DE202017103084U1

DE202017103084U1 - Plant for the production of a chipboard

Info

Publication number: DE202017103084U1
Application number: DE202017103084.9U
Authority: DE
Original assignee: Dieffenbacher GmbH Maschinen und Anlagenbau
Current assignee: Dieffenbacher GmbH Maschinen und Anlagenbau
Priority date: 2017-05-22
Filing date: 2017-05-22
Publication date: 2018-08-23
Anticipated expiration: 2027-05-23

Abstract

Anlage zur Herstellung einer mehrschichtigen Spanplatte mit außenliegenden und gegenüber der Mittelschicht dünneren Deckschichten umfassend eine Sievorrichtung (S), zwei Streuköpfe (DS) für die Deckschichten, zumindest einen Streukopf (MS) für die Mittelschicht, ein endlos umlaufendes Formband (F) zum Transport einer zumindest dreischichtigen Streugutmatte (SGM) und einer Presse (P) zur Verpressung der Streugutmatte (SGM) in eine Spanplatte (SP), wobeizumindest eine Siebvorrichtung (S) zur Herstellung von zumindest vier Fraktionen (F1, F2, F3, F4) aufsteigender Korngröße angeordnet ist, wobei der Siebaustrag (SF1) für die erste Fraktion (F1) mit der kleinsten Korngröße mit einem Vorratsbunker (VF1),der Siebaustrag (SF2) für die zweite Fraktion (F2) mit einer größeren Korngröße mit einem Streukopf (DS) für die Deckschicht,der Siebaustrag (SF3a) der nächstgrößeren Teilfraktion (F3a) über eine erste Vorrichtung (ZV1) zur Nachzerkleinerung mit einem Streukopf (DS) für die Deckschicht oder der Siebvorrichtung,der Siebaustrag (SF3b) der nächstgrößeren Teilfraktion (F3b) mit einem Streukopf (MS) für die Mittelschicht undder Siebaustrag (SF4) der größten Fraktion (F4) mit einer zweiten Vorrichtung (ZV2) zur Nachzerkleinerung wirkverbunden ist.Plant for producing a multilayer chipboard with outer layers which are thinner relative to the middle layer and comprising a sieving device (S), two scattering heads (DS) for the cover layers, at least one scattering head (MS) for the middle layer, an endlessly circulating forming belt (F) for transporting one at least three-layer spreading material mat (SGM) and a press (P) for pressing the spreading material mat (SGM) into a chipboard (SP), at least one screening device (S) arranged to produce at least four fractions (F1, F2, F3, F4) of increasing grain size is the Siebaustrag (SF1) for the first fraction (F1) with the smallest grain size with a storage hopper (VF1), the Siebaustrag (SF2) for the second fraction (F2) with a larger grain size with a scattering head (DS) for the Cover layer, the Siebaustrag (SF3a) of the next largest fraction fraction (F3a) on a first device (ZV1) for post-shredding with a scattering head (DS) for the top layer or the screening device, the sieve structure (SF3b) of the next largest fraction (F3b) having a middle layer spreading head (MS) and the largest fraction fractionating layer (SF4) (F4) being operatively connected to a second post-shredding device (ZV2).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anlage zur Herstellung einer Spanplatte.The present invention relates to a plant for producing a chipboard.

Bei der Herstellung von Werkstoffplatten aus streufähigen Materialien wird ein Gemisch aus Partikeln oder faserigen Stoffen und einem Bindemittel zu einer Streugutmatte auf einem Form- oder Förderband gestreut, wobei die Streugutmatte anschließend einer ggf. nötigen Vorbehandlung und schließlich einer Verpressung zugeführt wird. Die Verpressung kann dabei kontinuierlich oder diskontinuierlich mittels Druck und/oder Wärme erfolgen. Bei den üblichen Werkstoffplatten, die hierbei hergestellt werden, handelt es sich normalerweise um MDF, Span- oder um OSB-Platten oder vergleichbare Mehrschichtplatten. Insbesondere bei OSB-Platten wird orientierbares Streugut verwendet.In the production of material plates from scatterable materials, a mixture of particles or fibrous materials and a binder is scattered to a grit mat on a forming or conveyor belt, the grit mat is then fed to any necessary pretreatment and finally a compression. The compression can be carried out continuously or discontinuously by means of pressure and / or heat. The usual material plates that are produced in this case are usually MDF, chipboard or OSB boards or comparable multilayer boards. Orientable grit is used especially for OSB boards.

Die vorliegende Erfindung befasst sich mit der Herstellung von Span- bzw. Partikelplatten, welche in der Regel mindestens dreischichtig hergestellt werden. Dabei finden sich zwischen den Deckschichten aus dem feinsten verwendeten Material mindestens eine Schicht mit geeigneten Spänen, die mit einem ausgehärteten Bindemittel verbunden die Steifig- und Tragfähigkeit einer verpressten Spanplatte definieren. Standardspäne für die Mittelschichten sind normalerweise im Durchschnitt 15 mm bis 30 mm lang und 0,5 mm im Durchmesser. Die Mittelschichten werden üblicherweise mit Rollenstreuköpfen gestreut. Die Deckschichten werden üblicherweise mittels klassierenden Windstreukammern hergestellt und verwenden Partikel die größer als Staub aber kleiner sind als die Späne für die Mittelschicht. Die hergestellte Streugutmatte wird schließlich in einer Presse zu einer Spanplatte verpresst. Eine handelsübliche Spanplatte weist eine Dichte von durchschnittlich 650 bis 700 kg/m³ auf und kennt Prüfungs- und Zertifizierungsverfahren zur Einhaltung einer vergleichbaren Qualität im Wettbewerb.The present invention is concerned with the production of particle boards, which are usually made at least three layers. Here, between the cover layers of the finest material used, at least one layer with suitable shavings which, combined with a cured binder, define the rigidity and load-bearing capacity of a pressed chipboard. Standard shavings for the middle layers are usually 15 mm to 30 mm long on average and 0.5 mm in diameter. The middle layers are usually sprinkled with roller grids. The cover layers are usually produced by means of classifying windscrap chambers and use particles which are larger than dust but smaller than the chips for the middle layer. The produced grit mat is finally pressed in a press to a chipboard. A commercially available chipboard has a density of on average 650 to 700 kg / m ³ and knows test and certification procedures to maintain a comparable quality in the competition.

Bisher wurden für die hohen Qualitätsansprüche der Spanplatten zu einem überwiegenden Anteil von über 70% die notwendigen Späne mittels Messerwellenzerspanern aus ausgewähltem Rundholz gewonnen. Diesen Zerspanern wird ein Bündel oder einzelne Holzstämme zugeführt und eine koplanar zu den Rundhölzern angeordnete die Messer tragende Messerwelle wird durch das Rundholz hindurchbewegt und erzeugen somit hochwertige Späne. Neben den hochwertigen Spänen aus dieser Produktion können einem Hersteller für Spanplatten natürlich auch andere Holzmaterialien zugeliefert werden, wie beispielsweise Frischholz, welches nicht zur Zerspanung im Messerwellenzerspaner geeignet ist, weil es zu groß, zu kurz, zu geringen Durchmesser, zu ungerade oder ähnliches ist. Daneben gibt es noch andere Materialien wie Altholz, Schwarten, Verschnitt, und natürlich Sägemehl und Sägespäne.So far, the chips required for the high quality requirements of the chipboard have been obtained by means of knife shaft chippers made of selected round wood to a predominant proportion of over 70%. This shredder is fed a bundle or individual logs and a coplanar arranged to the round wood blades carrying the knife shaft is moved through the round wood and thus produce high quality chips. In addition to the high-quality chips from this production, a chipboard manufacturer can of course also be supplied with other wood materials, such as fresh wood, which is not suitable for cutting in the knife shaft chipper because it is too large, too short, too small in diameter, too odd or similar. In addition, there are other materials such as old wood, rinds, waste, and of course sawdust and sawdust.

Nach dem Stand der Technik werden die Späne nach den folgenden Fraktionen gesieb und verwendet:

F1: Staub, wird ausgeschleust und meist energetisch verwertet;
F2: Späne für die Deckschicht (F1<F2<F3);
F3: Späne für die Mittelschicht, im Durchschnitt 15-30 mm lang und im ∅ 0,5 mm
F4: Übergroße Späne (i.d.R. abgesiebt mit Maschenweite 12×12 mm)

According to the state of the art, the chips are sieved and used according to the following fractions:

F1: Dust, is discharged and used mostly energetically;
F2: chips for the top layer (F1 <F2 <F3);
F3: chips for the middle layer, on average 15-30 mm long and in ∅ 0.5 mm
F4: oversized chips (usually screened with mesh size 12 × 12 mm)

Normalerweise fallen bei der Herstellung von Spänen nicht genügend kleine Partikel für die Fraktion F2 der Deckschichten an, so dass diese aus übergroßen Spänen der Fraktion F4 hergestellt werden, welche bei der Siebung ausgesiebt wurden und nachvermahlen werden. Der Bedarf an nachgemahlenen Spänen für die Fraktion F2 hängt normalerweise von der Dicke der herzustellenden Streugutmatte/Werkstoffplatte ab. Dünnere Werkstoffplatten benötigen im Verhältnis zur Fraktion F3 der Mittelschicht mehr nachgemahlene Späne für die Deckschicht F2.Normally, during the production of chips, not enough small particles are produced for the fraction F2 of the cover layers, so that they are produced from oversized chips of the fraction F4, which were sieved during the sieving and post-milled. The need for post-ground chips for fraction F2 normally depends on the thickness of the grit mat / material plate to be produced. Thinner material plates require in relation to the fraction F3 of the middle layer more post-ground chips for the cover layer F2.

Unabhängig davon werden die Späne noch auf Fremdkörper und mineralische Inhalte in einem Luftsichter abgesiebt. Um die Trennschärfe für die Sichtung zu erhöhen kann vorgesehen sein, diese für jede Fraktion in einem eigenen Sichter durchzuführen.Irrespective of this, the chips are still screened for foreign bodies and mineral contents in an air separator. In order to increase the selectivity for the sighting can be provided to perform this for each fraction in a separate classifier.

Die heutige Ansicht von Experten ist, dass nicht mehr als 30% an Spänen aus anderen Herstellungsprozessen als den Messerwellenzerspanern in einer Mittelschicht Verwendung finden dürfen, um die notwendigen Prüfungsergebnisse zur Zulassung einer Normspanplatte zu erreichen. Diese anderen Späne weisen im Durchschnitt nicht die Maße für Standardspäne wie oben beschrieben auf.The current opinion of experts is that no more than 30% of chips from other manufacturing processes than the Messerwellenzerspanern may be used in a middle class to achieve the necessary test results for the approval of a standard chipboard. These other chips have on average not the dimensions for standard chips as described above.

Allerdings ist es von betriebswirtschaftlich von Nachteil, dass nur 30% alternativer Quellen verwendet werden können und somit ist die Spanplattenherstellung durchaus teuer und aufwendig. Auch benötigt es im Umfeld der produzierenden Anlage eine ausreichende Quelle für Rundholz der geforderten Qualität.However, it is economically disadvantageous that only 30% alternative sources can be used and thus the chipboard production is quite expensive and expensive. It also requires in the environment of the producing plant a sufficient source of logs of the required quality.

Weiterhin ist es im Zuge der Ökonomie und Ökologie von Vorteil, wenn Spanplatten trotz geringerem Holzanteil und somit geringerer Dichte dennoch die notwendigen Eigenschaften herkömmlicher Spanplatten erfüllen, aber günstiger zu produzieren sind.Furthermore, it is in the course of economy and ecology advantageous if chipboard despite lower wood content and thus lower density yet meet the necessary properties of conventional particle board, but are cheaper to produce.

Hiervon ausgehend liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde eine Anlage anzugeben, mit die oben genannten Nachteile vermieden werden können. Insbesondere soll vorgesehen sein, dass die Rohdichte der Werkstoffplatte gesenkt und dennoch die üblichen Prüfungs- und Zertifizierungsverfahren für Spanplatten erfolgreich durchlaufen werden können. Proceeding from this, the present invention has the object to provide a system, with the above-mentioned disadvantages can be avoided. In particular, it should be provided that the bulk density of the material plate can be lowered and yet the usual testing and certification procedures for chipboard can be successfully completed.

Die Erfindung geht dabei von der Herstellung einer mehrschichtigen Spanplatte mit außenliegenden und gegenüber der Mittelschicht dünneren Deckschichten aus, wobei zur Streuung der Mittelschicht beleimte und bevorzugt getrocknete Späne verwendet werden, wobei die Späne in zumindest einer Siebvorrichtung gesiebt und in mindestens vier Fraktionen F1, F2, F3, F4 aufsteigender Korngröße aufgeteilt werden, wobei bezogen auf die Korngröße die erste Fraktion F1 mit der kleinsten Korngröße aus dem Verfahren zur Herstellung ausgeschlossen, die zweite Fraktion F2 mit einer größeren Korngröße zur Streuung der Deckschichten, die weiterhin nächstgrößere dritte Fraktion F3 im Wesentlichen zur Herstellung der Mittelschichten und die größte vierte Fraktion F4 zur Nachzerkleinerung vorgesehen ist.The invention is based on the production of a multilayer chipboard with outer layers which are thinner compared to the middle layer, with glued and preferably dried chips being used for scattering the middle layer, the chips being screened in at least one sieve device and introduced into at least four fractions F1, F2, F3, F4 are divided in ascending grain size, wherein based on the grain size excluded the first fraction F1 with the smallest grain size from the process for the production, the second fraction F2 with a larger grain size for scattering of the outer layers, the next largest third fraction F3 substantially to Production of the middle layers and the largest fourth fraction F4 is provided for post-shredding.

Die Lösung für eine Anlage zur Herstellung einer mehrschichtigen Spanplatte mit außenliegenden und gegenüber der Mittelschicht dünneren Deckschichten umfasst: eine Sievorrichtung S, zwei Streuköpfe DS für die Deckschichten, zumindest einen Streukopf MS für die Mittelschicht, ein endlos umlaufendes Formband F zum Transport einer zumindest dreischichtigen Streugutmatte SGM und einer Presse P zur Verpressung der Streugutmatte SGM in eine Spanplatte SP, wobei zumindest eine Siebvorrichtung S zur Herstellung von zumindest vier Fraktionen F1, F2, F3, F4 aufsteigender Korngröße angeordnet ist, wobei
der Siebaustrag SF1 für die erste Fraktion F1 mit der kleinsten Korngröße mit einem Vorratsbunker VF1,
der Siebaustrag SF2 für die zweite Fraktion F2 mit einer größeren Korngröße mit einem Streukopf DS für die Deckschicht,
der Siebaustrag SF3a der nächstgrößeren Teilfraktion F3a über eine erste Vorrichtung ZV1 zur Nachzerkleinerung mit einem Streukopf DS für die Deckschicht oder der Siebvorrichtung,
der Siebaustrag SF3b der nächstgrößeren Teilfraktion F3b mit einem Streukopf MS für die Mittelschicht und
der Siebaustrag SF4 der größten Fraktion F4 mit einer zweiten Vorrichtung ZV2 zur Nachzerkleinerung wirkverbunden ist.The solution for a system for producing a multilayer chipboard with external and compared to the middle layer thinner cover layers comprises: a sifter S, two scattering heads DS for the outer layers, at least one scattering head MS for the middle layer, an endlessly circulating mold belt F for transporting a three-layer grit mat SGM and a press P for pressing the grit mat SGM into a chipboard SP, wherein at least one screening device S for producing at least four fractions F1, F2, F3, F4 of increasing grain size is arranged, wherein
Sievestrag SF1 for the first fraction F1 with the smallest grain size with a storage hopper VF1,
the Siebaustrag SF2 for the second fraction F2 with a larger grain size with a scattering head DS for the top layer,
the sieve structure SF3a of the next largest fraction F3a via a first device ZV1 for post-shredding with a spreading head DS for the cover layer or the sieve device,
the Siebaustrag SF3b the next larger fraction fraction F3b with a scattering head MS for the middle layer and
the sieve structure SF4 of the largest fraction F4 is operatively connected to a second device ZV2 for post-shredding.

Bevorzugt kann der Austrag der zweiten Vorrichtung ZV2 zur Nachzerkleinerung der vierten Fraktion F4 mit dem Eintrag der Siebvorrichtung S wirkverbunden sein.Preferably, the discharge of the second device ZV2 for post-shredding the fourth fraction F4 can be operatively connected to the entry of the screening device S.

Alternativ oder kumulativ kann zwischen der ersten Vorrichtung VZ1 und dem Übergabepunkt an die zweite Fraktion F2 respektive dem Streukopf DS für die Deckschicht ein Sieb angeordnet sein.Alternatively or cumulatively, a sieve can be arranged between the first device VZ1 and the transfer point to the second fraction F2 or the scattering head DS for the cover layer.

Alternativ oder kumulativ kann kann zum Rückhalt der zweiten Fraktion F2 und Aussiebung der ersten Fraktion S1 ein Sieb S2 mit einer Maschenweite von 0,2 × 0,2 mm angeordnet sein.Alternatively or cumulatively, in order to retain the second fraction F2 and sieve out the first fraction S1, a sieve S2 with a mesh size of 0.2 × 0.2 mm can be arranged.

Alternativ oder kumulativ kann zum Rückhalt der ersten Teilfraktion F3a ein Sieb S3a mit einer Maschenweite von 1,4 × 1,4 mm angeordnet sein.Alternatively or cumulatively, a sieve S3a with a mesh size of 1.4 × 1.4 mm can be arranged to support the first fraction F3a.

Alternativ oder kumulativ kann zum Rückhalt der zweiten Teilfraktion F3b ein Sieb S3b mit einer Maschenweite von 2,5 × 2,5 mm angeordnet sein.Alternatively or cumulatively, a sieve S3b with a mesh size of 2.5 × 2.5 mm can be arranged to support the second sub-fraction F3b.

Alternativ oder kumulativ kann zum Rückhalt der vierten Fraktion F4 ein Sieb S4 mit einer Maschenweite von 20 × 20 mm angeordnet sein.Alternatively or cumulatively, a sieve S4 with a mesh size of 20 × 20 mm can be arranged to support the fourth fraction F4.

Die Lösung besteht also darin, dass die dritte Fraktion F3 in zwei Teilfraktionen F3a, F3b aufgeteilt ist, wobei die erste Teilfraktion F3a mit der geringeren Korngröße einer Nachzerkleinerung und anschließend der zweiten Fraktion F2 zur Verwendung in den Deckschichten zugeführt und die zweite Teilfraktion F3b mit der größeren Korngröße zur Herstellung der Mittelschicht verwendet wird.The solution consists in the fact that the third fraction F3 is divided into two sub-fractions F3a, F3b, wherein the first fraction fraction F3a fed with the smaller grain size of a post-crushing and then the second fraction F2 for use in the outer layers and the second fraction fraction F3b with the larger grain size is used to make the middle layer.

Mit der Erfindung werden in vorteilhafter Weise erreicht, dass nicht mehr großformatige Späne zu Deckschichtmaterial vermahlen werden müssen, sondern eine von vornherein in ihrer Korngröße kleinere Fraktion wird in Deckschichtpartikel umgearbeitet wodurch der Energieeintrag und der Verschleiß in der Gesamtanlage verringert wird. Gleichzeitig kann eine Spanplatte gefertigt werden, die in der Mittelschicht größere Späne aufweist und mit geringerem Materialanteil die Spezifikationen für eine herkömmliche Spanplatte erfüllt.With the invention are achieved in an advantageous manner that no longer large-scale chips must be ground to cover layer material, but from the outset in their grain size smaller fraction is converted into cover layer particles whereby the energy input and wear in the overall system is reduced. At the same time, a chipboard can be produced which has larger chips in the middle layer and fulfills the specifications for a conventional chipboard with a smaller proportion of material.

Bevorzugt ist vorgesehen, dass für die Späne der Mittelschicht respektive die zweite Teilfraktion F3b größerer Korngröße überwiegend Späne von 30 - 55 mm Länge und 0,7 - 0,8 mm Dicke ausgesiebt werden. Es können auch andere Quellen für Späne als Messerwellenzerspaner verwendet werden, da durch die alternative Absiebung und insbesondere durch die Verwendung von größeren Spänen eine gleichwertige Spanplatte hergestellt werden kann.It is preferably provided that chips of 30-55 mm in length and 0.7-0.8 mm in thickness are predominantly screened for the chips of the middle layer or the second partial fraction F3b of larger grain size. Other swarf sources may also be used as the knife-shaft chipper, since the alternative screening and, in particular, the use of larger swarf can produce an equivalent chipboard.

Alternativ oder kumulativ kann die vierte Fraktion F4 nach der Nachzerkleinerung erneut der Siebvorrichtung S zugeführt werden. Die großformatigen Späne werden demgemäß nicht so stark wie aus dem Stand der Technik bekannt nachzerkleinert und können wieder der Siebvorrichtung zugeführt und in Teilen in den anderen Fraktionen F2, F3a, F3b verwendet werden.Alternatively or cumulatively, the fourth fraction F4 can be fed again to the screening device S after the secondary comminution. The large-sized chips are accordingly not shredded as much as known from the prior art and can be fed back to the screening device and in Parts in the other fractions F2, F3a, F3b are used.

Alternativ oder kumulativ kann die erste Teilfraktion F3a mit der geringeren Korngröße nach der Zerkleinerung vor Übergabe an die zweite Fraktion F2 nochmals gesiebt wird oder der Siebvorrichtung S zugeführt werden. Hier kann in vorteilhafter Weise Material verhindert werden, dass zu kleines Material unnötigerweise oder unzerkleinertes Material in die Deckschicht gelangt.Alternatively or cumulatively, the first partial fraction F3a with the smaller particle size can be sieved again after comminution prior to transfer to the second fraction F2 or fed to the sieve device S. Here, material can be prevented in an advantageous manner that material that is too small reaches unnecessarily or uncomminuted material in the covering layer.

Alternativ oder kumulativ können die zu siebenden Späne überwiegend aus Hackschnitzeln einer Länge von 40 mm bis 70 mm, bevorzugt einer Länge von 55 mm bis 70 mm, bestehen. Sie können bevorzugt in einem Messerringzerspaner MRZ hergestellt worden sein.Alternatively or cumulatively, the chips to be screened may consist predominantly of chips of a length of 40 mm to 70 mm, preferably of a length of 55 mm to 70 mm. They may preferably have been produced in a knife ring chipper MRZ.

Die entsprechenden Fraktionen werden zu einer Streugutmatte gestreut und zu einer einer mindestens dreischichtigen Spanplatte einer Dichte kleiner 650 kg/m³, bevorzugt kleiner 640 kg/m³, höchst bevorzugt kleiner 630 kg/m³, verpresst.The appropriate fractions are sprinkled to a grit mat and pressed to a at least three-layer chipboard a density of less than 650 kg / m ³ , preferably less than 640 kg / m ³ , most preferably less than 630 kg / m ³ .

Eine minderdichte Spanplatte, hergestellt nach diesem Verfahren, erfüllt in einer Vergleichsprüfung die Festigkeitswerte einer 650kg/m³ Spanplatte.A low-density chipboard produced by this method meets in a comparative test the strength values of a 650kg / m ³ chipboard.

Die Erfindung versteht unter „wirkverbunden“, dass die Materialströme auch über Umwege, beispielsweise Fördervorrichtungen, Bunker, Dosiervorrichtungen, weitere Vorrichtungen zur Behandlung der Fraktion, insbesondere nochmalige Siebung oder dergleichen, schlussendlich in einem wesentlichen Anteil der ursprünglichen Menge in dem Teil der Anlage ankommen, für den sie vorgesehen sind.The invention means "operatively connected" that the material flows also arrive via detours, for example conveying devices, bunkers, metering devices, further devices for treating the fraction, in particular re-screening or the like, finally in a substantial proportion of the original amount in the part of the plant, they are intended for.

Die Siebung ist in vorliegender Ausarbeitung im Wesentlichen in einer einzigen Siebvorrichtung verwirklicht. Es ist davon auszugehen, dass eine mehrmalige Siebung mit unterschiedlichen Sieben und im Wesentlichen ähnlichen Stoffströmen respektive der entsprechenden Verwendung der Fraktionen ebenfalls zum Schutzumgang gehört.The screening is realized in the present development substantially in a single screening device. It can be assumed that a repeated sieving with different sieves and essentially similar material flows respectively the corresponding use of the fractions also belongs to the protection handling.

In einer bevorzugten Variante ist gegenüber dem Stand der Technik dabei der Abstand der Maschenweiten zwischen dem Sieb S3 und S4 deutlich vergrößert.In a preferred variant of the prior art, the distance between the mesh sizes between the sieve S3 and S4 is significantly increased.

Vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen, welche einzeln oder in Kombination miteinander eingesetzt werden können, sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.Advantageous embodiments and developments, which can be used individually or in combination with each other, are the subject of the dependent claims.

Weitere Vorteile der Erfindung werden nachfolgen anhand von Ausführungsbeispielen und in Verbindung mit der Zeichnung beschrieben.Further advantages of the invention will be described below with reference to embodiments and in conjunction with the drawings.

Darin zeigen schematisch:

1 eine schematische und nicht umfassende Darstellung einer Anlage zur Herstellung einer Spanplatte von der Holzaufbereitung bis zur Presse nach dem Stand der Technik;
2. die erfindungsgemäße Anlage zur Herstellung einer Spanplatte,
3 schematische und vereinfachte Darstellung einer vorteilhaften Siebvorrichtung mit Angabe der bevorzugten Maschenweite der Siebe.

In it show schematically:

1 a schematic and non-comprehensive illustration of a plant for the production of a chipboard from the wood processing to the press according to the prior art;
2 , the plant according to the invention for producing a chipboard,
3 schematic and simplified representation of an advantageous screening device with indication of the preferred mesh size of the sieves.

1 zeigt eine schematische und nicht umfassende Darstellung einer Anlage zur Herstellung einer Spanplatte SP von der Holzaufbereitung bis zur Presse P nach dem Stand der Technik. Nach dem Stand der Technik wird Holz zu Spänen aufbereitet und einem Trockner zur Trocknung zugeführt. Nasses Holz läßt sich in der Regel schlechter Sieben, so dass eine Siebung vor der Trocknung normalerweise nicht stattfindet. Beispielhaft ist eine Aufbereitung mit einem Hacker H zur Herstellung von Hackschnitzeln und einem nachfolgendem Messerringzerspaner MRZ dargestellt. Diese Aufbereitung unterstützt normalerweise die Spanherstellung mittels eines Messerwellenzerspaners MWZ. Nach dem Trockner T gelangen die Späne in eine einzelne Siebvorrichtung S, welche normalerweise vier Fraktionen F1, F2, F3, F4 ausgibt, wobei die Nummerierung die Klassierung von der kleinsten zur größten Korngröße respektive -verteilung wiederspiegeln soll. 1 shows a schematic and non-comprehensive illustration of a plant for producing a chipboard SP from the wood processing to the press P According to the state of the art. In the prior art, wood is processed into chips and fed to a dryer for drying. Wet wood is usually poorer in screening, so screening before drying does not normally take place. An example is a treatment with a hacker H for the production of wood chips and a subsequent Messerringzerspaner MRZ shown. This preparation normally supports chip production by means of a knife shaft chipper MWZ. After the dryer T The chips arrive in a single screening device S which are usually four fractions F1 . F2 . F3 . F4 the numbering is to reflect the classification from the smallest to the largest grain size or distribution.

Die Fraktion F1, in der Regel Staub, wird einer thermischen Verwertung V übergeben oder anderweitig entsorgt. Sie kann dazu in einem Vorratsbunker VF1 zwischengelagert werden.The faction F1 , usually dust, is transferred to a thermal utilization V or otherwise disposed of. She can do that in a storage bunker VF1 be stored.

Die nächstgrößere Fraktion F2, größer im Sinne der größeren Korngröße, wird den Streuköpfen DS zur Herstellung von Deckschichten der Streugutmatte SGM auf dem Formband F zugeführt.The next largest fraction F2 , larger in terms of larger grain size, is the scattering heads DS for the production of cover layers of the spreading material mat SGM on the form band F fed.

Die nächstgrößere Fraktion F3 wird einem oder mehreren Streuköpfen MS zur Herstellung der Mittelschicht auf dem Formband F zugeführt, wobei der Streukopf MS zwischen den Streuköpfen DS über dem Formband F angeordnet ist. Nach erfolgter Streuung aller drei Schichten wird die Stgreugutmatte SGM einer Presse P, im Beispiel einer kontinuierlich arbeitende Doppelbandpresse, zugeführt und dort zu einer Spanplatte SP verpresst.The next largest fraction F3 will one or more scatter heads MS for producing the middle layer on the forming belt F supplied, wherein the scattering head MS between the scattering heads DS above the form band F is arranged. After scattering of all three layers is the Stgreugutmatte SGM a press P , in the example of a continuous double belt press, fed and there to a chipboard SP pressed.

Da in der Regel der Materialstrom der zweiten Fraktion F2 für die Deckschichten nicht ausreicht, wird die größte Fraktion F4 nach der Siebvorrichtung S einer Vorrichtung ZV2 zur Zerkleinerung zugeführt. Nach der Zerkleinerung auf eine verwendbare Korngrößenverteilung in der Deckschicht werden die Partikel der Fraktion F2 zugegeben und in der Deckschicht verwendet. Es kann vor Übergabe an die Fraktion F2 eine Siebung vorgesehen sein, um nicht zerkleinertes Material oder Staub abzuscheiden und entsprechend der Klassifizierung den anderen Fraktionen zuzuführen oder nochmals zu zerkleinern.As a rule, the material flow of the second fraction F2 is insufficient for the top layers, the largest fraction F4 after the screening device S a device ZV2 supplied for comminution. After comminution to a usable particle size distribution in the cover layer, the particles of the fraction F2 added and used in the topcoat. It may be before handing over to the faction F2 a sieve be provided to separate non-crushed material or dust and according to the classification to the other fractions feed or crush again.

2 zeigt nun eine erfindungsgemäße Anlage und ein entsprechendes Verfahren zur Herstellung von Spanplatten SP. Dabei werden die Späne vor dem Trockner vorzugsweise nur mit einem Messerringzerspaner MRZ aufbereitet und einem Trockner T zugeführt. Wie auch im Stand der Technik kann hier Material wie Sägespäne oder ähnliches direkt dem Trockner T zugeführt werden. Anschließend ist eine mehrstufige Siebvorrichtung S - alternativ mehrere Siebvorrichtungen - vorgesehen, die die Späne in fünf Fraktionen F1, F2, F3a, F3b und F4 aufteilen. Im Unterschied zur 1 und dem Stand der Technik wird die ursprüngliche dritte Fraktion F3 in zwei Teilfraktionen F3a und F3b aufgeteilt. 2 now shows a plant according to the invention and a corresponding method for the production of particle board SP , The chips in front of the dryer are preferably only with a Messerringzerspaner MRZ prepared and a dryer T fed. As in the prior art material such as sawdust or the like can directly to the dryer here T be supplied. Subsequently, a multi-stage screening device S - Alternatively, several screening devices - provided the chips in five fractions F1 . F2 . F3a . F3b and F4 split. In contrast to 1 and the prior art becomes the original third fraction F3 in two sub-fractions F3a and F3b divided up.

In einem bevorzugten und unabhängigen Ausführungsbeispiel ist gegenüber dem Stand der Technik dabei der Abstand der Maschenweiten zwischen dem Sieb S3 und S4 deutlich vergrößert, da der Sieb S4 nach dem Stand der Technik normalerweise einen Maschenweite von 12×12mm aufweist.In a preferred and independent embodiment, the distance of the mesh sizes between the sieve S3 and S4 is significantly increased compared to the prior art, since the sieve S4 usually has a mesh size of 12 × 12mm according to the prior art.

In einer weiteren bevorzugten und unabhängigen Ausführungsform wird die Fraktion F4 nicht direkt auf eine Größe der Fraktion F2 oder F1 nachvermahlen, sondern nur derart verkleinert, dass diese in die Siebvorrichtung S über einen Siebeintrag SE zurückgeführt werden kann und dort nochmals klassifiziert wird.In a further preferred and independent embodiment, the fraction F4 not directly on a size of the faction F2 or F1 regrind, but only so reduced that this in the screening device S can be recycled via a Siebeintrag SE and is classified there again.

Die Teilfraktion F3a nach einer Nachzerkleinerung in einer Vorrichtung ZV1 und die Fraktion F2 werden zusammengeführt und in den Streuköpfen DS für die Deckschichten zur Herstellung der Streugutmatte SGM auf dem Formband F verwendet. Nur die Teilfraktion F3b wird im Streukopf MS für die Mittelschicht verwendet.The sub-fraction F3a after a post-shredding in a device ZV1 and the faction F2 are merged and in the scattering heads DS for the cover layers for the production of the spreading material mat SGM on the form band F used. Only the sub-fraction F3b is in the scattering head MS used for the middle class.

In einer weiteren bevorzugten und unabhängigen Ausführungsform sind diese Späne der Fraktion F3b länger als gegenüber dem Stand der Technik, bei entsprechender Siebauswahl.In a further preferred and independent embodiment, these chips are the fraction F3b longer than in the prior art, with appropriate Siebauswahl.

In einer weiteren bevorzugten und unabhängigen Ausführungsform zeigt 3 einen möglichen Siebaufbau mit möglichen Maschenweiten der Siebe S2, S3a, S3b und S4 und die Entstehung der entsprechenden Fraktionen aus den Sieben.In a further preferred and independent embodiment shows 3 a possible sieve construction with possible mesh sizes of the sieves S2 . S3a . s3b and S4 and the emergence of the corresponding fractions from the seven.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

DSDS: Streukopf (Deckschicht)Spreading head (covering layer)
FF: Formbandforming belt
F1F1: Fraktion (erste)Group (first)
F2F2: Fraktion (zweite)Group (second)
F3F3: Fraktion (dritte)Group (third)
F3aF3a: Teilfraktion (erste)Partial fraction (first)
F3bF3b: Teilfraktion (zweite)Partial fraction (second)
F4F4: Fraktionfraction
HH: Hackerhacker
MSMS: Streukopf (Mittelschicht)Scattering head (middle layer)
MRZMRZ: MesserringzerspanerKnife ring
PP: PressePress
SS: Siebvorrichtungscreening device
S2S2: Siebscree
S3aS3a: Siebscree
S3bs3b: Siebscree
S4S4: Siebscree
SF1SF1: SiebaustragSiebaustrag
SF2SF2: SiebaustragSiebaustrag
SF3SF3: SiebaustragSiebaustrag
SF3aSF3a: SiebaustragSiebaustrag
SF3bSF3b: SiebaustragSiebaustrag
SF4SF4: SiebaustragSiebaustrag
SGMSGM: Streugutmattegrit mat
SPSP: Spanplattechipboard
TT: Trocknerdryer
VF1VF1: Vorratsbunker (Fraktion 1)Storage bunker (Fraction 1)
ZV1ZV1: Vorrichtung (zur Zerkleinerung)Device (for shredding)
ZV2ZV2: Vorrichtung (zur Zerkleinerung)Device (for shredding)

Claims

Plant for producing a multilayer chipboard with outer layers which are thinner relative to the middle layer and comprising a sieving device (S), two scattering heads (DS) for the cover layers, at least one scattering head (MS) for the middle layer, an endlessly circulating forming belt (F) for transporting one at least three-layer spreading material mat (SGM) and a press (P) for pressing the spreading material mat (SGM) into a chipboard (SP), wherein at least one screening device (S) for producing at least four fractions (F1, F2, F3, F4) of increasing grain size is arranged, wherein the Siebaustrag (SF1) for the first fraction (F1) with the smallest grain size with a storage bunker (VF1), the Siebaustrag (SF2) for the second fraction (F2) with a larger grain size with a scattering head (DS) for the top layer, the Siebaustrag (SF3a) of the next largest fraction fraction (F3a) via a first device (ZV1) for post-shredding with a scattering head (DS) for the cover layer or the screening device, the Siebaustrag (SF3b) of the next larger fraction fraction (F3b) with a scattering head (MS) for the middle layer and the sieve layer (SF4) of the largest fraction (F4) is operatively connected to a second device (ZV2) for post-shredding.

Plant according to the previous plant claim, characterized in that the discharge of the second device (ZV2) for post-shredding the fourth fraction (F4) with the entry of the screening device (S) is operatively connected.

Installation according to one of the preceding system claims, characterized in that between the first device (VZ1) and the transfer point to the second fraction (F2) and the scattering head (DS) for the cover layer, a sieve is arranged.

Plant according to one of the preceding claims, characterized in that for the retention of the second fraction (F2) and screening of the first fraction (S1) a sieve (S2) with a mesh size of 0.2 × 0.2 mm is arranged.

Plant according to one of the preceding claims, characterized in that for the retention of the first fraction (F3a) a sieve (S3a) with a mesh size of 1.4 × 1.4 mm is arranged.

Plant according to one of the preceding claims, characterized in that for the retention of the second fraction (F3b) a sieve (S3b) with a mesh size of 2.5 × 2.5 mm is arranged

Installation according to one of the preceding claims, characterized in that for the retention of the fourth fraction (F4) a sieve (S4) with a mesh size of 20 × 20 mm is arranged.