DE2121938A1 - Readout memory, especially for code conversion systems and the like - Google Patents
Readout memory, especially for code conversion systems and the likeInfo
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- G11C17/04—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using capacitive elements
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- Storage Device Security (AREA)
Description
üipL-Ing. AmthorüipL-Ing. Amthor
pipl.-!ng. Wolfpipl .-! ng. wolf
6 Frankfurt a M. 6 Frankfurt a M.
Mittelweg 12Middle way 12
Firma AGES Sep.A. - Azienda Generale Elettronica Servomeceanismi Via Castelletto - B 0 B G 0 TICINO (Prov.Novara)- ItalienCompany AGES Sep.A. - Azienda Generale Elettronica Servomeceanismi Via Castelletto - B 0 B G 0 TICINO (Prov.Novara) - Italy
Auslesespeicher, insbesondere für Codeumwandlungssysteme u.dgl.Readout memory, especially for code conversion systems and the like.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ©inen Auslesespeicher,The present invention relates to a readout memory
t ■ -t ■ -
der insbesondere für Codeumwandlungssysterae und dgl. geeignet ist·which is particularly suitable for code conversion systems and the like
Es iot bekannt, dass Codeumwandlungssysteme oder Umwandlungssysteme einer vorgeordneten Iblge von Codeoperationen auf logische Blöcke zusämmenfassbar sind| in denen einer bestimmten Eingangskonfiguration eine vorgeordnete Ausgangskonfiguration entspricht»It iot known to be code conversion systems or conversion systems a preceding Iblge of code operations on logical blocks are summarized | in those of a certain input configuration an upstream output configuration corresponds to »
Beide Umv/andlungsprobleme sowie andere ähnliche Probleme können somit auf die Anwendung einer Vorrichtung zurückgeführt werden, der Auslesespeieher oder Postwertspeicher (read-only memory), der so ge-Both conversion problems as well as other similar problems can be can thus be attributed to the use of a device that Read-out memory or postage value memory (read-only memory), which
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BAD OFUGINALBATH OFUGINAL
werden»will"
nannt wird, indem es nicht möglich ist (und es auch nicht verlangt wird),den Inhalt elektrisch au verändern·is called because it is not possible (and neither does it require it will), change the content electrically
Wenn man nur Binärelemente betrachtet, die übrigens die einzigen interessanten Elemente sind, und wenn Ii die sogenannten "Eingangsbit11 sind und k die "Ausgangsbit" sind, dann eind die möglichen Eingangskonfigurationen 2 und jeder derselben entsprechen k Bit am Ausgang, so dass die "Fassungsfähigkeit" des Speichers 2 .k Bit beträgt, d.h. dass 2 .k die möglichen Zellen sind, in denen ein Binärwert gespeichert werden kann· If one only considers binary elements, which by the way are the only interesting elements, and if Ii are the so-called "input bits 11 and k are the" output bits ", then and the possible input configurations 2 and each of them correspond to k bits at the output, so that the" Capacity "of the memory is 2 .k bits, ie that 2 .k are the possible cells in which a binary value can be stored ·
Unter den verwendeten Speichersystetnen können folgende genanntThe following can be mentioned among the storage systems used
1) - Dicdenspeicher1) - Dicden memory
2) - integrierte Speicher2) - built-in memory
3) - Magnetspeicher verschiedener Art·3) - magnetic storage of various types
Die Schätzungskriterien dieser Speicher sind sehr viele, die wesentlichsten betrachten jedoch folgendesiThe criteria for estimating these stores are very many, the most important however consider the following
a) die Kosten *a) the costs *
b) den Platzbedarfb) the space required
o) die Anpassungsfähigkeit an verschiedene Programme d) die Geschwindigkeit·o) the adaptability to different programs d) the speed
Me erstgenannten Speicher, also die Diodenspeicher, sind kostspielig und nehmen viel Platz ein, obwohl sie sehr anpassungsfähig und schnell sind, und sind besonders für geringe Fassungsvermögen geeignet. . - .The first-mentioned memories, i.e. the diode memories, are expensive and take up a lot of space, although they are very adaptable and are fast, and are particularly suitable for small capacities. . -.
Die zweitgenannten Speicher, die aus integrierten Kreisen grosser Kompliziertheit (LSI - large scale integration) erhalten werden, insbesondere die des sogenannten KOS (metal oxide semiconductors) TypsThe second-mentioned memories, which are obtained from integrated circuits of great complexity (LSI - large scale integration), especially those of the so-called KOS (metal oxide semiconductors) type
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Bind preisgünstig, brauchen wenig Platz, sind schnell genug, jedooh wenig anpassungsfähig, indem schwierl ge und kostspielige Arbeiten nötig sind, um jedesmal zu ihrer Herstellung nach den TiÜnschen des Ver_ brauchers zu gelängen.Bind inexpensive, take up little space, are fast enough, however Little adaptable by doing difficult and costly jobs are necessary in order to make them according to the rules of the Ver_ need to succeed.
Die Speicher der letzterwähnten Art, also die Magnetspeicher, sind ziemlich preisgünstig, brauchen verhältnismässig wenig Platz und sind h. manchen Ausführungen sehr anpassungsfähig und genügend schnell, aber ihre Programmierung benötigt eine längere, und sorgfältige Handarbeit, die Fehlern unterworfen ist. Diese Speichor sii;d für grosse Fassungsvermögen geeinget.The memories of the last-mentioned type, that is to say the magnetic memories, are quite inexpensive, take up relatively little space and are h. some versions very adaptable and fast enough, but their programming requires a long, careful manual work that is subject to errors. This memory is suitable for large capacities.
Dor Speicher nach der Erfindung bezweckt die Vereinigung der Vorteile der vorher zusammenfassend dargelegten Lösungen, insbesondere nach dem Gesichtspunkt eines typischen Verbrauchers der automatischen Regelungstechnik und der peripheren Datenübertragung und -Verarbeitung, der deshalb an einen Auslesespeicher mit folgenden Merkmalen interessiert ist t Dor memory according to the invention aims at combining the advantages of the solutions set forth previously summarized, in particular from the point of a typical consumer, the automatic control technology and the peripheral data transmission and processing, which is therefore interested in a read only memory having the following features t
- geringe Kosten- low cost
- massiger Platabedarf- massive plateau demand
- hohe Anpassungsfähigkeit zusammen mit einsr sicheren und wirtschaftlichen Herstellungsmethode, die sowohl für kleine als auch für grosso. Serien geeignet ist- High adaptability along with a safe and economical manufacturing method suitable for both small and large grosso. Series is suitable
- nicht zu hohe Geschwindigkeit.- not too high speed.
Der erfindungsgemässe Axiale se spei eher ist dadurch gekennzeichnet, dass er aus wenigstens einer Druckschaltung besteht, die einen ersten Teil mit Bestandteilen und einen zweiten Teil ohne Bestandteile umfasst, wobei diese beiden Teile zusammen über wenigstens eine kapazitive Kopplung gekoppelt Bind.The axial se according to the invention is rather characterized by that it consists of at least one printed circuit, the first Comprises a part with components and a second part without components, these two parts together via at least one capacitive Coupling coupled bind.
Vorteilhafterweise besteht der Speicher aus einer ersten und einer zweiten Druckechaltung, die aufeinander zusammenpassend angeordnetThe memory advantageously consists of a first and a first second printing circuit, which are arranged to match one another
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sind und je eines der genannten Teile darstellen, wobei diese beiden Schaltungen voneinander über eine Isolierungssehicht getrennt Bind, die sich wenigstens Über einen Teil deren Fläche erstreckt!and each represent one of the parts mentioned, these two circuits being separated from one another by an insulating layer Bind, which extends over at least part of its area!
Weitere Einzelheiten der Erfindung sind der folgenden Einzelbe- · Schreibung eines AusieseSpeichers zu entnehmen, der beispielsweise in zwei äiöglichen Ausftihrungsformen in der beiliegenden Zeichnung dargestellt ist» in welcher: Further details of the invention can be found in the following individual description of an Ausiese memory, which is shown, for example, in two possible embodiments in the accompanying drawing, in which:
die Fig. 1 den Speicher darstellt, wobei die zwei Druck sch al tun*- gen getrennt nebeneinander gezeigt sind, und die Fig. 2 eine Variante der zweiten Druckschaltung ist*the Fig. 1 represents the memory, the two pressure scarf do * - genes are shown separately next to each other, and Fig. 2 is a variant of the second print circuit *
Zum Zwecke der Einfachheit.bezieht sich das Beispiel auf den Fall, dass nur 4 "Eitigangsbit" und 4 "Auragangsbit" vorhanden sind, d.h. mit einem Fassungsvermögen von 64 bit (Fig. 1).For the sake of simplicity, the example refers to the Case that there are only 4 "input bits" and 4 "output bits", i.e. with a capacity of 64 bits (Fig. 1).
. Gemöss einem in der .Adressierung der Magnetspeicher bekannton Begriff wird zunächst eine erste Decodierung der Adressen vorgenommen und es v/erden 4 + 4 Zugangskreise zum Speicher vorbereite^ die praktisch durch die Transitoren des Typs 1 und 2 der Fig. 1 hergestellt Bind.. According to one known in the addressing of magnetic memories A first decoding of the addresses is carried out during the first term and it v / ground 4 + 4 access circuits to the memory prepare ^ the practical produced by the type 1 and type 2 transistors of FIG Bind
Diese sind auf einer ersten Drückachaltung angeordnet, auf der auch 16 ·.. parallele stromleitende Streifen 3 hergestellt sind, so dass die Kreise ir.it den Transistoren 1 und 2 paarweise je einen der 16 Streifen "3 der Druckschaltung, die den gesamten Stromkreis enthält, bestimmen. .These are arranged on a first press circuit, on which also 16 · .. parallel conductive strips 3 are made so that the circles ir. with the transistors 1 and 2 in pairs each one of the 16 Strip "3 of the printed circuit, which contains the entire circuit, determine. .
Die Dioden 4 dienen als Rückstroraverhinderungstrennglieder und werden in allen Adressierungsvorgängen verwendet. Die Widerstünde 5 dienen zur Erzeugung nicht eines Stroms, wie dies in allen AdressierungsvorgMngen Üblich ist, sondern einer Spanrungsfront nach dem folgenden Verfahren!The diodes 4 serve as reverse current prevention isolators and are used in all addressing processes. Resistance 5 are not used to generate a current, as is the case in all addressing processes Is common, but a tension front after following procedure!
'.■■■- 4 -'. ■■■ - 4 -
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BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
Die Transistoren des Typs 1 und 2 sind normalerweise gesättigt/ Bei Anwendung einer zweiphasigen Zeitsteuerung wird der gewählte Transistor des Typs 1 im Augenblick Tl gesperrt. Nach Ausfallen der Wirkung der positiven, am Kollektor erzeugten Spannungsfront, die sich durch die Kapazitäten der Dioden 4 auf die Streifen 3 überträgt, wird der gewählte Transistor des Typs 2 im Augenblick T2 gesperrt. Nur der die beiden gewählten Transistoren verbindende Streifen 3 kann positiv geladen werden.Type 1 and Type 2 transistors are usually saturated / When using two-phase timing, the selected transistor becomes type 1 locked at the moment Tl. After failure of the effect of the positive voltage front generated at the collector, the is transmitted through the capacities of the diodes 4 to the strips 3, the selected transistor of type 2 is blocked at instant T2. Only the strip 3 connecting the two selected transistors can be positively charged.
Oberhalb der bisher beschriebenen Druckschaltung ist eine zweite Druckschaltung 6 angeordnet, die mit der ersten zusammenpasst und von ihr durch eine dünne Isolierschicht getrennt ist. Auf dieser Schaltung 6 sind kleine Flachen 7 ausgebildet, die den Streifen 3 gegenüberliegen und dort angeordnet sind, wo ein "1" zu schreiben ist.A second print circuit 6 is arranged above the print circuit described so far, which fits together with the first and is separated from it by a thin insulating layer. On this circuit 6 , small areas 7 are formed which lie opposite the strips 3 and are arranged where a "1" is to be written.
Auf den gewählten Leitungslinien δ wird somit durch die kleinen Flächen 7 eine Ladung induziert, die von diesen Linien zu den kleinen Flächen 9 übertragen wild,welche diese Ladung auf die kleinen Flächen 10 induzieren, die mit den Leseverstärkern verbunden sind. Diese schaffen am Ausgang einen positiven Impuls 11» der auf den vier Ausgangsleitungen den verlangten Code herstellt." Genauer gesagt, erhält man an den nicht gewählten Leitungen einen geringeren Impuls 12, der durch die kleinen Kapazitäten zwischen den gewählten Streifen 3 und den Leitungslinien 8 und durch andere ungewünschte Kopplungen entsteht. Dieser Impuls 12 kann jedoch von dem nutzbaren Impuls 11 in geeingetar V/eise ausgesondert Werden.On the selected line lines δ is thus through the small Areas 7 induces a charge that is transferred from these lines to the small areas 9, which wildly transfers this charge to the small areas Induce areas 10 connected to the sense amplifiers. These create a positive impulse at the output produces the required code on the four output lines. "More precisely In other words, you get a lower value on the unselected lines Pulse 12, which is due to the small capacities between the chosen Strip 3 and the line lines 8 and other undesirable Couplings arise. This pulse 12 can, however, be separated from the usable pulse 11 in an appropriate amount.
Ferner sind mechanische Druckelemente vorhanden, die die beiden Druckschaltungen aneinander festhalten und auoh noch Abschirmungselemente von beiden Seiten vorgesehen, um das Ganze von den Aussenstörungen unabhängig zu machen.There are also mechanical pressure elements that support the two Hold printed circuits together and also provided shielding elements on both sides to protect the whole thing from external disturbances to make independent.
Die Vorteile des Systems sind nun deutlich erkennbar.The advantages of the system are now clearly visible.
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Die Adressierung ist genausc komplex wie bei einem Magnetspeicher, sie wird jedoch mit geringeren Stromwerten erhalten,insbesondere im Fall von mittleren und niedrigen Geschwindigkeiten· Auch die * Abmessungen sind beschränkt. Bei einer typischen Ausftthrungsform haben die Streifen eine Breite von 0,6 mm und die Flachen 7 eine Fläche von 0,6 χ 10 mm·The addressing is just as complex as with a magnetic memory, however, it is obtained with lower current values, in particular in the case of medium and low speeds also the * Dimensions are limited. In a typical embodiment, have the strips have a width of 0.6 mm and the surfaces 7 an area of 0.6 χ 10 mm
Mit einer gegenüberliegenden Plöche von 6 mm , einer Isoliarungs-With an opposite hole of 6 mm, an insulation
schicht von 0,1 mm und einer Speisespannung von 20 V hat der Ausgang eine grössere Leistung als ein Magnetkern der normalerweise für ■ Speicher verwendeten Art.The output has a layer of 0.1 mm and a supply voltage of 20 V. a greater performance than a magnetic core that is normally used for ■ Type of memory used.
