DE2040870A1 - Continuous wire resistance annealing process - Google Patents

Continuous wire resistance annealing process

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DE2040870A1 DE19702040870 DE2040870A DE2040870A1 DE 2040870 A1 DE2040870 A1 DE 2040870A1 DE 19702040870 DE19702040870 DE 19702040870 DE 2040870 A DE2040870 A DE 2040870A DE 2040870 A1 DE2040870 A1 DE 2040870A1
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Dipl-Ing Nieminen Seppo Aarre
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Outokumpu Oyj
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    • C21D9/00Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
    • C21D9/52Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for wires; for strips ; for rods of unlimited length
    • C21D9/54Furnaces for treating strips or wire
    • C21D9/56Continuous furnaces for strip or wire
    • C21D9/62Continuous furnaces for strip or wire with direct resistance heating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Description

Richard.FuchsRichard Fox

VelishCd.Heim 157VelishCd.Heim 157

•Sudc:cnstrc!3e 2• Sudc: cnstrc! 3e 2

OUTOKUMPU Oy, Outokumpu, PinnlandOUTOKUMPU Oy, Outokumpu, Pinnland

Kontinuierliches Draht-WiderstandsglühverfahrenContinuous wire resistance annealing process

Die Erfindung betrifft ein kontinuierliches Draht-Widerstandsglühverfahren zur Vergrößerung der Korngefüge, bzw. ein konti— nuierlicheü Draht-Widerstandsglühverfahren, bei dem der Draht * unter Ausnutzung dessen elektrischen Widerstandes mit Hilfe von elektrischem Strom auf Rekristallisationstemperatur gebracht wird, um-eine gröbere Korngröße zu erhalten.The invention relates to a continuous wire resistance annealing process to enlarge the grain structure, or a continuous nuierlicheü wire resistance annealing process in which the wire * brought to recrystallization temperature with the help of electric current using its electrical resistance in order to obtain a coarser grain size.

■In der Praxis kennt man eine ganze Reihe von Drahtglühverfahren, die sich prinzipiell in zwei Gruppen einteilen lassen: ■ In practice, a number of wire annealing processes are known, which can be divided into two groups:

1. Chargen-Glühverfahren, bei denen der Draht in Bündeln oder auf Spulen gewickelt in Öfen verschiedener Bauart, wie z.B. Glockenöfen, Salzbadofen, Rollenherdöfen, Muffelofen ™ u. dgl. geglüht wird. Die Wärmeübertragung geschieht dabei durch Strahlung und/oder Konvektion.1. Batch annealing processes in which the wire is in bundles or wound on reels in ovens of various types, such as e.g. bell furnaces, salt bath furnaces, roller hearth furnaces, muffle furnaces ™ and the like is annealed. The heat transfer takes place in the process by radiation and / or convection.

2. Kontinuierliche Glühverfahren, bei denen der Draht durch eine von außen beheizte Röhre geführt oder direkt induktiv bzw. resistiv erhitzt wird. ·2. Continuous annealing process in which the wire is through an externally heated tube is guided or directly inductively or resistively heated. ·

Charakteristisch für die Chargen-Glühverfahren ist die lange Glühzeit, um die kompakten Drahtspulen auf eine gleichmäßigeCharacteristic of the batch annealing process is the long annealing time to get the compact wire spools to a uniform one

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2ÜAU8702ÜAU870

Temperatur zu bringen. Weiter kann bei diesen Verfahren durch die lange Glühzeit und die hohen Temperaturen in diesen Ofen ein Zusammenschweißen (sticking) der Drahtwindungen auftreten. Ferner kann eventuell die Sauberkeit des Drahtes nach dem Glühprozeß, bedingt z.B„ durch Veränderungen in der Ofenatmosphäre, durch Verdampfen des am Draht haftenden Ziehfettes oder von Drahtbestandteilen, wie z.B. Zink, nicht einwandfrei erreicht werden. Andererseits lassen sich jedoch bei diesen Verfahren dank der langen Glühdauer und der relativ genau kontrollierbaren Temperaturen die strukturellen Eigenschaften des Materials innerhalb weiter Grenzen relativ mühelos regulieren. Bring temperature. The long annealing time and the high temperatures in this furnace can also result in this method sticking of the wire windings may occur. Furthermore, the cleanliness of the wire after the Annealing process, caused e.g. by changes in the furnace atmosphere, due to evaporation of the drawing grease adhering to the wire or of wire components such as zinc, not properly can be achieved. On the other hand, however, thanks to the long annealing time and the relatively accurate controllable temperatures the structural properties regulate the material relatively effortlessly within wide limits.

Bei kontinuierlichen Glühverfahren bleibt die Kapazität der Durchziehöfen wegen der geringen Durchlaufgeschwindigkeit des Drahtes gering, und dadurch werden diese Verfahren teuer. Wird die Kapazität durch Verlängerung des Ofens oder durch Heraufsetzen der Anzahl der gleichzeitig durch den Ofen zu ziehenden Drähte gesteigert, so führt dies nur zu einer sehr umständlichen und komplizierten Ofenkonstruktion. Beim induktiven Verfahren bleibt die Kapazität äußerst niedrig, so daß dieses Verfahren für Draht im allgemeinen nur selten und für dünnen Draht überhaupt nicht in Frage kommt. Was die kontinuierlichen Verfahren betrifft, so ist man in zunehmendem Maße zum Widerstandsglühverfahren (resistives Glühverfahren) übergegangen, da es sich durch sehr hohe Geschwindigkeit und, verglichen mit den Übrigen Glühöfen, durch geringe Dimensionen der dazu erforderlichen Glühvorrichtung auszeichnet. Insbe-In the case of continuous annealing processes, the capacity of the pull-through ovens remains due to the low throughput speed of the Wire, and this makes these processes expensive. Will the capacity be increased by extending the furnace or by Increasing the number of wires to be drawn through the furnace at one time increases only one very much awkward and complicated furnace construction. With the inductive method, the capacity remains extremely low, so that this method is seldom used for wire in general and not at all for thin wire. As for the continuous Process concerns, one is increasingly to the resistance annealing process (resistive annealing process) passed because it is characterized by very high speed and, compared to the other annealing furnaces, by small dimensions the required glow device. Especially

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sondere verwendet man dieses Verfahren heute zusammen mit Drahtziehmaschinen, wobei der im Ziehprozeß erhärtete Draht unmittelbar in die Glühvorrichtung geleitet wird. Als Nächteil des Widerstandsglühverfahrens muß jedoch festgestellt werden, daß es durch die äußerst schnelle, in Bruchteilen von Sekunden stattfindende Glühung, oft nicht gelingt, dem Draht die gewünschten Eigenschaften zu verleihen.Special one uses this process today together with wire drawing machines, whereby the wire hardened in the drawing process is passed directly into the annealing device. As a disadvantage of the resistance annealing process must, however, be determined that the extremely fast annealing, which takes place in fractions of a second, often does not allow the wire to die to give desired properties.

In der deutsehen Patentschrift Hr. 1 186 223 ist ein Wider- j stands-Glühverfahren beschrieben, bei dem das Glühen ^es Drahtes mittels Stromimpulsen geschieht; es sollen dadurch die Unregelmäßigkeiten des Drahtes, die z.B. durch, variierende Ziehgeschwindigkeit ent&tehen, eliminiert werden. Da der Draht durch Stromimpulse erhitzt wird, werden einige Stellen zweimal geglüht, wodurch jedoch keine Schaden verursacht werden, da bei so schnellem Glühen kein nennenswertes Kornwachstum auftritt. Die Eigenschaften des so geglühten Drahtes entsprechen im Durchschnitt den Eigenschaften von Draht, der auf konventionelle Art und Weise widerstandsgeglüht worden ist, " Die Korngröße wurde beim Widerstandsglühen auch dadurch zu vergrößern versucht, daß man anfangs die Temperatur relativ rasch erhöht und eine weitere Erhitzung dann durch Einführen des Drahtes in eine Kühlflüssigkeit verhindert. Obwohl der Draht mehrere Kontrollen durchläuft, um hier die Bedingungen für ein Kornwachstum zu schaffen, ist aber wegen der großen -....' Trägheit des Kornwachstums entweder eine unzweckmäßig lange Glühstrecke erforderlich oder der erhaltene Vorteil bleibt sehr gering.In the German patent specification Mr. 1 186 223 is an anti-j standing annealing process described in which the annealing ^ es Wire is done by means of current pulses; it should thereby the irregularities of the wire, e.g. by, varying Drawing speed arise and be eliminated. Since the Wire is heated by current impulses, some places are annealed twice, but this does not cause any damage, since no appreciable grain growth is caused by such rapid annealing occurs. The properties of the wire annealed in this way correspond on average the properties of wire that has been resistance annealed in a conventional manner, " In resistance annealing, attempts were also made to enlarge the grain size by initially setting the temperature relatively increases rapidly and further heating is then prevented by inserting the wire into a cooling liquid. Although the Wire goes through several checks to get the conditions here to create a grain growth, but is because of the large -.... ' Inertia of grain growth either requires an inconveniently long annealing section or the advantage obtained remains very low.

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Nach dem konventionellen Widerstaiidaglühvorfahren wird vorwiegend Kupfer geglüht, und für dieoea Material eignet sich das Verfahren auch gut, da die Erweichung bereits bei relativ niedrigen Temperaturen eintritt und die Korngröße im allgemeinen laicht zunimmt, weil die daa Kornwachotum verhindernden Legierungebeatandteile und Verunreinigungen fehlen.The conventional resistance glow process is predominantly used Annealed copper, and for the oea material the process is also well suited, since the softening already occurs at relatively low Temperatures occurs and the grain size generally increases, because the alloy constituents that prevent grain growth and impurities are absent.

Aus diesem Grunde erreicht man bei Kupfer relativ leicht die gewünschten Eigenschaften. Strebt man jedoch ein GefUge mit großen Kristallen an, daa bei dan bekannten Verfahren nur durch ein Kornwaohatum zu erzielen iat, erhält man leicht eine ungleichmäßige Struktur, die Eigenschaftasohwankungen im Draht verursacht. Im allgemeinen ist es jedoch mit den bekannten Wideretands-Glühverfahren überhaupt unmöglich, grobe Korngrößen zu erzeugen. For this reason, the desired properties can be achieved relatively easily with copper. However, if one strives for a structure with large crystals, which can only be achieved in the known processes by means of a grain waohatum, one easily obtains an uneven structure that causes fluctuations in the properties of the wire. In general, however, it is impossible at all to produce coarse grain sizes with the known resistance annealing processes.

Erfindungegemäß wird die Vergröberung der Korngefüge bei einem kontinuierlichen Draht-WiderBtandsglühverfahren dadurch erzielt, daß daa Glühen in zwei Phasen auoßof'JIhrt wird, wobei in der eraten Phase bei einer empirinch bestimmten Temperatur, die u.a. von der Ziehgeschwindigkeit, dem verwendeten Schutegas, der Kühlung, der Drahtatärke, der Glühstrecklänge und der Solldustemperatur des Drahtes mitbestimmt wird, eine kontrollierbare Menge Keime erzeugt wird, worauf dann in der zweiten Phase das eigentliche Glühen so vorgenommen wird, daß der Draht nach Abschluß der Phase vollständig rekristallisiert let.According to the invention, the coarsening of the grain structure in a continuous wire resistance annealing process is achieved in that the annealing is started in two phases, whereby in the first phase at an empirically determined temperature, which depends, among other things, on the drawing speed, the protective gas used, the cooling, the wire thickness, the annealing stretch length and the target nozzle temperature of the wire is also determined, a controllable amount of nuclei is generated , whereupon the actual annealing is carried out in the second phase so that the wire is completely recrystallized after the end of the phase.

ORiGiNALOriginal

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Beim Widerstandsglühen findet die Erweichung des Metalls duroh eine Rekristallisation statt. In der Rekristallisation gibt es drei Phasen; Erholung, primäre Rekristallisation und Kornwaohstum. Die primäre Rekristallisation geschieht so, daß Keime sich in dew deformierten Gefüge bilden, die dann au fartigen Körnern bsw. Kristallen anwachsen.With resistance annealing, the metal is softened duroh recrystallization takes place. There are three phases in recrystallization; Recovery, primary recrystallization and grain growth. The primary recrystallization takes place in such a way that germs form in the deformed structure, which then au like grains bsw. Crystals grow.

