DE2023894C

DE2023894C - Input circuit for a receiver for high-frequency electrical oscillations

Info

Publication number: DE2023894C
Application number: DE19702023894
Authority: DE
Inventors: Kamil Yousif Chicago 111 Jabbar (V St A )
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1969-05-15
Filing date: 1970-05-15
Publication date: 1973-02-15

Description

Die Erfindung betrifft eine Eingangsschaltung für einen Empfänger für hochfrequente elektrische Schwingungen mit selbsttätiger Verstärkungsregelung und mit einem elektronisch abstimmbaren Schwingkreis zur Kopplung der Antenne auf cYk Eingangselektrode eines Transistors. The invention relates to an input circuit for a receiver for high-frequency electrical oscillations with automatic gain control and with an electronically tunable resonant circuit for coupling the antenna to the cYk input electrode of a transistor.

Bei derartigen Eingangsschaltungen empfiehlt es sich, für die elektronische Abstimmung des Schwingkreises zwischen der Antenne und der ersten Stufe des HF-Verstärkers eine spannungsabhängig veränderliche Kapazität in Form einer Kapazitätsdiode zu verwenden, wodurch sich vielseitige Möglichkeiten für den Schaltungsaufbau des Empfängers ergeben. Diese Möglichkeiten sind besonders günstig für in Fahrzeugen angeordnete HF-Empfänger, für welche es wünschenswert ist, daß die Abstimmung von einer 5 oder mehreren entfernt gelegenen Stellen innerhalb des Fahrzeuges aus erfolgt. Die Verwendung von spannungsabhängigen Kapazitätsdioden zum Abstimmen von Schaltkreisen ist jedoch mit einigen Nachteilen verbunden, insbesondere wenn HF-Signale mitIn such input circuits, it is advisable to electronically tune the resonant circuit between the antenna and the first stage of the RF amplifier a voltage-dependent variable Use capacitance in the form of a capacitance diode, which opens up a wide range of possibilities for the circuit design of the receiver. These options are particularly beneficial for in RF receivers located in vehicles for which it is desirable that the tuning of a 5 or more remote locations within the vehicle. The use of voltage-dependent varactor diodes for tuning circuits, however, have some disadvantages connected, especially when using RF signals

ίο hohem Signalpegel empfangen werden. Da die Kapazitätsdiode spannungsgesteuert ist, spricht sie auf den Signalpegel des angelegten Signals an, wobei bei verhältnismäßig hohen Signalpegeln eine teilweise Gleichrichtung des angelegten Signals durch die Ka-ίο high signal level can be received. As the varactor is voltage-controlled, it responds to the signal level of the applied signal, with relatively high signal levels a partial rectification of the applied signal by the cable

pazitätsdiode erfolgen kann. Dadurch ändert sich die Gleichvorspannung an der Diode, was zu einer Verschlechterung der Wirkungsweise auf Grund der geänderten Kapazitätswerte der in Sperrichtung vorgespannten Kapazitätsdiode führen, und eine Verstimmung des S 'laltkreises bewirken kann.capacitance diode can be made. This changes the DC bias across the diode, resulting in a deterioration the mode of operation due to the changed capacitance values of the reverse biased Lead capacitance diode, and cause a detuning of the S 'laltkreises.

Dieser Nachteil wirkt sich besonders ungünstig in Antennenstufen aus, so daß es wünschenswert ist, eine Lösung zu finden, um das Einwirken hoher Signalpegel auf die spannungsabhängig veränderliche Ab-This disadvantage is particularly unfavorable in antenna stages, so that it is desirable to have one Finding solution to exposure to high signal levels on the voltage-dependent variable

Stimmkapazität in der Koppelschaltung zwischen der Antenne und dem Eingang des Empfängers zu verhindern. To prevent voice capacitance in the coupling circuit between the antenna and the input of the receiver.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Antennenabstimmsystem für Signalempfänger zu schaf-The invention is based on the object of an antenna tuning system for signal receivers to create

fen, bei dem eine Überlastung des abstimmbaren Koppelkreises zwischen der Antenne und dem eingangsseitigen HF-Verstärker kompensiert werden kann, um zu verhindern, daß große Signalpegel an der der Abstimmung dienenden spannungsabhängig veränderlichen Kapazitätsdiode zurr^rndest teilweise gleichgerichtet werden und die Wirkungsweise der Schaltung ungünstig beeinflussen.are fen in which an overload of the tunable coupling circuit between the antenna and the input-side RF amplifier can be compensated, to prevent high signal levels at the lashing of the vote serving voltage-dependent variable capacitance diode ^r nd partially rectified and adversely affect the operation of the circuit .

