DE2013829C

DE2013829C - Push-pull B output stage with transistors

Info

Publication number: DE2013829C
Authority: DE
Inventors: Johann 7101 Kirchhausen; Pieper Frank 7103 Schwaigern Mattfeld
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Publication date: 1972-11-23

Description

stens eine Diode in Flußrichtung geschaltet, deren Ersatzlcsune gefunden werden. Dies geschieht gemäßat least one diode is switched in the forward direction, the replacement of which is found. This is done according to

Spannungsabfall zur Ansteuerung der Endstufen- F i g. 1 dadurch, daß die beiden EndstufentransistorenVoltage drop to control the output stage F i g. 1 in that the two output stage transistors

transistoren verwendet wird. Wenn sich nun aber die T₂ und T₃ Transistoren gleicher Zonenfolge sind,transistors is used. But if the T ₂ and T ₃ transistors are the same zone sequence,

Batteriespannung bei dieser Schaltung stark ändert, deren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe geschaltetThe battery voltage changes greatly in this circuit, the collector-emitter paths of which are connected in series

läßt sich auch eine Änderung des Kollektorruhestroms 5 sind. Einem dieser Endstufentransistoren (T₃) wirdcan also be a change in the quiescent collector current 5 are. One of these output stage transistors (T ₃ ) is

in den Endstufeniransistoren, verursacht durch die ein Komplementärtransistor T₄ vorgeschaltet, dessenin the final stage transistors, caused by a complementary transistor T _{4 connected} upstream, its

geänderte Flußspannung der Diode, nicht vermeiden. Stromverstärkung B etwa gleich 1 ist. Hierfür eignetchanged forward voltage of the diode, do not avoid. Current gain B is approximately equal to 1. Suitable for this

Ferner ist aus der USA.-Patentschrift 3 500 218 sich der besonders in integrierter Technik leichtFurthermore, the US Pat. No. 3,500,218 is particularly easy to use in integrated technology

eine Schaltung bekannt, bei der in der Kollektor- herstellbare Lateraltransistor. Durch diese Maßnahmea circuit known in which the lateral transistor can be produced in the collector. By this measure

zuleitung des^ Treibertransistors als äußerer Wider- io erhält man Endstufentransistoren mit gleicher Stroin-supply line of the driver transistor as an external resistor, you get output stage transistors with the same strobe

stand die KoKektor-Emitter-Sirecke eines ^usäizitchen verstärkung, da die Stromverstärkung der TransistorenThe KoKektor-Emitter-Sirecke stood a ^ usäizitchen amplification, since the current amplification of the transistors

Transistors geschaltet ist Die Basiselektrode ·*-~5es T₂ und T₃ gleich groß ist, wobei die Kombination derThe base electrode · * - ~ 5es T ₂ and T _{3 is the} same size, the combination of the

Transistors vird über einen Spannungst-Jtei * der Transistoren T₃ und T₄ wie ein Komplementärtran-Vird transistor via a Spannungst-Jtei * of the transistors T ₃ and T ₄ as a Komplementärtran-

Versorgungsspannungsquelle verbunden. D? '.. ändert sistor zu T₂ mit der dem Transistor T₂ entsprechendenSupply voltage source connected. D? '.. changes sistor to T ₂ with the transistor T ₂ corresponding

sich der Emitterstrom und auch der Moucktorstrom 15 Stromverstärkung wirkt.the emitter current and also the Moucktorstrom 15 current amplification have an effect.

dieses Transistors in Abhängigkeit on der Versor- Die Emitterelektrode des Lateraltransistors T₁ ist gungsspannung. Der zusätzlit ■ ■ Transistor verhält mit der Kollektorelektrode des Transistors T₁ versieh wie ein konstanter ohnucher Widerstand. Bei der bunden_: während die Basiselektrode des Lateralbekannten Schaltung ist daher der Kcllektorruhe- transistors die Signalspannung voi, 'er Kollektorstrom der Endstufentransistor von Schwankungen 30 elektrode des Treibertransistors T₁ bezieht. Um mit der Versorgungsspannung abhängig. sehr kleinen Steuerströmen die Endstufentransistorenthis transistor depending on the supply voltage. The emitter electrode of the lateral transistor T ₁ is supply voltage. The zusätzlit ■ ■ transistor behaves to the collector electrode of the transistor T ₁ versieh as a constant ohnucher resistance. In the case of the connected _: while the base electrode of the lateral known circuit is the signal voltage voi, the collector current of the output stage transistor is therefore the Kcllektorruhe- transistor from fluctuations 30 electrode of the driver transistor T ₁ . To depend on the supply voltage. very small control currents the output stage transistors

Die erfindungsgemäße Schaltung weist diesen Nach- betreiben zu können, wird vorteilhafterweise den teil nicht - mehr auf. Bei der erfindungsgemäßen beiden Zndstufentransistoren jeweils ein Transistor Schaltung wird auch der Kollektorgleichstrom des T₆ bzw. T₅ iur Stromverstärkung in Emitterschaltung Treibertransistors unabhängig von der Versorgungs- a$ vorgeschaltet. Der Kollektor des Lateraltransistors T₄ spannung konstant gehalten. Der vorliegende Gegen- führt somit beispielsweise direkt zur Basis des Vertakt-B-Verstärker läßt sich auch sehr leicht in inte- Stärkungstransistors T₆, dessen Emitterelektrode wiegnerte Festkörper-Schaltungstechnik aufbauen. Hier- derum an die Basiselektrode des nachfolgenden Endbei ist in einer vorteilhaften Weiterbildung der vorge- Stufentransistors T₃ angeschlossen ist. In gleicher schlagenen Schaltung vorgesehen, daß die beiden 30 Weise ist dem anderen Endstufentransistor T₂ ein Endstufentransistoren T₂ und T₃ aus Transistoren der Verstärkungstransisior T₅ vorgeschaltet. Da die Trangleichen Zonenfolge bestehen. In diesem fall muß sistoren T₂, T₃, T₅ und T₆ vorzugsweise npn-Tranjedoch zur Phasenumkehr einem der beiden End- sistoren sind, wird die Kollektorelektrode des Transtufentransistoren ein Komplementärtransistor T₄ vor- sistors T₂ direkt und die Kollektorelektrode des geschaltet werden. Um die Integrierung der Schaltung, 35 Transistors T₅ direkt oder über einen Kollektorbeispielsweise "i einem allen Bauelementen gemein- widerstand mit dem positiven Pol der Versorgungssamen Silizium-Halbleiterkörper, zu erleichtern, wer- spannung (Ub) verbunden, während die Kollektorden die Endstufentransistoren den npn-Leitungstyp elektroden der Transistoren T₃ und T₆ über einen aufweisen, während der Komplementärtransistor ein Trennkondensator C und den Lastwiderstand, beipnp-Lateraltransistor ist. Der Lateraltransistor ist 40 spielsweise einem Lautsprecher, gleichfalls mit dem ein Oberfiächeniransistör, bei dem die Emitter- und positiven Po! der VersorgungsspannungsQuelle verdie Kollektorzone nebeneinander an einer Ober- bunden sind.The circuit according to the invention has this post-operation, advantageously the part no longer. In the inventive two Zndstufentransistoren each a transistor circuit and the collector DC current of T ₆ and T ₅ iur current gain in common-emitter driver transistor is connected upstream of the supply regardless of a $. The collector of the lateral transistor T ₄ kept constant voltage. The present counter-leads, for example, directly to the base of the Vertakt-B amplifier can also be built very easily in the integrated strengthening transistor T ₆ , the emitter electrode of which is weighted solid-state circuit technology. In an advantageous development, the upstream stage transistor T _{3 is} connected to the base electrode of the subsequent end. In the same beat circuit it is provided that the two 30 ways are connected upstream of the other output stage transistor T _2, an output stage transistor T ₂ and T ₃ composed of transistors of the amplification transistor T _5. Since the zone sequence is the same. In this case, the transistors T ₂ , T ₃ , T ₅ and T _{6 must} preferably be npn transistors. However, to reverse the phase, the collector electrode of the transistors is a complementary transistor T ₄ and the collector electrode is switched directly to the _{transistor T 2} will. By ₅ "Community directly or via a collector example, i an all devices, the integration of the circuit 35 the transistor T resistant to facilitate to the positive pole of the supply seed silicon semiconductor body, advertising voltage (Ub), while the Kollektorden the output stage transistors the npn conduction type electrodes of the transistors T ₃ and T ₆ have a, while the complementary transistor is a separating capacitor C and the load resistor, for example, a loudspeaker, also with a surface transistor, in which the emitter and positive Po! of the supply voltage source deserves the collector zone next to each other on an upper bound.

