DE2113218A1 - Controllable switching device for influencing electrical currents and for use as a component for automation purposes - Google Patents

Controllable switching device for influencing electrical currents and for use as a component for automation purposes

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DE2113218A1
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semiconductor switching
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diode
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Application number
DE19712113218
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Laupmann Robert Ronald
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Novanex Automation NV
Original Assignee
Novanex Automation NV
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/083Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the ignition at the zero crossing of the voltage or the current

Description

Dr. W. P. Radt
Dipl.-Ing. E. E. Bnkener
Dr. WP bike
Dipl.-Ing. EE Bnkener

Dipl.-Ing. W. ErnestiDipl.-Ing. W. Ernesti

Patentanwälte Ubvanex Automation N. V.Patent attorneys Ubvanex Automation N.V.

Bochum Meuwe Weg 267»Bochum Meuwe Weg 267 »

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71 12671 126

Steuerbare Schaltvorrichtung zur Beeinflussung elektrischer Ströme und zur Verwendung als Bauelement für Automatisierungszwecke
Zusatz zu Patent ...... (Patentanmeldung P 20 20 422.2-31)
Controllable switching device for influencing electrical currents and for use as a component for automation purposes
Addition to patent ...... (patent application P 20 20 422.2-31)

Die Erfindung bezieht sich auf eine steuerbare Schaltvorrichtung, die dazu dient, die durch eine mit ihr in Serie zu verbindende Last aufzunehmende Energie in Abhängigkeit von einem Kommandosignal zu schalten, umfassend ein mit einem gesonderten Steuerkontakt ausgeführtes Halbleiterschaltelement, das dazu eingerichtet ist, mit seiner Haupt strombahn in Serie mit der LaS;t aufgenommen zu werden; eine Schaltdiode, die disat als Element, über das der erforderliche £orstrom geliefert wird, das genannte Halbleiterschaltelement leitend zu machen} eine mit einem Speisenetz zu kuppelnde Steuerschaltung, die dazu dient, in Abhängigkeit von dem darin eingeführten Kommandosignal den genannten für das erwähnte Halbleiterschaltelement benötigten iCorstrom zu beeinflussen; Mittel, die dazu dienen, jeweils nachdem das genannte Halbleiterschaltelement leitend geworden ist, die Zuführung des lorstroms über die Schaltdiode zu dem genannten Halbleiterschaltelement aufrechtzuerhalten, wobei die Schaltdiode derart gewählt worden ist, daß der Haltestroa bei dem diese noch eben leitend ist, größer ist als der forstrom, den das genannte HaIb-The invention relates to a controllable switching device which is used to switch the energy to be consumed by a load to be connected in series with it as a function of a command signal Strombahn to be included in series with the LaS; t; a switching diode, which acts as an element via which the required current is supplied to make said semiconductor switching element conductive} a control circuit to be coupled to a supply network, which serves, depending on the command signal introduced therein, the said required for the mentioned semiconductor switching element affect iCorstrom; Means which serve, after said semiconductor switching element has become conductive, to maintain the supply of the current via the switching diode to said semiconductor switching element, the switching diode having been selected such that the holding current at which it is still conductive is greater than the forest stream, which the said half

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leiterechaltelement braucht um leitend su bleiben} einen Transistorverstärker, der parallel mit der Schaltdiode verbunden iet und von dieser seine Speisespannung herleitet und der mit einem Eingangskreis zum Aufnehmen de» Kouaaandoeignals aufgeführt iet, welcher Transistorverstärker als Stromsteuerelement für die Schaltdiode wirkt, in dem Sinne, dass in Abhängigkeit von. dem Kommandosignal ein von dem Speisenetz hergeleiteter Strom entweder durch die Schaltdiode fliesst um das genannte Halbleiterschaltelement leitend su machen, oder durch diesen Verstärker aufgenommen wird, wodurch das genannte Halbleiterschaltelement nicht leitend wird*conductor switching element needs a transistor amplifier to remain conductive which is connected in parallel with the switching diode and derives its supply voltage from it and which is listed with an input circuit for receiving the Kouaaando signal, which transistor amplifier is used as a current control element for the switching diode acts in the sense that depending on. to the Command signal a current derived from the feed network either through the Switching diode flows to make said semiconductor switching element conductive, or is picked up by this amplifier, whereby the said semiconductor switching element is not conductive *

Eine Schaltvorrichtung obiger Art wird in der Patentanmeldung P 2020 422.2A switching device of the above type is described in patent application P 2020 422.2

vorgeschlagen* Zweck der vorliegenden Erfindung ist« die in dieser Patentanmeldung P 2020 422,2 beschriebenen Vorschlüge su verbessern, und «war in der Weise, dass einem Systementwerfer eine Vergrößerung der Alternativen geboten, wird» eine Schaltvorrichtung obiger Art su verwirklichen.proposed * The purpose of the present invention is "to improve the proposals described in this patent application P 2020 422.2, and" was in such a way that that a system designer is offered an enlargement of the alternatives » realize a switching device of the above type su.

