DE2055303A1

DE2055303A1 - Exposure control device

Info

Publication number: DE2055303A1
Application number: DE19702055303
Authority: DE
Inventors: Auf Nichtnennung Antrag
Original assignee: Kabushiki Kaisha Koparu, Tokio
Priority date: 1969-11-10
Filing date: 1970-11-10
Publication date: 1971-05-19
Also published as: US3633473A

Description

fsU·/ !·1ϋί.·-.ί-.?η 2 2fsU /! 1ϋί. -.ί -.? η 2 2

Zv/siiUii'-kiinslr. 6Zv / siiUii'-kiinslr. 6th

Kabusliiki Kaislia Koparu 10. November 1970 Kabusliiki Kaislia Koparu November 10, 1970

Tokyo-To / Japan L/HuTokyo-To / Japan L / Hu

kkt 7128kkt 7128

Belichtungsregele inri chtungExposure regulation

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Belichtungsregeleinrichtung und bezieht sich insbesondere auf eine Belichtungsregeleinrichtung für photographische Kameras, die so ausgelegt ist, daß die Lichtmenge, welche durch das Linsensystem des Objektivs hindurchgeht, gemessen wird, um die Belichtungszeit festzulegen.The present invention relates to an exposure control device and more particularly relates to an exposure control device for photographic cameras designed so is that the amount of light that passes through the lens system of the objective is measured by the exposure time to be determined.

Es sind verschiedene Typen photographischer Kameras bekannt, die mit einem elektronischen Verschluß versehen sind, welcher die Belichtungszeit unter Verwendung einer RO-Verzögerungsschaltung regelt, die ein photoleitendes Element, wie einen CdS-Photowiderstand enthält. Bei einer phtographischen Kamera, welche mit einem elektronischen Verschluß ausgerüstet ist, würde es ganz allgemein ideal sein, wenn die Anordnung so getroffen werden könnte, daß das durch das Objektiv hindurchgehende Licht von einem lichtempfindlichen Element, wie einer Cadmiumsulfidzelle, so aufgenommen wird, daß die Verzögerungszeit der erwähntenVarious types of photographic cameras are known which are provided with an electronic shutter which the Exposure time using an RO delay circuit which contains a photoconductive element such as a CdS photoresistor. With a photographic camera, which with is equipped with an electronic shutter, it would generally be ideal if the arrangement were so made the light passing through the lens could be caused by a light-sensitive element such as a cadmium sulfide cell, is recorded so that the delay time of the mentioned

109821/U27 '"² 109821 / U27 '" ²

ORIGINAL. INSPECTEDORIGINAL. INSPECTED

Verzögerungsschaltung dadurch bestimmt werden kann. Um dies zu erreichen, würde es jedoch notwendig sein, " das lichtempfindliche Element entweder unmittelbar vor dem Verschluß oder in dem optischen System des Suchers, beispielsweise bei einer einäugigen Spiegelreflexkamera anzuordnen. Wenn es beabsichtigt ist, das lichtempfindliche Element in dieser Weise einzubauen, ist es notwendig, dafür Sorge zu tragen, daß das lichtempfindliche Element aus dem Lichtweg des bilderzeugenden Lichtes zumindest während des öffnens und Schließens des Verschlusses entfernt wird, wodurch im letzteren Falle das auf das lichtempfindliche Element gerichtete Licht mindestens während der Öffnungs- und Schließbewegung des Verschlusses abgeschnitten würde. Aus diesen Gründen ist es notwendig, den Zustand des lichtempfindlichen Elementes vor einer wirklichen Belichtung zu speichern. Bei der normalen Photographie geschieht es jedoch häufig, daß das Licht, das durch das Objektiv gelangt, Änderungen unterliegt, selbst nachdem der Zustand des lichtempfindlichen Elementes gespeichert P worden ist, aufgrund von Veränderungen, die im Sonnenlicht oder in der Verwendung einer Bl\ .tzlichtvorrichtung begründet sind. Demgemäß ist es notwendig, in einer Kamera dieses T,yps Vorsorge dafür zu treffen, daß die Belichtungszeit, welche durch den gespeicherten Zustand des lichtempfindlichen Elementes geregelt wird, entsprechend einem nach der Speicherung des Lichtes durch das lichtempfindliche Element erfolgenden Wechsel in den Lichtverhulünissen berichtigt werden kann. Es sind schon verschiedene Kameras vorgeschlagen worden, die in der oben erwähnten WeiseDelay circuit can thereby be determined. To do this However, it would be necessary to achieve "the photosensitive." Element either immediately in front of the shutter or in the optical system of the viewfinder, for example in the case of a one-eyed one Arrange SLR camera. If it is intended to incorporate the photosensitive element in this way, then it is necessary to take care that the photosensitive element is out of the light path of the imaging light at least is removed during the opening and closing of the shutter, whereby in the latter case the on the photosensitive Element directed light at least during the opening and Closing movement of the shutter would be cut off. For these reasons it is necessary to check the condition of the photosensitive To save the element before a real exposure. In normal photography, however, it often happens that the light, that passes through the lens is subject to change even after the state of the photosensitive element is memorized P due to changes in sunlight or the use of a flash device. Accordingly, it is necessary to take precautionary measures in a camera of this type to ensure that the exposure time, which is regulated by the stored state of the photosensitive element is, corresponding to a change in the light shrouds that takes place after the light has been stored by the light-sensitive element can be corrected. Various cameras have been proposed which operate in the manner mentioned above

