DE19842709A1 - Polishing liquid for polishing components, preferably wafers, in particular for chemical-mechanical polishing of such components - Google Patents

Polishing liquid for polishing components, preferably wafers, in particular for chemical-mechanical polishing of such components

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Abstract

The invention relates to a polishing liquid for polishing components, preferably wafers, especially for chemically-mechanically polishing components of this type, and to a method for producing the polishing liquid. The inventive polishing liquid has a polishing base liquid and an oxidising agent. The aim of the invention is to provide an economical polishing agent which is also simple to produce, which can be used as an alkaline or acidic polishing agent and with which metallic layers in particular can be polished. To this end, ozone is used as an oxidising agent. Ozone is a strong oxidising agent whose redox potential is sufficient for oxidising or polishing the metals used in an acidic or alkaline environment.

Description

Die Erfindung betrifft eine Polierflüssigkeit zum Polieren von Bauelementen, vorzugsweise Wafern, insbesondere zum Che­ misch-Mechanischen Polieren derartiger Bauelemente, mit einer Polier-Grundflüssigkeit und einem Oxidationsmittel. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung sowie verschiedene Verwendungsmöglichkeiten für eine solche Polier­ flüssigkeit.The invention relates to a polishing liquid for polishing of components, preferably wafers, especially for Che Mix-mechanical polishing of such components, with a Polishing base liquid and an oxidizing agent. Farther The invention relates to a method for manufacturing as well different uses for such a polishing liquid.

In der Halbleiterindustrie führen immer kleiner werdende Strukturen zu immer höher werdenden Anforderungen an die Planarität der zu bearbeitenden Oberflächen von Bauteilen. Ein gängiges Verfahren zur Herstellung von planaren Oberflä­ chen ist beispielsweise das Chemisch-Mechanische Polieren (CMP). Bei diesem Verfahren werden mittels einer schleifmit­ telhaltigen Polierflüssigkeit (auch Slurry genannt) bestimmte Materialien über vorher strukturierten Flächen abgetragen.Leading in the semiconductor industry are getting smaller and smaller Structures for ever increasing demands on the Planarity of the surfaces of components to be machined. A common process for the production of planar surfaces Chen is, for example, chemical mechanical polishing (CMP). In this process, grinding tools are used certain polishing liquid (also called slurry) Removed materials over previously structured surfaces.

Insbesondere wenn Metallschichten poliert werden, muß den Po­ lierflüssigkeiten ein Oxidationsmittel zugesetzt werden. Da­ durch wird die Oberfläche chemisch angeätzt und die nun oxi­ dierte Metalloberfläche kann mechanisch abgetragen werden, bzw. geht in Lösung. Oxidationsmittel ermöglichen somit einen kontrollierten Metallabtrag mit ausreichend hoher Geschwin­ digkeit.Especially when metal layers are polished, the bottom an oxidizing agent. There through the surface is chemically etched and the now oxi dated metal surface can be removed mechanically, or goes into solution. Oxidizing agents thus allow one controlled metal removal at a sufficiently high speed efficiency.

Bisher werden als Oxidationsmittel entweder Wasserstoffper­ oxid (H2O2) oder Salze von Elementen mit hoher Oxidationsstu­ fe (z. B. Fe(III), Ce(IV), (S2O8)2-) eingesetzt. Diese Substan­ zen weisen allerdings unter dem Gesichtspunkt der einfachen Handhabung unter Produktionsbedingungen eine Reihe von Nach­ teilen auf. So far, either hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) or salts of elements with a high oxidation level (e.g. Fe (III), Ce (IV), (S 2 O 8 ) 2- ) have been used as the oxidizing agent. However, from the point of view of simple handling under production conditions, these substances have a number of parts.

