DE19739249A1 - CCD with time delayed and integrating function - Google Patents

CCD with time delayed and integrating function

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DE19739249A1
DE19739249A1 DE19739249A DE19739249A DE19739249A1 DE 19739249 A1 DE19739249 A1 DE 19739249A1 DE 19739249 A DE19739249 A DE 19739249A DE 19739249 A DE19739249 A DE 19739249A DE 19739249 A1 DE19739249 A1 DE 19739249A1
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photocell
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Abstract

The CCD includes a charge transmission unit, a reset unit, a horizontal shift register, and at least one cell column with several cell units connected in series, which define a shift register to horizontal, as a charge flow aligned downstream. Each cell unit has a photocell, which produces charge, if it is illuminated and at least one buffer cell for the storing of charges. The photo cell and the buffer cell are connected in series. The charge transmission unit, which is connected with each of the photo cells and the buffer cells. The component controls by transmitting charges downstream between the individual cells and by the transmission of charges from the first cell column to the horizontal shift register. The reset unit of each of the photo cells, would be reset, after the charges accumulated in each of the photocells were transmitted from these.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ladungsgekoppelte Bausteine mit Zeitverzögerungs- und Integrationsfunktion.The present invention relates to charge coupled devices Blocks with time delay and integration function.

Ladungsgekoppelte Bausteine (CCD) mit Zeitverzögerungs- und Integrationsfunktion (TDI) sind bekannt. Ein TDI-CCD- Sensor besteht aus mehreren auch als Stufen bezeichneten Zeilen oder Reihen von auch als Pixel bezeichneten Photozel­ len. Von einem Objekt oder Gegenstand reflektiertes oder durch ein Objekt erzeugtes Licht trifft auf die Photozellen und erzeugt Ladungen in den Photozellen. Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 1A, in der ein schematisches Dia­ gramm eines allgemein durch das Bezugszeichen 100 bezeichne­ ten TDI-CCD-Sensors dargestellt ist. Der Sensor 100 weist mehrere allgemein durch das Bezugszeichen 102 bezeichnete Photozellen auf, die in einem zweidimensionalen Feld ange­ ordnet sind, das mehrere Zeilen oder Reihen 104 und mehrere Spalten 106 aufweist. Der Sensor 100 weist außerdem ein ho­ rizontales Schieberegister 112 auf, das am untersten Ende jeder der Spalten angeordnet und mit der untersten Zelle je­ der der Spalten verbunden ist.Charge-coupled devices (CCD) with time delay and integration function (TDI) are known. A TDI-CCD sensor consists of several rows or rows of photo cells, also known as pixels, or stages. Light reflected from an object or generated by an object strikes the photocells and generates charges in the photocells. Reference is now made to FIG. 1A, which shows a schematic diagram of a TDI-CCD sensor, generally designated by reference numeral 100 . The sensor 100 has a plurality of photocells, generally designated by the reference symbol 102 , which are arranged in a two-dimensional field which has a plurality of rows or rows 104 and a plurality of columns 106 . Sensor 100 also includes a horizontal shift register 112 located at the bottom of each of the columns and connected to the bottom of each of the columns.

Das Hauptprinzip, gemäß dem der Sensor 100 arbeitet, besteht darin, Ladungen synchron mit der Bewegung eines Ob­ jekts 110 zu akkumulieren und zu verschieben. Wenn die Pho­ tozelle 102f durch Licht von einem Objekt 110 belichtet wird, werden in der Photozelle 102f Ladungen erzeugt und darin gespeichert. Wenn das Objekt sich zur Photozelle 102e bewegt, werden die in der Photozelle 102f akkumulierten La­ dungen zur Photozelle 102e übertragen, und gleichzeitig wer­ den die Ladungen von der Photozelle 102e zur Photozelle 102d übertragen. Daraufhin wird die Photozelle 102e durch das Licht vom Objekt 110 belichtet, wodurch in der Photozelle 102e zusätzliche Ladungen erzeugt und akkumuliert werden. Wenn das Objekt sich zur Photozelle 102d bewegt, werden die in der Photozelle 102e akkumulierten Ladungen zur Photozelle 102d übertragen usw. bis zu den Photozellen 102c und 102b. Schließlich werden die in der Photozelle 102b akkumulierten Ladungen, die L Belichtungen von Photozellen durch das Ob­ jekt 110 entsprechen, wobei L die Anzahl der Reihen im Sen­ sor 100 darstellt, zu einer Zelle 112a eines horizontalen Schieberegisters übertragen und dann zum Ausgang verschoben.The main principle according to which the sensor 100 operates is to accumulate and move charges in synchronism with the movement of an object 110 . When the photocell 102 f is exposed to light from an object 110 , charges are generated in the photocell 102 f and stored therein. When the object moves to the photo cell 102 e, the charges accumulated in the photo cell 102 f are transferred to the photo cell 102 e, and at the same time who transfers the charges from the photo cell 102 e to the photo cell 102 d. The photocell 102 e is then exposed to light from the object 110 , as a result of which additional charges are generated and accumulated in the photocell 102 e. When the object moves to the photo cell 102 d, the charges accumulated in the photo cell 102 e are transferred to the photo cell 102 d, etc. up to the photo cells 102 c and 102 b. Finally, the b in the photocell 102 accumulated charges, the L exposures of photocells 110 correspond ject through the Ob, where L represents the number of rows in the sen sor 100, a of a horizontal shift register transferred to a cell 112, and then shifted to the output.

Das gleiche tritt in jeder der Spalten auf. Die Photo­ zellen 102 jeder Zeile oder Reihe 104 übertragen in der Fol­ ge der Bewegung des Objekts 110 die akkumulierten Ladungen gleichzeitig an die Photozellen der nächsten Zeile oder Rei­ he. Die durch eine Zeile zuvor akkumulierten Ladungen werden zu den neu erzeugten Ladungen der nächsten Zeile addiert, während das Objekt sich von einer Zeile zur nächsten bewegt. Dadurch wird im untersten Teil des Feldes eine Zeile eines Bildes des Objekts gebildet, das durch alle Zeilen des Fel­ des akkumuliert wurde. Aus diesem Grund weist ein TDI-Sensor grundsätzlich eine Empfindlichkeit auf, die um den seiner Anzahl von Stufen entsprechenden Faktor größer ist als bei einem linearen Sensor (einzeiliger Sensor). Aufgrund seiner erhöhten Empfindlichkeit hat ein TDI-Bildsensor viele Anwen­ dungsmöglichkeiten, bei denen die Empfindlichkeit eines ein­ zeiligen Sensors nicht ausreichend ist, wie beispielsweise bei der Überprüfung von sich schnell bewegendem und/oder dunklem Bahnenmaterial, bei der Aufklärung und ähnliche An­ wendungen.The same occurs in each of the columns. The photocells 102 of each row or row 104 simultaneously transfer the accumulated charges to the photocells of the next row or row as a result of the movement of the object 110 . The charges accumulated by one line are added to the newly created charges on the next line as the object moves from one line to the next. As a result, a line of an image of the object is formed in the lowest part of the field, which has been accumulated by all lines of the field. For this reason, a TDI sensor generally has a sensitivity that is greater by a factor corresponding to its number of levels than with a linear sensor (single-line sensor). Due to its increased sensitivity, a TDI image sensor has many applications in which the sensitivity of a single-line sensor is not sufficient, such as when checking fast-moving and / or dark web material, in reconnaissance and similar applications.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 1B, die allge­ meine Impulsdiagramme eines herkömmlichen TDI-Sensors 100 zeigt. Zeile 140 zeigt ein Objektbewegungssynchronisations­ signal, das immer dann einen hohen Pegel annimmt, wenn das Objekt 110 sich zur nächsten Photozellenzeile bewegt. Zeile 142 zeigt ein Signal, das während vertikalen Ladungsübergän­ gen oder -verschiebungen einen hohen Pegel und während der Zeit, in der die Photozellen belichtet werden, einen niedri­ gen Pegel aufweist. Zeile 144 zeigt ein Signal, das während horizontalen Verschiebungen eines horizontalen Schieberegi­ sters 112 einen hohen Pegel aufweist.Reference is now made to FIG. 1B, which shows general timing diagrams of a conventional TDI sensor 100 . Line 140 shows an object movement synchronization signal which always assumes a high level when the object 110 moves to the next photocell line. Line 142 shows a signal that is high during vertical charge transitions or shifts and low during the time the photocells are exposed. Line 144 shows a signal that is high during horizontal shifts of a horizontal shift register 112 .

Vertikale Ladungsübergänge von der Photozelle 102f (Fig. 1A) einer Zeile zur Photozelle 102e der nächsten Zeile müssen nun synchron zur Relativbewegung zwischen dem Sensor 100 und dem Objekt 110 ausgeführt werden. Wenn der Abstand zwischen Photozellen in Bewegungsrichtung (Abstand zwischen den Zeilen) ΔY beträgt, muß die Ladungsübertragung von Zeile zu Zeile bzw. die zeilenweise Ladungsübertragung immer dann stattfinden, wenn das Objekt sich um eine Strecke ΔY auf der Sensorebene bewegt hat. Nachstehend wird als Beispiel ein bestimmter Punkt auf dem Objekt betrachtet, durch den die Photozelle 102f zu einem vorgegebenen Zeitpunkt belichtet wird. Nachdem der Punkt sich über die Strecke ΔY auf der Bildebene bewegt hat, werden die von dem Punkt durch die Photozelle 102f der Zeile 104f akkumulierten Ladungen zur Photozelle 102e der nächsten Zeile 104e übertragen, und die­ se Photozelle der Zeile 104e wird nun durch den Punkt be­ lichtet (der Punkt wird durch diese Photozelle gesehen). Die von der Zeile 104f übertragenen Ladungen werden mit den neu­ en, durch Licht erzeugten Ladungen der Zeile 104e addiert, die dem gleichen Punkt des Objekts 110 zugeordnet sind. Die­ se Arbeitsweise der mit der Relativbewegung des Objekts auf der Bildebene synchronisierten zeilenweisen Ladungsübertra­ gung wird fortgesetzt, bis die diesem Punkt zugeordneten La­ dungen das horizontale Schieberegister (HSR) 112 am unteren Ende des Feldes erreichen. Im horizontalen Schieberegister HSR werden die Ladungen der Zeile schnell zum Ausgang 130 verschoben. Wenn der TDI-Sensor L Stufen hat, wird am Aus­ gang des TDI-Sensors ein Signal ausgegeben, das Elemente ei­ nes Objekts darstellt, die durch Elemente des Sensors gese­ hen und L-fach akkumuliert wurden. Daher kann ein TDI-Sensor theoretisch eine L-mal so hohe Empfindlichkeit aufweisen wie ein herkömmlicher linearer CCD-Sensor. Die Synchronisation der vertikalen zeilenweisen Ladungsübertragung bezüglich der Objektbewegung kann in Abhängigkeit von der Anwendung durch Verwendung eines Drehgebers oder Encoders oder durch eine andere Einrichtung erreicht werden.Vertical charge transitions from the photocell 102 f ( FIG. 1A) of one line to the photocell 102 e of the next line must now be carried out in synchronism with the relative movement between the sensor 100 and the object 110 . If the distance between photocells in the direction of movement (distance between the lines) is ΔY, the charge transfer from line to line or the line-by-line charge transfer must take place whenever the object has moved a distance ΔY on the sensor level. A specific point on the object, through which the photocell 102 f is exposed at a predetermined time, is considered below as an example. After the point has traveled the distance ΔY on the image plane, the charges accumulated by the point through the photocell 102 f of the line 104 f are transferred to the photocell 102 e of the next line 104 e, and this photocell of the line 104 e becomes now illuminated by the point (the point is seen through this photocell). The charges transferred from line 104 f are added to the new light-generated charges of line 104 e, which are assigned to the same point of object 110 . This mode of operation of the line-by-line charge transfer synchronized with the relative movement of the object on the image plane continues until the charges assigned to this point reach the horizontal shift register (HSR) 112 at the lower end of the field. In the horizontal shift register HSR, the charges of the line are quickly shifted to output 130 . If the TDI sensor has L stages, a signal is output at the output of the TDI sensor, which represents elements of an object, which have been seen by elements of the sensor and have been accumulated L times. Therefore, a TDI sensor can theoretically be L times as sensitive as a conventional linear CCD sensor. The synchronization of the vertical line-by-line charge transfer with respect to the object movement can be achieved, depending on the application, by using a rotary encoder or encoder or by another device.

Anders als ein linearer CCD-Sensor weist ein herkömmli­ cher TDI-Sensor aufgrund der Tatsache, daß Ladungen kontinu­ ierlich akkumuliert werden, keine elektronische Belichtungs­ steuerung auf. Daher können Photozellen nicht im zurückge­ setzten Zustand gehalten werden.Unlike a linear CCD sensor, a conventional one cher TDI sensor due to the fact that charges continuously can be accumulated, no electronic exposure control on. Therefore, photocells cannot be returned set state.

TEXP bezeichnet die Zeitdauer, in der eine vorgegebene Photozelle belichtet wird und daher Ladungen akkumuliert. Bei einem herkömmlichen TDI-CCD-Sensor entspricht TEXP der Zeit für eine Ladungsübertragung zwischen zwei aufeinander­ folgenden Zeilen. D.h., TEXP ist die Zeit, die ein Objekt be­ nötigt, um eine Strecke auf der Bildebene zurückzulegen, die dem Abstand zwischen zwei aufeinanderfolgenden Zeilen des Sensors 100 gleich ist.T EXP denotes the time in which a given photocell is exposed and therefore charges are accumulated. In a conventional TDI-CCD sensor, T EXP corresponds to the time for a charge transfer between two successive lines. That is, T EXP is the time it takes an object to cover a distance on the image plane that is equal to the distance between two successive lines of sensor 100 .

Das Hauptmerkmal des herkömmlichen TDI-Mechanismus ba­ siert auf der Synchronisation mit dem Abstand und der Bewe­ gung bzw. der Versetzung. Wenn die Relativgeschwindigkeit des Objekts nicht konstant ist, ist die Zeit, die ein Objekt benötigt, um eine vorgegebene Strecke zurückzulegen, nicht konstant, sondern geschwindigkeitsabhängig. Daher ändert sich die Integrationszeit TEXP der Photozellen des herkömmli­ chen TDI-Sensors, wenn die Geschwindigkeit des Objekts sich ändert. Dadurch ändert sich die in den Photozellen erzeugte Ladung mit einer Änderung der Geschwindigkeit und nicht nur als ein Faktor der Helligkeit des Objekts.The main feature of the conventional TDI mechanism is based on the synchronization with the distance and the movement or the displacement. If the relative speed of the object is not constant, the time it takes for an object to cover a given distance is not constant, but depends on the speed. Therefore, the integration time T EXP of the photocells of the conventional TDI sensor changes when the speed of the object changes. As a result, the charge generated in the photocells changes with a change in speed and not just as a factor of the brightness of the object.