...3 109821/U27 ... 3 109821 / U27

-ipso ausgelegt sind und so arbeiten, daß der Zustand des lichtempfindlichen Elementes vor der eigentlichen Belichtung gespeichert wird. Diese Kameras sind jedoch nicht so eingerichtet, daß die wirkliche Belichtungszeit zur Regelung verwendet wird, indem ein anschließender Wechsel in den Belichtungsverhältnissen berücksichtigt wird. Daher haben die bekannten Kameras den Nachteil, daß es sich nach der Entwicklung ergeben kann, daß die Aufnahme über- oder unterbelichtet ist entgegen der Erwartung des Photographen.-ipso are designed and work so that the state of the photosensitive Element is saved before the actual exposure. However, these cameras are not set up to that the real exposure time is used for regulation, by subsequently changing the exposure conditions is taken into account. Therefore, the known cameras have the disadvantage that it can arise after development that the picture is overexposed or underexposed, contrary to the photographer's expectations.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Belichtungsregeleinrichtung für photographische Kameras anzugeben, welche so ausgebildet ist, daß der Zustand des Lichtes nach dessen Passieren durch das Objektiv als ein elektrischer Wert gespeichert wird, der bestimmt wird durch den Vergleich mit dem Zustand des Umgebungslichtes und daß die Belichtungszeit genau geregelt wird in Abhängigkeit von diesem gespeicherten elektrischen Jert. Weiter soll eine Belichtungsregeleinrichtung für ä photographische Kameras angegeben werden, die so ausgebildet ist, daß, wenn sich der Zustand des durch das Objektiv gelangten Lichtes ändert, nachdem der Zustand des Lichtes, welches zunächst durch das Objektiv gelangt ist, als elektrishher V/ert gespeichert wird, daß dann die Belichtungszeit in Abhängigkeit von dem gespeicherten elektrischen Wert nachgeregelt werden kann, um die Veränderung zu berücksichtigen.The present invention is based on the object of specifying an exposure control device for photographic cameras which is designed so that the state of the light after it has passed through the lens is stored as an electrical value which is determined by comparison with the state of the ambient light and that the exposure time is precisely regulated as a function of this stored electrical Jert. Next, an exposure control device for ä photographic cameras is to be provided, which is designed so that when the state of the passed through the lens light changes, stored after the state of the light which is initially passes through the lens, ert as elektrishher V / is that the exposure time can then be readjusted as a function of the stored electrical value in order to take the change into account.

...4-109821 / 1 U7... 4-109821 / 1 U7

" Zl.-- Cf' ff „" Zl .-- Cf 'ff "

In den Zeichnungen ist ein Ausführungsbeispiel des Gegenstandes der Erfindung dargestellt, und zwar zeigtIn the drawings, an embodiment of the object of the invention is shown, namely shows

Fig. 1 eine elektrische Schaltung der Belichtungsregeleinrichtung nach der vorliegenden Erfindung undFig. 1 shows an electrical circuit of the exposure control device according to the present invention and

Fig. 2 eine Erläuterung der Wirkungsweise der in Fig. 1 gezeigten Schaltung.FIG. 2 an explanation of the mode of operation of the one shown in FIG Circuit.

_ In Fig. 1, die ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Belichtungsregelschaltung nach der vorliegenden Erfindung zeigt, nimmt ein photoleitendes Element Rx,., beispielsweise eine OdS-ZeIIe \ Licht auf, das durch das Objektiv der Kamera hindurchgetreten ist. Während der Lichtmessung wird dieses photoleitende Element_ In Fig. 1, a preferred embodiment of the exposure control circuit shows according to the present invention, a photoconductive element Rx,., for example an OdS cell \ Light that has passed through the lens of the camera. During the light measurement this becomes photoconductive element

Rx,. dem Licht ausgesetzt, das von dem zu photographirenden Objekt durch das Objektiv gelangt, aber während der öffnungs- und Schließbewegung ist dieses Licht abgeschnitten vom photoleitenden Element. Das photoleitende Element Rx^ und eine Hilfsstromquelle E,. sind zwischen der Source-und Emitterelektrode eines " Transistors Tr^ in Reihe geschaltet, wobei die Sourcelektrode geerdet ist. Rxg ist ein photoleitendes Element, beispielsweise eine DdS-ZeIIe, welche mit der Kollektor-Elektrode des Transistors Tr,. verbunden und so angeordnet ist, daß es ständig Licht von dem zu photographierenden Objekt aufnimmt. Ein Kondensator C,. ist parallel zum photoleitenden Element Rx~ ⁸^ ^^e Kollektorelektrode des Transistors Tr,. über eine Diode D^ geschaltet. Dieser Kondensator C,. speichert die Spannung, die an den beiden Anschlüssen des photoleitenden Elementes Rx₉ erscheintRx ,. exposed to the light which passes through the objective from the object to be photographed, but during the opening and closing movement this light is cut off from the photoconductive element. The photoconductive element Rx ^ and an auxiliary power source E ,. are connected in series between the source and emitter electrodes of a transistor Tr ^, the source electrode being grounded. Rxg is a photoconductive element, for example a DdS cell, which is connected to the collector electrode of the transistor Tr ^ and is arranged in this way that it constantly picks up light from the object to be photographed. A capacitor C,. is connected in parallel to the photoconductive element Rx ~ ⁸ ^ ^ ^e collector electrode of the transistor Tr,. via a diode D ^. This capacitor C,. stores the voltage, which appears at the two terminals of the photoconductive element Rx ₉

109821/U27109821 / U27

und diese Spannung ist bestimmt durch das Varhältnis der Widerstandswerte der photoleitenden Elemente Rx_x, und Rx₂, wenn der Transistor Tr_x. leitend ist. Zur Entladung des Kondensators C_x. ist ein Schalter SW_x. vorgesehen. Dieser Schalter SW_x. wird beispielsweise durch ein Verschlußspannen geöffnet und am Ende der Belichtung geschlossen. Die Diode D_x. dient dazu, zu verhindern, daß sich der Kondensator C_x, während der Zeitdauer, in der der Schalter SW_x. offengehalten wird, kontinuierlich entlädt.and this voltage is determined by the ratio of the resistances of the photoconductive elements Rx _x , and Rx ₂ when the transistor Tr _x . is conductive. To discharge the capacitor C _x . is a switch SW _x . intended. This switch SW _x . is opened, for example, by cocking the shutter and closed at the end of the exposure. The diode D _x . is used to prevent the capacitor C _x , during the period in which the switch SW _x . is kept open, discharges continuously.

Der durch eine .,_ Linie begrenzte Block stellt eine bekannte Generatorschaltung X für Sägezahnspannungen dar, so daß sich eine ins Einzelne gehende Erläuterung dieser Schaltung erübrigt. Ein Feldeffekt-Transistor Tr₂, der nachfolgend einfach als FET bezeichnet wird, ist so geschaltet, daß die Steuerelektrode an die Verbindung des Kondensators O_x. mit der Diode D_x. gelegt ist, während die Sourceelektrode an den Ausgangsanschluß_: der Generatorschaltung X gelegt ist. Daher wird dieser FET-Transistor Tr₂ solange im nichtleitenden Zustand gehalten, wie sein Sourcepotential niedriger ist als sein Steuerpotential. Während der Zeit, in der das Sourcepotential das Steuerpotential erreicht hat, bis zu der Zeit, bis das Sourcepotential durch den Abfall der Sägezahnspannung auf Hull zurückkehrt, wird der FET Tr₂ im leitenden Zustand gehalten. Wie in der Zeichnung dargestellt, ist eine Diode D₂, die dazu dient, den Spannungsabfall zu kompensieren, der an der Sourceelektrode des FET Tr₂ auftritt," in der Emitterschaltung des Ausgangstransistors der Generatorschaltung X für die Sägezahnspannung angeordnet. Die Drain-ElektrodeThe block delimited by a line represents a known generator circuit X for sawtooth voltages, so that a detailed explanation of this circuit is superfluous. A field effect transistor Tr ₂ , which is referred to simply as FET in the following, is connected so that the control electrode is connected to the connection of the capacitor O _x . with the diode D _x . while the source electrode is connected to the output terminal _{: of} the generator circuit X. Therefore, this FET transistor Tr _{2 is} kept in the non-conductive state as long as its source potential is lower than its control potential. During the time in which the source potential has reached the control potential until the time until the source potential returns to Hull due to the drop in the sawtooth voltage, the FET Tr _{2 is kept} in the conductive state. As shown in the drawing, a diode D ₂ , which serves to compensate for the voltage drop _{occurring at the source electrode of the FET Tr 2} , "is arranged in the emitter circuit of the output transistor of the generator circuit X for the sawtooth voltage. The drain electrode

