kann auch durch eine Spannungsrückkopplung von der ZF-Verstärkerstufe gewonnen werden, wie dies aus Fig. 4 her'orgeht. In der Fig. 4 ist eine weitere Ausführungsform einer Empfängereingangsschaltung 70 dargestellt, die gemäß der Erfindung aufgebaut ist. Die HF-Verstärkerstufe 71 besitzt einen Transistor 72, der lastseitig mit der Arbeitselektrode des Transistors 73 gekoppelt ist, der das aktive Element der Mischstufe 74 ist. Die Gleichstromkopplung zwischen den Transistoren 72 und 73 wird über ein induktives Element 76 bewirkt, das einen Abgriff 76a besitzt, der direkt an der Basis des Transistors 77 liegt und das aktive Element einer aOszfflatorkontrollschaltung 78 darstellt.The reference voltage applied to the base of transistor 30 can be obtained from a separate reference voltage source which is the operating point for the receiver input circuit 10 specifies. The bias can also be achieved by a voltage feedback from the IF amplifier stage can be obtained, as can be seen from FIG. In Fig. 4, another embodiment is one Receiver input circuit 70 constructed in accordance with the invention is shown. The RF amplifier stage 71 has a transistor 72, which is coupled to the working electrode of transistor 73 on the load side which is the active element of mixer 74. The DC coupling between transistors 72 and 73 is effected via an inductive element 76 which has a tap 76a directly on the base of the transistor 77 and the active element of an aOszfflatorkontrollkreis 78 represents.

Parallel zur Induktivität 76 liegt ein Kondensator und bildet mit diesem zusammen einen Resonanzschwingkreis, wobei die Induktivität die Ausgadgsimpedanz des Transistors 72 an die Eingangsimpedanz am Binirteir des Transistors 73 anpaßt Die Basis des Transföförs 72 ist direkt mit der Eingangsklemme 12a über einen Teil eimer Induktivität 80 angeschlossen, welche zusammen mit einem Kondensator 81 einen RfesxSTiarizschwfhgkreis bildet und auf die gewünschte tt^-®«gaspireqtienz abgesfinfmt ist Der Kondenstor 8Ϊ iearin ais veränderliche Kapazität ausgebildetA capacitor is located parallel to the inductance 76 and together with it forms a resonant circuit, where the inductance is the output impedance of transistor 72 to match the input impedance at the bin of transistor 73. The base of the Transföförs 72 is directly connected to input terminal 12a connected via a part bucket inductance 80, which together with a capacitor 81 a RfesxSTiarizschwfhgkreis forms and on the desired tt ^ -® «gaspireqtienz is disinfected The Kondenstor 8Ϊ iearin developed as a variable capacitance

sein, ebenso wie auch die Induktivität als veränderliche Induktivität ausgebildet sein kann, um den Resonanzschwingkreis auf ein gegebenes Frequenzband abstimmen zu können, das von der Empfängereingangsschaltung 70 empfangen werden soll. Ein Bypasskondensator 82 liegt zwischen dem Resonanzschwingkreis aus den Elementen 80 und 81 und der spannungsversorgung B + .just as the inductance can be designed as a variable inductance in order to be able to tune the resonant circuit to a given frequency band that is to be received by the receiver input circuit 70. A bypass capacitor 82 is located between the resonant circuit made up of elements 80 and 81 and the voltage supply B +.

u/^{Die Aus},g^ang^sseite der Mischstufe 74 ist an einenu / ^{The Off} g ^of ^sseit g e of the mixer stage 74 is connected to a