Ein Aspekt einer solchen Verbesserung kann darin erblickt werden» dass der für das genannte Halbleiterschaltelement erforderliche Tcretrom,, der jeweils ein kontinuierlicher Gleichstromimpuls 1st, dessen Breite die Zeit bestimmt, während der das genannte Halbleiterschaltelement nach wie vor durchgesohaltet 1st, nicht nur wie in obiger älterer Anmeldung vorgeschlagen zum Schalten eines Zweirichtungsthyristor« (Triace), sondern erwUnschtenfalls zua Schalten eines Einrichtungsthyristors oder zum Schalten eines Transistors angewendet werden kann, M.e.W. für das genannte Halbleiterschaltelement kean wahlweise ein Zweirich-tungathyrietor, ein Einrichtungsthyristor oder ein Transistor angewendet werden.One aspect of such an improvement can be seen in “that the required for said semiconductor switching element Tcretrom ,, the in each case a continuous direct current pulse 1st, the width of which is the time determined, during which the said semiconductor switching element is still through, not only as proposed in the above earlier application for Switching a bidirectional thyristor (triace), but if desired to a Switching a device thyristor or for switching a transistor can be applied, M.e.W. for said semiconductor switching element kean optionally a two-way tungathyrietor, a device thyristor or a Transistor are applied.

In Fig. 1 wird ein Aueführungsbeispiel einer Schaltvorrichtung der betreffenden Art wiedergegeben« in der das genannte Halbleiterschaltelet ein Einrichtungethyristor 1st, Sie Speisespannung an den Kleemen 5 und 6 kann sowohl Wechselspannung beliebiger Gestalt wie pulsierende Gleichspannung «ein; von letsterer wird nur gefordert, dass die Moaentspennung periodisch während einer ausreichend langen Zeit bis auf einen Miniauawert absinkt, vm den. Thyristor bei Abwesenheit de» Torstromes löschen su können.1 shows an exemplary embodiment of a switching device of the type in question, in which the said semiconductor switching device is a device thyristor; from the latter it is only required that the relaxation periodically drops to a minimum value over a sufficiently long period of time, vm den. You can delete the thyristor in the absence of the gate current.

PIg. 2 seigt ein Ausführungsbeispiel einer Schaltvorrichtung der -vorliegenden JkXt9 in der das gesteinte Halbleiterschaltelement ein Transistor ist. Ss ist klar« das« die Gleichepannungversorgunf für den Transistorveretlrker bei Speisung durch eine befriedigend konstante Gleiehepannunf aaah erheblich vereinfacht werden kann*PIg. FIG. 2 shows an embodiment of a switching device of the present JkXt 9 in which the stoned semiconductor switching element is a transistor. It is clear «that« the DC voltage supply for the transistor amplifier can be considerably simplified when fed by a satisfactorily constant equilibrium voltage *

Hg,/«eigt für beide obenanfefebenen Dill· eine alternative Ausführen*» wobei verschiedene Speiet^uellen benutst werden.Hg, / «Eigt for both of the above mentioned dill · an alternative execution *» different sources of food are used.

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Beim Verwirklichen von Schaltvorrichtungen der vorliegenden Art könnt ein Problem auf, wenn für das genannte Halbleiterschaltelement Thyristoren (oder Tranaistoren) der Art benutzt werden, wobei sum Durchschalten ein verhMltnisiQgseig starker Torstrom (Basiestrom) erforderlich ist. Dieses Problem hangt mit der in der Segel aiedrige zulässige Dissipation der Schaltdiode 9When realizing switching devices of the present type you can a problem when thyristors for said semiconductor switching element (or transistors) of the type are used, whereby a relatively strong gate current (base current) is required for switching through. This problem depends on the permissible dissipation of the switching diode 9 in the sail

Each einem anderen Aspekt der obengemeinten Verbesserung schafft die Erfindung eine einfache Schaltung, mit der sich der für das Halbleiterschaltelement flwnr» erforderliche starke Toretrom (Basisstrom) erhalten lasst.Each another aspect of the above-meant improving the invention provides a simple circuit with which the space required for the semiconductor switching element fl wnr "strong Toretrom (base current) let get.

Die figuren 4 "und 5 seigen zwei mögliche AusfÜhrungsfonaen solcher Schaltungen, in denen «in Schaltdiodeverstärker mit einem Transistor 59 benutst vordem 1st. Die Schaltdiode schaltet dabei den Basisetrom dieses Transistors, der seinerseits eisen erheblich verstärkten Schaltstrom fttr den Thyristor (Transistor) f erzeugen kann.Figures 4 "and 5 show two possible versions of such circuits in which a switching diode amplifier with a transistor 59 is used before the 1st. The switching diode switches the base current of this transistor, which in turn can generate a considerably increased switching current for the thyristor (transistor) .

