DE19729931A1 - Selektive Fotodiode für den UV-Spektralbereich - Google Patents
Selektive Fotodiode für den UV-SpektralbereichInfo
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Description
Die Fotodiode ist in Verbindung mit einem entsprechenden Produkt in der UV-Meßtechnik, ins
besondere für ein schmales eingeengtes Empfindlichkeitsspektrum, einsetzbar.
Durch die DE 42 08 172 A1 ist eine Fotodiode zur Feststellung von UV-Strahlung bekanntge
worden. Diese Diode besteht aus einem Einkristallsubstrat aus Siliziumkarbid, das einen ersten
Leitfähigkeitstyp aufweist, eine erste Epitaxieschicht aus Siliziumkarbid auf dem Substrat das
denselben Leitfähigkeitstyp wie das Substrat aufweist; eine obere Epitaxieschicht aus Silizium
karbid, die auf der ersten Epitaxieschicht aufgebracht ist und die gegenüber der ersten Epitaxie
schicht eine entgegengesetzte Leitfähigkeit aufweist, einen pn-Übergang, der zwischen der er
sten Epitaxieschicht und der oberen Epitaxieschicht liegt und ohmschen Kontakten an der obe
ren Epitaxieschicht und an dem Substrat. Das Wesen dieser Lösung besteht darin, daß die er
ste Epitaxieschicht eine wesentlich niedrigere Trägerkonzentration als die Trägerkonzentration
der oberen Epitaxieschicht aufweist, so daß ein Verarmungsgebiet des pn-Überganges sich
vorherrschend in der ersten Epitaxieschicht bei Gleichgewicht ausbildet. Die erste Epitaxie
schicht weist ferner eine definierte Stärke auf, die ausreichend ist, das Verarmungsgebiet zu
unterstützen, und die größer ist als die Diffusionslänge von Minoritätsträgern in dieser ersten
Epitaxieschicht, die obere Epitaxieschicht hat eine definierte Stärke, die weniger als die Stärke
der ersten Schicht beträgt und die größer ist als die Breite der Verarmungsschicht bei Vorspan
nung Null in der oberen Schicht, die schmal genug ist, um wesentliche Absorption von
UV-Strahlung in der oberen Schicht zu ermöglichen.
Durch die DE 40 10 570 ist weiter ein Verfahren und eine Anordnung zur Überwachung von
Feuerungsanlagen, insbesondere von Ölbrennern mit einem Strahlungsdetektor für
UV-Strahlung bekannt geworden. Die hierbei eingesetzte Fotodiode für den Strahlungsdetektor ba
siert auf einem Substrat aus Siliziumcarbid auf dessen Substrat eine p-leitende Epitaxieschicht
der 6 H-Modifikation des Siliziumcarbids abgeschieden ist. Diese Epitaxieschicht ist mit einer
Dotierungsschicht versehen, die von der Oberfläche durch eine Rekombinationszone getrennt
ist.
Weiterhin sind Lösungen bekannt, die auf einem Substrat aus Silizium basieren. Silizium hat
aber in dem relevanten Spektralbereich keine gute Empfindlichkeit mehr. Durch die geringe
Empfindlichkeit und durch die relativ schmale Bandbrücke (1,11 eV) ergibt sich ein unbefriedi
gendes Signal/Rauschverhältnis.
Beide Materialien, vor allem aber Si sind in einem breiten Spektralbereich fotoempfindlich (Si
190-1060 nm; SiC 180-400 nm).
Aufgrund des breiten Spektralbereiches müssen für die meisten Anwendungen die störende
sichtbare und die IR-Strahlung durch ein zusätzliches Filter unterdrückt werden.
Zweck der Erfindung ist die Bereitstellung einer Fotodiode für den UV-Bereich auf der Basis von
Galliumphosphid, die eine kostengünstigere Herstellung ermöglicht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine selektive Fotodiode für den UV-Spektralbereich
auf der Basis von Galliumphosphid bereitzustellen, die vergleichbare Parameter wie eine Fotodi
ode mit einem auf SiC basierenden Substrat aufweist, die sich durch einen spezifischen Aufbau
und in der Anordnung der einzelnen Schichten auszeichnet und die in einem relevanten Spek
trum breit- und schmalbandig einsetzbar ist und die sowohl gute Nutzsignale als auch eine gute
Selektivität zuläßt. Darüber hinaus soll auch eine gezielte Einstellung der Peakwellenlänge mög
lich sein.
Diese Aufgabe wird bei einer Fotodiode der gattungsgemäßen Art erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß sie die nachfolgende Struktur aufweist: Die Basis für die Fotodiode bildet ein GaP
Substrat. Vorzugsweise ist dieses Substrat (111) oder (100) orientiert. Auf der Rückseite des
Substrates ist großflächig ein ohmscher Kontakt angeordnet. Auf der Vorderseite ist eine nied
rig kompensierte GaP - Epitaxieschicht gebildet. Diese Epitaxieschicht weist eine freie Ladungs
trägerkonzentration im Bereich von (0,3-3) × 1016 cm-3 bei einer Schichtdicke < 5 µm auf. Mit
dieser Maßnahme werden niedrigere Dunkelströme und eine Sperrspannungsfestigkeit < 10 V
erreicht. Die Oberfläche der Epitaxieschicht muß mikroskopisch glatt sein und darf keine
schroffen Unebenheiten < 100 nm aufweisen. Darüber hinaus ist eine niedrige Oberflächenzu
standsdichte eine Voraussetzung für niedrige Dunkelströme, besonders aber für eine geringe
Abhängigkeit des Dunkelstromes von der Sperrspannung. Auf der Oberfläche der Epitaxieschicht
ist nunmehr eine dielektrische Passivierungsschicht ausgebildet, die aber im fotosensitiven Be
reich wieder zu entfernen ist. Die Passivierungsschicht kann beispielsweise bestehen aus: SiO2;
Si3 N4; Al2 O3.
Die Dicke der Passivierungsschicht ist so gewählt, daß sie eine minimale Pin-Hole-Dichte auf
weist.
Das Vorhandensein dieser Schicht ist nicht zwingend erforderlich. Es trägt aber dazu bei, das
Spannungsverhalten und die Langzeitstabilität der Fotodiode zu verbessern.
Danach ist auf der GaP-Oberfläche des fotosensitiven Bereiches eine Eigenoxidschicht mit einer
Dicke im Bereich von 3-30 Moleküllagen ausgebildet. Diese Maßnahme dient zur Erhöhung der
Potentialdifferenz an dem nun folgenden sich anschließenden Schottkykontakt.
Der Schottkykontakt ist aus einer Schicht aus Silber der Reinheit ≧ 99,99% gebildet. Dabei hat
es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Dicke der ausgebildeten Schicht im Bereich von 20-300 nm liegt. Das Silber dient vorrangig als Schottkykontakt auf der fotosensitiven Fläche. Es
wirkt aber gleichzeitig auch als integriertes selektives Filter im UV-Bereich. Damit ist der zusätz
liche Einsatz eines Filters gegenstandslos. Die Dicke der Silberschicht bestimmt die Selektivität
(Halbwertsbreite) der Empfindlichkeitskurve und die absolute Empfindlichkeit der Fotodiode. Es
wurde bestätigt daß günstige Ergebnisse mit einer Schichtdicke von 100 nm erzielt werden.
Der nachfolgende Schritt in der Anordnung besteht nunmehr darin, auf den Schottkykontakt die
Bondkontakte anzuordnen. Diese Kontakte können aus Gold oder auch aus Aluminium bestehen.
Sie werden vorzugsweise in einer Dicke ≧ 1 µm aufgebracht.
Abschließend ist auf der gesamten Fotodiode - mit Ausnahme der Bondkontaktflächen - jedoch
mindestens auf der fotosensitive Fläche eine Schutzschicht ausgebildet, die aus folgenden Ver
bindungen bestehen kann: SiO2; Si3 N4; Al2O3 oder aus Gold. Die Dicke der Goldschicht be
trägt < 30 nm. Diese Schutzschicht schützt vor Oxidation und erhöht damit die Langzeitstabili
tät der UV-Fotodiode.
Die gewählte Struktur und die Ausbildung der einzelnen Schichten ermöglichen die Bereitstel
lung einer Fotodiode für den UV-Spektralbereich, die sowohl gute Nutzsignale aber auch eine
gute Selektivität zulassen.
Bei der vorliegenden Lösung besteht ein weiterer Vorteil darin, daß die Dunkelströme niedriger
sind, dadurch wird ein günstigeres Signal/Rauschverhältnis erzielt.
Ein wesentlicher Vorteil der vorliegenden Lösung besteht darin, daß durch die Dicke der als
Schottkykontakt wirkenden Silberschicht, die zugleich ein integriertes Filter darstellt, eine vari
ierbare Empfänger-Selektivität im Bereich von 300-450 nm erzielbar ist. Wellenlängen, die außerhalb
dieses Bereiches liegen, werden um mehr als 3 Größenordnungen unterdrückt.
Schließlich besteht ein weiterer Vorteil der Fotodiode auch darin, daß die Peakwellenlänge und
die Selektivität eingeschränkt variierbar ist.
Durch die Verwendung des kostengünstigeren Ausgangsmaterials besteht nunmehr auch die
Möglichkeit, Fotodioden mit fotoempfindlichen Flächen ≧ 1 mm2 mit einer guten Parameterho
mogenität herstellen zu können, wodurch sich neue Anwendungsgebiete erschließen lassen.
Der Aufbau und die Epitaxie der Fotodiode ermöglichen es, einen UV-Sensorchip bereitzustellen,
der vergleichbare Parameter, wie ein Chip auf der Basis eines SiC aufweist, der aber kostengün
stiger herstellbar ist und damit vielfältige Einsatzmöglichkeiten bietet. So ist beispielsweise ein
Einsatz möglich:
- * in UV-Dosimeter und Intensitätsmeßgeräte für medizinische Anwendungen;
- * in Meßgeräte sowohl für den produktiven als auch für den konsumtiven Bereich zur Kontrolle von UV-Lampen;
- * bei der Schadstoffemissionsoptimierung in Verbrennungsanlagen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung im Prinzip beispielshalber noch näher
erläutert. In der zugehörigen Zeichnung zeigen:
Fig. 1 den prinzipiellen Aufbau der Fotodiode;
Fig. 2 die spektrale Empfindlichkeit einer Fotodiode mit einem schmalbandigen Spek
trum;
Fig. 3 die spektrale Empfindlichkeit einer Fotodiode mit einem breitbandigen Spektrum;
Fig. 4 einen Kennlinienverlauf über die Abhängigkeit Dunkelstrom/Sperrspannung.
Aus dem in Fig. 1 dargestellten prinzipiellen Aufbau geht hervor, daß die Basis für die Fotodi
ode ein GaP-Substrat 1 [111] oder [100] orientiert ist. Auf der Rückseite des Substrates 1 ist
ein ohmscher Kontakt 2 angeordnet, beispielsweise aus einer Au:Ge Legierung. Auf der Vorder
seite des Substrates 1 ist eine niedrig kompensierte GaP-Epitaxieschicht 3 gebildet. Diese Epi
taxieschicht 3 weist eine freie Ladungsträgerkonzentration im Bereich von (0,3-3) × 1016 cm-3
bei einer Schichtdicke von < 5 µm auf. Auf der Epitaxieschicht 3, die eine glatte mikroskopische
Oberfläche 4 und eine niedrige Oberflächenzustandsdichte aufweisen muß, ist die dielektrische
Passivierungsschicht 5 angeordnet. Diese Passivierungsschicht 5 ist im fotosensitiven Bereich
auszusparen bzw. wieder zu entfernen. Sie kann beispielsweise aus folgenden Verbindungen
bestehen: SiO2; Si3N4; Al2O3. Auf der GaP-Oberfläche des sensitiven Bereiches ist eine Ei
genoxidschicht 6 ausgebildet. Diese Eigenoxidschicht 6 weist eine Dicke im Bereich von 3-30
Moleküllagen auf und sie bezweckt eine Erhöhung der Potentialdifferenz am nachfolgend gebil
deten Schottkykontakt 7. Der Schottkykontakt 7 besteht aus dem Material Silber, er ist auf der
fotosensitiven Fläche und auf der Eigenoxidschicht 6 ausgebildet. Die Dicke der angeordneten
Schicht liegt im Bereich zwischen 20-300 nm. Das hierbei zum Einsatz kommende Material
Silber dient als Schottkykontakt 7 auf der fotosensitiven Fläche und wirkt gleichzeitig als inte
griertes selektives Filter im UV-Bereich. Auf den Schottkykontakt 7 sind die Bondkontakte 8
angeordnet. Die Bondkontakte 8 können beispielsweise aus dem Material Gold oder auch aus
Aluminium gebildet sein. Die Dicke der Bondkontakte 8 beträgt < 1 µm. Den Abschluß der
Struktur bildet eine Schutzschicht 9, die über die gesamte Oberfläche der Fotodiode mit Aus
nahme der Bondkontaktflächen ausgebildet ist. Diese Schicht, die mindestens auf der sensitiven
Fläche angeordnet ist, schützt vor Oxidation.
Fig. 2 veranschaulicht eine Empfindlichkeitskurve für einen schmalbandigen Wellenbereich. Bei
diesem Bereich liegt die Dicke der Silberschicht bei 80-140 nm, vorzugsweise 120 nm. Durch
eine weitere Erhöhung der Dicke der Silberschicht ist durchaus ein noch extrem schmalbandige
res Wellenspektrum erzeugbar.
Fig. 3 veranschaulicht eine Empfindlichkeitskurve für einen breitbandigen Wellenbereich. Dieser
breitbandige Wellenbereich wird durch Variation der Dicke der als Schottkykontakt 7 angeordne
ten Silberschicht erzeugt. Im vorliegendem Fall variiert die Dicke der Silberschicht zwischen 10-30
nm, vorzugsweise 20 nm.
Fig. 4 veranschaulicht zwei Kennlinien des Dunkelstromes in Abhängigkeit von der Sperrspan
nung. Diesen Kennlinien liegen verschieden große aktive Gebiete, d. h. aktive Flächen der Foto
diode zugrunde. Im vorliegenden Fall beträgt das Verhältnis der aktiven Flächen der den Kennli
nien zuzuordnenden Bauelemente ca. 2 : 1. Trotz dieser gravierenden Flächenunterschiede ist
das Verhältnis der Dunkelströme bei 1 V Sperrspannung geringer, im genannten Fall nur etwa
1,3. Der Verlauf der Kennlinie a ist kennzeichnend für eine kleinere aktive Fläche, während der
Verlauf der Kennlinie b für eine größere aktive Fläche kennzeichnend ist.
Claims (10)
1. Selektive Fotodiode für den UV-Spektralbereich auf der Basis von Galliumphosphid als
Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Struktur aufweist, bei der die Basis ein
GaP-Substrat (1) [111] oder [100] orientiert bildet, auf der Rückseite des GaP-Substrates (1)
ein ohmscher Kontakt (2) großflächig ausgebildet ist, auf der Vorderseite eine niedrig kompen
sierte GaP-Epitaxieschicht (3) ausgebildet ist, daß auf der Gap-Epitaxieschicht (3) eine Passi
vierungsschicht (5) den fotosensitiven Bereich aussparend ausgebildet ist, daß auf der
GaP-Oberfläche (4) des fotosensitiven Bereiches eine Eigenoxidschicht (6) ausgebildet ist, daß an
schließend auf der Oberfläche als Schottkykontakt (7) eine Schicht aus Silber ausgebildet ist,
daß auf den Schottkykontakt (7) die Bondkontakte (8) aufgebracht sind und daß abschließend
auf das gesamte Fotodiodenchip, dabei die Bondkontakte aussparend, eine Schutzschicht
(9) ausgebildet ist.
2. Fotodiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ohmsche Kontakt (2) aus
einer Au:Ge Legierung gebildet ist.
3. Fotodiode nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die niedrig kompensierte
GaP-Epitaxieschicht (3) eine freie Ladungsträgerkonzentration im Bereich von (0,3-3) × 1016
cm-3 aufweist und eine Schichtdicke von < 5 µm hat.
4. Fotodiode nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die Oberfläche (4) der GaP-Epitaxieschicht (3) durch chemisch-mechanische Politur
mikroskopisch glatt ausgebildet ist.
5. Fotodiode nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die Passivierungsschicht (5) aus einer der Verbindungen SiO2; Si3N4; Al2O3 gebildet
ist.
6. Fotodiode nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die Dicke der Eigenoxidschicht (6) im fotosensitiven im Bereich von 3-30 Molekülla
gen ausgebildet ist.
7. Fotodiode nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß das Silber zur Ausbildung des Schottkykontaktes eine Reinheit ≧ 99,99% und daß
die Dicke der Schicht im Bereich von 20-300 nm liegt.
8. Fotodiode nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die Bondkontakte (8) aus Gold oder Aluminium ausgebildet sind und diese eine Dicke
< 1 µm aufweisen.
9. Fotodiode nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die auf der Fotodiode ausgebildete Schutzschicht (9) mindestens den Bereich der fo
tosensitiven Fläche abdeckt.
10. Fotodiode nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die auf der Fotodiode ausgebildete Schutzschicht (9) aus einer der folgenden
Verbindungen: SiO2; Si3N4; Al2O3 oder aus Gold ausgebildet ist und die Dicke der Goldschicht
< 30 nm beträgt.
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|---|---|
| DE (1) | DE19729931A1 (de) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10024473A1 (de) * | 2000-05-18 | 2001-11-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Optischer Empfänger |
| WO2002042806A2 (de) * | 2000-11-22 | 2002-05-30 | Universität Stuttgart Institut Für Physikalische Elektronik | Schmalbandiges uv-filter für uv-detektoren |
| DE102004044640A1 (de) * | 2004-09-13 | 2006-03-30 | Bfi Automation Dipl.-Ing. Kurt-Henry Mindermann Gmbh | Flammenüberwachungseinrichtung |
| DE102009030045B3 (de) * | 2009-06-22 | 2011-01-05 | Universität Leipzig | Transparente gleichrichtende Metall-Metalloxid-Halbleiterkontaktstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung |
-
1997
- 1997-07-07 DE DE19729931A patent/DE19729931A1/de not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10024473A1 (de) * | 2000-05-18 | 2001-11-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Optischer Empfänger |
| US6476423B2 (en) | 2000-05-18 | 2002-11-05 | Vishay Semiconductor Gmbh | Optical detector |
| DE10024473B4 (de) * | 2000-05-18 | 2007-04-19 | Vishay Semiconductor Gmbh | Optischer Empfänger |
| WO2002042806A2 (de) * | 2000-11-22 | 2002-05-30 | Universität Stuttgart Institut Für Physikalische Elektronik | Schmalbandiges uv-filter für uv-detektoren |
| DE10057843A1 (de) * | 2000-11-22 | 2002-06-06 | Univ Stuttgart Inst Fuer Physi | Schmalbandiges UF-Filter für UV-Detektoren |
| WO2002042806A3 (de) * | 2000-11-22 | 2003-02-27 | Univ Stuttgart Inst Fuer Physi | Schmalbandiges uv-filter für uv-detektoren |
| DE102004044640A1 (de) * | 2004-09-13 | 2006-03-30 | Bfi Automation Dipl.-Ing. Kurt-Henry Mindermann Gmbh | Flammenüberwachungseinrichtung |
| DE102009030045B3 (de) * | 2009-06-22 | 2011-01-05 | Universität Leipzig | Transparente gleichrichtende Metall-Metalloxid-Halbleiterkontaktstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung |
| US8445904B2 (en) | 2009-06-22 | 2013-05-21 | Universität Leipzig | Transparent rectifying metal/metal oxide/semiconductor contact structure and method for the production thereof and use |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8181 | Inventor (new situation) |
Inventor name: HUMENIUK, MICHAEL, DIPL.-PHYS., 14974 GROEBEN, DE Inventor name: PIKTIN, ALEXANDER NIKOLAJEVITSCH, PROF. DR., ST. P Inventor name: POPOV, VLADIMIR ALEXEJEVITCH, DR., ST. PETERSBURG, Inventor name: KLOTH, BERND, DR.-ING., 16515 ORANIENBURG, DE Inventor name: NOGUINOV, ALEXANDRE, DR., MOSKAU/MOSKVA, RU |
|
| 8181 | Inventor (new situation) |
Inventor name: HUMENIUK, MICHAEL, DIPL.-PHYS., 14974 GROEBEN, DE Inventor name: PIKHTIN, ALEXANDER NIKOLAJEVITSCH, PROF. DR., ST. Inventor name: NOGUINOV, ALEXANDRE, DR., MOSKAU/MOSKVA, RU Inventor name: KLOTH, BERND, DR.-ING., 16515 ORANIENBURG, DE Inventor name: POPOV, VLADIMIR ALEXEJEVITCH, DR., ST. PETERSBURG, |
|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |