DE19943405A1 - Method for producing a laterally monolithically integrated light emission semiconductor component - Google Patents
Method for producing a laterally monolithically integrated light emission semiconductor componentInfo
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Abstract
Ein Lichtemissions-Halbleiterbauelement wird dadurch hergestellt, daß in eine auf einem Halbleitersubstrat (1) aufgebrachte Maskenschicht (100) eine Anzahl Fensteröffnungen (200) unterschiedlicher Größe geformt wird und das Zwischenprodukt durch metallorganische Gasphasenepitaxie derart mit metallorganischen Verbindungen beaufschlagt wird, daß in den Fensteröffnungen (200) aktive, elektrolumineszierende Halbleiterschichtenfolgen (2) mit unterschiedlicher Zusammensetzung eines ternären oder quaternären Halbleitermaterials aufgewachsen werden.A light emission semiconductor component is produced by forming a number of window openings (200) of different sizes in a mask layer (100) applied to a semiconductor substrate (1) and by applying organometallic gas phase epitaxy to the intermediate product in such a way that organometallic compounds are applied in the window openings ( 200) active, electroluminescent semiconductor layer sequences (2) with different compositions of a ternary or quaternary semiconductor material are grown.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines lateral monolithisch integrierten, bei unterschiedlichen Wel lenlängen elektrolumineszierenden Lichtemissions-Halbleiter bauelements. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfah ren zur Herstellung eines Lichtemissions-Halbleiterbau elements, dessen einzelne Bauelemente auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat lateral monolithisch integriert sind. Das Verfahren beruht im wesentlichen darauf, daß durch metallor ganische Gasphasenepitaxie in Fensteröffnungen unterschiedli cher Größe, die in eine Maskenschicht geformt sind, ternäre oder quarternäre Halbleiterverbindungen je nach Größe der Fensteröffnung in unterschiedlicher Zusammensetzung aufge wachsen werden.The invention relates to a method for producing a laterally monolithically integrated, at different worlds lenlength electroluminescent light emission semiconductor component. In particular, the invention relates to a method ren for the production of a light emission semiconductor construction elements, whose individual components are on a common Semiconductor substrate are laterally monolithically integrated. The The process is essentially based on the fact that metallor ganic gas phase epitaxy in window openings differ size formed in a mask layer, ternary or quaternary semiconductor compounds depending on the size of the Window opening opened in different compositions will grow.
Die zunehmend breitere Anwendung von Lichtemissions-Halblei terbauelementen läßt es als wünschenswert erscheinen, einen monolithischen LED-Chip zu entwickeln, der elektromagnetische Strahlung mit unterschiedlichen Wellenlängen emittieren kann. Eine solche Entwicklung würde bedeutende Fortschritte insbe sondere in der Display-Technologie mit sich bringen, denn da mit könnte jedenfalls im Prinzip eine Integration aller drei Grundfarben auf einem einzigen LED-Chip gelingen. Aber auch andere Anwendungen, wie Anzeige- und Kontrolllampen, könnten kostensparend bezüglich Herstellung, Verarbeitung, etc. auf einem einzigen Halbleitersubstrat monolithisch integriert werden.The increasingly widespread use of light-emitting semiconductors it makes it seem desirable to have one to develop monolithic LED chip, the electromagnetic one Can emit radiation with different wavelengths. Such a development would result in significant progress especially in display technology, because there with, in principle, could integrate all three Basic colors succeed on a single LED chip. But also other applications, such as indicator and indicator lights, could cost-saving in terms of manufacture, processing, etc. monolithically integrated into a single semiconductor substrate become.
