DE19932960C2 - Method for producing a chip card module, positioning device for carrying out such a method and positioning method - Google Patents

Method for producing a chip card module, positioning device for carrying out such a method and positioning method

Info

Publication number
DE19932960C2
DE19932960C2 DE19932960A DE19932960A DE19932960C2 DE 19932960 C2 DE19932960 C2 DE 19932960C2 DE 19932960 A DE19932960 A DE 19932960A DE 19932960 A DE19932960 A DE 19932960A DE 19932960 C2 DE19932960 C2 DE 19932960C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
leadframe
wafer
adhesive
holding surface
metallization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19932960A
Other languages
German (de)
Other versions
DE19932960A1 (en
Inventor
Robert Wilm
Wolfgang Reinert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PAV Card GmbH
Original Assignee
PAV Card GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PAV Card GmbH filed Critical PAV Card GmbH
Priority to DE19932960A priority Critical patent/DE19932960C2/en
Publication of DE19932960A1 publication Critical patent/DE19932960A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE19932960C2 publication Critical patent/DE19932960C2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07743External electrical contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Chipkartenmoduls mit einem Halbleiter-Bauelement, welches mit einer in der Karte angeordneten induktiven Signalübertragungs­ einrichtung in Form einer Antennenspule kontaktierbar ist gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie eine Positioniervor­ richtung zur Durchführung eines derartigen Verfahrens und ein Positionierverfahren unter Anwendung der Positioniervorrich­ tung.The invention relates to a method for producing a Chip card module with a semiconductor component, which with an inductive signal transmission arranged in the card device in the form of an antenna coil can be contacted according to Preamble of claim 1 and a positioning direction for performing such a method and a Positioning procedure using the positioning device tung.

Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, bei der Herstellung einer Chipkarte, insbesondere solcher, die Mittel zum kontakt­ losen Übertragen von Daten aufweisen, in einen Kartenkörper ein Modul einzubringen, welches einen Halbleiterchip umfaßt.It is known from the prior art during production a chip card, especially one that has means of contact have loose data transfer into a card body Insert module, which comprises a semiconductor chip.

Dieses separate Modul mit Halbleiterchip wird vorzugsweise in eine Kavität oder Ausnehmung im Kartenkörper eingelegt und mittels Fügen oder dergleichen Verfahren mit dem Kartenkörper unter Erhalt einer entsprechenden mechanischen und elektrischen Verbindung laminiert. Beispielsweise kann eine elektrische Verbindung zwischen Modul und Kartenkörper bzw. auf dem Kartenkörper befindlichen Kontakten, die mit einer Spule zur Herstellung einer kontaktlosen Verbindung zur Umgebung hin in Kontakt stehen, dadurch zustande kommen, daß ein anisotrop leitender Klebstoff im Bereich der Anschlußstellen und/oder der Verbindungsstellen des jeweiligen Mittels für eine kontaktlose Datenübertragung aufgetragen und der Klebstoff zumindest im Bereich der Anschlußstellen so weit verdichtet oder komprimiert wird, daß eine elektrisch leitende Brücke entsteht.This separate module with semiconductor chip is preferably in a cavity or recess is inserted in the card body and by means of joining or the like with the card body while receiving an appropriate mechanical and electrical Laminated connection. For example, an electrical Connection between module and card body or on the Contacts located on the card body with a coil Establishing a contactless connection to the environment in Stand in contact because anisotropic conductive adhesive in the area of the connection points and / or the  Connection points of the respective agent for a contactless Data transfer applied and the adhesive at least in Area of the connection points compressed or compressed as far is that an electrically conductive bridge is created.

Die bei der Herstellung von Chipkarten verwendeten Module greifen in der Regel auf einen Kunststoffträger zurück, auf dem der eingangs erwähnte Halbleiterchip mit Kontaktflächen versehen angeordnet ist. Das so vorgefertigte ISO-Modul wird mit dem Kartenträger, der z. B. aus Polykarbonat bestehen kann, verbunden. Dieses Verbinden bzw. das Einsetzen des komplexen Moduls in den Kartenkörper in eine, z. B. gefräste Ausnehmung erfolgt üblicherweise unter Rückgriff auf die genannten Klebe­ verfahren bei Verwendung eines Heiß- oder Schmelzklebers.The modules used in the production of chip cards usually fall back on a plastic carrier on which the aforementioned semiconductor chip with contact areas is provided. The prefabricated ISO module is with the card carrier z. B. can consist of polycarbonate, connected. This connection or the onset of the complex Module in the card body in one, for. B. milled recess usually takes place using the aforementioned adhesive procedure when using a hot or hot melt adhesive.

Die Chips werden nach dem Vereinzeln auf dem Modul chipkontak­ tiert, wobei das Modul die genannten Kontaktflächen zum Her­ stellen äußerer elektrischer Verbindungen aufweist. Über ein Drahtbondverfahren werden die Kontaktflächen der Chips mit den Modul-Kontaktflächen verbunden. Anschließend ist es zur Ver­ meidung von Beschädigungen des Moduls vorgesehen, dieses mit einer Verkapselung abzuschließen.The chips are chip-contacted after separation on the module tiert, wherein the module said contact surfaces to the Her make external electrical connections. About one Wire bonding processes are the contact areas of the chips with the Module contact surfaces connected. Then it is available Avoid damage to the module provided with to complete an encapsulation.

Die sequentiellen Verfahrensschritte zur Herstellung des Moduls mit Halbleiterchip sind jedoch sehr Zeit- und kostenintensiv, wobei durch den sandwichartigen Aufbau der so gestalteten Baugruppe bestimmte Abmessungen sowohl in lateraler Hinsicht als auch bezüglich der minimalen Dicke nicht unterschritten werden können.The sequential process steps for manufacturing the module with a semiconductor chip, however, are very time and cost intensive, with the sandwich-like structure of the so designed Assembly certain dimensions both laterally as well as the minimum thickness can be.

Weil jedoch die Chipkarte bzw. der Kartenträger oder Karten­ körper möglichst dünn auszubilden ist, gleichzeitig aber über eine ausreichende Stabilität hinsichtlich von Biege- und anderen Belastungszyklen verfügen soll, ergeben sich hier wesentliche Probleme bei der gewünschten Fortentwicklung des Standes der Technik. However, because the chip card or the card carrier or cards body as thin as possible, but at the same time over sufficient stability with regard to bending and other stress cycles should result here essential problems in the desired further development of the State of the art.  

