DE2021922C

DE2021922C - Method for manufacturing a semiconductor device

Info

Publication number: DE2021922C
Application number: DE19702021922
Authority: DE
Inventors: Reinhold 7100 Heil bronn Kaiser
Original assignee: Licentia Patent Verwaitungs GmbH, 6000 Frankfurt
Filing date: 1970-05-05
Publication date: 1973-06-14

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem in einer auf dem Halbleiterkörper befindlichen Isolierschicht öffnungen wie z. B. Kontaktierungsfenster mit Hilfe einer photoempfindlichen Schicht als Ätzmaske hergestellt werden. Die Erfindung besteht bei einem solchen Verfahrer: darin, daß vor dem Herstellen der öffnungen und vor dem Aufbringen der photoempfindlichen Schicht eine Metallschicht als Zwischenschicht zwischen der Isolierschicht und der photoempfindlichen Schicht auf die Isolierschicht aufgebracht wird. Diese Metallschicht wird beim Aufbringen des Elektrodenmaterials auf der Isolierschicht belassen.The invention relates to a method for producing a semiconductor arrangement in which in a the semiconductor body located insulating layer openings such. B. Contact window with help a photosensitive layer can be produced as an etching mask. The invention consists in such Processor: in that before making the openings and before applying the photosensitive Layer a metal layer as an intermediate layer between the insulating layer and the photosensitive layer Layer is applied to the insulating layer. This metal layer is when the Leave electrode material on the insulating layer.

Die Erfindung findet beispielsweise bei der Herstellung von bipolaren Transistoren, Dioden, Sperrschichtfeldeffekttransistoren, gesteuerten Gleichrichtern, Widerständen, Kapazitäten sowie Schaltkreisen mit den genannten Bauelementen Anwendung. Die Erfindung hat den Vorteil, daß durch sie die Stabilität der Halbleiteranordnungen verbessert wird.The invention is used, for example, in the manufacture of bipolar transistors, diodes, junction field effect transistors, controlled rectifiers, resistors, capacitors and circuits with the components mentioned. the The invention has the advantage that it improves the stability of the semiconductor arrangements.

Ist die Erfindung, die bei Halbleiteranordnungen Anwendung findet, deren Isolierschicht mit Hilfe einer photoempfindlichen Schicht als Ätzmaske strukturiert ätzbar ist, zur Kontaktierung von Halb-Is the invention, which is used in semiconductor devices, their insulating layer with the help a photosensitive layer can be etched in a structured manner as an etching mask, for contacting half-

ieiieranordnungen vorgesehen, so wird die photoempfindliche Schicht nach dem Herstellen der Öffnungen(en) entfernt und beispielsweise auf die bereits vorhandene Metallschicht eine zweite Metallschicht aufgebracht, die auch den durch die öffnunmen) freigelegten Bereich der Halbleiteroberfläche bedeckt. Anschließend werden die für die Elektrode^) nicht benötigten Teile der beiden Metallschich- ;en entfernt. Dies geschieht beispielsweise mit Fülle _si_i photolithographischen Ätztechnik unter Verweil-J,uiig einer photoempfindlichen Schicht, die im allgemeinen aus einem Lack besteht. Sowohl die als Zwischenschicht vorgesehene Metallschicht als auch die üir das Elktrodenmaterial vorgesehene (zweite) Mc-, !!schicht können hiespidsweise durch Aufdampfen I¹.■_■!gestellt werden.In other words, the photosensitive layer is removed after the opening (s) have been produced and, for example, a second metal layer is applied to the existing metal layer, which also covers the area of the semiconductor surface exposed by the openings. Then the parts of the two metal layers not required for the electrode ^) are removed. This happens for example with abundance _s i_i photolithographic etching technique indwelling J, uiig a photosensitive layer consisting of a paint in general. Both provided as an intermediate layer metal layer! Be and the üir the Elktrodenmaterial envisaged (second) Mc-, !! layer can hiespidsweise by evaporating I ^1. ■ _ ■ asked.

knie Halbleiterdiode wird nach der Erfindung \ iielsweisc dadurch hergestellt, daß die eine C .v-rflächenseite eines Halbleiterkörper mit einer I iierschicht bedeckt, in diese Isolierschicht eine ( MUing als Diffusionsfenster eingebracht und durch ι; . e Öffnung eine Diilusions/oiie in den Halbleiter ]. per eindiffundiert wird, die den entgegengesetzten I üungslyp aufweist wie der Halbleiterkörper. Anschließend wird auf die während oder nach der Diffi: ion wieder geschlossene Isolierschicht eine Metalli.hiiht und auf diese Metallschicht eine photoemp liüdiichc Schicht aufgebracht und mit Hilfe der photi .'iihographischcn Ätztechnik ein KontaktierungslVu-.ter zui Kontaktierung der in den Halbleiterkörp..; eindiffundierten Halbleiterzone in die Metallschicht sowie in die darunter befindliche Isolierschicht eingebracht und die durch das Kontakticruiiiisfenster freigelegte Halbleiteroberfläche mit 1-!elktrodenmaterial bedeckt, wobei die Metallschicht auf der Isolierschicht belassen wird.Knee-semiconductor diode according to the invention \ iielsweisc prepared by a C .v-rflächenseite a semiconductor body having an I iierschicht covered introduced a (MUing as diffusion windows in this insulating layer and ι;. e opening a Diilusions / oiie in the semiconductor ]. by diffusing in, which has the opposite shape to that of the semiconductor body. Subsequently, a metal layer is attached to the insulating layer, which is closed again during or after the diffusion, and a photo-sensitive layer is applied to this metal layer and with the help of the photographic layer. A historical etching technique is used to make contact with the diffused semiconductor zone in the metal layer and the insulating layer underneath, and the semiconductor surface exposed through the contact window is covered with electrode material, the metal layer being left on the insulating layer .

Zur Herstellung eines Transistors nach der Erfin-.K;n.i wird beispielsweise die eine OberlTäclienseite eines Halbleiterkörpers vom Leitungstyp der Kol'ekloi/one mit einer Isolierschicht bedeckt und durch ein Basisdiffusionsfenster in dieser Isolierschicht die Baiszone und durch ein Emitterdiffusionsfenster in dieser Isolierschicht die Emitterzone in den Halblei icrkörper eindiffunu'.ert. Nach dieser Diffusion wird auf die während oder nach der Emitterdiffusion wieder geschlossene Isolierschicht eine Metallschicht und auf diese Metallschicht eine photoempfindliche Schicht aufgebracht. Anschließend werden mit HilfeFor the production of a transistor according to the invention .K; n.i is, for example, one upper side of a semiconductor body of the Kol'ekloi / one conduction type covered with an insulating layer and through a base diffusion window in this insulating layer Base zone and through an emitter diffusion window in this insulating layer the emitter zone in the semicon diffused into the body. After this diffusion, there is an effect during or after the emitter diffusion again closed insulating layer a metal layer and on this metal layer a photosensitive Layer applied. Subsequently, with help

2525th

der photlithographischcn Ätztechnik Kontaktierungsfenster zur Kontaktierung der Emitter-, Basis- und 50 schicht 2' durchätzt wird, als Atzmaske. Die gegebenenfalls auch der Kollektorzone in die Metallschicht sowie in die darunter befindliche Isolierschicht eingebracht. Die durch die Kontaktierungsfenster freigelegte Halbleiteroberfläche wird dannthe photlithographic etching technology contacting window for contacting the emitter, base and 50 layer 2 'is etched through, as an etching mask. the possibly also the collector zone in the metal layer and in the insulating layer below brought in. The semiconductor surface exposed by the contacting window is then

liziumnilrid, Aluminiumoxyd oder Oxyden oder Nitriden anderer Elemente.silicon nitride, aluminum oxide or oxides or nitrides other elements.

Die Erfindung wird im folgenden an Auslührungsbeispielen erläutert.The invention is explained below using exemplary embodiments.

Das erste Ausfülmmgsbeispiel belaßt sich mit der Flerstellung einer Planardiode nach der Erfmduig. Zur Herstellung einer solchen Diode geht man gemäß der F i g. 1 von einem Halbleiterkörper I aus, der beispielsweise aus Silizium besieht. Zur Herstellung einer auf einen begrenzten Bereich des Halbleiterkörpers beschränkten Diffusionszone wird aui die eine Überflächenseile des Halbleiterkörpers I eine Isolierschicht 2 als Diffusionsmaske aufgebracht, die beispielsweise aus Siliziumdioxyt! besteht.The first Ausfülmmgsbeispiel leaves itself with the production of a planar diode according to the invention. To produce such a diode, one proceeds according to FIG. 1 from a semiconductor body I, which is made of silicon, for example. For the production of a limited area of the semiconductor body limited diffusion zone is also the one surface ropes of the semiconductor body I. an insulating layer 2 applied as a diffusion mask, for example made of silicon dioxide! consists.

In Hew Isolierschicht 2 wird anschließend gemäß der F i g. 2 ein Dittusionslenster 3 L-ingebratht, durch das die Halbleiterzone-» nach der I 1 g. " in den Halbleiterkörper 1 eindiffundiert wird. Die I IaIb-Ieiterzone4 hat zur Bildung des für die Diode ei Uuderlichen pn-Überganges den entgegengesetzten Iatung»-'\p wie der Halbleiterkörper. Da das Koniakuerungsfenseier zur Kontaktierung der Halbleiterzone 4 kleiner als das Ditl'usionsfenster sein soll, muß das Diffusionsfenster 3 wahrend oder nach der DiliiiMon wieder geschlossen werden, und ;.war durch eine Isolierschicht 2', die im allgemeinen während der DilUision durch eine Diffusionsbehandlung in oxydierender Atmosphäre hergestellt wird.In Hew insulating layer 2 is then according to the F i g. 2 a dittusion window 3 L-fried through which the semiconductor zone- »after the I 1 g. " in the semiconductor body 1 is diffused in. The I IaIb ladder zone 4 has the opposite value for the formation of the pn junction, which is external to the diode like the semiconductor body. Because the Koniakuerungsfenseier To make contact with the semiconductor zone 4, it must be smaller than the dispersion window Diffusion window 3 can be closed again during or after the DiliiiMon, and; .was through an insulating layer 2 ', which generally occurs during the DilUision is produced by a diffusion treatment in an oxidizing atmosphere.

Zur Herstellung eines Koniaktierungslensters in der Isolierschicht 2' wird nun nicht wie bei bekannten Verfahren unmittelbar auf die Isolierschicht eine photoempfindliche Schicht aufgebracht, sondern gemäß der F i g. 4 zunächst eine Zwischenschicht 5 au»· Metall, auf die dann erst gemäß der F i g. 5 die Unempfindliche Schicht 6 aufgebracht wird. Die tallzwischenschicht 5 besteht beispielsweise aus minium.To create a contact window in the insulating layer 2 'is now not, as in known methods, directly onto the insulating layer photosensitive layer applied, but according to the F i g. 4 first of all an intermediate layer 5 made of Metal, on which then only according to FIG. 5 the insensitive layer 6 is applied. the tall interlayer 5 consists, for example, of minium.

Zur Herstellung des Kontaktierungsfensters anschließend die photoempfindliche Schicht 6 striikturiert belichtet und mit einer Lösung behandelt, die gemäß der Fig. 6 denjenigen Teil aus der photoempfindlichen Schicht herauslöst, der den Bereich des Kontaktierungsfensters bedeckt. Durch den I ösungsprozeß entstein in der photoempfindlichen Schicht 6 die Öffnung7, die als Kontaktierungsfenster durch einen Ätzprozeß gemäß der Fig. 7 anschließend bis zu- Halbleiteroberfläche ausgedehnt wird. Die photoempfindliche Schicht 6 dient bei diesem Ätzprozeß, bei dem auße: der Metallschicht 5 auch die Isolier-To produce the contacting window, the photosensitive layer 6 is then exposed in a structured manner and treated with a solution which, according to FIG. 6, removes that part from the photosensitive layer which covers the area of the contacting window. As a result of the dissolution process, the opening 7 in the photosensitive layer 6 is pitted, which is then expanded as a contacting window by an etching process according to FIG. 7 to the semiconductor surface. The photosensitive layer 6 is used in this etching process, in which on the outside: the metal layer 5 also the insulating

-■ "ig.«- ■ "ig."

zeigt das Kerstellungsstadium der Halbleiterdiode ohne die photoempfindliche Schicht 6, d. h. also nach dem Entfernen dieser Schicht.
Nachdem Freilegen der Halbleiteroberfläche undshows the stage of production of the semiconductor diode without the photosensitive layer 6, that is to say after this layer has been removed.
After exposing the semiconductor surface and

ιο-Ν Ie-ιο-Ν Ie-

Λ kitt i idΛ kitt i id

Nachdem FregAfter Friday

schließlich noch mit Elektrodenmaterial bedeckt, wo- 55 nach dem Entfernen der photoempfindhchcn Schichtfinally covered with electrode material, after which the photosensitive layer has been removed

wird auf die erste Metallschicht 5 sowie auf den durch das Kontaktierungsfenster 7 freigelegten Beh d F i 9is applied to the first metal layer 5 and to the container exposed by the contacting window 7 d F i 9

bei die Metallschicht auf der Isolierschicht belassen wird.leaving the metal layer on the insulating layer.

Die als Zwischenschicht zwischen der Isolierschicht und der photoempfindlichen Schicht vorgesehene Metallschicht besteht beispielsweise aus Aluminium, Gold, Chrom oder Platin. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist zwischen der Isolierschicht und der photoempfindlichen Schicht außer der Metallschicht noch eine weitere ZwischenschichtThe one provided as an intermediate layer between the insulating layer and the photosensitive layer The metal layer consists, for example, of aluminum, gold, chrome or platinum. According to a Further development of the invention is except between the insulating layer and the photosensitive layer Another intermediate layer on top of the metal layer

durch das Kg gby the Kg g

reich der Halbleiteroberfläche nach der F i g. 9 eine zweite Metallschicht8 aufgebracht, die zur Kontaktierung der in dei Halbleiterkörper 1 eindiffundierten Halbleiterzone 4 dient. Die erste Metallschicht wird also beim Aufbringen des Elektrodenmaterials (zweite Metallschicht) auf der Oberfläche belassen. Die zweite Metallschicht 8 wird ebenso wie die ersterich of the semiconductor surface according to FIG. 9 a second metal layer 8 is applied, which is used for contacting which is used in the semiconductor zone 4 diffused into the semiconductor body 1. The first layer of metal is left on the surface when the electrode material is applied (second metal layer). The second metal layer 8 is just like the first

i fdf Al Mti fdf Al Mt

Die zweite MeThe second me

als Getter- oder Passivierungsschicht vorgesehen, die 65 Metallschicht 5 vorzugsweise aufgedampft. Als Mate-provided as a getter or passivation layer, the metal layer 5 preferably vapor-deposited. As a mate

lihih rial für die zweite Metallschicht 8 eignet sich beilihih rial for the second metal layer 8 is suitable

spielsweise ebenfalls Aluminium. Die beiden MeUiIlhihten können natürlich auch aus verschiedenenfor example also aluminum. The two seams can of course also from different

a g ga g g

zwischen der Metallschicht und der Isolierschicht angeordnet ist. Diese Getter- bzw. Passivierungsschicht besleht beispielsweise aus dotiertem Siliziumoxyd, Sispielsweise ebenfasarranged between the metal layer and the insulating layer is. This getter or passivation layer is made of doped silicon oxide, for example also

schichten können natürlich auch aus verschiedenenlayers can of course also consist of different ones

Materialien bestehen. Die endgültige Struktur der zur 2' hergestellt wird. In der Fig. 16 ist die photoemp-Materials exist. The final structure that will be made for the 2 '. In Fig. 16 the photoemp-

Kontaktierung der Halbleitcrzonc 4 vorgesehenen findlichc Schicht 6, die im allgemeinen cine I ack-Contacting the semiconductor zone 4 provided sensitive layer 6, which is generally a back-

Elektrodc erhält man durch Entfernen der für diese schicht ist, wieder entfernt, während bei der Anord-Electrodc is obtained by removing the one for this layer, removed again, while with the arrangement

Eleklrode nicht benötigten Teile der beiden Metall- nung der Fig. 17 das eigentliche ElektrodenmaterialElectrode parts of the two metal parts of FIG. 17 that are not required are the actual electrode material

schichten, beispielsweise durch strukturiertes Ätzen, 5 aufgebracht ist, nämlich die Metallschichte, die denlayers, for example by structured etching, 5 is applied, namely the metal layer that the

bei dem außer den nicht mehr benötigten Teilen der freigelegten Teil der Halbleiteroberfläche sowie diein the case of the parts that are no longer required, the exposed part of the semiconductor surface and the

zweiten Metallschicht auch die nicht mehr benötigten Metallschicht S bedeckt.second metal layer also covers the metal layer S that is no longer required.