flächenseite in einem Basisgrundkörper angeordnet In der Kollektorzuleitung des Treibertransistors T₁ surface side arranged in a base body In the collector lead of the driver transistor T ₁

sind. Die Stromverstärkung dieser Transistoren ist ist die Kollektor-Emitter-Strecke eines zusätzlichenare. The current gain of these transistors is the collector-emitter path of an additional one

sehr klein und hat in der Regel den Wert B ~ 1. 45 Transistors T, geschaltet, wobei der Kollektor desvery small and usually has the value B ~ 1. 45 transistor T, connected, where the collector of the

Hm eine Ansteuerung der Endstufe mit sehr geringen zusätzlichen Transistors T₇ über in Flußrichtung geStrömen zu ermöglichen unä um auf diese Weise die polte Dioden D₃, D₁ lind D₅ mit dem Kollektor des Verlustleistung in der Treiberstufe zu reduzieren, Treibertransistors verounden ist. Die Dioden D₃ bis D₅ wird zwischen den Treibertransistor T_x und die Tran- und die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren T₁, sistoren T₂ und T₃ der Endstufe in vorteilhafter Weise 50 T₂ und T, bilden somit einen geschlossenen Stromjeweil? e<n weiterer Transistor T₅ und T„ in Emitter- kreis. Di·=· Dioder D₃ bis D₅ werden S3 ausgewählt, schaltung zur Stromverstärkung geschaltet. daß dasi Temperaturverhalten jeweils cinci D.c-dcHm to enable control of the output stage with very small additional transistor T ₇ via flowing in the direction of flow and in this way to reduce the polarized diodes D ₃ , D _{1 and} D ₅ with the collector of the power loss in the driver stage, the driver transistor is connected. The diodes D ₃ to D ₅ between the driver transistor T _x and the tran and the base-emitter paths of the transistors T ₁ , transistors T ₂ and T _{3 of} the output stage in an advantageous manner 50 T ₂ and T, thus form a closed Electricity each? e <n further transistor T ₅ and T ″ in the emitter circuit. Di · = · Di or D ₃ to D ₅ , S3 is selected, the circuit for current amplification is switched. that the temperature behavior is always cinci Dc-dc

Die Konstantstromquelle bcstehi vorzugsweise aus möglichst genaa dem Temperaturverhalten jeweils einem in Emitterschaltung betriebenen Transistor T₈, einer Basis-Emitter-Strecke eines Transistors entdessen Kollektorelektrode mit der Basiselektrode des 55 spricht. Durch diese Maßnahme werden Temperaturzusätzlichen Transistors T₇ verbunden ist. Die Basis- Schwankungen ausgeglichen. The constant current source preferably consists of, as closely as possible, the temperature behavior of a transistor T ₈ operated in an emitter circuit, a base-emitter path of a transistor, whose collector electrode speaks to the base electrode of 55. As a result of this measure, additional temperature transistor T _{7 is} connected. The base fluctuations are balanced.

vorspannung dieses Transistors T₈ wird von der kon- Die Basiselektrode des zusätzlichen Transistors T₇ The bias of this transistor T ₈ is controlled by the base electrode of the additional transistor T ₇

starten, an in Flußrichtung beanspruchten Dioden wird von einer Konstantstromquelle K angesteuert,start, on diodes stressed in the flow direction is controlled by a constant current source K ,

abfallenden Spannung bestimmt. Diese Konstantstromquelle besteht aus einem indecreasing voltage determined. This constant current source consists of an in

Die erfindungsgemäße Gegentakt-B-Endstufe und 60 Emitterschaltung betriebenen Transistor T₈, dessenThe inventive push-pull B output stage and 60 emitter circuit operated transistor T ₈ , its

ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung soll an Hand Basispotential z. B. durch einen Spannungsteiler austheir further advantageous embodiment is based on hand base potential z. B. by a voltage divider

von zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert dem Widerstand K₁ und den in Durchlaßrichtungof two exemplary embodiments explained in more detail the resistor K ₁ and the one in the forward direction

werden. beanspruchten Dioden D₁ und D₂ bestimmt wird. Derwill. claimed diodes D ₁ and D _{2 is} determined. the