ίο Widerstand 83 und einen Kondensator 84 angeschlossen, im Gegensatz zu dem Resonanzschwingkreis an der Ausgangsseite des Transistors 36 der Mischstufe 18 gemäß Fig. 2. Bei dieser Ausführungsform dient der Widerstand 83 einer Doppelfunktion in der Schallίο resistor 83 and a capacitor 84 connected, in contrast to the resonant circuit the output side of the transistor 36 of the mixer 18 according to FIG. 2. In this embodiment, it is used the resistance 83 has a dual function in sound

lung und stellt einerseits einen Lastwiderstand für den M«chtran_Sistor73 dar, an welchem das ZF-Signal abgilt, und hefert ferner Einrichtungen zum Messen und eventuellen Steuern des Stromflusses durch den Mischtransistor 73 und den HF-VerstärkertransistorOn the one hand, it represents a load resistor for the M «chtran _S istor73, at which the IF signal is applied, and also provides devices for measuring and possibly controlling the current flow through the mixer transistor 73 and the HF amplifier transistor

Itor %?^{trOm durch die} Serienschaltung der Transi-η?ηΓ Ju ^{73 kann durch das Messen} des Spannungsabfalls am Widerstand 83 festgestellt werden, der einen bekannten Widerstandswert besitzt. τ™ , _O ^e,^{rlagerungsoszillator 86 um}faßt einenItor%? ^{trOm through the} series connection of the Transi-η? ηΓ Ju ^{73 can be determined by measuring} the voltage drop across resistor 83, which has a known resistance value. τ ™, _O ^e , ^{rlagerungsoszillator 86 to} summarizes a

Ι« τ · ' ^{deSSen Basis direkt mit dem} Kollektor des Transistors 77 in der OszillatorkontrollschaltungΙ «τ · ' ^{deSSen base directly to the} collector of transistor 77 in the oscillator control circuit

J ^k.°PP^el'f- Die Vorspannung des Transistors 87 entsteht am Widerstand 88, der in Serie zum Transi-X Jl ™^Ischen diesem und einer Leitung 89 liegt,J ^k . ° PP ^el 'f- The bias of the transistor 87 arises at the resistor 88, which is in series with the Transi-X Jl ™ ^Ischen this and a line 89,

till f I i^POtential, vorzugsweise Mlssepoten-Snn ν ^DV ^Kollektor des Transistors 87 ist mit d_ukHvit^^Spau^nnungSVersor8^un8 ^B+ über eine InstreS '!•Runden, wogegen die Basis-Emitter- itiSki ?^S i.^{ransistors 77} Parallel zur Basis-Emitter-till f I i ^ potential, preferably Mlssepoten-Snn ν ^D V ^collector of the transistor 87 is connected to d ^ _u kHvit ^Spa u ^nnungSVersor ^un 8 8 ^{B +} via a InstreS '! • rounds, while the base-emitter itiSki? ^S i. ^{ransistors 77} parallel to the base-emitter

e ne TnH l^S, ^anSi^{StOrs 73 über eine Leitu}ng 81 und smd Z? v^1VItf ^{90Hegt Paralle! zur} Induktivität 90 im SrE ^Kondensat°ren 92 und 93 geschaltet, die LiäS»^ngSr^{nkt 94 zus}ammengeschaltet sind und schlaf ^)'³" ^eine abstimmbare Schaltungange-e ne TnH l ^S , ^anS i ^{StOrs 73 via a line} 81 and smd Z ? v ^1VIt f ^{90Hegt Paralle! connected to the} inductance 90 in the SrE ^capacitors 92 and 93, the LiäS » ^ngS r ^{nkt 94 are connected together} and sleep ^) ' ³ " ^a tunable circuit.

SeS.^e" ^SInd'^{dle aus} der Induktivität 96 und einem SSSr ^{hen EIement 97 besteht}' ^weIche die Os-ÜbeS_P ^{eqUenZ d}f^{S Transist}°rs 87 fixieren. Der Freauen^oszillator 86 kann auf eine variable schS ^abstlmmbar sein, indem der Resonanz-SeS. ^E ^" ^{'dle of} the inductor 96 and a SSSR ^{hen EIement 97 is'} ^soft e OS ÜbeS _P ^{FREQUENCY d} f ^{S Transist} ° rs 87 fix. The Freauen ^ oscillator 86 may be a variable SCHs be ^abstlmmbar by the resonant -

densÄrf *"* ^ ^Induktivität 80 und dem Kon-EmDfänc, ^entsP^reche;nd abstimmbar ist, so daß die Sen!h^reiü^gaT^Schaltun« ^{70 in} einem gegebenen Frequenzband auf die Empfangsfrequenz !instellbardensÄrf * "* ^ ät ^inductance 80 and the Kon-EmDfänc, ^ent P ^reche; nd is tuned so that the Sen h ^rei u ^ga T ^Circuits" ^{70 in} a given frequency band to the reception frequency instellbar!

geschaSf ^Zam ^Transistor 87 ist ein Widerstand 98 s⁸tori H h H°^geJ^eü ^{die Aus}8^angsseite dieses TransiderB^d _k ^hA^d%^{Ko1 ektor} gleichspannungsmäßig mit bunded Ln 'I"⁵!⁸¹⁰¹"^{5 73 über} die Leitung 99 verman e,S' ^Durch,^dlese Schaltkreisanordnung erhältgeschaSf ^Zam ^Tra nsistor 87 is a resistor 98 s ⁸ tori H H H ° ^ge J ^e ^{ü From} 8 ^a long side of this TransiderB ^d _k ^h A ^d% ^{Ko1 ector} terms of DC voltage with bunded Ln 'I ^"5! ^8101" ^{5 73 about} the line 99 verman e, S ^'through, ^dlese circuitry receives

Au^Säf ί ^U^i^Kh *» Widerstand 83 auf der SekSr^^R^der ^^chst«fe 74 ausbildet, wir^ Lw» ^an die Basis eines TiansistoiS 1«WAu ^ Säf ί ^U ^ i ^Kh * »Resistance 83 on the SekSr ^^ R of ^the ^ ^chst « fe 74, we ^ Lw » ^at the base of a TiansistoiS 1« W

ErnnfSr,« -^waiCMWVeKrarkerstufe innerhiäUJErnnfSr, «- ^waiCMWVe Krarkerstufe withinhiäUJ

κ da BaskT« τ"^^"''•MitaemVeiimidung^tmia Sode^2 S.S³?⁵¹^¹⁸ ^m ™d der ^«rodfeder £^!i??_^sh:^ht «»Widerstand 103 in VteAiödnM.κ da BaskT «τ" ^^ "'' • MitaemVeiimendung ^ tmia Sode ^ 2 SS ³ ? ⁵¹ ^ ¹⁸ ^m ™ d der ^ «rodfeder £ ^! I ?? _ ^sh : ^ht « »resistance 103 in VteAiödnM.

sistor lOnSt ^ BezugspoteniSal sBtor 100 stellt die eiste Stufe einersistor lOnSt ^ reference potential sBtor 100 is the very best

625«625 «

stufe dar, wobei das ZF-Signal am Widerstand 104 entsteht und dieses Signal an die Basis einer zweiten ZF-Verstärkerstufe mit einem Transistor 106 anlegbar ist. Der Emitter des Transistors 100 der ersten ZF-Verstärkerstufe ist mit der Spannungsversorgung B + über eine Widerstand 107 verbunden, zu dem parallel ein Bypasskondensator 108 liegt. Zum Transistor 106 der zweiten ZF-Verstärkerstufe ist ein erster Widerstand 109 in Serie geschaltet, zu dem ein zweiter Widerstand 110 in Serie liegt, der seinerseits parallel zu einem Bypasskondensator 111 geschaltet ist. Die Widerstände 109 und 110 stellen einen Spannungsteiler dar, so daß ein Spannungswert am Schaltungspunkt 112 zwischen den beiden Widerständen abgreifbar ist, der gleichstrommäßig an die Basis des Transistors 72 in der HF-Verstärkerstufe 71 über die Leitung 113 und über die Induktivität 80 anlegbar ist. Diese gleichstrommäßige Rückkopplung zwischen der letzten ZF-Verstärkerstufe und der HF-Verstärkerstufe 71 liefert eine Steuermöglichkeit für den Gesamtstrom durch die HF-Verstärkerstufe 71 und die Mischstufe 74 und bewirkt ferner, daß ein verstärktes ZF-Signal an die Einrichtungen zur Verarbeitung der ZF-Signale gemäß Fig. 1 zur Verfügung steht.stage, where the IF signal arises at resistor 104 and this signal can be applied to the base of a second IF amplifier stage with a transistor 106. The emitter of the transistor 100 of the first IF amplifier stage is connected to the voltage supply B + via a resistor 107, to which a bypass capacitor 108 is connected in parallel. A first resistor 109 is connected in series with transistor 106 of the second IF amplifier stage, to which a second resistor 110 is connected in series, which in turn is connected in parallel with a bypass capacitor 111. The resistors 109 and 110 represent a voltage divider, so that a voltage value can be tapped at the node 112 between the two resistors, which can be applied in direct current to the base of the transistor 72 in the RF amplifier stage 71 via the line 113 and via the inductance 80. This DC feedback between the last IF amplifier stage and the RF amplifier stage 71 provides a means of controlling the total current through the RF amplifier stage 71 and the mixer 74 and also causes an amplified IF signal to be sent to the devices for processing the IF signals according to Fig. 1 is available.

Die Empfängereingangsschaltung 70 gemäß Fig. 4 arbeitet im wesentlichen in derselben Weise wie die entsprechende Schaltung gemäß Fig. 2. Der gemeinsame, über die HF-Verstärkerstufe 71 und die Mischstufe 74 fließende Strom tritt zwischen dem Kollektor und dem Emitter der Transistoren dieser beiden Stufen auf und fließt über eine Induktivität, die zwischen den beiden Elektroden liegt. Ein Abgriff dieser Induktivität 76 ist gleichstrommäßig mit der Basis der Oszillatorkontrollschaltung 77 verbunden, die ihrerseits kollektorseitig gleichstrommäßig an die Basis desThe receiver input circuit 70 of FIG. 4 operates in substantially the same manner as that corresponding circuit according to FIG. 2. The common, via the RF amplifier stage 71 and the mixer stage 74 flowing current occurs between the collector and the emitter of the transistors of these two stages and flows through an inductance that lies between the two electrodes. A tap of this inductance 76 is DC-connected to the base of the oscillator control circuit 77, which in turn on the collector side with direct current to the base of the

^ 12^ 12

Oszillatortransistors 87 angeschlossen ist. Die Basis-Emitterstrecken der Transistoren 73 und 77 sind parallelgeschaltet bezüglich des Gleichstromes, und das Ausgangssignal des Oszillatortransistors 87 ist gleichstrommäßig an die Basis des Mischtransistors 73 angeschlossen. Oscillator transistor 87 is connected. The base-emitter lines of the transistors 73 and 77 are connected in parallel with respect to the direct current, and that The output signal of the oscillator transistor 87 is connected to the base of the mixer transistor 73 in terms of direct current.

Die Gleichstromkopplung zwischen den einzelner Komponenten dieser Empfängereingangsschaltung 70 ist im wesentlichen dieselbe, wie sie an Hand vorThe DC coupling between the individual components of this receiver input circuit 70 is essentially the same as on hand before

ίο Fig. 3 für die Schaltung gemäß Fig. 2 erklärt wurde Ein Unterschied besteht darin, daß eine weitere Stufe für die ZF-Verstärkung vorgesehen ist und eine direkte Gleichstromrückkopplung zwischen der zweiter ZF-Verstärkerstufe und der eingangsseitigen HF-Verstärkerstufe besteht. Ferner ist eine Diode in Serie zu der Gleichstromkopplung zwischen der Ausgangsseite der Mischstufe und der Eingangsseite dei ZF-Verstärkerstufe mitdem Transistor 100 geschaltet. Die Empfängereingangsschaltungen 10 und 70 ge-ίο Fig. 3 for the circuit according to FIG. 2 was explained One difference is that a further stage is provided for the IF amplification and a direct one DC feedback between the second IF amplifier stage and the input-side RF amplifier stage consists. There is also a diode in series with the DC coupling between the output side of the mixer stage and the input side of the IF amplifier stage with transistor 100. The receiver input circuits 10 and 70