Räch einem weiteren Aspekt obiger Verbesserung sind gemass der vorliegenden Erfindung verschiedene Alternativausflihrungsförmen, wie beispielsweise in den Figuren 6, 7» δ und 9 wiedergegeben, für den in der Schaltvorrichtung der vorliegeaden Art angewendeten parallel mit der Schaltdiode verbundenen Transistorverstärker möglich«According to a further aspect of the above improvement, there are various alternative embodiments according to the present invention, such as, for example in Figures 6, 7 »δ and 9 reproduced for the in the switching device of the present type applied in parallel with the switching diode connected Transistor amplifier possible «

Fig. 6 zeigt eine Ausführungsform, eine aus den Widerständen 63 bis einschl. 66 bestehende Widerstandsbrücke abzulesen. Darin kann z.B. 64 ein Stellwiderstand und 66 ein H.T.C,-Widerstand sein. Dieses Ablesen der Brüace erfolgt mit eines XBg/ER-Oifferentlalverstärker.6 shows an embodiment for reading off a resistor bridge consisting of resistors 63 to 66 inclusive. In it, for example, 64 can be a variable resistor and 66 an HTC resistor. This reading of the brewing takes place with an XBg / ER-Oif ferentlal amplifier.

Befinden sich die Transistoren 67 und 68 in Leitungszustand, so steht über die Schaltdiode 9 kein Torstrom zur Verfügung* Ein alternativer Ausgang kann über den Kollektorwiderstand 69 des Transistors 68 gefunden werden· Fig. zeigt eine SoMNprst einfache und zuverlässige Lösung für einen 5-Punktstemperaturregler» d.h. das· sich, abhangig von dem Unterschied «wischen gemessenen und gewünschten Temperaturen drei Situationen ergeben können, und swar die gemessene Temperatur ist niedriger als die gewünschte Temperatur, hier muss also zusätzlich erwärmt werden} die gemessene Temperatur ist höher als die gewünschte Temperatur» so dass hier gekühlt werden muss} die gemessene Temperatur ist der gewünschten Temperatur praktisch gleich, welche Situation kein weiteres Eingreifen erfordert. Sie Widerstandsbrücke 63 bis einschl. 66 wird hier durch einen normalen P.I.P.-Eifferentialverstärker 70, 71 abgelesen. Das an den Kollektorwiderstanden 12 und 73 entwickelte Signal wird durch die Transistoren 74 und 75 verstärkt, über die Widerstände 76 und 77 kann dann ein Torstrom abgenommen »erden, der geeignet ist, einen Thyristor oder Transistor eu schalten.If the transistors 67 and 68 are in the conduction state, no gate current is available via the switching diode 9 * An alternative output can be found via the collector resistor 69 of the transistor 68 · Fig. Shows a SoMNprst simple and reliable solution for a 5-point temperature controller » that is, depending on the difference between the measured and desired temperatures, three situations can arise, and if the measured temperature is lower than the desired temperature, so additional heating must be carried out here} the measured temperature is higher than the desired temperature ”so that cooling has to be carried out here} the measured temperature is practically the same as the desired temperature, which situation requires no further intervention. The resistance bridge 63 up to and including 66 is read here by a normal PIP differential amplifier 70, 71. The signal developed at the collector resistors 12 and 73 is amplified by the transistors 74 and 75, and a gate current suitable for switching a thyristor or transistor can then be tapped via the resistors 76 and 77.

