DE19621965A1 - Semiconductor photo-detector converting light into electric current - Google Patents

Semiconductor photo-detector converting light into electric current

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Abstract

The light impinges orthogonally against the substrate surface from top or bottom, and the conversion or absorption layer is laterally contacted. The electric field in the absorption layer is parallel to the substrate surface. The absorption paths for the impinging photons may be determined by the absorption layer thickness orthogonally to the substrate surface. The transit path for electron hole pairs, generated by light, can be determined by the absorption layer width between two contacts. Preferably, the adjacent absorption layers can be separated by contact layers. Typically Si, Ge, GaAs, InP, InGaAs, diamond, III-V or II-VI semiconductors are absorption layer material.

Description

Die Erfindung betrifft ein Bauelement, insbesondere ei­ nen Photodetektor, gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Des weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zu seiner Herstellung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 10.The invention relates to a component, in particular egg NEN photodetector, according to the preamble of the claim 1. The invention further relates to a method its manufacture according to the preamble of the claim 10th

Photodetektoren werden eingesetzt zur Umsetzung von Lichtsignalen in elektrische Signale, z. B. in der opti­ schen Nachrichtenübertragung. Zur Erzielung hoher Über­ tragungsraten sollen diese Detektoren möglichst schnell sein. Außerdem erhält man mit solchen Detektoren bei ansteigender Empfindlichkeit die Möglichkeit zunehmend längere Übertragungsstrecken ohne Signalverstärkung zu überwinden.Photodetectors are used to implement Light signals in electrical signals, e.g. B. in the opti messaging. To achieve high over These detectors should transmit rates as quickly as possible be. With such detectors one also obtains increasing sensitivity the possibility of increasing longer transmission distances without signal amplification overcome.

Bei den modernen Halbleiterdetektoren beispielsweise des Types einer pin- oder MSM (Metal-Semiconductor- Metal)-Diode wird mit Hilfe einer vergleichsweise dicken Absorptionsschicht für das zu detektierende Licht eine hohe Lichtempfindlichkeit des Detektors erreicht. Dabei erzeugen die einfallenden Photonen in der Absorp­ tionsschicht Elektronen-Loch-Paare, welche den lichtin­ duzierten Strom bilden.With modern semiconductor detectors, for example of the type of a pin or MSM (metal semiconductor Metal) diode is made using a comparatively thick Absorbent layer for the light to be detected the detector is highly sensitive to light. The incident photons generate in the absorber  tion layer electron-hole pairs, which lightin form induced current.

Ein Maß für die Empfindlichkeit des Detektors ist die Quanteneffizienz η. Sie gibt die Anzahl erzeugter Elek­ tronen-Loch-Paare pro einfallendes Photon an. Es gilt folgende mathematische Beziehung für den Zusammenhang dieser Quanteneffizienz mit der Absorptionsstrecke d und der wellenlängenabhängigen Eindringtiefe ld der Photonen:A measure of the sensitivity of the detector is the quantum efficiency η. It indicates the number of electron-hole pairs generated per incident photon. The following mathematical relationship applies for the relationship of this quantum efficiency with the absorption distance d and the wavelength-dependent penetration depth l d of the photons:

η = 1 - exp(-d/ld).η = 1 - exp (-d / l d ).

Dabei wird die Absorptionsstrecke d in Richtung des Lichteinfalls bestimmt.The absorption distance d is in the direction of Incoming light determined.

Beim konventionellen pin- oder MSM-Detektor mit Licht­ eintritt von oben oder von unten durch das Substrat ist die Dicke der absorbierenden Schicht gleich der Absorp­ tionsstrecke d (Fig. 1). Die Geschwindigkeit eines Photodetektors wird einerseits von unvermeidlichen Ka­ pazitäten und ohmschen Widerständen, andererseits von der Transitzeit der erzeugten Ladungsträger begrenzt. Dabei ist die Transitzeit die Zeit, während der die La­ dungsträger den absorbierenden Schichtbereich durch­ dringen. Bei den konventionellen Detektoren entspricht die Transitlänge der Dicke der Absorptionsschicht, die Transitzeit ist also proportional zur Absorptions­ schichtdicke d. Eine Erhöhung der Grenzfrequenz durch vergleichsweise dünner Ausbildung der Absorptions­ schicht hat somit eine geringere Quanteneffizienz zu Folge, und umgekehrt. Aus [1] enthält man die mathema­ tische Beziehung wonach das Produkt aus Grenzfrequenz und Quanteneffizienz eine material- und wellenlängenab­ hängige Größe, jedoch unabhängig von der Dicke der Ab­ sorptionsschicht für die oben erwähnten konventionellen Detektoren bildet.In the conventional pin or MSM detector with light entering from above or below through the substrate, the thickness of the absorbing layer is equal to the absorption distance d ( Fig. 1). The speed of a photodetector is limited on the one hand by unavoidable capacities and ohmic resistances, and on the other hand by the transit time of the charge carriers generated. The transit time is the time during which the charge carriers penetrate the absorbent layer area. With conventional detectors, the transit length corresponds to the thickness of the absorption layer, so the transit time is proportional to the absorption layer thickness d. An increase in the cut-off frequency due to the comparatively thin formation of the absorption layer thus results in a lower quantum efficiency, and vice versa. From [1] one contains the mathematical relationship according to which the product of cutoff frequency and quantum efficiency forms a material and wavelength dependent quantity, however independent of the thickness of the absorption layer for the above-mentioned conventional detectors.

Aus J. E. Bowers and C. A. Burrus: "High-Speed Zero- Bias Waveguide Photodetectors", Electronics Letters 22, 905 (1986) ist es bekannt, die Entkopplung von Transit­ zeit und Absorptionsstrecke dadurch zu erreichen, daß das Licht seitlich in den Detektor eingestrahlt wird. Die Absorptionsstrecke wird demzufolge parallel zur Bauelementoberfläche bestimmt, während die Transitlänge durch die Dicke der Absorptionsschicht senkrecht zur Oberfläche gegeben ist.From J.E. Bowers and C.A. Burrus: "High-Speed Zero- Bias Waveguide Photodetectors ", Electronics Letters 22, 905 (1986) it is known to decouple transit to achieve time and absorption distance in that the light is radiated laterally into the detector. The absorption path is therefore parallel to Device surface area determined during transit length through the thickness of the absorption layer perpendicular to Surface is given.

Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung ein Bauelement, insbesondere einen Photodetektor auf Halbleiterbasis zu schaffen, bei welchem die Transitzeit der photogene­ rierten Ladungsträger unabhängig von der Absorptions­ strecke ist. Außerdem soll der Detektor ein höheres Produkt von Grenzfrequenz und Quanteneffizienz aufwei­ sen. Es ist außerdem Aufgabe der Erfindung ein Verfah­ ren zur Herstellung eines solchen Bauelementes bereit­ zustellen. It is therefore an object of the invention to provide a component in particular a semiconductor-based photodetector create at which the transit time of the photogenic charged carriers regardless of the absorption route is. In addition, the detector is said to be a higher one Product of cutoff frequency and quantum efficiency sen. It is also an object of the invention a method ren ready for the manufacture of such a component to deliver.  

Die Aufgabe wird gelöst durch ein Bauelement gemäß der Gesamtheit der Merkmale nach Anspruch 1. Die Aufgabe wird ferner gelöst durch ein Verfahren gemäß der Ge­ samtheit der Merkmale nach Anspruch 10. Weitere zweck­ mäßige oder vorteilhafte Ausführungsformen oder Varian­ ten finden sich in den auf jeweils einen dieser Ansprü­ che rückbezogenen Unteransprüchen.The object is achieved by a component according to the Set of features according to claim 1. The task is further solved by a method according to Ge entirety of the features according to claim 10. Further purpose moderate or advantageous embodiments or variants ten can be found in each of these claims che related subclaims.

Es wurde erkannt, daß beim erfindungsmäßigen Gegenstand das Licht senkrecht zur Substratoberfläche von oben oder von unten in den Detektor eintritt, wie bei den konventionellen Bauelementen. Dies hat den Vorteil ei­ ner existierenden einfachen Technologie, um das Licht über Glasfaser in das Bauelement einzukoppeln. Das elektrische Feld in der Absorptionsschicht, welches die Trennung der erzeugten Elektronen-Loch-Paare erzeugt, liegt parallel zur Oberfläche. Damit sind wie bei der bekannten Methode mit seitlicher Einstrahlung Absorpti­ onsstrecke und Transitlänge voneinander entkoppelt und die für konventionelle Bauelemente mit Einstrahlung senkrecht zur Oberfläche geltende Grenze für das Pro­ dukt aus Quanteneffizienz und Grenzfrequenz nicht gege­ ben.It was recognized that the subject of the invention the light perpendicular to the substrate surface from above or enters the detector from below, as with the conventional components. This has the advantage existing simple technology to light to couple into the component via glass fiber. The electric field in the absorption layer, which the Separation of the generated electron-hole pairs lies parallel to the surface. So are like the known method with side radiation Absorpti on route and transit length decoupled from each other and that for conventional components with irradiation limit perpendicular to the surface for the pro does not counteract from quantum efficiency and cutoff frequency ben.

Es wurde erkannt, beim erfindungsmäßigen Gegenstand die absorbierende Schicht seitlich zu kontaktieren. Auf diese Weise wird erreicht, daß die Transitstrecke er­ zeugter Ladungsträger unabhängig von der Schichtdicke der Absorptionsschicht ist. Im Gegensatz dazu weisen die bekannten Detektoren eine Absorptionsschicht auf, die entweder von oben (MSM) oder von oben und unten (pin) kontaktiert ist und folglich die Abhängigkeit dort sehr wohl gegeben ist.It was recognized that the subject of the invention to contact the absorbent layer laterally. On this way it is achieved that the transit route he generated charge carrier regardless of the layer thickness the absorption layer. In contrast, point  the known detectors have an absorption layer, either from above (MSM) or from above and below (pin) is contacted and thus the dependency is very well given there.

Die Erfindung ist im weiteren an Hand von Figur und Ausführungsbeispiel näher erläutert. Es zeigt:The invention is further based on the figure and Embodiment explained in more detail. It shows:

Fig. 1 Aufbau einer pin-Diode und MSM-Diode; Fig. 1 construction of a pin diode and MSM diode;

Fig. 2 Schichtaufbau des erfindungsgemäßen Bauelements; Fig. 2 layer structure of the component according to the invention;

Fig. 3 unterschiedliche Verfahrensweisen zur Herstel­ lung eines erfindungsgemäßen Bauelements; Fig. 3 different procedures for the produc- tion of a component according to the invention;

Fig. 4 unterschiedliche Kontaktgeometrien für die Kon­ taktzonen. Fig. 4 different contact geometries for the contact zones Kon.

AusführungsbeispielEmbodiment

In der Fig. 2 ist die erfindungsgemäße die Detektor­ funktion bildende Schichtenfolge im senkrechten Quer­ schnitt gezeigt. Das erfindungsgemäße Bauelement weist dabei einen einzigen Bereich oder mehrere Bereiche aus Absorptionsmaterial auf. In dieser Darstellung erschei­ nen diese Bereiche rechteckig. Einerseits wird durch die Wahl der Höhe eines solchen Bereichs die Absorpti­ onsstrecke, durch die Wahl der Breite eines solchen Be­ reichs die Transitstrecke für die erzeugten Ladungsträ­ ger festgelegt. An den seitlichen Flächen befindet sich das Kontaktmaterial. Der Lichteintritt kann von oben oder von unten durch das Substrat in das Absorptionsma­ terial erfolgen.In FIG. 2, which is according to the invention, the detector forming functional layer sequence shown in vertical cross-section. The component according to the invention has a single area or a plurality of areas made of absorption material. In this representation, these areas appear rectangular. On the one hand, the absorption route is determined by the choice of the height of such an area, and the transit route for the charge carriers generated is determined by the choice of the width of such an area. The contact material is located on the side surfaces. The entry of light can take place from above or from below through the substrate into the absorption material.

Als Absorptionsmaterial eignet sich zum Beispiel ein undotierter oder ein dotierter Halbleiter, insbesondere Si, Ge, GaAs, InGasAs, InP, oder II-VI-Halbleiter. Als Kontaktmaterial kann ein hochdotierter p- und/oder n-Halb­ leiter des gleichen Materials wie die Absorptions­ schicht oder anderes Halbleitermaterial gewählt werden. Auch ein Metall oder im Fall eines Silicium-Detektors ein Metall-Silizid kann als Kontaktmaterial geeignet sein. Je nach Kombination gewählter Materialien kann ein Photodetektor auf der Basis einer pn-, pin- oder MSM-Diode gebildet werden.A suitable absorption material is, for example undoped or a doped semiconductor, in particular Si, Ge, GaAs, InGasAs, InP, or II-VI semiconductors. As Contact material can be a highly doped p and / or n half head of the same material as the absorption layer or other semiconductor material can be selected. Also a metal or in the case of a silicon detector a metal silicide can be used as a contact material be. Depending on the combination of selected materials a photodetector based on a pn, pin or MSM diode are formed.

Aus der Fig. 3 sind verschiedene alternative oder auch kommulative Verfahrensweisen zur Herstellung des er­ findungsgemäßen Detektors dargestellt: . From Figure 3, various alternative or kommulative procedures are illustrated for the preparation of he inventive detector:

  • 1. Implantation von hochdotierten p- und/oder n-Kon­ taktschichten in eine Absorptionsschicht (Fig. 3a); 1. Implantation of highly doped p- and / or n-contact layers in an absorption layer ( Fig. 3a);
  • 2. Implantation eines Metalls in eine Absorptions­ schicht und nachfolgende Silizidierung zur Herstel­ lung des oder der Silizid-Kontakten (Fig. 3b);2. implantation of a metal in an absorption layer and subsequent silicidation to manufacture the silicide contact or contacts ( FIG. 3b);
  • 3. Ätzung senkrechter Gräben in die Absorptionsschicht und Auffüllen dieser Gräben mit dotiertem Halblei­ termaterial durch selektive Epitaxie (Fig. 3c);3. etching of vertical trenches in the absorption layer and filling these trenches with doped semiconductor material by selective epitaxy ( FIG. 3c);
  • 4. Herstellung einer strukturierten Kontaktschicht und Auffüllen dieser Gräben mit Absorptionsmaterial mit­ tels selektiver Epitaxie (Fig. 3d);4. Production of a structured contact layer and filling of these trenches with absorption material using selective epitaxy ( FIG. 3d);
  • 5. Ätzen senkrechter Gräben in eine Absorptionsschicht oder Herstellung eines oder mehrerer rechteckförmi­ gen Absorptionsschichtbereiche mittels selektiver Epitaxie und Kontaktieren der Seiten mit metalli­ schem Material, beispielsweise durch Aufdampfen oder Aufsputtern, durch Abscheiden aus der Gas- oder Flüssigphase oder durch Galvanisieren.5. Etch vertical trenches into an absorption layer or manufacture of one or more rectangular absorption layer areas by means of selective Epitaxy and contacting the sides with metalli cal material, for example by vapor deposition or Sputtering, by separating from the gas or Liquid phase or by electroplating.

Ein in seiner Einfachheit vorteilhaftes Verfahren ist das Ätzen von Gräben in eine Absorptionsschicht und anschließendes Metallisieren, wobei die Ätzmaske gleichzeitig als Maske beim Metallisieren verwendet werden kann. Um eine vergleichsweise gute Bedeckung der Seitenflächen bei tiefen, schmalen Gräben zu er­ reichen kann das Metallisieren vorzugsweise aus der Gasphase erfolgen. Sehr vorteilhaft kann es sein das Aufdampfen durch einen gekippten Aufdampfstrahl, welcher seine Richtung zeitlich ändert, zu erzielen (Fig. 3e).A method that is advantageous in its simplicity is the etching of trenches in an absorption layer and subsequent metallization, wherein the etching mask can simultaneously be used as a mask during metallization. In order to achieve a comparatively good coverage of the side surfaces with deep, narrow trenches, the metallization can preferably be carried out from the gas phase. It can be very advantageous to achieve the evaporation by means of a tilted evaporation jet, which changes its direction over time ( FIG. 3e).

Alle genannten Verfahren funktionieren auch bei der Wahl gleichen Materials für sowohl das Substrat als auch für die Absorptionsschicht.All of the methods mentioned also work with the Choice of the same material for both the substrate and also for the absorption layer.

Die Form der Kontaktgräben, von oben auf die Schicht­ oberfläche gesehen, kann streifenförmig oder fingerför­ mig oder auch beliebig ausgelegt werden. Ein vorteil­ hafte Formgebung zur Erzeugung einer möglichst großen aktiven Absorptionsfläche ist durch Kontaktgräben mit runder, quadratischer oder rechteckiger Struktur gege­ ben wie in der Fig. 4 dargestellt.The shape of the contact trenches, viewed from the top of the layer surface, can be strip-shaped or finger-shaped or can be designed as desired. An advantageous shape for generating the largest possible active absorption area is given by contact trenches with a round, square or rectangular structure, as shown in FIG. 4.

Zur Dimensionierung des Bauelementes empfehlen sich folgende Abmessungen:
Die Höhe der Absorptionsschicht richtet sich vorzugs­ weise nach der Eindringtiefe der zu detektierenden Pho­ tonen. Zum Beispiel beträgt die Quanteneffizienz beim dreifachen Wert der Eindringtiefe ld bereits 95%. Vor­ zugsweise soll die Absorptionsschicht nicht wesentlich dicker gewählt werden, um die Zunahme der elektrischen Kapazität des Detektors mit der Absorptionsschichtdicke zu ungeeignet großen Werten hin zu vermeiden. The following dimensions are recommended for dimensioning the component:
The height of the absorption layer is preferably based on the penetration depth of the photons to be detected. For example, at three times the depth of penetration l d , the quantum efficiency is already 95%. Preferably, the absorption layer should not be chosen to be significantly thicker in order to avoid the increase in the electrical capacity of the detector with the absorption layer thickness toward unsuitably large values.

Die Breite b der Absorptionsschicht bestimmt die Tran­ sitstrecke und damit die Transitzeit der generierten Ladungsträger. Sie sollte vorzugsweise möglichst klein sein, so daß hohe Grenzfrequenzen erreicht werden. Die elektrische Kapazität des Detektors steigt mit kleine­ rer Breite der Absorptionsschicht. Es ist dabei zweck­ mäßig die Abmessungen so zu wählen, daß die Grenzfre­ quenz des RC-Tiefpasses, welcher sich aus der Detektor­ kapazität und dem Widerstand der gesamten Meßschaltung ergibt, nicht entscheidende Faktor darstellt, der die Schaltungsgeschwindigkeit des Bauelements begrenzt. Die absolute Kapazität wird außer von Dicke und Breite der Absorptionszone von der aktiven Fläche des Detektors bestimmt.The width b of the absorption layer determines the oil route and thus the transit time of the generated Charge carrier. It should preferably be as small as possible be so that high cut-off frequencies are reached. The electrical capacity of the detector increases with small width of the absorption layer. It is purpose moderate to choose the dimensions so that the Grenzfre sequence of the RC low pass, which results from the detector capacitance and the resistance of the entire measuring circuit does not represent the deciding factor that the Circuit speed of the device limited. The absolute capacity is except for the thickness and width of the Absorption zone from the active area of the detector certainly.

Eine weitere Grenze für die Dicke der Absorptionszone wird von der Herstellungstechnologie gesetzt, welche auch die kleinstmögliche Breite der Kontaktschicht be­ stimmt. Diese sollte möglichst schmal sein, um eine große effektive Fläche für das einfallende Licht zu er­ geben. Auf jeden Fall muß die Breite der Absorptions­ schicht kleiner sein als ihre Höhe, weil sonst konven­ tionelle Bauelemente besser sind. Wie oben erwähnt sind absolute Zahlen nur im Zusammenhang mit der Eindring­ tiefe ld der zu detektierenden Strahlung zu geben:A further limit for the thickness of the absorption zone is set by the production technology, which also determines the smallest possible width of the contact layer. This should be as narrow as possible to give a large effective area for the incident light. In any case, the width of the absorption layer must be smaller than its height, because otherwise conventional components are better. As mentioned above, absolute numbers can only be given in connection with the penetration depth l d of the radiation to be detected:

  • - Höhe der Absorptionszone d ∼=3 * ld - Height of the absorption zone d ∼ = 3 * l d
  • - Breite Absorptionszone b < Höhe Absorptionszone h - Wide absorption zone b <height of absorption zone h  
  • - Breite der Kontaktschicht b*, so klein wie techno­ logisch machbar und sinnvoll.- Width of the contact layer b *, as small as techno logically feasible and sensible.

Die Vorteile des erfindungsmäßigen Gegenstandes gegen­ über den bekannten Detektoren besteht darin, daß die Quanteneffizienz und die Transitlänge des Bauelementes unabhängig voneinander gewählt werden können, ohne auf das bewährte Einstrahlen des Lichtes senkrecht zur Oberfläche verzichten zu müssen. Schließlich ist ein weiterer Vorteil darin gelegen, daß das erfindungsgemä­ ße Bauelement mit bestehenden Technologieverfahren ein­ fach und damit billig herstellbar ist.The advantages of the inventive object against over the known detectors is that the Quantum efficiency and the transit length of the device can be chosen independently without on the proven irradiation of the light perpendicular to the Having to do without the surface. After all, is one Another advantage is that the invention component with existing technology processes fold and therefore cheap to manufacture.

Claims (17)

1. Bauelement auf Halbleiterbasis zur Umwandlung von Licht in elektrischen Strom, insbesondere Photodetektor, bei welchem
  • - das Licht im wesentlichen senkrecht zur Substratoberfläche von oben oder von unten in das Bauelement eindringt,
  • - die Umwandlungs- oder Absorptionsschicht seitlich kontaktiert ist,
  • - das elektrische Feld in der Absorptionsschicht parallel zur Substratoberfläche ausgerichtet ist.
1. Semiconductor-based component for converting light into electrical current, in particular photodetector, in which
  • the light penetrates into the component from above or below essentially perpendicular to the substrate surface,
  • - The conversion or absorption layer is contacted laterally,
  • - The electric field in the absorption layer is aligned parallel to the substrate surface.
2. Bauelement nach Anspruch 1, bei welchem
  • - die Absorptionsstrecke für einfallende Photonen durch die Dicke der Absorptionsschicht senkrecht zur Substratoberfläche gegeben ist, und
  • - der Transitweg für die vom Licht generierten Elektronen-Loch-Paare durch die Breite der Absorptionsschicht zwischen zwei Kontakten bestimmt ist.
2. The component according to claim 1, wherein
  • - The absorption distance for incident photons is given by the thickness of the absorption layer perpendicular to the substrate surface, and
  • - The transit path for the electron-hole pairs generated by the light is determined by the width of the absorption layer between two contacts.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2 mit mehreren, durch Kontaktschichten voneinander getrennten Absorptionsschichten, die nebeneinander angeordnet sind.3. Component according to claim 1 or 2 with several, separated from each other by contact layers Absorbent layers arranged side by side are. 4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3 mit Absorptionsmaterial aus halbleitendem Material, vorzugsweise Si, Ge, GaAs, InP, InGaAs, Diamant, III-V- oder II-VI-Halbleiter.4. Component according to one of claims 1 to 3 with Absorption material made of semiconducting material, preferably Si, Ge, GaAs, InP, InGaAs, diamond, III-V or II-VI semiconductors. 5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4 mit Kontaktmaterial aus Metall oder Silizid oder dotiertem Halbleitermaterial derselben.5. Component according to one of claims 1 to 4 with Contact material made of metal or silicide or doped semiconductor material of the same. 6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5 mit einer Höhe der Absorptionsschicht, die gleich dem dreifachen Wert der Eindringtiefe der zu detektie­ renden Photonen ist. 6. Component according to one of claims 1 to 5 with a height of the absorption layer equal to that triple the depth of penetration of the detection is photons.   7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6 mit einer Breite der Absorptionsschicht, die die Hälfte der Höhe dieser Schicht nicht übersteigt.7. The component according to one of claims 1 to 6 with a width of the absorption layer that is half does not exceed the height of this layer. 8. Bauelement nach Anspruch 6 oder 7 mit schmaler Breite der Kontaktschicht(en).8. The component according to claim 6 or 7 with narrower Width of the contact layer (s). 9. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei welchem die Kontaktschicht(en) streifenförmig, fingerförmig, kreisrund oder rechteckig ausgebildet ist bzw. sind.9. The component according to one of claims 1 to 8, at which the contact layer (s) in strip form, finger-shaped, circular or rectangular is or are. 10. Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei welchem die Kontaktschicht(en) durch Implantation von hochdotierten p- und/oder n-Dotiermaterialien gebildet wird bzw. werden.10. Process for the production of a component one of claims 1 to 9, wherein the Contact layer (s) by implantation of highly doped p and / or n doping materials is or will be formed. 11. Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei welchem die Kontaktschicht(en) durch Implantation metallischen Materials in eine Silicium-Absorptionsschicht mit nachfolgendem Silizidieren gebildet wird bzw. werden. 11. Process for the production of a component one of claims 1 to 9, wherein the Contact layer (s) by metallic implantation With a silicon absorption layer subsequent silicidation is formed or will.   12. Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei welchem die Kontaktschicht(en) durch selektive Epitaxie in vorher geätzte Gräben einer Absorptionsschicht gebildet wird bzw. werden.12. Method for producing a component according to one of claims 1 to 9, wherein the Contact layer (s) by selective epitaxy in previously etched trenches of an absorption layer is or will be formed. 13. Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei welchem die Absorptionsschicht(en) durch selektive Epitaxie in vorher geätzte Gräben in eine Kontaktschicht gebildet wird bzw. werden.13. Process for the production of a component one of claims 1 to 9, wherein the Absorption layer (s) by selective epitaxy in previously etched trenches in a contact layer is or will be formed. 14. Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei welchem die Kontaktbereiche durch Aufbringen metallischen Materials in vorher geätzte Gräben in eine Absorptionsschicht gebildet werden.14. Process for the production of a component one of claims 1 to 9, wherein the Contact areas by applying metallic Materials in previously etched trenches in one Absorbent layer are formed. 15. Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei welchem die Kontaktbereiche durch Aufbringen metallischen Materials in vorher geätzte Gräben in eine Absorptionsschicht gebildet werden und dabei lediglich die seitliche Fläche(n) der Absorptionsschicht, vorzugsweise durch Galvanisieren, Abscheiden aus der Gas- oder Flüssigphase, Aufsputtern oder Aufdampfen, metallisiert werden.15. A method for producing a component one of claims 1 to 9, wherein the Contact areas by applying metallic Materials in previously etched trenches in one Absorbent layer are formed and thereby only the side surface (s) of the Absorbent layer, preferably through  Electroplating, deposition from the gas or Liquid phase, sputtering or vapor deposition, be metallized. 16. Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes nach Anspruch 14 oder 15, bei welchem das metallische Material aufgedampft oder aufgesputtert wird und wobei der Strahl des metallischen Materials zur Oberfläche verkippt angeordnet ist und seine Richtung bezogen auf die Substratoberfläche zeitlich geändert wird.16. A method for producing a component Claim 14 or 15, wherein the metallic Material is evaporated or sputtered on and wherein the beam of the metallic material for Surface is tilted and its Direction related to the substrate surface is changed in time. 17. Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei welchem das Ätzen der Gräben in die Absorptionsschicht mit Hilfe einer Maske erfolgt, welche auch zum strukturierten Aufbringen des Kontaktmaterials, vorzugsweise bei selektiver Epitaxie oder beim Aufbringen einer Metallschicht geeignet ist.17. A method for producing a component one of claims 1 to 9, wherein the etching the trenches in the absorption layer with the help a mask takes place, which is also structured Application of the contact material, preferably at selective epitaxy or when applying one Metal layer is suitable.
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