Diese Aufgabe wird, ausgehend von der erwähnten Eingangsschaltung, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Schwingkreis als ein durch eine spannungsabhängig veränderliche Kapazität abstimmbarer Serienresonanzschwingkreis ausgebildet und zwischen die Antenne und die Eingangselektrode des Transistors geschaltet ist, und daß die Verstärkungsregelspannung derart an eine weitere Elektrode des Transistors angeschaltet ist, daß der Eingan^widerstand des Transistors der Amplitude der Vertärkungsregelspannung folgt und damit die Amplitude der an der spannungsabhängig veränderlichen Kapazität auftretenden Hochfrequenzspannung unterhalb des Schwellwertes für eine Gleichrichtung bleibt.Based on the input circuit mentioned, this object is achieved according to the invention by that the resonant circuit is a series resonant circuit that can be tuned by a voltage-dependent variable capacitance formed and connected between the antenna and the input electrode of the transistor, and that the gain control voltage is connected to another electrode of the transistor in such a way that the input resistance of the transistor follows the amplitude of the gain control voltage and thus the amplitude of the the voltage-dependent variable capacitance occurring high-frequency voltage below the The threshold value for rectification remains.

Eine nach den Merkmalen der Erfindung aufgebaute Eingangsschaltung bietet den Vorteil, daß dadurch die in Durchlaßrichtung wirkende Vorspannung des Transistors verringert und die Eingangsimpedanz derart vergrößert wird, daß der ansteigende Spannungsabfall an der spannungsabhängig veränderlichen Kapazität durch einen vergrößerten Spannungsabfall an der Eingangsimpedanz des Transistors kompensiert bzw. begrenzt wird. Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß der Transistor des HF-Verstärkers in Basisschaltung betrieben ist, wobei der Emitter des Transistors an den Serienresonanzwiderstand angeschlossen ist, und daß die Verstärkungsregelspannung an die Basis des Transistors angelegt ist. Dabei ist es zweckmäßig, für die spannungsabhängig veränderliche Kapazität eine Kapzitätsdiode zu verwenden.An input circuit constructed according to the features of the invention offers the advantage that thereby the forward bias of the transistor is reduced and the input impedance is reduced is increased in such a way that the increasing voltage drop across the voltage-dependent variable Capacity due to an increased voltage drop across the input impedance of the transistor is compensated or limited. An advantageous embodiment of the invention is that the The transistor of the RF amplifier is operated in common base, the emitter of the transistor being connected to the Series resonance resistor is connected, and that the gain control voltage to the base of the Transistor is applied. It is advisable to use one for the voltage-dependent variable capacitance To use capacity diode.

Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Ansprüchen und der aus einer Figur bestehenden Zeichnung hervor, in welcher die Erfindung an Hand eines Schaltbildes dargestellt ist.Further advantages and features of the invention emerge from the following description of an exemplary embodiment in connection with the claims and the drawing consisting of a figure, in which the invention is based on a Is shown in the circuit diagram.