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Alles öas iet derart dimensioniert, aase die Spannung über die Widerstünde und T5t wenn die Widerstandebrücke im Gleichgewicht iet, eben nicht auereicht, die Transistoren 74 und 75 zu steuern. Demzufolge wird die der Wideratandabrücke parallelgeschaltete Schaltdiode 9 leitend» Eia wichtiges Anwendungsgebiet in der Automatisierung wird durch "Zyklenttberwacher" gebildet, die s.S. die Kadenz einer Schneidepresse Überwachen. In Fig. 8 wird ein Ausführungebeispiel wiedergegeben. Der Transistorverstärker besteht hier aus zwei in Serie geschalteten Transistoren 80 und 81 entgegongesetater Polarität, über passende Basiswiderstände sind beide Transistoren mit einem Kondensator 82 verbunden. Der Kondensator 82 wird über einen Zykluaschalter 83 wechselweise über die irariablen Widerstände 84 und 85 mit der negativen oder der positiven Klemme der Speisespannung des TrßnslstorverstSrkers verbunden* Bei normaler ¥irkung des Zyklus erreicht der Kondensator 82 einen bestimmten mittleren Wert, der gerade ausreicht, beide Transistoren SO und 81 ausEusteuern, wodurch die Schaltdiode 9 keinen Torstrom liefert} wird die Spannung an dem Kondensator nun su hoch oder au niedrig, kann einer von beiden Transistoren keinen genügenden Basisstroia erhalten. Beide Transietoren können dann keinen Kollekorstrom liefern, die Schaltdiode 9 «ehaltet durch und liefert 1 den benötigten Torstrom mit dem beispielsweise eine Alarmlampe geschaltet werden kann.Everything is dimensioned in such a way that the voltage across the resistors and T5t when the resistor bridge is in equilibrium is not sufficient to control the transistors 74 and 75. As a result, the switching diode 9 connected in parallel to the Wideratandabrücke becomes conductive. An important field of application in automation is formed by "cycle monitors" that monitor the cadence of a cutting press. An exemplary embodiment is shown in FIG. The transistor amplifier here consists of two transistors 80 and 81 connected in series with opposite polarity; both transistors are connected to a capacitor 82 via suitable base resistors. The capacitor 82 is connected via a cycle switch 83 alternately via the variable resistors 84 and 85 to the negative or the positive terminal of the supply voltage of the transformer amplifier SO ausEusteuern and 81, whereby the switching diode 9 delivers no gate current} is the voltage on the capacitor now su au high or low, a condition not have sufficient base Troy of two transistors. Both transit gates can then not supply any collector current, the switching diode 9 holds on and supplies 1 the required gate current with which, for example, an alarm lamp can be switched.

Eine reziproke Schaltung ist in Fig. 9 wiedergegeben. Die Transistoren 86 Tsnd 8? sind hier mit Emitters aneinander gekuppelt, während sie gleichfalls durch die Zenerdioden 88 und 89 überbrückt siad.A reciprocal circuit is shown in FIG. The transistors 86 Tsnd 8? are here coupled to one another with emitters, while they are likewise bridged by the zener diodes 88 and 89.

Die Basen beider Transistoren sind über passende Widerstände wieder mit dem Kondensator 82 verbunden. Bei einer mittleren Spannung an 82 sind beide Transistoren gesperrt, so dass die Schaltdiode 9 leitet. Bei einem Fehler in dem Zyklus wird die Konaensatorspanmang an 82 au hoch oder su niedrig. Einer der Transistoren kann dann leiten über die Zenerdiod·, die dem anderen Transistor parallel geschaltet ist, und die Schaltdiode 9 leitet daher nicht» Die Zenerspannung an 88 und 89 soll dazu niedriger als die Unterspannung der Schaltdiode 9 sein und die Summe der Zenerspennungen 88 und 89 höher al· die Oberspannung der Schaltdiode 9* The bases of both transistors are back with matching resistors connected to the capacitor 82. When the voltage at 82 is medium, both transistors are blocked, so that the switching diode 9 conducts. If there is an error in The Konaensatorspanmang at 82 au high or su low. One the transistors can then conduct through the zener diode · that the other transistor is connected in parallel, and the switching diode 9 therefore does not conduct »The Zener voltage at 88 and 89 should be lower than the undervoltage of the switching diode 9 and the sum of the Zener voltages 88 and 89 higher than the high voltage of the switching diode 9 *

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Claims (1)