109821/U27 ^m"^G 109821 / U27 ^m " ^G

··"■ D *™·· "■ D * ™

des B¹ET Tr₂ ist mit der Basiselektrode eines Transistors Tr, verbunden. Weiter ist die Kollektorelektrode des Transistors ¹Ir, mit einem Transistor Tr^ verbunden. Daher wird dieser Transistor Tr^ jedesmal eingeschaltet, wenn der IET Tr₂ im nichtleitenden Zustand ist, während er abgeschaltet xirird, wenn der FET Tr₂ leitend 1st. Der durch die ...- Linie begrenzte Block I stellt eine bekannte Regelschaltung für die Belichtungszeit eines elektronischen Verschlusses dar. Die Belichtungszeit oder die Verzögerungszeit ist durch die Kombination eines photoleitenden Elementes Hx,, beispielsweise einer CdS-ZeIIe, welche mit der Kollektorelektrode des Transistors Tr^, verbunden und so angeordnet ist, daß sie ständig von dem zu photographierenden Objekt Licht empfängt, und eines Kondensators C₂ bestimmt, welcher mit dem photoleitenden Element Bx, in Seihe geschaltet ist. Ein Schalter SW₂ ^is^ parallel zum Kondensator O₂ geschaltet und so angeordnet, daß er gleichzeitig mit der öffnung der Verschlußlamellen (nicht dargestellt) geöffnet und beim Schließen der Vershhlußlamellen geschlossen wird. In die Verbindung des photoleitenden Elementes Rx-, mit dem Kondensator C₂ ist die Basiselektrode eines Transistors Tr^ angeschlossen, dessen Emitterelektrode mit dem Gleitkontakt eines Potentiometers Rv verbunden ist, welches dazu dient, einen Belichtungsfaktor, wie beispielsweise die Blendenöffnung, einzuführen. Die Kollektorelektrode des Transistors Tr₁- ist mit der Basiselektrode eines Transistors Tr^- verbunden, wobei die Kollektorelektrode dieses Transistors Tr^ ihrerseits mit der Basiselektrode eines Tran-des B ¹ ET Tr ₂ is connected to the base electrode of a transistor Tr. Furthermore, the collector electrode of the transistor ¹ Ir is connected to a transistor Tr ^. Therefore, this transistor Tr ^ is switched on every time the IET Tr _{2 is} in the non-conductive state, while it is switched off when the FET Tr _{2 is} conductive. The block I delimited by the ... line represents a known control circuit for the exposure time of an electronic shutter. The exposure time or the delay time is determined by the combination of a photoconductive element Hx, for example a CdS cell connected to the collector electrode of the transistor Tr ^, connected and arranged so that it continuously receives light from the object to be photographed, and determines a capacitor C ₂ which is connected in series with the photoconductive element Bx. A switch SW ₂ ^is connected in parallel to the capacitor O ₂ and is arranged in such a way that it is opened simultaneously with the opening of the shutter slats (not shown) and is closed when the shutter slats are closed. In the connection of the photoconductive element Rx-, with the capacitor C ₂ , the base electrode of a transistor Tr ^ is connected, the emitter electrode of which is connected to the sliding contact of a potentiometer Rv, which is used to introduce an exposure factor, such as the aperture. The collector electrode of the transistor Tr ₁ - is connected to the base electrode of a transistor Tr ^ -, the collector electrode of this transistor Tr ^ in turn with the base electrode of a Tran-

109821/1427109821/1427

sistors Tr„ verbunden ist. An die Kollektorelektrode des Transistors Tr„ ist ein Elektromagnet M angeschlossen, der für die Steuerung der Schließtätigkeit der Verechlußlamellen vorgesehen ist. Ein Hauptschalter SW ist mit einer Batterie Eo als Stromquelle in Reihe geschaltet. Dieser Schalter SW wird gleichzeitig mit dem Drücken des Auslösers des Verschlusses geschlossen und am Ende der Belichtung geöffnet. Man solte beachten, daß die photoleitenden Elemente Rx,., Rx₂ und Rx-,, welche bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung verwendet werden, vorteilhaft so gewählt werden, daß die Charakteristiken ihrer Widerstandswerte im Verhältnis zu Lichtänderungen einander gleich sind. Weiterhin werden die zwei photoleitenden Elemente Rx,. und Rxg so gewählt, daß die Widerstandswerte, die diese "beiden Elemente darstellen, wenn sie dem gleichen Licht ausgesetzt werden, so groß sind, daß der letztere einen Widerstandswert zeigt, der gleich oder größer als der Widerstandswert des ersteren ist. Darüber hinaus ist die Frequenz T der Sägezahnspannung, welche von der Generatorschaltung der Sägezahnspannung hervorgerufen ist, in der Größenordnung von 1/100 bis 2/100 der minimalen Offnungs- und Schließzeit des verwendeten Verschlusses, genauer, wenn die minimale üffnungs- und Schließzeit 1/1000 sek ist, dann liegt die Folgefrequenz in der Größenordnung von 1/100000 bis ,2/100000 sek. Auch ist die Spitzenspannung der Sägezahnfolge gleich der Spannung der Hilfsstromquelle E^.sistor Tr "is connected. An electromagnet M is connected to the collector electrode of the transistor Tr "and is provided for controlling the closing action of the closing lamellae. A main switch SW is connected in series with a battery Eo as a power source. This switch SW is closed at the same time the shutter release button is pressed and opened at the end of the exposure. It should be noted that the photoconductive elements Rx,., Rx ₂ and Rx- ,, which are used in the circuit arrangement according to the invention are advantageously chosen so that the characteristics of their resistance values in relation to changes in light are equal to one another. Furthermore, the two photoconductive elements Rx,. and Rxg are chosen so that the resistance values which these "two elements represent when exposed to the same light are so great that the latter exhibits a resistance value equal to or greater than the resistance value of the former. In addition, the Frequency T of the sawtooth voltage, which is caused by the generator circuit of the sawtooth voltage, in the order of 1/100 to 2/100 of the minimum opening and closing time of the shutter used, more precisely if the minimum opening and closing time is 1/1000 sec, then the repetition frequency is in the order of magnitude of 1/100000 to .2 / 100000 sec. The peak voltage of the sawtooth sequence is also equal to the voltage of the auxiliary power source E ^.

Als nächstes wird die Wirkungsweise der BeiichtungsregeIein-The next step is the mode of action of the

109821/U27109821 / U27

richtung nach der Erfindung unter Bezugnahme auf die in Fig. 1 gezeigte elektrische Schaltung näher beschrieben. In den nun folgenden Gleichungen, die zur Erklärung verwendet werden, werden die von den elektrischen Elementen dargestellten Werte durch die Symbole der Elemente selbst dargestellt.direction according to the invention with reference to the in Fig. 1 The electrical circuit shown is described in more detail. In the now following equations that are used for explanation the values represented by the electrical elements are represented by the symbols of the elements themselves.

Wenn eine Aufnahme gemacht werden soll, wird der Verschluß (nicht dargestellt) zuerst gespannt und dann wird das Objektiv, auf das zu photographierende Objekt gerichtet und der Auslöser (nicht dargestellt) wird gedrückt. Daraufhin wird der Schalter SW geschlossen, der sowohl die Generatorschaltung X für die Sägezahnspannung als auch die Regelschaltung T für die Belichtungszeit einschaltet. Gleichzeitig damit wird der Transistor'Tr. leitend. In diesem Zustand erreicht das Potential Vp an der Verbindung P den folgenden WertWhen a picture is to be taken, the shutter (not shown) is first cocked and then the lens, aimed at the object to be photographed and the shutter release button (not shown) is pressed. The switch will then SW closed, both the generator circuit X for the sawtooth voltage and the control circuit T for the exposure time turns on. At the same time the transistor'Tr. conductive. In this state, the potential Vp at the connection P becomes the following value

Rx₂ Rx ₂

Vp - E. ,Vp - E.,

in Abhängigkeit von dem Verhältnis der Widerstandswerte der photoleitenden Elemente Rxp und Rx_x.. Dieses Potential Vp wird als Spannung an den Anschlüssen des Kondensators CL durch öffnen des Schalters SW,- beim Drücken des Auslösers gespeichert. Genauer wird der Zustand des Lichtes, welches das photoleitende Element Rx,. beleuchtet, nachdem es das Objektiv durchlaufen hat, ;Ln Form einer Spannung Vp entsprechend der erwähnten Gleichung durch den Kondensator O^ gespeichert. Das so gespeicherte Poten-as a function of the ratio of the resistance values of the photoconductive elements Rxp and Rx _x .. This potential Vp is stored as a voltage at the terminals of the capacitor CL by opening the switch SW, - when the shutter button is pressed. More specifically, the state of the light which the photoconductive element Rx ,. illuminated after it has passed through the lens; Ln in the form of a voltage Vp stored by the capacitor O ^ according to the mentioned equation. The potential stored in this way

...9 109 8 21/U27... 9 109 8 21 / U27

tial Vp wird durch die Diode D^ auf konstantem Wert gehalten, selbst wenn das Auftreffen von Licht auf das photoleitende Element Rx,. unterbrochen wird oder in anderen Worten, selbst wenn das photoleitende Element aus dem Iiichtweg herausgezogen wird. Daher wird die Steuerelektrode des IET Tr₂ mit diesem Potential Vp vorgespannt.tial Vp is held at a constant value by the diode D ^, even when light is incident on the photoconductive element Rx ,. is interrupted, or in other words, even if the photoconductive element is pulled out of the light path. Therefore, the control electrode of the IET Tr _{2 is} biased with this potential Vp.

Im Ende des AuslöseVorganges, welcher durch die Auslöserbetätigung eingeleitet wird, verläßt der Verschluß seinen gespannten Zustand und die Verschlußlamellen werden geöffnet (im Falle eines Schlitzverschlusses beginnt sich der vordere Vorhang zu bewegen). Während dieses Teils der Tätigkeit ist der Elektromagnet M bereits erregt, da der Transistor Tr „ gleichzeitig mit dem Drücken des Auslösers eingeschaltet ist« Daher werden durch die Anziehungskraft des erregten Elektromagneten M die Verschlußlamellen (oder beim Schlitzverschluß der rückwärtige Vorhang) in bekannter Weise so festgehalten, daß die Belichtung des lichtempfindlichen Materials beginnen kann. Andererseits wird der Schalter SWp in Verbindung mit der Öffnungsbewegung der Verschlußlamellen geöffnet. Damit zugleich setzt die Ladung des Kondensators CU Über das photoleitende Element Hx, ein, so daß die Berechnung der Belichtungszeit durch die Regelschaltung für die Belichtungszeit beginnt. Bach der vorliegenden Erfindung erfolgt das Laden des Kondensators G₂ intermittierend in einem vorgegebenen konstanten Zyklus und zwar durch die Tätigkeit dee PET Tr₂, welcher abwechselnd im leitenden und nichtleitendenAt the end of the release process, which is initiated by actuating the release, the shutter leaves its cocked state and the shutter blades are opened (in the case of a focal plane shutter, the front curtain begins to move). During this part of the activity, the electromagnet M is already energized, since the transistor Tr "is switched on at the same time as the trigger is pressed." that the exposure of the photosensitive material can begin. On the other hand, the switch SWp is opened in conjunction with the opening movement of the shutter blades. At the same time, the charging of the capacitor CU sets in via the photoconductive element Hx, so that the calculation of the exposure time by the control circuit for the exposure time begins. According to the present invention, the capacitor G _{2 is} charged intermittently in a predetermined constant cycle through the activity of the PET Tr ₂ , which alternates between the conductive and non-conductive

...10 109821/U27 ... 10 109821 / U27

- ίο -- ίο -

Zustand ist, je nach dem gegenseitigen Verhältnis zwischen der dem erwähnten gespeicherten Potential Vp und der von der ßeneratorschaltung X erzeugten Sägezahnspannung.State is depending on the mutual relationship between that of the mentioned stored potential Vp and that of the generator circuit X generated sawtooth voltage.

Dies wird anhand von Sig. 2 näher erläutert. Da der EEP Sr₂ im nichtleitenden Zustand solange gehalten wird, bis sein Sourcepotential niedriger als das Steuerpotential ist, wird der Transistor .Tr* abgeschaltet, während der Transistor Tr^ eingeschal-This is explained in more detail with reference to Sig. Since the EEP Sr _{2 is held} in the non-conductive state until its source potential is lower than the control potential, the transistor .Tr * is switched off, while the transistor Tr ^ is switched on.

P tet ist, so daß der Kondensator C₂ geladen wird. Andererseits wird der S253? Tr₂ während einer Zeitdauer im eingeschalteten Zustand gehalten, während der die an die Source-Elektrode des Transistors Tr₂ angelegte Sägezahnspannung der <*eneratoz?schal~ tung X auf ein Niveau angestiegen ist, bei dem das Somreepotential gleich dem Steuerpotential ist, bis zu der Zeit, bis zu der das Sourcepotential aufgrund dea Abfallens der Sägesahnspannung auf Hull herabgefallen ist» Daher ist der Transistor Φτ, eingeschaltet, während der Transistor Tr^ abgeschaltet ist_t so daßP tet so that the capacitor C _{2 is} charged. On the other hand, the S253? Tr ₂ held in the switched-on state for a period of time during which the _{sawtooth voltage of the eneratoz? Circuit X applied to the source electrode of the transistor Tr 2 has} risen to a level at which the somree potential is equal to the control potential, up to the time up to which the source potential has dropped to Hull due to the drop in the saw-tooth voltage »Therefore, the transistor Φτ, is switched on, while the transistor Tr ^ is switched off _t so that

fe das Laden des Kondensators C₂ unterbrochen ist. Auf diese Weise wird der Kondensator C₂ intermittierend geladen mit einer frequenz^ die gleich der frequenz Φ der Sägezahnspannung ist. Hau sollte beachten, daß der FET Tr₂ eine hohe Eingangsimpedanz besitzt und daß er kaum einen Einfluß auf die Spannung hat, mit der der Kondensator C^ aufgeladen wird» Wenn wir nun annehmen, daß die Länge der Zeit, in der der EBT Tr₂ abgeschaltet gehalten wird oder mit anderen Worte», die Ladungszeit des Kondensators O₂ T,- beträgt, dann kann die Aufladungsgeschwindigkeit desfe the charging of the capacitor C _{2 is} interrupted. In this way, the capacitor C _{2 is} charged intermittently with a frequency ^ which is equal to the frequency Φ of the sawtooth voltage. Hau should note that the FET Tr _{2 has} a high input impedance and that it has hardly any influence on the voltage with which the capacitor C ^ is charged. If we now assume that the length of time in which the EBT Tr ₂ is kept switched off or, in other words, " _{the charging time of the capacitor O 2} T, - then the charging speed of the

...11 109821/1427 ... 11 109821/1427

Kondensators C₀, d.h., 1 ausgedrückt werden durch das Verhältnis der Widerstandswerte zwischen den photoleitenden ElementenCapacitor C ₀ , ie, 1 can be expressed by the ratio of the resistance values between the photoconductive elements

Rx
Rx₀ und Rx^, nämlich durch 2 , wie sich aus IPig. 2 ergibt.Rx
Rx ₀ and Rx ^, namely by 2, as can be seen from IPig. 2 results.

vJenn der Kondensator Cp in der oben beschriebenen //eise auf einen vorgegebenen */ert aufgeladen ist, wird der Zustand der Transistoren Tr_n- und Tr,- vom nichtleitenden Zustand in den leitenden Zustand umgeschaltet, so daß der Transistor Tr „ vom eingeschalteten in den ausgeschalteten Zustand umgeschaltet wird. Daher wird der Elektromagnet M entregt und verliert seine Magnetkrafb. Dadurch werden die Verschlußlamellen (oder der hintere Vorhang bei einem Schlitzverschluß)_; welche bis dahin offen gehalten worden sind, freigegeben und schließen den Verschluß. In Verbindung mit dieser Bewegung wird der Schalter SV geöffnet und die Schalter S'*L und SWp werden geschlossen. Dadurch wird die Generatorschaltung X für die Sägezahnschaltung außer Betrieb gesetzt und die Kondensatoren C^ und C₀ entladen. Auf diese V/eise wird die Regelung einer Einzelbelichtung beendet.When the capacitor Cp is charged to a predetermined value in the manner described above, the state of the transistors Tr _n - and Tr, - is switched from the non-conducting state to the conducting state, so that the transistor Tr "is switched from being switched on in the switched-off state is switched. Therefore, the electromagnet M is de-energized and loses its magnetic power. This causes the shutter slats (or the back curtain in the case of a focal plane shutter) _; which have been kept open until then, released and close the shutter. In connection with this movement, the switch SV is opened and the switches S '* L and SWp are closed. This puts the generator circuit X for the sawtooth circuit out of operation and discharges the capacitors C ^ and C ₀ . In this way, the regulation of a single exposure is ended.

Im allgemeinen ist die Verzögerungszeit oder die Belichtungszeit, die durch die Regelschaltung Y in Fig. 1 bestimmt ist, gegeben durch folgende GleichungIn general, the delay time or exposure time determined by the control circuit Y in Fig. 1 is given by the following equation

Rx_x . C₀ . logRx _x . C ₀ . log

1 - K1 - K

so daß die Belichtungszeit Ts, welche tatsächlich von der Belichtungsregeleinrichtung nach der vorliegenden Erfindung gesteuert wird, gleioh iet so that the exposure time Ts, which is actually controlled by the exposure control device according to the present invention, is the same

...12 109821/U27 ... 12 109821 / U27

τ— . Hx, . O₀ . log τ— . Hx,. O ₀ . log

- K- K

. Hx, . C₀ . log —! (1). Hx,. C ₀ . log -! (1)

₀ g ₀ g

Rx_n ^ ^d Λ - TL Rx _n ^ ^d Λ - TL

V/ie zuvor ■beschrieben, werden nach der Erfindung photoleitende Elemente Rx,,, Rx2 und Rx, verwendet, die eine solche Charakteristik haben, daß das Verhältnis der Änderungen der Widerstandswerte zu den Änderungen des auftreffenden Lichtes jeweils gleich ist. Daher können die Widerstandswerte dieser Elemente ausgedrückt werdenAs described above, according to the invention, photoconductive Elements Rx ,,, Rx2 and Rx, are used that have such a characteristic have that the ratio of the changes in the resistance values to the changes in the incident light in each case is equal to. Therefore, the resistance values of these elements can be expressed

Ex₁ = oC . Rx₂ (2)Ex ₁ = oC. Rx ₂ (2)

Rx₂ = β .Rx₃ (5)Rx ₂ = β .Rx ₃ (5)

(worinoc und ß Proportionalitätsfaktoren darstellen).(whereoc and ß represent proportionality factors).

Daher läßt sich aus den Gleichungen(2) und (3) die Gleichung (1) folgendermaßen schreibenTherefore, from the equations (2) and (3), the equation (1) write as follows

Ts = cL · Hx, . C₀ . log —— ⁵ ^d 1 - KTs = cL * Hx,. C ₀ . log - - ⁵ ^d 1 - K

Rx_{1 1} = CK · . Cp . log Rx _{1 1} = CK *. Cp. log

oL.ß . 1 - KoL.ß. 1 - K

-, _J . Hx. . Cp . log -J— (4).-, _J. Hx. . Cp. log -J- (4).

Daraus ergibt sich, daß die Belichtungszeit Ts sowohl durch den Widerstandswert des photoleitenden Elementes Rx₁ als auch durchIt follows that the exposure time Ts by both the resistance value of the photoconductive element Rx ₁ and by

109821/U2?109821 / U2?

die Kapazität des Kondensators G~ bestimmt ist.the capacitance of the capacitor G ~ is determined.

Wie sich aus der vorhergehenden Beschreibung ergibt, ist nach der vorliegenden Erfindung selbst in dem Fall, daß sich der Zustand der Be3Äuchtungsverhältnisse ·, nachdem das Potential Vp an der Verbindung von dem Kondensator C^ gespeichert worden ist, ändert oder in anderen Worten, selbst wenn Licht, welches auf das photoleitende Element Rx,. auftrifft, von dem photoleitenden Element Rx,, abgeschnitten wird, oder wenn dieses aus dem Strahlengang herausgezogen wird, wird die Belichtungszeit tatsächlich genau entsprechend den Änderungen, die ein folgender Wechsel in den Beleuchtungsverhältnissen hervorruft, nachgeregelt. Daher wird es insbesondere durch die Verwendung des photoleitenden Elementes Rx^, welches schnell auf Änderungen in der Menge des auftreffenden Lichtes anspricht, möglich, eine sogenannte automatische Blitzphotographie durchzuführen. Auch bewirkt nach der vorliegenden Erfindung die Tätigkeit des FET Tr~ keine Veränderung an den Klemmen des Kondensators C-. Daher wird es möglich, die Ladezeit des Kondensators 0. durch Verwendung eines Kondensators mit einer geringen Kapazität zu verkürzen. Selbst wenn das zu photographierende Objekt dunkel ist und demgemäß selbst wenn die photoleitenden Elemente Rx. und Rx^ große Widerstandswerte aufweisen, wird die Speicherung des Potentials an der Verbindung P durch den Kondensator Oy. genau bewirkt. Weiterhin sind nach der vorliegenden Erfindung die photolei-ten-As is apparent from the foregoing description, according to the present invention, even in the event that the state of the lighting conditions changes after the potential Vp is stored at the junction of the capacitor C ^, or in other words, even if Light incident on the photoconductive element Rx ,. occurs, is cut off from the photoconductive element Rx ,, or if this is pulled out of the beam path, the exposure time is actually readjusted exactly according to the changes that a subsequent change in the lighting conditions causes. Therefore, particularly by using the photoconductive element Rx ^ which is quick to respond to changes in the amount of incident light, it becomes possible to perform so-called automatic flash photography. Also, according to the present invention, the operation of the FET Tr ~ does not change the terminals of the capacitor C-. Therefore, it becomes possible to shorten the charging time of the capacitor 0 by using a capacitor having a small capacity. Even if the object to be photographed is dark, and accordingly, even if the photoconductive elements Rx. and Rx ^ have large resistance values, the storage of the potential at the connection P by the capacitor Oy. exactly effected. Furthermore, according to the present invention, the photoconductive

den Elemente so angeordnet, daß sie gleichzeitig von dem zuthe elements arranged so that they are simultaneously from the to

...14 109821/U27 ... 14 109821 / U27

photographierenden Objekt kommendes Licht aufnehmen. ist es möglich, in einem weiten Bereich die Belichtungszext ständig genau der Helligkeit des zu photographierenden Objektes anzupassen.receiving light from the object being photographed. it is possible to set the exposure time in a wide range constantly adjust precisely to the brightness of the object to be photographed.

109821/1427109821/1427

Claims

isis

λ '· ..'. Ί π Li ¹ YKI
BCOO M ^ uie ,! 22 November 10, 1970

kkt 7128

PatentansprücheClaims

Belichtungsregeleinrichtung für photographische Kameras mit einer Steuerschaltung für die Belichtungszeit, die ein erstes photoleitendes Element, welches direkt das von dem zu photographierenden Objekt ausgehende Licht aufnimmt, einen ersten Kondensator, der mit dem ersten photoleitenden Element in Beihe geschaltet ist, einen ersten Schalttransistor, dessen Schalttätigkeit durch die Ladung des ersten Kondensators gesteuert wird und einen Elektromagneten enthält, der mit der Ausgangsseite des ersten Transistors verbunden ist, um den'Verschluß in geöffneter Stellung zu halten, dadurch gekennzeichnet, daß die Belichtungsregeleinrichtung ein zweites photoleitendes Element (Bx^)enthält, das Licht aufnimmt, welches durch das Linsensystem des Objektives hindurchgeht, ein drittes photoleitendes Element [Bx₂), das Licht aufnimmt, das direkt von dem zu photographierenden Objekt kommt, einen zweiten Kondensator (C^) zur Speicherung einer Spannung, die eine Größe hat, die dem Verhältnis der Widerstandswerte zwischen dem zweiten und dem dritten photoleitenden Slement entspricht, eine eine Säge-Exposure control device for photographic cameras with a control circuit for the exposure time, which includes a first photoconductive element which directly receives the light emanating from the object to be photographed, a first capacitor which is connected in series with the first photoconductive element, a first switching transistor whose switching operation is controlled by the charge of the first capacitor and contains an electromagnet which is connected to the output side of the first transistor in order to hold the closure in the open position, characterized in that the exposure control device contains a second photoconductive element (Bx ^) which Absorbs light that passes through the lens system of the objective, a third photoconductive element [Bx ₂ ), which absorbs light that comes directly from the object to be photographed, a second capacitor (C ^) for storing a voltage that has a size the ratio of the wide corresponding distance values between the second and the third photoconductive slement, a saw

109821 / U27

zahnspannung erzeugende Gene rat or schaltung (X)₁ einen zweiten Schalttransistör (Erg), dessen Schalttätigkeit durch Vergleich der von dem zweiten Kondensator gespeicherten Span nung und der Sägezahnspannung, die von der G-ene rat or schaltung erzeugt wird und einen Transistor (Tr^), der leitend gemacht wird, wenn der zweite Schalttransistor (Tr₂) leitend ist, um den ersten Kondensator (O₂) über das erste photoleitende Element (Bxa) aufzuladen.Tooth voltage generating generator circuit (X) ₁ a second switching transistor (Erg), whose switching activity by comparing the voltage stored by the second capacitor and the sawtooth voltage generated by the G-ene rat or circuit and a transistor (Tr ^ ), which is made conductive when the second switching transistor (Tr ₂ ) is conductive in order to charge the first capacitor (O ₂ ) via the first photoconductive element (Bxa).

2. Belichtungsregelungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Schalttransistor (Tr₂) ein Feldeffekttransistor ist, dessen Steuerelektrode mit einem Anschluß des zweiten Kondensators (C₄.) verbunden ist und dessen Sourcwlektrode mit dem Ausgangsanschluß der Generatorschaltung (X) für die Sägezahnspannung verbunden ist.2. Exposure control circuit according to claim 1, characterized in that the second switching transistor (Tr ₂ ) is a field effect transistor whose control electrode is connected to one terminal of the second capacitor (C _4. ) And whose source electrode is connected to the output terminal of the generator circuit (X) for the Sawtooth voltage is connected.

3. Belichtungeregeleinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet! daß das erste, zweite und dritte photoleitende3. Exposure control device according to claim 1, characterized! that the first, second and third photoconductive

P Element (Bx₅, Ex₁, Bx₂) Jeweils so gewählt sind, daß dieP element (Bx ₅ , Ex ₁ , Bx ₂ ) are each selected so that the

Verhältnisse/der Änderungen der Viderstandswerte dieser drei photoleitenden Elemente im Verhältnis zu Licht änderungen einander gleich sind und daß der Viderstandswert des dritten photoleitenden Elementes (Bx₂) großer als der Widerstandswert von !mindestens dem zweiten photoleitendem Element (Br₁) ist.Ratios / changes in the resistance values of these three photoconductive elements in relation to changes in light are equal to each other and that the resistance value of the third photoconductive element (Bx ₂ ) is greater than the resistance value of at least the second photoconductive element (Br ₁ ).

109821/U27109821 / U27

4. Exposure control device according to claim 1, characterized in that that the generator circuit (X) for the sawtooth voltage is designed so that the repetition frequency of this Switching generated sawtooth voltage between 1/100 to 2/100 of the minimum opening and closing time of the shutter lies.

5. Exposure control device according to claim 1, characterized in that that the second capacitor (C.,) with a diode (D.) is connected, which prevents a discharge of the second capacitor during the duration of the exposure time control.

109821/U27109821 / U27

Lee rse i teLee rse i te