Bei Anwendungen, bei denen die Überprüfung beweglicher Bahnenmaterialien vorgesehen ist, ist ein zu erfassender De­ fekt manchmal eine Änderung des Farbtons des Bahnenmateri­ als. Eine Änderung des Ausgangssignale aufgrund einer Ge­ schwindigkeitsänderung des Bahnenmaterials kann manchmal das gleiche Erscheinungsbild haben bei einem tatsächlichen De­ fekt. Dies trifft auch auf lineare einzeilige Sensoren zu.For applications where the review is more agile Sheet materials is provided is a De to be recorded sometimes change the color of the sheet material as. A change in the output signals due to a Ge change in the speed of the web material can sometimes do that have the same appearance in an actual De perfect. This also applies to linear single-line sensors.

Ein herkömmliches Verfahren zum Lösen dieses Problems der durch eine Geschwindigkeitsänderung verursachten Si­ gnaländerung bei Verwendung linearer Sensoren besteht darin, eine elektronische Belichtungszeit zu verwenden. Durch An­ wenden einer konstanten Belichtungszeit, die kürzer ist als die minimale Zeit für die Ladungsübertragung zwischen auf­ einanderfolgenden Zeilen (die bei der maximalen Geschwindig­ keit des Objekts auftritt), ist die Integrationszeit der Photozellen unabhängig von der Objektgeschwindigkeit kon­ stant.A conventional method for solving this problem the Si caused by a change in speed Signal change when using linear sensors consists of to use an electronic exposure time. By To apply a constant exposure time that is shorter than the minimum time for charge transfer between on consecutive lines (those at the maximum speed object), the integration time is the Photocells regardless of the object speed stant.

Bei einem anderen Verfahren zum Lösen des vorstehenden Problems wird das Ausgangssignal korrigiert, indem die Ge­ schwindigkeit der Relativbewegung des Objekts gemessen und der Verstärkungsgrad entsprechend geändert wird. Bei einem noch anderen Verfahren werden mechanische oder LCD-Ver­ schlüsse verwendet. Die vorstehenden Verfahren sind nor­ malerweise aufgrund ihrer Komplexität ihrer Durchführung, des großen dynamischen Bereichs, der erforderlich ist, wenn der Geschwindigkeitsbereich groß ist, der erforderlichen Kompensations- oder Korrekturgenauigkeit usw., problema­ tisch.Another method of solving the above Problem, the output signal is corrected by the Ge speed of the relative movement of the object is measured and the gain level is changed accordingly. At a still other methods are mechanical or LCD Ver conclusions used. The above procedures are nor sometimes due to the complexity of their implementation, of the large dynamic range required when the speed range is large, the required  Compensation or correction accuracy, etc., problema table.

Herkömmliche TDI-Sensoren weisen keine elektronische Belichtungssteuerung auf. Dadurch ist es schwierig und manchmal unmöglich, den TDI-Sensor zu verwenden, wenn die Objektgeschwindigkeit sich bezüglich des Sensors ändert. Ein Nachteil herkömmlicher TDI-Sensoren ist, daß durch sie der Überhellungs- oder Bloomingeffekt nicht eliminiert werden Kann, der auftritt, wenn die in der Photozelle akkumulierten Ladungen einen vorgegebenen Pegel überschreiten.Conventional TDI sensors do not have electronic ones Exposure control on. This makes it difficult and sometimes impossible to use the TDI sensor if the Object speed changes with respect to the sensor. A Disadvantage of conventional TDI sensors is that the Over-brightening or blooming effects cannot be eliminated Can that occur when those accumulated in the photocell Charges exceed a predetermined level.

Eine Belichtungssteuerung kann in einem TDI-Sensor mit Zwischenzeilenübergangsarchitektur (Interline Transfer-(IL) Architektur) eingebaut werden. Die Zwischenzeilenübergangs­ architektur hat einen partiellen Füllgrad, was einen wesent­ lichen Nachteil darstellt. Diese Technik ist in "Novel In­ terline Transfer CCD Array for Near-Infrared Applications", Stacy R. Kamaz et al., SPIE, Bd. 2415, Seiten 106-116, be­ schrieben.An exposure control can be used in a TDI sensor Interline transfer (IL) architecture Architecture). The interline transition architecture has a partial degree of filling, which is essential represents disadvantage. This technique is described in "Novel In terline Transfer CCD Array for Near-Infrared Applications ", Stacy R. Kamaz et al., SPIE, vol. 2415, pages 106-116, be wrote.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen neuartigen TDI-CCD-Sensor bereitzustellen, durch den die Nachteile der herkömmlichen Sensoren eliminiert werden.It is an object of the present invention to provide a to provide novel TDI-CCD sensor through which the Disadvantages of conventional sensors can be eliminated.

Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen neuartigen TDI-CCD-Sensor mit Belichtungssteuerung be­ reitzustellen, der einen Füllgrad von fast 100% des abge­ bildeten Objekts aufweist. Durch die bei der vorliegenden Erfindung vorgesehene Belichtungssteuerung kann der Sensor für Anwendungen verwendet werden, bei denen die Relativge­ schwindigkeit des abgebildeten Objekts nicht konstant ist, sowie für andere TDI- und Zeilenabtastanwendungen, bei denen ein elektronischer Verschluß erforderlich ist.It is another object of the present invention be a novel TDI-CCD sensor with exposure control to sit down with a fill level of almost 100% of the formed object. By the present Exposure control provided by the invention can be the sensor be used for applications in which the Relativge speed of the depicted object is not constant, as well as other TDI and line scan applications where an electronic lock is required.

Erfindungsgemäß wird ein ladungsgekoppelter Baustein mit Zeitverzögerungs- und Integrationsfunktion bereitge­ stellt, wobei der Baustein eine Ladungsübertragungseinheit, eine Rücksetzeinheit, ein horizontales Schieberegister und mindestens eine Zellenspalte aufweist. Die Zellenspalte weist mehrere in Serie geschaltete Zelleneinheiten auf, durch die ein (nach unten) zum horizontalen Schieberegister ein gerichteter Ladungsfluß definiert wird. Jede der Zellen­ einheiten weist eine Photozelle auf, die Ladungen erzeugt, wenn sie belichtet wird, und mindestens eine Pufferzelle zum Speichern von Ladungen, wobei die Photozelle und die minde­ stens eine Pufferzelle in Serie geschaltet sind.According to the invention is a charge-coupled device with time delay and integration function provides, the module a charge transfer unit, a reset unit, a horizontal shift register and has at least one cell column. The cell fissure  has several cell units connected in series, through the one (down) to the horizontal shift register a directed charge flow is defined. Each of the cells units has a photocell that generates charges, when exposed, and at least one buffer cell to Storage of charges, whereby the photocell and the min at least one buffer cell is connected in series.

Die Ladungsübertragungseinheit ist mit jeder der Photo­ zellen und der Pufferzellen verbunden und steuert den Bau­ stein durch Übertragen von Ladungen nach unten gerichtet zwischen den Zellen und durch Übertragen von Ladungen von den Zellenspalten zum horizontalen Schieberegister. Durch die Rücksetzeinheit werden die Photozellen zurückgesetzt, nachdem die in den Photozellen akkumulierten Ladungen von diesen übertragen wurden.The charge transfer unit is with each of the photos cells and the buffer cells connected and controls the construction stone directed downwards by transferring charges between cells and by transferring charges of the cell columns to the horizontal shift register. By the reset unit, the photocells are reset, after the charges of these were transferred.

Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist die vertikale Länge der Zelleneinheiten der doppelten verti­ kalen Länge der Photozellen gleich.According to another embodiment of the invention the vertical length of the cell units of the double verti same length as the photocells.

Gemäß einer noch anderen Ausführungsform der Erfindung ist die vertikale Länge der Zelleneinheiten der vertikalen Länge der Photozellen im wesentlichen gleich.According to yet another embodiment of the invention is the vertical length of the cell units of the vertical The length of the photocells is essentially the same.

Eine bevorzugte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Bausteins weist Zelleneinheiten mit zwei Pufferzellen auf.A preferred embodiment of an inventive Building block has cell units with two buffer cells.

Jede der Zellenspalten kann außerdem eine mit dem hori­ zontalen Schieberegister in Serie geschaltete zusätzliche Photozelle aufweisen.Each of the cell columns can also have one with the hori zonal shift register additional series connected Have photocell.

Die bevorzugte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Bausteins weist Zelleneinheiten mit einer einzigen Puffer­ zelle auf.The preferred embodiment of an invention Building blocks have cell units with a single buffer cell on.

Eine für einen TDI-CCD-Baustein vorgesehene Zellenein­ heit weist eine Photozelle, die Ladungen erzeugt und akkumu­ liert, wenn sie belichtet wird, und mindestens eine Puffer­ zelle zum Speichern von Ladungen auf, wobei die Photozelle und die mindestens eine Pufferzelle in Serie geschaltet sind. A cell intended for a TDI-CCD chip unit has a photocell that generates and accumulates charges if exposed and at least one buffer cell to store charges on, the photocell and the at least one buffer cell connected in series are.  

Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein ladungsgekoppelter Baustein mit Zeitverzögerungs- und Integrationsfunktion bereitgestellt, wobei der Baustein ei­ ne Ladungsübertragungseinheit, eine Rücksetzeinheit, ein ho­ rizontales Schieberegister und mindestens eine Zellenspalte mit mehreren in Serie geschalteten Zelleneinheiten aufweist, die einen nach unten zum horizontalen Schieberegister hin berichteten Ladungsfluß definieren.According to another embodiment of the invention a charge coupled device with time delay and Integration function provided, the block ei ne charge transfer unit, a reset unit, a ho horizontal shift register and at least one cell column with several cell units connected in series, some down to the horizontal shift register Define reported charge flow.

Jede der Zelleneinheiten weist eine Photozelle, die La­ dungen erzeugt, wann sie belichtet wird, und eine unter der Photozelle angeordnete und mit der Photozelle verbundene Pufferzelle zum Speichern von Ladungen auf.Each of the cell units has a photocell, the La generated when it is exposed, and one under the Photocell arranged and connected to the photocell Buffer cell for storing charges.

Die Ladungsübertragungseinheit ist mit jeder der Photo­ zellen und der Pufferzellen verbunden und steuert den Bau­ stein durch Übertragen von Ladungen in einer ausgewählten Zelleneinheit von einer Photozelle der ausgewählten Zellen­ einheit zu einer Pufferzelle der ausgewählten Zelleneinheit. Die Ladungsübertragungseinheit steuert außerdem den Baustein durch Übertragen von Ladungen zwischen den Pufferzellen nach unten gerichtet zum horizontalen Schieberegister hin. Die Rücksetzeinheit setzt die Photozellen zurück, nachdem die in den Photozellen akkumulierten Ladungen von diesen übertragen wurden.The charge transfer unit is with each of the photos cells and the buffer cells connected and controls the construction stone by transferring charges in a selected one Cell unit from a photocell of the selected cells unit to a buffer cell of the selected cell unit. The charge transfer unit also controls the module by transferring charges between the buffer cells below towards the horizontal shift register. The Reset unit resets the photocells after the in charges accumulated by the photocells are transferred from them were.

Die Rücksetzeinheit kann jede der Zellenspalten einzeln zurücksetzen. Alternativ setzt die Rücksetzeinheit einzelne Zeilen der Zelleneinheiten zurück.The reset unit can each of the cell columns individually reset to default. Alternatively, the reset unit sets individual ones Rows of cell units back.

Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird eine Zelleneinheit für den Einbau in einen TDI-CCD-Baustein bereitgestellt, mit: einer Photozelle, die Ladungen erzeugt und akkumuliert, wenn sie belichtet wird, und mindestens ei­ ner Pufferzelle zum Speichern von Ladungen. Die Pufferzelle ist unter der Photozelle angeordnet.According to another embodiment of the invention a cell unit for installation in a TDI-CCD module provided with: a photocell that generates charges and accumulates when exposed, and at least one ner buffer cell for storing charges. The buffer cell is located under the photocell.

Gemäß einer noch anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zum Betreiben eines TDI-CCD-Bausteins be­ reitgestellt, wobei der TDI-CCD-Baustein mehrere Zellenspal­ ten aufweist, jede Zellenspalte mehrere Zelleneinheiten auf­ weist, jede Zelleneinheit eine Photozelle und eine unter der Photozelle angeordnete und damit verbundene Pufferzelle auf­ weist und jede der Pufferzellen der Zelleneinheiten in Serie geschaltet ist, um eine nach unten gerichtete und in einem Schieberegister endende Struktur zu definieren, wobei das Verfahren den Schritt zum Wiederholen der folgenden Schritte aufweist:
Aktivieren der Belichtung der Photozellen;
Erfassen von Licht von einem Objekt durch die Photozel­ len, um Ladungen durch die Photozellen zu erzeugen;
Übertragen der Ladungen in jeder Zelleneinheit von den Photozellen zu den Pufferzellen;
Deaktivieren der Belichtung der Photozellen; und
Übertragen von Ladungen zwischen den Pufferzellen nach unten gerichtet zum Schieberegister hin.
According to yet another embodiment of the invention, a method for operating a TDI-CCD module is provided, wherein the TDI-CCD module has a plurality of cell gaps, each cell column has a number of cell units, each cell unit has a photo cell and one arranged under the photo cell and connected buffer cell and each of the buffer cells of the cell units is connected in series to define a downward structure and ending in a shift register, the method comprising the step of repeating the following steps:
Activating the exposure of the photocells;
Detecting light from an object through the photo cells to generate charges through the photo cells;
Transferring the charges in each cell unit from the photocells to the buffer cells;
Deactivating the exposure of the photocells; and
Transfer of charges between the buffer cells facing down to the shift register.

Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zum Betreiben eines TDI-CCD-Bausteins bereit­ gestellt, wobei der TDI-CCD-Baustein mehrere Zellenspalten aufweist, jede der Zellenspalten mehrere in Serie geschalte­ te Photozellen aufweist, jede der Zelleneinheiten eine Pho­ tozelle und eine damit in Serie geschaltete Pufferzelle auf­ weist und die letzte Zelleneinheit jeder Zellenspalte mit einem Schieberegister verbunden ist. Das Verfahren weist den Schritt zum Wiederholen der folgenden Schritte auf:
Aktivieren der Erfassung von Licht von einem Objekt, um Ladungen durch die Photozelle zu erzeugen;
Übertragen der Ladungen in jeder Zelleneinheit von den Photozellen zu den Pufferzellen;
Übertragen der Ladungen von der Pufferzelle der letzten Zelleneinheit zum Schieberegister;
Deaktivieren der Erfassung von Licht durch die Photo­ zellen; und
Übertragen von Ladungen zwischen den Pufferzellen nach unten gerichtet zum Schieberegister hin von einer Pufferzel­ le einer ausgewählten Zelleneinheit zu einer Photozelle ei­ ner nachfolgenden Zelleneinheit.
According to another embodiment of the invention, a method for operating a TDI-CCD module is provided, the TDI-CCD module having a plurality of cell columns, each of the cell columns having a plurality of photocells connected in series, each of the cell units having a photocell and one thus has a series-connected buffer cell and the last cell unit of each cell column is connected to a shift register. The method has the step of repeating the following steps:
Enabling detection of light from an object to generate charges through the photocell;
Transferring the charges in each cell unit from the photocells to the buffer cells;
Transferring the charges from the buffer cell of the last cell unit to the shift register;
Disable the detection of light by the photo cells; and
Transferring charges between the buffer cells downward to the shift register from a buffer cell of a selected cell unit to a photocell of a subsequent cell unit.

Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zum Betreiben eines TDI-CCD-Bausteins bereit­ gestellt, wobei der TDI-CCD-Baustein mehrere Zellenspalten aufweist, jede der Zellenspalten mehrere Zelleneinheiten und eine letzte Zelleneinheit aufweist, jede der Zelleneinheiten eine Photozelle und eine damit in Serie geschaltete Puffer­ helle aufweist und jede der letzten Zelleneinheiten eine Photozelle aufweist und mit einem Schieberegister verbunden ist. Das Verfahren weist den Schritt zum Wiederholen der folgenden Schritte auf:
Aktivieren der Erfassung von Licht von einem Objekt, um Ladungen durch die Photozellen zu erzeugen;
Übertragen der Ladungen in jeder Zelleneinheit von den Photozellen zu den Pufferzellen;
Übertragen der Ladungen von jeder letzten Photozelle zum Schieberegister;
Deaktivieren der Erfassung von Licht durch die Photo­ zellen; und
Übertragen von Ladungen zwischen den Zelleneinheiten nach unten gerichtet zum Schieberegister hin von einer Puf­ ferzelle einer ausgewählten Zelleneinheit zu einer Photozel­ le einer nachfolgenden Zelleneinheit.
According to another embodiment of the invention, a method for operating a TDI-CCD module is provided, wherein the TDI-CCD module has a plurality of cell columns, each of the cell columns has a number of cell units and a last cell unit, and each of the cell units has a photo cell and one with it has buffers connected in series bright and each of the last cell units has a photocell and is connected to a shift register. The method has the step of repeating the following steps:
Enabling detection of light from an object to generate charges through the photocells;
Transferring the charges in each cell unit from the photocells to the buffer cells;
Transferring the charges from each last photocell to the shift register;
Disable the detection of light by the photo cells; and
Transfer of charges between the cell units directed downwards to the shift register from a buffer cell of a selected cell unit to a photo cell of a subsequent cell unit.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zum Betreiben eines TDI-CCD-Bausteins bereit­ gestellt, wobei der TDI-CCD-Baustein mehre Zellenspalten aufweist, jede der Zellenspalten mehrere in Serie geschalte­ te Zelleneinheiten aufweist, jede der Zelleneinheiten eine Photozelle, eine mit der Photozelle in Serie geschaltete er­ ste Pufferzelle und eine mit der ersten Pufferzelle in Serie geschaltete zweite Pufferzelle aufweist und die letzte Zel­ leneinheit jeder Zellenspalte mit einem Schieberegister ver­ bunden ist. Das Verfahren weist den Schritt zum Wiederholen der folgenden Schritte auf:
Aktivieren der Erfassung von Licht von einem Objekt, um Ladungen durch die Photozellen zu erzeugen;
Übertragen der Ladungen in jeder Zelleneinheit von den Photozellen zu den ersten Pufferzellen;
Deaktivieren der Erfassung von Licht durch die Photo­ zellen;
Übertragen von Ladungen zwischen den Zelleneinheiten nach unten gerichtet zum Schieberegister hin von einer zwei­ ten Pufferzelle einer ausgewählten Zelleneinheit zu einer Photozelle einer nachfolgenden Zelleneinheit;
Übertragen von Ladungen in jeder Zelleneinheit von den ersten Pufferzellen zu den zweiten Pufferzellen; und
Übertragen von Ladungen aus der zweiten Pufferzelle der letzten Zelleneinheit zum Schieberegister.
According to a further embodiment of the invention, a method for operating a TDI-CCD module is provided, the TDI-CCD module having several cell columns, each of the cell columns having a plurality of cell units connected in series, each of the cell units having a photocell, one with of the photocell connected in series with the first buffer cell and a second buffer cell connected in series with the first buffer cell and the last cell unit of each cell column is connected to a shift register. The method has the step of repeating the following steps:
Enabling detection of light from an object to generate charges through the photocells;
Transferring the charges in each cell unit from the photocells to the first buffer cells;
Disable the detection of light by the photo cells;
Transferring charges between the cell units downward to the shift register from a second buffer cell of a selected cell unit to a photocell of a subsequent cell unit;
Transferring charges in each cell unit from the first buffer cells to the second buffer cells; and
Transfer of charges from the second buffer cell of the last cell unit to the shift register.

Jedes der vorstehenden Verfahren kann außerdem die Schritte zum Übertragen von Ladungen aus dem Schieberegi­ ster, zum Zurücksetzen der Photozellen, zum Aktivieren einer Belichtung durch Deaktivieren des Rücksetzzustands der Photo­ zellen und zum Deaktivieren der Belichtung durch Aktivieren des Rücksetzzustands der Photozellen aufweisen.Any of the above methods can also Steps to transfer loads from the shift register ster, to reset the photocells, to activate one Exposure by disabling the reset state of the photo cells and to deactivate the exposure by activating the reset state of the photocells.

Die vorliegende Erfindung wird durch die nachstehende Beschreibung in Verbindung mit den Zeichnungen ausführlicher erläutert; es zeigen:The present invention is accomplished by the following Description in more detail in conjunction with the drawings explained; show it:

Fig. 1A ein schematisches Diagramm eines herkömmlichen TDI-CCD-Sensors; Figure 1A is a schematic diagram of a conventional TDI-CCD sensor.

Fig. 1B eine schematische Darstellung von Impulsdia­ grammen des in Fig. 1A dargestellten herkömmlichen TDI-Sensors; Fig. 1B is a schematic representation of impulse diagrams of the conventional TDI sensor shown in Fig. 1A;

Fig. 2A eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen TDI-CCD-Sensors, der gemäß einer bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsge­ mäßen Verfahrens betreibbar ist; Fig. 2A is a schematic representation of a preferred embodiment of a TDI-CCD sensor of the invention which is operable in accordance with a preferred embodiment of a erfindungsge MAESSEN method;

Fig. 2B eine schematische Darstellung der elektrischen Funktionen des TDI-CCD-Sensors von Fig. 2A und seines Rück­ setzmechanismus; Fig. 2B is a schematic representation of the electrical functions of the TDI-CCD sensor of Fig. 2A and its reset mechanism;

Fig. 3 eine schematische Darstellung von Impulsdiagrammen des TDI-CCD-Sensors von Fig. 2A und 2B, der gemäß einer bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfah­ rens betreibbar ist; Fig. 3 is a schematic representation of pulse diagrams of the TDI-CCD sensor of Figures 2A and 2B, which is operable according to a preferred embodiment of a method according to the invention.

Fig. 4A eine schematische Darstellung einer anderen be­ vorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen TDI-CCD- Sensors, der gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens betreibbar ist; 4A is a schematic illustration of another embodiment of the invention be vorzugten TDI-CCD sensor, which is operable in accordance with another preferred embodiment of a method according to the invention.

Fig. 4B eine schematische Darstellung der elektrischen Funktionen des TDI-CCD-Sensors von Fig. 1A; FIG. 4B is a schematic representation of the electrical functions of the TDI-CCD sensor of FIG. 1A;

Fig. 4C eine schematische Darstellung einer weiteren bevorzugten Ausführungsform eines TDI-CCD-Sensors, der gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform eines erfindungs­ gemäßen Verfahrens betreibbar ist; 4C is a schematic representation of another preferred embodiment of a TDI-CCD sensor, which is operable in accordance with a further preferred embodiment of a method according to Invention.

Fig. 5 eine schematische Darstellung von Impulsdiagram­ men des Bausteins von Fig. 4A und 4B; Figure 5 is a schematic representation of pulse diagrams of the device of Figures 4A and 4B;

Fig. 6 eine schematische Darstellung einer noch anderen bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen TDI-CCD- Sensors, der gemäß einer noch anderen bevorzugten Ausfüh­ rungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens betreibbar ist; Fig. 6 is a schematic representation of yet another preferred embodiment of a method according to the invention is operable according to the invention of a TDI-CCD sensor, the approximate shape according to yet another preferred exporting;

Fig. 7 eine schematische Darstellung einer anderen be­ vorzugten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Zellenein­ heit, die gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens betreibbar ist; Figure 7 is a schematic representation of another embodiment vorzugten be standardized a Zellenein invention which is operable according to another preferred embodiment of a method according to the invention.

Fig. 8 eine dreidimensionale schematische Darstellung einer noch anderen bevorzugten Ausführungsform eines erfin­ dungsgemäßen TDI-Sensors und eines Schieberegisters; Figure 8 is a three-dimensional schematic illustration of yet another preferred embodiment of to the invention OF INVENTION TDI sensor and a shift register.

Fig. 9 ein schematisches Ablaufdiagramm einer noch an­ deren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Betreiben des TDI-Sensors von Fig. 2A; FIG. 9 shows a schematic flow diagram of another embodiment of a method according to the invention for operating the TDI sensor from FIG. 2A;

Fig. 10 ein schematisches Ablaufdiagramm einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Be­ treiben des TDI-CCD-Sensors von Fig. 4A; FIG. 10 shows a schematic flow diagram of a further embodiment of a method according to the invention for operating the TDI-CCD sensor from FIG. 4A;

Fig. 11 eine schematische Darstellung von Impulsdia­ grammen zum Darstellen der Arbeitsweise des TDI-CCD-Sensors von Fig. 8 gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens, und Fig. 11 is a schematic representation of impulse diagrams to illustrate the operation of the TDI-CCD sensor of Fig. 8 according to another preferred embodiment of a method according to the invention, and

Fig. 12 ein schematisches Ablaufdiagramm einer noch an­ deren bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Betreiben des Bausteins von Fig. 8. FIG. 12 shows a schematic flowchart of a preferred embodiment of a method according to the invention for operating the module from FIG. 8.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 2A und 2B.Reference is now made to Figures 2A and 2B.

Fig. 2A zeigt eine schematische Darstellung einer allgemein durch das Bezugszeichen 200 bezeichneten bevorzugten Ausfüh­ rungsform eines erfindungsgemäßen TDI-CCD-Sensors, der gemäß einer bevorzugten. Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens betreibbar ist. Fig. 2B zeigt eine schematische Darstellung der elektrischen Funktionen des TDI-CCD-Sensors 200 und seines Rücksetzmechanismus. Der auch als Einzelpuf­ fersensor bezeichnete Sensor 200 weist mehrere allgemein durch das Bezugszeichen 210 bezeichnete Photozellenzeilen, mehrere allgemein durch das Bezugszeichen 212 bezeichnete Pufferzellenzeilen (einzeln durch Suffixe A, B usw. bezeich­ net) und ein horizontales Schieberegister 232 auf. Jede der Photozellenzeilen 210 weist mehrere allgemein durch das Be­ zugszeichen 202 bezeichnete Photozellen (einzeln durch Suf­ fixe A, B usw. bezeichnet) und zugeordnete Elektroden 203 für vertikale Ladungsübertragung auf. Jede der Pufferzellen­ zeilen 212 weist mehrere allgemein durch das Bezugszeichen 204 bezeichnete Pufferzellen und zugeordnete Elektroden 205 für vertikale Ladungsübertragung auf (einzeln durch Suffixe A, B usw. bezeichnet), wobei jede Pufferzelle 204 so abge­ deckt ist, daß sie nicht durch Licht beeinflußt werden kann. Die Elektroden 203 und 205 sind nur in Fig. 2B dargestellt. Fig. 2A shows a schematic representation of a, generally designated by the reference numeral 200 exporting preferred approximate shape of a TDI-CCD sensor according to the invention, in accordance with a preferred. Embodiment of a method according to the invention can be operated. Fig. 2B shows a schematic representation of the electrical functions of the TDI-CCD sensor 200 and its reset mechanism. Sensor 200 , also referred to as a single buffer sensor, has a plurality of photo cell rows, generally designated by reference number 210 , a plurality of buffer cell rows, generally designated by reference number 212 (individually designated by suffixes A, B, etc.) and a horizontal shift register 232 . Each of the photocell rows 210 has a plurality of photocells generally designated by the reference numeral 202 (individually denoted by Suf fixe A, B, etc.) and associated electrodes 203 for vertical charge transfer. Each of the buffer cell rows 212 has a plurality of buffer cells, generally designated by reference numeral 204 , and associated electrodes 205 for vertical charge transfer (individually denoted by suffixes A, B, etc.), each buffer cell 204 being covered in such a way that they are not influenced by light can. The electrodes 203 and 205 are only shown in FIG. 2B.

Die Photozellen 202 erzeugen Ladungen, wenn sie belich­ tet werden. Die Ladungen in jeder Photozelle 202 werden dann zu einer benachbarten, nachgeschalteten Pufferzelle 204 übertragen. Gemäß dem dargestellten Beispiel wird die La­ dungsübertragung durch Zuführen von Potentialen zu einem ge­ eigneten Zeitpunkt zu den CCD-Elektroden einer vorgegebenen Photozelle 202 und einer benachbarten, nachgeschalteten Puf­ ferzelle 204 ausgeführt.The photocells 202 generate charges when exposed. The charges in each photocell 202 are then transferred to an adjacent, downstream buffer cell 204 . According to the example shown, the charge transfer is carried out by supplying potentials at a suitable point in time to the CCD electrodes of a predetermined photocell 202 and an adjacent, downstream buffer cell 204 .

Jede Photozelle 202 weist einen zugeordneten Rücksetz­ mechanismus 214 auf, der in einer horizontalen Struktur, ei­ ner vertikalen Struktur oder einer ähnlichen Struktur ausge­ bildet sein kann. Grundsätzlich besteht der Rücksetzmecha­ nismus aus einer Gate-Elektrode 216 zum Steuern der Ladungs­ übertragung (Fig. 2B) und einer Rücksetz-Drain-Elektrode 218, um die Ladungen von den Photozellen zum Rücksetzpoten­ tial Vr abzuleiten. Gemäß dem dargestellten Beispiel werden die Drain-Elektroden zum Steuern der Ladungsübertragung al­ ler Photozellen gemeinsam durch das TLR-Taktsignal 220 ge­ steuert. Die Rücksetzstruktur kann auch zum Verhindern von Überhellungs- oder Bloomingeffekten und zur Speicherauswahl verwendet werden.Each photocell 202 has an associated reset mechanism 214 , which may be formed in a horizontal structure, a vertical structure, or a similar structure. Basically, the reset mechanism consists of a gate electrode 216 for controlling the charge transfer ( FIG. 2B) and a reset drain electrode 218 for deriving the charges from the photocells to the reset potential V r . According to the example shown, the drain electrodes for controlling the charge transfer of all photocells are controlled jointly by the T LR clock signal 220 . The reset structure can also be used to prevent brightening or blooming effects and for memory selection.

