DE19924960A1 - Device for cooling semiconductor components - Google Patents

Device for cooling semiconductor components

Info

Publication number
DE19924960A1
DE19924960A1 DE1999124960 DE19924960A DE19924960A1 DE 19924960 A1 DE19924960 A1 DE 19924960A1 DE 1999124960 DE1999124960 DE 1999124960 DE 19924960 A DE19924960 A DE 19924960A DE 19924960 A1 DE19924960 A1 DE 19924960A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor component
heat sink
cooled
cooling
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1999124960
Other languages
German (de)
Inventor
Robert Jung
Rainer Kreutzer
Erich Zerbian
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE1999124960 priority Critical patent/DE19924960A1/en
Priority to PCT/DE2000/001570 priority patent/WO2000074137A1/en
Publication of DE19924960A1 publication Critical patent/DE19924960A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Kühlung eines ein vorgegebenes Außenprofil aufweisenden Halbleiterbauelementes. Sie weist einen Kühlkörper auf, der eine dem zu kühlenden Halbleiterbauelement zugewandte Innenseite und eine vom zu kühlenden Halbleiterbauelement abgewandte Außenseite hat. Die Innenseite des Kühlkörpers ist formschlüssig an das Außenprofil des Halbleiterbauelementes angepaßt und umschließt dieses an mehreren Seiten.The invention relates to a device for cooling a semiconductor component having a predetermined external profile. It has a heat sink which has an inside facing the semiconductor component to be cooled and an outside facing away from the semiconductor component to be cooled. The inside of the heat sink is positively adapted to the outer profile of the semiconductor component and surrounds it on several sides.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Kühlung eines Halbleiterbauelementes.The invention relates to a device for cooling a Semiconductor component.

Es sind bereits Vorrichtungen zur Kühlung von Halbleiterbau­ elementen bekannt, die einen Kühlkörper aufweisen. Bei diesem zur Wärmeableitung vorgesehenen Kühlkörper kann es sich um ein einfaches Kühlblech, einen Kühlkörper in Form eines Kühl­ sternes oder um ein Kühlprofil handeln. Kühlsterne weisen sternförmig nach außen abstehende Kühlrippen auf. Bei den be­ kannten Kühlprofilen handelt es sich um gebogene Kühlbleche. Durch die Verwendung von Kühlsternen oder Kühlprofilen wird die wirksame Kühlfläche erhöht und dadurch eine verbesserte Wärmeableitung der im Halbleiterbauelement erzeugten Wärme an die Umgebung erreicht. Zur Verbesserung des thermischen Kon­ taktes zwischen dem Halbleiterbauelement und dem Kühlkörper kann Wärmeleitpaste eingesetzt werden. Viele der bekannten Kühlkörper weisen vom zu kühlenden Halbleiterbauelement abge­ wandte Kühlrippen auf, um die Kontaktfläche des Kühlkörpers mit der Umgebung zu vergrößern.There are already devices for cooling semiconductor devices elements known that have a heat sink. With this heat sink provided for heat dissipation can be a simple heat sink, a heat sink in the form of a cooling star or a cooling profile. Show cooling stars cooling fins protruding outwards in a star shape. With the be Known cooling profiles are curved cooling plates. By using cooling stars or cooling profiles the effective cooling surface increases and thereby an improved Heat dissipation of the heat generated in the semiconductor component reached the environment. To improve the thermal con clock between the semiconductor device and the heat sink thermal paste can be used. Many of the well-known Heat sinks point away from the semiconductor component to be cooled applied cooling fins to the contact area of the heat sink enlarge with the surroundings.

Ein Beispiel eines bekannten Kühlkörpers ist in der Fig. 1 gezeigt. Dort ist zur Ableitung der in einem Siliziumelement 5 entstehenden Wärme ein Kühlkörper 1 vorgesehen. Das Sili­ ziumelement 5 ist mittels einer wärmeleitenden Löt- oder Kle­ beschicht 3 mit einem Substrat 4 verbunden. Der Kühlkörper 1 ist unter Verwendung einer wärmeleitenden Löt- oder Klebe­ schicht 2 am Substrat 4 befestigt. Der Kühlkörper 1 weist eine eben ausgebildete Kontakt- bzw. Innenfläche 6, die dem zu kühlenden Siliziumelement 5 zugewandt ist, und eine vom zu kühlenden Siliziumelement abgewandte Außenseite 7 auf. Letz­ tere ist mit senkrecht nach außen abstehenden Kühlrippen ver­ sehen, um die Kontaktfläche des Kühlkörpers mit der Umgebung zu vergrößern und dadurch eine verbesserte Wärmeableitung zu erreichen.An example of a known heat sink is shown in FIG. 1. A heat sink 1 is provided there for dissipating the heat generated in a silicon element 5 . The silicon element 5 is connected to a substrate 4 by means of a thermally conductive solder or adhesive coating 3 . The heat sink 1 is attached to the substrate 4 using a heat-conductive solder or adhesive layer 2 . The heat sink 1 has a flat contact or inner surface 6 , which faces the silicon element 5 to be cooled, and an outer side 7 facing away from the silicon element to be cooled. The latter is seen with cooling fins protruding vertically outwards in order to enlarge the contact area of the heat sink with the surroundings and thereby achieve improved heat dissipation.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Kühlung eines Halbleiterbauelementes anzugeben, mittels derer eine weiter verbesserte Wärmeableitung erreicht wird.The invention is based on this prior art the task of a device for cooling a Specify semiconductor device, by means of which a further improved heat dissipation is achieved.

Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen An­ sprüchen angegeben.This object is achieved by a device with the in the claim 1 specified features solved. Advantageous configurations and developments of the invention are in the dependent An sayings.

Die Vorteile der Erfindung bestehen darin, daß durch die mehrseitige thermische Kontaktierung zwischen dem zu kühlen­ den Halbleiterbauelement und dem Kühlkörper und der daraus resultierenden Oberflächenvergrößerung eine verbesserte Ent­ wärmung erzielt wird. Dies ist auf die verbesserte Übertra­ gung der Wärme vom Halbleiterbauelement auf den Kühlkörper, der seinerseits die vom Halbleiterbauelement abgeleitete Wärme an die Umgebung abgibt, zurückzuführen.The advantages of the invention are that Multi-sided thermal contact between the cool the semiconductor device and the heat sink and the one from it resulting surface enlargement an improved Ent heating is achieved. This is due to the improved transfer heat transfer from the semiconductor component to the heat sink, which in turn is derived from the semiconductor device Emits heat to the environment.

Mittels der in den Ansprüchen 2 bis 7 angegebenen Merkmale wird die Ableitung der im Halbleiterbauelement entstehenden Wärme weiter verbessert.By means of the features specified in claims 2 to 7 the derivation of those arising in the semiconductor component Heat further improved.

Weitere vorteilhafte Eigenschaften der Erfindung ergeben sich aus der Erläuterung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.Further advantageous properties of the invention result from the explanation of exemplary embodiments using the Characters.

Es zeigt:It shows:

Fig. 1 eine bekannte Vorrichtung zur Kühlung eines Halb­ leiterbauelementes, Fig. 1 shows a known device for cooling a semi-conductor device,

Fig. 2 eine Vorrichtung zur Kühlung eins Halbleiterbau­ elementes gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel für die Erfindung und Fig. 2 shows a device for cooling a semiconductor device according to a first embodiment of the invention and

Fig. 3 eine Vorrichtung zur Kühlung eines Halbleiterbau­ elementes gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Fig. 3 shows a device for cooling a semiconductor device according to a second embodiment of the invention.

Die Fig. 2 zeigt eine Vorrichtung zur Kühlung eines Halblei­ terbauelementes gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Das zu kühlende Halbleiterbauelement weist ein Siliziumelement 5 auf, welches über eine wärmeleitende Löt- oder Klebeschicht 3 mit einem Substrat 4 verbunden ist. Be­ dingt durch diese Bestandteile hat das Halbleiterbauelement ein vorgegebenes Außenprofil. FIG. 2 shows an apparatus for cooling a semiconducting terbauelementes according to a first embodiment of the invention. The semiconductor component to be cooled has a silicon element 5 , which is connected to a substrate 4 via a heat-conducting solder or adhesive layer 3 . Be due to these components, the semiconductor device has a predetermined outer profile.

Die in diesem Halbleiterbauelement, bei welchem es sich ins­ besondere um einen Leistungshalbleiter handelt, entstehende Wärme wird über einen Kühlkörper 1 an die Umgebung abgelei­ tet. Dieser Kühlkörper 1 weist eine dem zu kühlenden Halblei­ terbauelement zugewandte Innenseite 6 auf, die formschlüssig an das Außenprofil des Halbleiterbauelementes angepaßt ist und dieses an drei Seiten umschließt. Zur. Verbesserung des thermischen Kontaktes zwischen dem Halbleiterbauelement und dem Kühlkörper ist zwischen dem Kühlkörper 1 und dem Halblei­ terbauelement eine wärmeleitende Löt- oder Klebeschicht 2 vorgesehen. Diese umschließt das zu kühlende Halbleiterbau­ element ebenfalls von drei Seiten.The heat generated in this semiconductor component, which is in particular a power semiconductor, is dissipated to the environment via a heat sink 1 . This heat sink 1 has a to be cooled semiconductor component facing inside 6 , which is positively adapted to the outer profile of the semiconductor device and encloses this on three sides. For. Improvement of the thermal contact between the semiconductor component and the heat sink, a thermally conductive solder or adhesive layer 2 is provided between the heat sink 1 and the semiconductor component. This also encloses the semiconductor component to be cooled on three sides.

Die Außenseite 7 des Kühlkörpers 1 ist mit nach außen abste­ henden Kühlrippen versehen, die sich folglich nach drei Sei­ ten hin erstrecken. Dies bedeutet eine Vergrößerung der Kon­ taktfläche zwischen dem Kühlkörper 1 und der Umgebung, was zu einer im Vergleich zum Stand der Technik weiter verbesserten Wärmeableitung dient.The outside 7 of the heat sink 1 is provided with outwardly extending cooling fins, which consequently extend to three sides. This means an increase in the contact area between the heat sink 1 and the environment, which serves to further improve heat dissipation compared to the prior art.

Gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird folglich durch die ver­ besserte Wärmeübertragung vom Halbleiterbauelement an den Kühlkörper und die verbesserte Abgabe der Wärme vom Kühlkör­ per an die Umgebung eine verbesserte Wärmeableitung vom Halb­ leiterbauelement an die Umgebung erzielt. According to this embodiment, the ver improved heat transfer from the semiconductor component to the Heat sink and the improved heat dissipation from the heat sink per to the environment an improved heat dissipation from half conductor component achieved to the environment.  

Die Fig. 3 zeigt eine Vorrichtung zur Kühlung eines Halblei­ terbauelementes gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Däs zu kühlende Halbleiterbauelement weist ein Siliziumelement 5 auf, welches über eine wärmeleitende Löt- oder Klebeschicht 3 mit einem Substrat 4 verbunden ist. Be­ dingt durch diese Bestandteile hat das Halbleiterbauelement ein vorgegebenes Außenprofil. Fig. 3 shows a device for cooling a semiconductor component according to a second embodiment of the invention. The semiconductor component to be cooled has a silicon element 5 , which is connected to a substrate 4 via a heat-conducting solder or adhesive layer 3 . Be due to these components, the semiconductor device has a predetermined outer profile.

