DE2047358B1 - Pulse shaping stage for symmetrical pulses with two transistors - Google Patents
Pulse shaping stage for symmetrical pulses with two transistorsInfo
- Publication number
- DE2047358B1 DE2047358B1 DE2047358A DE2047358DA DE2047358B1 DE 2047358 B1 DE2047358 B1 DE 2047358B1 DE 2047358 A DE2047358 A DE 2047358A DE 2047358D A DE2047358D A DE 2047358DA DE 2047358 B1 DE2047358 B1 DE 2047358B1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- circuit
- base
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/02—Shaping pulses by amplifying
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
Um die Impulsformerstufe auch zur galvanischen Ansteuerung an Logikschaltkreisen geeignet zu machen, ist es vorteilhaft, den im Basiskreis des ersten Transistors liegenden ohmschen Widerstand so zu dimensionieren, daß er gleich ist dem Quotienten aus dem Quadrat des Emitterwiderstandes des ersten Transistors, multipliziert mit dem Gleichstromverstärkungsfaktor des ersten Transistors und der Differenz aus dem ohmschen Widerstand im Kollektorkreis des zweiten Transistors, multipliziert mit dem Gleichstromverstärkungsfaktor des zweiten Transistors, mi- nus dem Emitterwiderstand im Emitterkreis des ersten Transistors. To the pulse shaper stage also for galvanic control of logic circuits To make it suitable, it is advantageous to use the one in the base circuit of the first transistor to dimension lying ohmic resistance so that it is equal to the quotient from the square of the emitter resistance of the first transistor, multiplied by the DC gain of the first transistor and the difference between the ohmic resistance in the collector circuit of the second transistor, multiplied by the direct current amplification factor of the second transistor, mi- nus the emitter resistance in the emitter circuit of the first transistor.
An Hand der Ausführungsbeispiele nach den F i g. 1 und 2 wird die Erfindung näher erläutert. On the basis of the exemplary embodiments according to FIGS. 1 and 2 becomes the Invention explained in more detail.
Die Impulsformerstufen der F i g. 1 und 2 bestehen aus einem pnp-Transistor T1 mit den Widerständen R1 und R2, der in Kollektorschaltung als Impedanzwandler betrieben wird. Dadurch ergibt sich ein hoher Eingangswiderstand, der noch durch Zwischenschaltung eines Basiswiderstandes erhöht werden kann. An dessen Emitter ist die Basis eines npn-Transistors T2 mit dem Kollektorwiderstand R3 galvanisch angeschlossen. Der Transistor T2 arbeitet in Emitterschaltung als Begrenzer und ist im Ruhezustand durchgesteuert, bedingt durch den Arbeitspunkt des Transistors T1, der im Ruhezustand ebenfalls leicht durchgesteuert ist. The pulse shaper stages of FIG. 1 and 2 consist of a pnp transistor T1 with the resistors R1 and R2, the collector circuit as an impedance converter is operated. This results in a high input resistance, which is still through Interposition of a base resistor can be increased. At its emitter is the base of an npn transistor T2 with the collector resistor R3 galvanic connected. The transistor T2 works in the emitter circuit as a limiter and is controlled in the idle state, due to the operating point of the transistor T1, which is also slightly controlled in the idle state.
Wird an den Eingang der Impulsformerstufe eine sinusförmige Spannung angelegt, so wird bei den negativen Halbwellen der Spannung der Transistor T1 vollständig gesperrt und der Transistor T2 noch mehr in den Sättigungszustand gesteuert. Bei Spannungsumkehr wird der Transistor T1 sofort durchgesteuert, da durch die spezielle Art der Aussteuerung dieses Transistors im Ruhezustand der Transistor sozusagen in Bereitschaft gesteuert ist; damit wird jedoch das Emitterpotential des ersten Transistors und damit auch das Basispotential des zweiten Transistors so weit abgesenkt, daß der Transistor T2 gesperrt wird. Dieser Vorgang wiederholt sich periodisch, solange am Eingang eine Wechselspannung anliegt. Wird die Wechselspannung am Eingang unterbrochen, so stellt sich der ursprüngliche Schaltzustand der Stufe wieder ein, wobei der Transistor T2 durchgeschaltet ist, so daß am Kollektor nahezu das gleiche Potential wie am Emitter liegt. Die Stufe ist damit zur Anschaltung an Logikschaltkreise geeignet. A sinusoidal voltage is applied to the input of the pulse shaper stage is applied, the transistor T1 is complete in the case of the negative half-waves of the voltage locked and the transistor T2 controlled even more in the saturation state. at If the voltage is reversed, the transistor T1 is activated immediately because of the special Type of modulation of this transistor when the transistor is idle, so to speak is controlled on standby; however, this becomes the emitter potential of the first Transistor and thus also the base potential of the second transistor lowered so far, that the transistor T2 is blocked. This process repeats itself periodically, as long as there is an alternating voltage at the input. Will the AC voltage at the input interrupted, the original switching status of the stage is restored, the transistor T2 is switched on, so that almost the same at the collector Potential as at the emitter. The stage is thus for connection to logic circuits suitable.
Wird der Transistor T1 allein betrachtet (Transistor T2 abgetrennt), so setzt sich dessen Kollektor-Emitter-Spannung UCE1 aus der Basis-Emitter-Spannung UBE1 und der Spannung URi, die durch den Basisstrom Ib am Widerstand R1 entsteht, zusammen. If the transistor T1 is considered alone (transistor T2 disconnected), its collector-emitter voltage UCE1 is made up of the base-emitter voltage UBE1 and the voltage URi, which is created by the base current Ib across the resistor R1, together.
