DE19900383A1

DE19900383A1 - Pulse flank setting device for semiconductor switch controlling servo braking amplifier magnetic valve

Info

Publication number: DE19900383A1
Application number: DE19900383A
Authority: DE
Inventors: Bernhard Kant; Bernd Piller; Peter Skotzek
Original assignee: Continental Teves AG and Co OHG
Current assignee: Continental Teves AG and Co OHG
Priority date: 1998-01-24
Filing date: 1999-01-08
Publication date: 1999-07-29

Abstract

The pulse flank setting device uses at least one feedback device (21,22) providing a signal in response to an alteration in the output value of the semiconductor switch (10), for correction of the control signal (11) for the switch, provided by discrete pulses. The switch (10) is provided by a MOSFET, supplied with the control signal (11) via a summation point receiving subtractive values from 2 feedback devices (21,22), respectively receiving the drain voltage and the source current of the switch.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Einstellen ei ner Impulsflanke insbesondere am Ausgang eines Halbleiter schalters, dessen Steuer-Anschluß nach Maßgabe diskreter Impulse ansteuerbar ist, gemäß dem Oberbegriff des unabhän gigen Anspruches.The invention relates to a device for adjusting egg ner pulse edge in particular at the output of a semiconductor switch, the control connection of which is more discrete Impulse is controllable, according to the preamble of the independent right claim.

Halbleiterschalter werden z. B. in der KFZ-Technik einge setzt, um z. B. bei einer Bremsanlage mit Bremsassistent- Funktion das Magnetventil eines Bremskraftverstärkers anzu steuern. Dabei kann der Halbleiterschalter über pulsweiten modulierte Impulse (PWM-Impulse) angesteuert werden. Ein Beispiel dafür ist in Fig. 1 gezeigt. Dort ist der Halblei terschalter ein MOS-Feldeffekttransistor (MOSFET) 10, auf dessen Gate-Anschluß G Impulse 11 zur Ansteuerung des MOSFET 10 gegeben werden. Der Transistorausgangsstrom I_S, der ebenfalls impulsförmig ist, wird einem induktiven Bau teil 12, z. B. einem Elektromagneten eines Bremskraftver stärkers, zugeführt. Die dazu parallel geschaltete Diode 13 dient als Freilauf. Aufgrund der hohen Schaltgeschwindig keit des MOSFET ergeben sich sehr steile Flanken der Drain- Source-Spannung U_DS und des Transistorstromes I_S. Die stei len Flanken des Stromes I_S, der hier z. B. zum Schalten ei nes Bremskraftverstärkers verwendet wird, führen zu hoch frequenten Signalanteilen, die ihrerseits zu erheblichen Problemen bezüglich der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) führen. Das Problem ist insbesondere deshalb merkbar, weil hohe, leistungstragende Spannungen bzw. Ströme ge schaltet werden. Semiconductor switches are z. B. is used in automotive technology to z. B. in a brake system with brake assist function to control the solenoid valve of a brake booster. The semiconductor switch can be controlled via pulse-width modulated pulses (PWM pulses). An example of this is shown in FIG. 1. There the semiconductor switch is a MOS field-effect transistor (MOSFET) 10 , on the gate terminal G of which pulses 11 are given for driving the MOSFET 10 . The transistor output current I _S , which is also pulse-shaped, is an inductive construction part 12 , for. B. an electromagnet of a Bremskraftver amplifier. The diode 13 connected in parallel serves as a freewheel. Due to the high switching speed of the MOSFET, there are very steep edges of the drain-source voltage U _DS and the transistor current I _S. The steep edges of the current I _S , the z. B. for switching egg nes brake booster, lead to high frequency signal components, which in turn lead to considerable problems with regard to electromagnetic compatibility (EMC). The problem is particularly noticeable because high, power-carrying voltages or currents are switched.