Aus der DE 44 16 697 A1 ist ein Datenträger, umfassend einen Kartenkörper, einen integrierten Schaltkreis, der elektrisch leitend über Kontaktelemente mit wenigstens einer Spule ver­ bunden ist, die der Energieversorgung und dem Datenaustausch des integrierten Schaltkreises mit externen Geräten dient, bekannt.DE 44 16 697 A1 discloses a data carrier comprising one Card body, an integrated circuit that is electrical conductive via contact elements with at least one coil is bound, the energy supply and data exchange of the Integrated circuit with external devices is known.

Gemäß dortiger Lösung bilden der integrierte Schaltkreis und die Kontaktelemente ein an sich bekanntes separates Modul, wobei die Spule auf einem aus einer oder mehreren Schichten aufgebauten Kartenkörper angeordnet ist. Die dort eingesetzten integrierten Halbleiter-Bauelemente sind vor der Montage in den Kartenkörper vereinzelbare, je einen Leadframe auf der aktiven Seite aufwei­ sende Baugruppen. Der Leadframe besitzt großflächige äußere Kon­ takte zum Anschluß der drahtverlegten oder einlaminierten ge­ stanzten Antennenspule.According to the solution there, the integrated circuit and the Contact elements a separate module known per se, the Coil on a one or more layers Card body is arranged. The integrated ones used there Semiconductor components are in the card body before assembly separable, each have a lead frame on the active page send modules. The leadframe has large outer cones clocks for connecting the wired or laminated ge punched antenna coil.

Ein Trägerelement zum Einbauen einer Chipkarte mit einem auf einem Leadframe-Leiterträger angeordneten und mit dessen Kon­ taktfahnen elektrisch verbundenen Halbleiterchip zeigt die DE 44 31 754 C1.A carrier element for installing a chip card with a a leadframe conductor carrier arranged and with its Kon clock flags electrically connected semiconductor chip shows the DE 44 31 754 C1.

Aus der US 5,598,032 ist eine sogenannte Hybridchipkarte be­ kannt, welche sowohl für die kontaktbehaftete als auch die kon­ taktlose Datenübertragung geeignet ist. In einer Ausnehmung des Kartenkörpers wird dort ein Chipmodul eingesetzt, wobei zur Effektivierung des Anschlusses einer Antennenspule zur draht­ losen Datenübertragung die Flächen der Kontakte eine möglichst maximale Größe aufweisen.A so-called hybrid chip card is known from US Pat. No. 5,598,032 knows which for both the contact and the con tactless data transmission is suitable. In a recess of the Card body, a chip module is used there, with the Effectiveness of the connection of an antenna coil to the wire the data of the contacts one loose if possible have maximum size.

Gemäß IMB Technical Disclosure Bulletin, Vol. 22, Nr. 6, Novem­ ber 1979, Seiten 2336, 2337, ist es bekannt, einen Halbleiter­ chip rückseitig abzudünnen, um diesen in Chipkarten einzusetzen, welche wiederum selbst eine geringe Dicke und eine Kavität klei­ ner Tiefe aufweisen.According to IMB Technical Disclosure Bulletin, Vol. 22, No. 6, November 1979 , pages 2336, 2337, it is known to thin the back of a semiconductor chip in order to use it in chip cards, which in turn are small in thickness and have a cavity Have depth.

Die nicht vorveröffentlichte DE 197 16 342 A1 beschreibt ein spezielles Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte, wobei im Scheibenverband vorliegende, Bondpads umfassende, rückseitig abgedünnte Transponder-Halbleiter-Bau­ elemente mit einer schweiß- und/oder lötfähigen Metallisierung oder Kontaktbumps im Bereich der Bondpads versehen werden. Anschließend erfolgt gemäß dortigem Verfahren mit Ausnahme der Kontaktbereiche eine Passivierung der Transponder-Halbleiter- Bauelemente. Auf den Scheibenverband wird dann ein Leadframe­ verbund in Wafergröße paßgenau je auf die aktive, kontaktbe­ haftete Seite der Halbleiter-Bauelemente angeordnet und mit den Kontaktbereichen elektrisch verbunden. Der Leadframeverbund weist jeweils Einzelleadframes mit je mindestens zwei groß­ flächigen Antennenkontakten auf. Nach Herstellung der Kon­ taktverbindung wird die so erhaltene Baugruppe einem Vereinzeln in Leadframe-Chips unterzogen und diese Einzelchips werden dann in entsprechende Ausnehmungen im Kartenkörper oder Kartenträger eingebracht und es wird die erforderliche Verbindung zwischen den Leadframe-Antennenkontakten mit den Kontakten der Anten­ nenspule, die im Kartenkörper eingebettet ist, vorgenommen.The unpublished DE 197 16 342 A1 describes a special process for producing a  Chip card, bond pads being present in the disc assembly Comprehensive, thinned back transponder semiconductor construction elements with a weldable and / or solderable metallization or contact bumps in the area of the bond pads. This is followed by the procedure there, with the exception of Contact areas a passivation of the transponder semiconductor Components. A lead frame is then placed on the window dressing Compound in wafer size fits exactly to the active contact adhered side of the semiconductor devices arranged and with the Contact areas electrically connected. The leadframe network shows single leadframes with a size of at least two each flat antenna contacts. After the con The assembly obtained in this way is a single connection undergo in leadframe chips and these single chips are then in corresponding recesses in the card body or card carrier introduced and the required connection between the leadframe antenna contacts with the contacts of the antenna nenspule, which is embedded in the card body made.

Es hat sich jedoch gezeigt, daß bei einer solchen Lösung die hergestellten elektrischen Verbindungen zwischen Leadframe und Kontaktbumps mittels Mikroschweißen außerordentlich zeitauf­ wendig sind, wodurch sich technologieseitig Engpässe ein­ stellen. Darüber hinaus ist der Aufwand für das Vereinzeln der Chips aufgrund des Durchtrennens der Leadframes entlang der Trennflächen zwischen den Chips auf dem Substrat groß und es besteht die Gefahr, daß durch die Arbeiten mittels Mikro- oder Diamantsäge Mikrorisse im Wafer bzw. Substrat entstehen mit der Folge einer reduzierten Ausbeute bzw. verschlechterter Lang­ zeitstabilität der so gefertigten Module.However, it has been shown that with such a solution the made electrical connections between leadframe and Contact bumps using micro-welding are extremely time-consuming are agile, resulting in bottlenecks in technology put. In addition, the effort for separating the Chips due to cutting the leadframes along the Partitions between the chips on the substrate large and it there is a risk that working with micro or Diamond saw Micro cracks in the wafer or substrate are created with the As a result of a reduced yield or worsened Lang time stability of the modules manufactured in this way.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstel­ lung eines Chipkartenmoduls mit einem Halbleiter-Bauelement anzugeben, welches mit einer in der Karte angeordneten induk­ tiven Signalübertragungseinrichtung in Form einer Antennenspule kontaktierbar ist, wobei das Verfahren in besonders effektiver, den technologischen Zyklen angepaßter Weise realisierbar sein soll. It is therefore an object of the invention to produce a method development of a chip card module with a semiconductor component to indicate which one with an induc tive signal transmission device in the form of an antenna coil can be contacted, the method being particularly effective, be feasible according to the technological cycles should.  

Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, eine Positioniervor­ richtung zur Durchführung des Verfahrens und ein Positionier­ verfahren anzugeben, mit dessen Hilfe besonders dünne blatt­ ähnliche Leadframes im Waferformat bezogen auf den die aktiven Bauelemente tragenden Wafer bewegt und fixiert werden können.Furthermore, it is an object of the invention to provide a positioning direction for performing the method and a positioning to specify the method by means of which particularly thin sheets Similar lead frames in wafer format related to the active ones Components carrying wafers can be moved and fixed.

Die Lösung der Aufgabe der Erfindung erfolgt verfahrensseitig mit einer Lösung gemäß der Lehre nach Patentanspruch 1, bezüg­ lich der Positioniervorrichtung mit einem Gegenstand nach den Merkmalen des Patentanspruchs 6 und mit Blick auf das Positio­ nierverfahren mit einer Lehre, wie sie im Anspruch 7 definiert ist.The object of the invention is achieved on the process side with a solution according to the teaching of claim 1, bezüg Lich the positioning device with an object according to the Features of claim 6 and with a view to the position kidney method with a teaching as defined in claim 7 is.

Die Unteransprüche umfassen mindestens zweckmäßige Ausgestal­ tungen und Weiterbildungen der Erfindung.The subclaims include at least appropriate configuration lines and developments of the invention.

Der verfahrensseitige Grundgedanke zur Herstellung eines Chip­ kartenmoduls besteht darin, daß in an sich bekannter Weise von im Scheibenverband vorliegenden, Bondpads umfassenden, auch rückseitig abgedünnten, Halbleiter-Bauelementen ausgegangen wird, welche mit einer schweiß- und/oder lötfähigen Metalli­ sierung oder Kontaktbumps im Bereich von Bondpads versehen sind. Weiterhin wird ein Leadframeverbund in Wafergröße bereitgestellt und dieser paßgenau je auf der aktiven, kontaktbehafteten Seite der Halbleiter-Bauelemente angeordnet und mit der Metallisierung oder den Kontaktbumps elektrisch verbunden. Erfindungsgemäß wird die Metallisierung oder werden die Kontaktbumps durch Aufbringen eines isotrop leitfähigen Klebstoffes mittels einer Schablone im Scheibenformat quasi simultan ausgebildet. Der Leadframeverbund weist spezielle Ankontaktierungs-Aussparungen und eine Rück­ seiten-Klebebeschichtung auf, wobei der Leadframeverbund so zum Wafer positioniert wird, daß die Metallisierung oder die Kon­ taktbumps des Wafers freiliegen. Ein Klebstoffdruck auf den Wa­ fer ist ebenfalls denkbar.The basic process concept for the production of a chip card module is that in a manner known per se from present in the disc association, including bond pads, too thinned back semiconductor semiconductor components is, which with a weldable and / or solderable Metalli tion or contact bumps in the area of bond pads are provided. Furthermore, a leadframe composite in wafer size is provided and this fits exactly on the active, contact-side the semiconductor devices arranged and with the metallization or electrically connected to the contact bumps. According to the invention the metallization or the contact bumps by applying an isotropically conductive adhesive using a template in the Slice format practically simultaneously. The leadframe network has special contacting cutouts and a back side adhesive coating, whereby the leadframe composite to Wafer is positioned that the metallization or the Kon exposed bumps of the wafer. An adhesive print on the wa fer is also conceivable.

Nach erfolgter Positionierung des Leadframes bezüglich der An­ kontaktierungs-Aussparungen, d. h. bezogen auf den Scheiben­ verband, wird ein Aushärten des Klebstoffs der Rückseitenbeschichtung zur Lagefixierung zwischen Wafer und Leadframe vorgenommen.After the leadframe has been positioned with respect to the An contacting recesses, d. H. based on the disks bonded, a curing of the adhesive of the back coating  to fix the position between the wafer and the leadframe performed.

Im Anschluß an dieses. Fixieren wird im Bereich der Ankontak­ tierungs-Aussparungen ein Kontaktierungswerkstoff aufgebracht, welcher in einem nachfolgenden thermischen Prozeß zu einer simultan entstehenden elektrischen Kontaktierung zwischen Halbleiter-Bauelement und Leadframe führt. In einer bevorzugten Alternative werden über einen thermischen Prozeßschritt die bereits vorhandenen Lotpasten-Kontaktbumps quasi gleichzeitig aufgeschmolzen und es wird über Kapillar- und Adhäsionskräfte die elektrische Verbindung zwischen den Kontaktbumps und der entsprechenden Kontaktfläche der Leadframes mit dem Erstarren der Lotpaste erreicht.Following this. It is fixed in the area of contact a contacting material, which in a subsequent thermal process becomes a Simultaneously occurring electrical contact between Semiconductor device and leadframe leads. In a preferred one The alternatives are the thermal process step existing solder paste contact bumps almost simultaneously melted and it becomes over capillary and adhesive forces the electrical connection between the contact bumps and the corresponding contact area of the leadframes with the solidification reached the solder paste.

Im Anschluß erfolgt das Vereinzeln der Chipkartenmodule entlang von Solltrennlinien, wodurch sich gleichzeitig die erforder­ liche Isolation der großflächigen Antennenkontakte des Lead­ frames einstellt.The chip card modules are then separated along of target dividing lines, which also means that the required isolation of the lead's large-area antenna contacts frames.

In einer Ausgestaltung der Erfindung wird vor dem Aufbringen der Lot-Bumps in dem entsprechenden Bereich eine Zwischen­ metallisierung vorgenommen.In one embodiment of the invention, before application the solder bumps in the corresponding area an intermediate metallization made.

Bevorzugt wird ein Invar-Leadframe mit galvanisch abgeschiede­ ner Silberbeschichtung verwendet.An Invar leadframe with galvanic deposition is preferred ner silver coating used.

Zum Drucken der Lotbumps auf dem Wafer wird eine spezielle Laserschablone eingesetzt, wobei die Kontaktfenster eine beispielsweise quadratische Form besitzen. Der Durchmesser der mittels Siebdruck aufgebrachten Lotpasten-Bumps liegt bei etwa 195 µm.A special one is used to print the solder bumps on the wafer Laser template used, the contact window a for example, have a square shape. The diameter of the solder paste bumps applied by screen printing is about 195 µm.

Die Metallisierung bzw. die Lot-Bumps werden im gegenüber­ liegenden Eckenbereich der Chips des Scheibenverbands ausge­ bildet und der Wafer-Leadframe umfaßt jeweils entsprechende Ankontaktierungs-Aussparungen pro Chip. Mit Ausnahme von stabilisierenden Verbindungsstegen ist der Leadframe entlang der Chiptrennlinien mit weiteren Trennaussparungen versehen, so daß ein leichteres Vereinzeln möglich ist.The metallization or the solder bumps are compared lying corner area of the chips of the disc association forms and the wafer leadframe comprises corresponding ones Contacting cutouts per chip. With the ecxeption of Stabilizing bridges are along the leadframe  of the chip dividing lines with further separating recesses, so that easier separation is possible.

Selbstverständlich besteht die Möglichkeit, die Klebebeschich­ tung zum Fixieren des Leadframes im Scheibenverband auch punktuell auf die Oberfläche des Wafers aufzubringen oder eine Folie aufzulegen, welche an den Stellen der Lot-Bumps von diesen dann durchstoßen wird, wenn der Leadframe nach Positio­ nierung angedrückt wird.Of course there is the possibility of the adhesive coating also to fix the leadframe in the pane to selectively apply to the surface of the wafer or one Place the film on the solder bumps this is then pierced when the lead frame according to position nation is pressed.

Der besondere Vorteil des beschriebenen Verfahrens liegt darin, daß die Halbleiter-Bauelemente simultan zu den Kontaktflächen der Leadframes mikroverbunden werden können, wodurch Ferti­ gungszeit eingespart werden kann. Durch die längsseitig bezogen auf den vereinzelten Chip im Leadframe vorhandenen, entlang der Chiptrennlinien verlaufenden Aussparungen ist das Vereinzeln in kürzerer Zeit und mit geringerer mechanischer Energie möglich, was wiederum den Einsatz hochdünner Substrate möglich macht.The particular advantage of the method described is that that the semiconductor devices simultaneously to the contact areas of the leadframes can be micro-connected, making Ferti time can be saved. Covered by the long side on the isolated chip in the leadframe, along the Cutouts running in chip separating lines is the singling in shorter time and with less mechanical energy possible, which in turn makes the use of ultra-thin substrates possible.

Das vereinzelte Chipkartenmodul ist durch den Leadframe mit großflächigen Kontakten, die nahezu mit Ausnahme eines isolie­ renden Abschnitts den gesamten aktiven Bereich abdecken, bereits geschützt, wodurch der Leadframe Gehäusefunktion erfüllt.The isolated chip card module is included with the lead frame large contacts, almost with the exception of an isolie covering the entire active area, already protected, which makes the leadframe housing function Fulfills.

Die erfindungsgemäße Positioniervorrichtung zur Durchführung des oben beschriebenen Verfahrens geht von einem druckbeauf­ schlagbaren Membranstempel aus, wobei der Membranstempel auf seiner flexiblen Haltefläche mit einem Adhäsivstoff beschichtet ist. Die flexible Haltefläche ist von einem im wesentlichen starren Netz überspannt.The positioning device according to the invention for implementation The method described above is based on a print job beatable membrane stamp, with the membrane stamp on its flexible holding surface coated with an adhesive is. The flexible holding surface is essentially one rigid network spanned.

Die Haltefläche kann den Leadframe, welcher eine dünne blattähnliche Struktur besitzt, aufnehmen und diesen bewegen. Durch leichtes Erhöhen des Drucks verformt sich die flexible Stempelmembran durch das im wesentlichen starre Netz hindurch und berührt den Leadframe. Mittels der Adhäsivbeschichtung gelingt es nun, den Leadframe zu halten und diesen mit Hilfe einer mechanischen Transporteinrichtung zu bewegen. Diese Bewegung erfolgt hin zum Wafer, wobei anhand von Positioniermarken bevorzugt auf optischem Wege eine Ausrichtung in den drei Achsen eines kartesischen Koordinatensystems bzw. Winkelausrichtung vorgenommen wird. Der Leadframe wird dann mit Hilfe des Membranstempels, dessen Innendruck erhöht wird und dessen Haltefläche sich hierbei aufwölbt, auf die Oberfläche des Wafers gedrückt. Eine entsprechende Klebebeschichtung ermöglicht dann durch die Naßklebkraft des Klebers das Fixieren des Leadframes auf dem Wafer. Durch Verringern des Drucks im Membranstempel zieht sich die klebstoffbeschichtete Folie in die Öffnungen des starren Maschennetzes zurück, wodurch der Leadframe freigegeben wird.The holding surface can be the leadframe, which is a thin has a leaf-like structure, pick it up and move it. The flexible deforms by slightly increasing the pressure Stamp membrane through the essentially rigid network and touches the lead frame. By means of the adhesive coating it is now possible to hold the lead frame and this with the help  to move a mechanical transport device. This Movement takes place towards the wafer, whereby on the basis of Positioning marks prefer an optical alignment in the three axes of a Cartesian coordinate system or Angular alignment is made. The lead frame is then included Using the membrane stamp, the internal pressure of which is increased and whose holding surface bulges out onto the surface of the wafer. An appropriate adhesive coating then allows fixation by the wet adhesive strength of the adhesive of the leadframe on the wafer. By reducing the pressure in the Membrane stamp pulls in the adhesive-coated film the openings of the rigid mesh back, whereby the Leadframe is released.

Es versteht sich, daß mit Hilfe der Positioniervorrichtung nicht nur Druck auf den Leadframe hin zum Wafer zum besseren Klebefixieren ausgeübt werden kann, sondern daß durch abwechselndes Aufwölben und Zurückziehen der Membran bzw. der Haltefläche ein Aufnehmen und Freigeben und damit Positionieren des Leadframes in leichter Weise möglich wird.It is understood that with the help of the positioning device not just pressure on the leadframe towards the wafer for the better Adhesive fixation can be exercised, but that by alternately bulging and pulling back the membrane or Holding surface to pick up and release and thus positioning of the leadframe is easily possible.

Demnach wird beim Positionierverfahren ein strukturiertes, blattähnliches, sehr dünnes, flächiges Material in Form des Leadframes von der Haltefläche des Membranstempels aufgenommen und dieses zu einem flächigen Substrat, nämlich dem Wafer bewegt. Nach entsprechender Positionierung wird mit Erreichen der Endposition durch Druckerhöhung im Membranstempel die Haltefläche nach außen gewölbt und hierdurch eine Kraft durch das Netz hindurch auf den Leadframe und den Wafer ausgeübt, so daß sich eine innige Verbindung zwischen Leadframe und Wafer ergibt. Nach mindestens teilweisem Aushärten des Klebemittels wird eine Membran-Druckverringerung vorgenommen, wodurch sich die flexible Haltefläche nach innen wölbt, d. h. zurückbewegt.Accordingly, a structured, sheet-like, very thin, flat material in the form of the Lead frames taken from the holding surface of the membrane stamp and this into a flat substrate, namely the wafer emotional. After appropriate positioning is reached with the end position by increasing the pressure in the membrane stamp Holding surface arched outwards and thereby a force exerted on the leadframe and the wafer through the net, so that there is an intimate connection between leadframe and wafer results. After at least partial curing of the adhesive a membrane pressure reduction is carried out, whereby the flexible holding surface bulges inwards, d. H. moved back.