Wasserstoffperoxid ist instabil, wobei der Zerfall bei Anwe­ senheit kleinster Metallverunreinigungen oder durch Lichtein­ wirkung beschleunigt wird. Dadurch wird eine kontinuierliche Versorgung der Poliervorrichtungen mit einer Polierflüssig­ keit konstanter H2O2-Konzentration (insbesondere bei Einsatz einer zentralen Chemikalienversorgung) erschwert, bzw. unter Umständen unmöglich. Eine Zugabe der Polierflüssigkeit in di­ rekter Umgebung des zu polierenden Bauelements (point of use), wie sie auf Grund der Instabilität des Peroxids sinn­ voll ist, erfordert Anlagen zur Mischung und Lagerung der Flüssigkeiten in unmittelbarer Nähe der Fertigungsanlagen. Diese Lösung ist jedoch aus unterschiedlichen Gründen nicht immer erwünscht.Hydrogen peroxide is unstable, and decay is accelerated when even the smallest metal contaminants are present or when exposed to light. This makes a continuous supply of the polishing devices with a polishing liquid constant H 2 O 2 concentration (especially when using a central chemical supply) difficult or possibly impossible. Adding the polishing liquid in the immediate vicinity of the component to be polished (point of use), as makes sense due to the instability of the peroxide, requires systems for mixing and storing the liquids in the immediate vicinity of the production systems. However, this solution is not always desirable for various reasons.

Die Zumischung von Feststoffen, wie Salzen oder dergleichen, ist oft aufwendiger als die von Flüssigkeiten, und deren Lös­ lichkeit ist vielfach PH-Wert abhängig. So bilden Metalle in neutralem und alkalischem Medium schwer lösliche Hydroxide die sich in der Poliervorrichtung und in Zuleitungen abset­ zen, so daß zusätzliche Reinigungsmaßnahmen nötig werden. Der Einsatzbereich von Schwermetallsalzen (wie beispielsweise Fe(III)-Nitrat, Ammoniumcer(IV)-Nitrat) ist somit aus den oben genannten Gründen auf saure Polierflüssigkeiten be­ schränkt. Alkalische Poliermittel, die beispielsweise bezüg­ lich Stabilität, Selektivität, mechanischer Abtrag oder der­ gleichen bessere Eigenschaften aufweisen können, können nicht verwendet werden. Außerdem muß die Entsorgung der metallhal­ tigen Abwässer sichergestellt sein.The admixture of solids, such as salts or the like, is often more complex than that of liquids and their dissolution The pH value is often dependent. This is how metals in neutral and alkaline medium poorly soluble hydroxides that settles in the polishing device and in feed lines zen, so that additional cleaning measures are necessary. The area of application of heavy metal salts (such as Fe (III) nitrate, ammonium cer (IV) nitrate) is therefore from the reasons mentioned above on acidic polishing liquids limits. Alkaline polish, for example Lich stability, selectivity, mechanical removal or the same can have better properties, can not be used. In addition, the disposal of the metallhal waste water.

Ausgehend vom genannten Stand der Technik liegt der vorlie­ genden Erfindung die Aufgabe zu Grunde, eine Polierflüssig­ keit sowie ein Verfahren zu deren Herstellung bereitzustel­ len, mit der die beschriebenen Nachteile vermieden werden. Insbesondere soll eine Polierflüssigkeit geschaffen werden, die auf einfache und kostengünstige Weise herstellbar ist und die sowohl als alkalische, als auch als saure Polierflüssig­ keit einsetzbar ist.Based on the state of the art, the present Invention underlying the task of a polishing liquid speed and a process for their production len, with which the disadvantages described are avoided. In particular, a polishing liquid should be created which is simple and inexpensive to manufacture and  which are both alkaline and acidic polishing liquids speed can be used.

Die Aufgabe wird gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung durch eine Polierflüssigkeit der eingangs genannten Art gelöst, wo­ bei das verwendete Oxidationsmittel Ozon (O3) ist.According to the first aspect of the invention, the object is achieved by a polishing liquid of the type mentioned at the beginning, where the oxidizing agent used is ozone (O 3 ).

