DE2121938A1 - Readout memory, especially for code conversion systems and the like - Google Patents

Readout memory, especially for code conversion systems and the like

Info

Publication number
DE2121938A1
DE2121938A1 DE19712121938 DE2121938A DE2121938A1 DE 2121938 A1 DE2121938 A1 DE 2121938A1 DE 19712121938 DE19712121938 DE 19712121938 DE 2121938 A DE2121938 A DE 2121938A DE 2121938 A1 DE2121938 A1 DE 2121938A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
read
areas
printing circuit
memory according
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712121938
Other languages
German (de)
Inventor
Gianni Sesto Calende Varese; Ippolito Giovanni Mailand; Colombo (Italien)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ages SpA
Original Assignee
Ages SpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ages SpA filed Critical Ages SpA
Publication of DE2121938A1 publication Critical patent/DE2121938A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/04Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using capacitive elements

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Storage Device Security (AREA)

Description

üipL-Ing. AmthorüipL-Ing. Amthor

pipl.-!ng. Wolfpipl .-! ng. wolf

6 Frankfurt a M. 6 Frankfurt a M.

Mittelweg 12Middle way 12

Firma AGES Sep.A. - Azienda Generale Elettronica Servomeceanismi Via Castelletto - B 0 B G 0 TICINO (Prov.Novara)- ItalienCompany AGES Sep.A. - Azienda Generale Elettronica Servomeceanismi Via Castelletto - B 0 B G 0 TICINO (Prov.Novara) - Italy

Auslesespeicher, insbesondere für Codeumwandlungssysteme u.dgl.Readout memory, especially for code conversion systems and the like.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ©inen Auslesespeicher,The present invention relates to a readout memory

t ■ -t ■ -

der insbesondere für Codeumwandlungssysterae und dgl. geeignet ist·which is particularly suitable for code conversion systems and the like

Es iot bekannt, dass Codeumwandlungssysteme oder Umwandlungssysteme einer vorgeordneten Iblge von Codeoperationen auf logische Blöcke zusämmenfassbar sind| in denen einer bestimmten Eingangskonfiguration eine vorgeordnete Ausgangskonfiguration entspricht»It iot known to be code conversion systems or conversion systems a preceding Iblge of code operations on logical blocks are summarized | in those of a certain input configuration an upstream output configuration corresponds to »

Beide Umv/andlungsprobleme sowie andere ähnliche Probleme können somit auf die Anwendung einer Vorrichtung zurückgeführt werden, der Auslesespeieher oder Postwertspeicher (read-only memory), der so ge-Both conversion problems as well as other similar problems can be can thus be attributed to the use of a device that Read-out memory or postage value memory (read-only memory), which

109848/1736109848/1736

BAD OFUGINALBATH OFUGINAL

werden»will"

nannt wird, indem es nicht möglich ist (und es auch nicht verlangt wird),den Inhalt elektrisch au verändern·is called because it is not possible (and neither does it require it will), change the content electrically

Wenn man nur Binärelemente betrachtet, die übrigens die einzigen interessanten Elemente sind, und wenn Ii die sogenannten "Eingangsbit11 sind und k die "Ausgangsbit" sind, dann eind die möglichen Eingangskonfigurationen 2 und jeder derselben entsprechen k Bit am Ausgang, so dass die "Fassungsfähigkeit" des Speichers 2 .k Bit beträgt, d.h. dass 2 .k die möglichen Zellen sind, in denen ein Binärwert gespeichert werden kann· If one only considers binary elements, which by the way are the only interesting elements, and if Ii are the so-called "input bits 11 and k are the" output bits ", then and the possible input configurations 2 and each of them correspond to k bits at the output, so that the" Capacity "of the memory is 2 .k bits, ie that 2 .k are the possible cells in which a binary value can be stored ·

Unter den verwendeten Speichersystetnen können folgende genanntThe following can be mentioned among the storage systems used