Nach den seit 1997 geltenden EMV-Richtlinien wird gefor dert, daß Elektronik-Schaltungen hinsichtlich der EMV zu optimieren sind. Das bedeutet wiederum für die Halbleiter schalter, daß ihre Ausgangsgrößen, die zum Schalten einge setzt werden, möglichst flache Flanken aufweisen sollten. Dabei muß allerdings je nach Anwendungsfall ein Kompromiß zwischen minimaler Flankensteilheit und den durch flache Flanken hervorgerufenen Schaltverlusten gefunden werden.According to the EMC guidelines that have been in force since 1997, changes that electronic circuits regarding EMC too are optimize. This in turn means for the semiconductors switches that their output variables are turned on for switching should have flanks that are as flat as possible. However, depending on the application, a compromise must be made between minimal steepness and flatness Edge-induced switching losses can be found.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung zum Einstel len einer Impulsflanke am Ausgang eines Halbleiterschalters bereitzustellen, die einfach mit diskreten Bauteilen aufge baut werden kann und gleichzeitig preisgünstig und flexibel ist.The object of the invention is a device for adjusting len a pulse edge at the output of a semiconductor switch Provide that simply up with discrete components can be built and at the same time inexpensive and flexible is.

Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 1 ge löst. Abhängige Ansprüche sind auf bevorzugte Ausführungs formen der Erfindung gerichtet.This object is ge with the features of claim 1 solves. Dependent claims are on preferred execution forms directed the invention.

Die Vorrichtung zum Einstellen einer Impulsflanke am Aus gang eines Halbleiterschalters weist eine erste Rückführ einrichtung auf, die nach Maßgabe der Änderung einer ersten Ausgangsgröße des Halbleiterschalters ein erstes Signal er zeugt, nach dessen Maßgabe der Halbleiterschalter angesteu ert wird. An den Steuer-Anschluß des Halbleiterschalters werden diskrete Impulse angelegt, die den Halbleiterschal ter steuern. Das erste Signal wird diesem Impuls-Signal überlagert, beispielsweise additiv bzw. Subtraktiv, und korrigiert so die Steuergröße des Halbleiterschalters. Der Halbleiterschalter kann ein Feldeffekttransistor (FET), insbesondere ein MOSFET sein. Dann ist der Steuer-Anschluß der Gate-Anschluß. Die Ausgangsgrößen können dann die Span nung am Leistungsanschluß, also je nach Beschaltung die Drain-Spannung U_D oder die Source-Spannung U_S, und/oder der Source-Strom bzw. Drain-Strom (Transistor- Strom) I_S sein. Eine dieser Ausgangsgrößen kann der ersten Rückführeinrich tung als erste Eingangsgröße zugeführt werden, wobei die erste Rückführeinrichtung dann das nach Maßgabe der Ände rung dieser ersten Eingangsgröße ermittelte erste Signal z. B. zum Gate-Anschluß zurückführt.The device for setting a pulse edge at the output of a semiconductor switch has a first feedback device which, according to the change in a first output variable of the semiconductor switch, generates a first signal according to which the semiconductor switch is activated. At the control terminal of the semiconductor switch, discrete pulses are applied which control the semiconductor switch. The first signal is superimposed on this pulse signal, for example additively or subtractively, and thus corrects the control variable of the semiconductor switch. The semiconductor switch can be a field effect transistor (FET), in particular a MOSFET. Then the control connection is the gate connection. The output variables can then be the voltage at the power connection, that is, depending on the wiring, the drain voltage U _D or the source voltage U _S , and / or the source current or drain current (transistor current) I _S. One of these output variables can be fed to the first feedback device as the first input variable, the first feedback device then receiving the first signal determined according to the change in this first input variable z. B. leads back to the gate connection.