Mehrfarbig emittierende LED-Chips werden derzeit jedoch über wiegend noch aus drei individuellen, einfarbig emittierenden Halbleiterbauelementen zusammengesetzt, die in einem gemein samen Gehäuse verbaut werden. Bisher ist es lediglich be kannt, aus beispielsweise Galliumphosphid (GaP) Lichtemissi ons-Halbleitereinrichtungen mit einstellbarer Farbe durch Mi schung von zwei emittierten Wellenlängen herzustellen. In dem Buch "Halbleiter-Optoelektronik" von M. Bleicher, erschienen im Dr. Alfred Hüthig Verlag, Heidelberg, 1986, ist auf den Seiten 157, 158 eine derartige Zwei-Farben-Lichtemissions diode (LED) beschrieben. Sie enthält zwischen ihrer Vorder seite, die die Lichtaustrittsseite ist, und ihrer Rückseite zwei oberflächenemittierende Lichtemissionsdioden. Diese wer den durch epitaktisches Aufwachsen von p-leitenden, unter schiedlich störstellendotierten GaP-Schichten auf ein n-leitendes GaP-Substrat hergestellt, wodurch zwei an Vorder- und Rückseite des Substrats gebildete pn-Übergänge entstehen. Die obere p-leitende GaP-Schicht ist mit Stickstoff dotiert, während die untere p-leitende GaP-Schicht mit Sauerstoff und Zink dotiert ist. Der durch die obere GaP-Epischicht gebilde te pn-Übergang emittiert somit bei elektrischer Anregung im grünen Spektralbereich, während der durch die untere GaP- Epischicht gebildete pn-Übergang im roten Spektralbereich emittiert. Die auf diese Weise geformten Dioden werden mit zwei Spannungsquellen betrieben, deren gemeinsamer Minuspol mit der n-Seite beider pn-Übergänge, also mit dem n-leitenden GaP-Substrat, verbunden ist. Durch getrenntes Einstellen der Diodenströme kann somit das Farbspektrum von rot über orange und gelb bis grün variiert werden. Die rote Strahlung durch dringt den gesamten Kristall und tritt durch die gleiche Flä che wie die grüne Strahlung aus, wodurch eine gute räumliche Mischung erzielt wird.Multi-color emitting LED chips are currently over still consisting of three individual, single-color emitting Semiconductor components composed in a common whole housing are installed. So far it is only be knows, for example gallium phosphide (GaP) Lichtemissi ons semiconductor devices with adjustable color by Mi production of two emitted wavelengths. By doing Book "Semiconductor Optoelectronics" by M. Bleicher, published in the Dr. Alfred Hüthig Verlag, Heidelberg, 1986, is on the Pages 157, 158 such a two-color light emission diode (LED). It contains between its front side, which is the light exit side, and its back two surface emitting light emitting diodes. This who the epitaxial growth of p-type, under different impurity-doped GaP layers n-type GaP substrate is manufactured, whereby two at the front pn junctions formed on the back of the substrate. The top p-type GaP layer is doped with nitrogen, while the lower p-type GaP layer with oxygen and Zinc is doped. The one formed by the upper GaP epi layer te pn junction thus emits when electrically excited green spectral range, while through the lower GaP Epi-layer formed pn junction in the red spectral range emitted. The diodes shaped in this way are used operated two voltage sources, their common negative pole with the n side of both pn junctions, i.e. with the n-type GaP substrate. By setting the Diode currents can change the color spectrum from red to orange and varied from yellow to green. The red radiation through penetrates the entire crystal and passes through the same area che like the green radiation, creating a good spatial Mixing is achieved.
Der Aufbau und die Struktur einer derartigen Anordnung bringt jedoch mit sich, daß lediglich elektromagnetische Strahlung zweier Wellenlängen emittiert werden kann. Da zudem die elek tromagnetische Strahlung beider pn-Übergänge durch ein- und dieselbe Fläche aus dem Halbleiterbauelement austritt, wird stets eine räumliche Mischung der beiden Wellenlängen herbei geführt. Ein weiterer Nachteil des beschriebenen Halbleiter bauelements liegt darin, daß ein pn-Übergang auf der Rücksei te angeordnet ist und die von diesem pn-Übergang emittierte Strahlung den gesamten Kristall durchdringen muß. Die Hälfte der Strahlung wird zudem in Richtung auf die Rückseite des Halbleiterbauelements abgestrahlt und kann somit im allgemei nen nicht für eine Vorderseitenemission genutzt werden.The structure and structure of such an arrangement brings however with that only electromagnetic radiation two wavelengths can be emitted. Since the elec tromagnetic radiation of both pn junctions through one and the same area emerges from the semiconductor component always a spatial mix of the two wavelengths guided. Another disadvantage of the semiconductor described Component is that a pn junction on the back te is arranged and the one emitted by this pn junction Radiation must penetrate the entire crystal. The half the radiation is also directed towards the back of the Semiconductor device emitted and can therefore in general not be used for a front emission.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfah ren zur Herstellung eines lateral monolithisch integrierten, bei mehreren unterschiedlichen Wellenlängen elektrolumines zierenden Lichtemissions-Halbleiterbauelements anzugeben. Ein derartiges Lichtemissions-Halbleiterbauelement soll insbeson dere dazu in der Lage sein, elektromagnetische Strahlung bei zwei oder mehr verschiedenen Wellenlängen vorderseitig emit tieren zu können.It is therefore an object of the present invention to provide a method to produce a laterally monolithically integrated, at several different wavelengths electrolumines decorative light emission semiconductor device to specify. On Such light emission semiconductor device is intended in particular who are able to contribute to electromagnetic radiation emit two or more different wavelengths on the front to be able to animals.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.This object is achieved by the features of patent claim 1 solved.
Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines
bei einer Anzahl unterschiedlicher Wellenlängen elektrolumi
neszierenden Lichtemissions-Halbleiterbauelements wird demge
mäß
In a method according to the invention for producing a light-emitting semiconductor component which is electroluminescent at a number of different wavelengths, accordingly
- a) auf einem Halbleitersubstrat eine Maskenschicht aufge bracht,a) a mask layer is applied to a semiconductor substrate brings,
- b) in die Maskenschicht eine Anzahl Fensteröffnungen unter schiedlicher Größen geformt, undb) a number of window openings in the mask layer different sizes, and
- c) die Maskenschicht und die Fensteröffnungen durch metallorganische Gasphasenepitaxie mit metallorganischen Ver bindungen derart beaufschlagt, daß in den Fensteröffnungen jeweils eine aktive, elektrolumineszierende Halbleiterschich tenfolge aus ternärem oder quarternärem Material enthaltend einen pn-Übergang aufgewachsen wird, wobei die Halbleiter schichtenfolgen in den Fensteröffnungen mit unterschiedlichen Zusammensetzungen des ternären oder quarternären Materials gebildet werden.c) the mask layer and the window openings through organometallic gas phase epitaxy with organometallic ver bindings so acted that in the window openings each an active, electroluminescent semiconductor layer containing sequence of ternary or quaternary material a pn junction is grown, the semiconductor Layer sequences in the window openings with different Compositions of the ternary or quaternary material be formed.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird somit selektive Epi taxie und metallorganische Gasphasenepitaxie (MOCVD oder MOVPE) miteinander kombiniert. Bekanntermaßen lassen sich durch selektive Epitaxie vordefinierte Strukturen herstellen. Zu einer selektiven Schichtabscheidung kommt es dann, wenn die Substratoberfläche bereichsweise mit Materialien unter schiedlicher Elektronegativität belegt ist. Um selektive Schichtabscheidung zu erzielen, wird auf einem Halbleitersub strat eine Maskenschicht abgeschieden, die beispielsweise aus SiO2 oder SiXN1-X mit O < X < 1 besteht. In diese Masken schicht werden Fensteröffnungen zum Substrat geformt, in de nen die vordefinierten Strukturen hergestellt werden sollen. Diese Fensteröffnungen werden vorzugsweise durch einen Ätz schritt erzeugt. Somit wird eine strukturierte Substratober fläche erzeugt, die bereichsweise mit dem Maskenmaterial und bereichsweise mit dem Halbleitersubstrat belegt ist. Wenn nun ein Halbleiterwachstumsprozeß durchgeführt wird, bei dem ein geeignetes Halbleitermaterial epitaktisch auf diese Substra toberfläche aufgewachsen wird, so kommt es zu selektiver Schichtabscheidung, die bevorzugt in den Fensteröffnungen der Maskenschicht abläuft. Form und Größe der gewünschten, vorde finierten Strukturen hängen somit im wesentlichen von den Strukturen der Fensteröffnungen in der Maskenschicht sowie den Epitaxieparametern ab.In the method according to the invention, selective epi taxie and organometallic gas phase epitaxy (MOCVD or MOVPE) are thus combined with one another. It is known that predefined structures can be produced by selective epitaxy. A selective layer deposition occurs when the substrate surface is partially covered with materials with different electronegativity. In order to achieve selective layer deposition, a mask layer is deposited on a semiconductor substrate, which consists for example of SiO 2 or Si X N 1-X with O <X <1. In this mask layer, window openings are formed into the substrate in which the predefined structures are to be produced. These window openings are preferably generated by an etching step. A structured substrate surface is thus produced, which is partially covered with the mask material and partially with the semiconductor substrate. If a semiconductor growth process is now carried out in which a suitable semiconductor material is epitaxially grown on this substrate surface, selective layer deposition occurs, which preferably takes place in the window openings of the mask layer. The shape and size of the desired, pre-defined structures thus essentially depend on the structures of the window openings in the mask layer and on the epitaxial parameters.
In dem erfindungsgemäßen Verfahren wird als Epitaxieverfahren die metallorganische Gasphasenepitaxie angewandt. Ein wesent liches Merkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, daß die Maskenöffnung, d. h. das Verhältnis von offener Sub stratfläche zu maskierter Fläche, maßgeblich die Abscheidebe dingungen der metallorganischen Gasphasenepitaxie bestimmt. Dies führt dazu, daß bei ternären oder quarternären Halblei terverbindungen das Zusammensetzungsverhältnis der aufgewach senen Halbleiterschicht bei gegebenen Epitaxieparametern von der Größe der Fensteröffnung abhängt. Somit kann durch die Größe der Fensteröffnung die Emissionswellenlänge eines in der Fensteröffnung aufzuwachsenden pn-Übergangs eingestellt werden. Die strukturgrößenabhängige Variation in der Zusam mensetzung des Halbleitermaterials beruht letztlich auf einer Variation in der Wachstumsrate der verschiedenen Komponenten der ternären oder quarternären Halbleiterverbindung, die von den unterschiedlichen Diffusionsverhältnissen der einzelnen Komponenten in dem MOVPE-Prozeß auf dem Maskenmaterial be stimmt wird. Die chemischen Potentiale an der Oberfläche des Maskenmaterials bestimmen die Bindung dieser einzelnen Kompo nente, wie beispielsweise Ga und/oder In an eben dieser Mas kenoberfläche. Durch einfache Variation der Maskenöffnungs größe lassen sich auf diesem Wege alle durch die gewählte ternäre oder quarternäre Halbleiterverbindung erreichbaren Wellenlängen einstellen.In the method according to the invention is used as an epitaxy method the organometallic gas phase epitaxy applied. An essential Lich feature of the method according to the invention is that the mask opening, d. H. the ratio of open sub strat area to masked area, mainly the separation area conditions of the organometallic gas phase epitaxy determined. This leads to that with ternary or quaternary half lead terverbindungen the composition ratio of the awakened its semiconductor layer given epitaxial parameters of depends on the size of the window opening. Thus, through the Size of the window opening the emission wavelength of a in the pn junction to be grown up the window opening become. The structure size-dependent variation in the total The semiconductor material is ultimately based on a Variation in the growth rate of the various components the ternary or quaternary semiconductor compound produced by the different diffusion ratios of the individual Components in the MOVPE process on the mask material is true. The chemical potentials on the surface of the Mask material determines the binding of this individual compo nente, such as Ga and / or In on this very Mas surface. By simply varying the mask opening size can all be selected this way ternary or quaternary semiconductor compound achievable Set wavelengths.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird als das Material des Halbleitersubstrats InP gewählt und das Material der Halbleiterschichtenfolgen ist entweder die ter näre Verbindung GaInAs oder die quaternäre Verbindung GaInAsP. Bei diesen Materialkombinationen erweist es sich, daß mit zunehmender Größe der Fensteröffnungen das Anteils verhältnis Ga : In in dem abgeschiedenen Halbleitermaterial zu nimmt, so daß die Bandlücke entsprechend zunimmt und ein aus diesem Material gebildeter pn-Übergang eine entsprechend kür zere Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung emittiert.In one embodiment of the present invention, as the material of the semiconductor substrate InP selected and that The material of the semiconductor layer sequences is either the ter GaInAs or the quaternary compound GaInAsP. With these material combinations it turns out that that with increasing size of the window openings the proportion ratio Ga: In in the deposited semiconductor material too takes so that the band gap increases accordingly and one off pn junction formed from this material is correspondingly short zero wavelength of electromagnetic radiation is emitted.
Es kann ferner vorgesehen sein, daß im Verfahrensschritt a) auf das Halbleitersubstrat zunächst eine Bragg-Reflektor- Schichtenfolge aufgebracht wird, die aus einer Anzahl von Reflektorschichtenpaaren zusammengesetzt ist, deren jedes einzelne Schichtenpaar zwei Schichten mit unterschiedlich ho hem Brechungsindex aufweisen, und auf dieser Bragg-Reflektor- Schichtenfolge dann die Maskenschicht aufgebracht wird. Dies hat den Vorteil, daß die von der aktiven, elektrolumineszie renden Schichtenfolge in Richtung auf die Substratrückseite emittierte Strahlung von der Bragg-Reflektor-Schichtenfolge in Richtung auf die Substratvorderseite reflektiert wird und somit ebenfalls genutzt werden kann. It can also be provided that in method step a) first a Bragg reflector on the semiconductor substrate Layer sequence is applied, which consists of a number of Reflector layer pairs is composed, each of which single pair of layers two layers with different ho hem refractive index, and on this Bragg reflector Layer sequence then the mask layer is applied. This has the advantage that the active, electroluminescent layer sequence in the direction of the back of the substrate emitted radiation from the Bragg reflector layer sequence is reflected towards the front of the substrate and can also be used.
Ferner können die einzelnen Lichtemissions-Halbleiterbau elemente auch als Vertikalresonator-Laserdioden (VCSELs) aus gebildet sein. In diesem Falle ist außer der bereits erwähn ten substratseitigen Bragg-Reflektor-Schichtenfolge noch eine weitere lichtaustrittsseitige, teildurchlässige Bragg- Reflektor-Schichtenfolge vorgesehen. Durch die beiden Bragg- Reflektor-Schichtenfolgen wird ein Laserresonator für in dem pn-Übergang erzeugte Laserstrahlung gebildet.Furthermore, the individual light emission semiconductor devices elements also as vertical resonator laser diodes (VCSELs) be educated. In this case, besides that is already mentioned another substrate-side Bragg reflector layer sequence further light-emitting side, partially transparent Bragg Reflector layer sequence provided. Through the two Bragg Reflector layer sequences become a laser resonator for in the pn junction generated laser radiation.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele des erfindungsgemä ßen Verfahrens anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:In the following, embodiments of the invention ß method explained in more detail with reference to the figures. Show it:
Fig. 1 ein Zwischenprodukt des erfindungsgemäßen Verfah rens unmittelbar nach der Bildung der Fensteröff nungen in der Maskenschicht; FIG. 1 shows an intermediate product of the present invention procedural proceedings immediately after formation of the Fensteröff voltages in the mask layer;
Fig. 2 ein gemäß Fig. 1 fertiggestelltes Lichtemissions- Halbleiterbauelement; FIG. 2 shows a light emission semiconductor component completed according to FIG. 1;
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Lichtemissions-Halbleiterbauelements mit Bereichen unterschiedlicher Wellenlängenemission. Fig. 3 is a plan view of an embodiment of a light emitting semiconductor device having regions of different emission wavelength.
Nach Fig. 1 wird auf ein Halbleitersubstrat 1 zunächst eine Bragg-Reflektor-Schichtenfolge 16 abgeschieden, auf die dann eine Maskenschicht 100 aufgebracht wird. Die Bragg-Reflektor- Schichtenfolge 16 dient dazu, das von einem elektrolumines zierenden pn-Übergang 21 (s. Fig. 2) in Richtung auf die Sub stratrückseite emittierte Licht zu reflektieren und auf die Substratvorderseite umzulenken, so daß dieser Lichtanteil ebenfalls für eine Vorderseitenemission genutzt werden kann. Die Maskenschicht 100, die beispielsweise aus SiO2 oder SiN bestehen kann, wird mittels Photolithographie- und Ätztechnik derart strukturiert, daß zylinderförmige Fensteröffnungen 200 unterschiedlicher Größe, z. B. unterschiedlichen Durchmessers, geformt werden. Die Fig. 1 zeigt somit einen Querschnitt ent lang einer Ebene, die durch die Fensteröffnungen 200 ver läuft. Die Fensteröffnungen 200 weisen demnach Fig. 1 kreis förmigen Querschnitt auf, wobei diese Wahl der Form keines wegs zwingend ist. Es können auch beispielsweise rechteckige Querschnittsformen gewählt werden.According to FIG. 1, a Bragg reflector layer sequence 16 is first deposited on a semiconductor substrate 1 , to which a mask layer 100 is then applied. The Bragg reflector layer sequence 16 is used to reflect the light emitted by an electroluminescent pn junction 21 (see FIG. 2) in the direction of the substrate back and to redirect it to the substrate front side, so that this light component also for front emission can be used. The mask layer 100 , which may consist of SiO 2 or SiN, for example, is structured by means of photolithography and etching technology in such a way that cylindrical window openings 200 of different sizes, e.g. B. different diameter. The FIG. 1 thus shows a cross section ent long a plane that passes through the window openings ver 200th The window openings 200 accordingly have a circular cross-section in FIG. 1, this choice of shape not being imperative. Rectangular cross-sectional shapes can also be selected, for example.
Die Bragg-Reflektor-Schichtenfolge 16 kann allerdings auch weggelassen werden, so daß die Maskenschicht 100 direkt auf das Substrat aufgebracht wird.The Bragg reflector layer sequence 16 can, however, also be omitted, so that the mask layer 100 is applied directly to the substrate.
In den Fensteröffnungen 200 der Maskenschicht 100 wird an schließend mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie eine Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen.A semiconductor layer sequence is then grown in the window openings 200 of the mask layer 100 by means of organometallic gas phase epitaxy.
Das Ausführungsbeispiel eines in Fig. 2 dargestellten fertig prozessierten LED-Chips 20 weist somit eine Mehrzahl von ne beneinander angeordneten Strahlungsauskoppelelementen 5 auf. Jedes der Strahlungsauskoppelelemente 5 weist die Form eines Zylinders 6 auf, dessen Längsmittelachse (AZ) parallel zu ei ner Hauptabstrahlrichtung 9 des LED-Chips 20 liegt.The exemplary embodiment of a completely processed LED chip 20 shown in FIG. 2 thus has a plurality of radiation decoupling elements 5 arranged next to one another. Each of the radiation decoupling elements 5 has the shape of a cylinder 6 , the longitudinal central axis (AZ) of which is parallel to a main emission direction 9 of the LED chip 20 .
Unter der Hauptabstrahlrichtung 9 des LED-Chips 20 ist dieje nige Richtung zu verstehen, in der ein Großteil der in dem Chip 20 erzeugten elektromagnetischen Strahlung 3 aus diesem austritt.The main emission direction 9 of the LED chip 20 is to be understood as the direction in which a large part of the electromagnetic radiation 3 generated in the chip 20 emerges from the latter.
In jedem der Zylinder 6 ist über der Bragg-Reflektor-Schicht 16 eine aktive Schichtenfolge 2 mit einer Emissionszone 4 an geordnet, der in Hauptabstrahlrichtung 9 zunächst eine Strom aperturschicht 14 mit einer Stromdurchlaßöffnung 15 und die ser wiederum eine Kontaktschicht 17 nachgeordnet ist.In each of the cylinders 6 , an active layer sequence 2 with an emission zone 4 is arranged above the Bragg reflector layer 16 , which in the main radiation direction 9 is initially a current aperture layer 14 with a current passage opening 15 and which in turn is followed by a contact layer 17 .
Die aktive Schichtenfolge 2 weist mindestens einen elektrolu mineszierenden pn-Übergang 21 auf und besteht beispielsweise aus InGaAlP. The active layer sequence 2 has at least one electroluminescent pn junction 21 and consists, for example, of InGaAlP.
Auf der von der aktiven Schichtenfolge 2 abgewandten Seite des Substrats 1 ist ganzflächig eine Kontaktmetallisierung 19 aufgebracht.A contact metallization 19 is applied to the entire surface of the side of the substrate 1 facing away from the active layer sequence 2 .