Hierdurch wird eine Polierflüssigkeit mit oxidierenden Eigen­ schaften geschaffen, die zum Polieren von Bauelementen, wie Wafern oder dergleichen, und insbesondere zum Chemisch-Me­ chanischen Polieren derartiger Bauelemente, eingesetzt werden kann. Das Ozon ist ein starkes Oxidationsmittel, dessen Re­ dox-Potential sowohl in saurer als auch in alkalischer Umge­ bung ausreichend ist, um die Bauelemente zu polieren. Insbe­ sondere, wenn Metallschichten poliert werden sollen, ist das Ozon auf besondere Weise geeignet, die verwendeten Metalle zu oxidieren.This makes a polishing liquid with an oxidizing property Shafts created for polishing components such as Wafers or the like, and in particular for chemical measurement mechanical polishing of such components can. Ozone is a strong oxidizing agent, the Re dox potential in both acidic and alkaline environments is sufficient to polish the components. In particular special if metal layers are to be polished is Ozone particularly suitable for the metals used oxidize.

Durch die erfindungsgemäße Polierflüssigkeit wird es möglich, daß als Polier-Grundflüsskeit grundsätzlich jede für den je­ weiligen Anwendungsfall geeignete Polierflüssigkeit ausge­ wählt werden kann, die dann mit Ozon versetzt wird. Da sowohl die Redox- als auch die Zerfallsreaktionen des Ozons rück­ standsfrei erfolgen, ist eine spezielle Behandlung des Abwas­ sers nicht notwendig.The polishing liquid according to the invention makes it possible that as a basic polishing liquid, basically everyone for everyone suitable application polishing liquid can be selected, which is then mixed with ozone. Because both the redox and decay reactions of the ozone is a special treatment of waste water sers not necessary.

Ozon bildet sich gemäß der nachfolgenden Gleichung 1 und weist eine Zerfallreaktion gemäß Gleichung 2 auf:
Ozone is formed according to equation 1 below and has a decay reaction according to equation 2:

(Gleichung 1) 2O3 ↔ 3O2
(Gleichung 2) O3 ↔ O2 + O
(Equation 1) 2O 3 ↔ 3O 2
(Equation 2) O 3 ↔ O 2 + O

Die Wirkungsweise von ozonisierten Polierflüssigkeiten zum Polieren von Metallschichten läßt sich im Allgemeinen durch die nachfolgenden Gleichungen 3 bis 6 darstellen. Zunächst wird das Ozon unter Bildung von H2O und O2 gemäß der Glei­ chung 3
The mode of operation of ozonized polishing liquids for polishing metal layers can generally be represented by equations 3 to 6 below. First, the ozone is formed to form H 2 O and O 2 according to equation 3

(Gleichung 3) O3 + 2H+ + 2e- ↔ H2O + O2
(Equation 3) O 3 + 2H + + 2e - ↔ H 2 O + O 2

reduziert. Weiterhin wird der als Zerfallsprodukt des Ozons gebildete atomare Sauerstoff gemäß der Gleichung 4
reduced. Furthermore, the atomic oxygen formed as the decay product of the ozone becomes according to equation 4

(Gleichung 4) O + 2H+ + 2e- ↔ H2O
(Equation 4) O + 2H + + 2e - ↔ H 2 O

reduziert.reduced.

Die Oxidation eines zu polierenden Metalls zu MeX+ erfolgt nach der Gleichung 5
The oxidation of a metal to be polished to MeX + takes place according to equation 5

(Gleichung 5) Me0 ↔ Mex+ + xe-
(Equation 5) Me 0 ↔ Me x + + xe -

Aus den vorstehenden Gleichungen ergibt sich somit für die Wirkungsweise der ozonisierten Polierflüssigkeit die folgende Gesamtreaktion:
From the above equations, the following overall reaction results for the mode of action of the ozonized polishing liquid:

(Gleichung 6) x/2O3 + xH+ + Me0 ↔ Mex+ + x/2H2O + x/2O2 (Equation 6) x / 2O 3 + xH + + Me 0 ↔ Me x + + x / 2H 2 O + x / 2O 2

Bevorzugte Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Polier­ flüssigkeit ergeben sich aus den Unteransprüchen.Preferred embodiments of the polishing according to the invention liquid result from the subclaims.