Weiterhin kann eine zweite Rückführeinrichtung vorgesehen sein, die nach Maßgabe der Änderung einer zweiten Ausgangs größe des Halbleiterschalters ein zweites Signal erzeugt, nach dessen Maßgabe der Halbleiterschalter ebenfalls ange steuert wird. Bei einem MOSFET als Schalter kann die andere der obengenannten Ausgangsgrößen der zweiten Rückführein richtung als zweite Eingangsgröße zugeführt werden, wobei die zweite Rückführeinrichtung dann das nach Maßgabe der Änderung der zweiten Eingangsgröße ermittelte zweite Signal z. B. ebenfalls zum Gate-Anschluß zurückführt.Furthermore, a second feedback device can be provided be in accordance with the change of a second output size of the semiconductor switch generates a second signal, according to its stipulation, the semiconductor switch is also indicated is controlled. With one MOSFET as a switch, the other can the above-mentioned output variables of the second feedback direction are supplied as a second input variable, wherein the second feedback device then according to the Change in the second input variable determined second signal e.g. B. also leads back to the gate connection.

Vorzugsweise werden das erste und/oder das zweite Signal zur Ansteuerung des Halbleiterschalters den diskreten Im pulsen gegengekoppelt, d. h. von diesen abgezogen.The first and / or the second signal are preferred to control the semiconductor switch the discrete Im pulsing negative feedback, d. H. subtracted from these.

Vorzugsweise ist die Vorrichtung zur Einstellung von Flan ken von digitalen, insbesondere PWM-Impulsen vorgesehen, die entsprechend einem Steuersignal aus einer PWM-Endstufe erzeugt werden können. Diese dienen dann z. B. in der KFZ-Technik zur Ansteuerung eines Bremskraftverstärkers. Es gibt jedoch auch viele andere Möglichkeiten, mit Impulsen gesteuerte Halbleiterschalter zum Schalten von elektroni schen Einrichtungen einzusetzen. Als besonders vorteilhaft haben sich dabei MOSFETs als Halbleiterschalter erwiesen, da diese in der Lage sind, schnell zu schalten. The device for setting the flan is preferred ken provided by digital, in particular PWM pulses, which correspond to a control signal from a PWM output stage can be generated. These then serve z. B. in the Automotive technology for controlling a brake booster. It However, there are many other ways with impulses Controlled semiconductor switches for switching electronics facilities. To be particularly advantageous MOSFETs have proven to be semiconductor switches, because they are able to shift quickly.

Vorteilhaft ist es, wenn die erste und/oder die zweite Rückführeinrichtung eine Differenziereinrichtung aufweist, die auf starke Änderungen der jeweiligen Ausgangsgröße hin ein großes Signal und auf kleine Änderungen der jeweiligen Ausgangsgröße hin ein kleines Signal erzeugt. Demnach er gibt sich bei einer Ausgangsgröße mit einer steilen Flanke ein großes Signal, das z. B. der steilen Flanke am Steuer- Anschluß gegengekoppelt wird und damit dort die Flanken steilheit und als Folge davon auch die Flankensteilheit der Ausgangsgröße verringert.It is advantageous if the first and / or the second Feedback device has a differentiating device, that indicate strong changes in the respective output size a big signal and on small changes of each Output signal generates a small signal. So he gives itself with an output variable with a steep edge a big signal that e.g. B. the steep flank at the steering Connection is negative and thus there the edges steepness and, as a result, the steepness of the slope Output size decreased.

Die Differenziereinrichtung kann ein Kondensator sein, der z. B. die Drain-Spannung U_D differenziert. Die Differen ziereinrichtung kann auch ein als Differenzierer geschalte ter Operationsverstärker (OP) sein, der z. B. den Transi storstrom I_S differenziert. Sind zwei Rückführeinrichtungen vorhanden, die jeweils eine Differenziereinrichtung aufwei sen, so können sowohl die Spannung U_D als auch der Strom I_S differenziert werden.The differentiator can be a capacitor, the z. B. differentiates the drain voltage U _D. The Differen ornamental device can also be a switched as a differentiator ter operational amplifier (OP), the z. B. differentiates the Transi storstrom I _S. If two feedback devices are present, each having a differentiating device, then both the voltage U _D and the current I _S can be differentiated.