Die Stromaperturschicht 14 dient dazu, den Stromfluß durch die aktive Schichtenfolge 2 und damit durch den elektrolumi neszierenden pn-Übergang 21 auf den Bereich der gewünschten Emissionszone 4 einzugrenzen. Sie besteht beispielsweise aus AlAs und ist bis auf die Stromdurchlaßöffnung 15 oxidiert, d. h. elektrisch isolierend, jedoch für die in der Emissions zone 4 erzeugte Strahlung durchlässig.The current aperture layer 14 serves to limit the current flow through the active layer sequence 2 and thus through the electroluminescent pn junction 21 to the area of the desired emission zone 4 . It consists for example of AlAs and is oxidized to the current passage opening 15 , ie electrically insulating, but permeable to the radiation generated in the emission zone 4 .
Auf der Deckfläche 10 jedes Zylinders 6 befindet sich ein Ringkontakt 11, der im wesentlichen nur denjenigen Bereich des Zylinders 6 bedeckt, durch den aufgrund Totalreflexion an der Grenzfläche zwischen Zylinder 6 und dem umgebenden Medium nur wenig oder gar keine Strahlung ausgekoppelt werden würde. Die Ringkontakte 11 der einzelnen Zylinder 6 können unterein ander durch elektrisch leitende Stege verbunden sein.On the top surface 10 of each cylinder 6 there is an annular contact 11 which essentially covers only that area of the cylinder 6 through which little or no radiation would be coupled out due to total reflection at the interface between the cylinder 6 and the surrounding medium. The ring contacts 11 of the individual cylinders 6 can be connected to one another by electrically conductive webs.
Ein wesentliches Element der Erfindung besteht darin, daß in dem Epitaxieschritt des Aufwachsens der Halbleiterschichten folge die Komponenten der Halbleiterverbindung in Abhängig keit von der Größe der Fensteröffnung 200 mit unterschiedli chen Anteilen in das Kristallgitter eingebaut werden. Dies führt dazu, daß jeder der Zylinder 6 im Bereich des elektro lumineszierenden pn-Übergangs 21 aus verschiedenem Halblei termaterial gebildet ist, so daß die pn-Übergänge 21 unter schiedliche Bandlücken aufweisen. Im Falle der ternären Halb leiterverbindung GaAlIn oder der quarternären Halbleiterver bindung GaAlInAs wird mit zunehmender Fenstergröße mehr Ga im Verhältnis zu In in das Gitter eingebaut. Dies führt in jedem Fall zu einer Vergrößerung der Bandlücke und somit zu einer Verringerung der Emissionswellenlänge. Bei dieser Material wahl werden demnach durch die drei dargestellten Strahlungs auskoppelelemente 5 drei unterschiedliche Emissionswellenlän gen auftreten, wobei in der Darstellung der Fig. 2 die Wel lenlänge von rechts nach links zunimmt.An essential element of the invention is that in the epitaxial step of growing the semiconductor layers, the components of the semiconductor connection follow, depending on the size of the window opening 200, with different proportions in the crystal lattice. This leads to the fact that each of the cylinders 6 in the region of the electro-luminescent pn junction 21 is formed from different semiconductor material, so that the pn junctions 21 have different band gaps. In the case of the ternary semiconductor compound GaAlIn or the quaternary semiconductor compound GaAlInAs, more Ga in relation to In is built into the lattice with increasing window size. In any case, this leads to an increase in the band gap and thus to a reduction in the emission wavelength. In this material, optionally 5 are three different Emissionswellenlän occur gen therefore outcoupling by the three illustrated radiation, wherein, in the illustration of FIG. 2, the Wel lenlänge from right to left increases.
Der Einbau der verschiedenen Komponenten der Halbleiterver bindungen hängt wesentlich von dem Diffusionsverhalten auf dem Maskenmaterial ab. Wenn dieses bekannt ist, kann durch Experimente leicht herausgefunden werden, wie bei einer gege benen Halbleiterverbindung die Größe der Fensteröffnung 200 gewählt werden muß, um ein bestimmtes Zusammensetzungsver hältnis einer aktiven elektrolumineszierenden Schichtenfolge zu erzielen. Dann kann durch Zusammenstellen einer Anzahl verschiedener Fensteröffnungen auf einem Chip eine gewünschte Anzahl entsprechender Emissionswellenlängen erzielt werden.The installation of the various components of the semiconductor compounds depends essentially on the diffusion behavior on the mask material. If this is known, experiments can easily find out how, in the case of a given semiconductor connection, the size of the window opening 200 must be chosen in order to achieve a certain composition ratio of an active electroluminescent layer sequence. A desired number of corresponding emission wavelengths can then be achieved by compiling a number of different window openings on a chip.
Das in Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt einen LED-Chip 20, bei dem lediglich im unteren Bereich eine Bragg- Reflektor-Schichtenfolge 16 vorhanden ist, die allen Strah lungsauskoppelelementen 5 gemeinsam ist. Es kann jedoch auch vorgesehen sein, daß oberhalb des pn-Übergangs 21 eine weite re Bragg-Reflektor-Schichtenfolge vorgesehen ist, welche teildurchlässig ist und mit der erstgenannten Bragg-Reflek tor-Schichtenfolge 16 einen Laserresonator bildet. Auf diese Weise wird eine Vertikalresonator-Laserdiode (VCSEL) gebil det, die aus einer Mehrzahl einzelner lateral monolithisch integrierter Laserdioden aufgebaut ist.The embodiment shown in FIG. 2 shows an LED chip 20 , in which only a Bragg reflector layer sequence 16 is present in the lower region, which is common to all radiation decoupling elements 5 . However, it can also be provided that a wide re Bragg reflector layer sequence is provided above the pn junction 21 , which is partially transparent and forms a laser resonator with the first-mentioned Bragg reflector layer sequence 16 . In this way, a vertical resonator laser diode (VCSEL) is formed, which is constructed from a plurality of individual laterally monolithically integrated laser diodes.
In Fig. 3 ist schließlich noch eine praktische Ausführungs form gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt. Hierin wird ein LED-Chip in vier Quadranten aufgeteilt, die jeweils eine Mehrzahl von Strahlungsauskoppelelementen 5A-D aufwei sen, die innerhalb eines Quadranten gleichen Durchmesser und zwischen den Quadranten unterschiedlichen Durchmesser aufwei sen. Innerhalb eines Quadranten ist somit im Betrieb die Emissionswellenlänge konstant, während sie von Quadrant zu Quadrant variiert. Die Strahlungsauskoppelelemente 5 jedes Quadranten sind elektrisch untereinander mit Hilfe der be reits beschriebenen Ringkontakte 11 verbunden, die auf der Deckfläche 10 eines jeden Zylinders 6 aufgebracht sind.In Fig. 3, finally, a practical embodiment is shown according to the present invention. Here, an LED chip is divided into four quadrants, each having a plurality of radiation coupling elements 5A-D, which have the same diameter within a quadrant and different diameters between the quadrants. Within a quadrant, the emission wavelength is therefore constant during operation, while it varies from quadrant to quadrant. The radiation decoupling elements 5 of each quadrant are electrically connected to one another with the help of the ring contacts 11 already described, which are applied to the top surface 10 of each cylinder 6 .
Wie dargestellt, enthält der Quadrant D die Zylinder 6 mit dem größten Querschnitt, während der Quadrant A die Zylinder 6 mit dem kleinsten Querschnitt enthält. Falls wiederum sol che Halbleitermaterialien verwendet werden, bei deren epitak tischem Aufwachsen die Emissionswellenlänge des jeweiligen pn-Übergangs mit zunehmender Größe der Fensteröffnung 200 und somit des Zylinders 6 abnimmt, so stellt sich im Betrieb die kürzeste Emissionswellenlänge im Quadranten D und die längste Emissionswellenlänge im Quadranten A ein. As shown, quadrant D contains cylinders 6 with the largest cross section, while quadrant A contains cylinders 6 with smallest cross section. If, in turn, such semiconductor materials are used whose epitaxial growth reduces the emission wavelength of the respective pn junction with increasing size of the window opening 200 and thus of the cylinder 6 , then the shortest emission wavelength in the quadrant D and the longest emission wavelength in the quadrant arise during operation A a.
11
Halbleitersubstrat
Semiconductor substrate
22nd
aktive Schichtenfolge
active layer sequence
33rd
elektromagnetische Strahlung
electromagnetic radiation
44th
Emissionszone
Emission zone
55
Strahlungsauskoppelelement
5A-D Quadranten
Radiation decoupling element
5A-D quadrants
66
Zylinder
cylinder
99
Hauptabstrahlrichtung
Main emission direction
1010th
Deckfläche
Top surface
1111
Ringkontakt
Ring contact
1414
Stromaperturschicht
Current aperture layer
1515
Stromdurchlaßöffnung
Current passage opening
1616
Bragg-Reflektor-Schichtenfolge
Bragg reflector layer sequence
1717th
Kontaktschicht
Contact layer
1919th
Kontaktmetallisierung
contact metallization
2020th
LED-Chip
LED chip
2121
pn-Übergang
pn transition
100100
Maskenschicht
Mask layer
200200
Fensteröffnung
Window opening
Claims (8)
- a) auf einem Halbleitersubstrat (1) eine Maskenschicht (100) aufgebracht wird,
- b) in die Maskenschicht (100) eine Anzahl Fensteröffnungen (200) unterschiedlicher Größe geformt wird,
- c) die Maskenschicht (100) und die Fensteröffnungen (200) durch metallorganische Gasphasenepitaxie derart mit metall organischen Verbindungen beaufschlagt werden, daß in den Fen steröffnungen (200) jeweils eine aktive Halbleiterschichten folge (2) aus ternärem oder quarternärem Material enthaltend einen pn-Übergang (21) aufgewachsen wird, wobei die Halblei terschichtenfolgen (2) in den Fensteröffnungen (200) mit un terschiedlichen Zusammensetzungen des ternären oder quarter nären Materials gebildet werden.