Die Erfindung soll nachstehend anhand eines Ausführungsbei­ spiels sowie unter Zuhilfenahme von Figuren näher erläutert werden. The invention is illustrated below with the aid of an embodiment game and explained with the help of figures become.  

Hierbei zeigen:Here show:

Fig. 1a einen Ausschnitt einer Laserschablone für den Lotpastendruck, Fig. 1a a section of a laser mask for solder printing,

Fig. 1b ausgebildete Lot-Bumps nach Druck derselben, FIG. 1b formed solder bumps by printing thereof,

Fig. 1c einen 6"-Wafer mit gedruckten Lot-Bumps, Fig. 1c shows a 6 "wafer with printed solder bumps,

Fig. 2a einen Invar-Leadframe mit galvanischer Silber­ beschichtung positioniert auf einem Wafer, Fig. 2a shows a Invar leadframe with galvanic silver coating positioned on a wafer,

Fig. 2b eine Detaildarstellung eines auf einen Wafer positio­ nierten Leadframes mit erkennbaren Ankontaktierungs- Aussparungen und Lot-Bumps sowie Fig. 2b shows a detailed view of a leadframe positioned on a wafer with recognizable contacting cutouts and solder bumps as well

Fig. 3 eine Prinzip-Schnittdarstellung der Positioniervor­ richtung auf der Basis eines flexiblen Membran­ stempels. Fig. 3 is a schematic sectional view of the Positioniervor direction on the basis of a flexible membrane stamp.

Der Prozeßablauf für ein Wafer-Level-Packaging gemäß Ausfüh­ rungsbeispiel geht zunächst von einem zu erstellenden Design für die Kontaktstruktur des Leadframes aus. Im Anschluß erfolgt soweit notwendig eine Oberflächenmetallisierung der Vorderseite und eine Klebstoffbeschichtung auf der Rückseite des Leadframes und es wird eine optische Inspektion vorgenommen.The process flow for a wafer level packaging according to Ausfüh Example starts with a design to be created for the contact structure of the leadframe. This is followed by if necessary, a surface metallization of the front and an adhesive coating on the back of the lead frame and an optical inspection is made.

Die 5 bis 8"-Wafer, enthaltend Zyklus-1-Halbleiter-Bauelemente, werden einem Wafermapping unterzogen und es wird bei einer Ausführungsform vor Ausbildung der Lot-Bumps durch Siebdruck mit Hilfe z. B. einer Siebdruckmaske eine Underbumpmetallisierung vorgenommen. Im Anschluß an diese Schritte wird ebenfalls eine optische und/oder elektronische Inspektion der Wafer vorgenommen.The 5 to 8 "wafers containing cycle 1 semiconductor devices, are subjected to a wafer mapping and a Embodiment before forming the solder bumps by screen printing with the help of e.g. B. a screen printing mask Underbump metallization made. Following this Steps will also be optical and / or electronic Inspection of the wafers made.

Der vorgefertigte Leadframe in Waferabmessungen wird dann exakt positioniert auf den Wafer aufgesetzt und es erfolgt ein Verkleben und thermisches Aushärten des Verbundes. Anschließend wird die Ankontaktierung zwischen den Lot-Bumps einerseits und den späteren Antennenkontaktflächen der Leadframes initiiert, wobei dies durch einen Temperaturprozeß erfolgen kann, bei welchem sich die elektrische Verbindung durch Verlaufen des Lots in Verbindung mit Adhäsions- und Kapillarkräften einstellt.The prefabricated leadframe in wafer dimensions is then exact positioned on the wafer and it takes place Bonding and thermal curing of the composite. Subsequently  the contact between the solder bumps on the one hand and initiated the later antenna contact areas of the leadframes, this can be done by a temperature process at which is the electrical connection by the course of the Lots in connection with adhesion and capillary forces established.

Entlang der Chiptrennlinie wird dann ein Trennschleifen des Wafers, d. h. ein Vereinzeln in Chipkartenmodule vorgenommen.A cut-off of the chip is then carried out along the chip separation line Wafers, i.e. H. a separation made in chip card modules.

Fig. 1a zeigt einen Ausschnitt einer Laserschablone in einer Dicke von etwa 150 µm mit quadratisch ausgebildeten Kontakt­ fenstern. Die ausgebildeten Lot-Bumps mit einem Durchmesser von im wesentlichen 195 µm durch Schablonendruck unter Nutzung der Laserschablone zeigt Fig. 1b. Ein fertiger 6"-Wafer mit gedruckten Lot-Bumps ist in der Fig. 1c zu erkennen. Fig. 1a shows a section of a laser template in a thickness of about 150 microns with square contact windows. The formed solder bumps with a diameter of essentially 195 μm by stencil printing using the laser stencil are shown in FIG. 1b. A finished 6 "wafer with printed solder bumps can be seen in FIG. 1c.

Im gleichen Scheibenmaßstab wird der Invar-Leadframe mit galvanisch abgeschiedener Silberbeschichtung gemäß Fig. 2a erstellt.The Invar leadframe with an electrodeposited silver coating according to FIG. 2a is produced on the same disk scale.

Der Leadframe enthält eine Vielzahl von Kontaktflächen, welche beim eingesetzten Chipkartenmodul die Verbindung zu einer Antennenspule ermöglichen.The leadframe contains a variety of contact areas, which when using the chip card module the connection to a Enable antenna coil.

Die Detaildarstellung nach Fig. 2b zeigt in den Eckenbereichen der noch im Scheibenverband vorliegenden Chips 1 ausgebildete Lot-Bumps 2. Darüber hinaus sind die Ankontaktierungs-Ausspa­ rungen 3 und die späteren Antennenkontaktierungsflächen 4 des Leadframes zu erkennen.The detail representation according to FIG. 2b shows solder bumps 2 formed in the corner regions of the chips 1 which are still present in the wafer bond. In addition, the contacting cutouts 3 and the subsequent antenna contacting areas 4 of the lead frame can be seen.

