DE2061295C3 - Voltage drop timing relay - Google Patents

Voltage drop timing relay

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DE2061295C3
DE2061295C3 DE19702061295 DE2061295A DE2061295C3 DE 2061295 C3 DE2061295 C3 DE 2061295C3 DE 19702061295 DE19702061295 DE 19702061295 DE 2061295 A DE2061295 A DE 2061295A DE 2061295 C3 DE2061295 C3 DE 2061295C3
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Manfred Dipl.-Ing. 8501 Schwarzenbruck Schwendtner
Guenter Steinmueller
Juergen Wenk
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    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
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    • H02H3/24Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to undervoltage or no-voltage
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    • HELECTRICITY
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Spannungsrückgangs-Zeitrelais, bei dem ein mit einer Hilfsspannungsquelle verbundenes Integrierglied beim Unterschreiten des Sollwertes einer Meßspannung durch eine der Soll-lst-Wert-Differenz proportionale elektrische Größe beeinflußt ist und bei dem das Integrierglied seinerseits ein Schwellwertglied steuert, das ausgangsseitig mit einem Schaltrelais verbunden ist.The invention relates to a voltage drop time relay, in which a with an auxiliary voltage source connected integrator when falling below the nominal value of a measurement voltage by one of the Setpoint / actual value difference proportional electrical variable is influenced and in which the integrator in turn controls a threshold value element that is on the output side is connected to a switching relay.

Ein solches Spannungsrückgangs-Zeitrelais ist durch die belgische Patentschrift 6 54 061 bekannt. Bei diesem bekannten Spannungsrückgangs-Zeitrelais wird ein als Integrierglied vorgesehener Kondensator beim Auftreten eines Spannungsrückganges in Abhängigkeit von der Soll-Istwert-Differenz entladen. Sobald die Spannung an dem Kondensator auf einen bestimmten Wert abgesunken ist, spricht ein nachgeschaltetes Schwellwertglied an und betätigt ein Schaltrelais. Das der Soll-Istwert-Differenz proportionale Entladen des Kondensators erfordert bei dem bekannten Spannungsrückgangs-Zeitrelais eine gesonderte Spannungsquelle, wobei die Spannung dieser Spannungsquelle den Sollwert für die Meßspannung darstellt. Der Istwert wird bei dem bekannten Spannungsrückgangs-Zeitrelais einer Sekundärwicklung eines primärseitig an die Meßspannung angeschlossenen Transformators entnommen. Dieser Transformator ist außerdem mit einer weiteren Sekundärwicklung ausgestattet, die an das Schwellwertglied angeschlossen ist. Das bekannte Spannungsrückgangs-Zeitrelais erfordert somit einen erheblichen Aufwand an elektrischen Bauteilen. Außerdem kann das bekannte Spannungsrückgangs-Zeitrelais nur dort eingesetzt werden, wo eine geeignete Spannungsquelle für die Bildung der Soll-Istwert-Differenz zur Verfügung steht.Such a voltage drop time relay is known from Belgian patent specification 6 54 061. With this one known voltage drop time relay becomes a capacitor provided as an integrator when it occurs a voltage drop depending on the target / actual value difference. As soon as the tension at the capacitor has dropped to a certain value, a downstream threshold element speaks on and actuates a switching relay. The discharge of the capacitor proportional to the difference between the setpoint and the actual value requires a separate voltage source for the known voltage drop time relay, whereby the voltage of this voltage source represents the nominal value for the measuring voltage. The actual value is in the known voltage drop time relay of a secondary winding on the primary side to the Measurement voltage taken from connected transformer. This transformer also comes with a further secondary winding equipped, which is connected to the threshold value element. The known Voltage drop time relays therefore require a considerable amount of electrical components. aside from that the well-known voltage drop time relay can only be used where a suitable Voltage source for the formation of the target / actual value difference is available.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Spannungsrückgangs-Zeitrelais der eingangs beschriebenen Art so zu vereinfachen, daß keine gesonderte Spannungsquelle erforderlich ist. Die Lösung der gestellten Aufgabe gelingt nach der Erfindung dadurch,The invention is based on the object of a voltage drop timing relay of the type described above Kind to simplify so that no separate voltage source is required. The solution to the The problem set is achieved according to the invention by