Erfindungsgemäß ist die Polier-Grundflüssigkeit eine kolloi­ dale Lösung kleiner Festkörperteilchen in einem alkalischen oder sauren Medium. Derartige Lösungen sind kommerziell er­ hältlich und können je nach Bedarf und Anwendungsfall ent­ sprechend ausgewählt werden.According to the polishing base liquid is a colloid dale solution of small solid particles in an alkaline or acidic medium. Such solutions are commercial and can be used depending on the need and application be selected speaking.

Bei dem Oxidationsmittel handelt es sich vorteilhaft um in Wasser gelöstes Ozon.The oxidizing agent is advantageously in Water dissolved ozone.

Das Ozon kann im sauren Bereich ein Redox-Potential von < 2,0 V aufweisen. Bevorzugt weist das Ozon ein Redox-Potential von + 2,075 V auf. The ozone can have a redox potential of <2.0 in the acidic range V. The ozone preferably has a redox potential of + 2.075 V.  

Weiterhin kann das Ozon im alkalischen Bereich ein Redox- Potential von < 1,2 V aufweisen. Bevorzugt weist das Ozon ein Redox-Potential von + 1,246 V auf.Furthermore, the ozone in the alkaline range can be a redox Have potential of <1.2 V. The ozone preferably has Redox potential of + 1.246 V.

Das Redox-Potential von Ozon ist somit sowohl im sauren als auch im alkalischen Bereich groß genug, um auch schwerer oxi­ dierbare Metallschichten, wie z. B. Kupfer oder dergleichen, angreifen zu können. Die Redox-Potentiale gebräuchlicher Oxi­ dationsmittel in wäßrigen Lösungen im Vergleich mit Ozon er­ geben sich aus der nachfolgenden Tabelle 1.The redox potential of ozone is therefore both in acidic and also large enough in the alkaline range to handle even heavy oxi Dable metal layers, such as. B. copper or the like, to be able to attack. The redox potentials of common oxi dationsmittel in aqueous solutions in comparison with ozone he are given in Table 1 below.

Tabelle 1 Table 1

Erfindungsgemäß kann die Menge des benötigten Ozons zwischen 0,2 g und 0,5 g betragen.According to the invention, the amount of ozone required can be between 0.2 g and 0.5 g.

Diese benötigte Menge ergibt sich aus der Tatsache, daß die Löslichkeit von Ozon in Wasser maximal 49 Volumen-% beträgt, das entspricht etwa 1 g/l. Es muß sichergestellt sein, daß die gelöste Menge an Ozon ausreicht, um den gewünschten Me­ tallabtrag zu erzielen. In der nachfolgenden Tabelle 2 sind die maximal benötigten Mengen an verschiedenen Oxidationsmit­ teln für den kompletten chemischen Umsatz (d. h. die Oxidati­ on) von 1 µm dicken Metallschichten auf 8-Inch. Wafern angege­ ben. Bei einem durchschnittlichen Polierflüssigkeitsverbrauch von 500 ml je zu polierendem Wafer ergibt sich die maximal notwendige Menge an Ozon wie folgt:This required amount results from the fact that the The maximum solubility of ozone in water is 49% by volume. this corresponds to about 1 g / l. It must be ensured that the dissolved amount of ozone is sufficient to achieve the desired me to achieve tall ablation. Table 2 below are the maximum required amounts of different Oxidationsmit means for the complete chemical conversion (i.e. the oxidati on) from 1 µm thick metal layers to 8 inches. Wafers specified ben. With average polishing fluid consumption The maximum is 500 ml per wafer to be polished required amount of ozone as follows:

Tabelle 1 Table 1

In bevorzugter Weise kann die erfindungsgemäße Polierflüssig­ keit zum Polieren, insbesondere zum Chemisch-Mechanischem Po­ lieren von Metallschichten und/oder Kontaktschichten und/oder Haftschichten von Bauelementen, insbesondere Wafern, verwen­ det werden.The polishing liquid according to the invention can preferably be liquid speed for polishing, especially for chemical-mechanical buttocks lieren of metal layers and / or contact layers and / or Use adhesive layers of components, especially wafers be det.

Dabei können die genannten Schichten insbesondere aus einem Material bestehen, das aus der Gruppe Aluminium, Wolfram, Kupfer, Titan, Titannitrid, Tantal, Tantalnitrid ausgewählt ist. Natürlich können mit der erfindungsgemäßen Polierflüs­ sigkeit auch andere Metalle poliert werden.The layers mentioned can in particular consist of one Material consisting of the group aluminum, tungsten, Copper, titanium, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride selected is. Of course, with the polishing fluids according to the invention other metals can also be polished.

Erfindungsgemäß kann die Polierflüssigkeit zur Kontaktstruk­ turierung und/oder Leiterbahnstrukturierung von Wafern ver­ wendet werden.According to the polishing liquid for contact structure veration and / or patterning of wafers be applied.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Polierflüssigkeit zum Polieren von Bau­ elementen, vorzugsweise Wafern, insbesondere einer wie vor­ stehend beschriebenen erfindungsgemäßen Polierflüssigkeit be­ reitgestellt, das durch folgende Schritte gekennzeichnet ist:
According to a further aspect of the invention, a method for producing a polishing liquid for polishing components, preferably wafers, in particular a polishing liquid according to the invention as described above, is provided, which is characterized by the following steps:

  • a) Bereitstellen einer Polier-Grundflüssigkeit, die vorzugs­ weise als kolloidale Lösung kleiner Festkörperteilchen in ei­ nem alkalischen oder sauren Medium ausgebildet ist;a) Providing a polishing base liquid, the preferred as a colloidal solution of small solid particles in egg is formed in an alkaline or acidic medium;
  • b) Erzeugen von gasförmigem Ozon als Oxidationsmittel, insbe­ sondere mittels eines Ozon-Generators; undb) generation of gaseous ozone as an oxidizing agent, esp in particular by means of an ozone generator; and
  • c) Einbringen des gasförmigen Ozons in die Polier-Grund­ flüssigkeit.c) Introducing the gaseous ozone into the polishing base liquid.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann auf einfache und kostengünstige Weise eine Polierflüssigkeit hergestellt wer­ den, die sowohl als alkalische als auch als saure Polierflüs­ sigkeit einsetzbar ist und die insbesondere zum Polieren von Metallen geeignet ist. Zu den Vorteilen, Wirkungen, Effekten und der Funktionsweise des erfindungsgemäßen Verfahrens wird auf die vorstehenden Ausführungen zur Polierflüssigkeit sowie deren Verwendung vollinhaltlich Bezug genommen und hiermit verwiesen.By the method according to the invention, simple and inexpensive way to produce a polishing liquid the ones that are both alkaline and acidic polishing fluids liquid can be used and in particular for polishing Metals is suitable. The advantages, effects, effects and the functioning of the method according to the invention on the above explanations on the polishing liquid and full reference to their use and hereby referred.

Das als Oxidationsmittel dienende Ozon kann als gasförmiges Ozon zunächst in einem Ozon-Generator erzeugt und an geeigne­ ter Stelle der Polierflüssigkeit zugesetzt werden. Entspre­ chende Anlagen zum Vermischen von Chemikalienlösungen mit Ozon (auch Spiking genannt) sind kommerziell erhältlich und können in unmittelbarer Nähe der Poliervorrichtung positio­ niert werden. Besondere Anlagen zur Zumischung und Lagerung von Flüssigkeiten in der Nähe der Poliervorrichtungen, wie sie beispielsweise im Stand der Technik erforderlich sind, können somit entfallen. Bereits bestehende zentrale Versor­ gungsanlagen für Polierflüssigkeit können ohne besonderen konstruktiven Aufwand nachgerüstet werden. Dazu ist lediglich der Aufbau eines Ozon-Generators und entsprechender sicher­ heitstechnischer Einrichtungen, sowie eine Dosiereinheit not­ wendig. Eine Neu- oder Zusatzverrohrung der Zentralversorgung entfällt.The ozone serving as the oxidizing agent can be in the form of a gas Ozone is first generated in an ozone generator and then suitable ter place of the polishing liquid are added. Correspond suitable systems for mixing chemical solutions with Ozone (also called spiking) is commercially available and can positio in the immediate vicinity of the polishing device be kidneyed. Special plants for admixing and storage of liquids near the polishers, such as they are required, for example, in the prior art, can thus be omitted. Existing central supplier systems for polishing liquid can be used without any special constructive effort can be retrofitted. This is only the construction of an ozone generator and corresponding safe equipment, as well as a dosing unit agile. A new or additional piping for the central supply not applicable.

Durch die vorliegende Erfindung wird durch die Verwendung von Ozon als Oxidationsmittel zunächst eine besonders vorteilhaf­ te Polierflüssigkeit gebildet. Weiterhin kann eine in-situ Erzeugung und anschließende Zugabe des Ozons direkt in der Nähe der Poliervorrichtungen erfolgen. Schließlich ist eine Nachrüstung bereits bestehender Zentralversorgungen ohne Schwierigkeiten und konstruktiven Aufwand möglich. The present invention is characterized by the use of Ozone as an oxidizing agent is particularly advantageous te polishing liquid formed. Furthermore, an in-situ Generation and subsequent addition of ozone directly in the Close to the polishing devices. After all, one is Retrofitting existing central supplies without Difficulties and constructive effort possible.  

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:The invention will now be described on the basis of exemplary embodiments Reference to the accompanying drawing explained. It demonstrate:

Fig. 1a und 1b in schematischer Ansicht einen Wafer, der mit der erfindungsgemäßen Polierflüssigkeit poliert wurde; und 1a and 1b show a schematic view of a wafer which was polished with the polishing liquid of the invention. and

Fig. 2a und 2b in schematischer Ansicht ein weiteres Aus­ führungsbeispiel eines mit der erfindungsgemäßen Polierflüs­ sigkeit polierten Wafers. FIGS. 2a and 2b in a schematic view a further example of a guide from sigkeit polished wafer with the inventive Polierflüs.

In der Fig. 1a ist ein Wafer 10 dargestellt, der unter Ver­ wendung einer wie oben beschriebenen erfindungsgemäßen ozon­ haltigen Polierflüssigkeit Chemisch-Mechanisch poliert werden soll. Der Wafer 10 besteht aus einer Siliziumschicht 11 als Grundschicht, in der eine Metallschicht 12 eingelassen ist. Auf der Oberfläche der Siliziumschicht 12 sowie in einer Aus­ sparung derselben befindet sich eine Wolframschicht 14, die über eine Kontakt- und Haftschicht 13 mit der Siliziumschicht 11 und der Metallschicht 12 verbunden ist.In Fig. 1a, a wafer 10 is shown which under Ver application of such ozone-containing polishing liquid of the invention described above is to be chemically mechanically polished. The wafer 10 consists of a silicon layer 11 as the base layer, in which a metal layer 12 is embedded. On the surface of the silicon layer 12 and in a cutout there is a tungsten layer 14 which is connected to the silicon layer 11 and the metal layer 12 via a contact and adhesive layer 13 .