Einfache Gegentakt-B-Endstufen lassen sich mit Transistor T₈ kann außerdem einen Emitterwiderkomplementären Endstuieütransistoren herstellen. Da 65 stand A₂ aufweisen. Die Schaltung funktioniert wie jedoch die Stromverstärkung von in integrierter folgt:Simple push-pull B output _{stages can be produced with transistor T 8} and an emitter resistor complementary output stage transistors can be produced. Since 65 stood to show A ₂ . The circuit works like however the current gain of in integrated follows:

Technik hergestellter Koraplementärtransistoren stark An den Dioden D₁ und D₂, die auch durch eineTechnology produced coraplementary transistors strong at the diodes D ₁ and D ₂ , which are also through a

voneinander abweichen würde, muß eine realisierbare einzige Diode oder durch mehr als zwei Diodenwould differ from one another, a single diode or more than two diodes must be implemented

ersetzt werden können, fällt auch bei sich verändernder torstrecke des Treibertransistors wird daher in dercan be replaced, falls even if the gate path of the driver transistor changes is therefore in the

Batteriespannung eine relativ konstante Flußsp'annung gewünschten Weise gesteuert. Der Kollektorgleich-Battery voltage is controlled in a relatively constant flow voltage desired manner. The Collector Equal

ab, die das Basispotential des Transistors T_s bestimmt. strom im Treibertransistor und in den Dioden D₃, D_t from, which determines the base potential of the transistor T _s . current in the driver transistor and in the diodes D ₃ , D _t

Damit ist auch der Kollektorgleichstrom durch den und D₆ und damit auch der Kollektorgleichstrom inThis means that the collector direct current through the and D ₆ and thus also the collector direct current is in

Transistor T₈ und der Basisstrom des zusätzlichen S den Endstufentransistoren wird somit Unabhängig vonTransistor T ₈ and the base current of the additional S the output stage transistors are thus independent of

Transistors T₇ konstant. Dies hat wiederum einen der Batteriespannung.Transistor T ₇ constant. This in turn has one of the battery voltage.

konstanten Kollektorgleichslrom durch den Tran- Die Schaltung gemäß F i g. 2 zeigt eine geringfügigeconstant collector direct current through the tran- The circuit according to FIG. 2 shows a minor

sistor T₁ zur Folge. Für den Gleichstromwiderstand Abänderung der Schaltung nach Fig. 1, die besonderssistor T ₁ result. For the DC resistance modification of the circuit according to FIG. 1, the particular

des zusätzlichen Transistors T₇ gilt jedoch R = UceIIc- der besseren Integrierbarkeit der Schaltung dient.of the additional transistor T ₇ , however, R = UceIIc- serves to better integrate the circuit.

Eine in der Schaltung gemäß F i g. 1 nicht dargestellte io Der zusätzliche Transistor T₇ gemäß F i g. 1 ist einOne in the circuit according to FIG. 1, not shown, the additional transistor T ₇ according to FIG. 1 is a

Regelschaltung sorgt dafür, daß an der Kollektor- pnp-Transistor, der in integrierter Technik nicht mitControl circuit ensures that at the collector pnp transistor, which is not in integrated technology

elektrode des Transistors T₃ die halbe Batteriespan- der notwendigen Stromverstärkung hergestellt werdenelectrode of the transistor T ₃ half the batteryspan- the necessary current amplification can be produced

nung gegen Masse abfällt. Diese Spannung liegt nur kann, so daß im Transistor T₈ der Konstantstrom-voltage drops to ground. This voltage is only possible so that the constant current in transistor T ₈

um die Basis Emitterspannung des Transistors T₄ quelle eine relativ große Verlustleistung in Kauf ge-around the base emitter voltage of the transistor T ₄ source a relatively large power loss.

genngfügig reduziert auch an der Kollektor-Emitter- 15 nommen werden muß. Dieser Nachteil wird gemäßThe collector-emitter must also be reduced slightly. This disadvantage is according to

Strecke des Transistors T_x und aus Symmetriegründen der Schaltung nach F i g. 2 dadurch beseitigt, daßPath of the transistor T _x and, for reasons of symmetry, the circuit according to FIG. 2 eliminated in that

auch an der Kollektor-Emitter-Strecke des Tran- einem pnp-Lateraltransistor T₇ mit der Stromverstär-also on the collector-emitter path of the trans- a pnp lateral transistor T ₇ with the current amplifier

sistors T_x. Wenn also die Batteriespannung sinkt, kung B ~- 1 ein npn-Transistor 7*, zur Stromverstär-transistor T _x . If the battery voltage drops, then B ~ - 1 an npn transistor 7 *, for current amplification

sinkt zwangläufig auch in entsprechender Weise die kung in Emitterschaltung nachgeschaltet wird. Inif the kung is connected downstream in the emitter circuit inevitably also decreases in a corresponding manner. In