Beim Korawachstum wächst oin Teil der "bei der primären ; Rekristallisation entstandenen Kristalle auf Kosten der anderen Kristalle. Dl© Eigenschaften des.'weichen Drahtes sind von der Korngröße abhängig. Mit zunehmender Korngröße nehmen Festigkeit und Härte ab, während die Zähigkeit wächst.Dl® Korngröße wird durch die Glühtemperatur so reguliert, daß die gewünschten Eigenschaften erhalten werden. Beim Widerstandsglühen kommt wegen der kurzen Gltihzeit kaum ein nennenswertes Kristallwaohstum vor. Die Korngröße des widerstandsgeglühten Drahtes bleibt im wesentlichen auf der Stufe stehen, die in der primären Rekristallisation erreicht wird} d.h. die Ansahl ^ der Kristalle ist dieselbe wie diejenige der entstandenen Kristallkeime.In the growth of the Kora, part of the "in the primary" grows; Recrystallization resulting crystals at the expense of the other crystals. The properties of the soft wire are depends on the grain size. With increasing grain size, strength and hardness decrease, while toughness increases The grain size is regulated by the annealing temperature in such a way that the desired properties are obtained. With resistance annealing Because of the short glow time, there is hardly anything worth mentioning Kristallwaohstum before. The grain size of the resistance annealed The wire essentially stops at the level that is in primary recrystallization is achieved} i.e. the number ^ of the crystals is the same as that of the resulting crystal nuclei.

Die Koimbildungsgaachwindigköit ist stark von der Temperatur abhängig. Mit; aunehmender Temperatur steigt auch die Ansah! der Keim®. Deswegen gilt für das Widerstandsglühen folgendesJ Jq höher die Temperatur bei der Keimbildung ist, umso kleiner bleibt die Korngröße. Beim konventionellen Widerstandaglüh@B erfolgt dl© Keimbildung bei gans hoher Temperatur, da die Temperatur wegen der kurzen Glühseit sehr schnell erhöht wird,The wind speed in the formation is strongly dependent on the temperature addicted. With; The appearance rises as the temperature increases! the germ®. The following therefore applies to resistance annealing: The higher the temperature at nucleation, the lower remains the grain size. With the conventional resistance glow @ B Dl © nucleation occurs at a very high temperature, since the The temperature is increased very quickly because of the short glow time,

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so daß auf diese Weise geglühter Draht im allgemeinen eine geringe Korngröße aufweist. Wird eine gröbere Korngröße gewünscht, eo müßte die Reimbildung bei möglichst niedriger Temperatur geschehen. Duron die vorliegende Erfindung wird dieses Problem vorteilhaft so gelöst, daß das Glühen in zwei Phasen ausgeführt wird. In der ersten Phase wird eine geeignete Anzahl Kristallkeime gebildet, und »war durch eine solche Einstellung der Temperatur, daß in der but Verfügung stehenden Ztit eine genau gewünschte Menge Keime entsteht. In der zweiten Phase findet dann das Wachsen der gebildeten Keime statt, bis eine völlige Rekristallisation erfolgt ist. Diese zweite Phase hat wegen der geringen Zeitspanne, die dafür sur Verfügung steht, bei einer höheren Temperatur als die erste Phaae stattzufinden. Bildet sich in der ersten Phase nur eine ungenügende Anzahl von Keimen aus, so folgt daraus, daß in dem deformierten Gefüge in der zweiten Phase viele neue Keime entstehen, die als Resultat ein ungleichmäßiges Korngefüge ergeben, und der Draht erhält nicht die gewünschten Eigenschaften. Werden in der ersten Fnase hingegen zu viel Kristallkeime gebildet,, ergibt dies eine kleine Korngröße, womit die Vorteile des KeimbildungBglühens verloren werden. In der Praxis geeohieht dieser Glühprozeß unter Verwendung von drei oder vier Kontaktrollen und einor oder mehreren Stromquellen.so that wire annealed in this way generally has a small grain size. If a coarser grain size is desired, the rhyme formation should be as small as possible Temperature happen. Duron the present invention solves this problem advantageously so that the glow in two Phases is executed. In the first phase a suitable number of nuclei are formed, and 'was through one Adjustment of the temperature so that an exactly desired amount of germs arises in the time available. In the second phase, the germs formed then grow, until complete recrystallization has taken place. This second phase has a higher temperature than the first phase because of the short period of time that is available for it to take place. If only an insufficient number of germs develop in the first phase, it follows that in the Deformed structure in the second phase many new germs arise, which result in an uneven grain structure, and the wire does not acquire the desired properties. If, on the other hand, too many crystal nuclei are formed in the first nose, this results in a small grain size, which is advantageous the nucleation and glow are lost. In practice, this annealing process is accomplished using three or four Contact rollers and one or more power sources.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, in denen zwei lediglich als Beispiele gedachte AusfUhrungsformen dargestellt sind, eingehend beschrieben. ßAD 0R/Q/NAL The invention is described in detail below with reference to the accompanying drawings, in which two embodiments, which are only intended as examples, are shown. ßAD 0R / Q / NAL

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Flg. 1 zeigt das System für ein Zwelphasen-Glühverfahren, bei den der Draht zwischen der ersten und zweiten !'hasej d.h. zwischen Ksirabildungs- und Waohstumsphase nicht gekühlt wird. Flg. 1 shows the system for a dual-phase annealing process at that the wire is not cooled between the first and the second!

Fig. 2 zeigt das System für ein Zweiphasen-GlÜhverfahren, bei dem derDraht zwischen Reimbildungs- und Wachstumsphase gekühlt wird.Fig. 2 shows the system for a two-phase annealing process, at which the wire is cooled between the rhyme formation and growth phases will.

In Flg. 1 lauft der Draht über die Kontaktrollen 1 und 2, wo ^ das Vorwärmen stattfindet. In dieser allgemein üblichen Vorwarraungsphase wird mit so niedrigen Temperaturen gearbeitet, daß der Draht nicht oxydiert und sich in keinem Falle die Rekrietallisatlonskeime bilden. Dieses Torwärmen dient nur als Hilfsphase, worauf auch vereichtet werden kann. Zwischen den Kontaktrollen 2 und 3 geschieht das erfindungsgemäße Keimbildungsglühen, bei dem der Strom so gewählt wird, daß am Ende dieser Phase,im Draht genau die geeignete Menge Kristallkeime vorhanden ist. Unmittelbar an diese Phase schließt sich« ohne daß der Draht inzwischen gekühlt wird, ™ zwischen den-Kontaktrollen 3 und 5 die Vaohstumsphase an, in der sich die vollständigen Kristalle bilden. Nach dieser aweiten Phase ist dee Gefüge völlig rekrietallisiert worden. Auf der Kontaktroll· 5 wird der Draht so weit abgekühlt, daß der Draht nicht mehr oxydiert. Das Kühlen geschieht gewöhn-· lieh nach konventioneller Methode mittels Wasser, Wasser» emulsion oder dgl·, wobei aleh die Kontaktrolle 5 im Kühlmittel befindet und der Draht durch dieses hindurchläuft. Um eine Oxydation au vermelden, sind die Strecken zwischen den Kontakt-In Flg. 1 the wire runs over the contact rollers 1 and 2, where ^ preheating takes place. In this generally customary prewarning phase, temperatures are used that are so low that the wire does not oxidize and in no case do the recrystallization germs form. This goal warming serves only as an auxiliary phase, after which it can also be declared. The nucleation annealing according to the invention takes place between the contact rollers 2 and 3 , in which the current is selected so that at the end of this phase, precisely the appropriate amount of crystal nuclei is present in the wire. Immediately after this phase, “without the wire being cooled in the meantime,” follows between the contact rollers 3 and 5 the phase of occurrence in which the complete crystals are formed. After this second phase, the structure has been completely re-crystallized. The wire is cooled down on the contact roller 5 to such an extent that the wire no longer oxidizes. The cooling is usually done according to the conventional method by means of water, water emulsion or the like, whereby the contact roller 5 is located in the coolant and the wire runs through it. In order to report an oxidation, the distances between the contact

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2 O A ü 8 7 O2 O A ü 8 7 O

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rollen 2-3 und 3 - 5 im allgemeinen mit einem Schutegasmantel versehen. Auf der Strecke zwischen den Kontaktrollen 5 und 6 wird der Draht einer leichten Trookenerwärraung unterworfen, welche in so niedrigen Temperaturen durchgeführt wird, daß keine Oxydation am Draht geoohieht und in keinem Falle ein Kornwachstum auftreten kann.roll 2-3 and 3 - 5 generally with a Schutegas coat Mistake. On the path between the contact rollers 5 and 6, the wire is subjected to a slight drying process, which is carried out at such low temperatures that no oxidation occurs on the wire and in no case does it occur Grain growth can occur.

Das in Fig. 2 dargestellte System unterscheidet sich von dem System in Fig. 1 dadurch, daß nach der Keimbildungspnase (zwischen den Kontaktrollen 2 und 3) auf die gleiche Weise wie an der Kontaktrolle 5 des oben beechriebenen Beispiele auch eine Kühlung der Kontaktrolle 3 erfolgt. Zwischen den Kontaktrollen 3 und 4 findet, wie auf der Strecke der Kontaktrollen 1 - 2 , ein Vorwärmen des Drahtes statt, auf das jedoch gegebenenfalls auch verzichtet werden kann. Duroh diese Anordnung wird erreicht, daß die Kontaktrolle 3 weder durch Oxydation noch durch Verunreinigung beschädigt wird, wie das bei dem in Fig. 1 gezeigten System leicht der Fall sein kann. Das nachfolgende Glühen geschieht in der in Fig. 1 dargestellten Weise.The system shown in Fig. 2 differs from that System in Fig. 1 in that after the nucleation phase (between the contact rollers 2 and 3) in the same way as on the contact roller 5 of the example described above the contact roller 3 is cooled. Between the contact rollers 3 and 4 takes place, as on the route of the contact rollers 1 - 2, the wire is preheated, but this can also be dispensed with if necessary. Duroh this arrangement is achieved that the contact roller 3 neither through Oxidation is still damaged by contamination, as is easily the case with the system shown in FIG. 1 can. The subsequent annealing takes place in the manner shown in FIG. 1.

Hit dem erfindungsgemäßen Verfahren wurden mit Erfolg Gewebedrähte (Fourdrinier-Lrähtβ) geglüht. Beim Glühen von Qewebe-Schußdrähten (80 Cu, 20 $> Zn) wurde bei einem Drahtdurohtnesser von 0.23 mm und einer Ziehgeechwindigkelt von 8.8ra/e nach dem konventionellen Verfahren, d.h. mit einem Einphasen-Verfahren, für die 0.2-Grense ein Winimumwert von 16.5 kp/r"With the method according to the invention, fabric wires (Fourdrinier wire) were annealed with success. When annealing Qewebe weft wires (80 i » Cu, 20 $> Zn), a wire diameter of 0.23 mm and a drawing speed of 8.8ra / e according to the conventional process, ie with a single-phase process, was used for the 0.2 grense Maximum value of 16.5 kp / r " und für die Korngröße ein Maximalwert von etwa 0.008 mm er-and a maximum value of about 0.008 mm for the grain size

10 9 8 3 8/1032 8 *D 0RJG/NAL 10 9 8 3 8/1032 8 * D 0RJG / NAL

zielt. Kit dem erfindungsgemäßen Zweiphasen-Verfahren wurde unter den gleichen Verhältnissen für die 0.2-Grenze der Wertaims. Kit the two-phase process according to the invention was under the same conditions for the 0.2 limit the value

12.8 kp/nua und für die Korngröße der Wert 0.025 mm erzielt. Bei dem Einphasen-Verfahren betrug die Länge der Glühstreeke etwa 800 mm, beim Zweiphasen-Verfahren war die KeimbilcUmgestrecke etv/a 1400 mm lang. Die Temperatur betrug am Ende der ersten Phase etwa 400 - 5000C, am Ende der zweiten Phase etwa 850 - 95O0C.12.8 kp / nua and the value 0.025 mm for the grain size is achieved. In the single-phase process, the length of the annealing line was about 800 mm; in the two-phase process, the germinal path was about 1400 mm long. The temperature was about at the end of the first phase, 400 to 500 0 C, at the end of the second phase is about 850 - 95O 0 C.

Bei Simulierversuchen wurden zwei Stromimpulee passender Stärke und Dauer in den Draht eingespeist und der Draht wurde dazwischen gekühlt. Die Länge des Drahtes betrug in der Verwendeten Vorrichtung etwa 250 mm, die Dauer der Stromimpulse betrug 50 - 300 ma und als Kühlmittel diente ein Wasserstoff-Gasstrom. Pur reinen Nickeldraht (Durchmesser 0.17 ram) ergab sich bei einer Temperatur von ca. 3000C in der ersten Phase und etwa 10000C in der zweiten Phase ein 0.2-Grenzwert vonIn simulation tests, two current pulses of suitable strength and duration were fed into the wire and the wire was cooled in between. The length of the wire in the device used was about 250 mm, the duration of the current pulses was 50-300 ma and a hydrogen gas stream was used as the coolant. Pure nickel wire (diameter 0.17 ram) resulted at a temperature of approx. 300 ° C. in the first phase and approx. 1000 ° C. in the second phase, a 0.2 limit value of

15.9 kp/mm . Blieb die Temperatur in der ersten Phase (Keim- ä bildung) niedriger oder stieg sie höher als der genannte Wwet, so wurden mit der gleichen HauptglUhphase für die 0.2-Grease Werte von 18.1 - 19.0 kp/mm erzielt. Bei Versuchen mit reinem Kupferdraht (Durchmesser 0.15 ram) wurde nach geeignetem Vorwärmen (ca. 25O0C) für die C.2-Grenz® der Wert 6.9 kp/mm er« halten, während er ansonsten bei etwa 7*5 kp/mm lag. lsi der zweiten Glühphase der Versuohe mit Kupfardraht.wurde die Temperatur bis auf etwa 95O0C gesteigert. Die Wirkung ist bei Cu-Draht, wie auch aufgrund der gemachten Ausführungen zp. erwarten ist, relativ gering. : ..'-■ .:=;■'« 15.9 kg / mm. 19.0 kgf / mm obtained - the temperature remained in the first phase (germ, etc. formation) is lower or higher than it rose said W WET, so were the same HauptglUhphase for 0.2 Grease-values of 18.1. In experiments with pure copper wire (diameter 00:15 ram) (25O 0 C ca.) the value of 6.9 kgf / mm, it "has been after suitable preheating for C.2-Grenz® hold while he otherwise at about 7 * 5 kgf / mm lay. to about 95O 0 C increased lsi the second glow phase the Versuohe Kupfardraht.wurde with the temperature. The effect is with Cu wire, as also due to the explanations made zp. expect is relatively low. : ..'- ■ .: =; ■ '«

109838/1032 '.: BADORiGiNAL109838/1032 '.: BADORiGiNAL

- ίο -- ίο -

Die angegebenen Temperaturen sind nur als Richtwerte zu betrachten, denn sie werden von einer großen Anzahl Paktoren beeinflußt, wie z.B. der Ziehgeschwindigkeit, dem Schutzgas, der Kühlung, der Drahtstärke, der Länge der Glühstrecke, der Solidustemperatur usw.The specified temperatures are only to be regarded as guidelines, because they are influenced by a large number of factors, such as the drawing speed, the protective gas, the cooling, the wire thickness, the length of the annealing section, the Solidus temperature etc.

Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich auch im Zusammenhang mit induktiver Erhitzung anwenden, was jedoch beim gegenwärtigen Stand der Technik noch nicht in Frage kommen dürfte, da die induktive Erhitzung nur dann verwendet wird, wenn es sich um niedrige Arbeitsgeschwindigkeiten oder niedrige Temperaturen handelt.The method according to the invention can also be used in connection use with inductive heating, which, however, should not yet come into question with the current state of the art, because inductive heating is only used when the working speed is low or the temperature is low acts.

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Claims (3)

- ii - Patentansprüche- ii - Claims 1. Kontinuierliches Draht-WiderstandsglUhverfehren sur Vergröberung der ICorngeftlge, dadurch gekennzeichnet, daß das Glühen in zwei Phasen ausgeführt wird, wobei in der ereten Phase (2 - 3) bei einer empirisch bestimmten Temperatur, die u.a.* von der Ziehgoschwindigkeit, dem-verwendeten Schutagas, der Kühlung, der DrehtstUrke, der GlUhstrecklönge und der Solidustemperatur dec Drahtes mitbeotirarat wird, eine kontrollierbare Kenge Keime erzeugt wird, worauf dann in dor avsiten Phase (4 - 5) das eigentliche Glühen so vorgenommen wird, daß der Draht nach Abschluß der Phase vollständig re» kristallisiert ist.1. Continuous wire resistance annealing process for coarsening der ICorngeftlge, characterized in that the Annealing is carried out in two phases, being in the ereten Phase (2 - 3) at an empirically determined temperature, the a.o. * from the pulling speed, the shutagas used, the cooling, the turntable, the glow stretching length and the solidus temperature of the wire is taken, a controllable kenge germs are generated, whereupon the actual annealing is carried out in the avsiten phase (4 - 5) is that the wire is completely re » is crystallized. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht zwischen der- ersten (2 - 3) und zweiten Phase (4-5) gekühlt wird. - |2. The method according to claim 1, characterized in that the Wire between the first (2 - 3) and second phase (4-5) is cooled. - | 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Draht aus Kupfer oder einer Kupferlegierung verwendet wird.3. The method according to claim 1, characterized in that a wire made of copper or a copper alloy is used. BAD ORIGINAL 109838/1032 BATH ORIGINAL 109838/1032
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