Der überwiegende Teil des Speichers bleibt für eine bestimmte Einrichtung immer der gleiche und ist bereits mit den anderen Stromkreisen verbunden. Die Progrsmmierung wird einfach durch Auswechslung der Druckschaltung 6 vorgenommen, die keine Bestandteile trügt und somit sehr preisgünstig ist. Die Auswechslung ist durch die kleinen Flächen 9 und 10, die das Signal auf die Hauptdruckschaltung ohne Verbindungen übertragen, besonders leicht durchführbar. Die Flächen 9 und 10 können genügend grosser als die Flächen 7 gemacht werden, so dass sie keine AbschwUchung des Signals verursachen. Als extremer Fall einer grossen Fassungsfähigkeit, kann die Isolierschicht zwisohen den Flüchen 9 und 10 entfallen, wobei ein direkter Kontakt erhalten wird, der nicht perfekt sein muss und deshalb keine Probleme bildet. Für hohe Dichten und Kapazitäten ist die Verbesserung von Fig. 2 vorgesehen. Um die "Einser"und "Nullen" zu achreiben, sind statt des Vorhandenseins oder der Abwesenheit von Flächen 7» Flächen 7 für dio "Einser" und Flächen 7a für die "Nullen11 vorgesehen. Die Flächen 7 und 7a sind mit zwei Leitungslinien 8 bzw. 8a verbunden, die zu einem Differential verstärker führen. Auf diese Weise v.lrd die Wirkung der ungewünschten Impulse 12 von Fig. 1 völlig beseitigt und. es wird das Gans von den Toleranzen der Spannungswerte und der Bestandteile unabhängig gemacht.Most of the memory remains the same for a particular facility and is already connected to the other circuits. The programming is carried out simply by replacing the pressure circuit 6, which has no components and is therefore very inexpensive. The replacement is particularly easy to carry out due to the small areas 9 and 10, which transmit the signal to the main pressure circuit without connections. The areas 9 and 10 can be made sufficiently larger than the areas 7 so that they do not cause any weakening of the signal. As an extreme case of large capacity, the insulating layer between the faces 9 and 10 can be omitted, a direct contact being obtained which does not have to be perfect and therefore does not cause any problems. The improvement of FIG. 2 is provided for high densities and capacities. In order to write the "ones" and "zeros", instead of the presence or absence of areas 7, areas 7 are provided for the "ones" and areas 7a for the "zeros 11. The areas 7 and 7a are provided with two line lines 8 and 8a, respectively, which lead to a differential amplifier In this way the effect of the undesired pulses 12 of Fig. 1 is completely eliminated and the whole is made independent of the tolerances of the voltage values and the components.
Der erfindungsgemässe Speicher vereint all die eingangs genanntenThe memory according to the invention combines all of the aforementioned
BAD ORJGjNAt.BAD ORJGjNAt.
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Merkmale, d.h. die Kosten, den Platzbedarf, die Anpassungsfähigkeit fcei der Programmierung und. die Geschwindigkeit* und ist insbesondere für mittlere Fassungsvermögen (im Bereich von 1000 Bit), wie man sie in den Problemen der Co&eumwandlung antrifft, geeignet.Characteristics, i.e. the cost, the space required, the adaptability fcei of the programming and. the speed * and is particular suitable for medium capacities (in the range of 1000 bits), as encountered in the problems of Co & e conversion.
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Claims (6)
Anzahl, die für ein Binärsystem 2 beträgt, wobei Ji die sogenannten •'Eingangsbit" sind, und eine Mehrzahl von ersten stromleitenden Flächen (10) in einer Anzahl gleich den "Ausgangsbit" aufweist, die mit Leseverstilrkern Verbunden sind.H
Number which is 2 for a binary system, where Ji are the so-called "input bits", and has a plurality of first current-conducting surfaces (10) in a number equal to the "output bits", which are connected to read attenuators.
. ■ ■ . BAD ORIGINAL109848/1736
. ■ ■. BATH ORIGINAL
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