20 6ί20 6ί

daß durch ein aktives Halbleiterelement ein der Soll-Istwert-Differenz proportionaler Strom erzeugt und einem das Integrierglied bildenden Me !kondensator zugeführt ist an dessen mit dem Halbleiterelement verbundenen Anschlußpol der Steiiereingang des Schwellwertgliedes angeschlossen ist. Die Aufladung des Meßkondensators mit einem der Soll-Istwert-Differenz proportionalen Strom hat weiterhin den Vorteil, daß die AusJräezeit des Spannungsrückgangs-Zeitrelais der Größe des Spannungsrückganges jeweils linear proportional ist.that an active semiconductor element generates a current proportional to the target / actual value difference and a measuring capacitor forming the integrating element is supplied to the measuring capacitor thereof with the semiconductor element connected terminal of the bull input of the Threshold member is connected. The charging of the measuring capacitor with one of the target / actual value difference proportional current also has the advantage that the recovery time of the voltage drop time relay is linearly proportional to the size of the voltage drop.

Die Aufladung des Meßkondensators durch den Leckstrom des aktiven Halbleiterelementes kann auf einfache Weise dadurch auf einen niederen Wert begrenzt werden, daß dem Meßkondensator ein Parallelwiderstand zugeordnet ist. Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung kann als aktives Halbleiterelement ein Feld-Effekt-Transistor vorgesehen sein, dessen eine Lastelektrode über den Meßkondensator und den Parallelwiderstand mit dem einen Pol und dessen andere Lastelektrode über einen Widerstand mit dem anderen Pol der Hilfsspannungsquelle verbunden ist, an den ferner die Steuerelektrode des Feld-Effekt-Transistors direkt angeschlossen und bei dem der Istwert der mit dem Widerstand verbundenen Lastelektrode zugeführt ist. In gleicher vorteilhafter Weis kann als Halbleiterlement auch ein Steuertransistor vorgesehen sein, dessen Kollektor über den Meßkondensator und den Parallelwiderstand an den einen Pol und dessen Emitter über einen Eniitter-Widerstand an den anderen Pol der Hilfsspannungsquelle angeschlossen ist, wobei ferner dem Emitter des Steuertransistors der Istwert und der Basis der Sollwert der Meßspannung zugeführt ist. Die Zuführung des Ist- und Sollwertes erfolgt zweckmäßigerweise dadurch, daß der Emitter des Steuertransistors über einen einstellbaren Widerstand an die Meßspannung angeschlossen und die Basis des Steuertransistors mit der Kathode einer über einen Reihenwiderstand an die Hilfsspannungsquelle angeschlossenen Zenerdiode verbunden ist.The charging of the measuring capacitor by the leakage current of the active semiconductor element can on be limited to a low value in a simple manner that the measuring capacitor a Parallel resistance is assigned. According to a further embodiment of the invention, as an active semiconductor element a field-effect transistor can be provided, one of which is a load electrode across the measuring capacitor and the parallel resistor with one pole and its other load electrode via a resistor with the other pole of the auxiliary voltage source is connected to which the control electrode of the field-effect transistor connected directly and at which the actual value of the load electrode connected to the resistor is fed. In the same advantageous manner, a control transistor can also be provided as the semiconductor element its collector via the measuring capacitor and the parallel resistor to one pole and its Emitter to the other via an eniitter resistor Pole of the auxiliary voltage source is connected, the actual value also being the emitter of the control transistor and the nominal value of the measuring voltage is fed to the base. The actual and setpoint values are supplied expediently in that the emitter of the control transistor has an adjustable resistor connected to the measuring voltage and the base of the control transistor with the cathode one via a Series resistance connected to the auxiliary voltage source Zener diode is connected.

Eine gesonderte Hilfsspannungsquelle erübrigt sich, wenn zu der Reihenschaltung der Zenerdiode und des Reihenwiderstandes ein parallelliegender Kondensator vorgesehen und der von dem Kondensator gespeiste zweite Schaltungsteil durch eine Entkopplungsdiode 4s von dem durch die Meßspannung beaufschlagten ersten Schaltungsteil entkoppelt ist.A separate auxiliary voltage source is unnecessary if the Zener diode and the are connected in series Series resistor provided a parallel capacitor and fed by the capacitor second circuit part by a decoupling diode 4s is decoupled from the first circuit part acted upon by the measuring voltage.

Eine besonders hohe Zuverlässigkeit in bezug auf die Auslösung eines Schaltbefehls wird dadurch erzielt, daß als Schwellwertglied eine bistabile Transistor-Kippstufe vorgesehen ist, bei der ein erster Transistor mit dem Meßkondensator und dem Parallelwiderstand ir. Steuerverbindung steht, der Emitter des ersten unJ eines zweiten Transistors über einen gemeinsamen Emitterwiderstand an den einen Pol der Hilfsspannungsquelle ss angeschlossen, der Kollektor des ersten Transistors über einen Kollektorwiderstand mit dem anderen Pol der Hilfsspannungsquelle verbunden ist, bei der ferner zwischen dem einen Pol der Hilfsspannungsquelle und dem Kollektor des ersten Transistors ein aus zwei Teilwiderständen bestehender weiterer Spannungsteiler liegt, mit dessen Abgriff die Basis des zweiten Transistors verbunden und dessen Kollektor-Emitter-Strecke mit der Steuerwicklung eines Schaltrelais in Reihe geschaltet ist.A particularly high level of reliability with regard to the triggering of a switching command is achieved in that a bistable transistor multivibrator is provided as a threshold element, in which a first transistor with the Measuring capacitor and the parallel resistor ir. Control connection, the emitter of the first and one second transistor via a common emitter resistor to one pole of the auxiliary voltage source ss connected, the collector of the first transistor through a collector resistor with the other pole the auxiliary voltage source is connected, in which further between the one pole of the auxiliary voltage source and the collector of the first transistor is a further voltage divider consisting of two partial resistors is connected to the tap of the base of the second transistor and its collector-emitter path is connected in series with the control winding of a switching relay.

Zur Vermeidung von Kippschwingungen kann es außerdem zweckmäßig sein, daß der erste Transistor über einen, mit seiner Basis an den Meßkondensator und den Parallelwiderstand angeschlossenen Vortransistor gesteuert ist, wobei die Basis des ersten Transistors mii dem über einen weiteren Emitterwiderstand an den einen Pol der Hilfsspannungsquelle angeschlossenen Emitter des Vortransistors und der Kollektor des ersten Transistors mit dem Kollektor des Vortransistcrs verbunden ist. Die Ansprechzeit des Spannungsrückgangs-Zeitrelais kann mit Hilfe eines einstellbaren gemeinsamen Emitter-Widerstandes verändert werdenTo avoid breakdown oscillations, it can also be useful that the first transistor via a pre-transistor connected with its base to the measuring capacitor and the parallel resistor is controlled, the base of the first transistor mii the via a further emitter resistor to the one pole of the auxiliary voltage source connected to the emitter of the pre-transistor and the collector of the first Transistor is connected to the collector of the pre-transistor. The response time of the voltage drop timer can be changed with the help of an adjustable common emitter resistor

Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels wird der Gegenstand der Erfindung nachfolgend näher beschrieben. Es zeigtThe subject matter of the invention is based on an exemplary embodiment shown in the drawing described in more detail below. It shows

Fig. 1 ein Blockschaltbild des Spannungsrückgangs-Zeitrtlais nach der Erfindung,Fig. 1 is a block diagram of the voltage drop timing according to the invention,

F i g. 2 ein Schaltbild des Spannungsrückgangs-Zeitreiais nach der Erfindung.F i g. 2 is a circuit diagram of the voltage drop time triangle according to the invention.

In Fig. 1 ist mit LJ,St eine Istwertquelle und mit UiOii eine Sollwertquelle für die Meßspannung bezeichnet, die beide mit den Eingängen eines Integnergiiedes 1 verbunden sind. Der Ausgang des Integriergliedes ist mit dem Eingang eines Schwellwertgliedes 3 verbunden, das über seinen Ausgang ein Relais Re beeinflußt, dessen Kontaktglied 2 in einem Schaltkreis angeordnet ist. Das Integrierglied 1 und das Schwellwenglied 3 werden von einer Hilfsspannungsquelle Un,ih gespeist.In FIG. 1, LJ, S t denotes an actual value source and U iO ii denotes a setpoint source for the measurement voltage, both of which are connected to the inputs of an integral energy source 1. The output of the integrating element is connected to the input of a threshold value element 3 which, via its output, influences a relay Re , the contact element 2 of which is arranged in a circuit. The integrating element 1 and the threshold element 3 are fed by an auxiliary voltage source Un, ih .

Bei dem Schaltbild nach Fig.2 ist an die Wechselspannungspole einer Gleichrichterbrücke C eine Meßspannung Um angelegt. Am Gleichspannungsausgang dieser Gleichrichterbrücke G ist die Reihenschaltung eines einstellbaren Widerstandes R 1 und eines Emitterwiderstandes A3 und ein zu dieser Reihenschaltung parallelliegender Glättungskondensator Cl angeschlossen. Über eine Entkopplungsdiode D 1 ist ferner ein als Hilfsspannungsquelle dienender Kondensator C2 an den Gleichspannungsausgang der Gleichrichterbrücke G angeschlossen. Zu diesem Kondensator C 2 ist eine Zenerdiode ZX und ein mit dieser in Reihe liegender Reihenwiderstand R 4 parallelgeschaltet. Der gemeinsame Verbindungspunkt a des einstellbaren Widerstandes RX und des Emitterwiderstandes A3 ist mit dem Emitter eines Steuertransistors TX verbunden, dessen Basis an die Kathode der Zenerdiode ZX angeschlossen ist. Mit seinem Kollektor ist der Steuertransistor Π über ein aus einem Meßkondensator C3 und einem Parallelwiderstand R 2 gebildetes Integrierglied an den mit der Entkopplungsdiode D 1 verbundenen ersten mit Plus bezeichneten Anschlußpol des als Hilfsspannungsquelle dienenden Kondensators C2 angeschlossen. Desgleichen sind an diesen ersten Anschlußpol über einen gemeinsamen einstellbaren Emitterwiderstand R 6 die Emitter eines ersten und zweiten Transistors Γ3 und Γ4 einer bistabilen Transistor-Kippstufe angeschlossen. Über einen Kollektorwiderstand Rl ist der erste Transistor Γ3 mit dem zweiten mit Minus bezeichneten Anschlußpol des Kondensators C2 verbunden. Ein aus zwei Teilwiderständen RS und R9 bestehender Spannungsteiler liegt zwischen dem ersten Anschlußpol des Kondensators C2 und dem Kollektor des ersten Transistors Γ3. Am Abgriff dieses Spannungsteilers ist die Basis des zweiten Transistors TA angeschlossen, der mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke mit der Steuerwicklung eines Schaltrelais Re\n Reihe geschaltet ist. Zu der Steuerwicklung ist eine Freilaufdiode üh parallelgeschaltet. Über ein als Schließer ausgebildetes Kontaktglied rX schaltet das Schaltrelais einen Verbraucher V. Zur Vermeidung von Kippschwingungen ist dem ersten Transistor T! der Transistor-Kippstufe ein Vortransistor T2 zugeordnet.In the circuit diagram according to FIG. 2, a measuring voltage Um is applied to the alternating voltage poles of a rectifier bridge C. The series circuit of an adjustable resistor R 1 and an emitter resistor A3 and a smoothing capacitor C1, which is parallel to this series circuit, are connected to the DC voltage output of this rectifier bridge G. A capacitor C2 serving as an auxiliary voltage source is also connected to the DC voltage output of the rectifier bridge G via a decoupling diode D 1. A Zener diode ZX and a series resistor R 4 connected in series with this capacitor C 2 are connected in parallel. The common connection point a of the adjustable resistor RX and the emitter resistor A3 is connected to the emitter of a control transistor TX , the base of which is connected to the cathode of the Zener diode ZX . With its collector, the control transistor Π is connected via an integrating element formed from a measuring capacitor C3 and a parallel resistor R 2 to the first positive terminal of the capacitor C2, which is connected to the decoupling diode D 1. Likewise, the emitters of a first and second transistor Γ3 and Γ4 of a bistable transistor multivibrator are connected to this first connection pole via a common adjustable emitter resistor R 6. The first transistor φ3 is connected to the second terminal of the capacitor C2 , denoted by a minus, via a collector resistor R1. A voltage divider consisting of two partial resistors RS and R9 is located between the first terminal of the capacitor C2 and the collector of the first transistor Γ3. At the tap of this voltage divider, the base of the second transistor TA is connected, whose collector-emitter path is connected in series with the control winding of a switching relay Re \ n. A free-wheeling diode is connected in parallel to the control winding. The switching relay switches a consumer V via a contact element rX designed as a normally open contact. To avoid breakover oscillations, the first transistor T! a pre-transistor T2 is assigned to the transistor multivibrator.