Teile der ersten MetallschichtS weggeätzt werden. Die Fig. 18 zeigt die Halbleiterdiode mit der fer-Die fertige Halbleiterdiode mit der fertigen Kontakt- tigen Elektrodenstruktur, die im Bereich des Kontakelektrode 9 zeigt die Fig. 10. Zur Kontaktierung des io tierungsfensters unmittelbar die Halbleiteroberfläche in der Fig. 10 noch nicht kontaktierten Halbleiter- bedeckt, während sie außerhalb des Kontaktierungskörpers kann auf der der Kontaktelektrode 9 gegen- bereichs auf der Schichtenfolge Getter- bzw. Passiübcrlicgenden Seite am Halbleiterkörper eine Elek- vierungsschicht sowie Isolierschicht aufliegt. Bei dietrode angebracht werden. scr Betrachtungsweise wird der bei der fertigen HaIb-An dieser Stelle sei erwähnt, daß sowohl bei dem 15 leiteranordnung verbleibende Teil der Metallbisherigen Ausführungsbeispiel als auch bei den fol- schicht 5 als Teil der Elektrode betrachtet, da die genden Ausführungsbeispielen der photolithographi- außerhalb des eigentlichen Kontaktierungsbereichs sehe Ätzprozeß lediglich im Zusammenhang mit der übereinanderliegenden Teile der beiden Metall-Hersteüung des Kontaktierungsfensters näher erläu- schichten praktisch eine Einheit bilden, was vor altert wird, da es bei diesem Herstellungsprozeß beson- ao lern der Fall ist, wenn für beide Metallschichten das dcrs auf die Verwendung der Metallzwischenschicht gleiche Material verwendet wird,
nach der Erfindung ankommt, während bei den übri- Das nächste Ausführungsbeispiel befaßt sich mit gen photolithographischen Prozessen wie beispiels- der Herstellung eines Planartransistors nach der Erweise bei der Herstellung des Diffusionsfensters oder findung. Die Fig. 19 zeigt ein Herstellungsstadium, bei der Herstellung der Struktur für die Kontaktelek- 25 bei dem in einen Halbleiterkörper 1 vom Leitungstyp trode auf den phot.oliihogranhischcn Prozeß nicht der Kollektorzone mit einer auf der Halbleiterobernäher eingegangen wird. " fläche befindlichen Isolierschicht 2 bereits die Basis-Die Fig. 11 bis 18 entsprechen den Fig.4 bis 10 zone4 sowie die Emitterzone 10 eingebracht sind, des ersten Ausführungsbeispiels und befassen sich Obwohl die aus der Fig. 19 ersichtliche Isoliercbenfalls mit der Herstellung'einer Planardiode. Im 30 schicht 2 sich eigentlich aus der bereits bei der Basis-Gegensatz zum ersten Ausführungsbeispiel ist jedoch diffusion vorhandenen Isolierschicht 2, der im allgebei dem zweiten Ausführungsbeispiel der Fig. Il bis meinen während der Basisdiffusion gebildeten Iso-18 außer der Metallzwischcnschicht 5 noch eine wei- lierschicht 2' sowie aus der im allgemeinen während tere Zwischenschicht 9 zwischen der Isolierschicht 2 der Emitterdiffusion gebildeten Isolierschicht Ί" zu- und der photoempfindlichen Schicht 6 vorgesehen, 35 sammensetzt, soll trotzdem im folgenden immer nur die die Eigenschaft einer Getter- bzw. Passivie- von einer Isolierschicht 2 die Rede sein,
rungsschicht hat und im allgemeinen ebenfalls eine Gemäß der Erfindung wird die zur Herstellung Isolierschicht ist. Diese Zwischenschicht 9, die bei- der Kontaktierungsfenster erforderliche photoempspielsweise aus dotiertem Siliziumoxyd, Siliziumnitrid, findliche Schicht nicht unmittelbar auf die Isolier-Aluminiumoxyd oder Oxyden oder Nitriden anderer 40 schicht 2 aufgebracht, sondern auf eine zuvor aufge-Elcmente besteht, ist zwischen die Metallschicht5 brachte Metallschicht5, die in der Fig.20 mit der und die Isolierschicht 2 unmittelbar auf die Isolier- Bezugsziffer 5 bezeichnet ist. Erst auf diese Metallschicht 2 aufgebracht, schicht wird gemäß der Fig.21 die photoempfind-Bci dem Herstellungsstadium der Fig. 11 ist die liehe Schicht6 aufgebracht, in die gemäß der Fig. 12 Halbleitcrzone 4, die den entgegengesetzten Lei- 45 Öffnungen 7 und 11 eingebracht werden, die als öfftungstyp aufweist wie der Halbleiterkörper 1, bereits nungen zur Herstellung der Kontaktierungsfenster 7 in den HalbleiterkörperI eindiffundiert, und zwar und 11 der Fig.23 dienen. Die photoempfindliche unter Verwendung der Isolierschicht 2 als Diffusions- Schicht 6 dient bei der Herstellung der Kontaktiemaske. In der Fig. 11 ist das Diffusionsfenster be- rungsfenster7 und 11 als Ätzmaske. In der Fig.24 rcits wieder geschlossen, und zwar mit Hilfe der Iso- 50 ist die photoempfindliche Schicht wieder von der lierschicht 2'. Oberfläche entfernt.Parts of the first metal layer S are etched away. 18 shows the semiconductor diode with the finished semiconductor diode with the finished contact electrode structure, which is shown in FIG. 10 in the area of the contact electrode 9 Semiconductor-covered, while outside of the contact-making body, an elec- trating layer and an insulating layer can lie on the area opposite the contact electrode 9 on the getter- or pass-over-layered side of the semiconductor body. At dietrode to be attached. At this point it should be mentioned that both in the case of the conductor arrangement remaining part of the metal previous embodiment as well as in the following layer 5 are considered part of the electrode, since the following embodiments of the photolithography outside the actual Contacting area see the etching process only in connection with the superimposed parts of the two metal production of the contacting window layers practically form a unit, which ages ago, since it is particularly the case in this production process when the same for both metal layers the same material is used as the metal intermediate layer,
The next exemplary embodiment deals with the photolithographic processes such as, for example, the manufacture of a planar transistor as shown in the manufacture of the diffusion window or the invention. 19 shows a production stage in the production of the structure for the contact electrode in which in a semiconductor body 1 of the conductivity type trode the phot.oliihogranhischcn process not the collector zone with an on the semiconductor surface is discussed. 11 to 18 correspond to FIGS Layer 2 actually consists of the insulating layer 2 already present in the base, in contrast to the first exemplary embodiment, however, diffusion is also present in the insulating layer 2 in general in the second exemplary embodiment in FIGS a white layer 2 'as well as from the generally during tere intermediate layer 9 formed between the insulating layer 2 of the emitter diffusion and the photosensitive layer 6, 35 is provided, nevertheless in the following always only the property of a getter or . Passive - be talking about an insulating layer 2,
According to the invention, the insulating layer is used for production. This intermediate layer 9, which is made of doped silicon oxide, silicon nitride, sensitive layer and is not applied directly to the insulating aluminum oxide or oxides or nitrides of other layer 2, but rather on a previously applied element, is brought between the metal layer 5 Metal layer 5, which in FIG. 20 is denoted by and the insulating layer 2 directly to the insulating reference number 5. Only applied to this metal layer 2, layer of Figure 21, according to the photoempfind-Bci the manufacturing stage of Fig. 11, the Liehe Schicht6 is applied, in accordance with the Fig. 12 Halbleitcrzone 4, the opposite LEI 45 openings 7 and 11 are introduced, which has as the opening type like the semiconductor body 1, already diffused openings for the production of the contacting window 7 in the semiconductor body I, and 11 of FIG. 23 are used. The photosensitive layer using the insulating layer 2 as a diffusion layer 6 is used in the manufacture of the contact mask. In FIG. 11 the diffusion window is evaluation window 7 and 11 as an etching mask. In FIG. 24 it is closed again, specifically with the aid of the insulation 50, the photosensitive layer is again from the layer 2 '. Surface removed.

Im Gegensatz zum ersten Ausführungsbeispiel der Die F i g. 2 zeigt die Anordnung nach dem Auf-In contrast to the first exemplary embodiment of the FIG. 2 shows the arrangement after

Fi g. 1 bis 10 wird beim zweiten Ausführungsbeispiel dampfen einer Metallschicht 8, die zur KontaktierungFi g. 1 to 10, in the second exemplary embodiment, a metal layer 8 is vaporized, which is used for contacting

der Fig. 11 bis 18 auf die Isolierschicht2 bzw. 2' der Emitter- und der Basiszone dient Diese Metall-11 to 18 on the insulating layer 2 or 2 'of the emitter and the base zone.

nicht unmittelbar die nach der Erfindung vorgese- 55 schichte besteht beispielsweise ebenso wie die Me-The layer provided according to the invention does not exist directly, for example, as does the

henc Metallschicht 5 aufgebracht, sondern zunächst tallschicht 5 z. B. aus Aluminium. Die fertigen Emit-henc metal layer 5 applied, but first tallschicht 5 z. B. made of aluminum. The finished issues

eine Getter- bzw. Passivierungsschicht, die in der ter- und Basiselektroden 12 und 13 der F i g. 26 er-a getter or passivation layer formed in the ter and base electrodes 12 and 13 of FIGS. 26

Fig. 11 mit der Bezugsziffer9 bezeichnet ist. Auf hält man jedoch aus der Metallschicht8 bzw. auch11 is designated by the reference numeral 9. However, one stops from the metal layer8 or respectively

diese Schicht folgt dann gemäß der Fig. 12 die Me- aus der Metallschicht5 erst durch strukturiertes Ät-this layer then follows, according to FIG. 12, the metal layer 5 only through structured etching

tallschicht 5, auf die dann schließlich gemäß der 60 zen, und zwar ebenfalls mit Hilfe einer photoemp-tall layer 5, then finally zen according to the 60, also with the help of a photoemp-

F i g. 13 die als Ätzmaske vorgesehene photoempfind- findlichen Schicht, was jedoch nicht gesondert darge-F i g. 13 the photosensitive layer provided as an etching mask, but this is not shown separately.

liche Schicht 6 aufgebracht wird. stellt ist.Liche layer 6 is applied. is.

Die Fig. 14 unterscheidet sich von der Anord- Bei dem Ausführnngsbeispiel der Fig.27 bis 3414 differs from the arrangement in the embodiment of FIGS . 27 to 34

nung der Fig. 13 dadurch, daß in die photoempfind- ist zwischen der Isolierschicht2 und der Metall-13 in that the photosensitive layer is between the insulating layer 2 and the metal

lichc Schichte eine Öffnung? eingebracht ist, aus 65 schichtS noch eine Getter- bzw. Passivkrungs-lichc layers an opening? is introduced, from 65 layers still a getter or passive

dcr gemäß der F i g. 15 das Kontaktierungsfenster 7 schicht 9 als weitere Zwischenschicht vorgesehen. Diedcr according to FIG. 15 the contacting window 7 layer 9 is provided as a further intermediate layer. the

durch Durchätzen der Metallschicht 5, der Getter- Metallschicht 5 wird in diesem Fall nicht auf die Iso-by etching through the metal layer 5, the getter metal layer 5 is in this case not applied to the insulation

Ivw. Passivierungsschicht9 sowie der Isolierschicht lierschicht2, sondern gemäß der Fig.28 auf dieIvw. Passivation layer9 and the insulating layer lierschicht2, but according to FIG. 28 on the

Getter- bzw. Passivierungsschicht¹,) aufgebracht. Die F i y 29 < ;igt die photoempfindliche Schicht 6 auf der Metallschicht 5, während bei der Anordnung der Fig. 30 bereits Öffnungen? und 11 in die photoempfindliche Schichte eingebracht sind, damit diese Schicht als Ätzmaske bei der Herstellung der Kontaktierungsfenster für die Emitter- und die Basiszone dienen kann. Bei der Anordnung der Fig.31 sind die Kontaktierungsfenster 7 und 11 bereits in die unter der photoempfindlichen Schicht 6 befindlichen Schichten S, 9 und 2 eingeätzt. In der F i g. 32 ist die photoempfindliche Schichte wieder entfernt, wäh-Getter or passivation layer ¹ ,) applied. The fi y 29 <; ig the photosensitive layer 6 on the metal layer 5, while in the arrangement of FIG. 30 already openings? and 11 are introduced into the photosensitive layer so that this layer can serve as an etching mask in the production of the contact-making windows for the emitter and base zones. In the arrangement of FIG. 31, the contacting windows 7 and 11 are already etched into the layers S, 9 and 2 located under the photosensitive layer 6. In FIG. 32 the photosensitive layer is removed again, while-

rend in der F i g. 33 die zsvcitc Metallschicht 8 aufgebracht ist, die sowohl die freigelegte Halbleiterobcrfläcie als auch die Metallschicht 5 bedeckt. Aus dieser Metallschicht 8 sowie der Metallschicht S werden dann schließlich noch gemäß der F i g. 34 in Übereinstimmung mit dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel die Emitterelektrode 12 und die Basiselektrode 13 durch strukturiertes Ätzen hergestellt, wobei auch die Metallschicht S strukturiert geätzt wird, da ja ein Teil von ihr auf der Getter- bzw. Passivierungsschicht verbleibt, und zwar unterhalb der Metallschicht 8.rend in the fig. 33 the zsvcitc metal layer 8 is applied is that both the exposed semiconductor surface as well as the metal layer 5 covered. This metal layer 8 and the metal layer S become then finally according to FIG. 34 in accordance with the previous embodiment the emitter electrode 12 and the base electrode 13 produced by structured etching, wherein also the metal layer S is etched in a structured manner, since a part of it is on the getter or passivation layer remains, namely below the metal layer 8.

Hierzu 4 Blatt ZeichnungenFor this purpose 4 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. A method for producing a semiconductor arrangement, in the case of openings such as in an insulating layer located on the semiconductor body z. B. Contacting window made with the help of a photosensitive layer as an etching mask are, characterized in that before making the openings and before dtm Applying the photosensitive layer a metal layer as an intermediate layer between the The insulating layer and the photosensitive layer is applied to the insulating layer.

2 The method according to claim 1, characterized in that daij the metal layer when the electrode material is applied to the insulating layer is left.

3. Application of the method according to claim 1 or 2 in semicon / arrangements with ao Insulating layers which can be etched in a structured manner with the aid of a photosensitive layer as an etching mask are.

4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that after etching the ofinung (cn) c he photosensitive layer removed and applied a second metal layer to the metal layer already present which also covers the area of the semiconductor surface exposed by the opening (s), and that then the parts of the metal layers not required for the electrode (s) are removed will.

5. The method according to claim 4, characterized in that not for the electrodes required parts of the Metallschichtcn with the help of the photolithographic etching technique using a photosensitive layer can be removed.

6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the metal layer (s) is (are) produced by vapor deposition.

7. A method for producing a semiconductor diode according to any one of claims) to 6, characterized characterized in that the one surface side of a semiconductor body with an insulating layer covered, an opening is made as a diffusion window in this insulating layer and through this Opening a diffusion zone is diffused into the semiconductor body, which is the opposite Has conductivity type like the semiconductor body that on during or after the diffusion again closed insulating layer a metal layer and on the metal layer a photosensitive Layer are applied, and that then with the help of the photolithographic etching technique a contacting window for contacting the semiconductor zone diffused into the semiconductor body into the metal layer and introduced into the insulating layer underneath and through the contacting window exposed semiconductor surface is covered with electrode material, the metal layer u'if the insulating layer is left.

K Method for producing a transistor according to one of Claims 1 to 6, characterized in that that one surface side of a semiconductor body of the conductivity type of the collector zone covered with an insulating layer and through a base diffusion window in this insulating layer the base zone and through an emitter diffusion window in this insulating layer the emitter zone be diffused into the semiconductor body that on during or after the emitter diffusion again closed insulating layer a metal layer and on the metal layer a photosensitive Layer are applied and then with the help of the photolithographic Etching technology Contact window for contacting the emitter, base and possibly The collector zone is also incorporated into the metal layer and the insulating layer below and the semiconductor surface with electrode material exposed by the contacting fences is covered, leaving the metal layer on the insulating layer.

9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the intermediate layer metal layer provided between the insulating layer and the photosensitive layer made of aluminum, gold, chrome, titanium or platinum

10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that between the Insulating layer and the photosensitive layer besides the metal layer still another one Interlayer is provided as a getter or passivation layer.

11. The method according to claim 10, characterized in that that the getter or passivation layer between the metal layer and the insulating layer is provided.

12. The method according to claim K) or II, characterized in that the getter or passivation layer consists of doped silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide or oxides or nitrides of other elements.