DE2009962A1 - Storage device - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/02—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using magnetic or inductive elements
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
DR-MoLtER-BORi DlPL-PHYS. DR. MANiTZ DiPL-CHEM. DR. DEUFEL DIPL-ΙΝΘ. FINSTERWALD DIPL-iNG. GRÄMKOWDR-MoLtER-BORi DlPL-PHYS. DR. MANiTZ DiPL-CHEM. DR. DEUFEL DIPL-ΙΝΘ. FINSTERWALD DIPL-iNG. GRÄMKOW
PATENTANWÄLTEPATENT LAWYERS
009162009162
München, den 3. März 1970 We/F S 2123 Munich, March 3, 1970 We / FS 2123
SOCIETE ALSACIEME DE CONSTRUCTIONS ATOMIQUES DE TELECOI-IMUNICATIONS ET D1ELECTRONIQUE "ALCATEL" 32, rue de Lisborme, Paris 8 - ErankreichSOCIETE ALSACIEME DE CONSTRUCTIONS ATOMIQUES DE TELECOI-IMUNICATIONS ET D 1 ELECTRONIQUE "ALCATEL" 32, rue de Lisborme, Paris 8 - France
Die Erfindung betrifft eine Speichervorrichtung und insbesondere eine aus Windungen zusammensetzbare Permanent'-Speichervor» richtung, welche zur Anwendung in Bechnern und in Programmier» einheiten für Werkzeugmaschinen besonders geeignet ist.The invention relates to a memory device, and more particularly a permanent storage tank that can be composed of windings direction, which is used in computers and in programming » units for machine tools is particularly suitable.
ist bekannt, daß die Permanent-Speicher für binäre Information im wesentlichen zwei orthogonale Leitergitter aufweisen, bei denen jeder Kreuzungspunkt einen Platz für eine Zifferod®3? dae binäre Informationselement bildet. Der Wert der Binär-Ziffei? an jeder Kreuzung oder jedem Punkt dee Speichers kann beiepielöweiee a&ttele einer induktiven Kopplung zwischen den zwei Lei« tern definiert eein, wobei die Kopplung natürlich unterschiedlich let, je naehde» dtr Zustand einer binltren nin pct*3? dta? Zu« etand ein«? binären "0" dargeettllt werden muß«it is known that the permanent memories for binary information essentially have two orthogonal ladder grids, where each crossing point has a place for a digitod®3? forms a binary information element. The value of the binary digit? at each intersection or each memory can point dee beiepielöweiee a & ttele an inductive coupling between the two Lei "defined tern eein, wherein the coupling let naturally different depending naehde" DTR state of a binltren n i n pct * 3? dta? To "etand a"? binary "0" must be displayed «
Ch. MOUIMO* Dr. MANfTZ, Pb DWW, Dt#W»* HNtTHIWAU) Ch. MOUIMO * Dr. MANfTZ, Pb DWW, Dt # W »* HNtTHIWAU)
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c.c.
Genauer gesagt, wenn ein elektrischer Impuls an einen der Leiter gelegt wird, erhält man auf federn der leiter des anderen Netzes ein Signal, welches den Wert der Binär-Ziffer darstellt, welcher der vorgegebenen Kopplung an dem Punkt des Speichers entspricht, der durch die Kreuzung der zwei Leiter definiert ist. Mit anderen Worten, man aktiviert eine "Wort"-Leitung, und man erhält auf unabhängigen Ausgangswegen die Binär-Ziffern, weiche den aufgebauten.Vorkopplungen entsprechen.More precisely, when an electrical impulse is applied to one of the conductors, the other's conductors are obtained on springs Network a signal that represents the value of the binary digit, which corresponds to the predetermined coupling at the point of the memory defined by the crossing of the two conductors is. In other words, you activate a "word" line, and the binary digits are obtained on independent output paths, which correspond to the built-up pre-couplings.
later solchen Permanent-Speichervorrichtungen mit induktiver Kopplung sind Transformatoren-Vorrichtungen besonders bekannt, " die im wesentlichen eine Vielzahl von Perrit-Kernen aufweisen, die einerseits eine bestimmte Anzahl von Leitern umgeben und anderarseits beispielsweise mit Lese-Verstärkern verbunden sind, wobei .jeder der Leiter nach der Art der hergestellten Kopplungen einem vorgegebenen Binär-Wort entspricht.Later such permanent storage devices with inductive Coupling, transformer devices are particularly known, "which essentially have a large number of Perrit cores, which on the one hand surround a certain number of conductors and on the other hand are connected, for example, to sense amplifiers, each of the conductors corresponds to a predetermined binary word according to the type of couplings made.
iul^xich überschreitet ein Leiter von vorgegebenem Wort eine Anzahl von Kernen, die gleich der Anzahl der Binär-Ziffern "1" des dargestellten Wortes ist, während er eoviele Kerne umgeht, wie ea Binär-Ziffern "0" in diesem Wort gibt.iul ^ Xich exceeds a conductor of a given word a number of cores equal to the number of binary digits "1" of the word shown is while bypassing eoviele nuclei, such as ea binary digits "0" indicates in this word.
i'.i<3 Lesen des Wortes erfolgt also schrittweise, indem ein Strom-} ixpula in den entsprechendem Leiter geschickt wird, wonach die aai Ausgang der Lese-Veretärker auftretenden.Signale beobachtet werden. Die Binär-Ziffern "1" werden durch Signale eines bestimmten Pegels dargestellt, während die Binär-Ziffern "Ο* dem signallosen Zustand entsprechen oder einem Signal mit einem Pegel entsprechen, der um einen bestimmten Wert tiefer ließt.i'.i <3 Reading of the word is done step by step by using a current} ixpula is sent to the appropriate head, after which the aai output of the read amplifier signals occurring will. The binary digits "1" are given by signals of a certain Level, while the binary digits "Ο * dem correspond to a signalless state or correspond to a signal with a level that reads a certain value lower.
Solche Vorrichtungen weisen eine bestimmte Ansahl von Nachteilen auf:Such devices have a certain number of disadvantages on:
Einer dieser Nachteile ergibt sich aus der Tatsache, daß in solchen Speichervorrichtungen die Lese-Schaltungen einerseitsOne of these disadvantages arises from the fact that in such memory devices the reading circuits on the one hand
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und die Schreib-Schaltungen andererseits in elektrischer und mechanischer Hinsicht eine wechselseitige Abhängigkeit aufvrei·™ sen.and the write circuits, on the other hand, are electrically and mechanically interdependent sen.
Die Schwierigkeiten der gegenseitigen Trennung, welche sich daraus ergeben, führen zu langen und komplizierten Zerlegungsvorgängen in dem Fallej in dem eine Änderung der Struktur des Speichers durchgeführt werden muß.The difficulties of mutual separation which arise therefrom lead to long and complicated dismantling operations in the case of a change in the structure of the Storage must be carried out.
Ein zweiter Nachteil folgt aus der Tatsache, daß der Einsatz einer Vielzahl von magnetischen Elementen, die aus Keramik bestehen, in solchen Speichern zu einem beträchtlichen Volumen und Raumbedarf führt und zwar insbesondere in dem Falle, in dem Blöcke mit großer Lesekapazität hergestellt werden müssen.A second disadvantage arises from the fact that the use of a large number of magnetic elements made of ceramic in such memories takes up a considerable volume and space requirement, especially in the case in which blocks with a large read capacity have to be produced.
Ein weiterer Nachteil liegt in der Tatsache begründet, daß solche Speicher aus einer großen Anzahl von Leitern und Schaltkreisen bestehen, die durch Lötungen oder andere Verbindungen mit Adressier- oder Verbraucher-Einrichtungen verbunden sind.Another disadvantage lies in the fact that such memories consist of a large number of conductors and circuits exist, which are connected by soldering or other connections with addressing or consumer devices.
Eine solche Struktur zieht daher erhöhte Zugriffszeiten ebenso nach sich wie beträchtliche Fehlerrisiken, die sich durch eine mittelmäßige Zuverlässigkeit auswirken.Such a structure therefore entails increased access times as well as considerable risk of errors resulting from a affect mediocre reliability.
Ein weiterer Nachteil ergibt sich aus der Tatsache, daß solche Speicher aufgrund ihrer Konfiguration und ihrer Struktur zu parasitären Strömen Anlaß geben, welche insbesondere die Lesezeichen stören können und damit Interpretationsfehler nachsichziehen, wodurch die Zuverlässigkeit solcher Vorrichtungen noch weiter vermindert wird.Another disadvantage arises from the fact that such Due to their configuration and their structure, memories give rise to parasitic currents, which in particular the bookmarks can disturb and thus lead to interpretation errors, thereby further reducing the reliability of such devices.
Ein weiterer Nachteil ergibt sich aus der Tatsache, daß das Einsetzen der zahlreichen Schaltkreise, welche die bekannten Speicher bilden, eine komplizierte Technologie erfordert, welche aufgrund dieser Tatsache eine hoch spezialisierte Arbelts-Another disadvantage arises from the fact that the Use the numerous circuits that make up the known Form storage, requires a complex technology, which due to this fact a highly specialized work
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kraft benotigt. Die daraus resultierenden erhöhten Arbeitskosten führen zu Herstellungspreisen, welche insbesondere in dem Pail iiinderlich sind, in dem Blöcke herstellt werden müssen, welche eine große Kapazität aufweisen.force required. The resulting increased labor costs lead to manufacturing prices, which are particularly important in are inferior to the pail in which blocks must be made, which have a large capacity.
Durch die vorliegende Erfindung werden alle diese Nachteile überwunden, und die Erfindung betrifft eine Speichervorrichtung mit Windungen zu geringen Herstellungskosten, die bei kleinem Volumen eine große Kapazität und gleichzeitig eine sehr hohe Zuverlässigkeit aufweist. Außerdem wird es in den erfindungsgemäßen Vorrichtungen möglich, das gespeicherte Programm in sehr w einfacher Weise zu ändern.The present invention overcomes all of these disadvantages, and the invention relates to a winding memory device at a low manufacturing cost, which has a large capacity in a small volume and at the same time has a very high reliability. In addition, it is possible in the inventive devices to change the stored program in a very simple way w.
Zu diesem Zweck besteht das Ziel der Erfindung in einer Speicher-Elementar-Zelle mit Abfrageeinrichtungen, die im wesentlichen aus einem ebenen elektrisch isolierenden Träger bestehen und auf einer ihrer Seiten eine Vielzahl von s.g. Primär-Kreisen aufweisen, welche in Gruppen von zueinander parallelen Leitungen angeordnet sind und durch Windungen gebildet werden, die untereinander in Form und Abmessungen im wesentlichen identisch sind und in Serie geschaltet sind, mit Leseeinrichtungen, die im wesentlichen aus einem ebenen elektrisch isolierenden Träger bestehen, welcher gegenüber der Abfrageeinrichtungen angeordnet ist und auf der einen seiner Seiten Schaltkreise aufweist, welche als Sekundär-Kreise bezeichnet werden und in zueinander parallelen Leitungen gruppiert sind, welche zur Richtung der Leitungen der Primär-Kreise senkrecht verlaufen, wobei die genannten Leitungen durch Windungen gebildet werden, welche in lOxm und Abmessungen im wesentlichen den Primär-Windungen gleichen und untereinander in Serie geschaltet sind, und mit Informations-Einrichtungen, die aus einem ebenen Träger bestehen, welcher der Abfrageeinrichtung und der Leeeeinrichtung gegen über angeordnet ist und Kopplungselemente sowie Entkopplungselemente zwischen den Primär-Windungen und den Sekundfir-Windungen aufweist, und zwar entsprechend der Art der «u spei- For this purpose, the aim of the invention consists in a storage elementary cell with interrogation devices, which essentially consist of a flat, electrically insulating support and on one of their sides have a plurality of so-called primary circles, which are arranged in groups of mutually parallel lines and are formed by turns which are essentially identical to one another in shape and dimensions and which are connected in series, with reading devices which essentially consist of a flat, electrically insulating support which is arranged opposite the interrogation devices and on one of its sides with circuits which are referred to as secondary circles and are grouped in lines parallel to each other, which run perpendicular to the direction of the lines of the primary circles, said lines being formed by turns which are essentially the same as the primary turns in terms of lOxm and dimensions and u n are connected in series, and with information devices, which consist of a flat carrier which is arranged opposite the interrogation device and the Leee device and has coupling elements and decoupling elements between the primary turns and the secondary turns, according to Art the «u save
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chernden Information, dadurch gekennzeichnet, daß die Windungen, welche die Abfrageeinrichtungen bilden und die Windungen, welche die Leseeinrichtungen bilden, in zueinander parallelen Ebenen angeordnet sind, wobei jede der Windungen aus der nach oben oder nach unten benachbarten Windung durch Drehung um ihre senkrecht zur eigenen Ebene verlaufende Achse durch ihr Symmetrie-Zentrum um einen Winkel von 90° hervorgeht.cherning information, characterized in that the turns which form the interrogation devices and the turns which form the reading devices, are arranged in mutually parallel planes, each of the turns from FIG up or down adjacent turn by rotation about its axis perpendicular to its own plane through it Center of symmetry emerges at an angle of 90 °.
Eine erste Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß die Windungen, welche die Abfrageeinrichtungen und die leseeinrichtungen bilden, durch eine gerade Anzahl von Halb-Windungen gebildet werden, welche in Bezug auf die doppelten Zweige, mit denen sie untereinander in Serie geschaltet sind, symmetrisch seitlich nebeneinander angeordnet sind.A first embodiment of the invention provides that the turns which form the interrogation devices and the reading devices are formed by an even number of half-turns which in relation to the double branches, with which they are connected in series with one another, are arranged symmetrically next to one another.
Nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß die Windungen, welche die Abfrageeinrichtungen bilden und die Windungen, welche die Leseeinrichtungen bilden, durch fast vollkommen geschlossene Schleifen gebildet werden., welche in Bezug auf ihre Mitte im wesentlichen symmetrisch sind und symmetrisch zur selben Seite der Zweige angeordnet sind, welche sie untereinander in Serie verbinden.According to a second embodiment of the invention it is provided that the turns which form the interrogation devices and the turns which form the reading devices, are formed by almost perfectly closed loops, which are essentially symmetrical with respect to their center and arranged symmetrically on the same side of the branches that connect them in series with one another.
Nach einer dritten Ausführungsform dieser Vorrichtungen ist vorgesehen, daß die Informations-Einrichtungen durch eine Metallplatte gebildet werden, wobei die Kopplungseinrichtungen dieser Informations-Einrichtungen aus öffnungen bestehen, welche in die Metallplatte hineingeschnitten sind und bei gleicher Form jedoch etwas größere Abmessungen aufweisen als die Primär-Windungen und die Sekundär-Windungen und wobei die Entkopplungeeinrichtungen durch die metallischen Zonen gebildet werden, weicht übrig bleiben.According to a third embodiment of these devices it is provided that the information devices are formed by a metal plate, the coupling devices of these information devices consisting of openings which are cut into the metal plate and, with the same shape, however, have slightly larger dimensions than the primary Windings and the secondary windings, and the decoupling devices being formed by the metallic zones, are left over.
Ditie Platt· kann »etalliich «ein oder durch eine metallische Schicht gebildet werden, die auf einem isolierenden TrägerCan Ditie · Platt "etalliich" or be formed by a metallic layer on a substrate insulating
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angeordnet ist, sie kann insbesondere die Form einer Karte oder eines Bandes aufweisen, das ein besonderes Format besitzt oder ein in der Büromaschinen-Technik verwendetes Standardformat aufweist. In diesem Falle kann der Informationsträger im übrigen nach den klassischen Verfahren hergestellt und behandelt sein, und es können alle Vorteile ausgenutzt werden, die Standardformaten eigen sind und die insbesondere die Perforierung und das Zerschneiden betreffen, wodurch die Kopplung erleichtert wird.is arranged, it can in particular have the shape of a card or a tape, which has a special format or a standard format used in office machine technology. In this case the information carrier can otherwise be manufactured and treated according to the classic processes, and all advantages can be used, the standard formats are peculiar and which relate in particular to the perforation and the cutting, which makes the coupling is facilitated.
Mach einem vierten Merkmal der Erfindung ist vorgesehen, daß " die Abfrageeinrichtungen und die leseeinrichtungen in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander parallel auf derselben Ebene angeordnet sind, jedoch elektrisch voneinander isoliert sind, während die Informationseinrichtungen durch eine Platte gebildet werden, die aus einem magnetisch stark durchlässigen Material besteht und mit einer dünnen nichtdurchlässigen Metallschicht überzogen ist, weiche über der gemeinsamen Ebene angeordnet ist, wobei die Kopplungseinrichtungen aus Öffnungen bestehen, welche in die sehr dünne nichtleitende obengenannte Metallschicht hineingeschnitten sind und wobei die Entkopplungseinrleitungen durch die verbleibenden metallischen Zonen gebildet werden.A fourth feature of the invention provides that "the interrogation devices and the reading devices are in close proximity Neighborhoods are arranged parallel to one another on the same plane, but are electrically isolated from one another, while the information devices are formed by a plate made of a magnetically highly permeable Material is made and covered with a thin non-permeable metal layer, soft above the common plane is arranged, the coupling devices from openings exist, which are cut into the very thin non-conductive metal layer mentioned above and wherein the decoupling leads are formed by the remaining metallic zones.