Entlang bzw. oberhalb der Chiptrennlinien 5 sind neben den Ankontaktierungs-Aussparungen 3 weitere Ausnehmungen 6 ausgebildet, so daß das Trennen und Vereinzeln der Chipkartenmodule leicht möglich ist.Along or above the chip separating lines 5 , 3 further recesses 6 are formed in addition to the contacting cutouts, so that the chip card modules can be separated and separated easily.

Die Ankontaktierung, d. h. das Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen den Antennenkontaktierungsflächen 4 und den Lot-Bumps 2 unter Überwindung eines freien Abschnitts der Ankontaktierungs-Aussparungen 3 erfolgt in einem thermischen Prozeß, in dem das Lot der Bumps aufgeschmolzen wird und dieses Lot kapillar hin zum entsprechenden Leadframe-Abschnitt verläuft. Zusätzlich oder alternativ besteht die Möglichkeit des Aufbringens von Kontaktwerkstoff über eine dementsprechende Maske und anschließendem Temperaturprozeß.The contacting, ie the establishment of an electrical connection between the antenna contact surfaces 4 and the solder bumps 2 while overcoming a free section of the contacting recesses 3, takes place in a thermal process in which the solder of the bumps is melted and this solder capillary to the corresponding one Leadframe section runs. Additionally or alternatively, there is the possibility of applying contact material via a corresponding mask and subsequent temperature process.

Der Vorteil beim oben genannten Ausführungsbeispiel besteht darin, daß der gesamte Waferverbund kontaktierungsseitig gemeinsam behandelt wird, so daß Fertigungszeit eingespart werden kann und hierdurch eine Verbesserung der Technologie insgesamt möglich wird.The advantage of the above-mentioned embodiment is in that the entire wafer composite on the contacting side is treated together, so that manufacturing time is saved can be and thereby an improvement in technology overall becomes possible.

Mit Hilfe der Fig. 3 sei die Positioniervorrichtung zur Durch­ führung des Scheibenverband-Kontaktierverfahrens näher erläutert.With the help of FIG. 3, the positioning device for performing the disk-bandaging contacting method will be explained in more detail.

Es hat sich gezeigt, daß es durchaus problematisch ist, ein Invar-Leadframe mit einer blattähnlichen, hochdünnen Struktur exakt aufzunehmen, zu bewegen und auf einem Halbleiter-Wafer zu positionieren.It has been shown that it is problematic, a Invar lead frame with a leaf-like, thin structure precisely record, move and move on a semiconductor wafer position.

Die zur Lösung dieses Problems vorgesehene Positioniervor­ richtung besteht aus einem druckbeaufschlagbaren Membranstempel mit einer Fläche, welche mindestens der Wafer- bzw. Leadframe­ größe entspricht.The positioning provided to solve this problem direction consists of a pressurizable membrane stamp with an area which is at least the wafer or lead frame size corresponds.

Über eine Druckzuführungseinrichtung 7 ist eine flexible Haltefläche (Stempelunterseite) 8 sowohl bei Druckerhöhung nach außen wölbbar als auch bei Druckabsenkung nach innen in die Maschen eines Netzes 9 einziehbar. Die durch das Eigengewicht des Leadframes hervorgerufene Wölbung nach unten kann durch eine angemessene Druckabsenkung ausgeglichen werden.Via a pressure feeding means 7 is a flexible retaining surface (ram side) 8 both when the pressure increases outwardly wölbbar as retractable even when pressure reduction inwardly into the meshes of a net. 9 The downward curvature caused by the weight of the lead frame can be compensated for by an appropriate pressure reduction.

Die Haltefläche 8 ist einseitig mit einem Adhäsivstoff beschichtet. Das im wesentlichen starre Netz 9 ist zwischen der Stempelunterseite und der nicht klebrigen Rückseite der Haltefläche angeordnet. The holding surface 8 is coated on one side with an adhesive material. The essentially rigid net 9 is arranged between the underside of the stamp and the non-sticky back of the holding surface.

Im Gebrauch wird der Membranstempel über den Leadframe 10 bewegt und durch Druckerhöhung im Innenraum 11 und sich ergebender Aufwölbung der flexiblen Haltefläche 8 der Leadframe durch den Adhäsivstoff bei Berührung der Oberflächen aufgenommen.In use, the membrane stamp is moved over the leadframe 10 and, by increasing the pressure in the interior 11 and resulting bulging of the flexible holding surface 8, the leadframe is picked up by the adhesive when the surfaces are touched.

Nach erfolgter Aufnahme kann der Leadframe gemeinsam mit dem flexiblen Membranstempel bewegt, z. B. zu einem Halbleiter-Wafer verbracht und dort ausgerichtet bzw. positioniert werden.After recording, the lead frame can be shared with the flexible membrane stamp moved, e.g. B. a semiconductor wafer spent and aligned or positioned there.

Nach Absenken des Membranstempels in der gewünschten Position liegt dieser auf der Oberfläche des Wafers (nicht gezeigt) auf und über eine Klebebeschichtung erfolgt das Verbinden von Leadframe und Wafer.After lowering the membrane stamp in the desired position this lies on the surface of the wafer (not shown) and an adhesive coating is used to connect Lead frame and wafer.

Durch weitere Erhöhung des Drucks im Innenraum 11 kann eine definierte Druck- bzw. Preßkraft gleichmäßig verteilt auf den Leadframe bzw. den darunter befindlichen Wafer und die Kleber­ zwischenschicht aufgebracht werden.By further increasing the pressure in the interior 11 , a defined pressure or pressing force can be applied in a uniformly distributed manner to the lead frame or the wafer located underneath and the adhesive intermediate layer.

Um den Leadframe 10 vom Membranstempel zu lösen, wird der Druck im Innenraum 11 reduziert, wodurch sich die flexible Haltefläche 8 nach innen in die Netzöffnungen wölbt. Das starre Netz 9 wirkt in diesem Fall als Gegenhalter. Die anhaftende Fläche zum Leadframe wird so weit reduziert, daß er sich leicht von der Vorrichtung löst bzw. abgestreift wird. Das Freigeben des Leadframes beeinflußt durch die gegebene symmetrische Geometrie nicht die Genauigkeit der Ablageposition.In order to detach the leadframe 10 from the membrane stamp, the pressure in the interior 11 is reduced, as a result of which the flexible holding surface 8 bulges inward into the mesh openings. The rigid network 9 acts in this case as a counterhold. The adhesive area to the lead frame is reduced so that it easily detaches from the device or is stripped off. The release of the leadframe does not affect the accuracy of the storage position due to the given symmetrical geometry.

