DE202015104615U1 - Power converter module - Google Patents

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Abstract

Leistungswandlermodul, umfassend: eine erste Gruppe (101) von IGBT-Einheiten; eine zweite Gruppe (102) von IGBT-Einheiten; und einen Kühlkörper (230, 330), wobei die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe (101) und die IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe (102) auf dem Kühlkörper (230, 330) angeordnet sind und sich jeweils entlang einer geraden Linie erstecken, wobei der durchschnittliche Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe (102) größer als der durchschnittliche Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der ersten Gruppe (101) ist.A power converter module comprising: a first group (101) of IGBT units; a second group (102) of IGBT units; and a heat sink (230, 330), wherein the IGBT units of the first group (101) and the IGBT units of the second group (102) are arranged on the heat sink (230, 330) and each extend along a straight line, wherein the average distance between adjacent IGBT units of the second group (102) is greater than the average distance between adjacent IGBT units of the first group (101).

Description

Die Erfindung betrifft allgemein ein Leistungswandlermodul für einen Frequenzumrichter, insbesondere einen 5-Pegel-Mittelspannungs-Frequenzumrichter und dessen Leistungswandlermodul. The invention relates generally to a power converter module for a frequency converter, more particularly to a 5-level medium voltage frequency converter and its power converter module.

STAND DER TECHNIK STATE OF THE ART

In einem Anwendungsgebiet (z.B. Frequenzwandler, Lichtkreise, Traktionsantriebe usw.), bei dem ein großer Strom und schnelles Ein- und Ausschalten erforderlich sind, kommen normalerweise mehrere IGBT-Komponenten oder -Module (z.B. IGBT: Bipolartransistor mit isoliertem Gate) zum Einsatz. Das IGBT-Modul führt im Betrieb aufgrund hoher Frequenz oder langer Einschaltzeit oder großen Stroms usw. zu der Erhöhung der generierten Soll-Verluste und dabei zu einer verstärkten Erwärmung der Komponenten. Bei der Ausgestaltung der traditionellen Leistungswandlermodule soll daher ein Kühlkörper oder eine Wärmesenke, wie z.B. eine Metallplatte, eingebracht werden, um die Wärme aus den IGBT-Komponenten abzuleiten. In a field of application (e.g., frequency converters, light circuits, traction drives, etc.) where large current and fast turn-on and turn-off are required, several IGBT components or modules (e.g., IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor) are commonly used. In operation, the IGBT module due to high frequency or long on-time or large current, etc. to increase the generated target losses and thereby to an increased heating of the components. In the design of the traditional power converter modules, therefore, a heat sink or heat sink, such as e.g. a metal plate, are introduced to dissipate the heat from the IGBT components.

Für Multipegel-Frequenzumrichter wird im Allgemeinen durch die Schaltungstopologie definiert, dass einige IGBT-Komponenten im Betrieb höherer Schaltfrequenz oder längerer Einschaltzeit oder größerem Strom unterliegen als andere IGBT-Komponenten, was zur Folge hat, dass solche IGBT-Komponenten wesentlich mehr Wärme generieren. Durch die Schaltungstopologie und die Einschränkung der Verdrahtung führt eine konventionelle IGBT-Anordnung auf dem Kühlkörper dazu, dass die Wärme, die durch eine große Menge der Wärme generierenden IGBT-Komponenten generiert wird, schwer abgeleitet wird, was die Zuverlässigkeit und die Leistungen der Komponenten negativ beeinflusst. For multi-level variable frequency drives, the circuit topology generally defines some IGBT components in operation to be subject to higher switching frequency or longer on-time or greater current than other IGBT components, with the result that such IGBT components generate significantly more heat. Due to the circuit topology and the limitation of wiring, a conventional IGBT arrangement on the heat sink will result in the heat generated by a large amount of the heat generating IGBT components being dissipated heavily, negatively affecting the reliability and performance of the components affected.

OFFENBARUNG DER ERFINDUNG DISCLOSURE OF THE INVENTION

Die Aufgabe der Erfindung liegt darin, dass ein verbessertes Leistungswandlermodul bereitgestellt wird, welches im Vergleich zu den traditionellen IGBT-Einheiten-Anordnung erlaubt, dass bei gleicher Größe des Kühlkörpers darauf mehrere IGBT-Komponenten angeordnet sind. Dabei wird die maximale Temperatur der IGBT-Einheiten auf dem Kühlkörper im Betrieb reduziert. The object of the invention is to provide an improved power converter module which, compared to the traditional IGBT unit arrangement, allows a plurality of IGBT components to be arranged thereon for the same size of the heat sink. In doing so, the maximum temperature of the IGBT units on the heat sink is reduced during operation.

Die Aufgabe wird gelöst durch ein erfindungsgemäßes Leistungswandlermodul nach den Ansprüchen 1 bis 10. The object is achieved by an inventive power converter module according to claims 1 to 10.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist ein Leistungswandlermodul vorgesehen, welches eine erste Gruppe von IGBT-Einheiten und eine zweite Gruppe von IGBT-Einheiten umfasst. Ferner umfasst das Leistungswandlermodul einen Kühlkörper, auf dem die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe und der zweiten Gruppe angeordnet sind, wobei die IGBT-Einheiten der beiden Gruppen sich jeweils entlang einer geraden Linie erstecken. Ein durchschnittlicher Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe ist größer als ein durchschnittlicher Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der ersten Gruppe. Durch einen größeren durchschnittlichen Abstand zwischen den IGBT-Einheiten, welche höhere Wärme generieren, kann die Wärmeverteilung auf dem Kühlkörper wesentlich verbessert werden. According to one aspect of the invention, a power converter module is provided which comprises a first group of IGBT units and a second group of IGBT units. Furthermore, the power converter module comprises a heat sink on which the IGBT units of the first group and the second group are arranged, the IGBT units of the two groups each extending along a straight line. An average distance between adjacent IGBT units of the second group is greater than an average distance between adjacent IGBT units of the first group. A larger average distance between the IGBT units, which generate higher heat, can significantly improve the heat distribution on the heat sink.