Die Erfindung hat ebenso eine Speichervorrichtung zum Ziel, die durch Aufeinanderstapeln der einzelnen Elementarzellen gebildet wird, die oben definiert sind, wobei die gleichbedeutenden Eingänge der Primär-Kreise von jedem Träger der Abfrageeinrichtungen mit einem einzigen Verstärker verbunden sind, der als Kolonnen-Verstärker bezeichnet wird und die Ausgänge derselben Primär-Kreise In Bezug auf denselben Träger mit einem einzigen Verstärker verbunden sind, der als Reihen-Verstärker bezeichnet wird, während die Sekundär-Kreise in Bezug auf die gleichbedeutenden leitungen von jedem Träger der Leseeinrichtungen in Serie geschaltet sind und mit einem Verstärker verbunden sind, The invention also aims at a memory device formed by stacking the individual unit cells defined above with the equivalent inputs of the primary circuits of each carrier of the interrogators being connected to a single amplifier called a column amplifier and the outputs of the same primary circuits with respect to the same carrier are connected to a single amplifier called a series amplifier, while the secondary circuits with respect to the equivalent lines of each carrier of the reading devices are connected in series and with one Amplifiers are connected,
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- 7 der als Ausgangs-Verstärker "bezeichnet wird.- 7 which is referred to as the output amplifier ".
Der Inhalt jedes Elementes wird auf seine Hüekseite geschrieben und zwar entweder in Form des Dezimalwertes des entsprechenden Codes oder in der Form des entsprechenden Befehls. Das Programm ist dann auf der sichtbaren Seite der Speicherebene in Klartext lesbar.The content of each element is written on its back side either in the form of the decimal value of the corresponding code or in the form of the corresponding command. The program is then on the visible side of the memory level readable in plain text.
Solche Speichervorrichtungen weisen.eine bestimmte Anzahl von Vorteilen auf: einer dieser Vorteile folgt aus der Tatsache, daß in solchen Speichern die verschiedenen Bestandteile mechanisch und elektrisch voneinander unabhängig sind. Die große Leichtigkeit der gegenseitigen Trennung, welche sich daraus ergibt, führt zu schnellen und leichten Zusammenbau- und Zerlegungsvorgängen für den Fall, daß eine Änderung der Struktur des Speicherblockes durchgeführt werden muß.Such storage devices have a certain number of Advantages on: one of these advantages follows from the fact that in such memories the various components are mechanically and are electrically independent of one another. The great ease of mutual separation that results from it results in quick and easy assembly and disassembly operations in the event that the structure is changed of the memory block must be carried out.
Ein zweiter Vorteil folgt aus der Tatsache, daß die Anordnung der verschiedenen Schaltkreise auf gemeinsamen oder benachbarten Ebenen eine beträchtliche Volumenverminderung der Elementarzellen bewirkt, welche den Speicher bilden. Daraus folgt, daß die Speicher großer Kapazität, in denen solche Zellen eingesetzt sind, einen minimalen Baumbedarf aufweisen, während sie gleichzeitig eine erhöhte Anzahl von "Bits" pro Volumeneinheit beinhalten. .A second advantage arises from the fact that the arrangement of the various circuits on common or adjacent planes causes a considerable reduction in the volume of the unit cells which make up the memory. It follows that the large capacity memories employing such cells have a minimal tree footprint while at the same time containing an increased number of "bits" per unit volume . .
Ein weiterer Vorteil liegt in der Tatsache begründet, daß in Folge der verhältnismäßig wenig erhöhten Anzahl von leitern and Verbindungen einerseits und durch das Fehlen parasitärer Ströme andererseits solche Speicher eine sehr große Betriebssicherheit aufweisen und folglich eine sehr hohe Zuverlässigkeit besitzen. Another advantage is based on the fact that as a result of the relatively little increase in the number of conductors and connections on the one hand and the lack of parasitic currents on the other hand, such memories have a very high level of operational safety and consequently have a very high level of reliability.
Bin weiterer Vorteil folgt aus der iatsache, daß die wesentlichen Beetandteile solcher Vorrichtungen einerseits und ihreA further advantage follows from the fact that the essential components of such devices on the one hand and their
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Matrizenorganisation in Blockspeichern andererseits nur wenig komplizierte Technologien erfordern, die keine qualifizierte Arbeitskraft benötigen. Die daraus folgenden geringen Arbeitskosten führen zu niedrigen Herstellungskosten, insbesondere für den Pail, daß Blöcke mit großer Kapazität hergestellt werden. Matrix organization in block memories, on the other hand, requires little complicated technologies that do not require qualified ones Need manpower. The consequent low labor costs lead to low manufacturing costs, in particular for the pail that blocks are made with large capacity.
Schließlich gestattet die Verwendung eines Informationsträgers, der durch eine metallische Schicht auf einer isolierenden Unterlage gebildet wird, für die ein Standardformat einer Karte oder eines Bandes der Büromaschinen-Technik verwendet wird, die Rückr kehr zu büromaschinen-technischen, standardisierten Mitteln für das Einschreiben ebenso wie für das lesen der Information. Es lassen sich daher beispielsweise durch die klassischen büromaschinen-technischen Mittel Dokumente zur Archivierung erhalten.Finally, the use of an information carrier made possible by a metallic layer on an insulating base is formed, for which a standard format of a card or a tape of the office machine technology is used, the Rückr Turn to office machine-technical, standardized means for registered mail as well as for reading the information. It can therefore, for example, be replaced by the classic office machine-technical Means received documents for archiving.
Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise anhand der Zeichnung beschrieben. In dieser zeigt:The invention is described below, for example, with reference to the drawing. In this shows:
Pig. 1 eine schematische Ansicht in auseinandergezogener Darstellung einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Speicher-Elementar-Zelle,Pig. 1 is a schematic exploded view a first embodiment of a storage elementary cell according to the invention,
Pig. 2 eine schematische Ansicht in auseinandergezogener Dar-) stellung einer zweiten Ausführungsform, Fig. 3 eine schematische Ansicht in auseinandergezogener Darstellung einer ersten Variante der Vorrichtung der Pig. 2 undPig. 2 is a schematic view in exploded view position of a second embodiment, Fig. 3 is a schematic exploded view a first variant of the device of the Pig. 2 and
Pig. 4 eine schematische Ansicht in auseinandergezogener Darstellung einer zweiten Variante der Vorrichtung der Pig. 2.Pig. 4 is a schematic exploded view a second variant of the device of the Pig. 2.