Die Rücksetzstruktur kann auch zum Verhindern von Über­ hellungs- oder Bloomingeffekten verwendet werden, indem der Rücksetz-Drain-Elektrode 218 ein Anti-Bloomingpotential zu­ geführt wird, so daß, wenn eine Photozelle eine übermäßige Ladung aufweist, die Gate-Elektrode 216 zum Steuern der La­ dungsübertragung eingeschaltet wird und übermäßige Ladungen abgeleitet werden.The reset structure can also be used to prevent over-lighting or blooming effects by providing an anti-blooming potential to the reset drain electrode 218 so that when a photocell has an excessive charge, the gate electrode 216 to control the Charge transfer is turned on and excessive charges are discharged.

Gemäß dem dargestellten Beispiel wird die Pufferzelle 204 als Zwischenspeicher für die durch die Photozelle 202 erzeugten Ladungen verwendet, wodurch die Photozelle 202 zu­ rückgesetzt und die Ladung zu einem geeigneten Zeitpunkt zur nächsten Photozelle verschoben werden kann. Gemäß dem darge­ stellten Beispiel ist die vertikale Länge ΔY₂ einer Puffer­ zelle kleiner als die vertikale Länge ΔY₁ einer Photozelle, um eine mögliche unzureichende Abtastung (nicht vollständige Erfassung) des Objekts in der Y-Richtung zu minimieren, was auftreten kann, wenn kurze Belichtungszeiten verwendet wer­ den und eine langsame Geschwindigkeit vorliegt. According to the example shown, the buffer cell 204 is used as a buffer for the charges generated by the photocell 202 , as a result of which the photocell 202 can be reset and the charge can be shifted to the next photocell at a suitable time. According to the example presented, the vertical length ΔY₂ of a buffer cell is smaller than the vertical length ΔY₁ of a photocell in order to minimize possible inadequate scanning (incomplete detection) of the object in the Y direction, which can occur if short exposure times are used who is there and a slow speed.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 3, die ein schematisches Impulsdiagramm eines gemäß einer bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens betreib­ baren TDI-CCD-Sensors 200 zeigt.Reference is made below to FIG. 3, which shows a schematic pulse diagram of a TDI-CCD sensor 200 which can be operated according to a preferred embodiment of a method according to the invention.

Zeile 252 zeigt das Synchronisationssignal bezüglich der Relativbewegung zwischen dem Sensor 200 und dem erfaßten Objekt. Zeile 254 zeigt die Belichtungs-Rücksetzsequenz der Photozellen, wobei TEXP eine Belichtungszeit darstellt. Zeile 256 zeigt eine allgemein durch TC B bezeichnete Folge, gemäß der Ladungen von einer Photozelle zu einer benachbarten, nachgeschalteten Pufferzelle übertragen werden. Zeile 258 zeigt eine allgemein durch TB C bezeichnete Folge, gemäß der Ladungen von der Pufferzelle zu einer benachbarten, nachge­ schalteten Photozelle übertragen werden. Zeile 260 zeigt ei­ ne allgemein durch TLB HSR bezeichnete Folge, gemäß der La­ dungen von der letzten Pufferzelle 212E zum horizontalen Schieberegister übertragen werden. Zeile 262 zeigt den Takt, gemäß dem Ladungen vom horizontalen Schieberegister 232 zum Ausgang 234 übertragen werden.Line 252 shows the synchronization signal relating to the relative movement between the sensor 200 and the detected object. Line 254 shows the exposure reset sequence of the photocells, where T EXP represents an exposure time. Line 256 shows a sequence, generally denoted by T C B , according to which charges are transferred from one photocell to an adjacent, downstream buffer cell. Line 258 shows a sequence, generally denoted by T B C , according to which charges are transferred from the buffer cell to an adjacent, downstream photocell. Line 260 shows a sequence generally denoted by T LB HSR , according to which charges are transferred from the last buffer cell 212 E to the horizontal shift register. Line 262 shows the clock at which charges are transferred from horizontal shift register 232 to output 234 .

Das Synchronisationssignal 252 ist gemäß der Relativbe­ wegung zwischen dem Sensor 200 und dem erfaßten Objekt be­ stimmt.The synchronization signal 252 is determined according to the Relativbe movement between the sensor 200 and the detected object be.

Das durch Zeile 254 dargestellte Signal TLR ist das Si­ gnal, das zum Rücksetzen der Photozellen 202 verwendet wird, wobei ein hoher Pegel einen Rücksetzbefehl darstellt und ein niedriger Pegel einen Belichtungsbefehl zum Akkumulieren von Ladungen darstellt. Nachdem TLR einen niedrigen Pegel ange­ nommen hat, werden Ladungen von einer Pufferzelle zu einer benachbarten, nachgeschalteten Photozelle übertragen. Diese Ladungsübertragung wird in einer durch das Bezugszeichen 258 dargestellten Zeitperiode TB C ausgeführt. Nach der Belich­ tungsperiode TEXP werden Ladungen von einer vorgegebenen Pho­ tozelle zur benachbarten, nachgeschalteten Pufferzelle über­ tragen, wie durch das durch das Bezugszeichen 256 darge­ stellte Signal TC B dargestellt ist.The signal T LR represented by line 254 is the signal used to reset the photocells 202 , a high level representing a reset command and a low level representing an exposure command to accumulate charges. After T LR has reached a low level, charges are transferred from one buffer cell to an adjacent, downstream photocell. This charge transfer is carried out in a time period T B C represented by reference numeral 258 . After the exposure period T EXP , charges are transferred from a given photocell to the adjacent, downstream buffer cell, as represented by the signal T C B represented by reference numeral 256 .

Die Zeit zwischen der abfallenden Flanke des Signals TLR und dem Beginn (der ansteigenden Flanke) des Signals TC B ist die tatsächliche Belichtungszeit TEXP. Nachdem die La­ dungsübertragung von einer Photozelle 202 zu einer Puffer­ zelle 204 abgeschlossen ist, wie durch die abfallende Flanke des Signals TC B dargestellt, nimmt das Signal TLR einen ho­ hen Pegel an und wird das Potential 202 zurückgesetzt. Das Rücksetzen der Photozelle wird durch Ableiten der Ladungen in der Photozelle 202 zu einem Vr-Rücksetzpotential 222 er­ leicht. Die Photozelle 202 wird im zurückgesetzten Zustand gehalten, bis das Objekt die Strecke ΔY = ΔY₁ + ΔY₂ auf der Bildebene zurückgelegt hat, die den vertikalen Abstand zwi­ schen zwei benachbarten Photozellen darstellt.The time between the falling edge of the signal T LR and the beginning (the rising edge) of the signal T C B is the actual exposure time T EXP . After the charge transfer from a photocell 202 to a buffer cell 204 is completed, as represented by the falling edge of the signal T C B , the signal T LR assumes a high level and the potential 202 is reset. Resetting the photocell is easy by dissipating the charges in photocell 202 to a V r reset potential 222 . The photocell 202 is held in the reset state until the object has traveled the distance ΔY = ΔY₁ + ΔY₂ on the image plane, which represents the vertical distance between two adjacent photocells.

Nach der nächsten Anstiegsflanke des Objektbewegungs­ synchronisationssignals 252, bei der das Signal TLR einen niedrigen Pegel annimmt, d. h. die Rücksetzfunktion deakti­ viert wird, werden Ladungen von einer Pufferzelle 204 zu ei­ ner benachbarten, nachgeschalteten Photozelle 202 übertra­ gen. Gleichzeitig beginnt, weil Licht vom erfaßten Objekt empfangen wird, die gleiche Photozelle damit, mehr Ladungen zu erzeugen und zu akkumulieren.After the next rising edge of the object movement synchronization signal 252 , at which the signal T LR assumes a low level, ie the reset function is deactivated, charges are transferred from a buffer cell 204 to an adjacent, downstream photocell 202. At the same time, because light from detected object, the same photocell is used to generate and accumulate more charges.

Daher werden alle Photozellen 202 in einer Spalte des Sensors 200 durch das Objekt belichtet, wenn dieses sich vertikal vom oberen zum unteren Ende des Sensors bewegt.Therefore, all photocells 202 in a column of sensor 200 are exposed by the object as it moves vertically from the top to the bottom of the sensor.

Die akkumulierten Ladungen werden von einer Photozelle zu einer benachbarten Pufferzelle und weiter zur nächsten Photozelle übertragen, wenn das Objekt sich auf der Bildebe­ ne des Sensors 200 von einer Photozelle zur nächsten Photo­ zelle bewegt, wobei die Ladungen einer Photozelle zu den La­ dungen der nächsten Photozelle addiert werden. Daher stellen die Ladungen von der letzten Pufferzelle am unteren Ende des Feldes 230, das N Photozellen aufweist, die am horizontalen Schieberegister 232 ankommen, N-fache Belichtungen der Pho­ tozelle 202 durch das Objekt dar. Die Gesamtbelichtung ist gleich der N-fachen Belichtungszeit multipliziert mit der Größe ΔY₁ × ΔX einer Photozelle (Fig. 2A), wobei ΔX die Breite einer Photozelle ist.The accumulated charges are transferred from one photocell to an adjacent buffer cell and on to the next photocell as the object moves from one photocell to the next photocell on the image plane of sensor 200 , the charges of one photocell to the charges of the next photocell be added. Therefore, the charges from the last buffer cell at the lower end of array 230 , which has N photocells arriving at horizontal shift register 232 , represent N times exposures of photocell 202 through the object. The total exposure is multiplied by N times the exposure time with the size ΔY₁ × ΔX of a photocell ( Fig. 2A), where ΔX is the width of a photocell.

Die Ladungsübertragung von der letzten Pufferzeile des Feldes zum horizontalen Schieberegister 232 kann separat ge­ steuert werden, und wird während der Zeit TLB HSR ausgeführt. Diese Übertragung kann gleichzeitig mit der gemäß dem Signal TB C gesteuerten anderen Ladungsübertragung von den Puffer­ zellen zu den Photozellen ausgeführt werden, oder sie kann unmittelbar nach der gemäß dem Signal TC B gesteuerten La­ dungsübertragung von den Photozellen zu den Pufferzellen ausgeführt werden. Die horizontale Verschiebung der Ladungen im horizontalen Schieberegister (HSR) 232 zum Ausgang 234 kann nach der gemäß dem Signal TLB HSR gesteuerten Ladungs­ übertragung ausgeführt werden.The charge transfer from the last buffer line of the field to the horizontal shift register 232 can be controlled separately, and is carried out during the time T LB HSR . This transfer can be carried out simultaneously with the other charge transfer from the buffer cells to the photocells controlled according to the signal T B C , or it can be carried out immediately after the charge transfer from the photocells to the buffer cells controlled according to the signal T C B . The horizontal shift of the charges in the horizontal shift register (HSR) 232 to the output 234 can be carried out after the charge transfer controlled according to the signal T LB HSR .

Ein Rücksetzmechanismus kann gleichermaßen auch geeig­ net zum Rücksetzen der Pufferzellen verwendet werden.A reset mechanism can also be used net to reset the buffer cells.

Durch den Sensor 200 wird der Nachteil des herkömmli­ chen Sensors durch Steuern der Belichtungszeit der Photozel­ len eliminiert, wodurch der Einfluß einer veränderlichen Re­ lativgeschwindigkeit des erfaßten Objekts eliminiert wird.The sensor 200 eliminates the disadvantage of the conventional sensor by controlling the exposure time of the photo cells, thereby eliminating the influence of a variable relative speed of the detected object.

Durch die vorliegende Erfindung wird ein Füllgrad von fast 100% erreicht.By the present invention, a degree of filling of almost 100% achieved.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 4A und 4B.Reference is now made to Figures 4A and 4B.

Fig. 4A zeigt eine schematische Darstellung einer anderen bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen, allge­ mein durch das Bezugszeichen 400 bezeichneten TDI-CCD- Sensors, der gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens betreibbar ist. Fig. 4B zeigt eine schematische Darstellung der elektrischen Funk­ tionen des TDI-CCD-Sensors 400 und seines Rücksetzmechanis­ mus. Der auch als Doppelpuffersensor bezeichnete Sensor 400 weist mehrere allgemein durch das Bezugszeichen 420 bezeich­ nete Zellenspalten (einzeln durch Suffixe A, B usw. bezeich­ net) und ein horizontales Schieberegister 432 auf. Jede Spalte 420 weist mehrere Zelleneinheiten 430 (einzeln durch Suffixe A, B usw. bezeichnet) auf, wobei jede Zelleneinheit eine Photozelle 402, eine erste Pufferzelle 404 und eine weite Pufferzelle. 406 aufweist. Der Sensor 400 weist außer­ dem Elektroden 403 für eine vertikale Ladungsübertragung (einzeln durch Suffixe A, B usw. bezeichnet) auf, die den Photozellen 402 und den Pufferzellen 404 und 406 zugeordnet sind (die jeweils einzeln durch Suffixe A, B usw. bezeichnet sind), und einen Rückstellmechanismus 408 zum Zurücksetzen der Photozelle 402. Erfindungsgemäß weisen die erste und die zweite Pufferzelle 404 und 406 in einer Zelleneinheit 430 jeweils einen Ladungsverschiebungsmechanismus auf, durch den eine unabhängige zeitliche Steuerung der Ladungsübertragung ermöglicht wird. Fig. 4A shows a schematic representation of another preferred embodiment of the present invention, my designated by the reference numeral 400 TDI-CCD sensor according to another preferred embodiment of a method according to the invention is operable general. FIG. 4B shows a schematic representation of the electrical radio functions of the TDI-CCD sensor 400 and its Rücksetzmechanis mus. The designated as a double buffer Sensor Sensor 400 has a plurality, generally designated by the reference numeral 420 cell columns (individually by suffixes A, B etc Marked net) and a horizontal shift register 432 . Each column 420 has a plurality of cell units 430 (individually identified by suffixes A, B, etc.), each cell unit having a photocell 402 , a first buffer cell 404 and a wide buffer cell. 406 . In addition to electrodes 403 for vertical charge transfer (individually identified by suffixes A, B, etc.), sensor 400 has associated with photocells 402 and buffer cells 404 and 406 (individually identified by suffixes A, B, etc.) ), and a reset mechanism 408 for resetting the photocell 402 . According to the invention, the first and the second buffer cells 404 and 406 each have a charge shift mechanism in a cell unit 430 , by means of which an independent timing of the charge transfer is made possible.

Erfindungsgemäß ist die vertikale Länge ΔY einer Photo­ zelle 402 der kombinierten vertikalen Länge einer ersten Pufferzelle 404 und einer zweiten Pufferzelle 406 gleich. D.h., die vertikale Länge einer Zelleneinheit 430 ist der doppelten vertikalen Höhe ΔY der Photozelle 402 gleich. Die zeitliche Steuerung der Ladungsübertragung zwischen den ver­ schiedenen Zellen ist periodisch und mit der Relativbewegung zwischen dem Sensor 400 und dem erfaßten Objekt synchroni­ siert.According to the invention, the vertical length ΔY of a photo cell 402 is the same as the combined vertical length of a first buffer cell 404 and a second buffer cell 406 . That is, the vertical length of a cell unit 430 is twice the vertical height ΔY of the photocell 402 . The timing of the charge transfer between the different cells is periodic and synchronized with the relative movement between the sensor 400 and the detected object.