Die in diesem Halbleiterbauelement, bei welchem es sich ins­ besondere um einen Leistungshalbleiter handelt, entstehende Wärme wird über einen Kühlkörper 1 an die Umgebung abgelei­ tet. Dieser Kühlkörper 1 weist eine dem zu kühlenden Halblei­ terbauelement zugewandte Innenseite 6 auf, die formschlüssig an das Außenprofil des Halbleiterbauelementes angepaßt ist und dieses an vier Seiten umschließt. Der Kühlkörper 1 weist dadurch, wie aus der Figur hervorgeht, eine geschlossene Querschnittsfläche auf. Die Innenseite 6 des Kühlkörpers 1 ist mit Abstufungen 8 und 9 versehen, um die genannte form­ schlüssige Anpassung an das Außenprofil des zu kühlenden Halbleiterbauelementes zu erreichen.The heat generated in this semiconductor component, which is in particular a power semiconductor, is dissipated to the environment via a heat sink 1 . This heat sink 1 has a to be cooled semiconductor component facing inside 6 , which is positively adapted to the outer profile of the semiconductor device and encloses this on four sides. As is apparent from the figure, the heat sink 1 thus has a closed cross-sectional area. The inside 6 of the heat sink 1 is provided with gradations 8 and 9 in order to achieve the above-mentioned positive adaptation to the outer profile of the semiconductor component to be cooled.

Zur Verbesserung des thermischen Kontaktes zwischen dem Halb­ leiterbauelement und dem Kühlkörper 1 ist zwischen dem Kühl­ körper und dem Halbleiterbauelement eine wärmeleitende Löt- oder Klebeschicht 2 vorgesehen. Diese umschließt das zu küh­ lende Halbleiterbauelement ebenfalls von vier Seiten.To improve the thermal contact between the semiconductor component and the heat sink 1 , a heat-conductive solder or adhesive layer 2 is provided between the heat sink and the semiconductor component. This also surrounds the semiconductor component to be cooled from four sides.

Die Außenseite 7 des das Halbleiterbauelement an vier Seiten umschließenden Kühlkörpers 1 ist mit nach außen abstehenden Kühlrippen versehen, die sich folglich nach vier Seiten hin erstrecken. Dies bedeutet im Vergleich zum Stand der Technik und zu dem in der Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel eine weitere Vergrößerung der Kontaktfläche zwischen dem Kühlkör­ per 1 und der Umgebung, was zu einer weiter verbesserten Wär­ meableitung führt. The outside 7 of the heat sink 1 , which surrounds the semiconductor component on four sides, is provided with cooling fins protruding outwards, which consequently extend on four sides. This means in comparison to the prior art and to the embodiment shown in FIG. 1, a further increase in the contact area between the Kühlkör by 1 and the environment, which leads to a further improved heat dissipation.

Gemäß diesem zweiten Ausführungsbeispiel wird folglich durch eine nochmals verbesserte Wärmeübertragung vom Halbleiterbau­ element an den Kühlkörper und eine nochmals verbesserte Ab­ gabe der Wärme vom Kühlkörper an die Umgebung eine weiter verbesserte Wärmeableitung vom Halbleiterbauelement an die Umgebung erzielt.Accordingly, according to this second embodiment, by a further improved heat transfer from semiconductor construction element to the heat sink and a further improved Ab passed on the heat from the heat sink to the environment improved heat dissipation from the semiconductor device to the Environment achieved.

Bei dem zu kühlenden Halbleiterbauelement kann es sich neben einem Siliziumchip auch um einen Siliziumkarbidchip handeln.In the semiconductor component to be cooled, it can coexist a silicon chip is also a silicon carbide chip.

Claims (9)