ANSPRTT E CHEREQUIRES E CHE Steuerbare Schaltvorrichtung, die dazu dient, die durch eine mit ihr in Serie zu verbindende Last aufzunehmende Energie in Abhängigkeit von einem Kommandosignal zu schalten, umfassend ein nit einem gesonderten Steuerkontakt ausgeführtes Halbleiterschaltelement, das dazu eingerichtet ist, mit seiner Hauptetrombahn in Serie «it der Last aufgenommen zu werden; eine Schaltdiode, die als Element dient, über das der Torstrom geliefert wird, der dazu erforderlich ist, das genannte Halbleiterschaltelement leitend zu machen; eine Steuerschaltung, die dazu dient, in Abhängigkeit von dem darin eingeführten Kommandosignal den besagten Torstrom zu beeinflussen! Mittel, velche dazu dienen, jeweils nachdem das besagte Halbleiterschaltelement leitend geworden ist, dem besagten Halbleiterschaltelement über die Schaltdiode den Torstrom nach wie vor zuzuführen| einen Transistorverstärker, der mit der Schaltdiode parallel verbunden igt und von dieser seine Speisespannung herleitet und mit eine« Eingangskreis zur Aufnahme des Kommandosignals ausgeführt ist, welcher Transistorverstärker als Stromsteuerelement für die Schaltdiode wirkt, in dem Sinne, dass in Abhängigkeit von dem Kommandosignal ein Stro« entweder durch die Schaltdiode flieset, um das besagte Halbleiterschaltelement leitend zu machen, oder durch diesen Verstärker aufgenommen wird, wodurch das besagte Halbleiterschaltelement nicht-leitend wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterschaltelement in Form eines Binriohtungthyristors ausgeführt ist» 2, Steuerbare Schaltvorrichtung, die dazu dient, die durch eine damit in Serie zu verbindende Last aufzunehmende Energie in Abhängigkeit von einem Kommandosignal zu schalten, umfassend ein mit eine» gesonderten Steuerkontakt ausgeführtes Halbleiterschaltelement, das dazu eingerichtet ist, mit seiner Hauptstrombahn in Serie mit der Last aufgenommen zu werden} eine Schaltdiode, die als Element dient, über das der Torstrom geliefert wird, der dazu erforderlich ist, das genannte Halbleiterschaltelement leitend zu machen; eine Steuerschaltung, die dazu dient, in Abhängigkeit von dem darin eingeführten Kommandosignal den besagten Toretrom zu beeinflussen; Mittel, welche dazu dienen, jeweils nachdem das besagte Halbleiterschaltelement leitend geworden iat, dem besagten Halbleiterschaltelement über die Schaltdiode den Toretrom nach wie vor zuzuführen; einen Transistorverstärker, der mit der Schaltdiode parallel verbunden ist und von dieser seine Speisespannung herleitet und mit eines Eingangikrei« xur Aufnahme des Kommandoeignale ausgeführt ist,Controllable switching device that is used by a with it to be connected in series load to switch the energy to be consumed as a function of a command signal, comprising a nit a separate control contact designed semiconductor switching element, which is set up for this, with its main subway in series «it the burden of being taken up; a switching diode that serves as an element through which the gate current required for this is supplied is to make said semiconductor switching element conductive; one Control circuit which serves to influence said gate current as a function of the command signal introduced therein! Means that serve, in each case after said semiconductor switching element has become conductive, said semiconductor switching element continue to supply the gate current via the switching diode | a transistor amplifier, which is connected in parallel with the switching diode and derives its supply voltage from it and with a « Input circuit is designed to receive the command signal, which The transistor amplifier acts as a current control element for the switching diode, in the sense that, depending on the command signal, a current either flows through the switching diode to said semiconductor switching element to make conductive, or is picked up by this amplifier, whereby said semiconductor switching element non-conductive is, characterized in that the semiconductor switching element is designed in the form of a binary direction thyristor » 2, Controllable switching device, which is used, the energy to be absorbed by a load to be connected in series therewith as a function of to switch from a command signal, comprising a with a » Separate control contact executed semiconductor switching element, which is set up with its main current path in series with the Load to be accepted} a switching diode that serves as an element through which the gate current is supplied, which is necessary making said semiconductor switching element conductive; a control circuit which serves to influence said toretrom as a function of the command signal introduced therein; Middle, which serve, each after said semiconductor switching element become conductive iat to continue to supply the said semiconductor switching element via the switching diode; a Transistor amplifier connected in parallel with the switching diode and from this derives its supply voltage and is implemented with an input circuit for receiving the command signal, 109841/1277109841/1277 welcher Transistorverstärker als Stromsteuerelement für die Schaltdiode wirkt, in dem Sinne dass in Abhängigkeit τοη dem Kommandosignal ein Strom entweder durch die Schaltdiode flieset, um das besagte Halbleiterschaltelement leitend zu machen, oder durch diesen Verstärker aufgenommen wird, wodurch das besagte Halbleiterschaltelement nichtleitend wird, dadurch gekennzeichnet« dass das besagte Halbleiterschaltelement in Form eines Transistors ausgeführt iet. 3· Steuerbare Schaltvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltdiode in einen Torstromverstärker aufgenommen ist, und zwar so, dass diese Schaltdiode den durch einen Ausgangs transistor dieses Torstromverstärkers gelieferten Torstrom für das Halbleiterschaltelement steuert.which transistor amplifier as a current control element for the switching diode acts in the sense that depending on τοη the command signal Current either flows through the switching diode to said semiconductor switching element to make conductive, or is picked up by this amplifier, whereby said semiconductor switching element non-conductive is characterized in that said semiconductor switching element is implemented in the form of a transistor. 