Die Kollektor-Emitter-Spannung UCE1 muß nun so groß gegenüber der Basis-Emitter-Spannung UBE2 des Transistors T2 sein, daß die dadurch bedingte Differenzspannung einen genügend großen Steuerstrom Ib2 durch den Widerstand R2 treiben kann, um den Transistor T2 durchzusteuern. Der Ruhezustand des Transistors T2 (durchgesteuert) ist durch die Größe des Widerstandes R1 bestimmt. The collector-emitter voltage UCE1 must now be as large as compared to the Base-emitter voltage UBE2 of transistor T2, that the resulting differential voltage can drive a sufficiently large control current Ib2 through the resistor R2 to the Control transistor T2 through. The idle state of transistor T2 (turned on) is determined by the size of the resistor R1.
Als Näherung für den Basiswiderstand R1 gilt wobei B2 R; > R2 sein muß.As an approximation for the base resistance R1 applies where B2 R; > R2 must be.
Bl, B2 sind die Gleichstromverstärkungen der Transistoren T1 und T2. B1, B2 are the direct current gains of the transistors T1 and T2.
Der kleinste noch zulässige Widerstand R1 ergibt sich dann aus Die Empfindlichkeit des Impulsformers ist dadurch gegeben, daß die Basis-Emitter-Spannung UBE2 des Transistors T2 vom Transistor T1 erzeugt wird und sich ungefähr im gleichen Maße ändert wie die Eingangsspannung. Kleine Eingangsspannungsänderungen bewirken also, daß der Transistor T2 vom durchgesteuerten in den gesperrten Zustand und umgekehrt gebracht wird.The smallest permissible resistance R1 then results from The sensitivity of the pulse shaper is given by the fact that the base-emitter voltage UBE2 of the transistor T2 is generated by the transistor T1 and changes approximately to the same extent as the input voltage. Small changes in input voltage therefore have the effect that transistor T2 is brought from the switched-on state to the blocked state and vice versa.
Die F i g. 1 und 2 unterscheiden sich lediglich dadurch, daß der Impulsformerstufe nach F i g. 1 die Eingangsspannung über einen Kondensator und nach F i g. 2 über einen Übertrager zugeführt wird. The F i g. 1 and 2 differ only in that the Pulse shaping stage according to F i g. 1 the input voltage across a capacitor and according to FIG. 2 is fed via a transformer.
Der Eingangswiderstand ergibt sich nach F i g. 1 aus der Summe des Vorwiderstandes Rv und dem Widerstand R 1, dem der Eingangswiderstand des Transistors T1 parallel geschaltet ist. Nach F i g. 2 wird der Eingangswiderstand aus der Summe des Widerstandes R1 und dem Eingangswiderstand des Transistors T1 gebildet. The input resistance results from FIG. 1 from the sum of the Series resistor Rv and the resistor R 1, which is the input resistance of the transistor T1 is connected in parallel. According to FIG. 2 becomes the input resistance from the sum of the resistor R1 and the input resistance of the transistor T1 formed.
Die Transistoren T1 und T2 können bei gleichzeitigem Polaritätswechsel der Betriebsspannung vertauscht werden. The transistors T1 and T2 can change polarity at the same time the operating voltage can be swapped.
Claims (4)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19702047358 DE2047358C2 (en) | 1970-09-25 | Pulse shaping stage for symmetrical pulses with two transistors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2047358B1 true DE2047358B1 (en) | 1972-05-04 |
Family
ID=5783438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2047358A Pending DE2047358B1 (en) | 1970-09-25 | 1970-09-25 | Pulse shaping stage for symmetrical pulses with two transistors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2047358B1 (en) |
-
1970
- 1970-09-25 DE DE2047358A patent/DE2047358B1/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2423478C3 (en) | Power source circuit | |
DE3854006T2 (en) | Periodic signal generator, especially for switching power supplies. | |
EP0334447B1 (en) | Schmitt-trigger circuit | |
DE1050810B (en) | Bistable circuit with flat transistors | |
DE2907231C2 (en) | Monostable multivibrator | |
DE2363616C2 (en) | Delay circuit | |
DE2047358B1 (en) | Pulse shaping stage for symmetrical pulses with two transistors | |
DE1050814B (en) | ||
DE2943012C2 (en) | Linear differential amplifier | |
DE2322466C3 (en) | Operational amplifier | |
DE1911959C3 (en) | Bistable trigger circuit | |
DE2651482B2 (en) | Amplifier circuit | |
DE2047358C2 (en) | Pulse shaping stage for symmetrical pulses with two transistors | |
DE1293860B (en) | Transistor-equipped differential amplifier with three amplifier stages connected in cascade | |
EP0048838A1 (en) | Circuit arrangement for load-proportional regulation of the control current of the emitter-connected output stage transistor of a transistor amplifier | |
DE1073033B (en) | Monostable multivibrator circuit with two complementary transistors | |
DE1203822B (en) | Monostable transistor multivibrator circuit | |
DE1512749C (en) | Amplifier with push-pull input and input output | |
DE3635878C2 (en) | ||
DE2040793B2 (en) | Control circuitry for a switching transistor | |
AT233063B (en) | Circuit arrangement with a tunnel diode | |
DE2608266C3 (en) | Circuit arrangement for deriving a continuously variable direct voltage from the constant direct voltage of a direct voltage source | |
DE1487367C (en) | Complementary symmetrical push-pull amplifier circuit with protection of the output transistors | |
DE2029956C3 (en) | Transistor cascade amplifier circuit | |
DE1487829C (en) | Driver stage for generating pulses of constant amplitude. Eliminated from: 1487824 |