Kollektor-Emitter-Spannung am Transistor T_x und T₇. 20 diesem Fall ist dann der Emitter des Transistors 7",Collector-emitter voltage at transistor T _x and T ₇ . 20 in this case is then the emitter of transistor 7 ",

Wenn sich nun die Kollektor-Emitter-Spannung am über die Dioden D₃ bis D_s mit dem Kollektor desIf the collector-emitter voltage on the diodes D ₃ to D _s with the collector of the

Transistor auf Grund einer sinkenden Battenespan- Treibertransistors Γ, verbunden, während der Koliek-Transistor due to a sinking battenespan driver transistor Γ, connected, while the Koliek

nung gleichfalls absenkt, wird auch der Widerstand tor des Transistors T₉ an den Emitter des Lateral-voltage also lowers, the resistance gate of the transistor T ₉ to the emitter of the lateral

der Basis-Emitter-Strecke proportional mit der Span- transistors 7 angeschlossen istthe base-emitter path is connected proportionally to the span transistor 7

nungsänderung abnehmen. Für den Kollektorstrom 35 In den Schaltungen nach den F i g. 1 und 2 ist eindecrease in change of value. For the collector current 35 in the circuits according to FIGS. 1 and 2 is a

durch den Treibertransistor T_x gilt aber: Treibertransistor mit der Zonenfolge npn dargestellt.due to the driver transistor T _x , however, the following applies: driver transistor shown with the zone sequence npn.

Dieser Transistor kann auch durch einen prrp-Tran-This transistor can also be through a prrp tran-

Ub-U .. sistor ersetzt werden, wenn dann die Emitterelektrode Ub-U .. sistor to be replaced if then the emitter electrode

IrTi ~ mil U = UCETx T Ud , ,- -r- ·, - - . · - „ . IrTi ~ mil U = UCETx T Ud ,, - -r- ·, - -. · - ".

H dieses pnp-Treibertransistors m:t dem positiven Pol H of this pnp driver transistor m: t the positive pole

zo der Versorgungsspannungsquelle verbunden ist und zo is connected to the supply voltage source and

hierbei bedeutet Ud die Summe der an den Dioden D₃ die anderen Bauelemente der Schaltung dieser Ände-Here Ud means the sum of the other components of the circuit of this change at the diodes D ₃

bis D_h abfallenden Spannungen. Aus diesen Gleichun- rung entsprechend angepaßt werden,up to D _h falling voltages. Adapted accordingly from these equations,

gen sieht man, daß bei einem Abfall άζχ Batterie- Bei der vorliegenden Erfindung ist wesentlich, daßIt can be seen that in the event of a waste άζχ battery- In the present invention, it is essential that

spannung auch der Widerstand R kleiner werden der Außenwiderstand des Treibertransistors von dervoltage also the resistance R will be smaller, the external resistance of the driver transistor of the

muß, damit der Gleichstrom durch den Treiber- 35 Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors gebildetmust so that the direct current is formed by the driver 35 collector-emitter path of a transistor

transistor annähernd konstant bleibt. Dies wird bei wird, um auf diese V/eise einen sich proportional mittransistor remains almost constant. This will be done in order to be proportional to yourself in this way

der erfindnngsgemäßen Anordnung erreicht, weil sich der Batteriespannung ändernden Widerstand zu er-the inventive arrangement achieved because the battery voltage changing resistance to

die Kollektor-Emitter-Spannung am Transistor T₁ halten. Die Zahl der Verstärkertransistoren zwischenkeep the collector-emitter voltage on transistor T _1. The number of amplifier transistors between

annähernd proportional mit der Batteriespannung der Treiberstufe und den Endstufentransistoren kanncan be approximately proportional to the battery voltage of the driver stage and the output stage transistors

verändert. Der Gleichstromwiderstand in der KoL'ek- 40 dagegen variiert werden.changes. The DC resistance in the KoL'ek-40, on the other hand, can be varied.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

1 2 Complementary transistor (T1) in emitter circuit Patent claims: is connected downstream. 9. push-pull B output stage according to claim 1, there-

