DE19818826A1 - Surface acoustic wave filter for mobile communications - Google Patents
Surface acoustic wave filter for mobile communicationsInfo
- Publication number
- DE19818826A1 DE19818826A1 DE1998118826 DE19818826A DE19818826A1 DE 19818826 A1 DE19818826 A1 DE 19818826A1 DE 1998118826 DE1998118826 DE 1998118826 DE 19818826 A DE19818826 A DE 19818826A DE 19818826 A1 DE19818826 A1 DE 19818826A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- saw filter
- transducers
- filter according
- track
- coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
- H03H9/6473—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes the electrodes being electrically interconnected
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
- H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
- H03H9/0057—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on the same side of the tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
- H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
- H03H9/0061—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on opposite sides of the tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14588—Horizontally-split transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14591—Vertically-split transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6459—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6459—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
- H03H9/6463—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded
- H03H9/6466—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded each track containing more than two transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
Mit der wachsenden Teilnehmerzahl bei zellularen Mobilfunksy stemen ist es erforderlich, neue Frequenzbänder zur Verfügung zu stellen, um den zunehmenden Bedarf an Frequenzbändern zu befriedigen. So weist beispielsweise das in Europa gebräuch liche GSM-System eine Bandbreite von 25 MHz im 900 MHz- Bereich auf. Für das als Nachfolger geplante E-GSM-System ist eine erweiterte Bandbreite von 35 MHz im gleichen Frequenzbe reich vorgesehen. Dabei werden auch die Abstände zwischen den vergebenen Bändern geringer. So verringert sich beispielswei se der Abstand zwischen Sende (Tx)-Band und Empfangs(Rx)-Band bei dem Schritt von GSM zu E-GSM von 20 MHz auf 10 MHz. Ähn lich breitbandige Systeme sind aber auch in Japan und welt weit im Bereich um 2GHz vorgesehen.With the growing number of participants in cellular mobile radio It is necessary to make new frequency bands available to meet the increasing need for frequency bands to satisfy. For example, this shows in Europe GSM system a bandwidth of 25 MHz in 900 MHz Area on. For the E-GSM system planned as a successor an extended bandwidth of 35 MHz in the same frequency range richly provided. The distances between the assigned bands less. For example, it decreases se the distance between the transmit (Tx) band and the receive (Rx) band in the step from GSM to E-GSM from 20 MHz to 10 MHz. Similar However, broadband systems are also found in Japan and around the world provided in the range around 2GHz.
Um Endgeräte nach diesem neuen E-GSM Standard zu entwerfen kann in der Regel die Architektur des GSM-Geräts weitgehend weiterverwendet werden. Ausgetauscht müssen allerdings sämt liche HF-Filter werden um der neuen größeren Bandbreite mit dem engeren Bandabstand bei E-GSM gerecht zu werden.To design end devices according to this new E-GSM standard usually the architecture of the GSM device largely continue to be used. However, they all have to be replaced HF filters are using the new larger bandwidth to do justice to the narrower band gap in E-GSM.
Für die bisher verwendeten HF-Filter in Oberflächenwellen technik (OFW-Technik) bedeutet dies, die Bandbreite signifi kant zu erweitern und dabei gleichzeitig die Flankensteilheit zu erhalten oder zu vergrößern. Die Fernabselektion darf sich dabei nicht verschlechtern.For the previously used RF filters in surface waves technik (OFW-Technik) this means the bandwidth signifi edge and at the same time the slope to maintain or enlarge. Remote selection is allowed do not deteriorate in the process.
Mit herkömmlichen bekannten OFW-Filtern läßt sich dies nicht erreichen, ohne gleichzeitig andere gravierende Nachteile in Kauf nehmen zu müssen.This cannot be done with conventional known SAW filters achieve without at the same time other serious disadvantages To have to buy.
Reaktanzfilter auf einem temperaturstabilen Substrat aus Lithiumtantalat ermöglichen zwar die geforderte Bandbreite und bieten auch die gewünschten steilen Flanken. Probleme entstehen aber bei der notwendigen Fernabselektion und beim Übergang vom Single-Ended-Betrieb am Eingang zum Balanced- Betrieb am Ausgang des Filters (Balun). Auch ist es mit die sen Filtern nicht möglich, den für moderne Geräte dringend erforderlichen Impedanzsprung von 50 Ohm am Eingang auf 200 Ohm am Ausgang ohne zusätzliches externes Netzwerk einzustel len.Reactance filter on a temperature stable substrate Lithium tantalate enables the required bandwidth and also offer the desired steep flanks. Problems but arise with the necessary remote selection and with Transition from single-ended operation at the entrance to balanced Operation at the outlet of the filter (balun). It is also with them Filtering not possible, which is urgent for modern devices required impedance jump from 50 ohms at the input to 200 Ohm to set at the output without additional external network len.
Bekannte Filter mit zwei kaskadierenden Spuren (Double Mode SAW = DMS) auf einem hochkoppelnden Lithiumniobatsubstrat mit 64° rot Y/X-Schnitt erreichen die gewünschte Bandbreite und die gewünschte Fernabselektion und ermöglichen sowohl Balun als auch Impedanztransformation. Allerdings wird mit diesen Filtern nicht die notwendige Flankensteilheit und die ge wünschte geringe Einfügedämpfung erreicht, da das Substrat einen zu hohen Temperaturgang aufweist, bei dem sich die Fre quenzablage des Filters in Abhängigkeit von der Temperatur zu stark verändert.Known filters with two cascading tracks (double mode SAW = DMS) on a high coupling lithium niobate substrate 64 ° red Y / X cut achieve the desired bandwidth and the desired remote selection and enable both balun as well as impedance transformation. However, with this Do not filter the necessary slope and the ge desired low insertion loss achieved because of the substrate has too high a temperature response at which the Fre quenzablage of the filter depending on the temperature greatly changed.
Zweispur-DMS-Filter auf LiTaO3 42° rot y/x bieten alle Eigen schaften außer der notwendigen Bandbreite. Wegen der geringe ren elektro-akustischen Kopplung dieses Substrates weist ein solches DMS-Filter im Durchlaßbereich ein ausgeprägtes Mini mum auf, das für das E-GSM-System nicht akzeptabel ist, weil zum einen im Bereich des Minimums eine zu hohe maximale Ein fügedämpfung auftritt, unter der die Empfindlichkeit und die Rauschzahl des Empfängers leiden, und weil zum andern die Welligkeit im gesamten Durchlaßband zu hoch ist, was die Lei stungssteuerung des Systems erschwert.Two-track strain gauge filters on LiTaO 3 42 ° red y / x offer all properties apart from the necessary bandwidth. Because of the low ren electro-acoustic coupling of this substrate, such a strain gauge filter in the pass band has a pronounced mini mum, which is not acceptable for the E-GSM system, because, on the one hand, an excessively high maximum insertion loss occurs in the minimum range , suffer from the sensitivity and noise figure of the receiver, and because the ripple in the entire pass band is too high, which complicates the performance control of the system.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein OFW- Filter anzugeben, mit dem die für E-GSM oder ähnlich breit bandige Systeme erforderliche Bandbreite erreicht wird, ohne die eben angeführten Nachteile der bekannten Filter in Kauf nehmen zu müssen. The object of the present invention is therefore to provide an SAW Specify filter with which for E-GSM or similar wide bandy systems required bandwidth is achieved without the disadvantages of the known filters just mentioned in purchase to have to take.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein OFW-Filter nach Anspruch 1 gelöst.According to the invention, this object is achieved by an SAW filter Claim 1 solved.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den Unteran sprüchen hervor.Further refinements of the invention are given in the subordinate sayings.