1) - Dicdenspeicher1) - Dicden memory

2) - integrierte Speicher2) - built-in memory

3) - Magnetspeicher verschiedener Art·3) - magnetic storage of various types

Die Schätzungskriterien dieser Speicher sind sehr viele, die wesentlichsten betrachten jedoch folgendesiThe criteria for estimating these stores are very many, the most important however consider the following

a) die Kosten *a) the costs *

b) den Platzbedarfb) the space required

o) die Anpassungsfähigkeit an verschiedene Programme d) die Geschwindigkeit·o) the adaptability to different programs d) the speed

Me erstgenannten Speicher, also die Diodenspeicher, sind kostspielig und nehmen viel Platz ein, obwohl sie sehr anpassungsfähig und schnell sind, und sind besonders für geringe Fassungsvermögen geeignet. . - .The first-mentioned memories, i.e. the diode memories, are expensive and take up a lot of space, although they are very adaptable and are fast, and are particularly suitable for small capacities. . -.

Die zweitgenannten Speicher, die aus integrierten Kreisen grosser Kompliziertheit (LSI - large scale integration) erhalten werden, insbesondere die des sogenannten KOS (metal oxide semiconductors) TypsThe second-mentioned memories, which are obtained from integrated circuits of great complexity (LSI - large scale integration), especially those of the so-called KOS (metal oxide semiconductors) type

109848/1736109848/1736

Bind preisgünstig, brauchen wenig Platz, sind schnell genug, jedooh wenig anpassungsfähig, indem schwierl ge und kostspielige Arbeiten nötig sind, um jedesmal zu ihrer Herstellung nach den TiÜnschen des Ver_ brauchers zu gelängen.Bind inexpensive, take up little space, are fast enough, however Little adaptable by doing difficult and costly jobs are necessary in order to make them according to the rules of the Ver_ need to succeed.

Die Speicher der letzterwähnten Art, also die Magnetspeicher, sind ziemlich preisgünstig, brauchen verhältnismässig wenig Platz und sind h. manchen Ausführungen sehr anpassungsfähig und genügend schnell, aber ihre Programmierung benötigt eine längere, und sorgfältige Handarbeit, die Fehlern unterworfen ist. Diese Speichor sii;d für grosse Fassungsvermögen geeinget.The memories of the last-mentioned type, that is to say the magnetic memories, are quite inexpensive, take up relatively little space and are h. some versions very adaptable and fast enough, but their programming requires a long, careful manual work that is subject to errors. This memory is suitable for large capacities.

Dor Speicher nach der Erfindung bezweckt die Vereinigung der Vorteile der vorher zusammenfassend dargelegten Lösungen, insbesondere nach dem Gesichtspunkt eines typischen Verbrauchers der automatischen Regelungstechnik und der peripheren Datenübertragung und -Verarbeitung, der deshalb an einen Auslesespeicher mit folgenden Merkmalen interessiert ist t Dor memory according to the invention aims at combining the advantages of the solutions set forth previously summarized, in particular from the point of a typical consumer, the automatic control technology and the peripheral data transmission and processing, which is therefore interested in a read only memory having the following features t

- geringe Kosten- low cost

- massiger Platabedarf- massive plateau demand

- hohe Anpassungsfähigkeit zusammen mit einsr sicheren und wirtschaftlichen Herstellungsmethode, die sowohl für kleine als auch für grosso. Serien geeignet ist- High adaptability along with a safe and economical manufacturing method suitable for both small and large grosso. Series is suitable

- nicht zu hohe Geschwindigkeit.- not too high speed.

Der erfindungsgemässe Axiale se spei eher ist dadurch gekennzeichnet, dass er aus wenigstens einer Druckschaltung besteht, die einen ersten Teil mit Bestandteilen und einen zweiten Teil ohne Bestandteile umfasst, wobei diese beiden Teile zusammen über wenigstens eine kapazitive Kopplung gekoppelt Bind.The axial se according to the invention is rather characterized by that it consists of at least one printed circuit, the first Comprises a part with components and a second part without components, these two parts together via at least one capacitive Coupling coupled bind.

