DE2125448B2 - Circuit arrangement for changing the frequency of a controllable oscillator - Google Patents

Circuit arrangement for changing the frequency of a controllable oscillator

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DE2125448B2 DE2125448A DE2125448A DE2125448B2 DE 2125448 B2 DE2125448 B2 DE 2125448B2 DE 2125448 A DE2125448 A DE 2125448A DE 2125448 A DE2125448 A DE 2125448A DE 2125448 B2 DE2125448 B2 DE 2125448B2
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    • H03B5/36Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
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  • Networks Using Active Elements (AREA)
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

zugspotential 13, z.B. an Masse, gelegt ist. Die Drain-Elektrode des Feldeffekt-Transistors4 ist direkt mit einem galvanisch von einer Betriebsspannungsquelle getrennten Nachsteuereingang 7 des steuerbaren Oszillators 1 verbunden. Im Source-Elektrodenzweig dagegen ist eia Gleichspannungsteiler angeordnet, toaos drei Widerständen 8,\ 10 besteht und dazu dient, eine Arbeitskennlinie des Feldeffekt-Transistors 4 einzustellen. Der deichspannungsteiler 8, 9, 10 verbindet die Source-Elektrode nut dem Bezugspotential 13 des Nachstimmeingangs 7. Weiterhin ist der Gleichspannungsteilcr 8, 9, 10 durch einen Kondensator 11 überbrückt. Während des Betriebes wird der Vergleichsschaltung2 am Eingang 12 das Bezugssignal, z.B. der Burst, und über die Leitung 3 das Osziilatorsignal des steuerbaren Oszillators I zugeführt. Weichen die beiden Signale voneinander ab, entsteht am Aus-2ang 5 der Vergleichseinrichtung 2 Jne Steuerspaniiung. Diese Steuerspannung steuert die Gate-EIektrode des ^^^^ Widerstand des f-eldUteki ii™ so daß der tensile potential 13, for example to ground, is applied. The drain electrode of the field effect transistor 4 is connected directly to a readjustment input 7 of the controllable oscillator 1 that is galvanically separated from an operating voltage source. In the source electrode branch, however, a DC voltage divider is arranged, toaos three resistors 8, \ 10 and is used to set an operating characteristic of the field effect transistor 4. The dike voltage divider 8, 9, 10 connects the source electrode to the reference potential 13 of the retuning input 7. Furthermore, the DC voltage divider 8, 9, 10 is bridged by a capacitor 11. During operation, the comparison circuit 2 is supplied with the reference signal, for example the burst, at the input 12 and the oscillator signal of the controllable oscillator I is supplied via the line 3. If the two signals from one another, arises at the training 2 HS 5 of the comparator 2 Jne Steuerspaniiung. This control voltage controls the gate electrode of the ^^^^ resistor of the f-eldUteki ii ™ so that the

sprechend der Steuerspannimg « > B Speaking of the control voltage «> B

steuerbare Oszillator 1 entsprechend dem Bezuo.controllable oscillator 1 according to the reference o .

signal nachgesteuert wird. pHdeffekt-Transi-signal is readjusted. pHdefect transit

An der Drain-Elektrode Js Fcldettekt Iransi stors4 liegt das Osz.llators.gnal ^taand« Do den-Kennlinie des Transistors 4 8l«chgOTCütel w rü und je nach Größe des Wid«*™b«ertes des,FM The oscillators.gnal ^ taand «Do den characteristic of the transistor 4 8l« chgOTCütelw rü and, depending on the size of the value of the FM

effekt-Transistors 4 einen mittlere" Ja^ Jes nungswert bildet. Der zeiuicn> Drain-Source-Widerstandes ist abhängig von de,Effect transistor 4 forms a mean "Yes ^ Jes voltage value. The zeiuicn> drain-source resistance depends on the