Weiterhin ist es möglich, die diskreten Impulse mit den steilen Flanken und/oder das erste und/oder zweite Signal aus der jeweiligen Rückführeinrichtung über einen Treiber zu führen. Dieser kann z. B. eine Push-Pull-Stufe sein. Das Ausgangssignal des Treibers stellt dann die Impulse zum Steuern des Halbleiterschalters zur Verfügung.It is also possible to use the discrete pulses steep edges and / or the first and / or second signal from the respective feedback device via a driver respectively. This can e.g. B. be a push-pull stage. The The driver's output signal then provides the pulses Control of the semiconductor switch available.

Verschiedene Ausführungsformen der Erfindung werden nun an hand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbei spielen näher erläutert. Dabei zeigen:Various embodiments of the invention will now appear hand of the execution shown in the drawings play explained in more detail. Show:

Fig. 1 einen mit Impulsen angesteuerten MOSFET-Schalter nach Stand der Technik, Fig. 1 is a driven with pulses MOSFET switches according to prior art,

Fig. 2 ein Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Ausfüh rungsform, Fig. 2 form approximately a block diagram of an exporting according to the invention,

Fig. 3 beispielhaft impulsförmige Signalverläufe, wenn die erfindungsgemäße Vorrichtung mit einem MOSFET- Schalter eingesetzt wird, und Fig. 3 shows an example of pulse-shaped waveforms when the device according to the invention is used with a MOSFET switch, and

Fig. 4 ein elektrisches Schaltbild einer erfindungsgemäßen Ausführungsform. Fig. 4 is an electrical circuit diagram of an embodiment according to the invention.

Fig. 2 zeigt ein Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Ausführungsform der Vorrichtung zum Einstellen einer Im pulsflanke am Ausgang eines MOSFET 10. Die beiden Ausgangs größen sind hier der Transistorstrom I_S und die Drain-Span nung U_D. Diese werden jeweils auf die Rückführeinrichtung 21 und 22 gegeben. An einem Summationspunkt 20 werden das impulsförmige Eingangssignal 11 und die Ausgangssignale der Rückführeinrichtungen 21 und 22 zusammengeführt. In diesem Fall werden die Ausgangssignale der Rückführeinrichtungen 21 und 22 vom Eingangssignal 11 abgezogen. Aus dem Summati onspunkt 20 wird ein Signal herausgeführt, das auf den Steuer-Anschluß G des MOSFET gegeben wird, um diesen anzu steuern. Der Ausgangstransistorstrom I_S wird wie bereits anhand von Fig. 1 beschrieben dem induktiven Bauteil 12 zu geführt. In diesem Beispiel ist die Versorgungsspannung des MOSFET positiv, sie kann jedoch auch bei einem anderen Transistor nach Bedarf negativ sein. Fig. 2 shows a block diagram of an embodiment of the invention the device for setting a pulse edge in the output of a MOSFET 10. The two output variables here are the transistor current I _S and the drain voltage U _D. These are applied to the feedback device 21 and 22, respectively. The pulse-shaped input signal 11 and the output signals of the feedback devices 21 and 22 are combined at a summation point 20 . In this case, the output signals of the feedback devices 21 and 22 are subtracted from the input signal 11 . From the Summati onpunkt 20 a signal is led out, which is given to the control terminal G of the MOSFET to control this. As already described with reference to FIG. 1, the output transistor current I _S is fed to the inductive component 12 . In this example, the supply voltage of the MOSFET is positive, but it can also be negative for another transistor if required.