Gemäß der Zeichnung empfangt ein HF-Empfänger für ampliiudenmodulierte Signale die HF-Signale über eine Antenne 9, die zum besseren Verständnis der Schaltung als Spannungsgenerator mit zugehörigen Kapazitäten dargestellt ist. Diese Antenne ist über einen serienabgestimmten LC-Kreis 10 mit dem Eingang eines HF-Verstärkers 11 verbunden, der einen PNP-Transistor 12 in Basisschaltung umfaßt. Die Signale vom LC-Kreis 10 werden an die Basis-Emitteistrecke des Transistors 12 angelegt, der kollektorseitig mit einem abgestimmten Kreis 13 verbunden ist. Dieser abgestimmte Kreis 13 besteht aus einer mit einer Anzapfung versehenen Spule 14. einem Trennkondensator 15 und einem sr annut.gsabhangig'veränderlichen Abstimmkondensator 16. Die beiden Kondensatoren liegen parallel zur Spule 14. Der Abstimmkondensator 16 und die Spule 14 bilder, für den HF-Verstärker einen Resonanzschwingkreis, der über einen bestimmten Frequenzbereich durchstimmbar ist.According to the drawing, an RF receiver for amplitude-modulated signals receives the RF signals via an antenna 9, which for a better understanding of the circuit as a voltage generator with associated Capacities is shown. This antenna is via a series-matched LC circuit 10 with the Connected to the input of an RF amplifier 11, which comprises a PNP transistor 12 in common base. The signals from the LC circuit 10 are applied to the base-emitter path of the transistor 12, the collector side is connected to a coordinated circle 13. This coordinated circle 13 consists of a coil 14 provided with a tap, an isolating capacitor 15 and a sr annut.gsabhangig'veränderbaren Tuning capacitor 16. The two capacitors are parallel to the coil 14. The tuning capacitor 16 and the coil 14 pictures, a resonant circuit for the HF amplifier, which can be tuned over a certain frequency range is.

Der sp; nnungsabhängig veränderliche Abstimmkondensator 16 ist als Halbleiteranordnung mit einem PN-Übergang und zwei Anschlußklemmen ausgebildet und ändert se^;ne Kapazität proportional der angelegten Gleicn-Sperrsr-annung. Abstimmkondensatoren dieser Art, welche mit zunehmender Sperrspannung die Kapazität verringern und damit den kapazitiven Widerstand vergrößern, sind bekannt. Eine Verringerung der Sperrspannung wirkt sich in entgegengesetzter Weise aus, d. h. die Kapazität nimm* zu und damit der kapazitive Widerstand ab. Vorzugsweise werden für derartige Abstimmkondensatoren Varaktordioden benutzt, die eine besonders große Kapazitätsänderurg in Abhängigkeit von der Sperrspannung aufweisen und daher eine Abstimmung über einen großen Frequenzbereich zulassen.The sp; Varying dependent variable tuning capacitor 16 is designed as a semiconductor device with a PN junction and two terminals and changes se ^; ne capacity proportional to the applied locking barrier. Tuning capacitors of this type, which reduce the capacitance with increasing reverse voltage and thus increase the capacitive resistance, are known. A reduction in the reverse voltage has the opposite effect, ie the capacitance increases * and with it the capacitive resistance decreases. Preferably, varactor diodes are used for such tuning capacitors, which have a particularly large change in capacitance as a function of the reverse voltage and therefore allow tuning over a large frequency range.

Die Sperrvorspannung bzw. die Abstimmspannung wird dem Abstimmkondensator 16 vom Schleifer eines Potentiometers 20 aus über einen Entkoppelwiderstand 21 zugeführt und an den Verbindungspunkt zwischen dei«~ Abstimmkondensator 16 und dem Trennkondensator 15 angelegt. Das Potentiometer 20 kann im Empfänger oder auch in einer vom Empfänger entfernt gelegenen Lokalität vorgesehen sein und liefert Gleichspannungen unterschiedlicher Größe für die Abstimmung.The reverse bias or the tuning voltage is applied to the tuning capacitor 16 from the wiper of a potentiometer 20 via a decoupling resistor 21 and to the connection point between the tuning capacitor 16 and the separating capacitor 15 is applied. The potentiometer 20 can be in the receiver or in one of the Receiver remote location can be provided and supplies different DC voltages Size for voting.