Die Basis des ersten Transistors T3 ist mit dem über einen weiteren Emitterwiderstand R 5 an den ersten Anschlußpol des Kondensators Cl angeschlossenen Emitter des Vortransistors T2 verbunden. Desgleichen sind der Kollektor des ersten Transistors T3 und der Kollektor des Vortransistors T2 miteinander verbunden. Die Basis des Vortransistors Tl ist an den Kollektor des Steuertransistors TI angeschlossen.The base of the first transistor T3 is connected to the emitter of the pre-transistor T2 connected to the first terminal of the capacitor Cl via a further emitter resistor R 5. Likewise, the collector of the first transistor T3 and the collector of the pre-transistor T2 are connected to one another. The base of the pre-transistor Tl is connected to the collector of the control transistor TI.

In der durch den einstellbaren Widerstand R 1 und den Emitterwiderstand R 3 sowie: die Reihenschaltung des Reihenwiderstandes RA und der Zenerdiode Zl gebildeten Brücke wird durch die Zenerspannung der Zenerdiode ZI in dem einen Brückenzweig eine feste Sollspannung vorgegeben. In dem anderen Brückenzweig kann durch den einstellbaren Widerstand R 1 ein bestimmter Istwert eingestellt werden. Solange die Spannung an dem Emitterwiderstand R 3 höher als die Zenerspannung der Zenerdiode Z1 ist, bleibt der Steuertransistor Ti gesperrt und der Meßkondensator C3 wird nicht aufgeladen. Sinkt die angelegte Meßspannung Um und damit die Istspannung am Emitterwiderstand R 3 soweit ab, daß sie kleiner als die durch die Zenerspannung der Zenerdiode Z1 vorgegebene Sollspannung ist, wird der Steuertransistors Π aufgesteuert und der Meßkondensator C3 aufgeladen. Die Stärke der Aufladung hängt von der Größe der Differenz zwischen der Sollspannung ab. Sobald am Meßkondensator C3 die Ansprechspannung der Transistor-Kippstufe erreicht ist, wird der Vortransistor Tl und über diesen der erste Transistor T3 durchgesteuert. Dadurch wird das Emitterpotential des zweiten Transistors TA gegenüber dem Potential seiner Basis negativ, so daß der zweite Transistor TA sperrt. Das Schaltrelais Re fällt ab und unterbricht mittels seines Kontaktgliedes r 1 den Stromkreis des Verbrauchers V. In the bridge formed by the adjustable resistor R 1 and the emitter resistor R 3 as well as: the series connection of the series resistor RA and the Zener diode Zl, the Zener voltage of the Zener diode ZI in one branch of the bridge specifies a fixed setpoint voltage. In the other branch of the bridge, the adjustable resistor R 1 can be used to set a specific actual value. As long as the voltage at the emitter resistor R 3 is higher than the Zener voltage of the Zener diode Z 1, the control transistor Ti remains blocked and the measuring capacitor C3 is not charged. If the applied measuring voltage Um and thus the actual voltage at the emitter resistor R 3 drops so far that it is lower than the setpoint voltage given by the Zener voltage of the Zener diode Z1, the control transistor Π is turned on and the measuring capacitor C3 is charged. The strength of the charge depends on the size of the difference between the target voltage. As soon as the response voltage of the transistor multivibrator is reached at the measuring capacitor C3 , the pre-transistor Tl and via this the first transistor T3 are turned on. As a result, the emitter potential of the second transistor TA becomes negative with respect to the potential of its base, so that the second transistor TA blocks. The switching relay Re drops out and interrupts the circuit of the consumer V by means of its contact element r 1.

Der Aulladestrom des Meßkondensators C3 wird proportional zum Absinken der Meßspannung gesteuert, d. h. bei einem starken Absinken der Meßspannung erhält der Kondensator einen hohen Ladestrom und seine Spannung erreicht damit schon nach sehr kurzer Zeit den Ansprechwert der Transistor-Kippstufe, dagegen ist bei einem weniger starken Absinken der Meßspannung der Ladestrom entsprechend kleiner und die Zeit bis zum Erreichen des Ansprechwertes länger. Somit hängt die Abschaltzeit des Spannungsrückgangs-Zeitrelais nach der Erfindung von der Größe des Spannungsrückganges ab.The charging current of the measuring capacitor C3 is controlled proportionally to the drop in the measuring voltage, d. H. if the measurement voltage drops sharply, the capacitor receives a high charging current and its voltage reaches the response value of the transistor multivibrator after a very short time, on the other hand, with a less pronounced drop in the measurement voltage, the charging current is correspondingly smaller and the time until the response value is reached is longer. Thus, the switch-off time of the voltage drop time relay depends according to the invention on the size of the voltage drop.

Durch den Parallelwiderstand Rl wird eine durch den Leckstrom des Steuertransistors Tl mögliche Aufladung des Meßkondensators C3 auf einen niedrigen Wert begrenzt. Außerdem kann sich der Meßkondensator C 3 über den Parallelwiderstand R 2 entladen, wenn infolge eines vorübergehenden Spannungseinbruches eine Teilaufladung des Meßkondensators erfolgt ist, ohne daß der Ansprechwert der Tansistor-Kippstufe erreicht wurde.The parallel resistor Rl limits a possible charging of the measuring capacitor C3 to a low value due to the leakage current of the control transistor Tl. In addition, the measuring capacitor C 3 can discharge through the parallel resistor R 2 if, due to a temporary voltage drop, the measuring capacitor has been partially charged without the response value of the transistor multivibrator having been reached.

Wenn das Spannungsrückgangs-Zeitrelais über einen Gleichrichter an eine Meßwechselspannung angeschlossen wird, ist wegen der Weiiigkeii der gleichgerichteten Meßspannung ein Glättungskondensator notwendig, um ein Ansprechen des Relais infolge der Welligkeit zu vermeiden. Die Kapazität des Glättungskondensators soll so bemessen sein, daß die Spannung am Glättungskondensator möglichst schnell irgendwelchen Änderungen der Meßspannung folgt.When the voltage drop time relay is connected to a measuring AC voltage via a rectifier is because of the Weiiigkeii of the rectified Measuring voltage a smoothing capacitor is necessary to trigger the relay due to the ripple avoid. The capacitance of the smoothing capacitor should be such that the voltage on Smoothing capacitor follows any changes in the measurement voltage as quickly as possible.

Der Kondensator Cl hat die Aufgabe, bei einem Absinken der Meßspannung für den zweiten Schaltungsteil 20, der aus dem Parallelwiderstand R1 dem Meßkondensator C3, dem Schwellwertglied 3, der Reihenschaltung des Reihenwiderstandes RA mit der Zenerdiode Zl und dem Schaltrelais Re besteht, die Versorgungsspannung zu liefern. Es ist daher durch die Entkopplungsdiode Dl von dem durch die Meßspannung beeinflußten, aus dem einstellbaren Widerstand R 1, dem Emitterwiderstand R 3 und dem Glättungskondensator Cl bestehenden ersten Schaltungsteil 10 entkoppelt. Ansteile des Kondensators Cl kann beispielsweise auch eine Gleichspannungsquelle eingesetzt werden. Die Entkopplungsdiode Di kann dann entfallen, wenn die Schaltung an dieser Stelle aufgetrennt wird.The capacitor Cl has, to deliver the tasks in a lowering of the measured voltage for the second circuit part 20 which is the measuring capacitor C3, the threshold element 3, the series circuit of the series resistor RA with the zener diode Zl and the switching relay Re from the parallel resistor R1 the supply voltage . It is therefore decoupled by the decoupling diode Dl from the first circuit part 10, which is influenced by the measuring voltage and consists of the adjustable resistor R 1, the emitter resistor R 3 and the smoothing capacitor C1. Ansteile of the capacitor Cl and a DC voltage source can be used for example. The decoupling diode Di can be omitted if the circuit is disconnected at this point.