Bevorzugte Ausführungen und besondere Aspekte der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Preferred embodiments and particular aspects of the invention are indicated in the dependent claims.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Kühlkörper eine rechteckige Metallplatte sein, und die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe und der zweiten Gruppe sind auf derselben Seite des Kühlkörpers angeordnet. According to an embodiment of the invention, the heat sink may be a rectangular metal plate, and the IGBT units of the first group and the second group are disposed on the same side of the heat sink.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe und der zweiten Gruppe im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet. According to an embodiment of the invention, the IGBT units of the first group and the second group are arranged substantially parallel to each other.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung umfasst die erste Gruppe vier erste Teilmengen mit gleicher Anzahl der IGBT-Einheiten, und die zweite Gruppe umfasst zwei zweite Teilmengen mit gleicher Anzahl der IGBT-Einheiten. According to one embodiment of the invention, the first group comprises four first subsets with the same number of IGBT units, and the second group comprises two second subsets with the same number of IGBT units.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die IGBT-Einheiten einer der zweiten Teilmengen und die IGBT-Einheiten einer anderen zweiten Teilmenge versetzt zueinander angeordnet. According to an embodiment of the invention, the IGBT units of one of the second subsets and the IGBT units of another second subset are offset from one another.

Gemäß eine Ausführungsbeispiel der Erfindung sind alle IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe mit gleichem Abstand auf dem Kühlkörper angeordnet. According to an embodiment of the invention, all IGBT units of the second group are arranged equidistantly on the heat sink.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind alle IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe mit gleichem Abstand angeordnet. According to an embodiment of the invention, all the IGBT units of the second group are arranged equidistantly.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung hat jede IGBT-Einheit der zweiten Gruppe im Betrieb eine höhere Schaltfrequenz als jede IGBT-Einheit der ersten Gruppe. According to an embodiment of the invention, each IGBT unit of the second group has a higher switching frequency in operation than any IGBT unit of the first group.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung hat jede IGBT-Einheit der zweiten Gruppe im Betrieb eine längere Einschaltzeit als jede IGBT-Einheit der ersten Gruppe. According to an embodiment of the invention, each IGBT unit of the second group has a longer on-time in operation than any IGBT unit of the first group.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung hat jede IGBT-Einheit in der zweiten Gruppe im Betrieb größeren Strom als jede IGBT-Einheit in der ersten Gruppe. According to an embodiment of the invention, each IGBT unit in the second group has Operating larger current than any IGBT unit in the first group.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung generiert jede IGBT-Einheit der zweiten Gruppe im Betrieb höhere Wärme als jede IGBT-Einheit der ersten Gruppe. According to an embodiment of the invention, each IGBT unit of the second group generates higher heat during operation than any IGBT unit of the first group.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe und der zweiten Gruppe derart adaptiert, dass sie 5-Pegel-Mittelspannungs-Frequenzumrichter bilden. According to an embodiment of the invention, the IGBT units of the first group and the second group are adapted to form 5-level medium-voltage frequency converters.

Die Vorteile der Ausführungsbeispiele der Erfindung liegt im Allgemeinen darin, dass die Einsetzung eines gleichen Kühlkörpers wie bei dem konventionellen Leistungswandlermodul möglich ist und auf dem Kühlkörper mehrere IGBT-Einheiten angeordnet werden können, wobei die durch die IGBT-Einheiten bewirkte maximale Temperatur auf dem Kühlkörper reduziert wird. Durch die Verbesserung der IGBT-Einheiten-Anordnung wird dabei eine Erhöhung der Wärmeableitungsleistung des Kühlkörpers ermöglicht. The advantages of the embodiments of the invention are generally that the use of a same heat sink as in the conventional power converter module is possible and on the heat sink, a plurality of IGBT units can be arranged, wherein the maximum temperature caused by the IGBT units on the heat sink reduced becomes. By improving the IGBT device arrangement, an increase in the heat dissipation performance of the heat sink is made possible.

ZEICHNUNGEN DRAWINGS

Die obengenannten und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnungen und der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. In den Figuren werden die Ausführungsbeispiele der Erfindung lediglich als Bespiele beschrieben, und sie stellen keine abschließende Einschränkung dar. Es zeigen: The above and other objects, features and advantages of the embodiments of the invention will become more apparent from the drawings and the description below. In the figures, the embodiments of the invention are described as examples only, and they are not an exhaustive limitation. It is shown:

1 eine schematische Schaltungstopologie-Abbildung eines Leistungswandlermoduls mit mehreren IGBT-Einheiten gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, 1 1 is a schematic circuit topology illustration of a power converter module having a plurality of IGBT units according to an embodiment of the invention,

2 eine traditionelle IGBT-Einheiten-Anordnung gemäß der Schaltungstopologie-Abbildung aus 1, und 2 a traditional IGBT device arrangement according to the circuit topology map 1 , and

3 eine verbesserte IGBT-Einheiten-Anordnung der Schaltungstopologie-Abbildung aus 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. 3 an improved IGBT device arrangement of the circuit topology map 1 according to an embodiment of the invention.

AUSFÜHRUNGSFORMEN DER ERFINDUNG EMBODIMENTS OF THE INVENTION

Nun werden Prinzipien der Erfindung anhand der in den Figuren dargestellten verschiedenen Ausführungsbeispiele beschrieben. Es sollte klar sein, dass diese Ausführungsbeispiele lediglich für den Fachmann zum besseren Verständnis und zur weiteren Umsetzung der Erfindung dienen, aber sie stellen keine abschließende Einschränkung dar. Es sollte beachtet werden, dass ähnliche oder identische Bezugszeichen in den Zeichnungen verwendet werden können, wobei die ähnlichen oder identischen Bezugszeichen ähnliche oder identische Funktionen bezeichnen können. Es ist für einen Fachmann einfach vorstellbar, dass aus der folgenden Beschreibung alternative Ausführungsbeispiele der Konstruktionen und Verfahren im Zusammenhang gemacht werden können, ohne dabei die beschriebenen Prinzipien des vorliegenden Gebrauchsmusters zu verlassen. Now, principles of the invention will be described with reference to the various embodiments shown in the figures. It should be understood that these embodiments are merely for the benefit of one skilled in the art to better understand and further implement the invention, but they are not an exhaustive limitation. It should be understood that similar or identical reference numbers may be used in the drawings similar or identical reference numerals may denote similar or identical functions. It will be readily apparent to one skilled in the art that from the following description, alternative embodiments of the constructions and methods may be made without departing from the described principles of the present invention.