Ein erfindungsgemäßes OFW-Filter hat bei ausreichender Band breite von zumindest 35 MHz eine ausgezeichnet niedrige Ein fügedämpfung und zeigt im Durchlaßbereich weder ein ausge prägtes Minimum, noch eine unzulässig hohe Welligkeit, wie sie bekannte Filter mit einer solchen Bandbreite bislang auf wiesen. Dieser verbesserte Durchlaßbereich wird erreicht, oh ne daß gegenüber dem bekannten Stand der Technik eine Ver schlechterung in den übrigen genannten Eigenschaften des Fil ters wie beispielsweise Flankensteilheit, Fernabselektion und Temperaturgang auftritt.An SAW filter according to the invention has sufficient band width of at least 35 MHz an extremely low input damping and shows neither in the passband embossed minimum, still an impermissibly high ripple, like previously known filters with such a bandwidth grasslands. This improved passband is achieved, oh ne that compared to the known prior art deterioration in the other properties of the fil mentioned ters such as edge steepness, remote selection and Temperature response occurs.
Ein erfindungsgemäßes OFW-Filter ist als DMS-Filter mit zu mindest zwei kaskadierten akustischen Spuren auf hochkoppeln dem Lithiumtantalat aufgebaut. Da DMS-Kilter vom Resonatortyp sind, ist jede akustische Spur beidseitig von insgesamt zwei Reflektoren begrenzt, innerhalb derer sich eine resonante Schwingung aufbauen kann. In jeder Spur sind zumindest zwei Wandler vorgesehen. In der ersten Spur ist dies zumindest ein Eingangswandler und zumindest ein Koppelwandler. Über einen Verbindungsleiter ist der Koppelwandler einer ersten Spur mit dem Koppelwandler einer zweiten Spur elektrisch verbunden. Bei einem OFW-Filter mit zwei akustischen Spuren ist in der zweiten Spur neben dem Koppelwandler zumindest ein Ausgangs wandler angeordnet, an dem das Ausgangssignal abgegriffen wird. Über den Verbindungsleiter ist seriell oder parallel zu den damit verbundenen Koppelwandlern eine Induktivität ge schaltet.An SAW filter according to the invention is also included as a DMS filter Coupling up at least two cascaded acoustic tracks built up the lithium tantalate. Because DMS kilter of the resonator type each acoustic track is on both sides of a total of two Reflectors limited within which there is a resonant Can build up vibration. There are at least two in each track Converter provided. In the first lane this is at least one Input converter and at least one coupling converter. About one The connecting conductor is the coupling converter of a first track the coupling converter of a second track electrically connected. In a SAW filter with two acoustic tracks, the second track next to the coupling converter at least one output transducer arranged on which the output signal is tapped becomes. Via the connecting conductor is serial or parallel to the associated coupling transducers ge switches.
In einer bevorzugten Ausführung weist das Lithiumtan talatsubstrat einen Kristallschnitt xx° rot Y/X auf, für den vorzugsweise gilt 30 ≦ xx ≦ 46 oder 210 ≦ xx ≦ 226. Ein Substrat mit einem solchen Kristallschnitt weist je nach Aus führung der Metallelektroden und einer eventuellen Passivie rung besonders geringe Laufzeitverluste und eine besonders hohe Kopplung und einen guten Temperaturgang auf.In a preferred embodiment, the lithium tan a crystal cut xx ° red Y / X for which preferably 30 ≦ xx ≦ 46 or 210 ≦ xx ≦ 226 applies Substrate with such a crystal cut has depending on the Aus management of the metal electrodes and a possible passive particularly low runtime losses and a special one high coupling and a good temperature response.
Ein erfindungsgemäßes OFW-Filter weist zumindest zwei akusti sche Spuren auf. Mehr als zwei Spuren sind zwar mögliche je doch werden damit keine weiteren Vorteile erzielt.An SAW filter according to the invention has at least two acoustics traces. More than two tracks are possible however, no further advantages are achieved.
In jeder Spur ist zumindest ein Ein-/Ausgangswandler und ein Koppelwandler vorgesehen. Bei mehr als zwei Wandlern pro aku stischer Spur sind Ein-/Ausgangswandler und Koppelwandler ty pischerweise alternierend angeordnet. Bei ungerader Anzahl von Wandlern können mehr Koppelwandler oder mehr Ein- oder Ausgangswandler vorgesehen sein.There is at least one input / output converter and one in each track Coupling converter provided. With more than two converters per battery The static track are input / output converters and coupling converters ty pically arranged alternately. If the number is odd converters can have more coupling converters or more input or Output converter may be provided.
Mit dem zumindest einen Verbindungsleiter ist eine Induktivi tät elektrisch leitend parallel angebunden bzw. verschaltet. Alternativ ist die Induktivität seriell zwischen zwei Koppel wandlern in unterschiedlichen akustischen Spuren bzw. seriell zum Verbindungsleiter zwischen diesen Koppelwandlern geschal tet. Die Induktivität kann dabei auf der Oberfläche des Substrats angeordnet sein. Möglich ist es jedoch auch, die Induktivität extern anzuordnen, beispielsweise diskret auf einem Trägersubstrat oder in einem Gehäuse, in dem das OFW- Filter eingebaut ist. Die entsprechende Verbindung mit den Wandlerstrukturen auf dem Substrat kann dann beispielsweise über Bonddrähte vorgenommen werden. In der einfachsten Aus führung ist die Induktivität ein aufgedruckter Streifenleiter oder eine aufgedruckte Spule, die zusammen mit der übrigen Metallisierung hergestellt werden können. Bei einer extern angeordneten Induktivität kann diese nach einem entsprechen den analogen Verfahren hergestellt sein. Beispielsweise kann die Induktivität auf das Gehäuseinnere aufgedruckt sein. Mög lich ist es jedoch auch, als Induktivität konkrete Bauelemen te zu verwenden. With the at least one connecting conductor there is an inductor electrically connected or connected in parallel. Alternatively, the inductance is serial between two couplers transducers in different acoustic tracks or serial to the connecting conductor between these coupling transducers tet. The inductance can be on the surface of the Be arranged substrate. However, it is also possible that Arrange inductance externally, for example discretely a carrier substrate or in a housing in which the SAW Filter is installed. The corresponding connection with the Transducer structures on the substrate can then, for example be made over bond wires. In the simplest way the inductance is a printed strip conductor or a printed spool that goes with the rest Metallization can be produced. With an external arranged inductance can correspond to this one the analogue processes. For example the inductance must be printed on the inside of the housing. Poss However, it is also a concrete component as an inductor te to use.
In einer spezifischen Ausführung der Erfindung wird als In duktivität ein OFW-Bauelement eingesetzt, welches im fragli chen Frequenzbereich ein induktives Verhalten zeigt. Bei spielsweise kann ein Eintorresonator zwischen zwei Spuren auf dem Substrat angeordnet und elektrisch in Serie mit zwei Kop pelwandlern geschaltet werden. Diese Ausführung hat den Vor teil, daß bei einem ansonsten freien Filterdesign die Induk tivität genau bei der Frequenz wirksam werden kann, bei der eine Anpassung des Durchgangsbereichs bei einem Filter nach dem Stand der Technik erforderlich ist.In a specific embodiment of the invention, In a SAW component used in the fragli Chen frequency range shows an inductive behavior. At for example, a one-gate resonator can be between two tracks arranged the substrate and electrically in series with two heads be switched. This version has the front partly that with an otherwise free filter design the induct activity can take effect precisely at the frequency at which an adjustment of the passage area with a filter after the state of the art is required.
Eine erfindungsgemäß wirksame Induktivität hat eine Größen ordnung von ca. 10 nH. Allgemein ist dabei für eine erfin dungsgemäß parallel verschaltete Induktivität ein größerer Wert erforderlich als für eine seriell verschaltete Indukti vität.An inductance effective according to the invention has a size order of approx. 10 nH. In general, for an inventor a larger inductance connected in parallel according to the invention Value required as for a series-connected inductor vity.
Der erfindungsgemäße OFW-Filter ist so aufgebaut, daß der Ausgang wahlweise symmetrisch oder unsymmetrisch betrieben werden kann. Während bei unsymmetrischer Betriebsweise einer der beiden Ausgänge auf Masse liegt, kann bei symmetrischer Betriebsweise ein positives oder das entsprechend symmetrisch dazu negative Signal an wahlweise einem der Ausgänge abge griffen werden. Für symmetrische Betriebsweise am Ausgangs wandler sind solche Anordnungen bevorzugt, die zwei Ausgangs wandler aufweisen, deren Ausgänge zueinander symmetrisch sind und im Betrieb des Bauelements daher unterschiedlich gepolt sind. Dies hat den Vorteil, daß die erforderlichen elektri schen Anschlüsse außerhalb des Wandlerbereiches vorgenommen werden können, so daß keine zusätzlichen Leiterbahnen zwi schen den Spuren herausgeführt werden müssen.The SAW filter according to the invention is constructed so that the Output operated either symmetrically or asymmetrically can be. While in asymmetrical mode of operation one of the two outputs is at ground, can be symmetrical Operating a positive or the correspondingly symmetrical negative signal at either one of the outputs be gripped. For symmetrical operation at the output Transducers are preferred arrangements that have two output have transducers whose outputs are symmetrical to each other and therefore polarized differently in the operation of the component are. This has the advantage that the required electrical connections outside the converter area can be, so that no additional traces between traces must be brought out.
Eine gute Impedanztransformation, beispielsweise ein Impe danzsprung von 50 Ohm am Eingangswandler hin zu 200 Ohm am Ausgangswandler wird erreicht, wenn der Ausgangswandler sym metrisch geteilt wird. Dies kann parallel zu den akustischen Spuren bzw. parallel zur Ausbreitungsrichtung der akustischen Oberflächenwelle erfolgen und wird als sogenannter H-Split realisiert. Dabei wird der Ausgangswandler durch eine zusätz liche parallele Stromschiene in der Mitte der akustischen Spur geteilt, so daß jeder Teilwandler des Ausgangswandlers die halbe akustische Spurbreite und damit die doppelte Impe danz aufweist. Die mittlere Stromschiene dient dabei als Ver bindung für die beider äußeren Stromschienen. Sie kann sich über die ganze Länge des Ausgangswandlers erstrecken, oder auch nur über einen Teil von dessen gesamter Länge.A good impedance transformation, for example an Impe jump from 50 ohms at the input converter to 200 ohms at Output converter is reached when the output converter sym is divided metrically. This can be parallel to the acoustic Tracks or parallel to the direction of propagation of the acoustic Surface wave occur and is called a so-called H split realized. The output converter is replaced by an additional parallel busbar in the middle of the acoustic Track divided so that each sub-converter of the output converter half the acoustic track width and thus double the impe danz has. The middle track serves as a ver binding for the two outer busbars. You can extend over the entire length of the output transducer, or even over a part of its entire length.
Eine weitere Möglichkeit, einen Impedanzsprung im OFW-Filter zu realisieren, besteht in der Aufteilung einer Stromschiene des Ausgangswandlers in zwei elektrisch unterschiedliche Hälften, dem sogenannten V-Split. Die Elektrodenfinger an den Stromschienen sind dabei so angeordnet, daß an den beiden Hälften der geteilten Stromschiene zueinander symmetrische, das heißt unterschiedlich gepolte Signale abgegriffen werden können.Another way to make an impedance jump in the SAW filter To realize is to split a busbar of the output converter into two electrically different ones Halves, the so-called V-Split. The electrode fingers on the Busbars are arranged so that on the two Halves of the divided busbar symmetrical to each other, This means that signals with different polarity are tapped can.
Eine bevorzugte Metallisierung zum Aufbau der Wandler und der Reflektoren besteht aus Aluminium Al, Aluminiumkupfer AlCu (Legierung) oder Aluminiummagnesium AlMg oder besitzt einen Sandwichaufbau mit mehreren unterschiedlichen Schichten, die jeweils aus einem der genannten Materialien bestehen. Eine bevorzugte Gesamtschichtdicke der Metallisierung liegt im Be reich von 1 bis 15 Prozent der Betriebswellenlänge des OFW- Filters. Diese Betriebswellenlänge wird von der Frequenz be stimmt, mit der das OFW-Filter betrieben wird und ist zusätz lich noch abhängig von der Ausbreitungsgeschwindigkeit der OFW im Substrat, also auch vom Substratmaterial und von des sen Schnitt.A preferred metallization for building the transducer and the Reflectors are made of aluminum Al, aluminum copper AlCu (Alloy) or aluminum magnesium AlMg or has one Sandwich construction with several different layers that each consist of one of the materials mentioned. A preferred total layer thickness of the metallization is in the loading ranging from 1 to 15 percent of the operating wavelength of the SAW Filters. This operating wavelength is the frequency true, with which the SAW filter is operated and is additional Lich still dependent on the rate of propagation of the SAW in the substrate, including the substrate material and the cut.