Die Struktur des Rücksetzmechanismus ist nicht auf ver­ tikale Strukturen beschränkt. Gemäß anderen Ausführungsfor­ men der Erfindung kann die Struktur des Rücksetzmechanismus horizontal, kombiniert vertikal und horizontal oder ähnlich ausgebildet sein. The structure of the reset mechanism is not limited to ver tical structures limited. According to other embodiments The structure of the reset mechanism can be of the invention horizontal, combined vertical and horizontal or similar be trained.  

Nachstehend wird außerdem Bezug genommen auf Fig. 4C, die eine schematische Darstellung einer allgemein durch das Bezugszeichen 450 bezeichneten weiteren bevorzugten Ausfüh­ rungsform eines erfindungsgemäßen TDI-CCD-Sensors und seines Rückstellmechanismus zeigt, die gemäß einer weiteren bevor­ zugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens betreibbar sind.Hereinafter also referred to Fig. 4C, the approximate shape is a schematic representation of a generally designated by reference numeral 450 further preferred exporting a TDI-CCD sensor of the invention and its return mechanism shows that according to a further before ferred embodiment of an inventive method are operable.

Der TDI-CCD-Sensor 450 ist ein dem TDI-CCD-Sensor 400 (Fig. 4A) im wesentlichen ähnlicher Doppelpuffer-CCD-Sensor mit einem anders aufgebauten Rücksetzmechanismus. Der Photo­ zellenreihe 252A ist eine erste Reihe 454A von Pufferzellen und eine zweite Reihe 456A von Pufferzellen nachgeschaltet. Der Photozellenreihe 452B ist eine erste Reihe 454B von Puf­ ferzellen und eine zweite Reihe 456B von Pufferzellen nach­ geschaltet.The TDI-CCD sensor 450 is a double buffer CCD sensor essentially similar to the TDI-CCD sensor 400 ( FIG. 4A) with a differently constructed reset mechanism. The photo cell row 252 A is followed by a first row 454 A of buffer cells and a second row 456 A of buffer cells. The 452 B series of photocells is followed by a first row 454 B of buffer cells and a second row 456 B of buffer cells.

Die Rücksetzelektrodenstruktur ist horizontal, und jede Elektrode steuert eine Zellenreihe. Im vorliegenden Beispiel setzt eine Rücksetzelektrode 460A die Photozellenreihe 452A und eine Rücksetzelektrode 460B die Photozellenreihe 452B zurück. Durch eine solche Rücksetzstruktur wird eine stufen­ weise Auswahl zum Steuern der Belichtungszeit ermöglicht. Im dargestellten Beispiel wird, wenn durch die Elektrode 460B der zurückgesetzte Zustand der Photozellenreihe 452 auf­ rechterhalten wird, jede der Reihe 452B vorgeschaltete Rei­ he, z. B. die Photozellenreihe 452A, im wesentlichen deakti­ viert. In diesem Fall werden die von der Photozellenreihe 452A über die Pufferzellenreihen 454A und 456A übertragenen Ladungen abgeleitet, wenn sie an der Photozellenreihe 452B ankommen.The reset electrode structure is horizontal and each electrode controls a row of cells. In the present example, a reset electrode 460 A resets the photo cell row 452 A and a reset electrode 460 B resets the photo cell row 452 B. Such a reset structure enables a step-by-step selection for controlling the exposure time. In the illustrated example, each of the series when 460 B of the reset state of the photocells is series through the electrode 452 to get right, he 452 B upstream Rei, z. B. the photocell series 452 A, substantially deactivated four. In this case, the charges transferred from the 452 A series of photocells via the 454 A and 456 A series of buffer cells are discharged when they arrive at the 452 B series of photocells.

Nachstehend wird auch Bezug genommen auf Fig. 5, die ein schematisches Impulsdiagramm des Bausteins 400 zeigt, der gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens betreibbar ist.Reference is also made below to FIG. 5, which shows a schematic pulse diagram of the module 400 , which can be operated according to a further preferred embodiment of a method according to the invention.

Zeile 502 stellt das Synchronisationssignal bezüglich 5 der Relativbewegung zwischen dem Sensor 400 und dem erfaßten Objekt dar. Zeile 504 zeigt die Belichtungs-Rücksetzsequenz der Photozellen, wobei TEXP eine Belichtungszeit darstellt. Zeile 506 zeigt eine allgemein durch TC B1 oder 526 bezeich­ nete Folge oder Taktfolge, gemäß der Ladungen von einer Pho­ tozelle zu einer ersten Pufferzelle der gleichen Zellenein­ heit übertragen werden. Zeile 508 zeigt eine allgemein durch TB1 B2 oder 528 bezeichnete Folge, gemäß der Ladungen von ei­ ner ersten Pufferzelle zu einer zweiten Pufferzelle der gleichen Zelleneinheit übertragen werden. Zeile 510 zeigt eine allgemein durch TB2 C oder 530 bezeichnete Folge, gemäß der Ladungen von der zweiten Pufferzelle einer Zelleneinheit zu einer Photozelle einer benachbarten, nachgeschalteten Zelleneinheit übertragen werden. Zeile 512 zeigt eine allge­ mein durch TLB1 LB2 oder 532 bezeichnete Folge, gemäß der La­ dungen von einer ersten Pufferzelle zu einer zweiten Puffer­ zelle in der letzten Zelleneinheit 430A übertragen werden. Zeile 514 zeigt eine allgemein durch TLB2 HSR oder 534 be­ zeichnete Folge, gemäß der Ladungen von einer zweiten Puf­ ferzelle in der letzten Zelleneinheit 430A zu einem horizon­ talen Schieberegister 432 übertragen werden. Zeile 516 zeigt einen allgemein durch 536 bezeichneten Takt, gemäß dem La­ dungen vom horizontalen Schieberegister 432 zum Ausgang 434 übertragen werden.Line 502 represents the synchronization signal with respect to Figure 5 of the relative movement between the sensor 400 and the detected object. Line 504 shows the exposure reset sequence of the photocells, where T EXP represents an exposure time. Line 506 shows a sequence or clock sequence, generally designated by T C B1 or 526 , according to which charges are transferred from a photocell to a first buffer cell of the same cell unit. Line 508 shows a sequence generally denoted by T B1 B2 or 528 , according to which charges are transferred from a first buffer cell to a second buffer cell of the same cell unit. Line 510 shows a sequence, generally denoted by T B2 C or 530 , according to which charges are transferred from the second buffer cell of a cell unit to a photo cell of an adjacent, downstream cell unit. Line 512 shows a general sequence designated by T LB1 LB2 or 532 , according to which charges are transferred from a first buffer cell to a second buffer cell in the last cell unit 430 A. Line 514 shows a sequence generally denoted by T LB2 HSR or 534 , according to which charges are transferred from a second buffer cell in the last cell unit 430 A to a horizontal shift register 432 . Line 516 shows a clock, generally designated 536 , according to which charges are transferred from horizontal shift register 432 to output 434 .

Das Objektbewegungssynchronisationssignal 502 nimmt ei­ nen hohen Pegel an, nachdem das Objekt die Strecke ΔY auf der Bildebene zurückgelegt hat. Dadurch wird der Beginn ei­ ner Zeilenperiode festgelegt. Das Signal TLR nimmt dann ei­ nen niedrigen Pegel an, und die Photozellen beginnen, durch Licht erzeugte Ladungen zu akkumulieren. Nachdem das Signal TLR einen niedrigen Pegel angenommen hat, werden die bei­ spielsweise in der Pufferzelle 406 gespeicherte Ladungen während der Zeitdauer TB2 C zur nächsten vertikal benachbar­ ten Photozelle 402B übertragen. Gleichzeitig oder später werden die in der ersten Pufferzelle 404A gespeicherten La­ dungen während der Zeitdauer TB1 B2 zur zweiten Pufferzelle 406A der gleichen Zelleneinheit 430 übertragen.The object motion synchronization signal 502 assumes a high level after the object has traveled the distance ΔY on the image plane. This determines the beginning of a line period. The signal T LR then assumes a low level and the photocells begin to accumulate charges generated by light. After the signal T LR has reached a low level, the charges stored in the buffer cell 406, for example, are transferred to the next vertically adjacent photocell 402 B during the period T B2 C. Simultaneously or later, the charges stored in the first buffer cell 404 A are transferred to the second buffer cell 406 A of the same cell unit 430 during the time period T B1 B2 .

Die von den zweiten Pufferzellen 406A zu den Photozel­ len 402B übertragenen Ladungen werden zu den durch Licht in den Photozellen 402B erzeugten Ladungen addiert. Nach der erforderlichen Belichtungszeit TEXP werden die in einer vor­ gegebenen Photozelle 402B akkumulierten Ladungen während der Zeitdauer TC B1 zur nächsten vertikal benachbarten, nachge­ schalteten ersten Pufferzelle 404B übertragen. Die erste Pufferzelle 404B speichert die Ladungen, während die Photo­ zelle 402B auf einem zurückgesetzten Zustand gehalten wird, der durch den hohen Pegel des Signals TLR dargestellt ist.The charges transferred from the second buffer cells 406 A to the photo cells 402 B are added to the charges generated by light in the photo cells 402 B. After the required exposure time T EXP , the charges accumulated in a given photocell 402 B are transferred to the next vertically adjacent, downstream first buffer cell 404 B during the time period T C B1 . The first buffer cell 404 B stores the charges while the photocell 402 B is kept in a reset state, which is represented by the high level of the signal T LR .

Die Belichtungszeit der Photozellen ist die Zeit zwi­ schen der abfallenden Flanke des Signals TLR und der An­ stiegsflanke des Signals TC B1. Die Photozellen werden durch das Signal TLR bis zum Beginn der nächsten Zeilenperiode auf einem zurückgesetzten Zustand gehalten, nachdem das Objekt sich auf der Bild(sensor)ebene über die Strecke ΔY bewegt hat. Daraufhin wird der Rücksetzzustand wieder deaktiviert, werden die in der zweiten Pufferzelle 406B gespeicherten bzw. gehaltenen Ladungen zur nächsten benachbarten, nachge­ schalteten Photozelle 402C der nächsten Zelleneinheit in der Spalte 420B übertragen, und die Photozelle akkumuliert neue, durch Licht erzeugte Ladungen und addiert diese zu den von der benachbarten zweiten Pufferzelle übertragenen Ladungen.The exposure time of the photocells is the time between the falling edge of the signal T LR and the rising edge of the signal T C B1 . The photocells are kept in a reset state by the signal T LR until the beginning of the next line period, after the object has moved on the image (sensor) plane over the distance ΔY. Then the reset state is deactivated again, the charges stored or held in the second buffer cell 406 B are transferred to the next adjacent, downstream photocell 402 C of the next cell unit in the column 420 B, and the photocell accumulates new charges and generated by light and adds this to the charges transferred from the adjacent second buffer cell.

Die das Objekt darstellenden, durch Licht erzeugten La­ dungen, die zuvor durch die vorangehende Photozelle in einer vorgegebenen Spalte erfaßt wurden, werden während der Zeit­ dauer, in der das Objekt sich von einer vorgegebenen Photo­ zelle zur nächsten nachgeschalteten Photozelle in einer vor­ gegebenen Spalte 420 auf der Bildebene bewegt, über die er­ ste Pufferzelle 404 und die zweite Pufferzelle 406 zur näch­ sten Photozelle 402 übertragen. Beispielsweise werden in der Photozelle 402C die neuen, durch Licht erzeugten Ladungen zu den durch die vorangehende Photozelle 402B akkumulierten La­ dungen addiert.The object-forming, light-generated charges previously detected by the preceding photocell in a given column will last for the time the object is moving from a given photocell to the next downstream photocell in a given column 420 moved on the image plane, via which he transferred the first buffer cell 404 and the second buffer cell 406 to the next photocell 402 . For example, in the photo cell 402 C, the new charges generated by light are added to the charges accumulated by the preceding photo cell 402 B.

Dieser Vorgang wird fortgesetzt, bis die das erfaßte Objekt darstellenden Ladungen die erste Pufferzelle 404X der letzten Zelleneinheit 430A erreichen. Die Ladungen werden gemäß dem Signal TLB1 LB2 von der ersten Pufferzelle 404X zur zweiten Pufferzelle 406X übertragen. Die Ladungen werden ge­ mäß dem Signal TLB2 HSR von der zweiten Pufferzelle 406X zum horizontalen Schieberegister (HSR) 432 übertragen. Gemäß ei­ ner Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die Signalfolgen TLB1 LB2 und TLB2 HSR synchron sein, wie durch Bezugszeichen 532A und 534A (Fig. 5) dargestellt.This process continues until the charges representing the detected object reach the first buffer cell 404 X of the last cell unit 430 A. The charges are transferred from the first buffer cell 404 X to the second buffer cell 406 X according to the signal T LB1 LB2 . The charges are transferred according to the signal T LB2 HSR from the second buffer cell 406 X to the horizontal shift register (HSR) 432 . According to an embodiment of the present invention, the signal sequences T LB1 LB2 and T LB2 HSR can be synchronous, as represented by reference numerals 532 A and 534 A ( FIG. 5).

Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung kön­ nen die Taktsignale TLB1 LB2 und TLB2 HSR früher, nach dem Taktsignal TC B1 auftreten, wie durch Bezugszeichen 532B und 534B dargestellt. Die Übertragung von Ladungen in allen Spalten 420 der letzten Zelleneinheit 430a zum horizontalen Schieberegister (HSR) 432 und weiter zum Ausgang 434 erfolgt nach der vertikalen Ladungsübertragung von der zweiten Puf­ ferzelle 404X in jeder Spalte zum horizontalen Schieberegi­ ster 432. Wenn daher der Sensor 400 N Photozellen in einer Spalte 420 aufweist, stellt das Ausgangssignal ein durch Photozellen der Größe ΔY × ΔX N-mal mit der angewandten Be­ lichtungszeit belichtetes Objekt dar.According to another embodiment of the invention, the clock signals T LB1 LB2 and T LB2 HSR can occur earlier, after the clock signal T C B1 , as represented by reference numerals 532 B and 534 B. The transfer of charges in all columns 420 of the last cell unit 430 a to the horizontal shift register (HSR) 432 and further to the output 434 takes place after the vertical charge transfer from the second buffer cell 404 X in each column to the horizontal shift register 432 . Therefore, if the sensor has 400 N photocells in a column 420 , the output signal represents an object exposed by photocells ΔY × ΔX N times with the applied exposure time.

Der Vorteil der Doppelpufferarchitektur im Vergleich zur Einzelpufferarchitektur besteht darin, daß bei der Dop­ pelpufferarchitektur keine unzureichende Abtastung oder Er­ fassung eines Objekts auftritt. Der Sensor 400 deckt alle erfaßten Objekte in Bewegungsrichtung im vollen Erfassungs­ bereich bzw. im vollen erfaßten Bildwinkel ab.The advantage of the double buffer architecture compared to the single buffer architecture is that the double buffer architecture does not result in insufficient scanning or detection of an object. The sensor 400 covers all detected objects in the direction of movement in the full detection range or in the full detected angle of view.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 6, die eine schematische Darstellung einer noch anderen bevorzugten Aus­ führungsform eines allgemein durch das Bezugszeichen 600 be­ zeichneten erfindungsgemäßen TDI-CCD-Sensors darstellt, der gemäß einer noch anderen bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens betreibbar ist. Der Sensor 600 weist ein horizontales Schieberegister 632 und mehrere all­ gemein durch das Bezugszeichen 630 bezeichnete Zellenspalten auf, die mehrere Zelleneinheiten 620 und mindestens eine letzte Photozelle 610L aufweisen. Jede der Zelleneinheiten weist eine allgemein durch das Bezugszeichen 610 bezeichnete Photozelle (einzeln durch Suffixe A, B usw. bezeichnet) und mindestens eine allgemein durch das Bezugszeichen 612 be­ zeichnete letzte Pufferzelle (einzeln durch Suffixe A, B usw. bezeichnet) auf. Im dargestellten Beispiel weisen die Zelleneinheiten 620 eine Einzelpufferzelle auf.Reference is made below to FIG. 6, which shows a schematic representation of yet another preferred embodiment of a TDI-CCD sensor according to the invention, generally designated by reference numeral 600 , which can be operated according to yet another preferred embodiment of a method according to the invention. The sensor 600 has a horizontal shift register 632 and a plurality of cell columns, generally designated by the reference symbol 630 , which have a plurality of cell units 620 and at least one last photo cell 610 L. Each of the cell units has a photocell, generally indicated by reference number 610 (individually identified by suffixes A, B, etc.) and at least one last buffer cell, indicated generally by reference number 612 (individually indicated by suffixes A, B, etc.). In the example shown, the cell units 620 have a single buffer cell.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden die in der letzten Photozelle 610L erzeugten und akkumulierten La­ dungen direkt zum horizontalen Schieberegister 632 übertra­ gen, wodurch jegliche durch weiteres Übertragen von Ladungen zu Zwischenpuffern oder Vergeudung von CCD-Fläche verursach­ ten Verzögerungen eliminiert werden.In accordance with the present embodiment, the charges generated and accumulated in the last photocell 610 L are transferred directly to the horizontal shift register 632 , thereby eliminating any delays caused by further transfer of charges to intermediate buffers or wasted CCD area.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 7, die eine schematische Darstellung einer anderen bevorzugten Ausfüh­ rungsform einer allgemein durch das Bezugszeichen 750 be­ zeichneten erfindungsgemäßen Zelleneinheit zeigt, die gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform eines erfindungs­ gemäßen Verfahrens betreibbar ist.Reference is made below to FIG. 7, which shows a schematic illustration of another preferred embodiment of a cell unit according to the invention, generally designated by the reference numeral 750 , which can be operated according to another preferred embodiment of a method according to the invention.

Die Zelleneinheit 750 weist eine Photozelle 752 und ei­ ne unter der Photozelle 752 angeordnete Pufferzelle 754 auf. Die Zelleneinheit 750 weist außerdem Elektroden zum Übertra­ gen oder Verschieben von Ladungen von der Photozelle 752 zur Pufferzelle 754, Elektroden zum Übertragen oder Verschieben von Ladungen von der Pufferzelle 754 zur nächsten benachbar­ ten Pufferzelle 754 und einen Rücksetzmechanismus auf.The cell unit 750 has a photocell 752 and a buffer cell 754 arranged under the photocell 752 . The unit cell 750 also includes electrodes gene or Übertra shifting of charges from the photo cell 752 to the buffer cell 754, electrodes for transferring or shifting of charges from the buffer cell 754 to the next benachbar th buffer cell 754 and a reset mechanism.

Die Photozelle 752 erfaßt Licht und erzeugt dadurch La­ dungen. Am Ende des Ladungserzeugungsprozesses werden die Ladungen nach unten zu den Pufferzellen 754 übertragen. Dar­ aufhin werden die Ladungen von den Pufferzellen 754 zur nächsten benachbarten Pufferzelle 754 übertragen, die unter der nächsten benachbarten Photozelle 752 angeordnet ist.The photocell 752 detects light and thereby generates charges. At the end of the charge generation process, the charges are transferred down to the buffer cells 754 . The charges are then transferred from the buffer cells 754 to the next neighboring buffer cell 754 , which is arranged under the next neighboring photocell 752 .

Ein Vorteil der vorliegenden Ausführungsform ist, daß durch Anordnen der Pufferzelle 754 unter der Photozelle 752 die Belichtungsfläche der Zelleneinheit 750 maximiert und die Siliziumfläche minimiert wird.An advantage of the present embodiment is that by placing the buffer cell 754 under the photocell 752, the exposure area of the cell unit 750 is maximized and the silicon area is minimized.

Ein anderer Vorteil der dargestellten Ausführungsform ist, daß, wenn die Ladungen von der Photozelle zur Puffer­ zelle übertragen wurden, diese nicht mehr zu einer anderen Photozelle übertragen werden müssen, wie nachstehend be­ schrieben wird, wodurch die zeitliche Steuerung der Ladungs­ übertragung vereinfacht wird.Another advantage of the illustrated embodiment is that when the charges go from the photocell to the buffer cell were transferred, this no longer to another Photocell must be transferred as below is written, reducing the timing of the cargo transmission is simplified.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 8, die eine dreidimensionale schematische Darstellung einer noch anderen Ausführungsform eines allgemein durch das Bezugszeichen 700 bezeichneten erfindungsgemäßen TDI-Sensors und eines allge­ mein durch das Bezugszeichen 730 bezeichneten Schieberegi­ sters zeigt.Reference is now made to FIG. 8, which shows a three-dimensional schematic representation of yet another embodiment of a TDI sensor according to the invention, generally designated by reference numeral 700 , and a shift register, generally designated by reference numeral 730 .

Der TDI-Sensor 700 weist mehrere Zelleneinheiten 702, 708, 714, 718 und 726 auf, die der Zelleneinheit 750 von Fig. 7 im wesentlichen ähnlich sind.The TDI sensor 700 has a plurality of cell units 702 , 708 , 714 , 718 and 726 which are substantially similar to the cell unit 750 of FIG. 7.

Die Zelleneinheit 702 weist eine Photozelle 704 und ei­ ne Pufferzelle 706 auf. Die Zelleneinheit 708 weist eine Photozelle 710 und eine Pufferzelle 712 auf. Die Zellenein­ heit 714 weist eine Photozelle 715 und eine Pufferzelle 716 auf. Die Zelleneinheit 718 weist eine Photozelle 720 und ei­ ne Pufferzelle 722 auf. Das Schieberegister 730 weist vier Zellen auf: 732, 734, 736 und 738. The cell unit 702 has a photocell 704 and a buffer cell 706 . The cell unit 708 has a photocell 710 and a buffer cell 712 . The cell unit 714 has a photocell 715 and a buffer cell 716 . The cell unit 718 has a photocell 720 and a buffer cell 722 . The shift register 730 has four cells: 732, 734, 736 and 738 .

Die Photozellen 704, 710, 715 und 720 erfassen während einer Belichtungszeitdauer Licht und erzeugen entsprechend Ladungen. Wenn die Belichtungszeitdauer abgelaufen ist, wer­ den die Ladungen nach unten zur zugeordneten Pufferzelle übertragen. Daher werden die in jeder der Photozellen 704, 710, 715 und 720 akkumulierten Ladungen nach unten zu den Pufferzellen 706, 712, 716 bzw. 722 übertragen, und die Photo­ zellen werden im zurückgesetzten Zustand gehalten, bis die nächste Belichtungsperiode beginnt.The photocells 704 , 710 , 715 and 720 capture light during an exposure period and generate charges accordingly. When the exposure time has expired, who will transfer the charges down to the associated buffer cell. Therefore, the charges accumulated in each of the photocells 704 , 710 , 715 and 720 are transferred down to the buffer cells 706 , 712 , 716 and 722 , respectively, and the photocells are kept in the reset state until the next exposure period begins.

Daraufhin werden die Ladungen um eine Stufe nach unten verschoben. D.h., daß die Ladungen der Pufferzelle 722 zur Zelle 732 des Schieberegisters 730 übertragen werden, die Ladungen der Pufferzelle 716 zur Pufferzelle 722 übertragen werden, die Ladungen der Pufferzelle 712 zur Pufferzelle 716 übertragen werden und die Ladungen der Pufferzelle 706 zur Pufferzelle 712 übertragen werden. Die Ladungsübertragungen oder -verschiebungen zwischen den Pufferzellen werden kaska­ denartig ausgeführt.The loads are then shifted down one level. That is, the charges of the buffer cell are transferred 722 to the cell 732 of the shift register 730, the charges of the buffer cell are transferred 716 to the buffer cell 722, the charges of the buffer cell are transferred 712 to the buffer cell 716 and the charges of the buffer cell are transferred 706 to the buffer cell 712th The charge transfers or shifts between the buffer cells are carried out in the manner described.

Wenn Ladungen zwischen den Pufferzellen übertragen wer­ den, können die Photozellen belichtet werden und dadurch mehr Ladungen erzeugen. Wenn die Ladungsübertragung zwischen den Pufferzellen abgeschlossen ist, können die nun in den Photozellen erzeugten Ladungen zu den Pufferzellen übertra­ gen und dort zusammen mit den von vorangehenden Zellen über­ tragenen Ladungen akkumuliert werden.When charges are transferred between the buffer cells that, the photocells can be exposed and thereby generate more charges. If the charge transfer between the buffer cells has been completed, they can now be Transfer photocells generated charges to the buffer cells gen and there along with that from previous cells carried charges are accumulated.

Nachstehend wird die Erfassung eines Objekts beschrie­ ben, das sich entlang den Zelleneinheiten 702, 708, 714 und 718 bewegt. Zunächst ist das Objekt der Zelleneinheit 702 zugewandt, und die Photozelle 704 erzeugt Ladungen, wenn sie Licht vom Objekt erfaßt. Wenn das Objekt sich zur Zellenein­ heit 708 bewegt hat, werden die in der Photozelle 704 er­ zeugten Ladungen zur Pufferzelle 706 und weiter zur Puffer­ zelle 712 übertragen. Das Objekt ist nun der Zelleneinheit 708 zugewandt, und die Photozelle 710 erzeugt Ladungen, wenn sie Licht vom Objekt erfaßt. Wenn das Objekt sich zur Zel­ leneinheit 714 bewegt hat, werden die durch die Photozelle 710 erzeugten Ladungen zur Pufferzelle 712 übertragen, die diese Ladungen zu den von der Pufferzelle 706 empfangenen Ladungen addiert. Daraufhin werden die in der Pufferzelle 712 akkumulierten Ladungen an die Pufferzelle 716 übertra­ gen.The detection of an object moving along the cell units 702 , 708 , 714 and 718 is described below. First, the object faces the cell unit 702 , and the photocell 704 generates charges when it detects light from the object. When the object has moved to the cell unit 708 , the charges generated in the photocell 704 are transferred to the buffer cell 706 and further to the buffer cell 712 . The object now faces cell unit 708 and photocell 710 generates charges when it detects light from the object. When the object has moved to cell unit 714 , the charges generated by photocell 710 are transferred to buffer cell 712 , which adds these charges to the charges received by buffer cell 706 . The charges accumulated in the buffer cell 712 are then transferred to the buffer cell 716 .

Wenn das Objekt der Zelleneinheit 714 zugewandt ist, erzeugt die Photozelle 715 Ladungen, wenn sie Licht vom Ob­ jekt erfaßt. Wenn das Objekt sich zur Zelleneinheit 718 be­ wegt hat, werden die durch die Photozelle 715 erzeugten La­ dungen zur Pufferzelle 716 übertragen, die sie zu den von der Pufferzelle 712 empfangenen Ladungen addiert. Daraufhin werden die in der Pufferzelle 716 akkumulierten Ladungen zur Pufferzelle 722 übertragen.When the object faces the cell unit 714 , the photocell 715 generates charges when it detects light from the object. When the object has moved to the cell unit 718, the charges generated by the photocell 715 are transferred to the buffer cell 716 , which adds them to the charges received by the buffer cell 712 . The charges accumulated in the buffer cell 716 are then transferred to the buffer cell 722 .

Wenn das Objekt der Zelleneinheit 718 zugewandt ist, erzeugt die Photozelle 720 Ladungen, wenn sie Licht vom Ob­ jekt erfaßt. Wenn das Objekt der Zelleneinheit 718 nicht mehr zugewandt ist, werden die durch die Photozelle 720 er­ zeugten Ladungen zur Pufferzelle 722 übertragen, die sie zu den von der Pufferzelle 716 empfangenen Ladungen addiert. Die Pufferzelle 722 weist nun die durch die Photozellen 704, 710, 715 und 720 erzeugten gesamten Ladungen auf, die dem Objekt zugeordnet sind, das durch jedes dieser Photozellen erfaßt wurde. Schließlich werden die in der Pufferzelle 722 akkumulierten Ladungen zur Zelle 732 des Schieberegisters 730 übertragen.When the object faces the cell unit 718 , the photocell 720 generates charges when it detects light from the object. When the object of the cell unit 718 is no longer facing, the charges generated by the photocell 720 are transferred to the buffer cell 722 , which adds them to the charges received by the buffer cell 716 . The buffer cell 722 now has the total charges generated by the photocells 704 , 710 , 715 and 720 , which are associated with the object that was detected by each of these photocells. Finally, the charges accumulated in the buffer cell 722 are transferred to the cell 732 of the shift register 730 .

Der gleiche Vorgang findet in den übrigen Spalten des TDI-CCD-Sensors 700 statt, und zu diesem Zeitpunkt übertra­ gen alle Pufferzellen der letzten Reihe (die Reihe der Zel­ leneinheit 718) ihre Ladungen zu den entsprechenden Zellen 732, 734, 736 und 738. Zu diesem Zeitpunkt werden die Ladun­ gen für eine Weiterverarbeitung horizontal nach rechts zu einer (nicht dargestellten) Speichereinheit übertragen.The same process takes place in the remaining columns of the TDI-CCD sensor 700 , and at this point all buffer cells of the last row (the row of cell unit 718 ) transfer their charges to the corresponding cells 732 , 734 , 736 and 738 . At this point, the loads are horizontally transferred to a storage unit (not shown) for further processing to the right.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 9, die ein schematisches Ablaufdiagramm einer anderen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Betreiben des TDI- CCD-Sensors von Fig. 2A zeigt.Reference is made below to FIG. 9, which shows a schematic flow diagram of another embodiment of a method according to the invention for operating the TDI-CCD sensor of FIG. 2A.

Bei Schritt 800 werden die Photozellen des Bausteins 200 aktiviert, so daß sie Licht von einem Objekt erfassen können und dadurch Ladungen erzeugen.At step 800, the photocells of device 200 are activated so that they can sense light from an object and thereby generate charges.

Bei Schritt 802 werden die in jeder Photozelle akkumu­ lierten Ladungen an die benachbarte zugeordnete Zelle über­ tragen. Für die meisten Photozellen ist die benachbarte Zelle die benachbarte Pufferzelle. Daher werden die Ladungen von der Photozelle 210A zur Pufferzelle 212A übertragen. Bei den erfindungsgemäßen TDI-Sensoren, bei denen der letzten Photozelle keine Pufferzellen nachgeschaltet sind, wie bei­ spielsweise beim in Fig. 6 dargestellten Baustein 600, ist die der letzten Photozelle benachbarte Zelle die entspre­ chende Zelle im Schieberegister. In diesen Fällen werden die Ladungen von der letzten Photozelle zum Schieberegister übertragen.At step 802, the charges accumulated in each photocell are transferred to the adjacent associated cell. For most photocells, the neighboring cell is the neighboring buffer cell. The charges are therefore transferred from the photocell 210 A to the buffer cell 212 A. In the TDI sensors according to the invention, in which no buffer cells are connected downstream of the last photocell, such as in the case of the module 600 shown in FIG. 6, the cell adjacent to the last photocell is the corresponding cell in the shift register. In these cases the charges are transferred from the last photocell to the shift register.

Wenn die TDI-Struktur der letzten Photozelle nachge­ schaltete Pufferzellen aufweist, werden die Ladungen von dieser letzten Photozelle zur entsprechenden Zelle des Schieberegisters übertragen, nachdem sie diese Pufferzellen durchlaufen haben.If the TDI structure of the last photocell has switched buffer cells, the charges of this last photocell to the corresponding cell of the Shift registers are transferred after these buffer cells have gone through

Bei Schritt 804 werden die Photozellen des Bausteins 200 deaktiviert. Dieses Aktivieren und Deaktivieren in den Schritten 804 bzw. 800 kann durch Anlegen einer vorgegebe­ nen konstanten Spannung an die Photozellen, Aktivieren und Deaktivieren eines Rücksetzzustands usw. erreicht werden.At step 804, the photocells of device 200 are deactivated. This activation and deactivation in steps 804 and 800 can be achieved by applying a predetermined constant voltage to the photocells, activating and deactivating a reset state, etc.

Bei Schritt 806 werden die Ladungen in jeder der Puf­ ferzellen zur nächsten Photozelle übertragen. Daher werden die Ladungen von der Pufferzelle 212A zur nächsten Photozel­ le 210B übertragen. Die der letzten Pufferzelle benachbarte Zelle ist die entsprechende Zelle im Schieberegister. Daher werden die Ladungen von der Pufferzelle 212E zum Schiebere­ gister 232 übertragen. At step 806, the charges in each of the buffer cells are transferred to the next photocell. Therefore, the charges are transferred from the buffer cell 212 A to the next photo cell 210 B. The cell next to the last buffer cell is the corresponding cell in the shift register. Therefore, the charges are transferred from the buffer cell 212 E to the shift register 232 .

Bei Schritt 808 werden die Ladungen aus dem Schiebere­ gister herausgeschoben.At step 808, the charges are shifted ghost pushed out.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 10, die ein schematisches Ablaufdiagramm einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Betreiben des TDI- CCD-Sensors 400 von Fig. 4A darstellt.Reference is made below to FIG. 10, which shows a schematic flow diagram of a further embodiment of a method according to the invention for operating the TDI-CCD sensor 400 from FIG. 4A.

Bei Schritt 850 wird die Photozelle Pi aktiviert, um dicht von einem Objekt zu erfassen und dadurch Ladungen zu erzeugen.At step 850, the photocell P i is activated to detect tightly from an object and thereby generate charges.

Bei Schritt 852 werden die Ladungen von der Pufferzelle BSECOND,i-1 zur Photozelle Pi übertragen und mit neuen, durch dicht erzeugten Ladungen akkumuliert. Gemäß dem dargestell­ ten Beispiel werden die in der Pufferzelle 406A enthaltenen Ladungen zur Photozelle 402B übertragen.At step 852, the charges are transferred from the B SECOND, i-1 buffer cell to the P i photocell and accumulated with new, densely generated charges. According to the example shown, the charges contained in the buffer cell 406 A are transferred to the photo cell 402 B.

Bei Schritt 854 werden die Ladungen von der Pufferzelle BFIRST,i zur nächsten benachbarten zugeordneten Pufferzelle BSECOND,i übertragen. Im dargestellten Beispiel werden die Ladungen von der Pufferzelle 404A zur Pufferzelle 406A über­ tragen.At step 854, the charges are transferred from buffer cell B FIRST, i to the next adjacent assigned buffer cell B SECOND, i . In the example shown, the charges are transferred from the buffer cell 404 A to the buffer cell 406 A.

Bei Schritt 856 werden die durch die Photozelle erzeug­ ten Ladungen von der Photozelle Pi zur nächsten Zelle über­ tragen. Für die meisten Zellen ist die nächste Zelle die be­ nachbarte, zugeordnete Pufferzelle BFIRST,i. Beispielsweise werden die Ladungen von der Photozelle 402A zur Pufferzelle 402B übertragen. Bei Schritt 858 werden die Photozellen des Bausteins 400 deaktiviert.At step 856, the charges generated by the photocell are transferred from photocell P i to the next cell. For most cells, the next cell is the neighboring, assigned buffer cell B FIRST, i . For example, the charges are transferred from photocell 402 A to buffer cell 402 B. At step 858, the photocells of device 400 are deactivated.

Bei Schritt 860 werden die Photozellen des Bausteins 400 zurückgesetzt.At step 860, the photocells of device 400 are reset.

Bei Schritt 862 werden die Ladungen von der letzten Pufferzelle zur entsprechenden Schieberegisterzelle übertra­ gen. Im dargestellten Beispiel werden die Ladungen von der Pufferzelle 406X zum Schieberegister 432 übertragen. At step 862, the charges are transferred from the last buffer cell to the corresponding shift register cell. In the example shown, the charges are transferred from buffer cell 406 X to shift register 432 .

Bei Schritt 864 werden die Ladungen von der Pufferzelle BFIRST,LAST zur Pufferzelle BSECOND,LAST übertragen. Im darge­ stellten Beispiel werden die Ladungen von der Pufferzelle 404X zur Pufferzelle 406X übertragen.At step 864, the charges are transferred from the B cell FIRST, LAST to the cell B SECOND, LAST . In the example shown, the charges are transferred from the buffer cell 404 X to the buffer cell 406 X.

Daraufhin wird das Verfahren von Schritt 850 an wieder­ holt, während die Photozelle Pi+1 Ladungen erzeugt und diese neu erzeugten Ladungen zu den Ladungen addiert, die zuvor von der Pufferzelle BSECOND,i übertragen wurden, wodurch La­ dungen akkumuliert werden.The process is then repeated from step 850, while the photocell P i + 1 generates charges and adds these newly generated charges to the charges previously transferred from the B SECOND, i buffer cell, thereby accumulating charges.

Bei Schritt 866 werden die in der Schieberegisterzelle angeordneten Ladungen zur Weiterverarbeitung und Darstellung an eine Speichereinheit übertragen.At step 866, those in the shift register cell arranged loads for further processing and presentation transferred to a storage unit.

Schritte dieses Verfahrens können in anderer Reihenfol­ ge ausgeführt werden, wobei beispielsweise die Schritte 862 und 864 vor Schritt 852 ausgeführt werden können (vergl. Fig. 5 zur weiteren Erläuterung).Steps of this method can be carried out in a different order, for example steps 862 and 864 can be carried out before step 852 (see FIG. 5 for further explanation).

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 11, die eine schematische Darstellung von Impulsdiagrammen zum Betreiben des TDI-CCD-Sensors 700 von Fig. 8 gemäß einer anderen be­ vorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.Reference is now made to FIG. 11, which shows a schematic representation of pulse diagrams for operating the TDI-CCD sensor 700 of FIG. 8 according to another preferred embodiment of the present invention.

Diagramm 900 zeigt einen durch eine Steuerungseinrich­ tung bereitgestellten Takt, der die Bewegung eines durch den TDI-CCD-Sensor 700 erfaßten Objekts darstellt. Die Zeitdauer 910 zeigt ein Signal, das darstellt, daß das Objekt gerade ausgewählten Zelleneinheiten zugewandt ist.Diagram 900 shows a clock provided by a control device, which represents the movement of an object detected by the TDI-CCD sensor 700 . Time period 910 shows a signal that the object is facing selected cell units.

Diagramm 902 zeigt den Belichtungs- und Rücksetztakt der Photozelleneinheit, wobei TEXP die Zeitdauer ist, in der eine Photozelle der ausgewählten Zelleneinheit aktiviert ist, um Ladungen zu erzeugen, wenn sie Licht vom Objekt er­ faßt. Der Zeitdauer 912 folgt eine Rücksetzzeitdauer TRESET 914, in der die Photozelle der ausgewählten Zelleneinheit zurückgesetzt ist. Diagram 902 shows the exposure and reset clock of the photocell unit, where T EXP is the length of time that a photocell of the selected cell unit is activated to generate charges when it detects light from the object. The time period 912 is followed by a reset time period T RESET 914 , in which the photocell of the selected cell unit is reset.

Diagramm 904 zeigt den Takt zum Übertragen von Ladungen von den Photozellen zu den Pufferzellen einer ausgewählten Zelleneinheit. In der Zeitdauer 916 werden die durch eine Photozelle erzeugten Ladungen zu einer unter der Photozelle Jangeordneten Pufferzelle übertragen. Diese Zeitdauer ist, zeitlich betrachtet, am äußersten Ende der Belichtungszeit­ dauer 912 TEXP angeordnet. Die Ladungen, die von der Photo­ zelle zur Pufferzelle übertragen werden, werden zu den be­ reits in der Pufferzelle vorhandenen Ladungen addiert.Diagram 904 shows the clock for transferring charges from the photocells to the buffer cells of a selected cell unit. In time period 916 , the charges generated by a photocell are transferred to a buffer cell arranged under the photocell J. In terms of time, this period of time is arranged at the extreme end of the exposure time of 912 T EXP . The charges that are transferred from the photo cell to the buffer cell are added to the charges already in the buffer cell.

Diagramm 906 zeigt das Taktsignal der Puffer-Puffer- Ladungsübertragung. In der Zeitdauer 918 werden Ladungen von einem Puffer zum nächsten Puffer der gleichen Spalte nach unten übertragen.Diagram 906 shows the clock signal of the buffer-to-buffer charge transfer. In time period 918 , charges are transferred down from one buffer to the next buffer of the same column.

Diagramm 908 zeigt das Taktsignal THSR des horizontalen Schieberegisters. In der Zeitdauer 920 werden die in jeder der Zellen des horizontalen Schieberegisters 730 angeordne­ ten Ladungen ausgegeben und können durch Bildverarbeitungs­ hard- und -software verarbeitet und dargestellt werden.Diagram 908 shows the clock signal T HSR of the horizontal shift register. In the time period 920 , the charges arranged in each of the cells of the horizontal shift register 730 are output and can be processed and displayed by image processing hardware and software.

Nachstehend wird Bezug genommen auf Fig. 12, die ein schematisches Ablaufdiagramm einer anderen bevorzugten Aus­ führungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Betrei­ ben des Bausteins 700 zeigt.Reference is made below to FIG. 12, which shows a schematic flow diagram of another preferred embodiment of a method according to the invention for operating the module 700 .

Bei Schritt 870 wird die Photozelle Pi aktiviert, um Licht von einem Objekt zu erfassen und dadurch Ladungen zu erzeugen.At step 870, the photocell P i is activated to detect light from an object and thereby generate charges.

Bei Schritt 872 werden die durch die Photozelle Pi er­ zeugten Ladungen zur Pufferzelle Bi der gleichen Zellenein­ heit übertragen. Im dargestellten Beispiel werden die in der Photozelle 710 akkumulierten Ladungen zur Pufferzelle 712 übertragen.At step 872, the charges generated by the photocell P i er are transferred to the buffer cell B i of the same cell unit. In the example shown, the charges accumulated in the photocell 710 are transferred to the buffer cell 712 .

Bei Schritt 874 werden die Photozellen Pi deaktiviert. In step 874 the photocells P i are disabled.

Bei Schritt 876 werden die in der Pufferzelle Bi ent­ haltenen Ladungen zur nächsten benachbarten Pufferzelle Bi+1 übertragen. Gleichzeitig werden die in der letzten Puffer­ zelle BLAST enthaltenen Ladungen zur entsprechenden Schiebe­ registerzelle übertragen. Im dargestellten Beispiel werden die Ladungen von der Pufferzelle 722 zur Schieberegisterzel­ le 732 übertragen.At step 876 preserved the ent in the buffer cell B i charges to the next adjacent cell buffer B i + 1 are transmitted. At the same time, the charges contained in the last buffer cell B LAST are transferred to the corresponding shift register cell. In the example shown, the charges are transferred from the buffer cell 722 to the shift register cell 732 .

Bei Schritt 878 wird der Photozelle Pi ein Rücksetzsi­ gnal zugeführt. Wie vorstehend beschrieben, wird durch die erfindungsgemäße Struktur das Rücksetzen der Photozellen er­ möglicht, wodurch der Überhellungs- oder Bloomingeffekt ver­ mindert wird.At step 878, a reset signal is applied to the photocell P i . As described above, the structure of the invention resets the photocells, thereby reducing the over-brightening or blooming effect.

Die Schritte 878 und 876 können gleichzeitig und allge­ mein in einer beliebigen Reihenfolge ausgeführt werden.Steps 878 and 876 can be simultaneous and general my run in any order.

Bei Schritt 880 werden die im Schieberegister angeord­ neten Ladungen zur Weiterverarbeitung und Darstellung ausge­ geben.At step 880, those are placed in the shift register ned loads for further processing and presentation give.