Das vom Resonanzschwingkreis 13 über den Abgriff der Spule 14 gelieferte ausgewählte HF-Signal wird an den Eingang einer Mischstufe 25 angelegt, deren zweiter Eingang mit den Signalen eines Überlagerungsoszillators 26 beaufschlagt ist. Dieser Überlagerungsoszillator kann ebenfalls mit Hilfe von spannungsabhängig veränderlichen Kondensatoren abstimmbar sein. Dabei kann die Frequenzeinstellung ebenfalls mit Hilfe eines vom Potentiometer 20 über einen EntkoppcSwiderstand 27 angelegtes Vorspannungspotentiai erfolgen. Durch die Überlagerung der an die Mischstufe 25 angelegten Signale wird ein ZF-Signal erzeugt, das in einem anschließenden ZF-Verstärker 28 »'erstärkt und in einer Detektorstufe 29 demoduliert wi.d. Die Ausgangssignale der Detektorstufe 29 werden einem NF-Verstärker 30 zugeführt und anschließend für die Ansteuerung eines Lautsprechers 31 verwendet. Ein Signal zur automatischen Verstärkungsregelung (AVR) wird vom Detektor 29 über eine Leitung 33 an eine AVR-Stufe geliefert, deren Ausgang mit der Basis des Transistors 12 im HF-Verstärker 11 zur automatischen Verstärkungsregelung verbunden ist.The selected RF signal supplied by the resonance circuit 13 via the tap on the coil 14 is applied to the input of a mixer 25, the second input to the signals of a local oscillator 26 is applied. This local oscillator can also be used with voltage-dependent variable capacitors can be tuned. The frequency setting likewise with the aid of a bias potential applied by the potentiometer 20 via a decoupling resistor 27 respectively. Due to the superposition of the signals applied to the mixer 25, a Generates IF signal, which is strengthened in a subsequent IF amplifier 28 '' and in a detector stage 29 demodulated wi.d. The output signals of the detector stage 29 are fed to an LF amplifier 30 and then used to control a loudspeaker 31. A signal for automatic Gain control (AGC) is from the detector 29 via a line 33 to an AGC stage The output of which is supplied to the base of the transistor 12 in the RF amplifier 11 for automatic gain control connected is.

Neben den spannungsabhängig veränderlichen Ab_r stimmkondensatoren in dem Resonanzscbwingkr.eisIn addition to the voltage-dependent variable from _r voting capacitors in the Resonanzscbwingkr.eis

ίο 13 und im Überlagerungsoszillator 26 ist ein weiterer spannungsabhängig veränderlicher Abstimmkondensator 41 in dem LC-Kreis 10 vorgesehen, der die hohe kapazitive Impedanz der Antenne 9 an die verhältnismäßig niedere Impedanz der Basis-Emitter-ίο 13 and in local oscillator 26 is another voltage-dependent variable tuning capacitor 41 provided in the LC circuit 10, which the high capacitive impedance of the antenna 9 to the relatively low impedance of the base-emitter

strecke des Transistors 12 anpaßt. Dieser LC-Kreis umfaßt ferner eine Induktivität 40 als wesentlichen Bestandteil. An den Verbindungspunkt des Abstimmkonden^ators 41 mit einem Trennkondensator 44 wird über einen weiteren Entkr pelwiderstand 42 diestretch of transistor 12 adapts. This LC circuit also includes an inductor 40 as essential Component. At the connection point of the tuning capacitor 41 with an isolating capacitor 44 is via a further decoupling resistor 42 the

ao Ausgangsspannung vom Potentiometer 20 angelegt. Die Kapazität des Trennkondensators 44 ist derart ausgewählt, daß sie wesentlich größer ist als die Kapazität der übrigen Kondensatoren der Schaltung, so daß sie nur einen geringen Einfluß auf die Wechsel-ao output voltage from potentiometer 20 applied. The capacitance of the isolating capacitor 44 is such selected that it is significantly larger than the capacitance of the remaining capacitors of the circuit, so that they only have a minor influence on the

J5 stromsignale aufweist, während sie die Gleichstromsignale vom Potentiometer 20 abtrennt.J5 has current signals while it has DC signals from the potentiometer 20 separates.

