DE19708385A1 - Wavelength-tunable optoelectronic component - Google Patents

Wavelength-tunable optoelectronic component

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Abstract

The invention relates to an optoelectronic component operating at different wavelength channels. The aim is to make it possible to individually vary the wavelength of each of the various wavelength channels. According to the invention, said optoelectronic component is based on multisections created in at least one curved waveguide of the component. The multisections are configured by means of at least one separating groove (6) running above the curved waveguide. According to the invention, said groove is configured in such a way that a resistance of at least 10 ohm is generated between the individual sections so that each section can be supplied with a separate control current. The arrangement and depth of the separating grooves (6) corresponds to the curvature of the waveguide, whereby the curvature function yi(x) of the waveguide is calculated on the basis of optimizations supported by model computations. Wavelength tunable optoelectronic components have a key function in wavelength multiplex processes during data transmission in optical fibres. Principal areas of application include laser lines, laser amplifier lines, converter lines and filter lines.

Description

Das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement bezieht sich unter anderem auf das Gebiet der wellenlängenabstimmbaren Laser und der Laserzeilen.The optoelectronic component according to the invention relates among other things in the field of wavelength tunable lasers and laser lines.

Auf dem Gebiet der Festfrequenz- bzw. Festwellenlängen-Laser­ zeilen gibt es zahlreiche Publikationen und Patente. Stellvertretend dafür seien genannt:
K. Sato et al. IEEE Phot. Technol. Lett. 3, 501 (1991). C. E. Zah, et al. Electron. Lett. 27, 1041 (1991).
There are numerous publications and patents in the field of fixed frequency or fixed wavelength laser lines. Representative are:
K. Sato et al. IEEE Phot. Technol. Lett. 3: 501 (1991). CE Zah, et al. Electron. Lett. 27: 1041 (1991).

Desweiteren sind in der Wellenlänge abstimmbare Mehrsektions-Bauelemente bekannt. Als Beispiele dieser Thematik sind folgende Arbeiten angeführt:
S. Murata et al. Optical and Quantum Electronics 22, 1 (1990).
K. Dutta et al. Appl. Phys. Lett. 48, 1501 (1986).
M. Kuznetsov, J. Lightw. Technol. 12, 2100 (1994).
Y. Tohmori et al. IEEE J. Quantum Electron. 29, 1817 (1993).
Furthermore, multi-section components tunable in wavelength are known. The following works are given as examples of this topic:
S. Murata et al. Optical and Quantum Electronics 22, 1 (1990).
K. Dutta et al. Appl. Phys. Lett. 48, 1501 (1986).
M. Kuznetsov, J. Lightw. Technol. 12, 2100 (1994).
Y. Tohmori et al. IEEE J. Quantum Electron. 29, 1817 (1993).

Es sind Lösungen bekannt, die auf einem Halbleiterbauelement mit lateral nebeneinander liegenden Mehrsektions-DFB-Lasern basieren. Bei diesen Lösungen wird die Wellenlängenabstimmung über individuelle Strominjektion in die Sektionen eines jeden Lasers der Laser-Zeile erreicht. Ein Nachteil dieses Bauelements ist, daß der Bereich der Wellenlängenabstimmung sehr gering ist. Als Beispiele sind aufgeführt:
K. Sato et al. IEEE J. Quantum Electronics 29, 1805 (1993).
H. Yasaka et al. IEEE Phot. Technol. Lett. 1, 75 (1989).
Solutions are known which are based on a semiconductor component with multi-section DFB lasers lying laterally next to one another. With these solutions, the wavelength is tuned via individual current injection into the sections of each laser in the laser line. A disadvantage of this component is that the range of wavelength tuning is very small. Examples are:
K. Sato et al. IEEE J. Quantum Electronics 29, 1805 (1993).
H. Yasaka et al. IEEE Phot. Technol. Lett. 1, 75 (1989).

Weitere Lösungen basieren auf einem Halbleiterbauelement mit lateral nebeneinander liegenden Mehrsektion-DBR-Lasern. Hier wurde die Wellenlängenabstimmung über individuelle Strominjektion in die Sektionen eines jeden Lasers der Laser-Zeile erreicht. Als Beispiel wird aufgeführt:
Y. Kato et al. Int. Conf. on InP and Related Compounds 1995, Technical Digest WA 1.4.
Other solutions are based on a semiconductor device with laterally adjacent multi-section DBR lasers. Here the wavelength tuning was achieved via individual current injection into the sections of each laser in the laser line. As an example:
Y. Kato et al. Int. Conf. on InP and Related Compounds 1995, Technical Digest WA 1.4.

Eine weitere bekannte Lösung beruht auf einer Laserzeile, bei der jeder einzelne Laser mit einer dünnen Metallfilm-Wider­ standsheizung thermisch abgestimmt werden kann. Eine solche Lösung wurde beispielsweise in folgender Veröffentlichung beschrieben:
Li, et al. IEEE Photon. Technol. Lett. 8, 22 (1996).
Lo et al. J. Lightwave Technology 11, 619 (1993).
Another known solution is based on a laser line, in which each individual laser can be thermally tuned with a thin metal film resistance heater. Such a solution was described, for example, in the following publication:
Li, et al. IEEE photon. Technol. Lett. 8, 22 (1996).
Lo et al. J. Lightwave Technology 11, 619 (1993).

Bekannt ist auch der Einsatz von gekippten Wellenleitern auf homogenen DFB-Gitterfeldern, welche im Wellenleiter eine effektive Gitterperiode definieren. Die effektive Gitterperiode korreliert mit der Gitterperiode des homogenen Gitters und dem Kippwinkel des Gitters ϕ. Siehe
M.-A. Diforte, FR-A-2 417 866 (1978).
W. T. Tsang et al. IEEE Photon. Technol. Lett. %, 978 (1993).
W. T. Tsang, EP 0 641 053 A1.
The use of tilted waveguides on homogeneous DFB grating fields, which define an effective grating period in the waveguide, is also known. The effective grating period correlates with the grating period of the homogeneous grating and the tilt angle of the grating ϕ. Please refer
M.-A. Diforte, FR-A-2 417 866 (1978).
WT Tsang et al. IEEE photon. Technol. Lett. %, 978 (1993).
WT Tsang, EP 0 641 053 A1.

Die Berechnung der Modenstruktur und der Schwellen­ stromdichte, d. h. die Festlegung der Krümmungsfunktionen der Wellenleiter geschieht mittels Modellrechnungen, welche z. B. auf der Theorie der gekoppelten Moden basieren. Siehe
K. Kogelnik and C. V. Shank, J. Appl. Phys. 43, 2327 (1972).
The calculation of the mode structure and the threshold current density, ie the definition of the curvature functions of the waveguide is done by means of model calculations, which, for. B. based on the theory of coupled modes. Please refer
K. Kogelnik and CV Shank, J. Appl. Phys. 43, 2327 (1972).

Gekrümmte Wellenleiter auf homogenen DFB-Gitterfeldern können zur Definition von Gittern mit axial variierter Gitterperiode genutzt werden. Siehe
Shoji et al. DE 36 43 361 A1, (1987).
D. A. Ackerman, US 5,052,015 (1991).
Curved waveguides on homogeneous DFB grating fields can be used to define gratings with an axially varied grating period. Please refer
Shoji et al. DE 36 43 361 A1, (1987).
DA Ackerman, U.S. 5,052,015 (1991).

3-Sektions-Laser mit DFB Gittern mit axial variierter Gitterperiode wurden beschrieben in H. Ishii, EP 0 559 192 A2 (1993).
H. Hillmer et al. Appl. Phys. Lett. 65, 2130 (1994).
3-section lasers with DFB gratings with an axially varied grating period have been described in H. Ishii, EP 0 559 192 A2 (1993).
H. Hillmer et al. Appl. Phys. Lett. 65, 2130 (1994).

Das Ziel der Erfindung ist ein optoelektronisches Bauelement, das auf verschiedenen Wellenlängenkanälen arbeitet, welche individuell in der Wellenlänge variiert werden können. Derartigen Bauelementen kommt eine Schlüsselfunktion für Wellenlängenmultiplexverfahren bei der Datenübertragung in Glasfasern zu. Derartig ausgebildete optoelektronische Bauelemente können beispielsweise als Laser-Zeilen, Laser-Verstärker-Zeilen und Filter-Zeilen ausgebildet sein.The aim of the invention is an optoelectronic Component that is on different wavelength channels works, which varies individually in the wavelength can be. Such components come one Key function for wavelength division multiplexing at data transmission in glass fibers. Such trained optoelectronic components can for example as laser lines, laser amplifier lines and filter lines.

Die technische Aufgabe besteht in der Entwicklung einer Struktur für ein optoelektronisches Bauelement mit den o.g. Eigenschaften.The technical task is to develop one Structure for an optoelectronic component with the above Characteristics.