Gate-Source-Spannung, deren Große durch,°;^J erspannung bestimmt wird Entsprechend der ^ unK-tion des Feldeffekt-Trans.stors4 .n_der beschriebe nen Schaltung kann von einem PJ™^h„£er n Betrieb des Feldeffekt-Trans.stors 4 gesprochen werGate-source voltage, the magnitude of which is determined by the voltage. According to the function of the field effect trans.stors4 .n_the circuit described, a PJ ™ ^ her n operation of the field effect -Trans.stors 4 who spoke

den. , , - t h in porrn the. ,, - t h in porrn

Eine erfindungsgemaße Schaltung ist auch in FormA circuit according to the invention is also in shape

einer integrierten Schaltung anwenaoai.an integrated circuit anwenaoai.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (5)

1 2 gnal und das Oszillatorsignal in einer Vergleichssiiiic Patentansprüche: verglichen, wobei bei Abweichungen der beiden Si gnale voneinander eine Steuerspannung entsteht, die1 2 gnal and the oscillator signal in a comparative siiiic patent claims: compared, with deviations of the two signals from each other a control voltage arises which 1. Schaltungsanordnung zur Veränderung der einer Reaktanzstufe zugeführt wird. Die Steuerspan-Frequenz eines steuerbaren Oszillators, insbeson- 5 nung beeinflußt die Reaktanzstufe derart, daß die dere für einen frequenz- und phasengesteuerten Kapazität des Schwingkreises des Oszillators geän-Oszillator, dadurch gekennzeichnet, dert wird und daß dadurch das Oszillatorsignal entdaß ein Feldeffekt-Transistor (4) als steuerbarer sprechend dem Bezugssignal nachgesteuert wird.
Widerstand derart geschaltet ist, daß die Gate- In einer derartigen Reaktanzstufe wird heute
1. Circuit arrangement for changing which is fed to a reactance stage. The control span frequency of a controllable oscillator, in particular influences the reactance stage in such a way that the other for a frequency- and phase-controlled capacitance of the oscillator circuit of the oscillator is characterized, and in that the oscillator signal is characterized by a field effect transistor (4) is readjusted as controllable speaking to the reference signal.
Resistance is connected in such a way that the gate is in such a reactance stage today
Elektrode mit einer Steuerspannungsquelle (2) io üblicherweise eine Kapazitäts-Variations-Diode \er- und die Drain-Elektrode mit einem Nachstimm- wendet. Diese Nachsteuerstufe ist aber nicht Ieieingang (7) des steuerbaren Oszillators (1) ver- stungslos zu betreiben, und es ist weiterhin zu beachbunden ist, der galvanisch von einer Betriebs- ten, daß das auch an der Kapazitäts-Variationsspannung getrennt ist, und daß die Source-Elek- Diode auftretende Oszillatorsignal sehr groß werden trode mit dem Bezugspotential (13) des Nach- 15 kann und die Diode dadurch in den leitenden Zustimmeingangs (7) verbunden ist. stand gebracht wird.Electrode with a control voltage source (2) io usually a capacitance-variation-diode \ er and turns the drain electrode with a retuning. However, this post-tax stage is not an input (7) of the controllable oscillator (1) can be operated without a load, and it must still be considered is, the galvanic from an operating th, that this also applies to the capacitance variation voltage is separated, and that the source-electrode-diode occurring oscillator signal are very large trode with the reference potential (13) of the post-15 and the diode thereby in the conductive approval input (7) is connected. stand is brought.
2. Schaltungsanordnung nacn Anspruch], da- Um eine leisturgslose Steuerung der Nachsteuerdurch gekennzeichnet, daß die Source-Elektrode stufe durchführen zu können, wurde vorgeschlagen, über einen Gleichspannungsteiler (8, 9, 10) mit eine Reaktanzstufe mit einem Feldeffekt-Transistor, dem Bezugspoten!ial (13) des Nachstimmein- ao äquivalent zu einer Röhrenscha/tung, aufzubauen, gangs (7) verbunden ist. Eine solche Schaltung hat aber den Nachteil, daß bei2. Circuit arrangement according to claim], because in order to be able to perform a power-free control of the Nachsteuerdurch that the source electrode stage, it was proposed to use a DC voltage divider (8, 9, 10) with a reactance stage with a field effect transistor, the