Es sollte verstanden werden, dass alle Anwendungen für IGBT in dem Schutzumfang der Erfindung eingeschlossen werden sollen, obwohl in den Ausführungsformen der Erfindung ein 5-Pegel-Mittelspannungs-Frequenzumrichter als Beispiel verwenden wird. It should be understood that all applications for IGBTs are intended to be included within the scope of the invention, although in embodiments of the invention, a 5-level medium voltage AC drive will be used as an example.

1 zeigt eine schematische Schaltungstopologie-Abbildung eines Leistungswandlermoduls 100 mit einer Vielzahl von IGBT-Einheiten gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Es sollte verstanden werden, dass nur eine der IGBT-Anwendungen in 1 dargestellt ist und nur zum Veranschaulichungszweck angegeben ist. Die Erfindung schränkt nicht auf Schaltungstopologie, Konfiguration, Ausgestaltung, Art und Anzahl der beteiligten Bauelemente, usw. ein. 1 shows a schematic circuit topology map of a power converter module 100 with a plurality of IGBT units according to an embodiment of the invention. It should be understood that only one of the IGBT applications in 1 is shown and is given for illustrative purposes only. The invention is not limited to circuit topology, configuration, design, type and number of components involved, etc.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Leistungswandlermodul 100 zur Verfügung gestellt. Das Leistungswandlermodul kann ein in der 5-Pegel-Mittelspannungs-Frequenzumrichter-Schaltung eingesetztes Modul sein und eine Vielzahl von IGBT-Einheiten und eine Vielzahl von Kondensatoren aufweisen, damit es einen Teil der Frequenzumrichter-Schaltung bildet. According to one embodiment of the invention, a power converter module 100 made available. The power converter module may be a module employed in the 5-level medium voltage frequency converter circuit and may include a plurality of IGBT units and a plurality of capacitors to form part of the frequency converter circuit.

Wie in Figur gezeigt, ist auf der linken Seite des Schaltbildes eine erste Gruppe 101 von IGBT-Einheiten dargestellt, die eine Vielzahl von IGBT-Einheiten umfasst und vier erste Teilmengen 111, 112, 113, 114 aufweist, wobei jede der ersten Teilmengen mehrere IGBT-Einheiten (wie in 1 dargestellt, kann jede der ersten Teilmengen jeweils zwei IGBT-Einheiten oder -Komponenten aufweisen) umfassen kann. Auf der rechten Seite des Schaltbildes ist dabei eine zweite Gruppe 102 von IGBT-Einheiten dargestellt, die eine Vielzahl von IGBT-Einheiten umfasst und zwei zweite Teilmengen 121, 122 aufweist, wobei jede der zweiten Teilmengen mehrere IGBT-Einheiten (wie in 1 dargestellt, kann jede der zweiten Teilmengen jeweils zwei IGBT-Einheiten oder -Komponenten aufweisen) umfassen kann. As shown in Figure, on the left side of the circuit diagram is a first group 101 of IGBT units comprising a plurality of IGBT units and four first subsets 111 . 112 . 113 . 114 wherein each of the first subsets comprises a plurality of IGBT units (as in 1 1, each of the first subsets may each comprise two IGBT units or components). On the right side of the diagram is a second group 102 of IGBT units comprising a plurality of IGBT units and two second subsets 121 . 122 wherein each of the second subsets comprises a plurality of IGBT units (as in 1 , each of the second subsets may each comprise two IGBT units or components).

In der in 1 dargestellten Schaltungstopologie bilden die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe 101 und der zweiten Gruppe 102 zusammen einen Teil des Leistungswandlermoduls, der zum Beispiel als ein Inverter ausgebildet ist. Jede IGBT-Einheit in den ersten Teilmengen und jede IGBT-Einheit in den zweiten Teilmengen können als gleiche Komponenten oder Module ausgeführt werden. Darüber hinaus können unterschiedliche IGBT-Einheiten in einer Teilmenge als gleiche Komponenten oder Module ausgeführt werden. Aufgrund der spezifischen Schaltungstopologie unterliegen jedoch die IGBT-Einheiten in den zweiten Teilmengen 121, 122 höherer Schaltfrequenz und/oder längerer Einschaltzeit und/oder höherem Strom als die IGBT-Einheiten in den ersten Teilmengen 111, 112, 113, 114, so dass jede IGBT-Einheit in den zweiten Teilmengen höhere Wärme generiert als jede IGBT-Einheit in den ersten Teilmenge. In the in 1 illustrated circuit topology form the IGBT units of the first group 101 and the second group 102 together form a part of the power converter module, which is designed, for example, as an inverter. Every IGBT Unit in the first subsets and each IGBT unit in the second subsets may be executed as the same components or modules. In addition, different IGBT units in a subset can be executed as the same components or modules. Due to the specific circuit topology, however, the IGBT units are subject to the second subsets 121 . 122 higher switching frequency and / or longer on-time and / or higher current than the IGBT units in the first subsets 111 . 112 . 113 . 114 so that each IGBT unit in the second subsets generates higher heat than any IGBT unit in the first subset.