Zur Entfernung des überschüssigen Wolframs wird der Wafer 10 mit Hilfe der ozonhaltigen Polierflüssigkeit Chemisch-Me­ chanisch poliert. Die resultierende Waferkonfiguration ist in Fig. 1b dargestellt. Wie aus dieser Figur ersichtlich ist, bilden die Überreste der Wolframschicht 13, die nach Beendi­ gung des Poliervorgangs in der Aussparung der Siliziumschicht 11 verblieben sind, einen Kontakt 15, über den die Metall­ schicht 12 von außerhalb der Siliziumschicht 11 her kontak­ tiert werden kann.To remove the excess tungsten, the wafer 10 is mechanically polished with the help of the ozone-containing polishing liquid. The resulting wafer configuration is shown in Fig. 1b. As can be seen from this figure, the remains of the tungsten layer 13 , which remained in the recess of the silicon layer 11 after completion of the polishing process, form a contact 15 , via which the metal layer 12 can be contacted from outside the silicon layer 11 .

In Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für das Che­ misch-Mechanische Polieren eines Wafers 10 dargestellt. Wie insbesondere aus Fig. 2a ersichtlich ist, besteht der Wafer 10 wiederum aus einer Siliziumschicht 11 als Grundschicht, in der sich eine Metallschicht 12 befindet. Auf der Oberfläche der Siliziumschicht 11 sowie in einer Aussparung der Silizi­ umschicht 11 ist mittels einer Kontakt- und Haftschicht 13 eine Aluminiumschicht 16 angeordnet. Anstelle des Aluminiums kann beispielsweise auch Kupfer oder dergleichen verwendet werden.In Fig. 2, another embodiment for the Che mechanical-mechanical polishing of a wafer 10 is shown. As can be seen in particular from FIG. 2a, the wafer 10 again consists of a silicon layer 11 as the base layer, in which a metal layer 12 is located. An aluminum layer 16 is arranged on the surface of the silicon layer 11 and in a recess in the silicon layer 11 by means of a contact and adhesive layer 13 . Instead of aluminum, for example, copper or the like can also be used.

Durch das Chemisch-Mechanische Polieren mit der ozonhaltigen erfindungsgemäßen Polierflüssigkeit wird die Aluminiumschicht 16 auf der Oberfläche der Siliziumschicht 11 abgetragen. Tei­ le der Aluminiumschicht 16 verbleiben, wie dies in Fig. 2b dargestellt ist, nur noch in der in der Siliziumschicht 11 befindlichen Aussparung. Die verbliebenen Bereiche der Alumi­ niumschicht 16 bilden eine Kontakt/Leiterbahn-Struktur 17, über die die Metallschicht 12 mit anderen Bauelementen inner­ halb und außerhalb des Wafers 10 in Kontakt gebracht werden kann. The chemical-mechanical polishing with the ozone-containing polishing liquid according to the invention removes the aluminum layer 16 on the surface of the silicon layer 11 . Parts of the aluminum layer 16 remain, as shown in Fig. 2b, only in the recess in the silicon layer 11 . The remaining areas of the aluminum layer 16 form a contact / conductor structure 17 , via which the metal layer 12 can be brought into contact with other components inside and outside the wafer 10 .

BezugszeichenlisteReference list

1010th

Wafer
Wafer

1111

Siliziumschicht
Silicon layer

1212th

Metallschicht
Metal layer

1313

Kontaktschicht und/oder Haftschicht
Contact layer and / or adhesive layer

1414

Wolframschicht
Tungsten layer

1515

Kontakt- und Leiterbahnstruktur
Contact and trace structure

Claims (10)