Fig. 3 zeigt beispielhaft die Signalverläufe bei einer er findungsgemäßen Vorrichtung mit einem MOSFET als Halblei terschalter. Oben in der Figur ist der Transistorstrom I_S dargestellt. Der gestrichelte Verlauf I_S', zeigt den Strom verlauf ohne Anwendung der erfindungsgemäßen Flankenrege lung und die durchgezogene Linie den Verlauf von I_S bei An wendung der Erfindung. Die Flanken des durchgezogenen Ver laufs sind gegenüber denen des gestrichelten Verlaufs wie gefordert abgeflacht. Im unteren Teil der Fig. 3 sind der Spannungsverlauf U_DS über dem MOSFET 10 ohne (gestrichelt) und den Spannungsverlauf U_DS, (durchgezogen) bei Anwendung der Erfindung wiedergegeben. Fig. 3 shows an example of the waveforms in an inventive device with a MOSFET as a semiconductor switch. The transistor current I _{S is} shown at the top of the figure. The dashed course I _{S '} shows the current course without application of the Flankrege treatment according to the invention and the solid line the course of I _S when using the invention. The flanks of the solid course are flattened as required compared to those of the dashed course. In the lower part of FIG. 3, the voltage curve U _DS across the MOSFET 10 without (dashed) and the voltage curve U _DS , (solid) are shown when the invention is used.

Fig. 4 zeigt ein Schaltbild einer erfindungsgemäßen Vor richtung. Hierbei werden wie in Fig. 2 die Drain-Spannung U_D und der Source-Strom I_S jeweils der Rückführeinrichtung 21 und 22 zugeführt. Die Rückführeinrichtung 21 weist einen Kondensator 406 auf, der die Spannung U_D differenziert. Der Kondensatorstrom wird auf den Summationspunkt 20 gegeben. Die zweite Rückführeinrichtung 22 weist einen als Differen zierer geschalteten Operationsverstärker 411 auf. Der Strom I_S wird über einen kleinen Meßwiderstand 417 (Shunt) als Spannung abgegriffen und dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 411 über einen Widerstand 416 und ei nen Kondensator 415 zugeführt. Der nichtinvertierende Ein gang des OP wird auf einem Spannungspegel gehalten, der zwischen Masse und einer Versorgungsspannung V_CC liegt. Zwischen den Masseanschluß und den Versorgungsspannungsan schluß sind zwei Widerstände 413 und 414 geschaltet, zwi schen denen die Spannung für den nichtinvertierenden Ein gang des OP 411 abgegriffen wird. Zwischen nichtinvertie renden Eingang des OP 411 und den Masseanschluß ist außer dem ein Kondensator 412 geschaltet, der die Schwankungen der Versorgungsspannung V_CC ausgleicht. Zwischen den inver tierenden Eingang und den Ausgang des OP 411 ist ein Wider stand 410 geschaltet, und parallel dazu ist ein Kondensator 409 angeordnet. In Serie zum Ausgang des OP 411 sind ein Widerstand 408 und ein Kondensator 407 geschaltet, der die Ausgangsgröße der zweiten Rückführeinrichtung 22 von einem aus dem OP 411 kommenden Gleichstromanteil DC entkoppelt, so daß nur noch Wechselstromanteile AC an den Summations punkt 20 weitergegeben werden. Fig. 4 shows a circuit diagram of a device according to the invention. Here, as in FIG. 2, the drain voltage U _D and the source current I _S are fed to the feedback devices 21 and 22, respectively. The feedback device 21 has a capacitor 406 , which differentiates the voltage U _D. The capacitor current is given to the summation point 20 . The second feedback device 22 has an operational amplifier 411 connected as a differentiator. The current I _S is tapped as a voltage via a small measuring resistor 417 (shunt) and fed to the inverting input of the operational amplifier 411 via a resistor 416 and a capacitor 415 . The non-inverting input of the OP is kept at a voltage level which is between ground and a supply voltage V _CC . Between the ground connection and the supply voltage connection, two resistors 413 and 414 are connected, between which the voltage for the non-inverting input of the OP 411 is tapped. A capacitor 412 is also connected between the non-inverting input of the OP 411 and the ground connection, which compensates for the fluctuations in the supply voltage V _CC . A resistor 410 is connected between the inverting input and the output of the OP 411 , and a capacitor 409 is arranged in parallel. In series with the output of the OP 411 , a resistor 408 and a capacitor 407 are connected, which decouples the output variable of the second feedback device 22 from a DC component DC coming from the OP 411 , so that only AC components AC are passed on to the summation point 20 .

Der Summationspunkt 20 weist einen Widerstand 405 auf, über den das impulsförmige Eingangssignal 11 geführt wird. Zwi schen den Summationspunkt 20 und den MOSFET 10 ist ein Treiber 400 geschaltet. Dieser weist eine Push-Pull-Stufe auf, die aus zwei in Serie geschalteten Transistoren 401 und 404 mit dazwischengeschalteten Widerständen 402 und 403 aufweist. Die Steuer-Spannung U_G für den Steuer-Anschluß G des MOSFET wird zwischen diesen beiden Widerständen 402 und 403 abgegriffen. Der Treiber 400 wird ebenfalls mit einer Versorgungsspannung V_CC versorgt, die aber nicht notwendi gerweise gleich der Versorgungsspannung V_CC der OP-Schal tung sein muß.The summation point 20 has a resistor 405 , via which the pulse-shaped input signal 11 is conducted. A driver 400 is connected between the summation point 20 and the MOSFET 10 . This has a push-pull stage, which comprises two transistors 401 and 404 connected in series with resistors 402 and 403 connected in between. The control voltage U _G for the control terminal G of the MOSFET is tapped between these two resistors 402 and 403 . The driver 400 is also supplied with a supply voltage V _CC , which does not necessarily have to be equal to the supply voltage V _{CC of} the OP circuit.

Selbstverständlich sind andere Beschaltungsmöglichkeiten für die beiden Rückführeinrichtungen 21 und 22 denkbar. Ebenso können der Treiber 400 und der Summationspunkt 20 anders aufgebaut sein. Die Beschaltung der Ausführungsform in Fig. 4 ist derart, daß die Ausgangssignale der beiden Rückführeinrichtungen 21 und 22 dem Eingangssignal 11 ge gengekoppelt werden. In dieser Ausführungsform werden Strö me im Summationspunkt 20 addiert bzw. subtrahiert. Denkbar ist jedoch auch eine Addition/Subtraktion von Spannungen.Of course, other wiring options for the two feedback devices 21 and 22 are conceivable. Likewise, the driver 400 and the summation point 20 can be constructed differently. The circuitry of the embodiment in Fig. 4 is such that the output signals of the two feedback devices 21 and 22 are ge-coupled to the input signal 11 ge. In this embodiment, currents at the summation point 20 are added or subtracted. However, addition / subtraction of voltages is also conceivable.

Im allgemeinen ergibt sich die Steilheit der Ausgangsflan ken des Halbleiterschalters durch die Dimensionierung der einzelnen Bauteile der Rückführeinrichtungen 21 und 22. So mit kann durch geeignete Dimensionierung eine gewünschte Flankensteilheit erreicht werden. Dabei besteht das Ein gangssignal 11 aus diskreten Impulsen, die Impulse unter schiedlicher Länge und/oder unterschiedlicher Höhe sein können. Dieses hängt vom jeweiligen Anwendungsfall ab. An statt eines MOSFET kann selbstverständlich auch ein norma ler FET oder auch einer anderer Transistortyp als Halblei terschalter eingesetzt werden. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese Art von Halbleiterschaltern begrenzt. Ste hen bei einem Halbleiterschalter mehr als zwei Ausgangsgrö ßen zur Verfügung, so sind dementsprechend auch mehr als zwei erfindungsgemäße Rückführeinrichtungen denkbar.In general, the slope of the output flanges of the semiconductor switch results from the dimensioning of the individual components of the feedback devices 21 and 22 . A suitable slope can be achieved with suitable dimensions. The input signal 11 consists of discrete pulses, which can be pulses of different lengths and / or different heights. This depends on the respective application. Instead of a MOSFET, a normal FET or another type of transistor can of course also be used as a semiconductor switch. However, the invention is not limited to this type of semiconductor switch. If more than two output variables are available in a semiconductor switch, more than two feedback devices according to the invention are accordingly conceivable.

Der Vorteil der Erfindung besteht darin, daß sie nicht für einen bestimmten Typ von Halbleiterschalter vorgesehen ist und sie zudem aus wenigen diskreten Bauteilen aufgebaut und dimensioniert werden kann.The advantage of the invention is that it is not for a certain type of semiconductor switch is provided and also built from a few discrete components and can be dimensioned.

Es ist denkbar, daß die Rückführeinrichtungen 21 und 22 di gital ausgeführt werden. Durch entsprechende Ana log/Digital-Wandler bzw. Digital/Analog-Wandler könnten die jeweils entstehenden Größen aneinander angepaßt werden. Da bei könnten der Summationspunkt und/oder der Treiber eben falls digital ausgeführt werden. Hardwaremäßig könnten die Komponenten dann gleich im PWM-Steuer-Chip vorgesehen sein, der dann Flanken der gewünschten Form erzeugen würde. Ein solcher Chip würde dann Eingänge (analog oder digital) für die erforderlichen analogen oder digitalen Größen der Si gnalrückführung benötigen.It is conceivable that the return devices 21 and 22 are designed di gital. Appropriate ana log / digital converter or digital / analog converter could be used to adapt the resulting sizes to one another. The summation point and / or the driver could also be executed digitally. In terms of hardware, the components could then be provided in the PWM control chip, which would then produce flanks of the desired shape. Such a chip would then require inputs (analog or digital) for the required analog or digital quantities of the signal feedback.

Claims

1. Device for setting a pulse edge at the output of a semiconductor switch, the control connection of which can be controlled in accordance with discrete pulses, characterized by a first feedback device ( 21 , 22 ), which in accordance with the change in a first output variable of the semiconductor switch, a first signal generated, according to which the semiconductor switch is controlled.

2. Device according to claim 1, characterized by a second feedback device ( 22 , 21 ) which generates a second signal in accordance with the change in a second output variable of the semiconductor switch, in accordance with which the semiconductor switch is controlled.

3. Device according to claim 1 or 2, characterized records that the first and / or second signal to the Control of the semiconductor switch is fed back.

4. Device according to one of the preceding claims, there characterized in that the semiconductor switch FET is.

5. The device according to claim 4, characterized in that the first output variable of the FET is the drain voltage (U _D ) or the transistor current (I _S ).

6. Apparatus according to claim 5 and 2, characterized in that the second output variable of the FET is the other of the drain voltage (U _D ) and transistor current (I _S ).

7. Device according to one of the preceding claims, there characterized in that they are used to set Flan ken of digital, especially PWM pulses is.

8. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the first and / or the second feedback device ( 21 , 22 ) has a differentiating device.

9. Device according to one of the preceding claims and claim 5, characterized in that then
if the first output variable is the drain voltage (U _D ), the first feedback device ( 21 ) has a capacitor ( 406 ) which is connected to the drain terminal (D), and then,
if the first output of the transistor current (I _S), the first feedback means (22) comprises a ferenzierer as Dif-connected operational amplifier (411), wherein between the inverting input of the operational amplifier and the source terminal (S), a capacitor (415 ) is connected and between the output and the inverting input of the operational amplifier ( 411 ) there is a resistor ( 410 ).

10. The device according to claim 9 and 6, characterized in that the second feedback device ( 21 , 22 ) the other of the capacitor ( 415 ) and as a differentiator switched operational amplifier ( 411 ).

11. The device according to claim 9 or 10, characterized in that a capacitor ( 407 ) is connected in series to the output of the operational amplifier.

12. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the discrete pulses and / or the first signal via a driver ( 400 ) leads GE.

13. The apparatus of claim 12 and 2, characterized in that the second signal via the driver ( 400 ) is performed.

14. The apparatus according to claim 12 or 13, characterized records that the driver has a push-pull level points.