Es ist anzumerken, dass die durch IGBT generierte Wärme zumindest abhängig von der Schaltfrequenz, der Einschaltzeit und dem Strom bestimmt werden kann. Der Begriff „Unterliegen höherer Schaltfrequenz“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Schaltzahl einer oder einiger IGBT-Einheiten in der gleichen Zeitdauer größer als die der weiteren IGBT-Einheiten ist (es wird angenommen, dass andere Bedingungen gleich sind). Da bei jedem Schalten zusätzliche Wärme generiert wird, führt eine große Schaltzahl zu der hohen Wärme. Der Begriff „Unterliegen längerer Einschaltzeit“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass eine oder einige IGBT-Einheiten in einem gleichen Zeitraum längere Gesamteinschaltzeit besitzt als weitere IGBT-Einheiten (es wird angenommen, dass andere Bedingungen gleich sind). Da die Gesamteinschaltzeit innerhalb des gleichen Zeitraums länger ist, wird die summierte erzeugte Wärme mehr ist. Ferner bedeutet der Begriff „Unterliegen größerem Strom“ in diesem Zusammenhang, dass der durch eine oder einige IGBT-Einheiten fließende Strom größer ist als der durch weitere IGBT-Einheiten fließende Strom (es ist angenommen, dass andere Bedingungen gleich sind). It should be noted that the heat generated by IGBT can be determined at least as a function of the switching frequency, the turn-on time and the current. The term "higher switching frequency" in this context means that the switching number of one or several IGBT units in the same period of time is greater than that of the other IGBT units (it is assumed that other conditions are the same). Since additional heat is generated with each switching, a large number of switching leads to the high heat. The term "prolonged on-time" in this context means that one or several IGBT units have a longer total turn-on time over a similar period of time than other IGBT units (assuming other conditions are the same). Since the total turn-on time is longer within the same time period, the summed generated heat will be more. Further, the term "greater current" in this context means that the current flowing through one or several IGBT units is greater than the current flowing through other IGBT units (it is assumed that other conditions are the same).

2 zeigt eine herkömmliche IGBT-Einheiten-Anordnung gemäß der Schaltungstopologie-Abbildung der 1, also die Anordnung für ein Leistungswandlermodul 200 und dessen IGBT-Einheiten. 2 FIG. 12 shows a conventional IGBT device arrangement according to the circuit topology map of FIG 1 So the arrangement for a power converter module 200 and its IGBT units.

Wie gezeigt, verfügt das Leistungswandlermodul 200 über einen Kühlkörper 230. Der Kühlkörper 230 kann so als eine rechteckige Metallplatte ausgebildet werden, dass alle IGBT-Einheiten oder -Komponenten auf derselben Seite der Metallplatte angeordnet sind. Während die ersten Teilmengen 211, 212 der ersten Gruppe im in 2 dargestellten Beispiel an dem linken Ende in der Nähe vom Kühlkörper 230 angeordnet sind, sind die weiteren ersten Teilmengen 213, 214 der ersten Gruppe an dem rechten Ende in der Nähe vom Kühlkörper 230 angeordnet. Darüber hinaus sind die zweiten Teilmengen 221, 222 der zweiten Gruppe in der Zwischenstelle des Kühlkörpers 230 angeordnet. Wie gezeigt, sind die IGBT-Einheiten in einer zweiten Teilmenge 221 und die IGBT-Einheiten in einer anderen zweiten Teilmenge 222 versetzt angeordnet. As shown, the power converter module has 200 over a heat sink 230 , The heat sink 230 can be formed as a rectangular metal plate, that all IGBT units or components are arranged on the same side of the metal plate. While the first subsets 211 . 212 the first group in the 2 shown example at the left end near the heat sink 230 are arranged, the other first subsets 213 . 214 the first group at the right end near the heat sink 230 arranged. In addition, the second subsets 221 . 222 the second group in the intermediate position of the heat sink 230 arranged. As shown, the IGBT units are in a second subset 221 and the IGBT units in a different second subset 222 staggered.

In dem in 2 gezeigten Beispiel umfasst jede der ersten Teilmengen 211, 212, 213, 214 der ersten Gruppe jeweils drei im gleichen Abstand voneinander beabstandete IGBT-Einheiten, während jede der zweiten Teilmengen 221, 222 der zweiten Gruppe ebenfalls drei im gleichen Abstand voneinander beabstandete IGBT-Einheiten umfasst. In diesem Beispiel sind der durchschnittliche Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe und der durchschnittliche Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der ersten Gruppe ähnlich. Im Hinblick auf die spezifische Topologie des 5-Pegel-Mittelspannungs-Frequenzumrichters, wie er beispielhaft in 1 dargestellt ist, kann es zu erwarten sein, dass mehr Wärme in der Stelle, wo sich die zweite Gruppe befindet, generiert wird. In the in 2 Example shown includes each of the first subsets 211 . 212 . 213 . 214 each of the first group has three equidistant IGBT units, while each of the second subsets 221 . 222 the second group also comprises three equidistant IGBT units. In this example, the average distance between adjacent IGBT units of the second group and the average distance between adjacent IGBT units of the first group are similar. With regard to the specific topology of the 5-level medium-voltage frequency converter, as exemplified in 1 can be expected to generate more heat in the location where the second group is located.

Die Wärmeverteilung in der traditionellen IGBT-Einheiten-Anordnung in 2 bewirkt, dass bei dem eingesetzten Leistungswandlermodul 200 die höchste Temperatur in der Nähe von den IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe in der Mittelstelle des Kühlkörpers 230 auftritt. Obwohl in der Umgebung der zweiten Teilmengen 221, 222 der zweiten Gruppe (wie in der 2 oben und unten dargestellt) ein unbesetzter (d. h. verschwendeter) Raum vorhanden ist, generieren die IGBT-Einheiten der zweiten Teilmengen gemäß dieser traditionellen Anordnung noch sehr hohe Wärme, die wiederum zur Reduzierung der Lebensdauer der IGBT-Einheiten oder -Komponenten oder zur Erniedrigung der Leistung führt. The heat distribution in the traditional IGBT units arrangement in 2 causes the power converter module used 200 the highest temperature near the IGBT units of the second group in the middle of the heat sink 230 occurs. Although in the environment of the second subsets 221 . 222 the second group (as in the 2 shown above and below), the IGBT units of the second subsets still generate very high heat according to this traditional arrangement, which in turn reduces the life of the IGBT units or components or reduces the power leads.