Vorteilhafterweise besteht der Speicher aus einer ersten und einer zweiten Druckechaltung, die aufeinander zusammenpassend angeordnetThe memory advantageously consists of a first and a first second printing circuit, which are arranged to match one another

10 9 8 4 8/1736 bad original10 9 8 4 8/1736 bad original

sind und je eines der genannten Teile darstellen, wobei diese beiden Schaltungen voneinander über eine Isolierungssehicht getrennt Bind, die sich wenigstens Über einen Teil deren Fläche erstreckt!and each represent one of the parts mentioned, these two circuits being separated from one another by an insulating layer Bind, which extends over at least part of its area!

Weitere Einzelheiten der Erfindung sind der folgenden Einzelbe- · Schreibung eines AusieseSpeichers zu entnehmen, der beispielsweise in zwei äiöglichen Ausftihrungsformen in der beiliegenden Zeichnung dargestellt ist» in welcher: Further details of the invention can be found in the following individual description of an Ausiese memory, which is shown, for example, in two possible embodiments in the accompanying drawing, in which:

die Fig. 1 den Speicher darstellt, wobei die zwei Druck sch al tun*- gen getrennt nebeneinander gezeigt sind, und die Fig. 2 eine Variante der zweiten Druckschaltung ist*the Fig. 1 represents the memory, the two pressure scarf do * - genes are shown separately next to each other, and Fig. 2 is a variant of the second print circuit *

Zum Zwecke der Einfachheit.bezieht sich das Beispiel auf den Fall, dass nur 4 "Eitigangsbit" und 4 "Auragangsbit" vorhanden sind, d.h. mit einem Fassungsvermögen von 64 bit (Fig. 1).For the sake of simplicity, the example refers to the Case that there are only 4 "input bits" and 4 "output bits", i.e. with a capacity of 64 bits (Fig. 1).

. Gemöss einem in der .Adressierung der Magnetspeicher bekannton Begriff wird zunächst eine erste Decodierung der Adressen vorgenommen und es v/erden 4 + 4 Zugangskreise zum Speicher vorbereite^ die praktisch durch die Transitoren des Typs 1 und 2 der Fig. 1 hergestellt Bind.. According to one known in the addressing of magnetic memories A first decoding of the addresses is carried out during the first term and it v / ground 4 + 4 access circuits to the memory prepare ^ the practical produced by the type 1 and type 2 transistors of FIG Bind

Diese sind auf einer ersten Drückachaltung angeordnet, auf der auch 16 ·.. parallele stromleitende Streifen 3 hergestellt sind, so dass die Kreise ir.it den Transistoren 1 und 2 paarweise je einen der 16 Streifen "3 der Druckschaltung, die den gesamten Stromkreis enthält, bestimmen. .These are arranged on a first press circuit, on which also 16 · .. parallel conductive strips 3 are made so that the circles ir. with the transistors 1 and 2 in pairs each one of the 16 Strip "3 of the printed circuit, which contains the entire circuit, determine. .

Die Dioden 4 dienen als Rückstroraverhinderungstrennglieder und werden in allen Adressierungsvorgängen verwendet. Die Widerstünde 5 dienen zur Erzeugung nicht eines Stroms, wie dies in allen AdressierungsvorgMngen Üblich ist, sondern einer Spanrungsfront nach dem folgenden Verfahren!The diodes 4 serve as reverse current prevention isolators and are used in all addressing processes. Resistance 5 are not used to generate a current, as is the case in all addressing processes Is common, but a tension front after following procedure!

'.■■■- 4 -'. ■■■ - 4 -

Ί 098.48/ 1736Ί 098.48 / 1736

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

Die Transistoren des Typs 1 und 2 sind normalerweise gesättigt/ Bei Anwendung einer zweiphasigen Zeitsteuerung wird der gewählte Transistor des Typs 1 im Augenblick Tl gesperrt. Nach Ausfallen der Wirkung der positiven, am Kollektor erzeugten Spannungsfront, die sich durch die Kapazitäten der Dioden 4 auf die Streifen 3 überträgt, wird der gewählte Transistor des Typs 2 im Augenblick T2 gesperrt. Nur der die beiden gewählten Transistoren verbindende Streifen 3 kann positiv geladen werden.Type 1 and Type 2 transistors are usually saturated / When using two-phase timing, the selected transistor becomes type 1 locked at the moment Tl. After failure of the effect of the positive voltage front generated at the collector, the is transmitted through the capacities of the diodes 4 to the strips 3, the selected transistor of type 2 is blocked at instant T2. Only the strip 3 connecting the two selected transistors can be positively charged.