3. Controllable switching device according to claim 1, characterized in that the switching diode is incorporated into a gate current amplifier is, in such a way that this switching diode the gate current supplied by an output transistor of this gate current amplifier for the semiconductor switching element controls. 4· Steuerbare Schaltvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennaeibh« ^ net, dass die Schaltdiode in einen Torstromverstärker aufgenommen ist, und zwar so, dass diese Schaltdiode den durch einen Ausgangstransistor dieses Torstromverstärkers gelieferten Toretrom für das Halbleiterschaltelement steuert.4 · Controllable switching device according to claim 2, characterized in that « ^ net that the switching diode is included in a gate current amplifier, in such a way that this switching diode supplies the toretrom for the semiconductor switching element, which is supplied by an output transistor of this gate current amplifier controls. 5· Steuerbare Schaltvorrichtung, die dazu dient, die durch eine mit ihr in Serie zu verbindende Lest aufzunehmende Energie in Abhängigkeit von einem Kommandosignal au sehalten, umfassend ein mit einem gesonderten Steuerkontakt ausgeführtes Halbleiterschaltelement, das dazu eingerichtet ist, mit seiner Hauptstrombahn in Serie mit der Last aufgenommen zu werden} eine Schaltdiode, die als Element dient, über das der Torstrom geliefert wirdf der dazu erforderlich ist, das genannte Halbleiterschaltelement leitend zu machen; eine Steuerschaltung, die dazu dient, in Abhängigkeit von dem darin eingeführten ™ Kommando signal den besagten Torstrom, zu. beeinflussen; Mittel, welche dazu dienen, jeweils nachdem das besagte Halbleiterschaltelement leitend geworden ist, dem besagten Halbleiterschalteleiaent über die Schaltdiode den Torstrom nach wie vor zuzuführen; einen Transietor- _* verstärker, der mit der Schaltdiode parallel verbunden ist und von ° dieser seine Speisespannung herleitet und mit einem Eingangskreis oo zur Aufnahme dea Kommandosignals ausgeführt ist, welcher Transistor- _* verstärker als Stromsteuerelement für die Schaltdiode wirkt, in dem _^ Sinne, dass in Abhängigkeit von dem Kommandosignal ein Strom entweder *° durch die Schaltdiode flieset, um das besagte Halbleiterschaltelement »4 leitend zu machen, oder duroh diesen TeretErker aufgenommen wird, wodurch das besagte Halbleiterschaltelement nicht-leitend wird, dadurch gekennzeichnet, dasa die Schaltdiode in einen Toretromverstärker aufgenommen ist, und zwar so, dass diese Schaltdiode den duroh einen Auagangstransistor dieses Toretrcinveretirkere gelieferten Toretrom für dae Halbleiterschaltelement steuert.5 Controllable switching device, which serves to hold off the energy to be absorbed by a load to be connected in series with it, depending on a command signal, comprising a semiconductor switching element designed with a separate control contact, which is set up to have its main current path in series with the Load to be absorbed} a switching diode which serves as an element via which the gate current is supplied f which is necessary to make said semiconductor switching element conductive; a control circuit which is used, depending on the command signal introduced therein, said gate current to. influence; Means which serve, in each case after said semiconductor switching element has become conductive, to continue to supply the gate current to said semiconductor switching element via the switching diode; a Transietor- _ * amplifier, which is connected in parallel with the switching diode and derives its supply voltage from ° this and is designed with an input circuit oo for receiving the command signal, which transistor _ * amplifier acts as a current control element for the switching diode in which _ ^ Meaning that, depending on the command signal, a current either * ° flows through the switching diode in order to make the said semiconductor switching element »4 conductive, or through this TeretErker, whereby the said semiconductor switching element becomes non-conductive, characterized in that the switching diode is included in a toretrom amplifier, in such a way that this switching diode controls the toretrom supplied by an output transistor of this toretrcinveretirkere for the semiconductor switching element. 6, Steuerbare Schaltvorrichtung naoh Anspruch 3, oder 4, oder 5» dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektorwideretand (61) dee genannten Ausgangstransistore (59) des Torstroraverstärkere parallel verbunden ist mit einem durch die Schaltdiode (9) und einen in Serie damit verbundenen Widerstand f \) gebildeten Serienkreis.6, controllable switching device naoh claim 3, or 4, or 5 »characterized in that the collector resistor (61) of the said output transistor (59) of the Torstrora amplifier is connected in parallel to a resistor f connected by the switching diode (9) and a resistor f connected to it in series \) formed series circle. 