Anstelle der bistabilen Trcnsistor-Kippstufe kann auch ein anderes Spannungsschwellwertglied, wie z. B. ein Unijunction-Transistor oder programmierbarer Unijunction-Transistor, unter entsprechender Anpassung der Schaltung verwendet werden.Instead of the bistable Trcnsistor-flip-flop, another voltage threshold element, such as. B. a unijunction transistor or programmable unijunction transistor, with appropriate adaptation of the circuit.

Weiterhin besteht die Möglichkeit, anstelle der Zenerdiode Zl und des Reihenwiderstandes RA eine die Sollwertspannung liefernde Gleichspannungsquelle mit der Basis des Steuertransistors Ti zu verbinden.Furthermore, instead of the Zener diode Z1 and the series resistor RA, there is the possibility of connecting a DC voltage source supplying the setpoint voltage to the base of the control transistor Ti.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (9)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Spannungsrückgangs-Zeitrelais, bei dem ein mit einer Hilfsspannungsquelle verbundenes Integrierglied beim Unterschreiten des Sollwertes einer Meßspannung durch eine der Soll-Istwert-Differenz proportionale elektrische Größe beeinflußt ist und bei dem das Integrierglied seinerseits ein Schwellwertglied steuert, das ausgangsseitig mit einem Schaltrelais verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß durch ein aktives Halbleiterelement (Steuertransistor Ti) ein der Soll-Istwert-Differenz proportionaler Strom erzeugt und einem das Integrierglied bildenden Meßkondensator (C3) zugeführt ist, an dessen mit dem Halbleiterelement (Steuertransistor 7*1) verbundenen Anschlußpol der Steuereingang des Schwellwertgliedes (3) angeschlossen ist.1. Voltage drop time relay, in which an integrator connected to an auxiliary voltage source is influenced by an electrical variable proportional to the target-actual value difference when the voltage falls below the target value, and in which the integrator in turn controls a threshold value circuit that is connected on the output side to a switching relay , characterized in that an active semiconductor element (control transistor Ti) generates a current proportional to the set-actual value difference and is fed to a measuring capacitor (C3) forming the integrating element, the control input of which is connected to the semiconductor element (control transistor 7 * 1) of the threshold value element (3) is connected. 2. Relais nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Meßkondensator (Ci) ein Parallelwiderstand (R 2) zugeordnet ist.2. Relay according to claim 1, characterized in that the measuring capacitor (Ci) is assigned a parallel resistor (R 2). 3. Relais nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement ein Feld-Effekt-Transistor ist,dessen eine Lastelektrode über den Meßkondensator (C3) und den Parallelwiderstand (R 2) mit dem einen Pol und dessen andere Lastelektrode über einen Widerstand mit dem anderen Pol der Hilfsspannungsquelle (Kondensator C2) verbunden ist, an den ferner die Steuerelektrode des Feld-Effekt-Transistors direkt angeschlossen und bei dem der Istwert der mit dem Widerstand verbundenen Lastelektrode zugeführt ist.3. Relay according to claim 1 and 2, characterized in that the semiconductor element is a field-effect transistor, one load electrode of which via the measuring capacitor (C3) and the parallel resistor (R 2) with one pole and the other load electrode via a resistor is connected to the other pole of the auxiliary voltage source (capacitor C2) , to which the control electrode of the field-effect transistor is also connected directly and to which the actual value is fed to the load electrode connected to the resistor. 4. Relais nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement ein Steuertransistor (T 1) ist, dessen Kollektor über den Meßkondensator (Ci) und den Parallelwiderstand (R 2) an den einen Pol und dessen Emitter über einen Emitterwiderstand (R 3) an den anderen Pol der Hilfsspannungsquelle (Kondensator C2) angeschlossen ist, wobei ferner dem Emitter des Steuertransistors (Ti) der Istwert und der Basis der Sollwert der Meßspannung (t7M,/zugeführt ist.4. Relay according to claim i, characterized in that the semiconductor element is a control transistor (T 1), the collector of which via the measuring capacitor (Ci) and the parallel resistor (R 2) to one pole and its emitter via an emitter resistor (R 3) is connected to the other pole of the auxiliary voltage source (capacitor C2), the actual value and the base of the setpoint value of the measurement voltage (t7M, / being fed to the emitter of the control transistor (Ti). 