Es liegt im Sinne des Ausführungsbeispiels, daß durch wechselnde Abfolge von Druckerhöhung und Druckverminderung sowie zwischengeschalteten Bewegungsschritten ein Mikro­ positionieren zwischen einem Substrat und einem vom Membran­ stempel aufgenommenen Leadframe oder dergleichen Teil möglich ist. It is in the sense of the embodiment that by changing sequence of pressure increase and pressure decrease as well as intermediate movement steps a micro position between a substrate and one of the membrane stamped lead frame or similar part possible is.  

BezugszeichenaufstellungREFERENCE NUMBERS

11

Chip
chip

22

Lot-Bump
Lot Bump

33

Ankontaktierungs-Aussparungen
Ankontaktierungs recesses

44

Antennenkontaktierungsflächen
Antennenkontaktierungsflächen

55

Chiptrennlinien
Chip dividing lines

66

Ausnehmung
recess

77

Druckzuführungseinrichtung
Pressure feeder

88th

flexible Haltefläche
flexible holding surface

99

Netz
network

1010

Leadframe
leadframe

1111

Innenraum
inner space

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung eines Chipkartenmoduls mit einem Halbleiter-Bauelement, welches mit einer in der Karte angeord­ neten induktiven Signalübertragungseinrichtung in Form einer Antennenspule kontaktierbar ist, wobei die im Scheibenverband vorliegenden, Bondpads umfassenden, Halbleiter-Bauelemente mit einer schweiß- und/oder lötfähigen Metallisierung oder Kon­ taktbumps im Bereich der Bondpads versehen werden, weiterhin ein Leadframeverbund in Wafergröße paßgenau je auf die aktive, kontaktbehaftete Seite der Halbleiter-Bauelemente angeordnet und mit der Metallisierung oder den Kontaktbumps elektrisch verbunden wird, wobei der Leadframeverbund jeweils vereinzel­ bare Leadframes mit je mindestens zwei großflächigen Antennen­ kontakten aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass
die Metallisierung oder die Kontaktbumps mittels einer Schablone im Scheibenformat quasi simultan ausgebildet werden;
der Leadframeverbund Ankontaktierungs-Aussparungen und eine Rückseiten-Klebebeschichtung aufweist, wobei der Leadframeverbund so auf dem Wafer positioniert wird, dass die Metallisierung oder die Kontaktbumps freiliegen;
nach erfolgter Positionierung ein Aushärten des Kleb­ stoffs der Rückseitenbeschichtung zur Lagefixierung zwischen Wafer und Leadframe vorgenommen wird;
anschließend im Bereich der Ankontaktierungs-Aussparungen Kontaktierungswerkstoff aufgebracht wird, welcher in ei­ nem nachfolgenden thermischen Prozess eine simultane elektrische Kontaktierung zwischen Halbleiter-Bauelement und Leadframe ermöglicht, und/oder über einen thermischen Prozessschritt die Lotpasten-Kontaktbumps aufgeschmolzen werden und über Kapillar- und/oder Adhäsionskräfte sich eine elektrische Verbindung zum Leadframe mit Erstarren der Lotpaste ergibt; und
dass das Vereinzeln der Chipkartenmodule entlang von Solltrennlinien erfolgt, wodurch gleichzeitig die groß­ flächigen Antennenkontakte voneinander isoliert werden.
1. A method for producing a chip card module with a semiconductor component which can be contacted with an inductive signal transmission device arranged in the card in the form of an antenna coil, with the bond pads comprising semiconductor components with a weldable and / or solderable one being present in the disc assembly Metallization or contact bumps in the area of the bond pads are provided, furthermore a leadframe composite in wafer size is arranged with a precise fit depending on the active, contact-side of the semiconductor components and is electrically connected to the metallization or the contact bumps, the leadframe composite in each case individual lead frames with at least one has two large-area antennas contacts, characterized in that
the metallization or the contact bumps are formed quasi simultaneously using a template in disk format;
the leadframe composite has contacting cutouts and a rear-side adhesive coating, the leadframe composite being positioned on the wafer in such a way that the metallization or the contact bumps are exposed;
after positioning, the adhesive of the back coating is cured to fix the position between the wafer and the leadframe;
Subsequently, contacting material is applied in the area of the contacting recesses, which enables simultaneous electrical contacting between the semiconductor component and the leadframe in a subsequent thermal process, and / or the solder paste contact bumps are melted via a thermal process step and via capillary and / or Adhesive forces result in an electrical connection to the leadframe with solidification of the solder paste; and
that the chip card modules are separated along predetermined separation lines, thereby simultaneously isolating the large-area antenna contacts from one another.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Verbesserung des Handlings während der Bearbeitung im Scheibenverband eines abgedünnten Wafers dieser rückseitig mit einer temporären Versteifungsmembran oder -schicht versehen wird.2. The method according to claim 1, characterized in that to improve handling during machining in Disc association of a thinned wafer with this on the back a temporary stiffening membrane or layer becomes. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer vor dem Aufbringen der Lot-Bumps in diesem Bereich mit einer Zwischenmetallisierung versehen wird.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the wafer before applying the solder bumps in this area is provided with an intermediate metallization. 4. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebebeschichtung auch auf den Wafer aufgebracht wird.4. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the adhesive coating is also applied to the wafer. 5. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierung oder die Lot-Bumps im gegenüberliegenden Eckenbereich der Chips des Scheibenverbands ausgebildet werden und der Wafer-Leadframe jeweils entsprechende Ankontaktie­ rungs-Aussparungen pro Chip umfasst, wobei mit Ausnahme von stabilisierenden Verbindungsstegen entlang der Chiptrennlinien zum leichteren späteren Vereinzeln weitgehend Trennaussparun­ gen vorgesehen sind.5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the metallization or the solder bumps in the opposite Corner area of the chips of the disc association are formed and the wafer leadframe in each case corresponding contact tion cutouts per chip, with the exception of stabilizing connecting bars along the chip dividing lines To make it easier to separate them later, largely cut-out conditions are provided. 6. Positioniervorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch einen druckbeaufschlagbaren Membranstempel, wobei der Membran­ stempel auf einer flexiblen Haltefläche mit einem Adhäsivstoff beschichtet ist oder aus einem solchen Stoff besteht und die flexible Haltefläche von einem im wesentlichen starren Netz unterspannt wird, wobei über eine Druckzuführungseinrichtung eine Änderung der Wölbung der Haltefläche von konkav zu in die Netzzwischenräume eingesaugten Halteflächeabschnitten und um­ gekehrt möglich ist.6. Positioning device for performing the method according to one of claims 1 to 5, marked by a pressurizable membrane stamp, the membrane stamp on a flexible holding surface with an adhesive  is coated or consists of such a substance and flexible holding surface of an essentially rigid network is under tension, with a pressure supply device a change in the curvature of the holding surface from concave to in Interstices of the suction area sucked in and around is possible. 7. Positionierverfahren mit einer Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein strukturiertes, blattähnliches flächiges Material in Form eines Leadframes von der Haltefläche aufgenommen und zu einem flächigen Substrat in Form eines Wafers bewegt und positio­ niert wird, wobei nach Erreichen der Endposition durch Druck­ erhöhung im Innenraum des Membranstempels über die Haltefläche eine definierte Kraft auf den Leadframe und den Wafer ausübbar ist, so dass eine direkte Klebeverbindung zwischen Leadframe und Wafer hergestellt werden kann und nach einer Membran- Druckverringerung sich die flexible Haltefläche in die Netz­ zwischenräume zurückbewegt und der Leadframe von der Nasskleb­ kraft oder Anfangsklebkraft zum Wafer zurückgehalten wird.7. positioning method with a device according to claim 6, characterized in that a structured, sheet-like flat material in the form of a leadframe picked up from the holding surface and to one flat substrate in the form of a wafer moves and positio is niert, after reaching the end position by pressure increase in the interior of the membrane stamp over the holding surface a defined force can be exerted on the leadframe and the wafer so that there is a direct adhesive connection between the leadframe and wafers can be manufactured and after a membrane The flexible holding surface in the net reduces pressure gaps moved back and the leadframe from the wet glue force or initial adhesive force is retained to the wafer. 8. Positionierverfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch Druckerhöhung und Druckverminderung auf die Stempel­ membran und Relativbewegung zwischen Stempel und Substrat oder Wafer der Leadframe aufgenommen, positioniert und abgelegt wird.8. Positioning method according to claim 7, characterized in that by increasing and decreasing pressure on the stamp membrane and relative movement between stamp and substrate or Wafers of the leadframe picked up, positioned and stored becomes. 9. Positionierverfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch Auswahl der Klebstoffbeschichtung der Haltefläche eine Anpassung an unterschiedliche Anfangsklebkräfte des Montage­ klebstoffes erfolgt. 9. Positioning method according to claim 7, characterized in that by selecting the adhesive coating of the holding surface Adaptation to different initial adhesive forces of the assembly adhesive takes place.   10. Positionierverfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch Auswahl der Maschenweiten des Netzes eine Anpassung an unterschiedliche Strukturgrößen der Leadframes erfolgt.10. Positioning method according to claim 7, characterized in that an adjustment by selecting the mesh sizes of the network different structure sizes of the lead frames occur.
DE19932960A 1998-10-08 1999-07-14 Method for producing a chip card module, positioning device for carrying out such a method and positioning method Expired - Fee Related DE19932960C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19932960A DE19932960C2 (en) 1998-10-08 1999-07-14 Method for producing a chip card module, positioning device for carrying out such a method and positioning method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19846405 1998-10-08
DE19932960A DE19932960C2 (en) 1998-10-08 1999-07-14 Method for producing a chip card module, positioning device for carrying out such a method and positioning method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19932960A1 DE19932960A1 (en) 2000-04-20
DE19932960C2 true DE19932960C2 (en) 2002-09-12