Reference potential (13) of the Nachstimmein- ao equivalent to a tube circuit to build up, gang (7) is connected. Such a circuit has the disadvantage that at 3. Schaltungsanordnung nach einem der An- kleiner Kapazität der Reaktanzstufe das Oszillatorsprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die signal, das an der Drain-Elektrode des Feldeffekt-Gate-Elektrode über einen Kondensator (6) mit Transistors anliegt, sehr groß werden kann. Hierdem Bezugspotenvial (13) des Nachslimmeingan- 25 durch steigt die momentane Drain-Spanuung, die abges (7) verbunden ist. hängig von der Betriebsspannung, dem Drain-Strom3. Circuit arrangement according to one of the small capacitance of the reactance stage, the oscillator saying 1 to 2, characterized in that the signal applied to the drain electrode of the field effect gate electrode is applied via a capacitor (6) with transistor, can be very large. Here then The reference potential (13) of the Nachslimmeingan- 25 rises through the current drain voltage, which is abs (7) is connected. depending on the operating voltage, the drain current 4. Schaltungsanordnung nach einem der An- und dem Drain-Widerstand ist, an und kann solche Sprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Werte erreichen, daß die höchstzulässige Drain-Gate-Gleichspannungsteiler (8, 9,10) durch einen Spannung überschritten wird, was eine Zerstörung des Kondensator (11) überbrückt ist. 30 Feldeffekt-Transistors bewirken würde. Um dies zu4. Circuit arrangement according to one of the on and the drain resistance is on and can be such Proverbs 1 to 3, characterized in that the values reach the highest permissible drain-gate DC voltage divider (8, 9, 10) is exceeded by a voltage, which bridges the destruction of the capacitor (11). 30 field effect transistor would cause. To do this too 5. Schaltungsanordnung nach einem der An- verhindern, muß eine Schutzschaltung vorgesehen Sprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der werden. Weiterhin ist der Ausgangswiderstand einer Feldeffekt-Transistor (4) ein symmetrischer Reaktanzstufe mit einem Feldeffekt-Transistor nicht Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor ist. n-ehr rein kapazitiv.5. Prevent circuit arrangement after one of the connections, a protective circuit must be provided Proverbs I to 4, characterized in that the will. Furthermore, the output resistance is a Field effect transistor (4) does not have a symmetrical reactance stage with a field effect transistor Junction field effect transistor is. n-or rather purely capacitive. 35 Es ist eine Aufgabe der Erfindung, die Nachteile der bekannten Nachsteuerstufen zu vermeiden und eine Schaltungsanordnung zu schaffen, die durch Änderung eines ohmschen Widerstandes die Frequenz und Phase eines in einem steuerbaren Oszillator er-40 zeugten Oszillatorsignals beeinflußt.It is an object of the invention to avoid the disadvantages of the known readjustment stages and to create a circuit arrangement that changes the frequency by changing an ohmic resistance and phase of an er-40 in a controllable oscillator generated oscillator signal influenced. Die Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst,The object is achieved according to the invention by Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung daß ein Feldeffekt-Transistor als steuerbarer Widerzur Veränderung der Frequenz eines steuerbaren Os- stand derart geschaltet ist, daß die Gate-Elektrode zillators, insbesondere für einen frequenz- und pha- mit einer Steuerspannungsquelle und die Drain-Elcksengesteuerten Oszillator. 45 trode mit einem Nachstimmeingang des steuerbarenThe invention relates to a circuit arrangement that a field effect transistor as a controllable Widerzur Change in the frequency of a controllable os- stand is switched in such a way that the gate electrode zillators, especially for a frequency and phase with a control voltage source and the drain Elcksengesteuenen Oscillator. 45 trode with a retuning input of the controllable Derartige SchalUingsanordnungen werden bei- Oszillators verbunden ist, der galvanisch von einer spielsweise in Farbfernseh-Empfangsgeräten verweil- Betriebsspannung gesteuert ist, und daß die Saurcedet und dienen dazu, eine fortlaufende, hochfre- Elektrode mit dem Bezugspotential des Nachstimmquente Sinusschwingung, die in einem steuerbaren eingangs verbunden ist.Such switching arrangements are connected to an oscillator, which is galvanically connected to a for example, in color television receivers dwell operating voltage is controlled, and that the Saurcedet and serve to connect a continuous, high-frequency electrode with the reference potential of the Nachvimmquente Sinusoidal oscillation that is connected in a controllable input. Oszillator erzeugt wird, in Frequenz und Phase in 50 Bei dieser Schaltungsanordnung ist eine Schutz-Abhängigkeit von einem Bezugssignal zu synchroni- schaltung nicht erforderlich, da die Drain-Elektrode sicren. des Feldeffekt-Transistor mit keiner Belriebsgleich-Oscillator is generated in frequency and phase in 50. In this circuit arrangement is a protection dependency from a reference signal to synchronous connection is not required, as the drain electrode sicren. of the field effect transistor with no Das Bezugssignal, Burst genannt, wird bei einer spannungsquclle verbunden ist und infolgedessen Farbfernsehsendung neben den Farbsignalen über- keine zu hohe Drain-Spannung entstehen kann. Die tragen und gibt die Bezugsphase der Modulations- 55 Speisung erfolgt hierbei durch das an der Drainachsen der Farbsignale an. Wenn die Farbsignale in Elektrode anliegende Oszillatorsignal des steuerbaeinem Farbfcrnseh-Iimpfangsgerät richtig wiederge- ren Oszillators.The reference signal, called burst, is connected when a voltage source is connected and consequently Color television broadcasts in addition to the color signals via a drain voltage that is not too high can arise. the carry and gives the reference phase of the modulation 55. Feeding takes place here through the on the drain axes of the color signals. When the color signals in the electrode applied oscillator signal of the control module Color TV receiver correctly reproduced oscillator. geben werden sollen, muß ein dem Bezugssignal in Weiterhin erfolgt die Steuerung dieser erfindungs-are to be given, a reference signal must also be used in this invention. Frequenz und Phase identisches Oszillatorsignal der gemäßen Schaltungsanordnung ebenfalls leistungslos, vorgenannten Art erzeugt werden. Die Erzeugung 60 An Hand eines Beispiels ist eine erfindungsgemäße bzw. Rückgewinnung des Bezugssignals in einem Schaltungsanordnung näher erläutert.
Farbfernsehempfänger wird als Farblräger-Regene- Zwischen einem steuerbaren Oszillator 1 und einer
Frequency and phase identical oscillator signal of the circuit arrangement according to the invention can also be generated without power, the aforementioned type. Generation 60 Using an example, an inventive or recovery of the reference signal in a circuit arrangement is explained in more detail.
Color television receiver is called color carrier Regene- between a controllable oscillator 1 and a
ration bezeichnet. Üblicherweise wird hierzu ein ge- Vergleichsstufe 2, die über eine Leitung 3 verbunden sleucrter Quarz-Oszillator verwendet. Der Oszillator sind, ist eine Nachsteuerstufc geschaltet. Die Nachwird durch eine vorgeschaltete Nachsteuerstufe der- 65 steuerstufe bestellt aus einem symmetrischen Sperrarl beeinflußt, daß das Oszillatorsignal in Frequenz schicht-Feldeffckt-Transistoi^, dessen Gate-Elek- und Phase gleich dem Bezugssignal ist. trode mit dem Ausgang S der Vergleichsstufe 2 ver-ration. A comparison stage 2, which is connected via a line 3, is usually used for this purpose sleucrter quartz oscillator used. The oscillator is connected to an adjustment stage. The offspring through an upstream post-control stage of the 65 control stage ordered from a symmetrical locking bar affects that the oscillator signal in frequency layer-field effect transistor ^, whose gate elec- and phase is equal to the reference signal. trode with output S of comparison stage 2 Bei einer bekannten Schaltung wird das Bezugssi- bunden und durch einen Kondensator 6 an ein Be-In a known circuit, the reference is bound and connected through a capacitor 6 to a
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