ao maß der dargestellten Ausführungsformen stellen eine Schaltungsanordnung dar, bei welcher eine Verbindung zwischen verschiedenen aktiven Schaltkreiskomponenten über Gleichstrompfade besteht, wodurch die Notwendigkeit für Wechselstromkoppelele-ao measure of the illustrated embodiments represent a Circuit arrangement represents in which a connection between various active circuit components via direct current paths, which eliminates the need for alternating current coupling elements

mente, z. B. Kondensatoren oder Transformatoren, entfällt. Auch wird ein wesentlicher Leistungsbetrag durch die Verwendung eines gemeinsamen Stromes über die Mischstufe und die HF-Verstärkerstufe gespart und ferner der Oszillatorstrom als Folge deiments, e.g. B. capacitors or transformers is omitted. Also becomes a substantial benefit amount saved by using a common current via the mixer stage and the HF amplifier stage and also the oscillator current as a result of dei

gleichstrommäßigen Rückkopplung auf ein Minimum reduziert, die zwischen der Ausgangsseite des Oszillators und der Eingangsseite des Oszillators angeordnet ist, wobei das Rückkopplungssignal in Abhängigkeit von der Amplitude des an die Mischstufe angelegten Signals gesteuert wird.DC feedback minimizes that between the output side of the oscillator and the input side of the oscillator is arranged, the feedback signal in dependence is controlled by the amplitude of the signal applied to the mixer stage.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Receiver input circuit for converting RF signal information into a IF signal information with a mixer, the output with a device for processing the IF signals is connected and on the input side to a local oscillator as well as with an HF amplifier stage connected in series with the mixer stage is, characterized in that between the output of the RF amplifier stage (16, 71) and the RF signal input of the mixer (18, 74) the inductance (37, 76) of a parallel resonance circuit is connected in such a way that the mixer stage and the inductance as well as the RF amplifier stage are traversed by one and the same operating current, and that a tap (37a, 76a) the inductance for impedance matching is at the reference potential in terms of alternating current.

2. A circuit according to claim 1, characterized in that the oscillator output is direct current to the oscillator signal input (186) of the mixer, and that to control the amplitude of the oscillator signal depending on the oscillator level applied to the mixer and the size of the RF signal level of the local oscillator (24 ) can be controlled by tapping the inductance via an oscillator control circuit (26).

3. A circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the Mischst jfe (18,74) one Transistor (36, 73) and the oscillator control circuit (26, 78) comprise a transistor (72, 77) and that the base-emitter path of the transistors of the mixer and of the oscillator control circuit are connected in parallel with one another in terms of direct current.

4. A circuit according to claim 3, characterized in that the mixing transistor (36,73) is a Transistor with a high cut-off frequency and the oscillator transistor (52,77) a transistor with a lower Cutoff frequency is, and that a voltage drop across the transistor with a lower cutoff frequency the base-emitter path arises when it is biased with a DC voltage that is lower is than the voltage drop at the base-emitter path caused by a direct current bias of the mixer transistor.

5. Circuit according to one of claims 1 to 4, characterized in that a resonant circuit composed of an inductance (80) and a capacitance (81) is arranged at the input of the RF amplifier stage, that the input terminal (12a) of the receiver input circuit with a Tap of the inductance (80) is connected, that an intermediate frequency amplifier stage (100 and 106) is connected on the input side with direct current to the output of the mixer (74) and that the output signal of the IF amplifier stage (106) is connected in direct current to the input of the RF amplifier stage ( 71) is fed back via the impedance (80) in order to create a reference voltage for the RF amplifier stage which is dependent on the amplitude of the output signal of the IF amplifier stage.

6. Circuit according to claim 5, characterized in that

indicates that a diode (102) is connected between the output side of the mixer stage (74) and the input side of the IF amplifier stage (100 and 106) .