3 zeigt eine verbesserte IGBT-Einheiten-Anordnung der Schaltungstopologie aus der 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, also ein Leistungswandlermodul 300 und dessen IGBT-Einheiten-Anordnung. 3 shows an improved IGBT device arrangement of the circuit topology of the 1 according to an embodiment of the invention, that is, a power converter module 300 and its IGBT unit arrangement.

Wie in der Figur gezeigt, weist das Leistungswandlermodul 300 einen Kühlkörper 330 auf. Der Kühlkörper 330, der ähnlich zu dem in 2 gezeigten Kühlkörper 230 ist, kann in einem Ausführungsbeispiel als eine rechteckige Metallplatte ausgebildet sein, wobei alle IGBT-Einheiten oder -Komponenten auf derselben Seite der Metallplatte angeordnet sind. Im Beispiel aus 3 sind erste Teilmengen 311, 312, 313, 314 der ersten Gruppe in einem ersten Bereich unterhalb des Kühlkörpers 330 angeordnet. Darüber hinaus sind zweite Teilmengen 321, 322 der zweiten Gruppe in einem zweiten Bereich oberhalb des Kühlkörpers 330 angeordnet. As shown in the figure, the power converter module has 300 a heat sink 330 on. The heat sink 330 similar to the one in 2 shown heatsink 230 may be formed in one embodiment as a rectangular metal plate, wherein all IGBT units or components are arranged on the same side of the metal plate. In the example off 3 are first subsets 311 . 312 . 313 . 314 the first group in a first area below the heat sink 330 arranged. In addition, second subsets 321 . 322 the second group in a second area above the heat sink 330 arranged.

In einem Ausführungsbeispiel können die IGBT-Einheiten in der zweiten Teilmenge 321 und die IGBT-Einheiten in der anderen zweiten Teilmenge 322 versetzt zueinander angeordnet sein. Darüber hinaus können alle IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe im Wesentlichen mit einem gleichen Abstand auf dem Kühlkörper 330 angeordnet sein. Wie in Fig. gezeigt, sind alle IGBT-Einheiten der zweiten Teilmengen 321, 322 der zweiten Gruppe mit einem gleichen Abstand im dem zweiten Bereich des Kühlkörper 330 angeordnet (nämlich, in 3 gezeigte obere Hälfte des Kühlkörpers 330), wobei sie sich entlang einer geraden Linie über den Kühlkörper 330 erstrecken. Es sollte verstanden sein, dass die IGBT-Einheiten der zweiten Teilmengen 321, 322 mit einem unterschiedlichen Abstand auf dem Kühlkörper 330 angeordnet sein können, solange der Abstand genügend groß ist, die Wärme abzuleiten. In one embodiment, the IGBT units may be in the second subset 321 and the IGBT units in the other second subset 322 be offset from each other. In addition, all IGBT units of the second Group essentially at an equal distance on the heat sink 330 be arranged. As shown in FIG. 1, all of the IGBT units are the second subsets 321 . 322 the second group with an equal distance in the second region of the heat sink 330 arranged (namely, in 3 shown upper half of the heat sink 330 ), taking along a straight line across the heat sink 330 extend. It should be understood that the IGBT units of the second subsets 321 . 322 with a different distance on the heat sink 330 can be arranged, as long as the distance is large enough to dissipate the heat.

Darüber hinaus können auch alle IGBT-Einheiten der ersten Teilmengen 311, 312, 313, 314 der ersten Gruppe mit einem gleichen Abstand in dem ersten Bereich des Kühlkörpers 330 (nämlich, in 3 gezeigte untere Hälfte des Kühlkörpers 330) angeordnet sein, wobei sie sich entlang einer geraden Linie über den Kühlkörper 330 erstrecken. Die gerade Linie, entlang welcher sich die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe erstrecken, kann parallel zu der geraden Linie, entlang welcher sich die IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe erstrecken, sein. Dabei weisen der erste Bereich und der zweite Bereich im Wesentlichen die gleiche Fläche auf. In addition, all IGBT units of the first subsets can also 311 . 312 . 313 . 314 the first group at an equal distance in the first region of the heat sink 330 (ie, in 3 shown lower half of the heat sink 330 ), extending along a straight line across the heat sink 330 extend. The straight line along which the IGBT units of the first group extend may be parallel to the straight line along which the IGBT units of the second group extend. In this case, the first area and the second area have substantially the same area.

Es sei darauf hingewiesen, dass die Fläche eines Abdeckungsbereichs, welcher durch die Vielzahl von IGBT-Einheiten besetzt wird, als die Fläche innerhalb des durch diese IGBT-Einheiten begrenzten Umfangs verstanden werden soll. Mit anderen Worten: Der Randbereich der IGBT-Einheiten sollte nicht als die durch sie besetzte Fläche verstanden werden. Beispielsweise soll ein unbesetzter Teil im Kühlkörper 230 unterhalb der IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe in 2 nicht als die durch die IGBT-Einheiten besetzte Fläche verstanden werden, wobei in dieser Figur die Fläche des zweiten Bereiches durch den von sechs IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe begrenzten Umfang definiert werden kann. Durch die in der 3 dargestellte Anordnung des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels wird eine effektive Fläche der IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe auf dem Kühlkörper 330 vergrößert. Im Vergleich dazu ist in 2 die effektive Fläche der IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe weniger als 1/2, und in 3 erreicht jedoch die effektive Fläche der IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe mindestens 1/2. It should be noted that the area of a coverage area occupied by the plurality of IGBT units is to be understood as the area within the scope limited by these IGBT units. In other words, the peripheral area of IGBT units should not be understood as the area occupied by them. For example, an unoccupied part in the heat sink 230 below the IGBT units of the second group in 2 are not understood as the area occupied by the IGBT units, in which figure the area of the second area can be defined by the perimeter bounded by six IGBT units of the second group. By in the 3 illustrated arrangement of the embodiment of the invention is an effective area of the IGBT units of the second group on the heat sink 330 increased. In comparison, in 2 the effective area of the IGBT units of the second group is less than 1/2, and in 3 however, the effective area of the IGBT units of the second group reaches at least 1/2.

In dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel ist ein durchschnittlicher Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe größer als ein durchschnittlicher Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der ersten Gruppe. Jedoch ist der Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe nicht groß genug, um dazwischen eine zusätzliche IGBT-Einheit anzuordnen. In the in 3 In the embodiment shown, an average distance between adjacent IGBT units of the second group is greater than an average distance between adjacent IGBT units of the first group. However, the distance between adjacent IGBT units of the second group is not large enough to place an additional IGBT unit therebetween.

Ähnlich zu der Anordnung in 2, bewirkt die Wärmeverteilung der IGBT-Einheiten-Anordnung des beispielhaften Ausführungsbeispiels in 3, dass bei dem verwendeten Leistungswandlermodul 300 ebenfalls die höchste Temperatur in der Nähe der IGBT-Einheit der zweiten Gruppe, die sich in der Mittelstelle des Kühlkörpers 330 befindet, eintritt. Durch Experimente, die unter gleichen Betriebsbedingungen durchgeführt werden, und durch Vergleich der IGBT-Einheiten-Anordnung in 2 mit der in 3 kann jedoch ein Unterschied der beiden Anordnungen im Hinblick auf die Wärmeableitungswirkung festgestellt werden. Experimente, die unter den gleichen Betriebsbedingungen durchgeführt werden, bedeutet, dass bei den beiden Anordnungen jeweils die Anzahl der IGBT-Einheiten der ersten Gruppe (insgesamt 12 IGBT-Einheiten), die Anzahl der IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe (insgesamt 6 IGBT-Einheiten), Betriebsstrom, Sollleistung, verwendeter Kühlkörper sowie Belüftungsbedingung jeweils gleich sind. Im Vergleich zu der in 2 dargestellten traditionellen IGBT-Einheiten-Anordnung auf dem Kühlkörper wird durch die IGBT-Einheiten-Anordnung des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels an dem Kühlkörper die maximale Sperrschichttemperatur der IGBT-Einheiten um 5–7 °C reduziert wird. Somit hat das Leistungswandlermodul 300 des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels einen verbesserten Wärmeableitungswirkungsgrad, und der Kühlkörper hat bei gleicher Größe eine bessere Wärmeableitungsleistung. Similar to the arrangement in 2 , causes the heat distribution of the IGBT device arrangement of the exemplary embodiment in 3 in that the power converter module used 300 also the highest temperature near the IGBT unit of the second group, located in the middle of the heat sink 330 is, enters. Through experiments conducted under the same operating conditions, and by comparing the IGBT device arrangement in 2 with the in 3 However, a difference of the two arrangements with respect to the heat dissipation effect can be found. Experiments carried out under the same operating conditions means that the number of IGBT units of the first group (total 12 IGBT units) and the number of IGBT units of the second group (total of 6 IGBT units ), Operating current, nominal power, used heatsink and ventilation condition are the same. Compared to the in 2 illustrated traditional IGBT device arrangement on the heat sink is reduced by the IGBT unit arrangement of the embodiment of the invention on the heat sink, the maximum junction temperature of the IGBT units by 5-7 ° C. Thus, the power converter module has 300 of the embodiment of the present invention has improved heat dissipation efficiency, and the heat sink has better heat dissipation performance for the same size.

In der in 2 gezeigten Anordnung sind eine Vielzahl von ersten Teilmengen 211, 212, 213 und 214 nicht in einer geraden Linie angeordnet, was bewirkt, dass die ersten Teilmengen 211, 214 in der oberen Hälfte des Kühlkörpers 230 mindestens sechs IGBT-Stellen besitzen (je drei auf der linken und rechten Seite). Falls die zweiten Teilmengen 221, 222 derart angeordnet sein sollten, dass sie sich entlang einer geraden Linie erstrecken und zwischen ihnen ein größerer Abstand vorliegt, muss dann die Anzahl der IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe reduziert werden. Da unter der Voraussetzung, dass der Kühlkörper nicht geändert wird, die jeweiligen Teilmengen jeweils in der ersten Gruppe und in zweiten Gruppe gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung jeweils derart angeordnet sind, dass sie sich entlang einer geraden Linie erstrecken, weisen dann die IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe einen Raum für einen größeren Abstand auf, ohne die Anzahl von IGBT-Einheiten zu reduzieren (die Anzahl der IGBT-Einheiten kann sogar von 6 in 2 auf 8 in 3 erhöht werden). In the in 2 shown arrangement are a plurality of first subsets 211 . 212 . 213 and 214 not arranged in a straight line, which causes the first subsets 211 . 214 in the upper half of the heat sink 230 have at least six IGBT posts (three each on the left and right). If the second subsets 221 . 222 should be arranged so that they extend along a straight line and there is a greater distance between them, then the number of IGBT units of the second group must be reduced. Since, under the condition that the heat sink is not changed, the respective subsets respectively in the first group and in the second group according to the embodiment of the invention are respectively arranged to extend along a straight line, then the IGBT units of FIG The second group has a space for a larger distance without reducing the number of IGBT units (the number of IGBT units can be even from 6 in.) 2 at 8 in 3 increase).

In einem Ausführungsbeispiel ist jede IGBT-Einheit der ersten Gruppe im Hinblick auf die Spezifikation (z.B. Aussehen, Dimension, Sollstrom usw.) gleich wie jede IGBT-Einheit der zweiten Gruppe. Mit anderen Worten: Es ist unnötig, die IGBT-Einheiten, welche wegen der Topologie höhere Wärme generieren, zu wechseln, sondern es ist ausreichend, dass nur die Anordnung des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels für die gleiche Topologie wie in 1 verwendet wird, um den Wärmeableitungswirkungsgrad effektiv zu verbessern. In one embodiment, each IGBT unit of the first group is the same in terms of specification (eg, appearance, dimension, set current, etc.) as each IGBT unit of the second group. In other words, it is unnecessary to change the IGBT units, which generate higher heat because of the topology, but it is sufficient that only the arrangement of the embodiment according to the invention for the same topology as in 1 is used to effectively improve the heat dissipation efficiency.

Gemäß der Anordnung des Ausführungsbeispiels der Erfindung können zusätzlich auf dem Kühlkörpers mit gleicher Fläche, wie in den 2 und 3 gezeigt, mehrere IGBT-Einheiten innerhalb des zweiten Bereichs, der durch die IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe besetzt wird, angeordnet sein. Wie beispielsweise in 3 gezeigt, erlaubt die verbesserten Anordnung des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels, dass acht IGBT-Einheiten auf dem zweiten Bereich angeordnet sind, während aufgrund der Topologie und der Beschränkung der Verdrahtung bei der traditionellen in 2 dargestellten Anordnung nur sechs IGBT-Einheiten auf derselben Fläche angeordnet sein können. Durch eine verbesserte Nutzung des vorhandenen Platzes auf dem Kühlkörper wird es ermöglicht, dass eine größere Anzahl von IGBT-Einheiten in der zweiten Gruppe benutzt wird. Dabei kann die Nennleistung des Leistungswandlermoduls des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels etwa 25% im Vergleich zu den bestehenden Leistungswandlermodulen erhöht werden. Mit der Anordnung des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels kann daher bei der gleichzeitigen Verbesserung der Wärmeableitung die Raumausnutzung auch erheblich verbessert werden, so dass die Ausgestaltung von Leistungswandlermodulen mit höheren Leistungen oder eine Anwendung des Frequenzwandlers mit diesem Leistungswandlermodul ermöglicht wird. According to the arrangement of the embodiment of the invention can additionally on the heat sink with the same area as in the 2 and 3 shown, a plurality of IGBT units within the second area, which is occupied by the IGBT units of the second group, be arranged. Such as in 3 As shown, the improved arrangement of the embodiment of the present invention allows eight IGBT units to be located on the second area, while due to the topology and limitation of wiring in the traditional in 2 arrangement shown only six IGBT units can be arranged on the same surface. Improved use of the existing space on the heat sink allows a larger number of IGBT units to be used in the second group. In this case, the rated power of the power converter module of the embodiment according to the invention can be increased by about 25% compared to the existing power converter modules. With the arrangement of the embodiment according to the invention, therefore, with the simultaneous improvement of heat dissipation, the space utilization can also be significantly improved, so that the design of power converter modules with higher power or application of the frequency converter is made possible with this power converter module.

Darüber hinaus ist eine effektive Überlappungsfläche der Verbundschicht-Kupferschienen in der in 3 dargestellten Anordnung größer als die in der in 2 gezeigten Anordnung, so dass die äquivalente Streuinduktivität der Kommutierungsschaltung reduziert wird. Daher erzielt die IGBT-Einheiten-Anordnung des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels gegenüber der traditionellen Anordnung eine kleinere Streuinduktivität. In addition, an effective overlap area of the composite layer copper bars in the in 3 shown arrangement greater than that in the in 2 arrangement shown, so that the equivalent leakage inductance of the commutation circuit is reduced. Therefore, the IGBT device arrangement of the embodiment of the invention achieves a smaller leakage inductance than the traditional arrangement.

Es sollte verstanden werden, dass die Erfindung beansprucht, dass der durchschnittliche Abstand zwischen den IGBT-Einheiten, die der höheren Schaltfrequenz und/oder der längeren Einschaltzeit und/oder dem größeren Strom unterliegen, größer als der durchschnittliche Abstand zwischen den IGBT-Einheiten ist, die der niedrigeren Schaltfrequenz und/oder der kürzeren Einschaltzeit und/oder dem niedrigeren Strom unterliegen, obwohl in den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen der Erfindung ein gleicher Abstand als Beispiel verwendet wird. It should be understood that the invention claims that the average distance between the IGBT units subject to the higher switching frequency and / or the longer on-time and / or the larger current is greater than the average distance between the IGBT units, which are subject to the lower switching frequency and / or the shorter turn-on time and / or the lower current, although in the embodiments of the invention described above an equal distance is used as an example.

Darüber hinaus sollte man es verstehen, dass IGBT-Einheit des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels eine einzelne IGBT-Komponente oder ein aus IGBT-Komponenten bestehendes IGBT-Modul sein kann. Obwohl in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der Erfindung IGBT als Beispiel verwendet wird, kann sie auch durch andere Halbleiter oder Module mit einer gleichen Funktion ersetzt werden. Weiterhin fällt der Ersatz, durch den die IGBT-Einheit funktionell ersetzt wird, auch in den Schutzumfang der Erfindung. In addition, it should be understood that the IGBT unit of the embodiment of the present invention may be a single IGBT component or an IGBT module composed of IGBT components. Although IGBT is used as an example in the above-described embodiment of the invention, it may be replaced with other semiconductors or modules having a same function. Furthermore, the replacement by which the IGBT unit is functionally replaced also falls within the scope of the invention.

Die IGBT-Einheiten-Anordnung der erfindungsgemäßen Ausfürhungsbeispiele ist besonders vorteilhaft für die Verbesserung der Wärmeableitung des bekannten 5-Pegel-Mittelspannungs-Frequenzumrichters. Es sollte verstanden werden, dass die Erfindung nicht auf die Anwendungen der IGBT-Einheiten-Anordnung einschränken soll. The IGBT device arrangement of the embodiments according to the invention is particularly advantageous for improving the heat dissipation of the known 5-level medium-voltage frequency converter. It should be understood that the invention is not intended to limit the applications of the IGBT device arrangement.