7. Steuerbare Scha ^vorrichtung naoh Anspruch J, oder 4» oder 5 t wobei der besagte Transistorverstärker, die mit der Schaltdiode parallel verbunden ist, einen PNP-Transistor umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektorwiderstand (61) des betreffenden Ausgangstransistors (59) des Torstromverstärkere mit der Schaltdiode (9) parallel verbunden ist.7. Controllable Scha ^ device naoh claim J, or 4 »or 5 t wherein said transistor amplifier connected in parallel with the switching diode comprises a PNP transistor, characterized in that that the collector resistance (61) of the relevant output transistor (59) of the gate current amplifier with the switching diode (9) connected in parallel. 8, Steuerbare Schaltvorrichtung, die dazu dient, die durch eine mit ihr in Serie zu verbindende Last aufzunehmende Energie in Abhängigkeit von einem Kommandosignal zu schalten, umfassend ein mit einem gesonderten Hteuerkontakt ausgeführtes Halbleiterschaltelement, das dazu eingerichtet ist, axt seiner Hauptstrombahn in Serie mit der Last aufgenommen zu werden} eine Schaltdiode, die als Element dient, über das der Torstrom geliefert wird, der dazu erforderlich ist, das genannte Halbleiterschaltelement leitend zu machen; eine Steuerschaltung, die dazu dient, in Abhängigkeit von dem darin eingeführten Kommandosignal den besagten Torstrom zu beeinflussen; Mittel, welche dazu dienen, jeweils nachdem'da? besagte Halbleiterschaltelement leitend geworden ist, dem besagten Halbleiterschaltelement über die Schaltdiode den Torstrom nach wie vor zuzuführen; einen Transistorverstärker, der mit der Schaltdiode parallel verbunden ist und von dieser seine Speisespannung herleitet und mit einem Eingangskreis zur Aufnahme des Xommandosignals ausgeführt ist, welcher Transistorverstärker als Stromsteuerelement für die Schaltdiode wirkt, in dem Sinne, dass in Abhängigkeit von dem Kommandosignal ein Strom entweder durch die Schaltdiode flieset, um das besagte Halbleiterschaltelement leitend zu Bachen, oder durch diesen Yeratärker aufgenommen wird, wodurch das besagte Halbleiterschaltelement nicht-leitend wird, dadurch gekennzeichnet, dass der besagte Transistorverstärker, der mit der Schaltdiode parallel verbunden ist, als ein Bifferentialverstarker ausgeführt ist, der eine Tierarmbrückenschaltung abliest·8, Controllable switching device that is used by a with to switch your load to be connected in series depending on a command signal, including a separate one Control contact executed semiconductor switching element, which is set up ax its main current path in series with the load to be included} a switching diode that serves as an element over that the gate current is supplied which is necessary to make said semiconductor switching element conductive; a control circuit, which is used, depending on the command signal introduced therein affect said gate current; Means which serve each after'da? said semiconductor switching element conductive has become, said semiconductor switching element via the switching diode continue to supply the gate current; a transistor amplifier connected in parallel to and from the switching diode derives its supply voltage and is designed with an input circuit for receiving the Xommando signal, which transistor amplifier acts as a current control element for the switching diode, in the sense that, depending on the command signal, a current either through the switching diode flows in order to make said semiconductor switching element conductive, or to be absorbed by said semiconductor switching element, as a result of which said semiconductor switching element becomes non-conductive, characterized in that said transistor amplifier connected to the Switching diode is connected in parallel, as a differential amplifier is designed, which reads an animal cross-bridge circuit 9. Steuerbare Schaltvorrichtung nach Anspruch 1, oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der besagte Transistorverstärker, der mit der Schaltdiode parallel verbunden iet, als Differentialverstärker auegeführt iet, der eine Tierarmbrüokenschaltung abliest· 10· Steuerbar« Schaltvorrichtung nach Anepruoh 2, oder 4, dadurch9. Controllable switching device according to claim 1 or 3, characterized in that said transistor amplifier connected to the Switching diode connected in parallel, designed as a differential amplifier iet, which reads an animal crossbow circuit · 10 · controllable «switching device according to Anepruoh 2, or 4, thereby 109841/1277109841/1277 gekennzeichnet, dass der besagte Transistorverstärker, der mit der Schaltdiode parallel verbunden ist, als Differentialverstärker ausgebildet ist, der eine Vierarrabrückenschaltung abliest. 11» Steuerbare Schaltvorrichtung, die dazu dient, die durch eine mit ihr in Serie zu verbindende Last aufzunehmende Energie in Abhängigkeit von einem Kommandosignal zu schalten, umfassend ein mit einem gesonderten Steuerkontakt ausgeführtes Halbleiterschaltelement, das dazu eingerichtet ist, mit seiner Hauptstrorabahn in Serie mit der Last aufgenommen zu werden} eine Schaltdiode, die als Element dient, über das der Torstrom geliefert wird, der dazu erforderlich ist, das genannte Halbleiterschaltelement leitend zu machen) eine Steuerschaltung, die dazu dient, in Abhängigkeit von dem darin eingeführten Kommandosignal den besagten Torstrom zu beeinflussen} Mittel, welche dazu dienen, jeweils nachdem das besagte Halbleiterschaltelement leitend geworden ist, dem besagten Halbleiterschaltelement über die Schaltdiode den Torstrom nach wie vor zuzuführen} einen Transistorverstärker, der mit der Schaltdiode parallel verbunden ist und von dieser seine Speisespannung herleitet und mit einem Eingangskreis zur Aufnahme des Komriandosignal3 ausgeführt ist,welcher Transistorverstärker als Stromsteuerelement für die Schaltdiode wirkt,' in dem Sinne, dass in Abhängigkeit von dem Kommandosignal ein Strom entweder durch die Schaltdiode flieset, um das besagte Halbleiterschaltelement leitend zu machen, oder durch diesen Verstärker aufgenommen wird, wodurch das besagte Halbleiterschaltelement nicht-leitend wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Tranaistorverstärker mit einem Kondensator (82) versehen ist, der dazu eingerichtet ist, eine Ladung zu speichern, deren Grosse für das Bewegungstempo eines zu überwachenden Geräts repräsentativ ist, sowie mit einer Kaskadenschaltung eines PNP- und eines NPN-Tranaistors, wobei die Vorkehrungen so sind, dass in Abhängigkeit von dem Bewegungstempo des zu überwachenden Geräts entweder die Kaskadenschaltung stromführend ist, oder die Schaltdiode dem Halbleiterschaltelement einen Torstrom liefert·characterized in that said transistor amplifier connected to the Switching diode is connected in parallel, designed as a differential amplifier which reads a four-bridge circuit. 11 »Controllable switching device, which is used by a with Energy to be absorbed as a function of the load to be connected in series to switch from a command signal, comprising a with a separate Control contact executed semiconductor switching element, which is set up is taken up with the load in series with its main stream to become} a switching diode that serves as an element through which the gate current is supplied, which is necessary for the said To make semiconductor switching element conductive) a control circuit, which is used as a function of the command signal introduced therein influencing said gate current} means which serve to after said semiconductor switching element has become conductive, said semiconductor switching element via the switching diode Still supply gate current} a transistor amplifier, which is connected in parallel to the switching diode and from this its supply voltage derived and with an input circuit for receiving the Komriando signal3 is executed, which transistor amplifier as a current control element for the switching diode acts' in the sense that, depending on the command signal, a current either through the switching diode flows to make said semiconductor switching element conductive, or is picked up by this amplifier, whereby said Semiconductor switching element becomes non-conductive, characterized in that the transistor amplifier is provided with a capacitor (82), which is set up to store a charge, the size of which for the speed of movement of a device to be monitored is representative, as well as with a cascade connection of a PNP and an NPN transistor, the provisions being such that, depending on the movement speed of the device to be monitored, either the cascade connection is energized, or the switching diode supplies the semiconductor switching element with a gate current 12. Steuerbare Schaltvorrichtung nach Anspruch 1, oder 3, daduroh gekennzeichnet, dass der Transistorverstärker mit einem Kondensator (82) versehen ist, der dazu eingerichtet ist, eine Ladung zu »peiohern, deren Grosse für das Bewegung«tempo «ines zu überwachenden Geräts repräsentativ ist, sowie mit einer Kaskadenschaltung eines PNP- und eines NPN-Transistors, wobei die Vorkehrungen so sind, das· in Abhängigkeit von dem Bewegungstempo des zu überwachenden Geräts entweder die Kaskadenschaltung stromführend ist, oder die Schaltdiode dem12. Controllable switching device according to claim 1 or 3, daduroh characterized in that the transistor amplifier is provided with a capacitor (82) which is set up to store a charge, their size for the movement "tempo" in the device to be monitored is representative, as well as with a cascade connection of a PNP and an NPN transistor, the provisions being such that · depending on the movement speed of the device to be monitored either the cascade circuit is live, or the switching diode dem 109841/1777109841/1777 Halbleiterschaltelement einen Torstrom liefert»Semiconductor switching element supplies a gate current » 13· Steuerbar· Schaltrorriehtung nach Anspruch 2» oder 4t dadurch gekennzeichnet, dass der Transistorverstärker mit einem Kondensator (82) versehen ist, der dazu eingerichtet iat, eine Ladung zu speichern, deren GrÖsse für das Bewegungatempo eine· zu überwachenden Gerät· repräsentativ ist, sowie mit einer Kaskadeneohaltung eines FNP- und eines NPN-Tranaietora, wobei die Vorkehrungen so sind, dass in Abhängigkeit von dem Bewegungstempo des zu überwachenden Geräts entweder die Kaskadenschaltung stromführend ist, oder die Schaltdiode dem Halb«· leiteraohaltelement einen Torstrom liefert·13 · Controllable · Switching device according to claim 2 »or 4t thereby characterized in that the transistor amplifier is provided with a capacitor (82) which is set up to store a charge, whose size for the movement rate a device to be monitored is representative, as well as with a cascading attitude of an FNP and of an NPN Tranaietora, the precautions being such that, depending on the movement speed of the device to be monitored, either the cascade circuit is live, or the switching diode is connected to the half «· lleiteraohaltelement delivers a gate current 109841/1777109841/1777 LeerseiteBlank page
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