Eine erfindungsgemäß ausgebildete optoelektronische Bauelementezeile bedient maximal n Kanäle, welche in ihrer charakteristischen Wellenlänge durch Steuerströme einzeln abstimmbar sind. Beispiele für diese Bauelementezeilen sind wellenlängenabstimmbare Laserzeilen, wellenlängenabstimmbare Verstärkerzeilen, wellenlängenabstimmbare Filterzeilen, wellenlängenabstimmbare Detektorzeilen und wellenlängenabstimmbare Konverterzeilen. Jeder einzelne Kanal korrespondiert zu einem individuell gekrümmten optischen Lichtwellenleiter. Für jeden dieser Lichtwellenleiter definiert eine individuelle Funktion yi(x) den Verlauf des Maximums des geführten Lichtfeldes in der xy-Ebene, d. h. die individuellen Wellenleiterkrümmungen, wobei i ganzzahlig ist, im Bereich 1 ≦ i ≦ n. Die axiale Richtung i folgt dabei der Krümmung des Lichtwellenleiters der Ordnungszahl i, d. h., es handelt sich dabei in der xy-Ebene um eine gekrümmt verlaufende Koordinate. Im Fall einer Laserzeile besteht jeder Lichtwellenleiter aus der laseraktiven Zone 3 und den umgebenden Materialien, welche in der xz-Ebene höchstens um die Lichtwellenlänge vom Zentrum des Lichtfeldes entfernt sind. Oberhalb oder unterhalb der xy-Ebene befindet sich ein Rückkopplungsgitter 4, dessen Gitterstriche gegenüber einer Vorzugsrichtung um den Kippwinkel ϕ verkippt sind. Der Gitterbereich wird in x-Richtung durch zwei Grenzflächen bei x = 0 und bei x = L begrenzt, wobei diese zwei Grenzflächen senkrecht zur x-Achse stehen. Dabei liegt das Rückkopplungsgitter 4 in einem Bereich, in dem der Betrag der Intensität des im Lichtwellenleiter geführten Lichtfeldes größer als I0(x)/100 ist, wobei 10(x) die Intensität im Maximum des Lichtfeldes in der yz-Ebene an der Stelle x ist. Für die Länge des Gitterbereiches L in x-Richtung gilt dabei für die dadurch erreichte Rückkopplung 0.2 ≦ K.L ≦ 7, wobei K der Kopplungskoeffizient des Rückkopplungsgitters 4 ist. Das Rückkopplungsgitter 4 ist dabei DFB-artig (DFB = engl. distributed feedback), DBR-artig (DBR = engl. distributed bragg reflector) ausgebildet oder es besitzt eine Übergitterstruktur (engl. sampled grating). Im letztgenannten Fall existieren in Richtung der Lichtausbreitung zusätzlich eine bestimmte Anzahl gitterfreier Bereiche. Das Rückkopplungsgitter 4 kann z. B. rein reelle Indexkopplung bewirken, rein imaginäre Indexkopplung, oder komplexe Kopplung (reelle und imaginäre Kopplung). Die Querschnittsform des Rückkopplungsgitters 4 (in Ebenen, welche die xy-Ebene senkrecht schneiden) ist entweder dreieckförmig, rechteckförmig oder sinusartig. Ferner sind entsprechende Mischformen möglich, wie z. B. eine Rechteckform mit abgerundeten Ecken. Für ein homogenes Rückkopplungsgitter 4 oder einen homogenen Teilbereich eines Gitters ist Λ0 die Gitterperiode. Die Wellenlängenabstimmung wird durch eine Multisektionierung jedes einzelnen Lichtwellenleiters erreicht, wobei jede einzelne Sektion mit einem eigenen Steuerstrom gepumpt wird. Typischerweise handelt es sich pro Lichtwellenleiter um 2 bis 3 Sektionen, d. h., die Emissionswellenlänge eines Kanals wird mit zwei bis drei verschiedenen Steuerströmen eingestellt. Dabei ist die Wellenlänge des Kanals i etwa im Wellenlängenbereich Δλi abstimmbar. Ein Beispiel dafür ist eine DFB-Halbleiterlaserzeile, welche aus n Lichtwellenleitern auf n verschiedenen Wellenlängen λi emittiert, wobei i von 1 bis n läuft. Anders ausgedrückt kann das optoelektronische Bauelement simultan auf n verschiedenen Frequenz-Kanälen arbeiten. Dabei wird das Wellenlängenintervall Δλi des Wellenleiters der Ordnungszahl i durch die Verkippung des Rückkopplungsgitters (Kippwinkel ϕ), die Gitterperiode Λ0 des Rückkopplungsgitters und die korrespondierende Krümmungsfunktion des Lichtwellenleiters yi(x) in seiner absoluten Wellenlängenlage voreingestellt. Die Emissionswellenlänge λi wird schließlich durch die zum Lichtwellenleiter der Ordnungszahl i korrespondierenden Steuerströme fein abgestimmt. Dies gilt in analoger Weise für die restlichen Lichtwellenleiter der Bauelementezeile. Dabei sind sowohl die absoluten Wellenlängen der n Kanäle präzise einstellbar, wie auch die Wellenlängen-Abstände der einzelnen Kanäle i zueinander. Damit können für WDM-An­ wendungen z. B. Bauelementezeilen mit äquidistanten Frequenz- oder Wellenlängenabständen realisiert werden.An optoelectronic component row designed according to the invention serves a maximum of n channels, the characteristic wavelength of which can be individually tuned by control currents. Examples of these component lines are wavelength-tunable laser lines, wavelength-tunable amplifier lines, wavelength-tunable filter lines, wavelength-tunable detector lines and wavelength-tunable converter lines. Each individual channel corresponds to an individually curved optical fiber. For each of these optical waveguides, an individual function y i (x) defines the course of the maximum of the guided light field in the xy plane, ie the individual waveguide curvatures, where i is an integer, in the range 1 ≦ i ≦ n. The axial direction i follows the curvature of the optical waveguide of atomic number i, that is, it is a curved coordinate in the xy plane. In the case of a laser line, each optical waveguide consists of the laser-active zone 3 and the surrounding materials, which in the xz plane are at most by the light wavelength from the center of the light field. Above or below the xy plane there is a feedback grating 4 , the grating lines of which are tilted by a tilting angle ϕ with respect to a preferred direction. The grid area is limited in the x-direction by two interfaces at x = 0 and at x = L, these two interfaces being perpendicular to the x-axis. The feedback grating 4 lies in a region in which the amount of the intensity of the light field guided in the optical waveguide is greater than I 0 (x) / 100, 1 0 (x) the intensity in the maximum of the light field in the yz plane Digit x is. For the length of the grating region L in the x direction, the feedback achieved thereby is 0.2 ≦ KL ≦ 7, where K is the coupling coefficient of the feedback grating 4 . The feedback grating 4 is designed DFB-like (DFB = distributed feedback), DBR-like (DBR = distributed bragg reflector) or has a sampled grating structure. In the latter case, a certain number of grid-free areas exist in the direction of light propagation. The feedback grid 4 can e.g. B. cause purely real index coupling, purely imaginary index coupling, or complex coupling (real and imaginary coupling). The cross-sectional shape of the feedback grid 4 (in planes which intersect the xy plane perpendicularly) is either triangular, rectangular or sinusoidal. Corresponding mixed forms are also possible, such as. B. a rectangular shape with rounded corners. For a homogeneous feedback grating 4 or a homogeneous partial area of a grating, Λ 0 is the grating period. The wavelength tuning is achieved by multisectioning each individual optical fiber, with each individual section being pumped with its own control current. Typically there are 2 to 3 sections per optical fiber, ie the emission wavelength of a channel is set with two to three different control currents. The wavelength of the channel i can be tuned approximately in the wavelength range Δλ i . An example of this is a DFB semiconductor laser line which emits from n optical waveguides at n different wavelengths λ i , where i runs from 1 to n. In other words, the optoelectronic component can work simultaneously on n different frequency channels. The wavelength interval Δλ i of the waveguide of atomic number i is preset by the tilting of the feedback grating (tilt angle ϕ), the grating period Λ 0 of the feedback grating and the corresponding curvature function of the optical waveguide y i (x) in its absolute wavelength position. The emission wavelength λ i is finally finely tuned by the control currents corresponding to the optical waveguide of order number i. This applies analogously to the remaining optical waveguides in the component row. Both the absolute wavelengths of the n channels and the wavelength distances between the individual channels i can be set precisely. This can be used for WDM applications such. B. component lines with equidistant frequency or wavelength spacing can be realized.

Der Winkel αli,i beschreibt den Winkel zwischen dem Lichtwellenleiter der Ordnungszahl i und der Normalen auf die Bauelementefacette an der Stelle x = 0, (linkes Ende des Gitterbereiches). Der Winkel αre,i beschreibt den Winkel zwischen dem Lichtwellenleiter der Ordnungszahl i und der Normalen auf die Bauelementefacette an der Stelle x = L, (rechtes Ende des Gitterbereiches). Die Breite der Lichtwellenleiter kann verschieden sein, was sich auf den effektiven Brechungsindex Neff,i auswirkt. Die in den Figuren dargestellten linken und rechten Gittergrenzen (Grenzflächen) stehen für kristallographisch oder bauelementegeometrisch ausgezeichnete Richtungen. Es kann sich bei den Grenzflächen um gespaltene, geätzte oder lithographische Gittergrenzen, gespaltene oder geätzte Bauelementegrenzen, gespaltene Halbleiterwafer-Grenzen oder geätzte Grenzen auf dem Halbleiterwafer handeln. Im Falle, daß das Bauelement nicht an den Grenzflächen endet, können die Lichtwellenleiter außerhalb des Gitterbereiches weiterlaufen. Im gitterfreien Bereich können Verzweigungen, Combiner, Schalter, Taper usw. liegen. In diesem Fall stellt der in den Figuren betrachtete Bereich einen Ausschnitt aus einer integrierten optoelektronischen Schaltung dar.The angle α li, i describes the angle between the optical waveguide of atomic number i and the normal to the component facet at the position x = 0, (left end of the grating area). The angle α re, i describes the angle between the optical waveguide of atomic number i and the normal to the component facet at the point x = L, (right end of the grating area). The width of the optical waveguide can be different, which has an effect on the effective refractive index N eff, i . The left and right lattice boundaries (interfaces) shown in the figures stand for directions that are excellent in terms of crystallography or component geometry. The interfaces can be cleaved, etched or lithographic lattice boundaries, cleaved or etched component boundaries, cleaved semiconductor wafer boundaries or etched boundaries on the semiconductor wafer. In the event that the component does not end at the interfaces, the optical waveguides can continue to run outside the grating area. Branches, combiners, switches, taper etc. can be located in the grid-free area. In this case, the area considered in the figures represents a section of an integrated optoelectronic circuit.