Obwohl die Ansprüche der Erfindung für bestimmte Kombinationen von Merkmalen entwickelt worden sind, sollte es verstanden werden, dass der Umfang der Erfindung auch die hierin entweder explizit oder implizit offenbarten Merkmale oder jedwede neuen Merkmale oder jede neue Kombination davon umfasst, unabhängig davon, ob es sich um eine gleiche Lösung wie in den gegenwärtigen beanspruchten Ansprüchen handelt. Die beschriebenen und in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele sind nur beispielhaft gewählt. Unterschiedliche Ausführungsbeispiele können vollständig oder in Bezug auf einzelne Merkmale miteinander kombiniert werden. Auch kann ein Ausführungsbeispiel durch Merkmale eines weiteren Ausführungsbeispiels ergänzt werden. Ein neuer Anspruch kann bei den Prüfungsansichten oder weiteren Prozessen als ein Merkmal und/oder eine Kombination mit den anderen Merkmalen gestaltet werden. Although the claims of the invention have been developed for particular combinations of features, it should be understood that the scope of the invention also includes the features disclosed herein either explicitly or implicitly, or any novel features or combination thereof, whether or not is a same solution as in the present claims. The embodiments described and shown in the figures are chosen only by way of example. Different embodiments may be combined together or in relation to individual features. Also, an embodiment can be supplemented by features of another embodiment. A new claim may be made in the review views or other processes as a feature and / or a combination with the other features.

Claims (10)

Leistungswandlermodul, umfassend: eine erste Gruppe (101) von IGBT-Einheiten; eine zweite Gruppe (102) von IGBT-Einheiten; und einen Kühlkörper (230, 330), wobei die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe (101) und die IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe (102) auf dem Kühlkörper (230, 330) angeordnet sind und sich jeweils entlang einer geraden Linie erstecken, wobei der durchschnittliche Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe (102) größer als der durchschnittliche Abstand zwischen benachbarten IGBT-Einheiten der ersten Gruppe (101) ist. A power converter module comprising: a first group ( 101 ) of IGBT units; a second group ( 102 ) of IGBT units; and a heat sink ( 230 . 330 ), the IGBT units of the first group ( 101 ) and the IGBT Units of the second group ( 102 ) on the heat sink ( 230 . 330 ) and each extending along a straight line, wherein the average distance between adjacent IGBT units of the second group ( 102 ) greater than the average distance between adjacent IGBT units of the first group ( 101 ). Leistungswandlermodul nach Anspruch 1, wobei der Kühlkörper (230, 330) als eine rechteckige Metallplatte ausgebildet ist, und wobei die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe (101) und die IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe (102) auf derselben Seite des Kühlkörpers (230, 330) angeordnet sind. Power converter module according to claim 1, wherein the heat sink ( 230 . 330 ) is formed as a rectangular metal plate, and wherein the IGBT units of the first group ( 101 ) and the IGBT units of the second group ( 102 ) on the same side of the heat sink ( 230 . 330 ) are arranged. Leistungswandlermodul nach Anspruch 2, wobei die IGBT-Einheiten der ersten Gruppe (101) und die IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe (102) parallel zueinander angeordnet sind. Power converter module according to claim 2, wherein the IGBT units of the first group ( 101 ) and the IGBT units of the second group ( 102 ) are arranged parallel to each other. Leistungswandlermodul nach Anspruch 3, wobei die erste Gruppe (101) vier erste Teilmengen (111, 112, 113, 114, 211, 212, 213, 214, 311, 312, 313, 314) mit der gleichen Anzahl von IGBT-Einheiten umfasst und die zweite Gruppe (102) zwei zweite Teilmengen (121, 122, 221, 222, 321, 322) mit der gleichen Anzahl von IGBT-Einheiten umfasst. A power converter module according to claim 3, wherein the first group ( 101 ) four first subsets ( 111 . 112 . 113 . 114 . 211 . 212 . 213 . 214 . 311 . 312 . 313 . 314 ) with the same number of IGBT units and the second group ( 102 ) two second subsets ( 121 . 122 . 221 . 222 . 321 . 322 ) with the same number of IGBT units. Leistungswandlermodul nach Anspruch 4, wobei die IGBT-Einheiten einer der zweiten Teilmengen (221, 321) und die IGBT-Einheiten der anderen der zweiten Teilmengen (222, 322) versetzt zueinander angeordnet sind. Power converter module according to claim 4, wherein the IGBT units of one of the second subsets ( 221 . 321 ) and the IGBT units of the other of the second subsets ( 222 . 322 ) are offset from one another. Leistungswandlermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei alle IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe (102) mit einem gleichen Abstand auf dem Kühlkörper (230, 330) angeordnet sind. Power converter module according to one of the preceding claims, wherein all IGBT units of the second group ( 102 ) with an equal distance on the heat sink ( 230 . 330 ) are arranged. Leistungswandlermodul nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei alle IGBT-Einheiten der zweiten Gruppe (102) mit einem gleichen Abstand angeordnet sind. Power converter module according to one of claims 3 to 5, wherein all IGBT units of the second group ( 102 ) are arranged at an equal distance. Leistungswandlermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Betrieb jede IGBT-Einheit der zweiten Gruppe (102) eine höhere Schaltfrequenz aufweist als jede IGBT-Einheit der ersten Gruppe (101). Power converter module according to one of the preceding claims, wherein in operation each IGBT unit of the second group ( 102 ) has a higher switching frequency than any IGBT unit of the first group ( 101 ). Leistungswandlermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Betrieb jede IGBT-Einheit der zweiten (102) Gruppe eine längere Einschaltzeit aufweist als jede IGBT-Einheit der ersten Gruppe (101). Power converter module according to one of the preceding claims, wherein in operation each IGBT unit of the second ( 102 ) Group has a longer on-time than any IGBT unit of the first group ( 101 ). Leistungswandlermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Betrieb jede IGBT-Einheit der zweiten Gruppe (102) höhere Wärme generiert als jede IGBT-Einheit der ersten Gruppe (101). Power converter module according to one of the preceding claims, wherein in operation each IGBT unit of the second group ( 102 ) generates higher heat than any IGBT unit of the first group ( 101 ).
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