Wenn ein derartiger HF-Empfänger vorzugsweise als Autoradio Verwendung findet, ist die Antenne 9 als kapazitive Peitschenantenne ausgeführt und wird im Ersatzschaltbild als Spannungsgenerator mit einer durch den Kondensator 48 symbolisierten Kapazität dargestellt, welche in Serie zur Kapazität des Trennkondensators 44 und des Abstimmkondensators 41 liegt. Zusätzlich sind weitere Kapazitäten nach Masse vorhanden, die primär als Streukapazitäten im Kabel auftreten, welches die Peitschenantenne mit dem HF-Empfänger verbindet. Diese Kapazitäten sind mit dem Ableitkondensator 49 erfaßt, welcher zwischen dem Verbindungspunkt der Kondensatoren 44 und 48 und Masse liegt. Um den HF-Empfänger derart abzustimmen, daß er das normalerweise empfangene AM-Band erfaßt, kann ein weiterer Ableitkondensator 50 parallel zum Antennenausgang vorgesehen sein, der ebenfalls zwischen dem Verbindungspunkt der Kondensatoren 44 und 48 und Masse liegt. Der Kapazitätswert des Ableitkondensators 50 sollte so ausgewählt werden, daß das für die Durchstimmung des AM-Bandss erforderliche Kapazitätsverhältnis in Zusammenwirken mit den parallelliegenden Kondensatoren 48 und 49 und dem in Serie zu der Parallelschaltung liegenden Kondensator 44 gewährleistet ist.If such an HF receiver is preferably used as a car radio, then the antenna is 9 designed as a capacitive whip antenna and is used in the equivalent circuit as a voltage generator with a represented by the capacitor 48 symbolized capacitance, which is in series with the capacitance of the isolating capacitor 44 and the tuning capacitor 41 is located. In addition, there are additional capacities by mass present, which occur primarily as stray capacitances in the cable which the whip antenna with the RF receiver connects. These capacitances are detected with the bypass capacitor 49, which between the junction of capacitors 44 and 48 and ground. To the RF receiver like that to coordinate that it covers the normally received AM band, another bypass capacitor can be used 50 be provided parallel to the antenna output, which is also between the connection point of capacitors 44 and 48 and ground. The capacitance value of the bypass capacitor 50 should be like this be selected that the capacity ratio required for tuning the AM band in Interaction with the parallel capacitors 48 and 49 and that in series with the parallel circuit lying capacitor 44 is guaranteed.

Um einen üleichstromweg für den dem Abstimmkondensator 41 zur Abstimmung zugeführten Strom zu schaffen, ist ein Widerstand 52 mit hohem Widerstandswert "orgesehen, welcher für die Wechselstromsignale die Wirkung eines offenen Schaltkreises hat. Um zu verhindern, daß die an den Abstimmkondensator 41 zur Abstimmung angelegte veränderliche Spannung den Arbeitspunkt des Transistors 12 ungünstig beeinflußt, ist ein zweiter Trennkondensator 53 zwischen der Induktivität 40 und dem Emitter des Transistors 12 vorgesehen. Entsprechend dem Trennkondensator 44 wird auch dieser Trennkondensator 53 mit einer so großen Kapazität vorgesehen, daß sie im wesentlichen weit über den übrigen Kapazitäten der Schaltung liegt und somit keinen wesentlichen Einfluß auf die Wechselstromsignale ausübt.To provide a direct current path for the current fed to the tuning capacitor 41 for tuning To provide a high resistance resistor 52 is provided which is used for the AC signals has the effect of an open circuit. To prevent that from getting to the tuning capacitor 41 variable voltage applied for tuning the operating point of the transistor 12 unfavorably influenced, is a second separating capacitor 53 between the inductor 40 and the emitter of the Transistor 12 is provided. This separating capacitor is also corresponding to the separating capacitor 44 53 is provided with such a large capacity that it substantially exceeds the other capacities the circuit and thus has no significant influence on the AC signals.

Der GIcichstromarbcitspunkt für den Transistor 12 wird in herkömmlicher Weise mit Hilfe eines Widerstandes 55 eingestellt, der zwischen einer positiven Potcntialqucllc und dem Emitter des Transistors liegt. Ferner ist ein Widerstand 57 für diesen Zweck zwischen die Basis des Transistors 12 und Masse gelegt.The DC current point for transistor 12 is established in a conventional manner by means of a resistor 55 is set, which lies between a positive Potcntialqucllc and the emitter of the transistor. Furthermore, a resistor 57 is placed between the base of transistor 12 and ground for this purpose.

Mit der beschriebenen Schaltung ist es möglich, den LC-Krcis, der im wesentlichen aus der Induktivität 40 und dem Abstimmkondensator 41 besteht, über einen verhältnismäßig großen Rcsonanzfrct|iicnzbcrcich abzustimmen, wobei die Signale über den gesamten Bandbereich im wesentlichen konstant bleiben und mit im wesentlichen konstanter Leistung dem Transistor 12 zugeführt werden. Hs wurde festgestellt, daß, wenn für den Abstimmkondensator 41 eine Diode mit übersteuern Anstieg verwendet wird, ein Frequenzbereich von 435 bis 1620 kHz mit einer konstanten 1OkHz Bandbreite über den gesamten Bereich durchgcstimml werden kann.With the circuit described, it is possible to use the LC circuit, which essentially consists of the inductance 40 and the tuning capacitor 41, over a relatively large resonance frct | iicnzbcrcich to be adjusted, the signals being essentially constant over the entire band range remain and are fed to the transistor 12 with a substantially constant power. Hs was found that if a diode with an overdrive slope is used for the tuning capacitor 41, a frequency range from 435 to 1620 kHz with a constant 10 kHz bandwidth over the entire Area can be voted through.

Wenn an den aus einer Diode bestehenden Abstimmkondensator 41 ein Wcchsclstromsignal mit großem Signalwcrt angelegt wird, besieht eine Tendenz, daß diese Wechselstromsignalc durch die Diode teilweise gleichgerichtet werden. Eine solche Gleichrichtung der Wechselstromsignalc verursacht eine Verschlechterung der Wirkungsweise der Schaltung, in welcher spannungsabhängig veränderliche Kapazitätsdioden Verwendung finden, auf Grund der Verstimmung des Abstimmkondensators durch den gleichgerichteten Signalanteil, der sich der normalen Gleichvorspannung überlagert.When the tuning capacitor 41, which consists of a diode, is connected to an AC current signal large signal word is applied, there is a tendency that these alternating current signals are partially rectified by the diode. Such rectification the AC signalc causes deterioration in the performance of the circuit, in which voltage-dependent variable capacitance diodes are used, due to the detuning of the tuning capacitor through the rectified signal component, which is the normal DC bias superimposed.

LJm die Wcchsclstromübcrlastung auf Grund starker Antcnnensignale zu kompensieren, ist die Basis-Emilterstrccke des Transistors 12 in Serie zum Antcnnenabstimmschaltkreis geschaltet, der den Abstimmkondensator 41 umfaßt. Ferner wird zu diesem Zweck die Spannung zur automatischen Verstärkungsregelung von der AVR-Stufe 34 an den Verbindungspunkt der Basis des Transistors 12 mit dem Widerstand 57 angelegt. Zusätzlich zur automatischen Verstärkungsregelung bewirkt diese Spannung eine Änderung der Eingansimpedanz des Transistors 12 für die HF-Signale, in dem die Impedanz der Basis Emitterslreckc, die in Serie zu dem abstimmbaren LC-Krcis 10 liegt, geändert wird.LJm the AC power overload due to strong Compensating antenna signals is the basic principle of the transistor 12 connected in series to the antenna tuning circuit, the tuning capacitor 41 includes. Also, for this purpose, the voltage is used for automatic gain control from the AGC stage 34 to the junction of the base of transistor 12 with the Resistor 57 applied. In addition to automatic gain control, this causes voltage a change in the input impedance of the transistor 12 for the RF signals, in which the impedance of the base Emitterslreckc, which is in series with the tunable LC circuit 10, is changed.