- a) a mask layer ( 100 ) is applied to a semiconductor substrate ( 1 ),
- b) a number of window openings ( 200 ) of different sizes are formed in the mask layer ( 100 ),
- c) the mask layer ( 100 ) and the window openings ( 200 ) are acted upon by organometallic gas phase epitaxy in such a way that organometallic compounds are used in the window openings ( 200 ) in each case with an active semiconductor layer ( 2 ) made of ternary or quaternary material containing a pn junction ( 21 ) is grown, the semiconductor layer sequences ( 2 ) being formed in the window openings ( 200 ) with different compositions of the ternary or quarterly material.
- - das Material des Halbleitersubstrats (1) InP ist und das Material der Halbleiterschichtenfolgen GaInAs oder GaInAsP ist.
- - The material of the semiconductor substrate ( 1 ) is InP and the material of the semiconductor layer sequences is GaInAs or GaInAsP.
- - das Material des Halbleitersubstrats (1) ZnO, Si (alle Orientierungen), Saphir (AlC-Fläche), SiC, GaN, AlN, AlxGa1-xN, GaxIn1-xN ist und
- - das Material der Halbleiterschichtenfolgen GaN, InN, AlN und alle Mischverbindungen daraus, sowie GaAsN, InAsN, AlAsN, GaPN, InPN, AlPN und alle Mischverbindungen daraus ist.
- - The material of the semiconductor substrate ( 1 ) is ZnO, Si (all orientations), sapphire (AlC surface), SiC, GaN, AlN, Al x Ga 1-x N, Ga x In 1-x N and
- - The material of the semiconductor layers is GaN, InN, AlN and all mixed compounds thereof, as well as GaAsN, InAsN, AlAsN, GaPN, InPN, AlPN and all mixed compounds thereof.
- - im Verfahrensschritt a) auf das Halbleitersubstrat (1) zu nächst eine Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (16) aufgebracht wird, bestehend aus einer Anzahl von Reflektorschichtenpaa ren von Schichten mit unterschiedlichem Brechungsindex, aufgebracht wird, und
- - auf der Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (16) die Masken schicht (100) aufgebracht wird.
- - In method step a) on the semiconductor substrate ( 1 ) next to a Bragg reflector layer sequence ( 16 ) is applied, consisting of a number of reflector layers pairs of layers with different refractive index, is applied, and
- - The mask layer ( 100 ) is applied to the Bragg reflector layer sequence ( 16 ).
- - die Fensteröffnungen (200) zylindrische Form aufweisen.
- - The window openings ( 200 ) have a cylindrical shape.
- - die im Verfahrensschritt a) aufgebrachte Maskenschicht (100) eine Mehrzahl aneinander angrenzender Bereiche (A-D) aufweist, deren Fensteröffnungen (200) untereinander gleich groß, jedoch von Bereich zu Bereich verschieden sind.
- - The mask layer ( 100 ) applied in method step a) has a plurality of adjoining areas (AD), the window openings ( 200 ) of which are the same size but differ from area to area.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10122134A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-12-05 | Sick Ag | Optical sensor has region of LED chip facing lens with central light region and surrounding contact field connected by bonded wire to conducting track of circuit board |
| DE102011015726A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip, display with a plurality of semiconductor chips and method for their production |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4429772C2 (en) * | 1993-08-20 | 1996-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing an integrated modulator semiconductor laser device |
| US5583351A (en) * | 1993-04-22 | 1996-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Color display/detector |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0606093B1 (en) * | 1993-01-07 | 1997-12-17 | Nec Corporation | Semiconductor optical integrated circuits and method for fabricating the same |
| EP0786149B1 (en) * | 1994-10-11 | 2000-07-26 | International Business Machines Corporation | Monolithic array of light emitting diodes for the generation of light at multiple wavelengths and its use for multicolor display applications |
| US5795798A (en) * | 1996-11-27 | 1998-08-18 | The Regents Of The University Of California | Method of making full color monolithic gan based leds |
| US5848086A (en) * | 1996-12-09 | 1998-12-08 | Motorola, Inc. | Electrically confined VCSEL |
-
1999
- 1999-09-10 DE DE1999143405 patent/DE19943405B4/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-01 WO PCT/DE2000/003001 patent/WO2001020689A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583351A (en) * | 1993-04-22 | 1996-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Color display/detector |
| DE4429772C2 (en) * | 1993-08-20 | 1996-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing an integrated modulator semiconductor laser device |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| NL-Z.: KORGEL, B. und HICKS, R.F.: "A diffusion model for selective-area epitaxy by metalorganic chemical vapor deposition", Journal of Crystal Growth 151 (1995) S. 204-212 * |
| US-Z.: COLEMAN, J.J.: "Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Optoelectronic Devices", Proceedings of the IEEE, Vol. 85, No. 11, 1997, S. 1715-1729 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10122134A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-12-05 | Sick Ag | Optical sensor has region of LED chip facing lens with central light region and surrounding contact field connected by bonded wire to conducting track of circuit board |
| DE102011015726A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip, display with a plurality of semiconductor chips and method for their production |
| US9112089B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-08-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip, display comprising a plurality of semiconductor chips and methods for the production thereof |
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