5. Relais nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Steuertransistors (7*1) über einen einstellbaren Widerstand (R 1) an die Meßspannung (Um) angeschlossen und die Basis des Steuertransistors (7"I) mit der Kathode einer über einen Reihenwiderstand (R 4) an die Hilfsspannungsquelle (Kondensator C2) angeschlossenen Zenerdiode (Z 1) verbunden ist.5. Relay according to Claim 4, characterized in that the emitter of the control transistor (7 * 1) is connected to the measuring voltage (Um) via an adjustable resistor (R 1) and the base of the control transistor (7 "I) is connected to the cathode via one a series resistor (R 4) is connected to the Zener diode (Z 1) connected to the auxiliary voltage source (capacitor C2). 6. Relais nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Hilfsspannungsquelle ein zu der Reihenschaltung der Zenerdiode (Zi) und des Reihenwiderstandes (R 4) parallelliegender Kondensator (C2) vorgesehen und der von dem Kondensator (C2) gespeiste zweite Schaltungsteil (20) durch eine Entkopplungsdiode (D i) von dem durch die Meßspannung beaufschlagten ersten Schaltungsteil (10) entkoppelt ist.6. Relay according to claim 5, characterized in that a capacitor (C2) lying parallel to the series circuit of the Zener diode (Zi) and the series resistor (R 4 ) is provided as an auxiliary voltage source and the second circuit part (20) fed by the capacitor (C2) through a decoupling diode (D i) is decoupled from the first circuit part (10) to which the measuring voltage is applied. 7. Relais nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Schwellwertglied (3) eine bistabile Transistor-Kippstufe vorgesehen ist, bei der ein erster Transistor (Ti) mit dem Meßkondensator (Ci) und dem Parallelwiderstand (R 2) in Steuerverbindung steht, der Emitter des ersten Transistors (Ti) und der Emitter eines zweiten Transistors (T4) über einen gemeinsamen Emitterwiderstand (R 6) an den einen Pol der Hilfsspannungsquelle angeschlossen sind und der Kollektor des ersten Transistors (T3) über einen Kullektorwiderstand (R 7) mit dem anderen Pol der Hilfsspannungsquelle verbunden ist, bei der ferner zwischen dem einen Pol der Hilfsspannungsquelle und dem Kollektor des ersten Transistors (T3) ein aus zwei Teil widerständen (Ä8, R 9) bestehender Spannungsteiler liegt, mit dessen Abgriff die Basis des zweiten Transistors (TA) verbunden und dessen Kollektor-Emitter-Strecke mit der Steuerwicklung des Schaltrelais (Re) in Reihe geschaltet ist.7. Relay according to one of claims 1 to 6, characterized in that a bistable transistor multivibrator is provided as the threshold value element (3), in which a first transistor (Ti) with the measuring capacitor (Ci) and the parallel resistor (R 2) in The control connection is established, the emitter of the first transistor (Ti) and the emitter of a second transistor (T4) are connected to one pole of the auxiliary voltage source via a common emitter resistor (R 6) and the collector of the first transistor (T3) via a collector resistor (R 7) is connected to the other pole of the auxiliary voltage source, in which there is also a voltage divider consisting of two partial resistors (Ä8, R 9) between the one pole of the auxiliary voltage source and the collector of the first transistor (T3) , with whose tap the base of the second transistor (TA) and whose collector-emitter path is connected in series with the control winding of the switching relay (Re). 8. Relais nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (Ti) über einen, mit seiner Basis an den Meßkondensator (C3) und den Parallelwiderstand R 2) angeschlossenen Vortransistor (T2) gesteuert ist, wobei die Basis des ersten Transistors (T3) mit dem über einen weiteren Emitterwiderstand (R 5) an den einen Pol der Hilfsspannungsquelle angeschlossenen Emitter des Vortransistors (T2) und der Kollektor des ersten Transistors (T2) verbunden ist.8. Relay according to claim 7, characterized in that the first transistor (Ti) is controlled via a pre-transistor (T2) connected with its base to the measuring capacitor (C3) and the parallel resistor R 2), the base of the first transistor ( T3) is connected to the emitter of the pre-transistor (T2) and the collector of the first transistor (T2) connected to one pole of the auxiliary voltage source via a further emitter resistor (R 5). 9. Relais nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der gemeinsame Emitterwiderstand (R 6) einstellbar ist.9. Relay according to claim 7 or 8, characterized in that the common emitter resistor (R 6) is adjustable.
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