Wenn die Spannung zur automatischen Verstärkungsregelung in Abhängigkeit von einem ansteigenden Signalpegcl größer wird, ändert sich die Vorspannung an der Basis des Transistors 12 derart, daß der Transistor weniger leitet. Dies äußert sich als Vergrößerung der wirksamen Eingangsimpedanz der Basis-Emitterstreckc bezüglich der Ausgangsimpedan/, des LC-Kreiscs. Damit ergibt sich ein größerer HF-Spannungsabfall an der Emitterstrecke des Transistors 12, so daß die HF-Spannung am Abstimmkondensator 41 sich mit ansteigenden Antcnncnsignalen nicht vergrößert. Die am Abstimmkondensator 41When the voltage to automatic gain control depending on an increasing Signalpegcl becomes larger, the bias voltage at the base of the transistor 12 changes in such a way that the transistor conducts less. This manifests itself as an increase in the effective input impedance of the Base-emitter distance with respect to the output impedance /, of the LC circle. This results in a larger HF voltage drop across the emitter path of the transistor 12, so that the HF voltage at the tuning capacitor 41 increases with increasing Antcnncnsignalen not enlarged. The ones on the tuning capacitor 41

ao wirksame HF-Spannung ist somit auf einen Wert begrenzt, der unterhalb demjenigen Wert liegt, bei welchem die als Trennkondensator 41 verwendete Diode des Wechsclstromsignal zumindest teilweise gleichrichten würde.ao effective HF voltage is thus limited to a value which is below the value at which rectify the diode of the alternating current signal used as the isolating capacitor 41 at least partially would.

Durch das Anschalten der von dem serienabgestimmte!. LC-Kreis 10 gelieferten HF-Eingangssignale an die Basis-Emitterstrccke des Transistors 12 im HF-Verstärker 1 ist es möglich, die Spannung zur automatischen Verstärkungsregelung für eine zwcifache Funktion in der Schaltung zu verwenden, nämlich eiiiiiicil /au Vuisiärkungsregeiung des HF-Verstärkers und zum andern zur Vergrößerung der Scrienimpedanz für das HF-Signal bei ansteigendem Signalpegcl. Als Ergebnis werden die an den aus einer Diode bestehenden Abstimmkondensator 41 von der Antenne 9 angelegten HF-Signale unter einem Pegelwert gehalten, bei welchem die Diode die Signale gleichrichten würde.By switching on the !. LC circuit 10 supplied RF input signals to the base-emitter path of the transistor 12 in the HF amplifier 1 it is possible to adjust the voltage for automatic gain control for a twofold Function to use in the circuit, namely eiiiiiicil / au Vuisiärkungsregeiung the RF amplifier and on the other hand to increase the signal impedance for the RF signal with increasing signal level. As a result, the diode tuning capacitor 41 of the RF signals applied to the antenna 9 are kept below a level at which the diode receives the signals would rectify.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Input circuit for a receiver for high-frequency electrical oscillations with automatic gain control and with an electronically tunable resonant circuit for Coupling of the antenna to the input electrode of a transistor, characterized in that that the resonant circuit as a voltage-dependent variable capacitance (41) tunable series resonant circuit (10) and formed between the antenna and the Input electrode of the transistor is connected, and that the gain control voltage so on another electrode of the transistor is switched on. that the input resistance of the transistor the amplitude of the gain control voltage and thus the amplitude of the voltage-dependent variable capacitance occurring high-frequency voltage below the The threshold value for rectification remains.

2. Input circuit according to claim 1, characterized in that the transistor (12) of the RF amplifier (11) is operated in a basic circuit. the emitter of the transistor to the Series resonance resistor is connected, and that the gain control voltage to the base of the transistor (12) is applied.

3. input circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the voltage-dependent variable capacitance is a capacitance diode.

4. Circuit according to one of claims 1 to 3, characterized in that the control devices are designed as automatic gain control, which a voltage for automatic Supply gain control to the base of the transistor (12) and thereby the in Forward biasing ng of the transistor decrease to the input impedance to enlarge the emitter-base path in such a way that the voltage drop across the voltage-dependent variable capacitor due to an increased voltage drop at the input impedance of the transistor is limited.

5. A circuit according to claim 4, characterized in that the voltage-dependent variable Capacitor consists of a varactor diode in the series-matched coupling circuit connected in series between the antenna and the emitter of the transistor of the RF amplifier is.