In den Wandlern und Reflektoren wird ein Metallisierungsver hältnis η von deutlich mehr als 0,5 eingestellt. Vorzugsweise erfüllt das Metallisierungsverhältnis η die Bedingung 0,65 ≦ η ≦ 0,8. Ein derartig hohes Metallisierungsverhältnis erhöht die Fertigungsstabilität des Produktes und verringert signi fikant Verluste in der sich ausbreitenden akustischen Welle. Bei manchen Systemanwendungen mit moderat großer Bandbreite ist erfindungsgemäß der Einsatz eines hohen Metallisierungs verhältnisses η allein bereits ausreichend, um den notwendi gen glatten und verlustarmen Durchlaßbereich zu erzielen.In the converters and reflectors, a metallization ver ratio η of significantly more than 0.5. Preferably the metallization ratio η fulfills the condition 0.65 ≦ η ≦ 0.8. Such a high metallization ratio increases the manufacturing stability of the product and reduces signi fictional losses in the propagating acoustic wave. In some system applications with a moderately large bandwidth is the use of a high metallization according to the invention ratio η alone is sufficient to meet the necessary to achieve smooth and low loss passband.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei spielen und der dazugehörigen dreizehn Figuren näher erläu tert.In the following the invention is based on exemplary embodiments play and explain the associated thirteen figures tert.
Die Fig. 1 bis 10 zeigen beispielhafte Ausgestaltungen von erfindungsgemäßen OFW-Filtern. Figs. 1 to 10 show exemplary embodiments of the invention SAW filters.
Fig. 11 zeigt das Durchlaßverhalten eines bekannten Filters und Fig. 11 shows the transmission response of a known filter, and
Fig. 12 zeigt das Durchlaßverhalten eines erfindungsgemäßen OFW-Filters. Fig. 12 shows the transmission response of a SAW filter according to the invention.
Fig. 13 zeigt eine Ausführungsform eines speziellen elektri schen Anschlusses. Fig. 13 shows an embodiment of a special electrical connection rule.
Fig. 1 zeigt ein Zweispur DMS Filter nach dem Stand der Technik in schematischer Darstellung. Die Spur A auf der Ein gangsseite umfaßt drei Wandler K1, E1 und K2, die zwischen zwei Reflektoren R1 und R2 angeordnet sind, die die akusti sche Spur beidseitig begrenzen. Die Spur B weist eine bau gleiche Anordnung von drei Wandlern K1B, A2B und K2B auf. Die beiden Koppelwandler K1A und K1B bzw. K2A und K2B sind je weils durch Verbindungsleiter V1 bzw. V2 miteinander verbun den. Fig. 1 shows a two-track DMS filter according to the prior art in a schematic representation. The track A on the input side comprises three transducers K1, E1 and K2, which are arranged between two reflectors R1 and R2, which limit the acoustic track on both sides. Track B has an identical arrangement of three transducers K1B, A2B and K2B. The two coupling converters K1A and K1B or K2A and K2B are each connected by connecting conductors V1 and V2.
Fig. 11 zeigt den Frequenzgang eines solchen bekannten Fil ters. Unter dem Durchlaßbereich ist ein Rahmen eingezeichnet, der die Systemanforderungen für E-GSM darstellt. Klar zu er kennen ist, daß die Durchlaßkurve im rechten kurzwelligeren Bereich eine Delle besitzt, in der sie die Systemanforderun gen nicht erfüllt. Fig. 11 shows the frequency response of such a known Fil ters. A frame is drawn under the pass band, which represents the system requirements for E-GSM. It is clear to know that the pass curve in the right short-wave region has a dent in which it does not meet the system requirements.
Fig. 2 zeigt ein erfindungsgemäßes OFW-Filter, welches ein Wandler- und Reflektorendesign wie der bekannte Filter aus Fig. 1 zeigt, bei dem jedoch erfindungsgemäß eine Induktivi tät I parallel zu den Koppelwandlern geschaltet ist. Die elektrische Verbindung erfolgt beispielsweise wie dargestellt über die Verbindungsleiter V, mit denen die Induktivität ver bunden ist. Möglich ist es jedoch auch, die Induktivität masseseitig an den Koppelwandlern parallel anzuschließen. Fig. 2 shows an SAW filter according to the invention, which shows a converter and reflector design like the known filter from Fig. 1, but in which, however, according to the invention an inductor I is connected in parallel to the coupling converters. The electrical connection is made, for example, as shown, via the connecting conductor V, with which the inductance is connected. However, it is also possible to connect the inductance to the coupling converters in parallel on the ground side.
Fig. 12 zeigt die Durchlaßkurve dieses erfindungsgemäßen Filters. Klar zu erkennen ist, daß die Welligkeit der Kurve im Durchlaßbereich deutlich reduziert ist und daß die Durch laßkurve die auch hier in Form eines Rechtecks eingezeichne ten Systemanforderungen für E-GSM Anforderungen über den ge samten Durchlaßbereich hin erfüllt. Auch die Flankensteilheit zur niederfrequenten Seite hin ist gut erfüllt, an der sich das nächste Band anschließt. Fig. 12 shows the transmission curve of this filter according to the invention. It can be clearly seen that the waviness of the curve in the pass band is significantly reduced and that the pass curve fulfills the system requirements for E-GSM requirements drawn in the form of a rectangle over the entire pass band. The steepness to the low-frequency side, which is followed by the next band, is also well fulfilled.
Fig. 3 zeigt eine Anordnung ähnlich wie Fig. 2, bei der im Unterschied dazu die beiden Verbindungsleiter V1 und V2 durch ein zusätzliches Leiterstück L miteinander verbunden sind. Dies erhöht die Symmetrie in der Anordnung und damit auch die Symmetrie in der Signalverarbeitung, insbesondere im Balun- Betrieb. FIG. 3 shows an arrangement similar to FIG. 2, in which, in contrast to this, the two connecting conductors V1 and V2 are connected to one another by an additional conductor piece L. This increases the symmetry in the arrangement and thus also the symmetry in the signal processing, in particular in balun operation.
Fig. 4 zeigt eine erfindungsgemäße Ausführung mit zwei Spu ren A, B, bei der je zwei Ein- bzw. Ausgangswandler vorgese hen sind. Je ein Koppelwandler K zwischen den beiden Ein- bzw. Ausgangswandlern und ein Verbindungsleiter V, der die beiden Koppelwandler in den unterschiedlichen Spuren A, B miteinander verbindet, vervollständigen die Anordnung. Die beiden Eingangswandler E1A und E2A sind parallel geschaltet und mit dem Eingang IN verbunden. Auch die Ausgangswandler A1B und A2B sind parallel mit dem Ausgang OUT verbunden. Par allel zum Verbindungsleiter V ist eine Induktivität I ge schaltet. Fig. 4 shows an embodiment of the invention with two Spu ren A, B, in which two input and output converters are hen vorgese. A coupling converter K between the two input and output converters and a connecting conductor V, which connects the two coupling converters in the different tracks A, B, complete the arrangement. The two input converters E1A and E2A are connected in parallel and connected to the input IN. The output converters A1B and A2B are also connected in parallel to the output OUT. In parallel to the connecting conductor V, an inductance I is switched.
Fig. 5 zeigt ein Filter mit zwei Spuren mit jeweils zwei Wandlern, nämlich einem Koppelwandler K1 und einem Ein- bzw. Ausgangswandler E, A. Die Koppelwandler der beiden Spuren K1A, K1B sind über eine Induktivität I miteinander in Serie verschaltet. Diese Induktivität I ist in der schematischen Fig. 5 zwar zwischen den beiden Koppelwandlern angeordnet, wird im realen Design aber vorzugsweise außerhalb des durch die beiden Spuren definierten aktiven Bereichs auf dem Substrat oder gar außerhalb, beispielsweise im Gehäuse lie gen. Die erfindungsgemäße serielle Verschaltung einer Induk tivität I zwischen zwei Koppelwandlern ist auch nicht auf die dargestellte Verschaltung zwischen den beiden innenliegenden zueinander weisenden Stromschienen der Koppelwandler be schränkt. Möglich ist es auch, die in der Figur auf Masse liegenden Stromschienen über einen (nicht dargestellten) Ver bindungsleiter zu verbinden und in diesen seriell eine Induk tivität einzubauen. Die beiden verbleibenden innenliegenden und zueinander weisenden Stromschienen der beiden Koppelwand ler K1A und K1B können dabei über einen weiteren Verbindungs leiter miteinander verbunden sein. Fig. 5 shows a filter with two lanes each having two converters, namely a coupling transducer K1 and an input or output transducer E, A. The coupling transducers of the two tracks K1A, K1B are connected via an inductor I to each other in series. This inductance I is arranged in the schematic FIG. 5 between the two coupling transducers, but in the real design it is preferably outside the active area defined by the two tracks on the substrate or even outside, for example in the housing. The serial connection according to the invention is a Inductivity I between two coupling converters is also not limited to the connection shown between the two internal busbars facing the coupling converter. It is also possible to connect the busbars lying on the ground in the figure via a connecting conductor (not shown) and to install an inductor serially therein. The two remaining internal and mutually facing busbars of the two coupling walls ler K1A and K1B can be connected to one another via a further connecting conductor.
Fig. 6 zeigt ein Filter mit der gleichen Wandler/Reflektor anordnung wie Fig. 5, jedoch ist als Unterschied hier die Induktivität I parallel zu den Koppelwandlern K verschaltet. Fig. 6 shows a filter with the same converter / reflector arrangement as Fig. 5, but as a difference here the inductance I is connected in parallel to the coupling converter K.
Eine serielle Verschaltung der Koppelwandler K, wie es in Fig. 5 dargestellt ist, kann analog auch auf die bereits be schriebenen Ausführungsbeispiele gemäß der Fig. 2 bis 4 sowie auf die noch zu beschreibenden Ausführungsbeispiele ge mäß der Fig. 9 und 10 übertragen werden.A serial connection of the coupling converter K, as shown in FIG. 5, can also be transferred analogously to the already described exemplary embodiments according to FIGS. 2 to 4 and to the exemplary embodiments yet to be described according to FIGS . 9 and 10.
Fig. 7 beschreibt eine Anordnung mit pro Spur zwei Ein- bzw. Ausgangswandlern und einem dazwischen angeordneten Koppel wandler K. Im Unterschied zur Fig. 4 sind die beiden Koppel wandler K1A und K1B durch symmetrische Aufteilung der innen liegenden Stromschienen in zwei elektrisch symmetrische Teil wandler gesplittet. Dies wird dadurch erreicht, daß auch die Elektrodenfingeranordnung der beiden Koppelwandler achsensym metrisch ausgelegt ist. Die beiden Teile der innenliegenden Stromschiene beider gesplitteten Koppelwandler sind aufgrund der unterschiedlichen elektrischen Polung getrennt mit Ver bindungsleitern V verbunden. Parallel zu dem hier mit V1 be zeichneten Verbindungsleiter ist eine Induktivität I geschal tet, während der andere Verbindungsleiter V2 wahlweise auf Masse gelegt sein kann. Die beiden Eingangswandler E1A und E2A sind parallel geschaltet, ebenso die beiden Ausgangswand ler A1B und A2B. Fig. 7 describes an arrangement with two input or output converters per track and a coupling converter K arranged in between. In contrast to Fig. 4, the two coupling converters K1A and K1B are converters by symmetrically dividing the internal busbars into two electrically symmetrical part split. This is achieved in that the electrode finger arrangement of the two coupling transducers is axially symmetrical. The two parts of the internal busbar of both split coupling converters are separately connected to connecting conductors V due to the different electrical polarity. In parallel to the connecting conductor marked here with V1, an inductance I is switched, while the other connecting conductor V2 can optionally be connected to ground. The two input converters E1A and E2A are connected in parallel, as are the two output converters A1B and A2B.
Die Fig. 8 zeigt ein zweispuriges Filter mit je zwei Wand lern pro Spur, das dem Prinzip der Anordnung gemäß Fig. 5 entspricht. Während in Fig. 5 jedoch eine allgemeine Induk tivität seriell zwischen den beiden Koppelwandlern K1A und K1B verschaltet ist, so ist die Induktivität I in Fig. 8 als schematisch angedeuteter Eintorresonator ausgebildet, der im gewünschten Bereich der Betriebsfrequenz induktives Verhalten zeigt. Durch entsprechende Ausgestaltung dieses Eintorresona tors kann die Durchlaßkurve gezielt in dem Bereich beeinflußt und modelliert werden, in dem eine Verbesserung der Einfüge dämpfung bzw. eine Erniedrigung der Welligkeit erforderlich ist. Fig. 8 shows a two-track filter with two wall learners per track, which corresponds to the principle of the arrangement shown in FIG. 5. While in Fig. 5, however, a general Induk tivity in series between the two coupling transducers K1A and K1B connected, the inductor I in Fig. 8 is formed as a schematically indicated one-port resonator, the inductor in the desired range of the operating frequency behavior. By appropriate design of this Eintorresona gate, the transmission curve can be influenced and modeled specifically in the area in which an improvement in the insertion loss or a reduction in the ripple is required.
Fig. 9 zeigt eine Anordnung mit pro Spur je zwei Koppelwand lern und einem Ein- bzw. Ausgangswandler. Im Unterschied zur Fig. 2 ist hier jedoch der Ausgangswandler durch symmetri sche Aufteilung einer Stromschiene des Ausgangswandlers A1B elektrisch symmetrisch gesplittet. Entsprechend sind auch die Elektrodenfinger des Ausgangswandlers achsensymmetrisch ange ordnet. Die beiden Hälften der gesplitteten Stromschiene sind jeweils mit einem Ausgang verbunden und stellen einen Balan ced Out dar. Der Vorteil dieser Anordnung ist, daß sie vom Eingangswandler zum Ausgangswandler einen Impedanzsprung auf weist, beispielsweise von 50 auf 200 Ohm. Die zweite, nicht dem Ausgang verbundene Stromschiene des Ausgangswandlers kann wie in der Figur dargestellt auf Masse liegen, muß aber nicht mit einem externen Potential verbunden sein. Fig. 9 shows an arrangement with each Koppelwand learn and an input or output converter. In contrast to FIG. 2, however, the output converter is here electrically split symmetrically by symmetrical division of a busbar of the output converter A1B. Accordingly, the electrode fingers of the output transducer are arranged axisymmetrically. The two halves of the split busbar are each connected to an output and represent a balanced out. The advantage of this arrangement is that it has an impedance jump from the input converter to the output converter, for example from 50 to 200 ohms. The second busbar of the output converter, which is not connected to the output, can be grounded, as shown in the figure, but does not have to be connected to an external potential.
Auch die Fig. 10 zeigt ein Filter, das vom Eingang zum Aus gang einen Impedanzsprung zeigt. Bezüglich Anzahl und Ver schaltung der Wandler entspricht auch dieses Filter dem in Fig. 2 dargestellten mit dem Unterschied, daß der Ausgangs wandler A1B durch eine zusätzliche innenliegende Stromschiene in zwei gekoppelte Teilwandler mit jeweils halber Spurbreite aufgesplittet ist. Parallel zu den pro Spur zwei Koppelwand lern ist eine Induktivität I geschaltet.Also Fig. 10 shows a filter, the transition from the entrance to the Off denotes an impedance jump. Regarding the number and circuitry of the transducers, this filter also corresponds to that shown in FIG. 2 with the difference that the output transducer A1B is split into two coupled partial transducers, each with half the track width, by an additional internal busbar. An inductance I is connected in parallel with the two coupling walls per track.
Bei allen Ausführungsbeispielen, die in den Figuren nur mit einem Ausgang (Single Ended) dargestellt sind, bei denen also der zweite Ausgang auf Festpotential, also auf Masse liegt, ist auch ein Balanced Betrieb möglich. Zu diesem Zweck können die auf Masse liegenden Stromschienen des oder der Ausgangs wandler mit einem zum anderen Ausgang symmetrischen zweiten Ausgang verbunden werden. Dies kann mit Hilfe zusätzlicher Leiterbahnen erfolgen, die aus dem durch die Spuren definier ten aktiven Bereich des Filters herausführen. Möglich ist es jedoch auch, die Masse oder den zweiten Balanced Ausgang durchzuschleifen, das heißt, den entsprechenden Anschluß über einen verlängerten und nach außen gezogenen Elektrodenfinger vorzunehmen. Dies ist nicht nur bei Ausgangswandlern für ei nen zweiten symmetrischen Ausgang, sondern auch für sämtliche Masseanschlüsse der Ein- und Ausgangswandler möglich.In all of the embodiments shown in the figures only with an output (single ended) are shown, in which case the second output is at fixed potential, i.e. at ground, balanced operation is also possible. For this purpose you can the busbars of the output or the outputs lying on ground converter with a second one symmetrical to the other output Output can be connected. This can be done with the help of additional Conductor tracks are made which are defined by the traces Lead out the active area of the filter. It is possible however, also the mass or the second balanced output loop through, that is, the corresponding connection an extended and extended electrode finger to make. This is not just for output converters for egg NEN second balanced output, but also for all Ground connections of the input and output converters possible.
Fig. 13 zeigt eine Variation des in Fig. 3 dargestellten Filters, bei dem im Ausgangswandler A1B ein im Wandler außen liegender Elektrodenfinger so verlängert ist, daß der elek trische Anschluß der dazugehörigen Stromschiene über das Ende dieses Stromfingers außerhalb des durch die akustischen Spu ren definierten aktiven Bereiches des Filters erfolgen kann. Fig. 13 shows a variation of the filter shown in Fig. 3, in which in the output transducer A1B an external electrode finger in the transducer is extended so that the electrical connection of the associated busbar over the end of this current finger outside of the defined by the acoustic spo ren active area of the filter can take place.
In den Figuren werden durchgehend nur die Teile des Filters bzw. der Filter dargestellt, die für die Erfindung wesentlich sind. Selbstverständlich können diese Filter zusätzlich noch mit anderen Reaktanzelementen verschaltet sein, die mit dem Ein- und/oder dem Ausgang verbunden sein können. Als Reaktan zelemente können Eintorresonatoren vorgesehen sein, die seri en- oder parallel verschaltet sein können. Auch Laddertype- Anordnungen sind möglich. Auch die genaue Ausgestaltung der einzelnen Koppel-, Ein- und Ausgangswandler, insbesondere Größe und Anordnung der Elektrodenfinger können beliebig sein, wie es von herkömmlichen Filtern bekannt ist. Mit die sen bekannten Designregeln ist es auch in einfacher Weise möglich, die gewünschte Breite des Durchlaßbereichs einzu stellen. Mit der Erfindung ist es dann allerdings erstmals möglich, diesen verbreiterten Durchlaßbereich zu glätten und die erforderliche niedrige Einfügedämpfung über den gesamten Durchlaßbereich zu gewährleisten, wie es beispielsweise die Meßkurve von Fig. 12 überzeugend beweist.Only the parts of the filter or filters that are essential to the invention are shown throughout the figures. Of course, these filters can also be connected to other reactance elements that can be connected to the input and / or the output. One-gate resonators can be provided as reactants, which can be connected in series or in parallel. Ladder type arrangements are also possible. The exact configuration of the individual coupling, input and output converters, in particular the size and arrangement of the electrode fingers, can also be as desired, as is known from conventional filters. With these known design rules, it is also possible in a simple manner to set the desired width of the pass band. With the invention, however, it is then possible for the first time to smooth this widened pass band and to ensure the required low insertion loss over the entire pass band, as is convincingly demonstrated by the measurement curve of FIG. 12, for example.
Die bei der Erfindung erlaubte Variationsbreite betrifft auch alle anderen bislang nicht erwähnten Teile des Filters oder dessen Verpackung, ohne daß diese hier im einzelnen zu erläu tern wären.The range of variation allowed in the invention also applies all other parts of the filter not previously mentioned or its packaging, without this being explained in detail here would be.
Claims (15)
- - mit einem Substrat aus Lithiumtantalat
- - mit zumindest zwei darauf angeordneten, elektrisch gekop pelten akustischen Spuren
- - mit je Spur zumindest zwei Wandlern und zwei die akustische Spur beidseitig begrenzenden Reflektoren
- - wobei pro akustischer Spur zumindest einer der Wandler ei nen Koppelwandler zu einer benachbarten Spur darstellt
- - wobei zumindest zwei Koppelwandler aus zwei benachbarten Spuren elektrisch über einen Verbindungsleiter miteinander verbunden sind und
- - wobei seriell oder parallel zu diesem Verbindungsleiter ei ne Induktivität geschaltet ist.
- - With a substrate made of lithium tantalate
- - With at least two electrically coupled acoustic tracks arranged on it
- - With at least two transducers per track and two reflectors delimiting the acoustic track on both sides
- - Wherein at least one of the transducers represents a coupling transducer to an adjacent track per acoustic track
- - At least two coupling transducers from two adjacent tracks are electrically connected to one another via a connecting conductor and
- - Wherein ei ne inductance is connected in series or parallel to this connecting conductor.
- - bei dem die Metallisierung für zumindest die Wandler und die Reflektoren aus Al, AlCu - Legierung oder AlMg - Legie rung besteht oder einen Sandwichaufbau aus mehreren unter schiedlichen Schichten der genannten Materialien aufweist,
- - bei dem die Schichtdicke der Metallisierung im Bereich von 1% bis 15% der Betriebswellenlänge des OFW Filters liegt.
- in which the metallization for at least the transducers and the reflectors consists of Al, AlCu alloy or AlMg alloy or has a sandwich structure made up of several different layers of the materials mentioned,
- - in which the layer thickness of the metallization is in the range from 1% to 15% of the operating wavelength of the SAW filter.
- - mit einem Substrat aus Lithiumtantalat
- - mit zumindest zwei darauf angeordneten, elektrisch gekop pelten akustischen Spuren
- - mit je Spur zumindest zwei Wandlern und zwei die akustische Spur beidseitig begrenzenden Reflektoren
- - wobei pro akustischer Spur zumindest einer der Wandler ei nen Koppelwandler zu einer benachbarten Spur darstellt
- - wobei zumindest zwei Koppelwandler aus zwei benachbarten Spuren elektrisch über einen Verbindungsleiter miteinander verbunden sind
- - mit einem Metallisierungsverhältnis η in den Wandlern und Reflektoren von mehr als 0,5 und insbesondere von 0,65 ≦ η ≦ 0,8.
- - With a substrate made of lithium tantalate
- - With at least two electrically coupled acoustic tracks arranged on it
- - With at least two transducers per track and two reflectors delimiting the acoustic track on both sides
- - Wherein at least one of the transducers represents a coupling transducer to an adjacent track per acoustic track
- - At least two coupling transducers from two adjacent tracks are electrically connected to one another via a connecting conductor
- - With a metallization ratio η in the transducers and reflectors of more than 0.5 and in particular of 0.65 ≦ η ≦ 0.8.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998118826 DE19818826B4 (en) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | Surface wave filters with increased bandwidth |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998118826 DE19818826B4 (en) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | Surface wave filters with increased bandwidth |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19818826A1 true DE19818826A1 (en) | 1999-11-04 |
DE19818826B4 DE19818826B4 (en) | 2004-11-04 |
Family
ID=7865962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1998118826 Expired - Lifetime DE19818826B4 (en) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | Surface wave filters with increased bandwidth |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19818826B4 (en) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001071911A1 (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-27 | Epcos Ag | Dual-mode surface wave filter with improved symmetry and increased reverse attenuation |
EP1168612A2 (en) | 2000-06-27 | 2002-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
WO2002003549A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
JP2002300004A (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave filter |
EP1263137A2 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter, balanced type filter and communication device |
EP1394940A1 (en) * | 2002-08-22 | 2004-03-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface-acoustic wave filter and communications apparatus |
EP1398876A1 (en) * | 2002-09-10 | 2004-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Acoustic wave band elimination filter |
EP1411635A2 (en) * | 2002-10-18 | 2004-04-21 | Fujitsu Media Devices Limited | Multi-mode surface acoustic wave filter device and duplexer |
WO2004070947A1 (en) * | 2003-02-04 | 2004-08-19 | Epcos Ag | Electronic component operated with surface acoustic waves |
DE10135953B4 (en) * | 2000-07-25 | 2004-11-25 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Longitudinally coupled resonator type filter operating with surface acoustic waves |
WO2004109911A2 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Epcos Ag | Saw filter with improved selection or insulation. |
WO2005041403A1 (en) * | 2003-08-25 | 2005-05-06 | Tele Filter Gmbh | Oscillator with an acoustic surface wave resonator |
US6985048B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and communication apparatus |
DE102004028421A1 (en) * | 2004-06-04 | 2006-01-12 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Oscillator has surface acoustic wave resonator frequency-determining elements with different sign nth order synchronous frequency temperature coefficients if non-zero, same sign n+1th order, first to n-1th coefficients null if n exceeds 1 |
WO2006037477A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-13 | Epcos Ag | Saw filter featuring impedance transformation |
DE102004060901A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-07-13 | Leibnitz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden e.V. | oscillator |
EP1739830A1 (en) * | 2004-04-19 | 2007-01-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter and communication device using the same |
EP2015451A1 (en) * | 2006-04-06 | 2009-01-14 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Duplexer |
DE10142641B4 (en) * | 2000-08-31 | 2011-03-10 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Surface acoustic wave filter |
WO2024025473A3 (en) * | 2022-07-27 | 2024-03-14 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | Twin double-mode surface-acoustic-wave (dms) filters with opposite polarities and a geometric offset |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0605884A1 (en) * | 1993-01-05 | 1994-07-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IIDT type surface acoustic wave device |
DE19714085A1 (en) * | 1996-05-14 | 1997-11-27 | Fujitsu Ltd | Acoustic multimodal surface wave (SAW) filter |
-
1998
- 1998-04-27 DE DE1998118826 patent/DE19818826B4/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0605884A1 (en) * | 1993-01-05 | 1994-07-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IIDT type surface acoustic wave device |