Claims (19)

1. Ladungsgekoppelter Baustein mit Zeitverzögerungs- und Integrationsfunktion (TDI-CCD-Baustein), mit:
einer Ladungsübertragungseinheit;
einer Rücksetzeinheit;
einem horizontalen Schieberegister; und
mindestens einer Zellenspalte mit mehreren in Se­ rie geschalteten Zelleneinheiten, die einen als stromab ge­ richteten Ladungsfluß zum horizontalen Schieberegister hin definieren;
wobei jede der mehreren Zelleneinheiten eine Pho­ tozelle, die Ladungen erzeugt, wenn sie belichtet wird, und mindestens eine Pufferzelle zum Speichern von La­ dungen aufweist, wobei die Photozelle und die minde­ stens eine Pufferzelle in Serie geschaltet sind;
die Ladungsübertragungseinheit, die mit jeder der Photozellen und der Pufferzellen verbunden ist, den Baustein durch Übertragen von Ladungen stromab zwischen den einzelnen Zellen und durch Übertragen von Ladungen von der ersten Zellenspalte zum horizontalen Schiebere­ gister hin steuert; und
die Rücksetzeinheit jede der Photozellen zurück­ setzt, nachdem die in jeder der Photozellen akkumulier­ ten Ladungen von diesen übertragen wurden.
1. Charge-coupled device with time delay and integration function (TDI-CCD device), with:
a charge transfer unit;
a reset unit;
a horizontal shift register; and
at least one cell column with a plurality of cell units connected in series, which define a charge flow directed downstream to the horizontal shift register;
wherein each of the plurality of cell units has a photocell that generates charges when exposed and has at least one buffer cell for storing charges, the photocell and the at least one buffer cell being connected in series;
the charge transfer unit connected to each of the photocells and the buffer cells controls the device by transferring charges downstream between the individual cells and by transferring charges from the first cell column to the horizontal shift register; and
the reset unit resets each of the photocells after the charges accumulated in each of the photocells have been transferred therefrom.
2. Baustein nach Anspruch 1, wobei
jede der Zelleneinheiten eine erste vertikale Län­ ge aufweist;
jede der Photozellen eine zweite vertikale Länge aufweist; und
die erste vertikale Länge der doppelten zweiten vertikalen Länge gleich ist.
2. Module according to claim 1, wherein
each of the cell units has a first vertical length;
each of the photocells has a second vertical length; and
the first vertical length is equal to twice the second vertical length.
3. Baustein nach Anspruch 1, wobei
jede der Zelleneinheiten eine erste vertikale Län­ ge aufweist;
jede der Photozellen eine zweite vertikale Länge aufweist; und
die erste vertikale Länge der zweiten vertikalen Länge im wesentlichen gleich ist.
3. Module according to claim 1, wherein
each of the cell units has a first vertical length;
each of the photocells has a second vertical length; and
the first vertical length is substantially the same as the second vertical length.
4. Baustein nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei jede der Zelleneinheiten zwei Pufferzellen aufweist.4. Module according to one of claims 1 and 2, each of the cell units has two buffer cells. 5. Baustein nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine Zellenspalte außerdem eine mit dem horizontalen Schie­ beregister in Serie geschaltete zusätzliche Photozelle aufweist.5. Module according to claim 1, wherein the at least one Cell column also one with the horizontal shoot additional photocell connected in series having. 6. Baustein nach Anspruch 1, wobei jede der Zelleneinhei­ ten eine Einzelpufferzelle aufweist.The device of claim 1, wherein each of the cell units ten has a single buffer cell. 7. Zelleneinheit zum Einfügen in einen TDI-CCD-Baustein, mit einer Photozelle, die Ladungen erzeugt und akkumu­ liert, wenn sie belichtet wird, und mindestens einer Pufferzelle zum Speichern von Ladungen, wobei die Pho­ tozelle und die mindestens eine Pufferzelle in Serie geschaltet sind.7. cell unit for insertion into a TDI-CCD module, with a photocell that generates and accumulates charges if it is exposed, and at least one Buffer cell for storing charges, the Pho top cell and the at least one buffer cell in series are switched. 8. Ladungsgekoppelter Baustein mit Zeitverzögerungs- und Integrationsfunktion (TDI-CCD-Baustein), mit:
einer Ladungsübertragungseinheit;
einer Rücksetzeinheit;
einem horizontalen Schieberegister; und
mindestens einer Zellenspalte mit mehreren in Se­ rie geschalteten Zelleneinheiten, die einen als stromab richteten Ladungsfluß zum horizontalen Schieberegister hin definieren;
wobei jede der mehreren Zelleneinheiten eine Pho­ tozelle, die Ladungen erzeugt, wenn sie belichtet wird, und eine unter der Photozelle angeordnete und mit der Photozelle verbundene Pufferzelle zum Speichern von La­ dungen aufweist;
die Ladungsübertragungseinheit, die mit jeder der Photozellen und der Pufferzellen verbunden ist, den Baustein durch Übertragen von Ladungen in einer ausge­ wählten Zelleneinheit von einer Photozelle der ausge­ wählten Zelleneinheit zu einer Pufferzelle der ausge­ wählten Zelleneinheit steuert;
die Ladungsübertragungseinheit den Baustein ferner durch Übertragen von Ladungen zwischen den Pufferzellen nach unten zum horizontalen Schieberegister hin steu­ ert; und
die Rücksetzeinheit jede der Photozellen zurück­ setzt, nachdem die in jeder der Photozellen akkumulier­ ten Ladungen von diesen übertragen wurden.
8. Charge-coupled device with time delay and integration function (TDI-CCD device), with:
a charge transfer unit;
a reset unit;
a horizontal shift register; and
at least one cell column with a plurality of cell units connected in series, which define a flow of charge directed downstream towards the horizontal shift register;
wherein each of the plurality of cell units has a photocell that generates charges when exposed and a buffer cell disposed below the photocell and connected to the photocell for storing charges;
the charge transfer unit connected to each of the photo cells and the buffer cells controls the device by transferring charges in a selected cell unit from a photo cell of the selected cell unit to a buffer cell of the selected cell unit;
the charge transfer unit further controls the device by transferring charges between the buffer cells down to the horizontal shift register; and
the reset unit resets each of the photocells after the charges accumulated in each of the photocells have been transferred therefrom.
9. Ladungsgekoppelter Baustein nach Anspruch 8, wobei die Rücksetzeinheit jede der mindestens einen Zellenspalten einzeln zurücksetzt.9. Charge-coupled device according to claim 8, wherein the Reset unit each of the at least one cell columns resets individually. 10. Ladungsgekoppelter Baustein nach Anspruch 8, wobei die Rücksetzeinheit einzelne Reihen der Zelleneinheiten zu­ rücksetzt.10. Charge-coupled device according to claim 8, wherein the Reset unit individual rows of cell units resets. 11. Zelleneinheit zum Einfügen in einen TDI-CCD-Baustein, mit einer Photozelle, die Ladungen erzeugt und akkumu­ liert, wenn sie belichtet wird, und mindestens einer Pufferzelle zum Speichern von Ladungen, wobei die min­ destens eine Pufferzelle unter der Photozelle angeord­ net ist. 11. Cell unit for insertion into a TDI-CCD module, with a photocell that generates and accumulates charges if it is exposed, and at least one Buffer cell for storing charges, the min at least a buffer cell under the photocell is not.   12. Verfahren zum Betreiben eines TDI-CCD-Bausteins, wobei der TDI-CCD-Baustein mehrere Zellenspalten aufweist, jede der Zellenspalten mehrere Zelleneinheiten auf­ weist, jede der Zelleneinheiten eine Photozelle und ei­ ne damit verbundene und unter der Photozelle angeordne­ te Pufferzelle aufweist und die Pufferzellen der Zel­ leneinheiten in Serie geschaltet sind, um eine als stromab gerichtete und in einem Schieberegister endende Struk­ tur zu definieren, wobei das Verfahren den Schritt zum Wiederholen der folgenden Schritte aufweist:
Belichten der Photozellen;
Erfassen von Licht von einem Objekt, um Ladungen durch die Photozellen zu erzeugen;
Übertragen der Ladungen in jeder Zelleneinheit von den Photozellen zu den Pufferzellen;
Deaktivieren der Belichtung der Photozellen; und
Übertragen von Ladungen zwischen den Pufferzellen stromab zum Schieberegister hin.
12. A method for operating a TDI-CCD module, the TDI-CCD module having a plurality of cell columns, each of the cell columns having a plurality of cell units, each of the cell units having a photocell and a buffer cell connected to and arranged beneath the photocell, and the buffer cells of the cell units are connected in series to define a structure which is downstream and ends in a shift register, the method comprising the step of repeating the following steps:
Exposing the photocells;
Detecting light from an object to generate charges through the photocells;
Transferring the charges in each cell unit from the photocells to the buffer cells;
Deactivating the exposure of the photocells; and
Transfer of charges between the buffer cells downstream to the shift register.
13. Verfahren zum Betreiben eines TDI-CCD-Bausteins, wobei der TDI-CCD-Baustein mehrere Zellenspalten aufweist, jede der Zellenspalten mehrere in Serie geschaltete Zelleneinheiten aufweist, jede der Zelleneinheiten eine Photozelle und eine damit in Serie geschaltete Puffer­ zelle aufweist und die letzte Zelleneinheit jeder Zel­ lenspalte mit einem Schieberegister verbunden ist, wo­ bei das Verfahren den Schritt zum Wiederholen der fol­ genden Schritte aufweist:
Aktivieren der Erfassung von Licht von einem Ob­ jekt, um Ladungen durch die Photozellen zu erzeugen;
Übertragen der Ladungen in jeder Zelleneinheit von den Photozellen zu den Pufferzellen;
Übertragen von Ladungen aus der Pufferzelle der letzten Zelleneinheit zum Schieberegister;
Deaktivieren der Erfassung von Licht durch die Photozellen; und
Übertragen von Ladungen zwischen den Pufferzellen stromab zum Schieberegister hin von einer Pufferzelle einer ausgewählten Zelleneinheit zu einer Photozelle einer nachgeschalteten Zelleneinheit.
13. A method for operating a TDI-CCD module, the TDI-CCD module having a plurality of cell columns, each of the cell columns having a plurality of cell units connected in series, each of the cell units having a photocell and a buffer cell connected in series, and the last Cell unit of each cell column is connected to a shift register, where the method has the step of repeating the following steps:
Activating the detection of light from an object to generate charges through the photocells;
Transferring the charges in each cell unit from the photocells to the buffer cells;
Transferring charges from the buffer cell of the last cell unit to the shift register;
Deactivating the detection of light by the photocells; and
Transfer of charges between the buffer cells downstream of the shift register from a buffer cell of a selected cell unit to a photo cell of a downstream cell unit.
14. Verfahren zum Betreiben eines TDI-CCD-Bausteins, wobei der TDI-CCD-Baustein mehrere Zellenspalten aufweist, jede der Zellenspalten mehrere Zelleneinheiten und eine letzte Zelleneinheit aufweist, jede der Zelleneinheiten eine Photozelle und eine damit in Serie geschaltete Pufferzelle aufweist und jede der letzten Zelleneinhei­ ten eine Photozelle aufweist und mit einem Schieberegi­ ster verbunden ist, wobei das Verfahren den Schritt zum Wiederholen der folgenden Schritte aufweist:
Aktivieren der Erfassung von Licht von einem Ob­ jekt, um Ladungen durch die Photozellen zu erzeugen;
Übertragen der Ladungen in jeder Zelleneinheit von den Photozellen zu den Pufferzellen;
Übertragen von Ladungen von jeder der letzten Zel­ leneinheiten zum Schieberegister;
Deaktivieren der Erfassung von Licht durch die Photozellen; und
Übertragen von Ladungen zwischen den Zelleneinhei­ ten stromab zum Schieberegister hin von einer Puffer­ zelle einer ausgewählten Zelleneinheit zu einer Photo­ zelle einer nachgeschalteten Zelleneinheit.
14. A method for operating a TDI-CCD module, the TDI-CCD module having a plurality of cell columns, each of the cell columns having a plurality of cell units and a last cell unit, each of the cell units having a photocell and a buffer cell connected in series therewith, and each of the last cell units has a photocell and is connected to a shift register, the method comprising the step of repeating the following steps:
Activating the detection of light from an object to generate charges through the photocells;
Transferring the charges in each cell unit from the photocells to the buffer cells;
Transferring charges from each of the last cell units to the shift register;
Deactivating the detection of light by the photocells; and
Transfer of charges between the cell units downstream of the shift register from a buffer cell of a selected cell unit to a photo cell of a downstream cell unit.
15. Verfahren zum Betreiben eines TDI-CCD-Bausteins, wobei der TDI-CCD-Baustein mehrere Zellenspalten aufweist, jede der Zellenspalten mehrere in Serie geschaltete Zelleneinheiten aufweist, jede der Zelleneinheiten eine Photozelle, eine mit der Photozelle in Serie geschalte­ te erste Pufferzelle und eine mit der ersten Pufferzel­ le in Serie geschaltete zweite Pufferzelle aufweist und die letzte Zelleneinheit jeder Zellenspalte mit einem Schieberegister verbunden ist, wobei das Verfahren den Schritt zum Wiederholen der folgenden Schritte auf­ weist:
Aktivieren der Erfassung von Licht von einem Ob­ jekt, um Ladungen durch die Photozellen zu erzeugen;
Übertragen der Ladungen in jeder Zelleneinheit von den Photozellen zu den ersten Pufferzellen;
Deaktivieren der Erfassung von Licht durch die Photozellen;
Übertragen von Ladungen zwischen den Zelleneinhei­ ten stromab zum Schieberegister hin von einer zweiten Pufferzelle einer ausgewählten Zelleneinheit zu einer Photozelle einer nachgeschalteten Zelleneinheit;
Übertragen von Ladungen in jeder Zelleneinheit von den ersten Pufferzellen zu den zweiten Pufferzellen; und
Übertragen von Ladungen von der zweiten Pufferzel­ le der letzten Zelleneinheit zum Schieberegister.
15. A method for operating a TDI-CCD module, the TDI-CCD module having a plurality of cell columns, each of the cell columns having a plurality of cell units connected in series, each of the cell units a photocell, a first buffer cell connected in series with the photocell and has a second buffer cell connected in series with the first buffer cell and the last cell unit of each cell column is connected to a shift register, the method comprising the step of repeating the following steps:
Activating the detection of light from an object to generate charges through the photocells;
Transferring the charges in each cell unit from the photocells to the first buffer cells;
Deactivating the detection of light by the photocells;
Transferring charges between the cell units downstream of the shift register from a second buffer cell of a selected cell unit to a photocell of a downstream cell unit;
Transferring charges in each cell unit from the first buffer cells to the second buffer cells; and
Transfer of charges from the second buffer cell of the last cell unit to the shift register.
16. Verfahren nach Anspruch 12, 13, 14 oder 15, ferner mit dem Schritt zum Übertragen von Ladungen vom Schiebere­ gister.16. The method of claim 12, 13, 14 or 15, further comprising the step of transferring charges from the slider ghost. 17. Verfahren nach Anspruch 12, 13, 14 oder 15, ferner mit dem Schritt zum Rücksetzen der Photozellen.17. The method according to claim 12, 13, 14 or 15, further comprising the step to reset the photocells. 18. Verfahren nach Anspruch 12, 13, 14 oder 15, wobei der Schritt zum Belichten der Photozellen den Schritt zum Deaktivieren eines den Photozellen zugeführten Rück­ setzsignals aufweist.18. The method of claim 12, 13, 14 or 15, wherein the Step to expose the photocells to Deactivating a return fed to the photocells has set signal. 19. Verfahren nach Anspruch 12, 13, 14 oder 15, wobei der Schritt zum Deaktivieren der Belichtung der Photozellen den Schritt zum Aktivieren eines den Photozellen zuge­ führten Rücksetzsignals aufweist.19. The method of claim 12, 13, 14 or 15, wherein the Step to deactivate the exposure of the photocells  the step to activate one of the photocells led reset signal.
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