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In Pig. 1 ist eine erste Ausführungsform einer Elementar-Zelle eines erfindungsgemäßen Speichers dargestellt.In Pig. 1 is a first embodiment of an elementary cell a memory according to the invention shown.
Diese Zelle umfaßt drei wesentliche Hauptbestandteile und zwar einen Prägeteil, einen Leseteil und einen Informationsteil, die jeweils in Ihrer Gesamtheit durch die Bezugszahlen 1, bzw. 2 und 3 bezeichnet sind.This cell comprises three essential main components, namely an embossed part, a reading part and an information part, which are each designated in their entirety by the reference numbers 1, or 2 and 3.
Der Prageteil 1 besteht aus einer Unterlage 4, wie beispielsweise einem isolierenden Träger für die gedruckte Schaltung, dessen eine Seite, z.B. die Oberseite 4!, eine Vielzahl von Primär-Windungen aufweist, welche Rechtecke bilden, wie bei 5 dargestellt ist, welche durch parallele leiter 5a miteinander in Serie verbunden sind, und zwar nach einer Leitungsanordnung 6, 6', 6", 6"', während die andere Seite, z.B. die Unterseite 4", gleichmäßig mit einer Metallschicht wie beispielsweise einer Kupferschicht abgedeckt ist, die dazu bestimmt ist, die Rolle einer Abschirmung zu übernehmen. Auf einem anderen Wege umfaßt jede der Leitungen 6, 6' eine Diode 7 an einem ihrer Enden.The Prague part 1 consists of a base 4, such as an insulating support for the printed circuit, one side of which, for example the top 4 ! , has a plurality of primary turns which form rectangles, as shown at 5, which are connected to one another in series by parallel conductors 5a, namely according to a line arrangement 6, 6 ', 6 ", 6"', while the other Side, for example the underside 4 ", is evenly covered with a metal layer such as a copper layer, which is intended to play the role of a shield. In another way, each of the lines 6, 6 'comprises a diode 7 at one of its ends .
Der Leseteil 2 umfaßt im wesentlichen eine Unterlage 8, die mit der Unterlage 4 des Abfrageteils 1 identisch ist, auf welcher die Sekundärwindungen angebracht sind, die in gleicher Anzahl wie die Primärwindungen 5 Rechtecke 9 bilden. Diese Windungen Bind untereinander mit der gleichen Anzahl von Leitungen 10, 10·, 10" und 1OWI verbunden, wie es Windungen in einer Primärleltung 6, 6f und 6" und 6"' gibt.The reading part 2 essentially comprises a base 8, which is identical to the base 4 of the interrogation part 1, on which the secondary windings are attached, which form rectangles 9 in the same number as the primary windings 5. These turns are connected to one another with the same number of lines 10, 10 ·, 10 "and 10 WI as there are turns in a primary line 6, 6 f and 6" and 6 "'.
Der Informationsteil 3 besteht aus einer leitenden Platte 11, die entweder eine Metallplatte oder eine gedruckte Schaltung auf einem sehr dünnen isolierenden Träger sein kann, wobei die Flutte rechteckige öffnungen 12 aufweist, welche dem Zustand »intr binären *1" entsprechen, während dit metallischen Zonen 13 den binär·» Zustand "0R darstellen. Der Zusammenbau einer •eichen Blttte&tarselle erfolgt, ladta auf den frageteil 1 The information part 3 consists of a conductive plate 11, which can be either a metal plate or a printed circuit on a very thin insulating carrier , the flood having rectangular openings 12 which correspond to the state "intr binary * 1", while the metallic zones 13 represent the binary state "0 R ". The assembly of an • oak leaf & tarselle is done, ladta on the question part 1
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einander erstens der Informationsteil 3, sodann der Leseteil 2 derart angebracht werden, daß die Leitungen der Windungen 10, 10"... rechtwinklig zu den Leitungen der Primärwindungen 6, 6" ... verlaufen.first the information part 3, then the reading part 2 are attached to each other in such a way that the lines of the windings 10, 10 "... at right angles to the lines of the primary windings 6, 6 "... run.
Der elektrische Anschluß einer solchen Elementarzeile erfolgt, indem jede der Leitungen der Windungen 6, 6', 6" und 6HI auf der einen Seite an einen s.g. Kolonnen-Verstärker entsprechend 14» 14', 14" und 14HI angeschlossen werden und auf der anderen Seite an einen s.g. Reihen-Verstärker 15 angeschlossen werden, der für jeden Prageteil bestimmt ist. Auf einem anderen Wege ist jede der Leitungen der Sekundärwindungen 10, 10·, 10" und 10wl mit einem s.g. sekundären Ausgangs-Verstärker 16, 16', 16" und 16"' verbunden, welcher diesem entspricht. Die Leitungen der Sekundärwindungen der aufeinanderfolgenden Abfrageteile sind in derselben Sekundär-Kolonne miteinander in Serie geschaltet. The electrical connection of such an elementary line takes place in that each of the lines of the turns 6, 6 ', 6 "and 6 HI are connected on one side to a so-called column amplifier corresponding to 14» 14', 14 "and 14 HI and on the the other side to be connected to a so-called series amplifier 15, which is intended for each Prague part. In a different way, each of the lines of the secondary windings 10, 10 ·, 10 "and 10 wl is connected to a so-called secondary output amplifier 16, 16 ', 16" and 16 "', which corresponds to this Inquiry parts are connected in series with one another in the same secondary column.
Die Fig. 1 zeigt ebenso die Reihenverstärker 15' und 15", weiche die beiden Elementarzellen speisen, welche über der unteren Elementarzelle angeordnet sind und durch die Unterlagen 1', 31, 2', bzw. 1", 3", 2" gebildet werden, wobei der Anschluß der Zellen in gleicher Weise erfolgt, damit die Verbindung der Zellen untereinander zur Herstellung eines Speichers oder Speicherblockes gezeigt wird. Die Arbeitsweise einer Elementarζeile ist folgende:Fig. 1 also shows the series amplifiers 15 'and 15 ", which feed the two unit cells, which are arranged above the lower unit cell and through the supports 1', 3 1 , 2 ', or 1", 3 ", 2" are formed, the connection of the cells being carried out in the same way, so that the connection of the cells to one another is shown for the production of a memory or memory block. The operation of an elementary part is as follows:
Zur Auswahl eines Binärwortes wird gleichzeitig ein Impuls an den Kolonnen-Verstärker, weicher diesem Wort entspricht und an denjenigen der Reihen-Verstärker gelegt, in dessen Reiht das gewählte Binärwort enthalten 1st, In der Leitung der entepr«;chenden PrifflÄrwindungen fließt ®ia Strom, imd dia»· Windungen erieugen ein magnetische» feld» wtlohts is denjtaigen Sekuadärwindungen eiae tltktroBotoriaehe Craft trisrogt, ölt dea öffnungen 12 d«i Inf»ME&tionii-t*ils» 3 gtgtnUbtr aTo select a binary word, an impulse is sent to the column amplifier, which corresponds to this word and on those of the series amplifiers, in whose series the Selected binary word contains 1st, in the line of the corresponding Test windings a magnetic "field" wtlohts is the daily secondary windings eiae tltktroBotoriaehe Craft trisrogt, oils the openings 12 d «i Inf» ME & tionii-t * ils »3 gtgtnUbtr a
während die durch die metallischen Zonen 13 abgedeckten Sekundärwindungen vom Induktionsfluß isoliert bleiben, so daß folglich an diesen Stellen keine Spannung induziert wird. Die elektromotorischen Kräfte erscheinen an den Klemmen der entsprechenden Sekundär-Verstärker 16, 16' und 16" und zeigen auf diese Weise das ausgewählte "binäre Wort an.while the secondary turns covered by the metallic zones 13 remain isolated from the induction flux, so that consequently no voltage is induced at these points. the electromotive forces appear at the terminals of the respective secondary amplifiers 16, 16 'and 16 "and point to this way the selected "binary word".
Wenn beispielsweise gewünscht wird, das binäre Wort "1101" auszuwählen, welches im Informationsteil '3 durch die Öffnungen 12a, 12b und 12c dargestellt ist, wird für die Ziffern 1 und durch die metallische Zone 13a für die Ziffer 0 die Leitung 6"' der Primärwindungen 5 mit Hilfe des Kolonnen-Verstärkers 14"' und des Verstärkers 15 gespeist. Das durch die Windungen 5 erzeugte magnetische Feld induziert in den Sekundärwindungen der Leitungen 10, 101 und 10wt eine elektromotorische Kraft, indem der Induktionsfluß über die Öffnungen 12a, 12b und 12c des Informationsteils 3 geht, während in den Windungen der Leitung 10" keinerlei Spannung induziert wird, weil die entsprechende Windung dieser Leitung 10" durch die metallische Zone 13a des Informationsteils 3 abgedeckt ist. Am Ausgang der Verstärker 16, 16· und 16IM erscheint daher ein Signal, während der Verstärker 16" kein Signal liefert.If, for example, it is desired to select the binary word "1101", which is represented in the information part '3 through the openings 12a, 12b and 12c, the line 6 "' is used for the digits 1 and through the metallic zone 13a for the digit 0 Primary windings 5 fed with the aid of the column amplifier 14 '''and the amplifier 15. The magnetic field generated by the windings 5 induces an electromotive force in the secondary windings of the lines 10, 10 1 and 10 wt in that the induction flux passes through the openings 12a, 12b and 12c of the information part 3, while in the windings of the line 10 ″ none Voltage is induced because the corresponding turn of this line 10 ″ is covered by the metallic zone 13a of the information part 3. A signal therefore appears at the output of the amplifiers 16, 16 · and 16 IM , while the amplifier 16 ″ delivers no signal.
Die Arbeitsweise der anderen Leitungen der Windungen des Speicherelementes ebenso wie der anderen Speicherelemente stimmen vollkommen mit der gerade beschriebenen Arbeitsweise überein.The operation of the other lines of the turns of the storage element as well as the other storage elements are completely in accordance with the mode of operation just described.
Nach der Fig. 2 umfaßt eine zweite Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Elementar-Speicherzelle ebenfalls einen Abfrageteil 1 und einen Leseteil 2, die auf einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind und einen Informationsteil 3.Referring to Fig. 2, a second embodiment comprises one according to the invention Elementary memory cell also has an interrogation part 1 and a reading part 2, which are based on a common Level are arranged and an information part 3.
Der Abfrageteil 1 umfaßt eine Unterlage 20 aus magnetischem Material, wie beispielsweise einem Ferrit, dessen eine Seite 20' eine Vielzahl von Primärwindungen 21 aufweist, die unter-The interrogation part 1 comprises a base 20 made of magnetic material, such as a ferrite, one side of which 20 'has a plurality of primary turns 21, which under-
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einander gemäß der Anordnung der Leitungen 22, 22', 22" und 22"' verbunden sind, während die andere Seite 20" einheitlich mit einer Metallschicht bedeckt ist, die dazu bestimmt ist, die Rolle einer Abschirmung zn übernehmen. Jede der leitungen 22, 22' ... umfaßt eine Diode 23, welche jedem primären Rückstrom auf parasitären Wegen entgegen wirkt.each other according to the arrangement of the lines 22, 22 ', 22 "and 22"' are connected, while the other side 20 "uniformly covered with a metal layer which is intended to take on zn the role of a shield. Each of the lines 22, 22 '... comprises a diode 23, which counteracts any primary return current on parasitic paths.
Der Leseteil 2 umfaßt Sekundärwindungen 24 in gleicher Anzahl wie die Primärwindungen 21, und die Sekundärwindungen sind untereinander über die leitungen 25, 25', 25" und 25"' verbunden. Auf anderen Wegen sind diese Leitungen der Sekundärwindungen senkrecht zu den Pr iinärl ei tung en angeordnet und von diesen letzteren durch eine nicht dargestellte isolierende Schicht getrennt. Aus der Fir. 2 sind ebenfalls die Kolonnen-Verstärker 26, 26', 26" und 26"' ebenso wie der JU ihen-Verstärker 27 ersichtlich.The reading part 2 includes secondary turns 24 in the same number as the primary turns 21, and the secondary turns are one below the other connected via lines 25, 25 ', 25 "and 25"'. In other ways, these lines are the secondary turns arranged perpendicular to the primary lines and from these the latter separated by an insulating layer, not shown. From the Fir. 2 the column amplifiers 26, 26 ', 26 "and 26"' as well as the JU ihen amplifier 27 can also be seen.
Der Informations teil ?; vl. ra dur^h eine Unterlage 28 aus magnetisch durchlässigen Mater!?] gebil^^t. vj.e es beispielsweise ein Fer-The information part? ; vl. ra dur ^ h a base 28 made of magnetically permeable material !?] formed ^^ t. vj.e, for example, a holiday
rit darstellt, o.csw 3 ti ic ί'ί"?' Überzug ver::-- '"ru i^i ^n-I ;:< f.·,: ;r ■ r düngen und In: ΠγΙγ^γ:;!^ ».-wj .ηd'.!·■;,;- ■■ faßt einen aur'-hbroo'i t-ne.. '■>'( <:·."' mit Ke te 11 br. deckte η ,-:;:>_ e f ' > ' dem Zusto?.>\ Ci:-?' ui!i;: rr-. '■ ", ' : ■■-mi t KptR'!l:JL-'- :r;:.f: ■/■;■·■ . · l ■·■■■: 1^ Zustand dc:1 1: -;?-e'- :" ' .:' ~ ( ■ ■' rit represents, o.csw 3 ti ic ί'ί "? ' Coating ver :: - '" r u i ^ i ^ nI;: <f. · ,:; r ■ r fertilize and In: ΠγΙγ ^ γ:;! ^».-Wj .ηd'.! · ■; ,; - ■■ summarizes an aur'-hbroo'i t-ne .. '■>' ( <: ·. "'With Ke te 11 br. Covered η , -:;:> _ ef'>'the delivery ?.> \ Ci: -? 'Ui ! I ;: rr-.' ■ ", ': ■■ -mi t KptR'! L: JL -'-: r;:. F: ■ / ■; ■ · . ■ ■ · l · ■■■: 1 ^ state dc: 1 1: -; -E'-? '.'"~ (■ ■ '
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Diese Einrichtung verbessert daher die Kopplung, indem gleichzeitig die in einem gegebenen Volumen wirksame Energie vergrößert wird, und damit wird folglich eine nennenswerte Verringerung der Abmessungen des Speichers bewirkt.This device therefore improves the coupling by simultaneously the effective energy in a given volume is increased, and hence there is a significant reduction the dimensions of the memory causes.
Nach der Fig. 3 besteht eine Variante der zweiten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung darin, den Informations- *= teil 3, wexcher oben beschrieben wurde, in einzelne Elemente wie 41, 42, 43 und 44 zu zerschneiden, von denen jedes einem vorgegebenen Speicherwort entspricht. Der Aufbau oder das Laden des Speichers besteht in diesem Pail darin, solche Elemente auf dem Abfrageteil 1 und dem Leseteil 2 nebeneinander anzuordnen. In diesem Falle ist eine Metallschicht 45 auf dem Rand der obengenannten Elemente vorgesehen, damit jegliche Störung zwischen zwei benachbarten Worten vermindert wird.According to FIG. 3, a variant of the second embodiment of the device according to the invention consists in the information- * = Part 3, as described above, to be cut into individual elements such as 41, 42, 43 and 44, each of which is one corresponds to predetermined memory word. The construction or loading of the memory in this pail consists in placing such elements on the query part 1 and the reading part 2 to be arranged side by side. In this case a metal layer 45 is on the edge of the above Elements provided so that any interference between two adjacent words is reduced.
Die Fig. 3 zeigt ein solches Element, in diesem Falle das Element 44, welches auf dem Abfrageteil 1 und dem Leseteil 2 angeordnet ist, wobei das genannte Element auf seiner mit einem Metallüberzug versehenen Seite 46 eine codierte Aufschrift ("10 ADD" im vorliegenden Falle) aufweist, welche dem durch dieses Element dargestellten Binärwort entspricht.FIG. 3 shows such an element, in this case the element 44, which is located on the interrogation part 1 and the reading part 2 is arranged, said element being provided with a coded label on its side 46 provided with a metal coating ("10 ADD" in the present case), which corresponds to the binary word represented by this element.
Eine solche Anordnung erweist sich als vorteilhaft für die Her- j Stellung eines Programms und ist im übrigen dann von besonderem IntereBse, wenn die Änderung des Programms durchgeführt werden muß. Andererseits ist leicht einzusehen, daß der Informationsteil 3 in einzelne Elemente unterteilt werden kann, von denen jedes einer vorgegebenen Binärzahl entspricht, deren Wert auf der Rückseite des Elementes in dezimaler oder alphanumerischer Darstellung aufgeschrieben ist.Such an arrangement proves to be advantageous for the creation of a program and is moreover of particular interest when the change in the program has to be carried out. On the other hand, it is easy to see that the information part 3 can be divided into individual elements, each of which corresponds to a predetermined binary number, the value of which is written on the back of the element in decimal or alphanumeric representation.
In diesem letzten Falle lassen sich die Elementarzellen des Speichers anstatt durch Aufstapelung flach auf einer gedruckten Schaltung anordnen, welche ihre Verbindung gewährleistet. EineIn this latter case, the elementary cells of the memory can be printed flat on top of a stack instead of being stacked Arrange circuit that ensures their connection. One
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solche Anordnung weist eine "bestimmte Anzahl von zusätzlichen Vorteilen auf, die im wesentlichen darin bestehen, daß das Laden und Entladen sehr leicht möglich ist und daß die Möglichkeit besteht, Prüfarbeiten vorzunehmen und Modifikationen vorzunehmen, ohne zu der Notwendigkeit einer Zerlegung gezwungen zu sein.such arrangement has a "certain number of additional Advantages that essentially consist in the fact that loading and unloading is very easy and that the possibility exists to carry out test work and make modifications, without being forced to disassemble.
Nach der Fig. 4 umfaßt ein Ausführungsbeispiel eines Speicherblockes, welches eine zweite Abwandlung der zweiten Ausführungsform von erfindungsgemäßen Elementarzellen darstellt, im wesentlichen eine Unterlage 51, weiche durch eine sehr dünne Platte gebildet wird, die aus einem nichtleitenden Material besteht, wie es beispielsweise kommerziell mit dem Namen "Mylar" bezeichnet wird. Auf dieser Platte sind nebeneinander die Leseeinrichtungen 2 und die Abfrageeinrichtungen 1 angeordnet, wobei diese Einrichtungen voneinander durch eine nicht dargestellte isolierende Schicht getrennt sind. Die Leseeinrichtungen können ebenso auf einer der Flächen der "Mylar"-Platte angeordnet sein, während sich die Abfrageeinrichtungen auf der anderen Seite befinden. Diese "Mylar-51"-Platte ist in der in Fig. 4 dargestellten Weise gefaltet, und ihre Lage wird durch eine bestimmte Anzahl von starren Stützen 52 gewährleistet.According to FIG. 4, an embodiment of a memory block comprises which represents a second modification of the second embodiment of unit cells according to the invention, essentially a base 51, which is formed by a very thin plate made of a non-conductive material, for example as it is known commercially by the name "Mylar". The reading devices are next to each other on this plate 2 and the interrogation devices 1 arranged, these devices from each other by a not shown insulating layer are separated. The reading devices can also be arranged on one of the surfaces of the "Mylar" plate while the interrogators are on the other side. This "Mylar-51" sheet is in the in 4, and their position is ensured by a certain number of rigid supports 52.
Die Informationseinrichtungen 3, welche von den Benutzern gewöhnlich als "Programmseiten11 bezeichnet werden, bestehen aus einer Gruppe von Ferrit-Platten, wobei jede dieser Prograaunseiten im wesentlichen auf der einen Seite einen Hauptteil 53 aufweist, auf dem die Gruppen der Worte 54 und 55 in der Form von Oktetten angeordnet sind und auf der anderen Seite einen Stützteil 56 aufweist, auf der die Nummer der Seite angezeigt ist, welche dem in die Platte eingeschriebenen Programm entspricht. Diese Informationseinrichtungen sind zwischen den Falten der "Mylar"-Platte angeordnet, und ihre Lage wird durch den Stützteil 56 gewährleistet, der sich auf den starren Stützen 52 abstützt. Die Flg. 4 läßt eine bestimmte Anzahl von »Progjr The information devices 3, which are usually referred to as "program pages 11 " by the users, consist of a group of ferrite plates, each of these program pages essentially having on one side a main part 53 on which the groups of words 54 and 55 are arranged in the form of octets and on the other side has a support part 56 on which the number of the page corresponding to the program written in the disc is displayed These information devices are arranged between the folds of the "Mylar" disc, and their position is ensured by the support part 56, which is supported on the rigid supports 52. Flg. 4 shows a certain number of »Progjr
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seiten" erkennen, welche zwischen den Falten der "Mylar"-51-Platte angeordnet sind. Außerdem sind die Kolonnen-Verstärker 57 und die Sekundär-Verstärker 58 dargestellt, wobei die Verbindung mit den entsprechenden Schaltungen durch die leiter 59 hergestellt werden.sides "which are between the folds of the" Mylar "51 sheet are arranged. Also shown are column amplifiers 57 and secondary amplifiers 58, with the connection with the appropriate circuits through the ladder 59 getting produced.
Es ist leicht zu erkennen, daß eine solche kompakte Anordnung der Verschiedenen Elementarteile eine Raumersparnis ermöglicht, indem gleichzeitig ein stark erhöhter Informationsinhalt gewährleistet wird.It is easy to see that such a compact arrangement the various elementary parts allow space to be saved, while at the same time ensuring a greatly increased information content will.
Außerdem liefern die verschiedenen Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Speichervorrichtung Lesesignale von erhöhtem Pegel, die daher leicht erkennbar sind. Ein solches vorteilhaftes Merkmal resultiert einerseits aus der Anordnung der Form der symmetrischen Windungen der Primär- und der Sekundär-Kreise und andererseits aus der Unterdrückung jeglicher parasitärer Ströme, welche das Aussenden und die Erkennung der obengenannten Signale stören könnten»In addition, the various embodiments of the invention provide Storage device Read signals of increased level, which are therefore easily recognizable. Such a beneficial one Feature results on the one hand from the arrangement of the Shape of the symmetrical turns of the primary and secondary circles and on the other hand from the suppression of any parasitic currents that cause the emission and detection of the above Signals could interfere »
PatentansprücheClaims
00 9839/190100 9839/1901
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR6905735A FR2036053A5 (en) | 1969-03-03 | 1969-03-03 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| DE2009962A1 true DE2009962A1 (en) | 1970-09-24 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0042707A1 (en) * | 1980-06-13 | 1981-12-30 | Securitas International Products Limited | Token reader |
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1969
- 1969-03-03 FR FR6905735A patent/FR2036053A5/fr not_active Expired
-
1970
- 1970-03-02 NL NL7002911A patent/NL7002911A/xx unknown
- 1970-03-03 GB GB1017970A patent/GB1276762A/en not_active Expired
- 1970-03-03 DE DE19702009962 patent/DE2009962A1/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0042707A1 (en) * | 1980-06-13 | 1981-12-30 | Securitas International Products Limited | Token reader |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1276762A (en) | 1972-06-07 |
| FR2036053A5 (en) | 1970-12-24 |
| NL7002911A (en) | 1970-09-07 |
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