Oberhalb der bisher beschriebenen Druckschaltung ist eine zweite Druckschaltung 6 angeordnet, die mit der ersten zusammenpasst und von ihr durch eine dünne Isolierschicht getrennt ist. Auf dieser Schaltung 6 sind kleine Flachen 7 ausgebildet, die den Streifen 3 gegenüberliegen und dort angeordnet sind, wo ein "1" zu schreiben ist.A second print circuit 6 is arranged above the print circuit described so far, which fits together with the first and is separated from it by a thin insulating layer. On this circuit 6 , small areas 7 are formed which lie opposite the strips 3 and are arranged where a "1" is to be written.

Auf den gewählten Leitungslinien δ wird somit durch die kleinen Flächen 7 eine Ladung induziert, die von diesen Linien zu den kleinen Flächen 9 übertragen wild,welche diese Ladung auf die kleinen Flächen 10 induzieren, die mit den Leseverstärkern verbunden sind. Diese schaffen am Ausgang einen positiven Impuls 11» der auf den vier Ausgangsleitungen den verlangten Code herstellt." Genauer gesagt, erhält man an den nicht gewählten Leitungen einen geringeren Impuls 12, der durch die kleinen Kapazitäten zwischen den gewählten Streifen 3 und den Leitungslinien 8 und durch andere ungewünschte Kopplungen entsteht. Dieser Impuls 12 kann jedoch von dem nutzbaren Impuls 11 in geeingetar V/eise ausgesondert Werden.On the selected line lines δ is thus through the small Areas 7 induces a charge that is transferred from these lines to the small areas 9, which wildly transfers this charge to the small areas Induce areas 10 connected to the sense amplifiers. These create a positive impulse at the output produces the required code on the four output lines. "More precisely In other words, you get a lower value on the unselected lines Pulse 12, which is due to the small capacities between the chosen Strip 3 and the line lines 8 and other undesirable Couplings arise. This pulse 12 can, however, be separated from the usable pulse 11 in an appropriate amount.

Ferner sind mechanische Druckelemente vorhanden, die die beiden Druckschaltungen aneinander festhalten und auoh noch Abschirmungselemente von beiden Seiten vorgesehen, um das Ganze von den Aussenstörungen unabhängig zu machen.There are also mechanical pressure elements that support the two Hold printed circuits together and also provided shielding elements on both sides to protect the whole thing from external disturbances to make independent.

Die Vorteile des Systems sind nun deutlich erkennbar.The advantages of the system are now clearly visible.

109-84 8/1736109-84 8/1736

BAD ORJCUNAI-BATH ORJCUNAI-

Die Adressierung ist genausc komplex wie bei einem Magnetspeicher, sie wird jedoch mit geringeren Stromwerten erhalten,insbesondere im Fall von mittleren und niedrigen Geschwindigkeiten· Auch die * Abmessungen sind beschränkt. Bei einer typischen Ausftthrungsform haben die Streifen eine Breite von 0,6 mm und die Flachen 7 eine Fläche von 0,6 χ 10 mm·The addressing is just as complex as with a magnetic memory, however, it is obtained with lower current values, in particular in the case of medium and low speeds also the * Dimensions are limited. In a typical embodiment, have the strips have a width of 0.6 mm and the surfaces 7 an area of 0.6 χ 10 mm

Mit einer gegenüberliegenden Plöche von 6 mm , einer Isoliarungs-With an opposite hole of 6 mm, an insulation

schicht von 0,1 mm und einer Speisespannung von 20 V hat der Ausgang eine grössere Leistung als ein Magnetkern der normalerweise für ■ Speicher verwendeten Art.The output has a layer of 0.1 mm and a supply voltage of 20 V. a greater performance than a magnetic core that is normally used for ■ Type of memory used.