DE19714085A1 (en) * | 1996-05-14 | 1997-11-27 | Fujitsu Ltd | Acoustic multimodal surface wave (SAW) filter |
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6791437B2 (en) | 2000-03-21 | 2004-09-14 | Epcos Ag | Symmetric dual mode surface acoustic wave filter having symmetric housing connections |
JP2003528523A (en) * | 2000-03-21 | 2003-09-24 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | Dual-mode surface wave filter with improved symmetry and increased stop attenuation |
WO2001071911A1 (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-27 | Epcos Ag | Dual-mode surface wave filter with improved symmetry and increased reverse attenuation |
EP1168612A2 (en) | 2000-06-27 | 2002-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
EP1168612A3 (en) * | 2000-06-27 | 2008-09-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
WO2002003549A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
EP1221769A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-07-10 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
EP1221769A4 (en) * | 2000-06-30 | 2005-04-20 | Fujitsu Media Devices Ltd | Surface acoustic wave device |
DE10135953B4 (en) * | 2000-07-25 | 2004-11-25 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Longitudinally coupled resonator type filter operating with surface acoustic waves |
DE10142641B4 (en) * | 2000-08-31 | 2011-03-10 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Surface acoustic wave filter |
JP2002300004A (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave filter |
EP1263137A3 (en) * | 2001-05-31 | 2011-08-03 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave filter, balanced type filter and communication device |
EP1263137A2 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter, balanced type filter and communication device |
EP1394940A1 (en) * | 2002-08-22 | 2004-03-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface-acoustic wave filter and communications apparatus |
US6853270B2 (en) | 2002-08-22 | 2005-02-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter with split center IDT and specific weighting and communication apparatus |
US6985048B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and communication apparatus |
EP1398876A1 (en) * | 2002-09-10 | 2004-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Acoustic wave band elimination filter |
US7084718B2 (en) | 2002-09-10 | 2006-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Band elimination filter, filter device, antenna duplexer and communication apparatus |
EP1411635A2 (en) * | 2002-10-18 | 2004-04-21 | Fujitsu Media Devices Limited | Multi-mode surface acoustic wave filter device and duplexer |
KR101119619B1 (en) | 2003-02-04 | 2012-03-13 | 에프코스 아게 | Electronic component operated with surface acoustic waves |
WO2004070947A1 (en) * | 2003-02-04 | 2004-08-19 | Epcos Ag | Electronic component operated with surface acoustic waves |
US7969259B2 (en) | 2003-02-04 | 2011-06-28 | Epcos Ag | Electronic component operated with surface acoustic waves |
WO2004109911A3 (en) * | 2003-06-06 | 2005-06-23 | Epcos Ag | Saw filter with improved selection or insulation. |
WO2004109911A2 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Epcos Ag | Saw filter with improved selection or insulation. |
US7477117B2 (en) | 2003-06-06 | 2009-01-13 | Epcos Ag | Saw filter with improved selection or insulation |
US7692517B2 (en) | 2003-08-25 | 2010-04-06 | Tele Filter Gmbh | Oscillator with acoustic surface wave resonators |
WO2005041403A1 (en) * | 2003-08-25 | 2005-05-06 | Tele Filter Gmbh | Oscillator with an acoustic surface wave resonator |
US7760048B2 (en) | 2004-04-19 | 2010-07-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter and communication device equipped with the elastic wave filter |
EP1739830A4 (en) * | 2004-04-19 | 2009-04-22 | Murata Manufacturing Co | Elastic wave filter and communication device using the same |
EP1739830A1 (en) * | 2004-04-19 | 2007-01-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter and communication device using the same |
DE102004028421A1 (en) * | 2004-06-04 | 2006-01-12 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Oscillator has surface acoustic wave resonator frequency-determining elements with different sign nth order synchronous frequency temperature coefficients if non-zero, same sign n+1th order, first to n-1th coefficients null if n exceeds 1 |
DE102004028421B4 (en) * | 2004-06-04 | 2006-05-04 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Oscillator with surface acoustic wave resonators |
US8068001B2 (en) | 2004-10-06 | 2011-11-29 | Epcos Ag | Saw filter featuring impedance transformation |
WO2006037477A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-13 | Epcos Ag | Saw filter featuring impedance transformation |
DE102004060901A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-07-13 | Leibnitz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden e.V. | oscillator |
EP2015451A4 (en) * | 2006-04-06 | 2009-11-04 | Murata Manufacturing Co | Duplexer |
EP2015451A1 (en) * | 2006-04-06 | 2009-01-14 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Duplexer |
WO2024025473A3 (en) * | 2022-07-27 | 2024-03-14 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | Twin double-mode surface-acoustic-wave (dms) filters with opposite polarities and a geometric offset |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19818826B4 (en) | 2004-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69412424T2 (en) | Acoustic surface wave filter | |
DE19818826B4 (en) | Surface wave filters with increased bandwidth | |
DE19714085C2 (en) | Acoustic multimode surface wave filter | |
DE69413843T2 (en) | SURFACE WAVE RESONATORS WITH TWO FASHIONS | |
DE68916308T2 (en) | Acoustic surface wave filter. | |
EP1196991B1 (en) | Surface acoustic wave (saw) filter of the reactance filter type exhibiting improved stop band suppression and method for optimizing the stop band suppression | |
DE3586199T2 (en) | CONVERTERS FOR ACOUSTIC SURFACE WAVES. | |
DE10102153B4 (en) | Surface wave device, as well as its use and method for its production | |
DE112008000116B4 (en) | FILTER WORKING WITH ACOUSTIC WAVES | |
EP1125364A1 (en) | Surface acoustic wave arrangement with at least two surface acoustic wave structures | |
DE69827187T2 (en) | Acoustic surface wave arrangement with near-field coupling and differential inputs and outputs | |
DE10111959A1 (en) | Transducer structure working with acoustic waves | |
WO2007048376A1 (en) | Saw filter comprising a broadband band-stop filter | |
DE102010046794B4 (en) | Acoustic waves filter with reduced nonlinearities | |
DE10142641A1 (en) | Surface acoustic wave filter | |
DE102009009484B4 (en) | Dual-channel SAW filter | |
DE112011103586T5 (en) | Demultiplexer for elastic waves | |
DE69220894T2 (en) | Spatially changing acoustic wave filter with multiple electrodes | |
DE112009002361T5 (en) | Filter device for elastic waves | |
DE69934765T2 (en) | Acoustic surface wave filter | |
DE4431612A1 (en) | Surface acoustic wave filter | |
WO2011009868A1 (en) | Filter circuit having improved filter characteristic | |
DE10113607A1 (en) | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter using the same | |
WO2001061859A2 (en) | Surface wave filter comprising reactance elements | |
DE10325798B4 (en) | SAW filter with improved selection or isolation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: EPCOS AG, 81541 MUENCHEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE |
|
R071 | Expiry of right |