DE19616015C1 - Anordnung zur Ankopplung optischer Sende- oder Empfangselemente an einen Lichtwellenleiter - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Ankopp­ lung optischer Sende- oder Empfangselemente an einen Lichtwellenleiter nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein Verfahren zu deren Herstellung nach Anspruch 20.

Stand der Technik

Die Ankopplung optischer Sende- und Empfangsele­ mente an einen Lichtwellenleiter ist bekannt. Dabei müssen sehr enge Koppeltoleranzen eingehalten wer­ den, um möglichst viel Leistung in den Lichtwellen­ leiter einspeisen oder viel Leistung an der Em­ pfangsdiode empfangen zu können. Zudem muß die Kop­ pelanordnung mechanisch fixiert werden, was bei axialer Ausrichtung der einzelnen Komponenten nur unter beträchtlichem Aufwand möglich ist. Die DE- A1 43 13 493 beschreibt daher eine Anordnung zur Ankopplung, bei der das Sende- beziehungsweise Em­ pfangselement auf einer planaren Trägerplatte mon­ tiert wird und die Ankopplung durch Verschieben der Trägerplatte an den Lichtwellenleiter erfolgt. Die Strahlumlenkung erfolgt gemäß dieser Offenbarung an V-Nuten. An der einen Seite der V-Nut erfolgt durch Totalreflektion die Strahlumlenkung, während die andere Seite der V-Nut mit einer Entspiegelungs­ schicht versehen ist, um die Reflektionsverluste zu reduzieren. Derartige Anordnungen sind jedoch in Hinblick auf die auftretenden Kopplungsverluste und die mechanische Fixierung der einzelnen Komponenten noch verbesserungsfähig.

Vorteile der Erfindung

Die Anordnung mit den Merkmalen des Hauptanspruchs weist demgegenüber den Vorteil auf, daß durch die passive und durch die vorgegebenen Strukturen fi­ xierte Anordnung von Lichtfaser, Wellenleiter und Einlegebauteil eine bessere Kopplung an Sende- oder Empfangselemente ermöglicht wird. Die optischen Sende- oder Empfangselemente werden dazu in vor­ teilhafter Weise auf der die Grundplatte zumindest teilweise überdeckenden Folie justiert. Die Justie­ rung der optischen Sende- oder Empfangselemente auf der Folie weist neben der darauf ermöglichten, ho­ hen Kopplungseffizienz an die passiv justierten Komponenten in der Grundplatte zudem den Vorteil auf, daß elektrische Zuleitungen zu diesen Elemen­ ten in einfacher Weise angeordnet werden können und nicht in die Grundplatte eingeführt werden müssen, was zum Beispiel dann notwendig ist, wenn die opti­ schen Elemente dort angebracht sind. Die erfin­ dungsgemäß verwendeten Einlegebauteile wie Umlenk­ spiegel, Wellenlängenselektive Spiegel, Linsen oder optische Isolatoren werden also passiv justiert, das heißt, deren Justierung erfolgt im wesentlichen selbsttätig aufgrund ihrer Abmessungen und der ent­ sprechenden Strukturen der Grundplatte. In vorteil­ hafter Weise ist also keine aktive, beispielsweise Mikromanipulatoren erfordernde, Justierung der Ein­ legebauteile notwendig. Die passive Justierung weist herstellungstechnische Vorteile auf, da sie einfacher als das aktive Justieren durchzuführen ist. Schließlich ist die Herstellung der erfin­ dungsgemäßen Anordnungen aufgrund der verwendeten polymeren Abformtechnik ausgesprochen kostengün­ stig.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

In besonders vorteilhafter Weise weist die in der Grundplatte vorgeformte Struktur zur Aufnahme des Einlegebauteils eine Tiefe T auf, die geringer als die Höhe H des Einlegebauteils ist. Dies hat zur Folge, daß die Oberkante eines beispielsweise an einem Einlegebauteil vorhandenen Umlenkspiegels oberhalb der Oberkante des Lichtwellenleiters gele­ gen sein kann. Da nämlich zwischen Umlenkspiegel und Ende des Lichtwellenleiters ein lichter Abstand vorliegt, kommt es zu einer Auffächerung des den Lichtwellenleiter verlassenen Lichtstrahls. Um die­ sen aufgefächerten Lichtstrahl möglichst vollstän­ dig umzulenken, ist es daher vorteilhaft, daß die Oberkante des Spiegels eben nicht mit der Oberkante des Wellenleiters abschließt, sondern vielmehr über diesem liegt.

Die Erfindung betrifft in einer weiteren Ausfüh­ rungsform auch ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Anordnungen, wobei die in der Grundplatte vorhandenen Strukturen für den Licht­ wellenleiter, die Faserführung und das mindestens eine Einlegebauteil auf einem Silizium-Wafer aufge­ bracht werden, diese Strukturen durch galvanisches Abformen auf eine Nickelmatrize übertragen werden, das mindestens eine Einlegebauteil in die Nickelma­ trize eingelegt wird, die Grundplatte hergestellt, der Lichtwellenleiter aus polymerem Material herge­ stellt, die Folie aufgepreßt und die Sende- oder Empfangselemente auf der Folie justiert werden. Durch den Einguß von Bauteilen mit präzisen Abmes­ sungen lassen sich die gewünschten optischen Funk­ tionen, wie zum Beispiel Strahlumlenkung, leicht und exakt herstellen.

Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt also die Er­ stellung von Strukturen in einem als Master-Wafer dienenden Silizium-Wafer. Die auf dem Silizium-Wa­ fer anzubringenden Strukturen werden beispielsweise mittels reaktivem Ionen-Ätzen (RIE) oder anisotro­ pem Ätzen gebildet. In besonders vorteilhafter Weise stellt die Erfindung auch eine Ausführungs­ form dieses Verfahrens zur Verfügung, nach der auf dem als Master-Wafer dienenden Silizium-Wafer Erhe­ bungen aufgebracht werden. Dazu wird zunächst in den Silizium-Wafer eine Struktur für ein Einlege­ bauteil beispielsweise mittels reaktivem Ionen-Ät­ zen oder anisotropem Ätzen hergestellt. In diese Struktur wird ein paßgenaues Siliziumstück defi­ nierter Höhe eingeführt, wobei diese definierte Höhe H größer ist als die Tiefe T der eingeätzten Struktur. Demgemäß wird auf dem Wafer eine Erhebung gebildet. Das eingepaßte Siliziumstück wird an­ schließend mit dem Wafer verbunden, vorzugsweise angeschweißt. Auf der Oberfläche des Silizium-Ma­ ster-Wafers befinden sich demgemäß Erhebungen der Höhe H minus T, die sich als Vertiefungen in der Nickelmatrize wiederfinden. Die so gebildete Aus­ nehmung dient der Aufnahme des oberen Bereiches des Einlegebauteils, so daß dieses mit seiner oberen Kante nicht mit dem in der Oberfläche der Grund­ platte befindlichen Lichtwellenleiter abschließt, sondern diesen um die Höhe H minus T überragt. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Er­ hebungen in strukturierten, planaren Silizium-Wa­ fern ermöglicht daher die Herstellung einer beson­ ders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung und ist selbstverständlich nicht auf die Herstel­ lung von Erhebungen in Silizium-Wafern beschränkt, sondern vielmehr auch in Wafern anderer Zusammen­ setzung wie InP- oder GaAs-Wafern anwendbar.

Zeichnung

Die Erfindung wird anhand der folgenden Figuren nä­ her erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 schematisch einen Längsschnitt durch ein Empfangsmodul;

Fig. 2 schematisch einen Längsschnitt durch ein Sendemodul mit einer Kanten-emittierenden Laserdi­ ode;

Fig. 3 schematisch einen Längsschnitt durch ein Sendemodul mit einer Oberflächen-emittierenden La­ serdiode;

Fig. 4 bis 6 schematische Darstellungen ver­ schiedener Elemente eines Tran­ sceivermoduls;

Fig. 7 die Herstellung einer Grund­ platte;

Fig. 8 die Strukturierung eines Ma­ ster-Silizium-Wafers;

Fig. 9 eine alternative Ausführungs­ form zum Strukturieren des Ma­ ster-Silizium-Wafers und

Fig. 10 die Herstellung von Strahlum­ lenkungselementen.

Die Fig. 1 zeigt eine als Empfangsmodul ausge­ führte Anordnung 1 mit einer Grundplatte aus PMMA (Polymethylmethacrylat) und einer dieser teilweise überdeckenden Polymerfolie 3. Die Grundplatte 2 weist eine Wellenleiterstruktur 4 zur Aufnahme ei­ nes polymeren Lichtwellenleiters 5 auf. Der Wellen­ leiter 5 läßt sich mit UV-Licht oder thermisch aus­ härten. Die Grundplatte 2 weist zudem eine Faser­ führungsnut 6 zur Aufnahme einer Lichtfaser 7 auf. Die Lichtfaser 7 ist so in der Faserführungsnut 6 angeordnet, daß deren Endöffnung 8 mit der Wellen­ leiteröffnung 9 fluchtet. In einem Abstand zu der von der Lichtfaser 7 abgewandten Öffnung 10 des Wellenleiters befindet sich in der gleichen Ebene eine Struktur 11 zur Aufnahme eines Einlegebauteils 12, das einen als Hohlspiegel 13 ausgeführten Um­ lenkspiegel an seiner der Öffnung 10 des Wellenlei­ ters 5 zugewandten angeschränkten Stirnfläche 38 aufweist. Das beispielsweise aus PMMA oder PC (Po­ lycarbonat) hergestellte Einlegebauteil 12 weist demgemäß eine angeschrägte Stirnfläche 38 (vorzugs­ weise 45° zur Längsachse des Wellenleiters 5) auf, auf der ein Hohlspiegel 13 zur Strahlfokussierung ausgebildet ist. Dieser Spiegel kann durch Bedam­ pfung mit Gold beziehungsweise dielektrischen Schichten hergestellt werden. Die Fig. 1 verdeut­ licht, daß die Tiefe T der Struktur 11 in der Grundplatte 2 geringer ist als die Höhe H des Ein­ legebauteils 12. Die obere Kante 14 des Hohlspie­ gels 13 überragt daher die Oberfläche 15 der Grund­ platte 2 und damit auch die obere Kante des in der Oberfläche 15 der Grundplatte 2 angeordneten Wel­ lenleiters 5. Der Wellenleiter 5 und das Einlege­ bauteil 12 wird durch eine Polymerfolie 3 abge­ deckt, auf der die Photodiode 16 durch passive un­ terstützte Justierung an das senkrecht austretende Licht mittels flächiger Verschiebung fixiert wird. Bei einer exakte Abmessungen aufweisenden Photodi­ ode 16 kann die Justierung durch farbige Markie­ rungen 29 (Einlegebauteile) (hier nicht darge­ stellt) in der Grundplatte 2 erleichtert werden. Die Fixierung der Photodiode 16 erfolgt durch kurzzeitiges Erhitzen und Einprägen in die Folie 3. Die Photodiode 16 ist gegenüber dem Polymer mit einer Entspiegelung 17 (AR-Coating) und mit einem Haftvermittler versehen, sowie mittels eines UV-Klebers 18 mit der Polymerfolie 3 fest verbunden. Die Fig. 1 stellt ferner mit der Photodiode 16 verbundene elektrische Anschlüsse 19 dar, die sich außerhalb der Grundplatte 2 und Polymerfolie 3 befinden.

Aus der Lichtfaser 7 austretendes Licht wird durch den Wellenleiter 5 auf den Hohlspiegel 13 geleitet und dort in Richtung der Photodiode 16 umgelenkt. Selbstverständlich können zur Strahlumlenkung auch andere Elemente verwendet werden. Besonders bevor­ zugt sind metallische oder dielektrische Spiegel. Da zudem der Hohlspiegel 13 über die Oberfläche 15 der Grundplatte 2 hinausragt, wird das die Öffnung 10 des Wellenleiters 5 verlassende Licht unter be­ sonders geringen Verlusten angekoppelt.

Im folgenden werden für funktionsgleiche Bauteile, die in Fig. 1 verwendeten Bezugsziffern verwendet, selbst wenn bauliche Unterschiede vorliegen.

Die Fig. 2 zeigt eine als Sendemodul ausgeführte Anordnung 20 mit einer Grundplatte 2 und einer diese teilweise überdeckenden Polymerfolie 3. Die Anordnung und Ausführung der Grundplatte 2 und der darin enthaltenen Elemente und Strukturen ent­ spricht der der Fig. 1. Im Unterschied zu der Fig. 1 ist jedoch auf der Polymerfolie 3 eine eine Entspiegelungsschicht 17 aufweisende Kanten-emit­ tierende Laserdiode 21 montiert, die um 90° gedreht auf die Oberfläche der Folie 3 durch aktive Justie­ rung aufgesetzt und durch einen Kleber 18 fixiert wird. Die Laserdiode 21 ist auf einer Wärmesenke (Submount) 22 zur Wärmeabfuhr montiert. Dargestellt ist ferner ein außerhalb der Grundplatte 2 und der Polymerfolie 3 befindlicher elektrischer Anschluß 19.

Das die Laserdiode 21 verlassende Licht wird über den Hohlspiegel 13 in den als Streifenwellenleiter ausgeführten Wellenleiter 5 eingekoppelt und kann so in die Faser 7 eintreten.

Das Sendemodul nach Fig. 3 entspricht im wesentli­ chen dem der Fig. 2, wobei jedoch auf der Folie 3 anstatt der Kanten-emittierenden Laserdiode 21 eine Oberflächen-emittierende Laserdiode 23 dargestellt ist. Die Montage einer Oberflächen-emittierenden Laserdiode 23 gestaltet sich wesentlich einfacher als die der Kanten-emittierenden Laserdiode 21, da sie ebenso wie die Montage einer Photodiode 16 aus­ geführt werden kann, das heißt, daß eine passive Justierung durch kurzzeitiges Erhitzen und Einprä­ gen in die Polymerfolie 3 durchgeführt werden kann. Die Laserdiode 23 weist eine Entspiegelungsschicht 17 auf und ist über einen Metallring 24 für rück­ seitiges Kontaktieren und einen UV-Kleber 18 mit der Polymerfolie 3 verbunden. Die Laserdiode 23 und der Metallring 24 weisen außerhalb der Grundplatte 2 und der Polymerfolie 3 gelegene elektrische An­ schlüsse 19 auf. Entsprechend der größeren Strahl­ divergenz der Laserdiode 23 ist der Hohlspiegel 13 am Einlegebauteil 12 stärker ausgeführt, so daß das Laserfeld besser auf das Feld des als Streifenwel­ lenleiters ausgeführten Wellenleiters 5 abgebildet wird.

In einer weiteren Ausführungsform kann durch Einle­ gen von Gradientenindexlinsen und optischem Isola­ tor ein Reflektions-unempfindliches Sendemodul re­ alisiert werden. Entsprechend des größeren Durch­ messers dieser Bauteile muß eine dickere Polymerfo­ lie eingesetzt werden, in die die Bauteilstrukturen der Gradientenindexlinse und des optischen Isola­ tors vorgeprägt werden. Durch die passive Justie­ rung der Linsen und des optischen Isolators kann ein sehr kostengünstiges Sendemodul hergestellt werden.

Die Fig. 4 bis 6 zeigen schematisch die Elemente eines Transceivermoduls. Durch Kombination des Emp­ fangsmoduls 1 beispielsweise nach Fig. 1 (Fig. 4) und des Sendemoduls 20 beispielsweise nach Fig. 2 (Fig. 5) läßt sich ein schematisch in der Drauf­ sicht in Fig. 6 dargestelltes Transceivermodul 25 herstellen. Das Transceivermodul 25 weist ein an den Lichtwellenleiter 5 gekoppeltes Wellenlängen­ selektives Bauteil 26 in Streifenwellenausführung, zum Beispiel einen Array-Demultiplexer oder einen "grating assisted coupler" (Gitter-unterstützter Koppler) auf. Entsprechend der Wellenlängen-Selek­ tion und der Anzahl der Wellenleiterausgänge am Ar­ ray-Demultiplexer ist eine beliebige Kombination von Sende- und Empfangsmodulen möglich. Die Fig. 6 stellt eine Ausführungsform dar, in der eine belie­ bige Anzahl von Empfangsmodulen 1 (Photo­ diodenarray) mit nur einem Sendemodul 20 kombiniert ist, wobei zusätzlich ein als Monitormodul ausge­ führtes Empfangsmodul 1′ zur Überwachung der Sende­ leistung vorgesehen ist. Selbstverständlich sind auch beliebige andere Kombinationen von Sende- und Empfangsmodulen erfindungsgemäß möglich.

Die Fig. 7 zeigt die Herstellung einer Grundplatte 2 aus PMMA. In die - wie nachstehend erläutert - her­ gestellte Nickelmatrize 27 wird ein Einlegebauteil 12 zur Strahlumlenkung eingelegt, und zwar in eine Ausnehmung 28. Das einen Hohlspiegel 13 aufweisende Einlegebauteil 12 wird so in die Ausnehmung 28 der Nickelmatrize 27 eingelegt, daß die Oberkante 14 des Hohlspiegels der Nickelmatrize 27 zugewandt ist. Die Strukturen des eingelegten Einlegebauteils 12 und die als Erhebungen auf der Nickelmatrize 27 ausgeführten Strukturen für den Wellenleitersteg 4 und die Faserführungsnut 6 werden durch Ausgießen mit PMMA auf der so hergestellten Grundplatte 2 er­ zeugt. Anschließend wird die Nickelmatrize 27 ent­ fernt. Durch Aufbringen des Kernpolymers in die Struktur 4 für den Wellenleiter 5 sowie Aufpressen mit der Folie 3 wird der Wellenleiter 5 erzeugt. Anschließend wird ein optisches Sende- oder Emp­ fangselement passiv auf der Folie justiert.

Die Fig. 7 zeigt ausschnittsweise in detaillierter Draufsicht auf die Nickelmatrize eine farbiges Einlegeteil 29 zur Justierung des optischen Sende- oder Empfangselementes. Dieses Einlegeteil 29 wird durch eine Haltestruktur 30 in seiner Position auf der Grundplatte 2 fixiert.

Die Fig. 8 stellt die Strukturierung des für die Herstellung der Nickelmatrize 27 erforderlichen Silizium-Master-Wafer-Struktur dar. In einen Sili­ zium-Wafer 31 werden durch reaktives Ionen-Ätzen (RIE) die Strukturen 4′, 6′ und 11′ erzeugt. Ent­ sprechend der Geometrie des Wellenleiters 5 werden die Ätzgräben für die genannten Strukturen zunächst etwa fünf bis sechs Mikrometer tief ausgeführt. Dies geschieht durch reaktives Ionen-Ätzen (Fig. 8a). Die Struktur 4′ für den Wellenleiter und die in einem späteren Verfahrensschritt endgültig her­ gestellte Struktur 6′ für die Faserführungsnut wer­ den durch Lack versiegelt, so daß durch an­ schließendes reaktives Ionen-Ätzen (Fig. 8a) oder anisotropes Ätzen die Struktur 11′ für das Einlege­ bauteil 12 tiefer ausgeführt werden kann. Die Struktur 6′ für die Faserführungsnut wird durch an­ isotropes Ätzen in die endgültige Form gebracht. Mit einer Wafer-Säge wird eine senkrechte Kante 32 zwischen Struktur 4′ für den Wellenleiter und Struktur 6′ für die Faserführungsnut erzeugt. In die Struktur 11′ wird ein paßgenaues Siliziumstück 33 eingelegt, das die Formen zur passiven Justie­ rung des später verwendeten Einlegebauteils 12 auf­ weist. Das Siliziumstück 33 wird durch Anschweißen mit dem Silizium-Wafer 31 fest verbunden. Die Tiefe T′ der Struktur 11′ ist geringer als die Höhe H′ des Siliziumstücks 33. Der Silizium-Wafer 31 weist also eine Erhebung der Höhe H′ minus T′ über seiner Oberfläche auf. Diese Erhebung findet sich später als Vertiefung in der Nickelmatrize 27 wieder, in die das Einlegebauteil 12 eingelegt wird und daher nach Ausbildung der Grundplatte 2 über deren Ober­ fläche 15 hinausragt.

Anschließend werden durch galvanisches Abformen die Strukturen, also Vertiefungen und Erhebungen, von dem Silizium-Wafer 31 auf eine Nickelmatrize 27 übertragen und dann gemäß Fig. 7 zur Herstellung der Grundplatte 2 und der erfindungsgemäßen Anord­ nung verwendet.

Die Fig. 9 zeigt eine Alternative zum reaktiven Ionen-Ätzen zur Ausbildung der Struktur 11′ zur Aufnahme des Siliziumstücks 33. Demgemäß kann die Struktur 11′ anisotrop in Form einer V-Nut mit be­ stimmter Breite in den Silizium-Wafer 31 geätzt werden. In die so hergestellte Ausnehmung 11′ wird dann ein paßgenaues Siliziumstück 33′, das aniso­ trop angeätzt und entlang der Ätzkanten gebrochen ist, eingefügt. Selbstverständlich können auch an­ dere Siliziumstücke 33′′ beispielsweise mit geätz­ ter Oberflächenstruktur verwendet werden.

Die Fig. 10 erläutert die Herstellung von Kompo­ nenten zur Strahlumlenkung. Dargestellt ist ein be­ wegliches Spritzgußwerkzeug 34 mit einer Einspritz­ öffnung 35. Auf einer Grundplatte 36 ist ein Quader 37 mit einer angeschrägten Stirnfläche (vorzugs­ weise 45°) 38 aufgebracht. Zwischen dem beweglichen Spritzgußwerkzeug 34 und dem Quader 37 und der Grundplatte 36 verbleibt ein Hohlraum, der die Form des Einlegebauteils 12 hat. Er kann aber auch eine Vielfalt des Einlegebauteils 12 aufweisen. Im Spritzgußverfahren wird das Einlegeteil 12 herge­ stellt. Als Material kommt ein dämpfungsarmes Poly­ mer in Betracht, zum Beispiel PMMA oder PC, so daß eine Strahlaufteilung für die Anwendung als Tran­ sceiver möglich ist (Fig. 10a). Ist nur eine Strahlumlenkung erforderlich, kann das Einlegebau­ teil aus einem beliebigen Material hergestellt wer­ den. In einer ebenfalls bevorzugten Ausführungsform kann die angeschrägte Stirnfläche 38 zur Strahlfo­ kussierung als Hohlspiegel ausgearbeitet sein (Fig. 10b), so daß eine bessere Feldanpassung zwi­ schen dem aktiven Bauelement und dem Wellenleiter realisiert werden kann. Die Spiegelschicht wird durch Aufdampfen aufgebracht.

Claims (20)

1. Anordnung zur Ankopplung optischer Sende- oder Empfangselemente an einen Lichtwellenleiter, welche eine Grundplatte und eine diese zumindest teilweise überdeckende Folie aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die optischen Sende- oder Empfangselemente (16, 21, 23) auf der Folie (3) justiert sind und die Grundplatte (2) Strukturen (4, 11) für den Lichtwel­ lenleiter (5) und zur Aufnahme von mindestens einem Einlegebauteil (12) aufweist.

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß ein aus einem Polymer bestehender Lichtwel­ lenleiter (5) in der Struktur (4) angeordnet und durch die Folie (3) abgedeckt ist.

3. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß das optische Sende- oder Empfangselement (16, 21, 23) passiv, vorzugsweise mit­ tels eines Klebemittels (18), auf der Folie (3) ju­ stiert ist.

4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, daß das optische Sende- oder Empfangselement (16, 21, 23) aktiv auf der Folie (3) justiert ist.

5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (2) zu­ sätzlich Strukturen (6) zur Führung einer Lichtfa­ ser (7) aufweist.

6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Grundplatte (2) mindestens ein Einlegebauteil (12) angeordnet ist, das vorzugsweise passiv justiert ist.

7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Einlegebauteil (12) einen Wellenlängen-selektiven Spiegel oder einen Umlenkspiegel (13), vorzugsweise einen Hohlspiegel aufweist.

8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Einlegebauteil (12) eine Linse oder optischer Isolator ist.

9. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Einlegebauteil (12) in einem Abstand zur Endöffnung (10) des Wellenlei­ ters (5) angeordnet ist, so daß eine Ankopplung des Lichtwellenleiters (5) an das Sende- oder Empfangs­ element (16, 21, 23) gewährleistet ist.

10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Stirnfläche (38) des Einlegebauteils (12) in einem Winkel von 45° zur Längsachse des Wellenleiters (5) angeordnet ist.

11. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Struktur (11) zur Aufnahme des Einlegebauteils (12) eine Tiefe (T) in der Grundplatte (2) aufweist, die geringer als die Höhe (H) des Einlegebauteils (12) ist.

12. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberkante (14) des am Einlegebauteil (12) angeordneten Umlenkspiegels (13) oberhalb der Oberfläche (15) der Grundplatte (2) angeordnet ist.

13. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das optische Sendeele­ ment eine Laserdiode, vorzugsweise eine Kanten- oder Oberflächen-emittierende Laserdiode (21, 23) ist.

14. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das optische Empfangs­ element eine Photodiode (16) ist.

15. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (2) und die Folie (3) aus einem polymeren Material, vor­ zugsweise PMMA (Polymethylmethacrylat) gebildet sind.

16. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (2) mindestens ein farbiges Einlegeteil (29) zur Ju­ stierung des optischen Sende- oder Empfangselemen­ tes aufweist.

17. Transceivermodul enthaltend mindestens eine Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 16.

18. Verfahren zur Herstellung von Erhebungen in strukturierten, planaren Wafern (31) , wobei in den Wafer (31) eine Struktur (11′) mit der Tiefe (T′) für ein Waferstück (33, 33′, 33′′) mit der Höhe (H′) geätzt wird, in diese Struktur das paßgenaue Wafer­ stück (33, 33′, 33′′) eingefügt und mit dem Wafer (31) verbunden, vorzugsweise verschweißt wird, wo­ bei H′<T′ ist.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Struktur (11′) mittels reaktivem Ionen-Ätzen oder anisotropen Ätzen hergestellt wird.

20. Verfahren zur Herstellung einer Anordnung zur Ankopplung optischer Sende- oder Empfangselemente (16, 21, 23) an einen Lichtwellenleiter (25), welche eine Strukturen (4, 6, 11) aufweisende Grundplatte (2) und eine diese zumindest teilweise überdeckende Folie (3) aufweist, wobei die in der Grundplatte (2) vorhandenen Strukturen (4, 6, 11) für den Licht­ wellenleiter (5), die Lichtfaser (7) und das min­ destens eine Einlegebauteil (12) auf einen Sili­ zium-Wafer (31) aufgebracht, diese Strukturen durch galvanisches Abformen auf eine Nickelmatrize (27) übertragen, das mindestens eine Einlegebauteil (12) in die Nickelmatrize (27) eingelegt, die Grund­ platte (2) hergestellt, der Wellenleiter (5) ge­ formt, die Folie (3) aufgepreßt und die Sende- oder Empfangselemente (16, 21, 23) passiv justiert werden.