DE19646396A1 - Power semiconductor module, especially power converter - Google Patents

Power semiconductor module, especially power converter

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Abstract

The module consists of a base plate (21), at least one insulating substrate (22) with cooled power switches (24) and a housing (26,27). While retaining all the above component, the inner structure enables a multi-variable circuit width, low inductance, and high packing density by variation of the power switches, diodes, resistors, and circuit connections. Preferably the base plate is made of Cu or Al and has such surface configuration as to permit at one side a firm coupling to the insulating ceramic substrate. The other parallel surface permits a firm contact with other components, such as coolers and ceramic insulator.

Description

Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul der Leistungselektronik, insbesondere Stromumrichter nach den Merkmalen des Oberbegriffes des Anspruches 1, das für einen multivariablen Aufbau kostengünstig aufgebaut ist. Leistungshalbleitermodule sind mehrfach aus der Literatur bekannt. Im Fortschreiten der Technik und dem Finden neuartiger Lösungen nehmen zwei Aspekte bei der Gestaltung von Leistungshalbleitermodulen die gesamten Forschungsinhalte in dieser Branche in Anspruch. Zum einen müssen die Verfahrensschritte immer rationeller ausführbar sein, das bedeutet, daß sie einen immer weiter gehenden Automatisierungsgrad besitzen sollten. Der Einsatz entsprechend preisgünstiger und qualitätsgerechter Materialien mit den Additiven einer guten automatischen Verarbeitbarkeit ist dabei Voraussetzung.The invention describes a power semiconductor module of power electronics, in particular Current converter according to the features of the preamble of claim 1, for one multivariable structure is inexpensive. Power semiconductor modules are multiple known from the literature. As technology advances and new solutions are found take two aspects in the design of power semiconductor modules the whole Research content in this industry. Firstly, the procedural steps to be more and more rationally executable, which means that they always go further Automation level should have. The use accordingly cheaper and quality materials with the additives of good automatic processability prerequisite.

Zum anderen werden immer weitergehende Anforderungen an die Zuverlässigkeit und Einsatzbreite bei einem minierten Platz- und Volumenbedarf gestellt. Die Vielfalt der Schaltungsvarianten steht der Automatisierung dabei ungünstig und konträr entgegen, weshalb nach multivariablen Gestaltungen gesucht werden muß, um mit einem minimierten Teileartenspektrum ein Maximum an Aufbauvarianten in bester Qualität realisieren zu können. On the other hand, there are always more extensive requirements for reliability and Wide range of applications with a reduced space and volume requirement. The variety of Circuit variants are opposed to automation unfavorably and contrary, which is why multivariable designs must be looked for in order to minimize To be able to implement a maximum range of component types in the best quality.  

In der DE-OS 15 64 867 und der DE-PS 40 39 037 werden beispielhaft Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen der Leistungsklasse vorgestellt. Diese Verfahren sind gleichermaßen auch zum Aufbau von kompletten Leistungshalbleitermodulen geeignet.In DE-OS 15 64 867 and DE-PS 40 39 037, methods are exemplified Production of electronic components of the performance class presented. This procedure are equally suitable for building complete power semiconductor modules.

Dem Stand der Technik sind bezüglich der Qualität hervorragende Module zuzuordnen. Die Isoliertechnik mittels beidseitig mit Kupfer belegten Aluminiumoxidplättchen (DCB-Keramik) hat bei heutiger Chiptechnologie und einem niederinduktivem Aufbau einen nennenswert guten Stand erreicht, da die elektrische Isolationsfähigkeit, die gute Bruchsicherheit und sehr gute Wärmeleitfähigkeit sehr geschätzte Eigenschaften für diesen Einsatzzweck darstellen.The state of the art has excellent modules in terms of quality. The Insulation technology using aluminum oxide plates coated with copper on both sides (DCB ceramic) with today's chip technology and a low-inductance structure has a remarkably good one Stand achieved because of the electrical insulation ability, the good break resistance and very good Thermal conductivity represent very valued properties for this purpose.

Allen dem Stand der Technik entsprechenden Modulen sind die fehlende Flexibilität ihres Einsatzes als nur kundenspezifische Module mit überwiegend geringem Produktionsvolumen eigen. Die Einzelfertigung der geringen Stückzahlen pro Typ ist aufwendig und kostenungünstig. Rationelle Verfahren zu deren Herstellung scheitern an der geringen Auslastung der zur Automatisierung erforderlichen Ausrüstungen.All modules corresponding to the state of the art are the lack of flexibility of their Use as only customer-specific modules with predominantly low production volume peculiar The individual production of the small quantities per type is complex and inexpensive. Rational processes for their production fail due to the small number Utilization of the equipment required for automation.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, multivariabel konfigurierbare Leistungshalbleitermodule einer neuen Generation anzugeben, die bei minimiertem Herstellungsaufwand weitestgehend automatisiert hergestellt werden können, eine einheitliche Gehäuseform ermöglichen und bei denen große Packungsdichten in allen erforderlichen konkreten Schaltungsanordnungen realisiert werden können.The present invention is based on the object of being multivariably configurable Power semiconductor modules of a new generation to be specified with minimized Manufacturing effort can be largely automated, a uniform Enabling housing shape and where large packing densities in all required concrete circuit arrangements can be realized.

Die Aufgabe wird bei den erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodulen durch die Maßnahmen des kennzeichnenden Teiles des Anspruches 1 gelöst, weitere vorteilhafte Ausbildungen sind in den Unteransprüchen genannt.The object is achieved by the power semiconductor modules according to the invention Measures of the characterizing part of claim 1 solved, further advantageous Training is mentioned in the subclaims.

Die Lösung der Aufgabenstellung beinhaltet bei der Vielfalt an Leistungshalbleitermodulen etwa in Form von Umrichtern (für ein- und dreiphasigen Stromeingang), für Gleichstromsteller, für Einzelschalter (teilweise mit unterschiedlichen Freilaufdioden-Verschaltungen), für Halbbrücken, für ein- und dreiphasige Vollbrücken (teilweise auch mit Bremsstellern) und für asymmetrische Halbbrücken verschiedenste Einzelaktivitäten im Herstellungsprozeß. The solution to the problem includes the variety of power semiconductor modules for example in the form of converters (for single and three-phase current input), for DC chopper, for individual switches (some with different freewheeling diode connections), for half bridges, for single and three phase full bridges (sometimes also with Brake actuators) and for asymmetrical half bridges various individual activities in the Manufacturing process.  

Die modulinterne Verschaltung der Leistungsschalter (überwiegend haben sich IGBT- und MOSFET-Chips durchgesetzt) untereinander und mit den erforderlichen Freilaufdioden-Chips muß flexibilisiert werden, was durch verschiedene Programme der automatisch arbeitenden Bondeinrichtungen ermöglicht werden kann, wobei bei gleicher prinzipieller Lage der Chips sowohl kleine als auch größere Geometrien der Chips Einsatz finden können. Die Ummantelung der internen Schaltungselemente durch das Gehäuse muß variierbare Optionen für die äußere Verschaltung der elektrischen Anschlüsse zulassen. Alle technologischen Einzelschritte der Modulmontage müßten erfindungsgemäß neu definiert und verändert werden.The internal circuitry of the circuit breakers (mainly IGBT and MOSFET chips enforced) with each other and with the required freewheeling diode chips must be made more flexible by what the various programs of the automatically working Bonding devices can be made possible, with the same basic position of the chips Both small and larger geometries of the chips can be used. The Sheathing the internal circuit elements through the housing must have variable options allow for the external wiring of the electrical connections. All technological Individual steps of module assembly would have to be redefined and changed according to the invention will.

Die dem Stand der Technik zuordenbare Aufbauweise von Modulen beinhaltet die Prämisse, daß bei großen Leistungen großflächige Chips als Leistungsschalter Einsatz finden, dieser Lösungsweg wird zu Gunsten einer optierten Verteilung der die Verlustleistung erzeugenden Leistungsschalter zur Verbesserung des Wärmeabflusses verlassen. Kleinere Chips in einer größeren Menge positioniert erlauben eine wesentlich bessere Temperaturverteilung auf den DCB-Keramiken und folglich eine größere Kühlleistung der Kühlfläche.The structure of modules that can be assigned to the prior art contains the premise that that large-scale chips are used as circuit breakers for large outputs, this one The solution is in favor of an optically distributed distribution that generates the power loss Leave circuit breaker to improve heat flow. Smaller chips in one Positioned larger quantities allow a much better temperature distribution on the DCB ceramics and consequently a greater cooling capacity of the cooling surface.

Dadurch ist es möglich, auf gleicher Fläche eine größere Packungsdichte für Leistungsschalter vorzusehen. Das zwingt wiederum dazu, die verfügbaren Flächen für den thermischen Kontakt der Halbleiterschalter relativ zu der gesamt zur Verfügung stehenden mit Kupfer belegten Fläche der Isolierkeramik zu vergrößern. So war es notwendig, die dem Stand der Technik zuzuordnende Kontaktierung der Hauptstromanschlüsse im Grundsatz zu verändern. Durch stumpfes Löten jedes einzelnen Hauptstromleiters wird dieses Erfordernis realisiert.This makes it possible to have a larger packing density for circuit breakers in the same area to provide. This in turn forces the available areas for thermal contact the semiconductor switch relative to the total available with copper To enlarge the area of the insulating ceramic. So it was necessary to state of the art to change the associated contacting of the main power connections in principle. By Butt soldering of every single main current conductor realizes this requirement.

Die automatisierungsfreundliche Ausgestaltung des Modulaufbaus setzte erfindungsgemäß eine nach Möglichkeit einheitliche geometrische Gestaltung der Leiterzugverteilung der Kupferschicht auf der Bestückseite der Isolierkeramik als Ziel. Mit nur einer einzigen Form der Gestaltung der eingesetzten Isolierkeramiken für alle Module mit den oben genannten Einsatzzwecken wurde dieses Problem und ein induktivitätsarmer Innenaufbau gelöst. Gleiche Erfordernisse ergaben sich bei der geometrischen Formgebung der Hauptstromanschlüsse. Mit nur einer Form können durch stumpfes Löten auf der Kupferschicht der DCB-Keramik 24 verschiedene Positionen auf den Kupferflächen der Isolierkeramiken elektrisch kontaktiert werden. According to the invention, the automation-friendly design of the module structure set one if possible, uniform geometric design of the conductor line distribution of the Target copper layer on the component side of the insulating ceramic. With just one form of Design of the insulating ceramics used for all modules with the above This problem and a low-inductance internal structure were solved for operational purposes. Same Requirements arose in the geometrical shape of the main power connections. With only one shape can be formed by blunt soldering on the copper layer of the DCB ceramic 24 different positions on the copper surfaces of the insulating ceramics electrically contacted will.  

Die Neugestaltung des Gehäuses erlaubt den Einsatz eines einzigen Zeichnungsteiles für alle möglichen und erforderlichen Schaltungsvarianten. Eine dazu passende Neugestaltung nur eines einzigen Moduldeckels führt schließlich auch hier zu einer Vereinheitlichung der äußeren Bauform durch ein Zeichnungsteil mit universalem und multivariablem Einsatzgebiet.The redesign of the housing allows the use of a single drawing part for everyone possible and necessary circuit variants. A matching redesign only of a single module cover ultimately leads to a unification of the outer ones Design by means of a drawing part with a universal and multivariable area of application.

Nachfolgend wird beispielhaft der erfinderische Gedanke näher erläutert:The inventive idea is explained in more detail below as an example:

Fig. 1 skizziert eine Ansicht eines erfinderischen Leistungshalbleitermodules. Fig. 1 outlines a view of an inventive power semiconductor module.

Fig. 2 stellt die Draufsicht auf einen Moduldeckel dar. Fig. 2 shows the top view of a module cover.

Fig. 3 zeigt einen gelöteten "Torso" in Draufsicht (eine Schaltungsvariante). Fig. 3 shows a soldered "torso" in plan view (a circuit variant).

Fig. 1 skizziert eine Ansicht eines erfinderischen Leistungshalbleitermodules. Auf einer ebenen Grundplatte (21), vorzugsweise aus Kupfer oder Aluminium geformt, sind in den vier Ecken Rundöffnungen eingearbeitet, um die Befestigung des Gehäuses mittels Hohlnieten (29) realisieren zu können. Auf diese Grundplatte (21) werden die Isolierkeramiken (22) aufgelötet, auf denen die Leistungshalbleiterschalter, Freilaufdioden, sonstige erforderlichen Bauelemente und Stromanschlüsse in einem Zug aufgelötet werden. Fig. 1 outlines a view of an inventive power semiconductor module. Round openings are incorporated in the four corners on a flat base plate ( 21 ), preferably formed from copper or aluminum, in order to be able to secure the housing by means of hollow rivets ( 29 ). The insulating ceramics ( 22 ) are soldered onto this base plate ( 21 ), on which the power semiconductor switches, free-wheeling diodes, other necessary components and power connections are soldered in one go.

Der geschnittene Bezirk zeigt der Fig. 1 zeigt die Lage einer der Stumpflötstellen (23) der Hauptstromanschlußlasche (24). Angedeutet ist die Füllung mit einem isolierenden Silikonverguß (25), der in das Gehäuse (26) nach dessen Verkleben mit der Grundplatte (21) eingefüllt wurde. Das Gehäuse wird durch einen Deckel (27), wie er in Fig. 2 näher erläutert wird, überdeckt. In der Position (28) ist eine vorgeprägte Sechskantvertiefung mit zylindrischem Blindloch zu erkennen, diese Ausbildungen sind für die Aufnahme einer Befestigungsmutter zur Verschraubung der elektrischen Hauptstromleiter mit den elektrischen Anschlußleitungen vorgesehen.The cut district shows the Fig. 1 shows the location of one of the Stumpflötstellen (23) of the main power terminal strip (24). The filling is indicated with an insulating silicone casting ( 25 ), which was filled into the housing ( 26 ) after it was glued to the base plate ( 21 ). The housing is covered by a cover ( 27 ), as is explained in more detail in FIG. 2. In position ( 28 ), a pre-stamped hexagon recess with a cylindrical blind hole can be seen. These designs are intended for receiving a fastening nut for screwing the electrical main current conductors to the electrical connecting lines.

Über eine einheitlich gestaltete Hilfsstromanschlußlasche (30) werden alle erforderlichen modulinternen Steuersignale der Leistungsschalter induktivitätsarm für eine direkte oder indirekte Kontaktierung mit der Ansteuereinheit bereitgestellt. Hier kann sehr vorteilhaft mittels einer flexiblen Leiterplatte eine stabile Kontaktierung gesichert werden. A uniformly designed auxiliary power connection lug ( 30 ) provides all the necessary control module signals of the circuit breakers with low inductance for direct or indirect contact with the control unit. A stable contact can be secured here very advantageously by means of a flexible printed circuit board.

Fig. 2 stellt die Draufsicht auf einen Moduldeckel (27) dar. Die Positionen (1) bis (6) sind in dem Gehäusematerial fest und erhaben eingeprägt, um eine verwechselungsfreie Zuordnung der realisierten Hauptstromanschlußlaschen (24) für eine Sekundärverbindung an den Zwischenkreis oder die Stromversorgung bzw. an die Last vornehmen zu können. In den sechs Feldern (1) bis (6) können zwölf verschieden positionierte Anschlußlaschen (24) durch Deckelöffnungen (20) geführt und fixiert werden. Fig. 2 shows the top view of a module cover ( 27 ). The positions ( 1 ) to ( 6 ) are fixed and raised in the housing material in order to ensure that the main current connection lugs ( 24 ) for a secondary connection to the intermediate circuit or the connection are not mistakenly assigned To be able to carry out power supply or to the load. In the six fields ( 1 ) to ( 6 ), twelve differently positioned connection lugs ( 24 ) can be guided through cover openings ( 20 ) and fixed.

Nach dem montageseitigen Durchführen der Anschlußlaschen (24) durch die Deckelöffnungen (20) werden diese auf 90° so abgewinkelt, daß sie flächig parallel zu der Oberfläche des Deckels (27) in dem jeweilig erforderlichen Feld (1) bis (6) liegen. Dabei ist vor dem Abwinkeln jeweils eine Mutter in die Sechskantvertiefung (28) deponiert worden, in deren Feld (1) bis (6) eine Anschlußlaschenbelegung nach der Aufbauvorschrift des konkreten Modules vorhanden ist. Durch diese Konstruktion des Deckels (27) können beispielhaft multivariabel von den 24 auf den DCB-Keramiken (22) möglichen Positionen sechs Anschlußlaschen (24) schaltungsgerecht vorgesehen werden. Erfinderisch ist so eine Mehrfachkontaktierung bei hoher Strombelastung, wie auch der Anschluß verschiedener Stromkreise einfach realisierbar.After the connection lugs ( 24 ) have been passed through the cover openings ( 20 ) on the assembly side, they are angled to 90 ° in such a way that they lie flat parallel to the surface of the cover ( 27 ) in the respectively required field ( 1 ) to ( 6 ). Before bending, a nut was deposited in the hexagon recess ( 28 ), in the field ( 1 ) to ( 6 ) of which there is a connection plate assignment according to the assembly instructions of the specific module. With this construction of the cover ( 27 ), six connection lugs ( 24 ) can be provided in a multivariable manner from the 24 possible positions on the DCB ceramics ( 22 ). In this way, multiple contacting at high current loads, as well as the connection of different circuits, can be easily implemented.

In den Positionen (7) bis (18) sind in den Deckel Durchführungen für die Aufnahme alle erforderlichen Hilfanschlußlaschen (30) vorgesehen. Die Numerierung ist in gleicher Weise erhaben aus dem Deckelmaterial bei dessen Herstellung mitgeprägt, um eine dauerhafte eindeutige Kennzeichnung sicherzustellen. Dabei kann es sich bei der Belegung in den einzelnen konkreten Modulkonfigurationen um Gate-Anschlüsse bei einem Einsatz von MOSFET als Leistungsschalter oder als Basis-Anschlüsse bei dem Einsatz von IGBT in gleicher Funktion oder aber auch um Hilfsemitter bzw. Hilfssource-Anschlüsse für die Ansteuerung der Leistungshalbleiterschalter handeln.In positions ( 7 ) to ( 18 ) bushings for receiving all necessary auxiliary connection lugs ( 30 ) are provided in the cover. The numbering is embossed in the same way from the lid material during its manufacture in order to ensure permanent, unambiguous identification. The assignment in the individual concrete module configurations can be gate connections when using MOSFET as a circuit breaker or as basic connections when using IGBT in the same function, but also auxiliary emitters or auxiliary source connections for controlling the Act power semiconductor switches.

Fig. 3 zeigt einen gelöteten "Torso" in Draufsicht in einer Schaltungsvariante. Beispielhaft wird aus diesem Torso ein Modul mit vier DCB-Keramiken (22) aufgebaut. Durch Bonden (34) werden diese vier Keramiken (22) schaltungsgerecht untereinander verbunden. Jede Keramik (22) verfügt über identisch strukturierte Kupferflächen. Diese Kupferflächen sind untereinander elektrisch isoliert, um verschiedene elektrische Funktionen übernehmen zu können. Fig. 3 shows a soldered "torso" in plan view in a circuit variant. As an example, a module with four DCB ceramics ( 22 ) is built from this torso. These four ceramics ( 22 ) are connected to one another in a circuit-appropriate manner by bonding ( 34 ). Each ceramic ( 22 ) has identically structured copper surfaces. These copper surfaces are electrically insulated from one another in order to be able to perform various electrical functions.

Die Fläche (35) ist für das Auflöten der Leistungsschalter (31) mit den im Kommutierungskreis der Schaltungsanordnung erforderlichen eng benachbarten Freilaufdioden (32) ausgebildet, wodurch sich gleichzeitig eine sehr gute thermische Kopplung untereinander und dadurch bedingt gleichartiges elektrisches Verhalten ergibt.The surface ( 35 ) is designed for soldering the circuit breakers ( 31 ) with the closely adjacent freewheeling diodes ( 32 ) required in the commutation circuit of the circuit arrangement, which at the same time results in very good thermal coupling with one another and, as a result, the same electrical behavior.

Weiterhin verfügt diese Fläche (35) über Lötinseln (33) für das wahlweise stoffschlüssige Aufbringen der Anschlußlaschen (24), die hier nicht gezeichnet sind. Eine andere Kupferfläche (36) bietet die Möglichkeit, durch Bonden interne Verbindungen zwischen den Leistungsschaltern (31) untereinander, mit Freilaufdioden (32), mit anderen Bauelementen oder Kupferbondflächen herzustellen. Auf dieser Fläche (36) sind gleichfalls Lötinseln für Anschlußlaschen (24) für Hauptstromanschlüsse und auch Lötstellen für Hilfsanschlüsse (37) vorgesehen.Furthermore, this surface ( 35 ) has soldering islands ( 33 ) for the optional material connection of the connection tabs ( 24 ), which are not shown here. Another copper surface ( 36 ) offers the possibility of establishing internal connections between the circuit breakers ( 31 ) with one another, with free-wheeling diodes ( 32 ), with other components or copper bond surfaces by bonding. On this surface ( 36 ) there are also soldering islands for connecting lugs ( 24 ) for main power connections and also soldering points for auxiliary connections ( 37 ).

Eine dritte, zentral auf der DCB-Keramik (22) positionierte und von den vorgenannten zwei Kupferflächen (35, 36) elektrisch isolierte, Kupferfläche ist für das Aufbringen von Dioden oder Widerständen (38), auch Thermistoren oder anderer SMD-Bauelemente, je nach konkretem Schaltungsbedarfund entsprechenden Lötinseln (37) vorgesehen. Ein automatisches Bestücken und rationelles Löten und Bonden wird durch diese erfinderische Konfiguration ermöglicht.A third, copper surface positioned centrally on the DCB ceramic ( 22 ) and electrically insulated from the aforementioned two copper surfaces ( 35 , 36 ) is for the application of diodes or resistors ( 38 ), also thermistors or other SMD components, depending on concrete circuit requirements and corresponding soldering pads ( 37 ). Automatic assembly and rational soldering and bonding is made possible by this inventive configuration.

Die dem Stand der Technik entsprechende Verfahrenschritte des Gehäuseklebens und des Vergießens mit einem Silikonkautschuk sind zur Herstellung der Funktionsfähigkeit weiterhin erforderlich. Der dem Stand der Technik entsprechende Hartverguß aus Epoxidharzen ist hingegen nicht mehr erforderlich, denn die erfinderische Konstruktion sorgt für ein stabiles Fixieren aller Aufbauteile bei mechanischer und thermischer Belastung sowie ein Hermetisieren gegenüber den Umwelteinflüssen.The state-of-the-art process steps for housing gluing and Pouring with a silicone rubber are still necessary for the production of the functionality required. The prior art hard potting made of epoxy resins is however, no longer necessary, because the inventive construction ensures a stable Fixing of all structural parts under mechanical and thermal stress as well as a hermeticization towards environmental influences.

Claims (9)

1. Leistungshalbleitermodul hoher Packungsdichte bestehend aus einer Grundplatte (21), mindestens einem elektrisch isolierenden Substrat (22), mit zu kühlenden Leistungsschaltern (24) und mit einem Gehäuse (26, 27),
dadurch gekennzeichnet, daß
der innere Aufbau unter Beibehaltung aller in sich gleichen einzelnen Zeichnungsteile, wie - Grundplatte (21), - Isolierkeramik (22), - Haupt- und Hilfstromanschlußlaschen (24, 30), - Gehäuse (26) und - Deckel (27), durch Variation der Leistungsschalter (31), der Dioden (32) und Widerstände (38) an den durch das Zeichnungsteil Isolierkeramik (22) vorgegebenen Positionen und deren variabler schaltungsgerechter Verbindungen eine multivariable Schaltungsbreite bei hoher Packungsdichte induktivitätsarm ermöglicht.1. Power semiconductor module of high packing density consisting of a base plate ( 21 ), at least one electrically insulating substrate ( 22 ), with circuit breakers ( 24 ) to be cooled and with a housing ( 26 , 27 ),
characterized in that
the internal structure while maintaining all the same individual drawing parts, such as - base plate ( 21 ), - insulating ceramic ( 22 ), - main and auxiliary power connection plates ( 24 , 30 ), - housing ( 26 ) and - cover ( 27 ), by variation the circuit breaker ( 31 ), the diodes ( 32 ) and resistors ( 38 ) at the positions specified by the insulating ceramic part ( 22 ) and their variable circuit-compatible connections enable a multivariable circuit width with a high inductance in the packaging. 2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die multivariable Schaltungsbreite Module für verschiedene Einsatzzwecke, wie Umrichter, Gleichstromsteller, Einzelschalter, Halbbrücken oder Vollbrücken, beinhaltet. 2. Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that the multivariable circuit width modules for various purposes, such as converters, DC chopper, single switch, half-bridge or full-bridge included.   3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Zeichnungsteil Grundplatte (21) aus Kupfer oder Aluminium geformt ist und so in der Oberfläche beschaffen ist, daß sie auf der einen Seite lötfähig für eine stoffschlüssige Verbindung mit einem Vielfachen der Isolierkeramik (22) geeignet ist und die parallele Oberfläche oder beidseitig für einen stoffbündigen Kontakt mit den anderen Aufbauteilen, wie Kühlkörper und Isolierkeramik geeignet ist.3. Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that the drawing part base plate ( 21 ) is formed from copper or aluminum and the surface is such that it is solderable on one side for a material connection with a multiple of the insulating ceramic ( 22 ) is suitable and the parallel surface or on both sides is suitable for material-flush contact with the other structural parts, such as heat sinks and insulating ceramics. 4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierkeramik (22) aus Aluminiumoxid mit einer beidseitigen Kupferbeschichtung besteht, wovon die eine Seite, die Aufbauseite, in der Kupferfläche so strukturiert ist, daß in der flächigen Geometrie mindestens drei unterschiedliche und untereinander elektrisch isolierte Teilflächen ausgebildet worden sind.4. Power semiconductor module according to claim l, characterized in that the insulating ceramic ( 22 ) consists of aluminum oxide with a copper coating on both sides, of which one side, the mounting side, is structured in the copper surface so that in the flat geometry at least three different and mutually electrical isolated sub-areas have been formed. 5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptstromanschlußlasche (24) vorzugsweise aus Kupfer gebildet worden ist, mehrfach bei dem Aufbau eines Modules stirnseitig mit der oder den Isolierkeramiken (22) stoffschlüssig verbunden wird und Ausbildungen besitzt, die für den Ausgleich der thermischen Geometrieveränderungen geeignet sind.5. Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that the main power connection plate ( 24 ) is preferably formed from copper, several times during the construction of a module with the insulating ceramic or ceramics ( 22 ) is integrally connected and has training that for the compensation of thermal geometry changes are suitable. 6. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckel (27) in sich symmetrisch aufgebaut ist, ein Mehrfaches an Durchführungen (20) für Hauptstromanschlußlaschen (24) und an Durchführungen (7 bis 18) für Hilfstromanschlußlaschen (30) besitzt, wobei alle Durchführungspositionen durchgehend numeriert gekennzeichnet sind. 6. Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that the cover ( 27 ) is constructed symmetrically in itself, a multiple of bushings ( 20 ) for main power connection plates ( 24 ) and bushings ( 7 to 18 ) for auxiliary power connection plates ( 30 ), wherein all execution positions are numbered consecutively. 7. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Leistungsschalter (31) Transistoren der Leistungsklasse in der Form von IGBT oder MOSFET verwendet werden.7. Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that transistors of the power class in the form of IGBT or MOSFET are used as power switches ( 31 ). 8. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Dioden (32) Freilaufdioden eingesetzt werden, die geometrisch eng benachbart zu den kommutierenden Leistungsschaltern (31) auf der jeweiligen Isolierkeramik (22) in schaltungsgerechter Position gelötet sind.8. Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that free-wheeling diodes are used as diodes ( 32 ) which are geometrically closely adjacent to the commutating circuit breakers ( 31 ) on the respective insulating ceramic ( 22 ) soldered in a circuit-correct position. 9. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nur eine Vergußmasse (25) aus Silikonkautschuk zur gegenseitigen Isolation der internen Modulaufbauten verwendet wird, die gleichzeitig die Hermetisierung und dauerhaften Schutz gegen Feuchtigkeit und andere Umweltbelastungen gewährleistet.9. Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that only a potting compound ( 25 ) made of silicone rubber is used for the mutual insulation of the internal module structures, which at the same time ensures the hermeticization and permanent protection against moisture and other environmental pollution.
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