Zur Verdeutlichung sind in den Abbildungen die Bauelemente-Aus­ dehnungen, die Winkel, die Wellenleiterbreiten, die Wellenleiterkrümmungen und die Korrugationsperioden nicht maßstabgerecht dargestellt. Typischerweise ist die laterale Wellenlängenbreite wesentlich größer als die Gitterperiode im Rückkopplungsgitter. For the sake of clarity, the components off are in the illustrations strains, the angles, the waveguide widths, the Waveguide curvatures and the periods of corrugation are not shown to scale. Typically the lateral Wavelength width much larger than the grating period in the feedback grid.  

Das erfindungsgemäß ausgebildete optoelektronische Bauelement wird anhand von einigen Ausführungsbeispielen näher erläutert.The optoelectronic designed according to the invention The component is based on some embodiments explained in more detail.

Fig. 1 zeigt die Darstellung einer Bauelementezeile mit n = 3 verschieden gekrümmten Lichtwellenleitern (i = 1, 2, 3) im oberen Bildteil. Die Kontaktierung jedes einzelnen Lichtwellenleiters ist zweimal unterbrochen, so daß drei 3-Sektions-Bauelemente existieren. An der in der perspektivischen Darstellung vorn liegenden Fläche ist ein Querschnitt durch ein Rückkopplungsgitter 4 vom DFB-Typ sichtbar. Dieses Rückkopplungsgitter 4 erstreckt sich in der xy-Ebene über die gesamte Fläche der Bauelementezeile. Fig. 1 shows the representation of a component line with n = 3 differently curved optical fibers (i = 1, 2, 3) in the upper part of the figure. The contacting of each individual optical fiber is interrupted twice, so that three 3-section components exist. A cross section through a feedback grating 4 of the DFB type is visible on the surface lying at the front in the perspective illustration. This feedback grid 4 extends in the xy plane over the entire area of the component row.

Die gestrichelten Linien 9 geben die Projektionen der Wellenleiterzentren auf die Bauelementeoberfläche (parallel zur xy-Ebene) wieder. Der Verlauf des Zentrums des Wellenleiters der Ordnungszahl i gibt dabei die Wellenleiterkrümmung yi(x) wieder. In diesem Sinne geben die gekrümmten Linien 9 die Projektionen der axialen Richtungen i auf die Bauelementeoberfläche wieder. Ferner geben sie in guter Näherung den Verlauf des Intensitätsmaximums des geführten Lichtfeldes wieder.The dashed lines 9 show the projections of the waveguide centers on the component surface (parallel to the xy plane). The course of the center of the waveguide of atomic number i represents the waveguide curvature y i (x). In this sense, the curved lines 9 represent the projections of the axial directions i onto the component surface. Furthermore, they give a good approximation of the course of the intensity maximum of the guided light field.

Im unteren Bildteil sind drei gekrümmte Schnitte entlang den Linien 9 durch die Bauelementezeile dargestellt, wobei jeweils ein Rückkopplungsgitter von DFB-Typ sichtbar ist, welches jeweils eine axial verschieden variierte Gitterperiode aufweist. Die z-Richtung ist senkrecht auf der xy-Ebene. Die axiale Richtung i verläuft in der xy-Ebene und folgt der Wellenleiterkrümmung des Lichtwellenleiters der Ordnungszahl i. Der Querschnitt in der gekrümmten Ebene zeigt: eine Volumenhalbleiterschicht 1 vom Leitfähigkeitstyp I, eine Volumenhalbleiterschicht 2 vom Leitfähigkeitstyp II, eine aktive Schicht 3, ein Rückkopplungsgitter 4, die Facettenvergütung 5, die Trennungsgräben bzw. die Kontakt-Trennungen 6, die Metallisierungsfelder (engl. contact pads) 7 der einzelnen Sektionen auf der Seite des Leitfähigkeitstyps I und die Metallisierung 10 auf der Seite des Leitfähigkeitstyps II. Durch die verschiedenen Krümmungsfunktionen weisen die drei Bauelemente längs der axialen Richtungen eine unterschiedliche gitterbehaftete Lichtwellenleiterlänge auf. In diesem Beispiel ist der Kippwinkel ϕ des Rückkopplungsgitters gegenüber einer Vorzugsrichtung sehr gering (ϕ = 0,5°). Das Rückkopplungsgitter 4 besitzt in diesem Anwendungsbeispiel einen dreieckförmigen Querschnitt.In the lower part of the figure, three curved sections along the lines 9 through the component row are shown, each with a feedback grating of the DFB type being visible, each of which has an axially differently varied grating period. The z direction is perpendicular to the xy plane. The axial direction i runs in the xy plane and follows the waveguide curvature of the optical waveguide of atomic number i. The cross section in the curved plane shows: a volume semiconductor layer 1 of conductivity type I, a volume semiconductor layer 2 of conductivity type II, an active layer 3 , a feedback grating 4 , the facet coating 5 , the separation trenches or the contact separations 6 , the metallization fields. contact pads) 7 of the individual sections on the side of the conductivity type I and the metallization 10 on the side of the conductivity type II. Due to the different curvature functions, the three components have a different length of fiber optic along the axial directions. In this example, the tilt angle ϕ of the feedback grating is very small compared to a preferred direction (ϕ = 0.5 °). The feedback grid 4 has a triangular cross section in this application example.

Fig. 2 zeigt die Darstellung der Krümmungsfunktionen von 3 Lichtwellenleitern einer weiteren Bauelementezeile in der xy-Ebene. Im Rahmen der vorliegenden erfindungsgemäßen Lösung sind die Winkel α, wie sie in Fig. 2 dargestellt sind, bezüglich ihres Vorzeichens positiv. Fig. 2 is an illustration of the bending functions of optical waveguides 3 shows a further component array in the xy plane. Within the scope of the present solution according to the invention, the angles α, as shown in FIG. 2, are positive with regard to their sign.

Fig. 3 zeigt die simultane Darstellung einer weiteren xy-Ebene (Gitterebene), der in Fig. 2 gezeigten Bauelementezeile. Das Rückkopplungsgitter 4 ist gegenüber einer Vorzugsrichtung um den Kippwinkel ϕ verkippt. Von jedem Lichtwellenleiter ist die Projektion des Wellenleiterzentrums in die xy-Ebene in Form der gekrümmten Linie 9 dargestellt. Jeder Wellenleiter ist in diesem Ausführungsbeispiel durch je einen Trennungsgraben 6 in zwei Sektionen unterteilt. Diese Trennungen sind in der vorliegenden Aufsicht durch schwarze Balken angedeutet und in Fig. 1 unten in den drei Querschnitten als Trennungsgräben 6 zu sehen. Durch die dargestellten Trennungen besteht die Bauelementezeile in diesem Beispiel aus drei 2-Sektions-Bauelementen. FIG. 3 shows the simultaneous representation of a further xy plane (grid plane) of the component row shown in FIG. 2. The feedback grating 4 is tilted relative to a preferred direction by the tilt angle ϕ. The projection of the waveguide center into the xy plane of each optical waveguide is shown in the form of the curved line 9 . In this exemplary embodiment, each waveguide is divided into two sections by a separation trench 6 . In the present plan view, these separations are indicated by black bars and can be seen in the three cross-sections below in FIG. 1 as separation trenches 6 . Due to the separations shown, the component row in this example consists of three 2-section components.

Durch die Wellenleiterkrümmung ändert sich in axialer Richtung der lokale Kippwinkel des Lichtwellenleiters ϑ gegenüber dem Rückkopplungsgitter 4. Dadurch verändert sich die effektive Gitterperiode, welche für das im Lichtwellenleiter geführte Lichtfeld vorliegt, gegenüber der Gitterperiode Λo im Rückkopplungsgitter um den Faktor 1/cosϑ. Das ist in Fig. 4 verdeutlicht. Der lokale Kippwinkel ϑ des Lichtwellenleiters variiert somit entlang der axialen Richtung. Für die in den Fig. 2 und 3 dargestellte Bauelementezeile ist der Winkelbereich, den die einzelnen Wellenleiter durchlaufen, auf der ϑ-Achse dargestellt. Die Ordinate zeigt, daß die Variation der Gitterperiode bei größeren lokalen Kippwinkeln des Lichtwellenleiters ϑ effizienter ist, d. h. größere Gitterperiodenänderungen erreicht werden können.Due to the waveguide curvature, the local tilt angle of the optical waveguide ϑ changes in the axial direction with respect to the feedback grating 4 . As a result, the effective grating period, which is present for the light field guided in the optical waveguide, changes by a factor of 1 / cosϑ compared to the grating period Λ o in the feedback grating. This is illustrated in Fig. 4. The local tilt angle ϑ of the optical waveguide thus varies along the axial direction. For the row of components shown in FIGS. 2 and 3, the angular range through which the individual waveguides pass is shown on the ϑ axis. The ordinate shows that the variation of the grating period is more efficient with larger local tilt angles of the optical waveguide ϑ, ie larger grating period changes can be achieved.

Fig. 5 zeigt die Darstellung einer anderen Bauelementezeile, welche auf den in Fig. 2 gezeigten Krümmungsfunktionen basiert, bei der jedoch jedem Wellenleiter zwei Trennungsgräben 6 zugeordnet sind. Dadurch entstehen bei dieser Bauelementezeile drei 3-Sek­ tions-Bauelemente. Jede einzelne Sektion besitzt ein eigenes Metallisierungsfeld 7, welches in der englischsprachigen Literatur als "contact pad" oder "bond pad" bezeichnet wird. Jede Sektion kann dadurch durch einen individuellen Injektionsstrom angesteuert werden. FIG. 5 shows the representation of another component row, which is based on the curvature functions shown in FIG. 2, but in which two separation trenches 6 are assigned to each waveguide. This creates three 3-section components in this component row. Each individual section has its own metallization field 7 , which is referred to in the English-language literature as a “contact pad” or “bond pad”. Each section can be controlled by an individual injection current.

Fig. 6 zeigt die Darstellung einer Bauelementezeile, welche vier Lichtwellenleiter enthält, denen jeweils eine Unterteilung zugeordnet ist. Dadurch entstehen bei dieser Bauelementezeile vier 2-Sektions-Baulemente. FIG. 6 shows the representation of a component line which contains four optical waveguides, each of which is assigned a subdivision. This creates four 2-section components for this component line.

Fig. 7 zeigt die Darstellung einer Bauelementezeile, welche drei Lichtwellenleiter enthält, denen jeweils zwei Unterteilungen zugeordnet sind. Dadurch entstehen bei dieser Bauelementezeile drei 3-Sektions-Bauelemente. FIG. 7 shows the representation of a component line which contains three optical waveguides, each of which is assigned two subdivisions. This creates three 3-section components in this component row.

Durch eine geeignete Wahl der Krümmungsfunktionen der Lichtwellenleiters lassen sich mehrere spektral benachbarte Moden erzeugen, welche nahezu identische Schwellenverstärkungen aufweisen, wobei ji ganzzahlig im Bereich 1 ≦ ji ≦ mi ist. Die mi spektral benachbarten Moden des Lichtwellenleiters der Ordnungszahl i erstrecken sich dabei über den Wellenlängenbereich Δλi. Wählt man kürzere Gitterbereiche der Länge L und stärkere Krümmungen, so findet man spektral weiter ausgedehnte Wellenlängenbereiche Δλi, in denen spektral benachbarte Moden mit ähnlicher Schwellenverstärkung existieren. Für eine Bauelementezeile ist in Fig. 8 durch vier speziell gekrümmte Wellenleiter eine derartige Situation realisiert. Die Wellenlängenbereiche Δλ1, Δλ2, Δλ3 und Δλ4 sind in ihren absoluten spektralen Lagen mit Hilfe der geometrischen Parameter der Krümmungsfunktionen so positioniert worden, daß sich deren Bereichsgrenzen spektral nur geringfügig überschneiden. Dabei sind ferner die Krümmungsfunktionen durch δ2y/δx2 < 0 gekennzeichnet. Mit steigendem x liegt ein abfallendes Verhalten aller Krümmungsfunktionen y1(x) der Bauelementezeile vor (siehe z. B. Fig. 6) sowie
By a suitable choice of the curvature functions of the optical waveguide, several spectrally adjacent modes can be generated, which have almost identical threshold gains, where j i is an integer in the range 1 ≦ j i ≦ m i . The m i spectrally adjacent modes of the optical waveguide of atomic number i extend over the wavelength range Δλ i . If one chooses shorter grating regions of length L and stronger curvatures, one finds spectrally broader wavelength regions Δλ i in which spectrally adjacent modes with similar threshold amplification exist. Such a situation is realized for a row of components in FIG. 8 by four specially curved waveguides. The wavelength ranges Δλ 1 , Δλ 2 , Δλ 3 and Δλ 4 have been positioned in their absolute spectral positions with the help of the geometric parameters of the curvature functions in such a way that their spectral limits overlap only slightly. The curvature functions are also characterized by δ 2 y / δx 2 <0. With increasing x there is a falling behavior of all curvature functions y 1 (x) of the component row (see, for example, FIG. 6) and

αli,1 < αre,1; αre,1 ∼ αli,2; αli,2 < αre,2; αre,2 ∼ αli,3; αli,3 < αre,3 und αre,3 ∼ αli,4.α li, 1re, 1 ; α re, 1 ∼ α li, 2 ; α li, 2re, 2 ; α re, 2 ∼ α li, 3 ; α li, 3re, 3 and α re, 3 ∼ α li, 4 .

Das Prinzip der Wellenlängen-Durchstimmung wird schematisch an Hand von Fig. 9 für eines der Mehrsektionsbauelemente einer Zeile erläutert. Fig. 9 zeigt die Schwellenverstärkung als Funktion der Wellenlänge. In Fig. 9a und 9c geben die unausgefüllten Kreise die Schwellenverstärkungen und die spektralen Positionen der einzelnen Moden wieder, wenn das Laserbauelement im gesamten Resonatorbereich homogen gepumpt wird. Die axiale Variation der Gitterperiode wurde in diesem Beispiel so gewählt, daß die Schwellenverstärkungen von sechs spektral benachbarten Moden den gleichen Wert aufweisen. Diese Moden sind im folgenden von links nach rechts durchnumeriert (j = 1, 2, 3, 4, 5, m = 6). Die gestrichelte Linie dient zur Führung des Auges. Um eine bestimmte Mode unter den äquivalenten Moden bevorzugt anzusprechen, wird eine dafür geeignete inhomogene Strominjektion verwendet, d. h. für den Steuerstrom jeder einzelnen Sektion eine spezielle Stromstärke gewählt. In Fig. 9a ist durch die ausgefüllten Kreise schematisch eine derartige, spezielle Situation inhomogener Strominjektion dargestellt, welche eine minimale Schwellenverstärkung für die Mode j = 5 ermöglicht und diese dadurch gezielt anspricht. Die anderen Moden, welche unter homogener Strominjektion der Mode j = 5 äquivalent waren, werden durch diese spezielle inhomogene Strominjektion in ihrer Schwellenverstärkung angehoben. Die ausgefüllten Kreise geben die Schwellenverstärkungen und spektralen Positionen der einzelnen Moden an, wenn das Bauelement im gesamten Resonatorbereich gezielt inhomogen gepumpt wird, wobei die durchgezogene Linie wieder nur zur Führung des Auges dient. Um die selektierte Mode j = 5 durchzustimmen, werden eine oder zwei Injektions-Ströme in einer geeigneten Weise variiert, wodurch sich eine Wellenlängenänderung (Abstimmung) von 1 bis 2 nm ergibt, welche in Fig. 9b durch den horizontal liegenden, dicken Doppelpfeil dargestellt ist. Bei der Wellenlängen-Ab­ stimmung verschiebt sich in erster Linie das gesamte Profil, wie in Fig. 9b durch die zwei gestrichelt dargestellten Profile gezeigt ist. Eine geringe Deformation des Profils tritt dabei erst in zweiter Linie auf. Um eine andere Mode auszuwählen und durchzustimmen, muß eine andere Kombination der Injektions-Ströme, d. h. ein anderes inhomogenes Strominjektions-Profil, angewendet werden. Eine derartige Situation ist für die Selektion der Mode j = 2 in Fig. 9c durch die ausgefüllten Kreise dargestellt. Um die Mode j = 2 durchzustimmen, werden wieder ein oder zwei Injektions-Ströme geeignet variiert, wie schematisch durch den horizontal liegenden Doppelpfeil angedeutet ist. Zu jeder der sechs äquivalenten Moden korrespondiert ein horizontaler Doppelpfeil, welcher die Wellenlängen-Ab­ stimmung dieser Mode andeutet. Dadurch ist der gesamte Wellenlängen-Durchstimmungsbereich des Mehrsektions-DFB-La­ sers mit speziell gekrümmtem Lichtwellenleiter wesentlich größer, als der des Mehrsektions-DFB-Lasers mit geradem Lichtwellenleiter, wie durch die vertikalen, gestrichelten Linien angedeutet ist. Dieses Wellenlängen-Durch­ stimmungskonzept vereinigt quasi die Durchstimmungs­ bereiche mehrerer Mehrsektions-DFB-Laser mit spektral dicht benachbarten Wellenlängen der Bragg-Moden.The principle of wavelength tuning is schematically explained with reference to FIG. 9 for one of the multi-section components in a row. Fig. 9 shows the threshold gain as a function of wavelength. In Fig. 9a and 9c enter the clear circles threshold gains and the spectral positions of the individual modes again when the laser device is pumped homogeneously throughout the entire resonator. In this example, the axial variation of the grating period was chosen such that the threshold gains of six spectrally adjacent modes have the same value. These modes are numbered from left to right (j = 1, 2, 3, 4, 5, m = 6). The dashed line is used to guide the eye. In order to address a certain mode preferentially among the equivalent modes, a suitable inhomogeneous current injection is used, ie a special current strength is selected for the control current of each individual section. In FIG. 9 a, such a special situation of inhomogeneous current injection is schematically represented by the filled circles, which enables a minimal threshold gain for the mode j = 5 and thus addresses this in a targeted manner. The other modes, which were equivalent to mode j = 5 under homogeneous current injection, are increased in their threshold gain by this special inhomogeneous current injection. The filled circles indicate the threshold amplifications and spectral positions of the individual modes when the component is pumped inhomogeneously in the entire resonator area, the solid line again serving only to guide the eye. In order to tune the selected mode j = 5, one or two injection currents are varied in a suitable manner, which results in a wavelength change (tuning) of 1 to 2 nm, which is represented in FIG. 9b by the horizontal, thick double arrow . In the wavelength tuning, the entire profile shifts primarily, as shown in Fig. 9b by the two profiles shown in dashed lines. A slight deformation of the profile only occurs in the second place. In order to select and tune a different mode, a different combination of the injection currents, ie a different inhomogeneous current injection profile, must be used. Such a situation is shown for the selection of the mode j = 2 in Fig. 9c by the filled circles. In order to tune the mode j = 2, one or two injection streams are again suitably varied, as is indicated schematically by the horizontal double arrow. A horizontal double arrow corresponds to each of the six equivalent modes, which indicates the wavelength tuning of this mode. As a result, the entire wavelength tuning range of the multi-section DFB laser with a specially curved optical waveguide is substantially larger than that of the multi-section DFB laser with a straight optical fiber, as indicated by the vertical, dashed lines. This wavelength tuning concept virtually combines the tuning ranges of several multi-section DFB lasers with spectrally closely adjacent wavelengths of the Bragg modes.

Dieses am Beispiel eines Bauelements einer Zeile demonstrierte Wellenlängen-Durchstimmungsprinzip wird im übertragenen Sinne auch auf die restlichen Bauelemente der Zeile angewendet.This using the example of a component in a row The principle of wavelength tuning is demonstrated in figuratively to the remaining components of the Row applied.

Durch die Verwendung gekrümmter Lichtwellenleiter zur Erzeugung der speziellen axialen Variation der Gitterperiode treten jedoch keine Zusatzkosten bei der technologischen Herstellung dieser durchstimmbaren Bauelementezeile auf.By using curved optical fibers for Generation of the special axial variation of the However, there are no additional costs for the grid period technological manufacture of this tunable Component row on.

Fig. 10 zeigt die Schwellenverstärkung als Funktion der Wellenlänge für eine andere Bauelementezeile mit drei unterschiedlich gekrümmten Lichtwellenleitern (i = 1, 2, 3). In diesem Fall sind die Krümmungsfunktionen so gewählt, daß bei axial homogener Strominjektion pro Lichtwellenleiter i sechs spektral benachbarte Moden existieren, welche eine ähnlich geringe Schwellenverstärkung aufweisen. Die Wellenlängenbereiche Δλ1, Δλ2 und Δλ3 sind in ihren absoluten spektralen Lagen mit Hilfe der geometrischen Parameter der Krümmungsfunktionen so positioniert worden, daß sie sich spektral überlappen, wie im Fall i = 1 und i = 2, oder sich nicht überlappen, wie im Fall i = 2 und i = 3. Im oberen Bildteil ist jeweils der Fall dargestellt, daß in jeden Lichtwellenleiter die Strominjektion in axialer Richtung homogen erfolgt. Durch inhomogene Strominjektion (ermöglicht durch eine Multisektionierung der Lichtwellenleiter) können aus den sechs Moden jeweils einzelne Moden selektiert und in der Wellenlänge abgestimmt werden. Für die Lichtwellenleiter i = 1 wird im Fall (b) die Mode j1 = 2 selektiert, im Fall (c) die Mode j1 = 5. Für den Lichtwellenleiter i = 3 wird im Fall (d) die Mode j3 = 6 selektiert, im Fall (e) die Mode j3 = 3. Fig. 10 shows the threshold gain as a function of wavelength for another component array with three differently curved optical waveguides (i = 1, 2, 3). In this case, the curvature functions are selected so that with axially homogeneous current injection per optical waveguide i there are six spectrally adjacent modes which have a similarly low threshold gain. The wavelength ranges Δλ 1 , Δλ 2 and Δλ 3 have been positioned in their absolute spectral positions using the geometric parameters of the curvature functions in such a way that they spectrally overlap, as in the case i = 1 and i = 2, or do not overlap, as in the case i = 2 and i = 3. The upper part of the figure shows the case in which the current injection in each optical waveguide takes place homogeneously in the axial direction. Through inhomogeneous current injection (made possible by multisectioning the optical fibers), individual modes can be selected from the six modes and the wavelength can be tuned. For the optical waveguide i = 1, the mode j 1 = 2 is selected in the case (b), the mode j 1 = 5 in the case (c). For the optical waveguide i = 3, the mode j 3 = 6 is selected in case (d) selected, in case (e) the mode j 3 = 3.

Fig. 11 zeigt eine Ausführungsform mit 3 Wellenleitern, wobei jedem Wellenleiter 2 Unterteilungen zugeordnet sind, so daß drei 3-Sektions-Bauelemente existieren. Dieses Beispiel ist an das in Fig. 1 dargestellte Beispiel angelehnt, zeigt jedoch bezüglich der aktiven Schichten 3, sowie bezüglich der Kontaktierung auf der Seite der Volumenhalbleiterschicht 1 vom Leitfähigkeitstyp I mögliche Ausgestaltungen. Das optische und elektronische Confinement wird in diesem Beispiel für jeden der 3 Wellenleiter mit einer sogenannten Pilzstruktur realisiert. Im oberen Bildteil sind an der rechten Grenzfläche drei Pilzstrukturen im Querschnitt dargestellt. Das Material 11 ist semiisolierend. Die Strominjektion in die gekrümmt verlaufenden aktiven Schichten wird in diesem Beispiel über die entsprechend gekrümmten Kontaktierungsstreifen 8 realisiert. Ladungsträger vom Leitfähigkeitstyp I fließen in diesem Beispiel von einem Kontaktierungsfeld 7 über den Kontaktierungsstreifen 8 in die Volumenhalbleiterschicht 1. Von dort werden diese Ladungsträger in die aktive Schicht 3 injiziert. Fig. 11 shows an embodiment with three waveguides, wherein each waveguide is assigned 2 subdivisions, so that three 3-section components exist. This example is based on the example shown in FIG. 1, but shows possible configurations with regard to the active layers 3 and with regard to the contacting on the side of the volume semiconductor layer 1 of conductivity type I. In this example, the optical and electronic confinement is implemented for each of the 3 waveguides with a so-called mushroom structure. In the upper part of the picture, three mushroom structures are shown in cross-section at the right interface. The material 11 is semi-insulating. In this example, the current injection into the curved active layers is realized via the correspondingly curved contact strips 8 . In this example, charge carriers of conductivity type I flow from a contacting field 7 via the contacting strip 8 into the volume semiconductor layer 1 . From there, these charge carriers are injected into the active layer 3 .

Im folgenden sei ein erstes Zahlenbeispiel angeführt, bei dem die Wellenlängenbereiche Δλ1, Δλ2, Δλ3 und Δλ4 in ihren absoluten spektralen Lagen aneinander anschließen. In diesem Fall ist im folgenden das Ungefährzeichen fast ein Gleichheitszeichen: αli,1 < αre,1; αre,1 ∼ αli,2; αli,2 < αre,2; αre,2 ∼ αli,3; αli,3 < αre,3; αre,3 ∼ αli,4 und αli,4 < αre,4. Ferner zeigen alle Lichtwellenleiter der Bauelementezeile eine Krümmung, bei der ϑ2ylϑx2 < 0 ist (siehe z. B. Fig. 6). Der effektive Brechungsindex ist in diesem Fall Neff = 3.22785 und für dieses Beispiel aus Gründen der Einfachheit wellenlängenunabhängig angenommen. Ferner sei der Kippwinkel des Rückkopplungsgitters ϕ = 10° und die Gitterperiode im homogenen Rückkopplungsgitter Λo = 237 nm. Die Wellenlängen λmin = 2NeffΛo/cosϑmin,i und λmax,i = 2NeffΛ0n,i/cosϑmax,i spannen dabei den Wellenlängenbereich Δλi = λmax,i - λmin,i auf. ϑmin,i ist in diesem Beispiel der lokale Kippwinkel des Lichtwellenleiters bezogen auf das Rückkopplungsgitter 4 an der Stelle x = 0. ϑmax,i ist in diesem Beispiel der lokale Kippwinkel des Lichtwellenleiters bezogen auf das Rückkopplungsgitter 4 an der Stelle x = L.In the following, a first numerical example is given in which the wavelength ranges Δλ 1 , Δλ 2 , Δλ 3 and Δλ 4 are connected to one another in their absolute spectral positions. In this case, the approximate sign is almost an equal sign in the following: α li, 1re, 1 ; α re, 1 ∼ α li, 2 ; α li, 2re, 2 ; α re, 2 ∼ α li, 3 ; α li, 3re, 3 ; α re, 3 ∼ α li, 4 and α li, 4re, 4 . Furthermore, all optical waveguides of the component line show a curvature in which ϑ 2 ylϑx 2 <0 (see, for example, FIG. 6). The effective refractive index in this case is N eff = 3.22785 and, for reasons of simplicity, is assumed to be wavelength-independent for this example. Furthermore, let the tilt angle of the feedback grating ϕ = 10 ° and the grating period in the homogeneous feedback grating Λ o = 237 nm. The wavelengths λ min = 2N eff Λ o / cosϑ min, i and λ max, i = 2 Neff Λ 0 n, i / cosϑ max, i span the wavelength range Δλ i = λ max, i - λ min, i . In this example , ist min, i is the local tilt angle of the optical waveguide with respect to the feedback grating 4 at the point x = 0. ϑ max, i is the local tilt angle of the optical waveguide with respect to the feedback grating 4 at the point x = L.

Tabelle 1 zeigt auf dieser Grundlage ein Ausführungsbeispiel für eine Laserzeile mit 4 Kanälen.Table 1 shows on this basis Embodiment for a laser line with 4 channels.

Tabelle 1Table 1

Dadurch ergibt sich, daß die Bauelementezeile mit vier Mehrsektionslasern den Bereich von 1.53 µm bis 1.56 µm durch Wellenlängen-Abstimmung aller vier Laser lückenlos abdecken kann. Dieses Beispiel kann noch folgendermaßen verallgemeinert werden:
This means that the component line with four multi-section lasers can cover the entire range from 1.53 µm to 1.56 µm by wavelength adjustment of all four lasers. This example can be generalized as follows:

  • 1. Wellenlängenüberlapp der Wellenlängenbereiche der einzelnen Kanäle (z. B. Fig. 8),1. wavelength overlap of the wavelength ranges of the individual channels (e.g. FIG. 8),
  • 2. Kein Wellenlängenüberlapp der Wellenlängenbereiche der einzelnen Kanäle,2. No wavelength overlap of the wavelength ranges of the individual channels,
  • 3. Alle Wellenlängenbereiche Δλi sind verschieden und nicht wie in diesem Beispiel gleich 7.5 nm.3. All wavelength ranges Δλ i are different and not 7.5 nm as in this example.

Als nächstes sei ein zweites Zahlenbeispiel angeführt, welches zu einer weiteren Bauelementezeile mit vier verschieden gekrümmten Lichtwellenleitern korrespondiert. Bei diesem Beispiel schließen sich die Wellenlängenbereiche Δλ1, Δλ2, Δλ3 und Δλ4 in ihren absoluten spektralen Lagen nicht lückenlos aneinander an. Alle Lichtwellenleiter besitzen in den Wellenleiter-Krümmungsfunktionen keinen Wendepunkt. Sie sind alle in einer Weise gekrümmt, welche in Fig. 7 qualitativ dargestellt ist (Krümmung δ2y/δx2 < 0).
αli,1 = -4°; αre,1 = -3,2°; αli,2 = -2,5°; αre,2 = -1,1°; αli,3 = - 0,2°; αre,3 = +0,8°; αli,4 = 1,3° und αre,4 = 2,9°.
Next, a second numerical example is given, which corresponds to a further row of components with four differently curved optical fibers. In this example, the wavelength ranges Δλ 1 , Δλ 2 , Δλ 3 and Δλ 4 are not completely contiguous in their absolute spectral positions. All optical waveguides have no turning point in the waveguide curvature functions. They are all curved in a manner which is shown qualitatively in FIG. 7 (curvature δ 2 y / δx 2 <0).
α li, 1 = -4 °; α re, 1 = -3.2 °; α li, 2 = -2.5 °; α re, 2 = -1.1 °; α li, 3 = - 0.2 °; α right , 3 = + 0.8 °; α li, 4 = 1.3 ° and α re, 4 = 2.9 °.

Als nächstes wird ein drittes Zahlenbeispiel beschrieben, welches zu einer weiteren Bauelementezeile mit fünf verschieden gekrümmten Lichtwellenleitern korrespondiert. Bei diesem Beispiel überlappen die Wellenlängenbereiche Δλ1, Δλ2, Δλ3, Δλ4 und Δλ5 in ihren absoluten spektralen Lagen in einigen Fällen, in anderen Fällen dagegen nicht. Alle Lichtwellenleiter weisen keinen Wendepunkt in den Wellenleiterkrümmungen auf. Sie sind alle in einer Weise gekrümmt, welche in Fig. 7 qualitativ dargestellt ist (Krümmung δ2y/δx2 < 0). αli,1 = -5°; αre,1 = -4°; αli,2 = -3,3°; αre,2 = -1,4°; αli,3 = -2,2°; αre,3 = -0,8°; αli,4 = 0,1°; αre,4 = 4,9°; αli,5 = 1,3° und αre,5 = 4,4°.Next, a third numerical example will be described, which corresponds to a further component row with five differently curved optical waveguides. In this example, the wavelength ranges Δλ 1 , Δλ 2 , Δλ 3 , Δλ 4 and Δλ 5 overlap in some cases in their absolute spectral positions, but not in other cases. All optical fibers have no inflection point in the waveguide curvatures. They are all curved in a manner which is shown qualitatively in FIG. 7 (curvature δ 2 y / δx 2 <0). α li, 1 = -5 °; α re, 1 = -4 °; α li, 2 = -3.3 °; α re, 2 = -1.4 °; α li, 3 = -2.2 °; α right , 3 = -0.8 °; α li, 4 = 0.1 °; α right , 4 = 4.9 °; α li, 5 = 1.3 ° and α re, 5 = 4.4 °.

Die Erfindung kann in photonischen Komponenten Anwendung finden, welche auf verschiedenen Wellenleiter-Kanälen arbeiten und welche auf DFB (engl. = distributed feedback) Gittern, DBR (engl. = distributed Bragg reflector) Gittern oder axial mehrfach unterbrochenen Gitterstrukturen (engl.: "sampled gratings") basieren. Im letzten Fall besteht der Gitterbereich abwechselnd aus Gitterfeldern und gitterfreien Bereichen, wobei die entsprechenden Längen in axialer Richtung zusätzlich noch variierbar sind. Das Prinzip ist unabhängig von speziellen Bauformen auf verschiedene photonische Bauelemente anwendbar, wenn diese auf optischen Rückkopplungsgittern basieren. The invention can be used in photonic components find which ones on different waveguide channels  work and which on DFB (English = distributed feedback) Grids, DBR (English = distributed Bragg reflector) grids or axially multiple interrupted lattice structures "sampled gratings") based. In the latter case there is Grid area alternating from grid fields and grid-free areas, the corresponding lengths in axial direction are additionally variable. The The principle is independent of special designs different photonic components applicable if these based on optical feedback gratings.  

BezugszeichenlisteReference list

11

Volumenhalbleiterschicht vom Leitfähigkeitstyp I
Volume semiconductor layer of conductivity type I

22nd

Volumenhalbleiterschicht vom Leitfähigkeitstyp II
Volume semiconductor layer of conductivity type II

33rd

aktive Schicht
active layer

44th

Rückkopplungsgitter
Feedback grid

55

Facettenvergütung
Facet remuneration

66

Trennungsgraben (Kontakt-Trennung)
Separation trench (contact separation)

77

Metallisierungsfelder (contact pads) der einzelnen Sektionen auf der Seite des Leitfähigkeitstyps I
Metallization fields (contact pads) of the individual sections on the conductivity type I side

88th

Metallisierungsstreifen, welche den Wellenleiterkrümmungen folgen, auf der Seite der Volumenhalbleiterschicht Metallization strips, which the Waveguide curvatures follow, on the side of the Volume semiconductor layer

11

vom Leitfähigkeitstyp I
of conductivity type I

99

Projektion des Wellenleiterzentrums (= axiale Richtung) auf die Bauelemente-Oberfläche (parallel zur xy-Ebene)
Projection of the waveguide center (= axial direction) onto the component surface (parallel to the xy plane)

1010th

Metallisierung auf der Seite des Leitfähigkeitstyps II
Metallization on the side of conductivity type II

1111

semiisolierendes Material
ϕ Kippwinkel des Rückkopplungsgitters
i Ordnungszahl des Lichtwellenleiters
ϑlokaler Kippwinkel des Lichtwellenleiters
Λ0
semi-insulating material
ϕ Tilt angle of the feedback grating
i atomic number of the optical fiber
ϑlocal tilt angle of the optical fiber
Λ 0

Gitterperiode im homogenen Teil des Rückkopplungsgitters
yi
Grid period in the homogeneous part of the feedback grid
y i

(x) Krümmungsfunktion des Wellenleiters der Ordnungszahl i
αth
(x) curvature function of the waveguide of atomic number i
α th

Schwellenverstärkung
Δλi
Threshold reinforcement
Δλ i

Wellenlängenbereich (Wellenlängenintervall)
L Länge des Gitterfeldes in x-Richtung
ji
Wavelength range (wavelength interval)
L Length of the grid field in the x direction
j i

Kennziffer der Moden des Wellenleiters der Ordnungszahl i
δ2
Code of the modes of the waveguide of atomic number i
δ 2

y/δx2 y / δx 2

Stärke und Richtung der Krümmungsfunktion des Wellenleiters
Neff
Strength and direction of the waveguide's curvature function
N eff

effektiver Brechungsindex des Lichtwellenleiters
αli,i
effective refractive index of the optical fiber
α li, i

Winkel zwischen dem Wellenleiter der Ordnungszahl i und der x-Richtung an der Stelle x = 0 (linke Grenzfläche)
αre,i
Angle between the waveguide of atomic number i and the x-direction at x = 0 (left boundary)
α right , i

Winkel zwischen dem Wellenleiter der Ordnungszahl i und der x-Richtung an der Stelle x = L (rechte Grenzfläche)
I0
Angle between the waveguide of atomic number i and the x-direction at x = L (right boundary)
I 0

(x) Maximalbetrag der Intensität des im Wellenleiter geführten Lichtfeldes an der Stelle x
K Kopplungskoeffizient
λi
(x) Maximum amount of the intensity of the light field guided in the waveguide at point x
K coupling coefficient
λ i

Emissionswellenlänge des Wellenleiters der Ordnungszahl i
Index re Bezug auf rechte Grenzfläche
Index li Bezug auf linke Grenzfläche
λmin,i
Emission wavelength of the waveguide of atomic number i
Index right reference to right interface
Index left in relation to the left boundary
λ min, i

Wellenlänge der Mode mit der geringsten Wellenlänge unter den Moden mit der niedrigsten Schwellenverstärkung des Wellenleiters mit der Ordnungszahl i
λmax,i
Wavelength of the mode with the lowest wavelength among the modes with the lowest threshold gain of the waveguide with the atomic number i
λ max, i

Wellenlänge der Mode mit der größten Wellenlänge unter den Moden mit der niedrigsten Schwellenverstärkung des Wellenleiters mit der Ordnungszahl i
Δλi
Wavelength of the mode with the largest wavelength among the modes with the lowest threshold gain of the waveguide with the atomic number i
Δλ i

Wellenlängenbereich, über den sich die mi Wavelength range over which the m i

Moden erstrecken
Extend fashions

Claims (33)

1. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement, das aus einer Volumenhalbleiterschicht (2) vom Leitfähigkeitstyp II, mindestens einer aktiven Schicht (3), n individuell gekrümmten Lichtwellenleitern, mindestens einem Rückkopplungsgitter (4), einer Volumenhalbleiterschicht (1) vom Leitfähigkeitstyp I und einer Kontaktierungsanordnung besteht, daß der gesamte Gitterbereich des Rückkopplungsgitters (4) in x-Richtung die Länge L aufweist, daß zwei Grenzflächen senkrecht zur x-Achse stehen, wobei die linke Grenzfläche am linken Ende des Gitterbereiches bei x = 0 und die rechte Grenzfläche am rechten Ende des Gitterbereiches bei x = L liegt, daß die jedem Lichtwellenleiter zugeordnete Kontaktierungsanordnung auf der Seite der Volumenhalbleiterschicht (1) vom Leitfähigkeitstyp I in axialer Richtung unterbrochen und auf der Seite der Volumenhalbleiterschicht (2) vom Leitfähigkeitstyp II in axialer Richtung ununterbrochen verläuft, daß in die aktive/n Schicht/en (3) des Lichtwellenleiters Ladungsträger vom Leitfähigkeitstyp I und II injiziert sind, und daß über mindestens einem der Lichtwellenleiter, mindestens ein Trennungsgraben (6), angeordnet ist, dadurch gekenn­ zeichnet, daß Tiefe, Breite, laterale Position und Material des Trennungsgrabens (6) zwischen den durch den Trennungsgraben (6) begrenzten, einzeln kontaktierbaren Sektionen über einem gekrümmten Lichtwellenleiter derart dimensioniert sind, daß zwischen jeweils zwei durch den Trennungsgraben (6) begrenzten Sektionen, immer ein ohmscher Widerstand von mindestens 10 Ohm besteht, so daß jeder über dem Lichtwellenleiter der Ordnungszahl i liegenden Sektion über ihr Metallisierungsfeld (7) ein individuell einstellbarer Strom zugeführt werden kann, und daß die Krümmungsfunktion yi(x) des Lichtwellenleiters der Ordnungszahl i durch die folgenden Bedingungen festgelegt ist, die ein identisches Potential der Metallisierungsfelder (7) voraussetzen,
  • - daß mindestens drei spektral benachbarte Moden der Kennziffer ji vorhanden sind, welche von allen Moden des Lichtwellenleiters der Ordnungszahl i die geringsten Schwellenverstärkungen aufweisen,
  • - daß die Schwellenverstärkungen der spektral benachbarten Moden sich voneinander höchstens um 4% ihrer Absolutwerte unterscheiden, wobei ji = 1, 2, . . . mi ist, wobei jede der spektral benachbarten Moden in ihrer Schwellenverstärkung zu den übrigen Moden des Lichtwellenleiters der Ordnungszahl i einen Unterschied von mindestens 8% aufweist,
  • - daß das Spektrum des Wellenleiters der Ordnungszahl i mit der Krümmungsfunktion yi(x) genau ji spektral benachbarte Moden aufweist, die sich über den Wellenlängenbereich Δλi = λmax,i - λmin,i erstrecken, wobei i ganzzahlig im Bereich 1 ≦ i ≦ n ist,
  • - und daß die Wellenlängenbereiche der n verschiedenen Lichtwellenleiter spektral durch die Beziehung |λmax,k - λmin,k+1| < (Δλk + Δλk+1)/10 zu beschreiben sind, wobei k ganzzahlig 1 ≦ k ≦ (n-1) ist.
1.wavelength-tunable optoelectronic component which consists of a volume semiconductor layer ( 2 ) of conductivity type II, at least one active layer ( 3 ), n individually curved optical fibers, at least one feedback grating ( 4 ), a volume semiconductor layer ( 1 ) of conductivity type I and a contacting arrangement, that the entire grid area of the feedback grid ( 4 ) has the length L in the x-direction, that two interfaces are perpendicular to the x-axis, the left interface at the left end of the grid area at x = 0 and the right interface at the right end of the grid area at x = L is that the contacting arrangement assigned to each optical waveguide on the side of the volume semiconductor layer ( 1 ) of conductivity type I is interrupted in the axial direction and on the side of the volume semiconductor layer ( 2 ) of conductivity type II is continuous in the axial direction, that in the active / n p Chicht / en ( 3 ) of the optical waveguide charge carriers of conductivity types I and II are injected, and that at least one separation trench ( 6 ) is arranged over at least one of the optical waveguides, characterized in that the depth, width, lateral position and material of the separation trench ( 6 ) are dimensioned between the individually contactable sections delimited by the separation trench ( 6 ) via a curved optical waveguide such that there is always an ohmic resistance of at least 10 ohms between every two sections delimited by the separation trench ( 6 ), so that each an individually adjustable current can be fed via the metallization field ( 7 ) above the optical waveguide of atomic number i, and that the curvature function y i (x) of the optical waveguide of atomic number i is determined by the following conditions, which have an identical potential of the metallization fields ( 7 ) assume
  • that at least three spectrally adjacent modes of the code number j i are present, which have the lowest threshold amplifications of all modes of the optical waveguide of order number i,
  • - That the threshold gains of the spectrally adjacent modes differ from each other by at most 4% of their absolute values, where j i = 1, 2,. . . m i , where each of the spectrally adjacent modes has a threshold gain difference of at least 8% in relation to the other modes of the optical waveguide of atomic number i,
  • - That the spectrum of the waveguide of atomic number i with the curvature function y i (x) has exactly j i spectrally adjacent modes which extend over the wavelength range Δλ i = λ max, i - λ min, i , where i is an integer in the range 1 ≦ i ≦ n is
  • - and that the wavelength ranges of the n different optical fibers are spectrally determined by the relationship | λ max, k - λ min, k + 1 | <(Δλ k + Δλ k + 1 ) / 10 are to be described, where k is an integer 1 ≦ k ≦ (n-1).
2. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zur x-Achse senkrecht stehenden Grenzflächen mit den Bauelementegrenzen in x-Richtung zusammenfallen, wobei L die Bauelementelänge in x-Richtung darstellt.2. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the for X-axis perpendicular interfaces with the Component boundaries coincide in the x direction, where L represents the component length in the x direction. 3. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein optischer Lichtwellenleiter an mindestens einer Gittergrenze die Grenzfläche durchbricht und in einen Bereich außerhalb des Gitterbereiches x < 0 an der linken Grenzfläche und außerhalb des Gitterbereiches x < L an der rechten Grenzfläche fortgesetzt ist.3. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that at least an optical fiber on at least one Grid boundary breaks through the interface and into one Area outside the grid area x <0 at the left boundary and outside the grid area x <L continues at the right interface. 4. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gitterbereich ein Ausschnitt einer integrierten optoelektronischen Schaltung ist.4. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the Grid area a section of an integrated is optoelectronic circuit. 5. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Wellenlängenbereiche Δλ1, . . ., Δλn spektral überlappen.5. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the wavelength ranges Δλ 1 ,. . ., Δλ n spectrally overlap. 6. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Wellenlängenbereiche Δλ1, . . ., Δλn spektral nicht überlappen.6. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the wavelength ranges Δλ 1 ,. . ., Δλ n do not overlap spectrally. 7. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Wellenlängenbereiche ausgewählter Lichtwellenleiter spektral überlappen. 7. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the Wavelength ranges of selected optical fibers spectrally overlap.   8. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß alle Lichtwellenleiter der Bauelementezeile im xy-Koordi­ natensystem Krümmungsfunktionen mit δ2y/δx2 < 0 aufweisen.8. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that all optical waveguides of the component line in the xy coordinate system have curvature functions with δ 2 y / δx 2 <0. 9. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß alle Lichtwellenleiter der Bauelementezeile im xy-Koordi­ natensystem Krümmungsfunktionen mit δ2y/δx2 < 0 aufweisen.9. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that all optical waveguides of the component line in the xy coordinate system have curvature functions with δ 2 y / δx 2 <0. 10. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß alle Lichtwellenleiter der Bauelementezeile im xy-Koordi­ natensystem Krümmungsfunktionen mit sowohl δ2y/δx2 < 0, als auch mit δ2y/δx2 < 0 aufweisen.10. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that all optical waveguides of the component line in the xy coordinate system have curvature functions with both δ 2 y / δx 2 <0 and with δ 2 y / δx 2 <0. 11. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel αli,i zwischen dem Lichtwellenleiter der Ordnungszahl i und der x-Richtung an der Stelle x = 0, das heißt an der linken Grenzfläche, sowie der Winkel αre,i zwischen dem Lichtwellenleiter der Ordnungszahl i und der x-Richtung an der Stelle x = L, daß heißt an der rechten Grenzfläche, mit den entsprechenden Winkeln der übrigen Lichtwellenleiter in einer charakteristischen Relation steht, wobei gilt
αli,1 < αre,1; |αre,1 - αli,2| < 0,2°;
αli,2 < αre,2; |αre,2 - αli,3| < 0,2°; . . .;
αli,n-1 < αre,n-1; |αre,n-1 - αli,n| < 0,2°;
αli,n < αre,n.
11. Wavelength-tunable optoelectronic component according to Claims 1 and 8, characterized in that the angle α li, i between the optical waveguide of atomic number i and the x direction at the point x = 0, that is to say on the left boundary surface, and the angle α re, i between the optical waveguide of atomic number i and the x-direction at the point x = L, that is to say at the right interface, is in a characteristic relation with the corresponding angles of the other optical waveguides, where
α li, 1re, 1 ; | α re, 1 - α li, 2 | <0.2 °;
α li, 2re, 2 ; | α re, 2 - α li, 3 | <0.2 °; . . .;
α li, n-1re, n-1 ; | α re, n-1 - α li, n | <0.2 °;
α li, nre, n .
12. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel αli,i zwischen dem Lichtwellenleiter der Ordnungszahl i und der x-Richtung an der Stelle x = 0, das heißt an der linken Grenzfläche, sowie der Winkel αre,i zwischen dem Lichtwellenleiter der Ordnungszahl i und der x-Richtung an der Stelle x = L, das heißt an der rechten Grenzfläche, mit den entsprechenden Winkeln der übrigen Lichtwellenleiter in einer charakteristischen Relation steht, wobei gilt
αli,1 < αre,1; |αre,1 - αli,2| < 0,2°;
αli,2 < αre,2; |αre,2 - αli,3| < 0,2°; . . .;
αli,n-1 < αre,n-1; |αre,n-1 - αli,n| < 0,2°;
αli,n < αre,n.
12. Wavelength-tunable optoelectronic component according to Claims 1 and 9, characterized in that the angle α li, i between the optical waveguide of atomic number i and the x direction at the point x = 0, that is to say on the left boundary surface, and the angle α re, i is in a characteristic relation between the optical waveguide of atomic number i and the x-direction at the point x = L, that is to say on the right boundary, with the corresponding angles of the other optical waveguides, where
α li, 1re, 1 ; | α re, 1 - α li, 2 | <0.2 °;
α li, 2re, 2 ; | α re, 2 - α li, 3 | <0.2 °; . . .;
α li, n-1re, n-1 ; | α re, n-1 - α li, n | <0.2 °;
α li, nre, n .
13. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Volumenhalbleiterschicht (1) vom Leitfähigkeitstyp I eine n-Leitung und die Volumenhalbleiterschicht (2) vom Leitfähigkeitstyp II eine p-Leitung aufweist.13. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the volume semiconductor layer ( 1 ) of conductivity type I has an n-type line and the volume semiconductor layer ( 2 ) of conductivity type II has a p-type line. 14. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Volumenhalbleiterschicht (1) vom Leitfähigkeitstyp I eine p-Leitung und die Volumenhalbleiterschicht (2) vom Leitfähigkeitstyp II eine n-Leitung aufweist.14. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the volume semiconductor layer ( 1 ) of conductivity type I has a p-line and the volume semiconductor layer ( 2 ) of conductivity type II has an n-line. 15. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Rückkopplungsgitters (4) komplex ist und Index- sowie Gewinnkopplung beinhaltet.15. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the coupling of the feedback grating ( 4 ) is complex and includes index and gain coupling. 16. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Rückkopplungsgitters (4) komplex ist und Index- sowie Verlustkopplung beinhaltet.16. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the coupling of the feedback grating ( 4 ) is complex and includes index and loss coupling. 17. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Rückkopplungsgitters (4) rein imaginär ist und Verlustkopplung beinhaltet.17. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the coupling of the feedback grating ( 4 ) is purely imaginary and includes loss coupling. 18. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Rückkopplungsgitters (4) rein imaginär ist und Gewinnkopplung beinhaltet.18. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the coupling of the feedback grating ( 4 ) is purely imaginary and includes gain coupling. 19. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Rückkopplungsgitters (4) reell ist und reine Indexkopplung beinhaltet.19. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the coupling of the feedback grating ( 4 ) is real and contains pure index coupling. 20. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beliebig gekrümmt verlaufende, sich jedoch nicht überkreuzende Lichtwellenleiter eingesetzt werden.20. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that any curved, but not crossing Optical fibers are used. 21. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Lichtwellenleiter ungekrümmt ist.21. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that at least one of the optical fibers is not curved. 22. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Winkel ϕ, ϑ, αre,i und αli,i kleiner als 20° sind.22. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the angles ϕ, ϑ, α re, i and α li, i are less than 20 °. 23. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Rückkopplungsgitter (4) u. a. in einem Bereich liegt, in dem die Intensität des im Lichtwellenleiter geführten Lichtfeldes einen Betrag aufweist, der größer als I0/100 ist, wobei I0 die Intensität im Maximum des Lichtfeldes ist, und daß für die dadurch erreichte Rückkopplung mit dem Kopplungskoeffizienten (K) und der Länge des Gitterfeldes in x-Richtung (L) die Relation 0,2 ≦ K.L ≦ 7 gilt. 23. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the feedback grating ( 4 ) is, inter alia, in a range in which the intensity of the light field guided in the optical waveguide has an amount which is greater than I 0/100 , I 0 being the Intensity is in the maximum of the light field, and that the relation 0.2 ≦ KL ≦ 7 applies to the feedback achieved thereby with the coupling coefficient (K) and the length of the grating field in the x direction (L). 24. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Trennungsgräben (6) zwischen den einzelnen Sektionen eine Breite von höchstens L/10 in x-Richtung aufweisen.24. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that each of the separation trenches ( 6 ) between the individual sections have a width of at most L / 10 in the x direction. 25. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückkopplungsgitter (4) mindestens eine Phasenverschiebung aufweisen.25. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the feedback grating ( 4 ) have at least one phase shift. 26. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückkopplungsgitter (4) in der xy-Ebene in der Gitterperiode variiert sind.26. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the feedback grating ( 4 ) in the xy plane are varied in the grating period. 27. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei der Lichtwellenleiter in axialer Richtung auf mindestens einem Teilstück in lateraler Richtung verengt sind.27. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that at least two of the optical fibers in the axial direction at least one section in the lateral direction are narrowed. 28. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei der Lichtwellenleiter in axialer Richtung auf einem Teilstück mindestens einmal in lateraler Richtung verbreitert sind.28. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that at least two of the optical fibers in the axial direction a section at least once in the lateral direction are widened. 29. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Lichtwellenleiter der Bauelementezeile eine Anzahl von Trennungsgräben (6) aufweist, welche von der Anzahl der Trennungsgräben (6) von mindestens einem Nachbarwellenleiter verschieden ist. 29. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that at least one optical waveguide of the component row has a number of separation trenches ( 6 ) which is different from the number of separation trenches ( 6 ) of at least one neighboring waveguide. 30. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß alle Lichtwellenleiter der Bauelementezeile eine identischen Anzahl von Trennungsgräben (6) aufweisen.30. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that all optical waveguides of the component line have an identical number of separation trenches ( 6 ). 31. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ausgewählte, nichtbenachbarte Sektionen mindestens eines Lichtwellenleiters elektrisch leitend miteinander verbunden sind.31. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that selected, non-neighboring sections at least of an optical fiber electrically conductive with each other are connected. 32. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisierung (10) auf der Seite des Leitfähigkeitstyps II unterbrochen verläuft.32. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the metallization ( 10 ) on the side of the conductivity type II is interrupted. 33. Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material im Trennungsgraben (6) gasförmig ist.33. Wavelength-tunable optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the material in the separation trench ( 6 ) is gaseous.
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