Der überwiegende Teil des Speichers bleibt für eine bestimmte Einrichtung immer der gleiche und ist bereits mit den anderen Stromkreisen verbunden. Die Progrsmmierung wird einfach durch Auswechslung der Druckschaltung 6 vorgenommen, die keine Bestandteile trügt und somit sehr preisgünstig ist. Die Auswechslung ist durch die kleinen Flächen 9 und 10, die das Signal auf die Hauptdruckschaltung ohne Verbindungen übertragen, besonders leicht durchführbar. Die Flächen 9 und 10 können genügend grosser als die Flächen 7 gemacht werden, so dass sie keine AbschwUchung des Signals verursachen. Als extremer Fall einer grossen Fassungsfähigkeit, kann die Isolierschicht zwisohen den Flüchen 9 und 10 entfallen, wobei ein direkter Kontakt erhalten wird, der nicht perfekt sein muss und deshalb keine Probleme bildet. Für hohe Dichten und Kapazitäten ist die Verbesserung von Fig. 2 vorgesehen. Um die "Einser"und "Nullen" zu achreiben, sind statt des Vorhandenseins oder der Abwesenheit von Flächen 7» Flächen 7 für dio "Einser" und Flächen 7a für die "Nullen11 vorgesehen. Die Flächen 7 und 7a sind mit zwei Leitungslinien 8 bzw. 8a verbunden, die zu einem Differential verstärker führen. Auf diese Weise v.lrd die Wirkung der ungewünschten Impulse 12 von Fig. 1 völlig beseitigt und. es wird das Gans von den Toleranzen der Spannungswerte und der Bestandteile unabhängig gemacht.Most of the memory remains the same for a particular facility and is already connected to the other circuits. The programming is carried out simply by replacing the pressure circuit 6, which has no components and is therefore very inexpensive. The replacement is particularly easy to carry out due to the small areas 9 and 10, which transmit the signal to the main pressure circuit without connections. The areas 9 and 10 can be made sufficiently larger than the areas 7 so that they do not cause any weakening of the signal. As an extreme case of large capacity, the insulating layer between the faces 9 and 10 can be omitted, a direct contact being obtained which does not have to be perfect and therefore does not cause any problems. The improvement of FIG. 2 is provided for high densities and capacities. In order to write the "ones" and "zeros", instead of the presence or absence of areas 7, areas 7 are provided for the "ones" and areas 7a for the "zeros 11. The areas 7 and 7a are provided with two line lines 8 and 8a, respectively, which lead to a differential amplifier In this way the effect of the undesired pulses 12 of Fig. 1 is completely eliminated and the whole is made independent of the tolerances of the voltage values and the components.

Der erfindungsgemässe Speicher vereint all die eingangs genanntenThe memory according to the invention combines all of the aforementioned

BAD ORJGjNAt.BAD ORJGjNAt.

109848/1736109848/1736

Merkmale, d.h. die Kosten, den Platzbedarf, die Anpassungsfähigkeit fcei der Programmierung und. die Geschwindigkeit* und ist insbesondere für mittlere Fassungsvermögen (im Bereich von 1000 Bit), wie man sie in den Problemen der Co&eumwandlung antrifft, geeignet.Characteristics, i.e. the cost, the space required, the adaptability fcei of the programming and. the speed * and is particular suitable for medium capacities (in the range of 1000 bits), as encountered in the problems of Co & e conversion.

10 9 8 4 8/173610 9 8 4 8/1736

Claims (6)

ΡΑΤΕΒΪΑδSPEUECHEΡΑΤΕΒΪΑδSPEUECHE /i«) Auslesespeichex, insbes. für Codeumwandlungssysteme und dgl., dadurch gekennzeichnet, dass er aus wenigstens einer Druckschaltung (3,6) besteht, die einen ersten Teil mit Bestandteilen (1,2,4»5) uM einen zweiten Teil (6) ohne Bestandteile umfasst, wobei diese bei— den Teile zusammen über wenigstens eine kapazitive Kopplung gekoppelt sind. - - .'.'""' / i «) Auslesespeichex, especially for code conversion systems and the like, thereby characterized in that it consists of at least one printing circuit (3,6) which has a first part with components (1,2,4 »5) uM comprises a second part (6) without components, these two the parts are coupled together via at least one capacitive coupling. - -. '.' "" ' 2. Auslesespeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass er aus einem ersten und einer zweiten Druckscbaltung (3 bzw.4), die aufeinander und zusammenpassend angeordnet sind und je einen der genannten Teile darstellen besteht, wobei diese beiden Schältungen voneinander über eine Isοlierungsschicht getrennt sind, die sich wenigstens über einen Teil deren Flüche erstreckt·2. Readout memory according to claim 1, characterized in that it from a first and a second pressure circuit (3 and 4, respectively), the are arranged on top of each other and matching and each one of the represent these parts, with these two peelings are separated from each other by an insulation layer, which extends over at least part of their curses 3· Au3lesespeicher nach Anspruch. 1 oder 2j dadurch gekennzeichnet, dass die erste Druckschaltung atroraleitende Streifen (3) in einer3 · read-out memory according to claim. 1 or 2j, characterized in that the first printing circuit atral conductive strips (3) in one h
Anzahl, die für ein Binärsystem 2 beträgt, wobei Ji die sogenannten •'Eingangsbit" sind, und eine Mehrzahl von ersten stromleitenden Flächen (10) in einer Anzahl gleich den "Ausgangsbit" aufweist, die mit Leseverstilrkern Verbunden sind.
H
Number which is 2 for a binary system, where Ji are the so-called "input bits", and has a plurality of first current-conducting surfaces (10) in a number equal to the "output bits", which are connected to read attenuators.
4· Auslesespeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, daduroh gekennzeichnet, dass die zweite Druckschaltung (6) zweite stroralaitende Flächen (7) aufweist die nach einem vorbestimmten System zum ' Zwecke der Zusamir.enpassung mit den Streifen (3) angeordnet sind und in Gruppen in einer Anzahl gleich den "Ausgang3bit" zusammengefasst sind, wobei dio Flächen (7) jeder dieser Gruppen elektrisch miteinander und mit einer weiteren stromleitenden Flüche (9) verbunden oind,4 · read-out memory according to one of the preceding claims, daduroh characterized in that the second pressure circuit (6) second stroralaitende Has surfaces (7) which are arranged according to a predetermined system for the purpose of being fitted with the strips (3) and are combined in groups in a number equal to the "output 3 bits", the areas (7) of each of these groups being electrically connected to one another and connected to a further conductive surface (9), 109848/1736
. ■ ■ . BAD ORIGINAL
109848/1736
. ■ ■. BATH ORIGINAL
21218382121838 und jede dieser weiteren stromleitenden Flächen (9) einer der erwähnten ersten Flächen (10) der ersten Druckschaltung entspricht.-and each of these further conductive surfaces (9) one of the mentioned first surfaces (10) corresponds to the first printing circuit.
5· Auslesespeicher nach den Ansprüchen 1 bis 4» dadurch gekennzeichnet, dass er eine erste kapazitive Kopplung zwischen den Streifen (3) und den zweiten Flächen (7) und eine zweite kapazitive oder durch direkten Kontakt geschaffene Kopplung zwischen diesen weiteren Flüchen (9) und diesen ersten Flächen (10)'aufweist.5 · Readout memory according to Claims 1 to 4 »characterized in that that he has a first capacitive coupling between the strip (3) and the second surfaces (7) and a second capacitive or coupling created by direct contact between these further Curses (9) and these first surfaces (10) '. 6. Auslesespeicher naph den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Druckschaltung ala Adressierungsteil festbestimmt i3t und bei Veränderung der Programmierung · für eine bestimmte Einrichtung die gleiche bleibt, wobei die zweite Druckschaltung (6) in Abhängigkeit dieser Programmierung jeweils ausgebildet ist.6. Read-out memory naph the preceding claims, characterized in that the first printing circuit ala addressing part is fixed and, if the programming is changed, for a specific one Setup remains the same, with the second printing circuit (6) is designed in each case as a function of this programming. 7· Auslesespeicher nach den vorhergehonden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Druckschaltung (6) erste Flächen (7) zur Darstellung der "Einser11 und zweite Flächen (7a) zur Darstellung der "Nullen" aufweist, wobei die ersten Flächen (7) mit einer ersten Leitungslinie (8) und diese zweiten Flächen (7a) mit einer zweiten Leitungslinie (8a) verbunden sind, welche Leitungslinien zu einem Differentialverstärker o.dgl* führen.7. Read-out memory according to the preceding claims, characterized in that the second printing circuit (6) has first areas (7) for displaying the "ones 11" and second areas (7a) for displaying the "zeros", the first areas (7) are connected to a first conduction line (8) and these second surfaces (7a) are connected to a second conduction line (8a), which conduction lines lead to a differential amplifier or the like *. .-.: ^098 4 8/1 736.- .: ^ 098 4 8/1 736 L e e r s e i t eL e r s e i t e
DE19712121938 1970-05-06 1971-05-04 Readout memory, especially for code conversion systems and the like Pending DE2121938A1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT2426870 1970-05-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2121938A1 true DE2121938A1 (en) 1971-11-25

Family

ID=11212840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712121938 Pending DE2121938A1 (en) 1970-05-06 1971-05-04 Readout memory, especially for code conversion systems and the like

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH538753A (en)
DE (1) DE2121938A1 (en)
FR (1) FR2088369B1 (en)
GB (1) GB1349376A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006048401A1 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Printed Systems Gmbh System and method for storing and reading information

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2455779A (en) * 2007-12-21 2009-06-24 Novalia Ltd Reader and electronic tag with conductive tracks having narrow and wide sections

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1055632A (en) * 1963-05-30 1967-01-18 Ibm Improvements in or relating to electrical assemblies

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006048401A1 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Printed Systems Gmbh System and method for storing and reading information

Also Published As

Publication number Publication date
GB1349376A (en) 1974-04-03
CH538753A (en) 1973-06-30
FR2088369B1 (en) 1975-09-26
FR2088369A1 (en) 1972-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3916784C2 (en) Memory cell array and method for writing data to the memory cell array
DE3007155C2 (en) Storage device
DE3234117A1 (en) METHOD AND DEVICE FOR CODING PRODUCT AND PROGRAM INFORMATION IN SEMICONDUCTORS
DE2335785B2 (en) Circuit arrangement for testing a matrix wiring
DE2432684B2 (en)
DE2727855C2 (en)
EP0111741A2 (en) Integrated semiconductor circuit with a dynamic read-write memory
DE2646653C3 (en)
DE1056396B (en) Ferrite matrix memory
DE2146905C3 (en) Data memories, in particular monolithically integrated semiconductor data memories
DE2135625B1 (en) Circuit arrangement for automatic write suppression
DE68914073T2 (en) Integrated memory circuit with parallel and serial input and output.
DE69021273T2 (en) Integrated memory circuit with a sense amplifier.
DE2031038B2 (en)
DE3780492T2 (en) SEMICONDUCTOR MEMORY ARRANGEMENT.
DE2121938A1 (en) Readout memory, especially for code conversion systems and the like
DE2505245C3 (en)
DE2022256A1 (en) Permanent storage
DE2760086C2 (en)
DE3785991T2 (en) SYSTEM WITH NEGATIVE FEEDBACK TO REDUCE THE RESPONSE TIME OF A STORAGE CELL.
DE2618760C3 (en) Semiconductor memory device
DE3529476A1 (en) DRIVER CIRCUIT FOR A COMMON SIGNAL SAMPLE AMPLIFIER
DE2553972B2 (en) Circuit arrangement for monitoring the function of a dynamic decoding circuit
DE1116724B (en) Read amplifier for matrix memory
DE1181276B (en) Data transmitter from ferrite toroidal cores arranged in a matrix