1. Polierflüssigkeit zum Polieren von Bauelementen, vorzugs­ weise Wafern, insbesondere zum Chemisch-Mechanischen Polieren derartiger Bauelemente, mit einer Polier-Grundflüssigkeit und einem Oxidationsmittel, dadurch gekennzeichnet, daß das Oxidations­ mittel Ozon ist.1. polishing liquid for polishing components, preferably wafers, in particular for chemical-mechanical polishing of such components, with a polishing base liquid and an oxidizing agent, characterized in that the oxidizing agent is ozone. 2. Polierflüssigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Polier- Grundflüssigkeit eine kolloidale Lösung kleiner Festkörper­ teilchen in einem alkalischen oder sauren Medium ist.2. polishing liquid according to claim 1, characterized in that the polishing Basic fluid is a colloidal solution of small solids particles in an alkaline or acidic medium. 3. Polierflüssigkeit nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Oxidations­ mittel in Wasser gelöstes Ozon ist.3. polishing liquid according to claim 1 or 2, characterized in that the oxidation medium is ozone dissolved in water. 4. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Ozon im sauren Bereich ein Redox-Potential von <2,0 V aufweist.4. polishing liquid according to one of claims 1 to 3, characterized in that the ozone in acidic range has a redox potential of <2.0 V. 5. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Ozon im al­ kalischen Bereich ein Redox-Potential von <1,2 V aufweist.5. polishing liquid according to one of claims 1 to 4, characterized in that the ozone in al has a redox potential of <1.2 V. 6. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge des benötigten Ozons zwischen 0,2 g und 0,5 g beträgt.6. polishing liquid according to one of claims 1 to 5, characterized in that the amount of required ozone is between 0.2 g and 0.5 g. 7. Verwendung einer Polierflüssigkeit nach einem der Ansprü­ che 1 bis 6 zum Polieren, insbesondere zum Chemisch- Mechanischen Polieren von Metallschichten und/oder Kontakt­ schichten und/oder Haftschichten von Bauelementen, vorzugs­ weise Wafern. 7. Use of a polishing liquid according to one of the claims che 1 to 6 for polishing, especially for chemical Mechanical polishing of metal layers and / or contact layers and / or adhesive layers of components, preferably wafers.   8. Verwendung einer Polierflüssigkeit nach Anspruch 7 zum Po­ lieren von Metallschichten und/oder Kontaktschichten und/oder Haftschichten, die aus einem Material der Gruppe Aluminium, Wolfram, Kupfer, Titan, Titannitrid, Tantal, Tantalnitrid ge­ bildet sind.8. Use of a polishing liquid according to claim 7 to the bottom lieren of metal layers and / or contact layers and / or Adhesive layers made of a material from the group aluminum, Tungsten, copper, titanium, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride forms are. 9. Verwendung einer Polierflüssigkeit nach Anspruch 7 oder 8 zur Kontaktstrukturierung und/oder Leiterbahnstrukturierung von Wafern.9. Use of a polishing liquid according to claim 7 or 8 for contact structuring and / or conductor pattern structuring of wafers. 10. Verfahren zur Herstellung einer Polierflüssigkeit zum Po­ lieren von Bauelementen, vorzugsweise Wafern, insbesondere einer Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • a) Bereitstellen einer Polier-Grundflüssigkeit, die vorzugs­ weise als kolloidale Lösung kleiner Festkörperteilchen in ei­ nem alkalischen oder sauren Medium ausgebildet ist;
  • b) Erzeugen von gasförmigem Ozon als Oxidationsmittel, insbe­ sondere mittels eines Ozon-Generators; und
  • c) Einbringen des gasförmigen Ozons in die Polier-Grund­ flüssigkeit.
10. A method for producing a polishing liquid for polishing components, preferably wafers, in particular a polishing liquid according to one of claims 1 to 6, characterized by the following steps:
  • a) providing a polishing base liquid, which is preferably designed as a colloidal solution of small solid particles in an alkaline or acidic medium;
  • b) generating gaseous ozone as an oxidizing agent, in particular by means of an ozone generator; and
  • c) introducing the gaseous ozone into the polishing base liquid.
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