Family

ID=7883838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19932960A Expired - Fee Related DE19932960C2 (en) 1998-10-08 1999-07-14 Method for producing a chip card module, positioning device for carrying out such a method and positioning method

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19932960C2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112017988B (en) * 2019-05-31 2024-03-19 成都辰显光电有限公司 Transfer apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4416697A1 (en) * 1994-05-11 1995-11-16 Giesecke & Devrient Gmbh Data carrier with integrated circuit
DE4431754C1 (en) * 1994-09-06 1995-11-23 Siemens Ag Carrier element for ic module of chip card
US5598032A (en) * 1994-02-14 1997-01-28 Gemplus Card International Hybrid chip card capable of both contact and contact-free operation and having antenna contacts situated in a cavity for an electronic module
DE19716342A1 (en) * 1997-04-18 1998-10-22 Pav Card Gmbh Process for the production of a chip card

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5598032A (en) * 1994-02-14 1997-01-28 Gemplus Card International Hybrid chip card capable of both contact and contact-free operation and having antenna contacts situated in a cavity for an electronic module
DE4416697A1 (en) * 1994-05-11 1995-11-16 Giesecke & Devrient Gmbh Data carrier with integrated circuit
DE4431754C1 (en) * 1994-09-06 1995-11-23 Siemens Ag Carrier element for ic module of chip card
DE19716342A1 (en) * 1997-04-18 1998-10-22 Pav Card Gmbh Process for the production of a chip card

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM Technical Disclosure Bulletin, 1979, Vol. 22, Nr. 6, S. 2336-2337 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE19932960A1 (en) 2000-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69838935T2 (en) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WALLS, SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND CHIP CARDS
EP0140126B1 (en) Method of tape-automated bonding
DE102006011753B4 (en) Semiconductor sensor component, method for producing a panel and method for producing semiconductor sensor components
DE69133468T3 (en) Semiconductor chip assemblies, manufacturing methods and components for the same
DE102006005645B4 (en) Stackable device, device stack and process for their manufacture
DE102007014389B4 (en) A method of producing a plurality of semiconductor devices
DE19651566A1 (en) Chip module and method for its production
DE112014002322T5 (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
WO1991001533A1 (en) Substrate element with at least one integrated circuit, in particular a substrate element for inclusion in chip cards
DE102005019553A1 (en) Fill mass structure and method for WL-CSP
WO2002077918A2 (en) Method for producing a contactless chip card and chip card produced according to said method
DE4040770C2 (en) Data carrier with integrated circuit
DE19921230B4 (en) Method for handling thinned chips for insertion in chip cards
DE10146936B4 (en) Manufacturing Method for a Chip Component Assembly
DE19532755C1 (en) Chip module for chip card used as telephone or identification card
DE102005015036B4 (en) Method for mounting a chip on a substrate
DE19716342C2 (en) Process for the production of a chip card
EP0810547A1 (en) Method for manufacturing a datacarrier in cardform
DE19932960C2 (en) Method for producing a chip card module, positioning device for carrying out such a method and positioning method
DE102015105119B4 (en) CHIP CARD SUBSTRATE, PROCESS FOR MANUFACTURING A CHIP CARD SUBSTRATE AND CHIP CARD
DE102014109766B3 (en) Method for producing a substrate adapter, substrate adapter and method for contacting a semiconductor element
DE19637214C2 (en) Method for producing an electrical and mechanical connection of a module inserted in a recess of a card holder of a chip card
EP1661157A2 (en) Method and device for contacting semiconductor chips
EP1116180B1 (en) Method for contacting a circuit chip
DE19918852C1 (en) Chip card with flip-chip has chip mounted on foil, insulated by setting material and with electrically conducting protrusions protruding out of setting material, distance and covering foils

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20150203