1. Push-pull B output stage of an amplifier with characterized in that the constant current of a driver stage to control the output stage, 5 source from an operated in emitter circuit in which the collector _{bias current in the tran transistor (T 8} ), whose Koiiektorelectrode sistors of the output stage from Fluctuations with the base electrode of the additional Tran supply voltage and of Temperaturschwan- sistor (T ₇ ) is connected, and that the base is independent, with a series to the bias of this transistor through the con-collector-emitter path of the driver transistor io constant external resistance connected to diodes loaded in the flow direction, which is determined from the voltage dropping from KoI (D ₁ , D ₂ ).
fektor-emitter path of an additional tran- 10. push-pull B output stage according to one of the presistor, characterized in that the subsequent claims, characterized in that the base electrode of the additional that the components of the circuit in integrated transistor (T ₇ ) Via a constant current source (K), 15 form in a common semiconductor body, one of which is housed independently of the supply voltage.

supplies constant current, is controlled,

in such a way that the external resistance of the driver

transistor (T ₁ ) proportional to the collector-emitter voltage of the additional transistor (T ₇ ) 20

The invention relates to a push-pull B output stage

supply voltage changes. an amplifier with a driver stage for connecting

2. Push-pull B output stage according to claim 1, control of the output stage, in which the collector rest characterized by that the two output stage current in the transistors of the output stage of swan transistors (T ₂ and T ₃ ) from transistors of the 25 sound of the supply voltage and of the same zone sequence exist that one of these temperature fluctuations is independent, with a transistor (T ₄ ) transistor connected in series to the collector-emitter path of the driver of this transistor complementary transistor (T 4) transistor in output stage transistors for phase reversal, which is connected upstream. the collector-emitter path of an additional tran-

3. push-pull B output stage according to claim 1 or 2, 30 sistors.

characterized in that a shelf arrangement The transistors of an output stage is provided in a push-pull mode, which ensures that half the quiescent current is operated _{at the collector B amplifier with a very small collector electrode of the output stage transistor (T 3).} This collector high current must supply voltage drops, so that the signal to avoid distortion of the output-emitter-collector path of the driver transistor 35, in particular to avoid the so-called (T ₁ ) and at the emitter-collector path of the transfer distortion or B- Distortion; sn additional transistor (T ₇ ) should be kept about half constant. Care must therefore be taken to ensure that the collector voltage is not affected by temperature

4. push-pull B output stage according to claim 2, there fluctuations and changes in the supply through characterized in that the transistors of the 40 voltage is independent.

Output stage consist of npn transistors, while the present invention is therefore the object

the complementary transistor (T ₄ ) a pnp lateral basis to specify a circuit in which the

transistor is. Quiescent collector current in the transistors of a terminal

5. Push-pull B output stage according to one of the preliminary stage in a push-pull B amplifier from Schwanang Furthermore, it is the task of transistors (T ₂ and T ₃ ) of the output stage of the present invention to provide a circuit for further transistors (T ₅ or T ₆ ) in emitter circuit, which is connected without difficulty in any structure for current amplification. elements common semiconductor body integrated

6. Push-pull B output stage after one of the 50 can be.

aspiring claims, characterized in that the invention bcitehi in a counter = clock-B-end

that parallel to the series-connected stage of the type described in that the

Base-Emitt 'stretches of the amplifier transistor, base electrode of the additional transistor T ₇

(T ₅ ) of the single stage transistor (T ₂ ) and the grain a constant current source K, which is one of the

Plemitary transistor (T ₄ ) diodes (D ₃ to D _ä ) in 55 supply voltage independent constant current

Flußric'itung are switched, which supplies for stabilization, is controlled in such a way that the external

of the quiescent collector current in the output stage transfer resistance of the driver transistor T ₁ proportionally with

sistors are used when the temperature changes. the collector-emitter voltage of the additional

7. push-pull B output stage according to claim 4, there- transistor T ₇ and thus approximately proportional with characterized in that the additional Tran- So changes the supply voltage.

SJStOr (T ₇ ) is a pnp transistor, the emitter of which is an ohmic resistor connected to the positive pole of the supply voltage in the electrode via the load resistor (L) with the collector supply of the driver transistor. ■ was switched on. As a result, when

8. Push-pull B output stage according to claim 7, the changing supply voltage and the collector being characterized by the fact that the additional tran- current changes through the driver transistor. At sirtor (r ₇ ) there is a lateral transistor and that for these known circuits there is little colection resistance of the driver transistor in series to the current supply of this lateral transistor.