1. Vorrichtung zur Kühlung eines ein vorgegebenes Außenprofil aufweisenden Halbleiterbauelementes, mit einem Kühlkörper, welcher eine dem zu kühlenden Halbleiterbauelement zugewandte Innenseite und eine vom zu kühlenden Halbleiterbauelement ab­ gewandte Außenseite aufweist, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die dem zu kühlenden Halbleiterbauelement (3, 4, 5) zugewandte Innenseite (6) des Kühlkörpers (1) form­ schlüssig an das Außenprofil des Halbleiterbauelementes ange­ paßt ist und das Halbleiterbauelement an mehreren Seiten um­ schließt.1. A device for cooling a semiconductor component having a predetermined external profile, with a heat sink which has an inside facing the semiconductor component to be cooled and an outside facing away from the semiconductor component to be cooled, characterized in that the semiconductor component to be cooled ( 3 , 4 , 5 ) facing inside ( 6 ) of the heat sink ( 1 ) is form-fitting to the outer profile of the semiconductor component and the semiconductor component closes on several sides. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Außenseite (7) des Kühlkörpers (1) mit nach außen abstehenden Kühlrippen versehen ist.2. Device according to claim 1, characterized in that the outside ( 7 ) of the heat sink ( 1 ) is provided with outwardly projecting cooling fins. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Kühlkörper (1) eine geschlossene Querschnittsfläche aufweist und das zu kühlende Halbleiter­ bauelement an vier Seiten umschließt.3. Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the heat sink ( 1 ) has a closed cross-sectional area and encloses the semiconductor component to be cooled on four sides. 4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (1) eine mit Abstufungen (8, 9) versehene Innenseite (6) auf­ weist.4. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the heat sink ( 1 ) has a gradation ( 8 , 9 ) provided on the inside ( 6 ). 5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine zwischen dem zu kühlenden Halbleiterbauelement und dem Kühlkörper (1) vorgesehene wärmeleitende Löt- oder Klebeschicht (2) auf­ weist.5. Device according to one of the preceding claims, characterized in that it has a heat-conductive solder or adhesive layer ( 2 ) provided between the semiconductor component to be cooled and the heat sink ( 1 ). 6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Löt- oder Klebeschicht (2) das zu kühlende Halbleiterbauelement an mehreren Seiten umschließt. 6. The device according to claim 5, characterized in that the solder or adhesive layer ( 2 ) encloses the semiconductor component to be cooled on several sides. 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das zu kühlende Halbleiterbauelement eine Siliziumschicht (5) und eine mit dieser mittels einer Löt- oder Klebeschicht (3) verbundene Substratschicht (4) aufweist.7. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor component to be cooled has a silicon layer ( 5 ) and a substrate layer ( 4 ) connected to the latter by means of a solder or adhesive layer ( 3 ). 8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das zu kühlende Halbleiterbauelement ein Siliziumchip oder ein Silizium­ karbidchip ist.8. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the to be cooled Semiconductor component a silicon chip or a silicon is carbide chip. 9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das zu kühlende Halbleiterbauelement ein Leistungshalbleiter ist.9. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the to be cooled Semiconductor component is a power semiconductor.
DE1999124960 1999-05-31 1999-05-31 Device for cooling semiconductor components Withdrawn DE19924960A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1999124960 DE19924960A1 (en) 1999-05-31 1999-05-31 Device for cooling semiconductor components
PCT/DE2000/001570 WO2000074137A1 (en) 1999-05-31 2000-05-17 Device for cooling semiconductor components

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1999124960 DE19924960A1 (en) 1999-05-31 1999-05-31 Device for cooling semiconductor components

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19924960A1 true DE19924960A1 (en) 2000-12-14

Family

ID=7909803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1999124960 Withdrawn DE19924960A1 (en) 1999-05-31 1999-05-31 Device for cooling semiconductor components

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE19924960A1 (en)
WO (1) WO2000074137A1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10244791A1 (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Robert Bosch Gmbh Electronic power component cooling device, has heat-sink provided with metal-filled channels for conducting signals of component to external environment
DE10321549A1 (en) * 2003-05-14 2004-12-02 Adam Opel Ag Arrangement for cooling a thyristor
DE102004015929A1 (en) * 2004-03-31 2005-07-07 Infineon Technologies Ag Electronic component, typically memory module, containing semiconductor element on main face of circuit board, and heat convecting element extending along entire semiconductor element and thermally coupled to circuit board
DE102008026765A1 (en) * 2008-04-16 2009-10-22 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Microwave assembly
WO2021047815A1 (en) * 2019-09-12 2021-03-18 Tdk Electronics Ag Cooling system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2931052A1 (en) * 1979-07-31 1981-02-05 Siemens Ag Heat conductor system for cooling transistor - consists of cast block of aluminium which contacts lid of electronic equipment box

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62204554A (en) * 1986-03-05 1987-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Hybrid integrated circuit
JPS62208653A (en) * 1986-03-07 1987-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Hybrid ic
JPH0677354A (en) * 1992-08-24 1994-03-18 Hitachi Ltd Semiconductor device
DE4326207A1 (en) * 1992-10-06 1994-04-07 Hewlett Packard Co Mechanically floating multi-chip substrate
SE500281C2 (en) * 1992-11-24 1994-05-24 Asea Brown Boveri Apparatus for cooling disc-shaped power electronics elements as well as disc-shaped power electronics elements intended to be mounted in such a cooling device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2931052A1 (en) * 1979-07-31 1981-02-05 Siemens Ag Heat conductor system for cooling transistor - consists of cast block of aluminium which contacts lid of electronic equipment box

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 01-059842 A. In: Pat.Abstr. of JP *
JP 03-104263 A. In: Pat.Abstr. of JP *
JP 04-323856 A. In: Pat.Abstr. of JP *
JP 07050371 A. In: Pat.Abstr. of JP *
JP 07142650 A. In: Pat.Abstr. of JP *
JP 09307033 A. In: Pat.Abstr. of JP *
JP 62-204554 A. In: Pat.Abstr. of JP *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10244791A1 (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Robert Bosch Gmbh Electronic power component cooling device, has heat-sink provided with metal-filled channels for conducting signals of component to external environment
DE10244791B4 (en) * 2002-09-26 2009-03-26 Robert Bosch Gmbh Device for cooling electronic components
DE10321549A1 (en) * 2003-05-14 2004-12-02 Adam Opel Ag Arrangement for cooling a thyristor
DE102004015929A1 (en) * 2004-03-31 2005-07-07 Infineon Technologies Ag Electronic component, typically memory module, containing semiconductor element on main face of circuit board, and heat convecting element extending along entire semiconductor element and thermally coupled to circuit board
DE102008026765A1 (en) * 2008-04-16 2009-10-22 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Microwave assembly
US8288864B2 (en) 2008-04-16 2012-10-16 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Microwave module
WO2021047815A1 (en) * 2019-09-12 2021-03-18 Tdk Electronics Ag Cooling system

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000074137A1 (en) 2000-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4410467C2 (en) Heat sink arrangement with a thermally conductive plate for a plurality of integrated circuits on a substrate
DE102012224355B4 (en) power module
DE19643717A1 (en) Liquid cooling device for a high-performance semiconductor module
DE2107549A1 (en) Carrier of an electronic circuit with a collecting system with heat conduction properties for all directions
EP3607581A1 (en) Circuit cooled on two sides
WO1998038678A1 (en) Semiconductor module
DE3115017A1 (en) Electronic components
DE112014006142B4 (en) Power semiconductor arrangement
DE19924960A1 (en) Device for cooling semiconductor components
DE112014006793B4 (en) Semiconductor device
WO2013041288A1 (en) Electrical control device with moulded housing
DE3444699C2 (en)
DE102019111366B3 (en) Compact power electronics module with an enlarged cooling surface
DE19609929B4 (en) The power semiconductor module
DE102005008361A1 (en) Cooling assembly for electronic components, has cooling material that contacts heat-side of cooling unit, which converts heat energy of material into current energy that is supplied to cooling fan via contact bridge
DE19904279B4 (en) Semiconductor device
EP1611609A1 (en) Encapsulated power semiconductor assembly
DE10134187A1 (en) Cooler for power semiconductor components and modules with individual cooling elements in two-dimensional matrix
DE102016219174A1 (en) Two-sided cooled circuit
DE102015215132B4 (en) Semiconductor device
DE102009003934A1 (en) Heat source e.g. power component, cooling arrangement for e.g. power electronic circuit, has thermoelectric cooling element for dissipating distributed heat to heat sink that is thermally coupled with substrate of electronic circuit
DE3927866A1 (en) SEMICONDUCTOR COMPONENT
DE102016224232B4 (en) PCB device
DE19932442A1 (en) Semiconductor component comprises a chip, a substrate and heat conducting media, embedded in a molded material
DE102015115145B4 (en) Power converter arrangement with higher integration density

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee