DE19615841A1 - Production of diffusion solder joins between joining partners - Google Patents

Production of diffusion solder joins between joining partners

Info

Publication number
DE19615841A1
DE19615841A1 DE19615841A DE19615841A DE19615841A1 DE 19615841 A1 DE19615841 A1 DE 19615841A1 DE 19615841 A DE19615841 A DE 19615841A DE 19615841 A DE19615841 A DE 19615841A DE 19615841 A1 DE19615841 A1 DE 19615841A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
weight
tin
alloy
indium
bismuth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19615841A
Other languages
German (de)
Inventor
Rolf Dipl Ing Mayer
Rolf Engelhart
Wilfried Reschnar
Godehard Dr Ing Schmitz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19615841A priority Critical patent/DE19615841A1/en
Publication of DE19615841A1 publication Critical patent/DE19615841A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B23K20/023—Thermo-compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/8381—Soldering or alloying involving forming an intermetallic compound at the bonding interface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/8382—Diffusion bonding
    • H01L2224/83825—Solid-liquid interdiffusion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

Production of diffusion solder joins between at least two joining partners is claimed, in which the joining surface of at least one partner is provided with a diffusion-promoting layer and the partners are then joined under heat and pressure. The novelty is that the diffusion-promoting layer consists of a low-melting coating alloy, whose melting point is less than 450 deg C.

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Her­ stellung von Diffusionslötverbindungen nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.The invention is based on a method for manufacturing position of diffusion solder connections after the Preamble of the main claim.

Das Diffusionslötverfahren beruht darauf, daß zwei in festen Phasen vorliegende Grundwerkstoffe schon bei einer Temperatur weit unterhalb des Schmelz­ punktes eines Verbindungspartners ineinander dif­ fundieren können. Gemäß diesem Verfahren wird ein geeignetes Lot zwischen die Lotflächen der Grund­ werkstoffe gegeben, die Verbindungspartner werden zusammengepreßt und längere Zeit erhitzt. Es ent­ steht dabei eine vakuumdichte, unlösbare Verbin­ dung. Es ist bekannt, anstelle eines separaten Lots durch Bedampfen oder Sputtern im Vakuum sowie durch Plasmaspritzen diffusionsunterstützende Schichten auf den Grundwerkstoffen zu erzeugen. Die Grund­ werkstoffe werden anschließend zusammengepreßt und dabei erhitzt. Als derartige diffusionsunterstüt­ zende Schichten sind Schichten aus reinem Zinn, reinem Indium und reinem Wismut bekannt. Derartig hergestellte Lötverbindungen weisen jedoch nur eine begrenzte mechanische und thermische Festigkeit auf.The diffusion soldering process is based on the fact that two base materials already in solid phases at a temperature well below the enamel point of a connection partner into each other dif can substantiate. According to this procedure, a suitable solder between the solder surfaces of the bottom given materials that become connection partners pressed together and heated for a long time. It ent there is a vacuum-tight, non-detachable connection dung. It is known instead of a separate solder by vapor deposition or sputtering in a vacuum as well as by Plasma spraying diffusion-supporting layers to produce on the base materials. The reason materials are then pressed together and thereby heated. As such diffusion support  zende layers are layers of pure tin, pure indium and pure bismuth. Such However, solder connections produced only have one limited mechanical and thermal strength on.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Das erfindungsgemäße Verfahren mit den im Haupt­ anspruch genannten Merkmalen weist demgegenüber den Vorteil auf, daß durch die niedrigschmelzende Be­ schichtungslegierung eine deutlich höhere mechani­ sche Festigkeit, beispielsweise von Kupfer/Kupfer­ verbindungen, erreicht wird. Die erfindungsgemäß erzielte Festigkeit ist vergleichbar mit der von Hartlötverbindungen, wobei die Fügetemperatur er­ heblich geringer als beim Hartlöten sein kann, so daß beispielsweise die durch Walzen erzeugte Kalt­ verfestigung sowie die Federeigenschaft von Füge­ werkstoffen erhalten bleibt.The inventive method with the main claim mentioned features, however, the Advantage on that by the low melting Be coating alloy a significantly higher mechani cal strength, for example of copper / copper connections, is achieved. The invention achieved strength is comparable to that of Brazed joints, the joining temperature he can be considerably less than with brazing, so that, for example, the cold generated by rolling consolidation and the spring properties of the joint materials is preserved.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen entnehmbar.Further advantageous embodiments of the invention can be found in the subclaims.

Die Erfindung sieht vor, daß als Grundwerkstoff be­ ziehungsweise Verbindungspartner beispielsweise Kupfer, Eisen, Nickel, Nickel/Eisen, Nickel/Kobalt, Eisen/Nickel oder Kupfer-Legierungen verwendet wer­ den können. Auf die Grundwerkstoffe werden die er­ findungsgemäßen niedrigschmelzenden Beschichtungs­ legierungen aufgetragen und die Verbindungspartner anschließend erhitzt und zusammengepreßt. Im Zusam­ menhang der vorliegenden Erfindung wird unter einer niedrigschmelzenden Beschichtungslegierung ein Ge­ misch aus mindestens zwei Metallen verstanden, das einen niedrigen Schmelzpunkt, unter 450°C, auf­ weist. In besonders bevorzugter Ausführungsform der Erfindung wird die niedrigschmelzende Beschich­ tungslegierung schmelzflüssig, beispielsweise durch Eintauchen des beziehungsweise der Grundwerkstoffe in eine schmelzflüssige Legierung, aufgetragen. Im Fall der Verwendung von Eisen, Nickel, Eisen- oder Nickellegierungen und insbesondere Eisen/Nickel oder Nickel/Kobalt als Grundwerkstoff kann in be­ sonders vorteilhafter Weise vorgesehen werden, zunächst eine Kupfer-Basisschicht auf die Grund­ werkstoffe aufzutragen. Dies kann beispielsweise durch galvanisches Abscheiden geschehen. Auf diese Kupfer-Basisschicht wird dann die erfindungsgemäße niedrigschmelzende Beschichtungslegierung aufgetra­ gen. Die auf der Kupfer-Basisschicht aufgebauten diffusionsaktiven Schichten, beispielsweise aus In­ dium und Zinn oder Silber und Zinn ermöglichen eine gute Festigkeit der Fügestelle auch bei den nur we­ nig im Lot löslichen Nickel- und Eisen-Grundwerk­ stoffen.The invention provides that be as the base material or connection partner for example Copper, iron, nickel, nickel / iron, nickel / cobalt, Iron / nickel or copper alloys are used that can. On the base materials he will low-melting coating according to the invention alloys and the connecting partners then heated and pressed together. Together The subject of the present invention is one low melting coating alloy a Ge  mixed of at least two metals understood that a low melting point, below 450 ° C points. In a particularly preferred embodiment of the Invention is the low-melting coating tion alloy molten, for example by Immersion of the base material (s) in a molten alloy. in the Case of using iron, nickel, iron or Nickel alloys and especially iron / nickel or nickel / cobalt as the base material can be in can be provided in a particularly advantageous manner, first a copper base layer on the ground apply materials. For example done by electrodeposition. To this The copper base layer then becomes the one according to the invention low-melting coating alloy applied gen. The built on the copper base layer diffusion-active layers, for example from In dium and tin or silver and tin enable one good strength of the joint even with the only we nickel and iron base structure soluble in solder fabrics.

Die niedrigschmelzende Beschichtungslegierung kann auch in Form ihrer jeweiligen einzelnen Bestand­ teile galvanisch oder durch Vakuumbedampfung als Multilayer aufgetragen werden, wobei Schichtdicken von jeweils 1 bis 10 µm bevorzugt werden. Auch ge­ mäß dieser Verfahrensweise kann vorgesehen werden, daß die Grundwerkstoffe zunächst mit einer Kupfer-Basisschicht versehen werden und anschließend bei­ spielsweise Indium- und Zinn- oder Silber- und Zinn-Schichten jeweils separat aufgetragen werden. Während des Fügeprozesses diffundieren die einzel­ nen Schichten ineinander, so daß die Vorteile der Erfindung auch gemäß dieser besonderen Ausführungs­ form erzielt werden.The low-melting coating alloy can also in the form of their respective individual inventory parts galvanically or by vacuum evaporation as Multilayer can be applied, with layer thicknesses from 1 to 10 μm each are preferred. Also ge According to this procedure, it can be provided that that the base materials first with a Copper base layer and then at for example indium and tin or silver and Tin layers can be applied separately. The individual diffuse during the joining process  layers into one another, so that the advantages of Invention also according to this particular embodiment form can be achieved.

Die Erfindung sieht auch vor, daß zur Initiierung und Beschleunigung von Diffusionsvorgängen dünne Aktivmetallschichten, vorzugsweise in einer Dicke von 0,1 bis 1 µm, aus Titan, Zirconium, Hafnium oder Niob zwischen die Schichten der Multilayer, beispielsweise durch Aufdampfen oder Sputtern, ein­ gebracht werden. Erfindungsgemäß kann selbstver­ ständlich auch vorgesehen sein, daß die vorgenann­ ten Aktivmetalle in einer schmelzflüssig aufge­ brachten niedrigschmelzenden Beschichtungslegierung als Legierungsbestandteil verwendet werden.The invention also provides for initiation and acceleration of diffusion processes thin Active metal layers, preferably in a thickness from 0.1 to 1 µm, made of titanium, zirconium, hafnium or niobium between the layers of the multilayer, for example by vapor deposition or sputtering to be brought. According to the invention, self-ver of course, it should also be provided that the aforementioned active metals in a molten state brought low melting coating alloy can be used as an alloy component.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform wer­ den die niedrigschmelzenden Beschichtungslegierung­ en vor dem Fügeprozeß durch Aufschmelzen aktiviert, so daß eine nochmals verbesserte Diffusionsfähig­ keit der Legierungsbestandteile erreicht wird.In a particularly preferred embodiment, who the low-melting coating alloy activated by melting before the joining process, so that a further improved diffusibility speed of the alloy components is achieved.

Beschreibung eines AusführungsbeispielesDescription of an embodiment

Herstellung einer Band/Band-überlapp-Verbindung.Establishing a band / band overlap connection.

Zwei jeweils aus Kupfer bestehende Verbindungspart­ ner werden so in ein schmelzflüssiges Lot aus 50 Gew% Zinn und 50 Gew% Indium getaucht, daß sich an beiden Fügeflächen eine Beschichtungslegierung ei­ ner Dicke von 3 µm bildet. Die Bandbreite beträgt jeweils 10 mm und die Überlappzone 3 mm. Die beiden beschichteten Verbindungspartner werden mittels zweier Heizstempel unter einem Anpreßdruck von 100 N/mm² und einer Fügetemperatur von 300°C dreißig Minuten aufeinander gepreßt. Die Erwärmungsge­ schwindigkeit beträgt 1 k/s und das Vakuum 10-2 mbar. Während der Erwärmung findet eine Interdif­ fussion der hoch- und niedrigschmelzenden Komponen­ ten statt, so daß sich eine intermetallische Phase mit einem hohen, über dem Schmelzpunkt der Be­ schichtung liegenden Schmelzpunkt bildet.Two connecting partners, each consisting of copper, are immersed in a molten solder of 50% by weight tin and 50% by weight indium in such a way that a coating alloy of a thickness of 3 μm forms on both joining surfaces. The bandwidth is 10 mm and the overlap zone is 3 mm. The two coated connection partners are pressed together for 30 minutes using two heating stamps at a contact pressure of 100 N / mm² and a joining temperature of 300 ° C. The heating rate is 1 k / s and the vacuum 10 -2 mbar. During the heating an interdif fussion of the high and low melting components takes place, so that an intermetallic phase is formed with a high melting point above the melting point of the coating.

Es ergibt sich eine Band/Band-Überlapp-Verbindung mit einer hohen mechanischen Festigkeit, die der der Hartlötverbindung entspricht und theoretisch bis circa 200 K über der Diffusionstemperatur ther­ misch und mechanisch belastbar ist.A band / band overlap connection results with a high mechanical strength that the corresponds to the brazed connection and theoretically up to about 200 K above the diffusion temperature ther is mechanically and mechanically loadable.

Grundsätzlich läßt sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Festigkeit der Diffusionslötverbin­ dung erzielen, die der Festigkeit der Grundwerk­ stoffe entspricht. Die Festigkeit wird dabei beein­ flußt durch die Grundwerkstoffkombination, die Be­ schichtungsdicke, die Diffusionstemperatur und Dif­ fusionszeit, die Aufheizgeschwindigkeit, die Druck­ kraft, die Ebenheit der Fügeflächen und die Lötat­ mosphäre (Luft, Schutzgas Vakuum). Die Erfindung umfaßt selbstverständlich alle technisch realisier­ baren Variationen der vorgenannten Parameter, so­ lange von den Merkmalen des Hauptanspruchs Gebrauch gemacht wird.Basically, with the invention Process a strength of the diffusion solder joint achieve the strength of the foundation corresponds to fabrics. The strength is affected flows through the base material combination, the Be layer thickness, the diffusion temperature and Dif fusion time, the heating rate, the pressure strength, the flatness of the joining surfaces and the soldering atmosphere (air, protective gas vacuum). The invention includes of course all technically realizable ed variations of the aforementioned parameters, see above long use of the features of the main claim is made.

Claims (14)

1. Verfahren zur Herstellung von Diffusionslötver­ bindungen zwischen mindestens zwei Verbindungspart­ nern, wobei die Fügefläche mindestens eines Verbin­ dungspartner mit einer diffusionsunterstützenden Schicht versehen wird und anschließend die Verbin­ dungspartner unter Erwärmung und Druck zusammengefügt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die diffusionsun­ terstützende Schicht aus einer niedrigschmelzenden Beschichtungslegierung besteht, deren Schmelzpunkt kleiner 450°C ist.1. A method for producing Diffusionslötver connections between at least two connection partners, the joining surface of at least one connection partner being provided with a diffusion-supporting layer and then the connection partners being joined under heating and pressure, characterized in that the diffusion-supporting layer consists of a low-melting point Coating alloy exists, whose melting point is less than 450 ° C. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die niedrigschmelzende Beschichtungslegierung aus 45 bis 55 Gew% Zinn und 55 bis 45 Gew% Indium;
48 bis 60 Gew% Zinn, 32 bis 20 Gew% Blei und 8 bis 32 Gew% Indium;
45 bis 55 Gew% Wismut, 25 bis 15 Gew% Indium, 15 bis 25 Gew% Blei und 25 bis 1 Gew% Zinn;
10 bis 65 Gew% Wismut, 15 bis 35 Gew% Indium und 10 bis 25 Gew% Zinn;
85 bis 99 Gew% Zinn und 15 bis 1 Gew% Silber;
80 bis 95 Gew% Zinn, 15 bis 3 Gew% Silber und 17 bis 2 Gew% Titan;
95 bis 99 Gew% Zinn und 5 bis 1 Gew% Kupfer;
85 bis 95 Gew% Zinn, 5 bis 15 Gew% Wismut und 0,1 bis 5 Gew% Kupfer;
70 bis 90 Gew% Zinn, 10 bis 30 Gew% Indium und 0,1 bis 5 Gew% Silber;
50 bis 70 Gew% Indium und 50 bis 30 Gew% Wismut;
40 bis 60 Gew% Wismut, 20 bis 40 Gew% Blei und 10 bis 20 Gew% Zinn;
40 bis 70 Gew% Wismut und 60 bis 30 Gew% Zinn oder
90 bis 99 Gew% Zinn und 10 bis 1 Gew% Silber be­ steht.2. The method according to claim 1, characterized in that the low-melting coating alloy of 45 to 55% by weight of tin and 55 to 45% by weight of indium;
48 to 60% by weight of tin, 32 to 20% by weight of lead and 8 to 32% by weight of indium;
45 to 55 wt% bismuth, 25 to 15 wt% indium, 15 to 25 wt% lead and 25 to 1 wt% tin;
10 to 65% by weight bismuth, 15 to 35% by weight indium and 10 to 25% by weight tin;
85 to 99% by weight of tin and 15 to 1% by weight of silver;
80 to 95% by weight of tin, 15 to 3% by weight of silver and 17 to 2% by weight of titanium;
95 to 99% by weight of tin and 5 to 1% by weight of copper;
85 to 95% by weight of tin, 5 to 15% by weight of bismuth and 0.1 to 5% by weight of copper;
70 to 90% by weight of tin, 10 to 30% by weight of indium and 0.1 to 5% by weight of silver;
50 to 70% by weight indium and 50 to 30% by weight bismuth;
40 to 60 wt% bismuth, 20 to 40 wt% lead and 10 to 20 wt% tin;
40 to 70% by weight bismuth and 60 to 30% by weight tin or
90 to 99% by weight of tin and 10 to 1% by weight of silver exist. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Schichtdicke der Beschich­ tungslegierung 1 bis 6 µm beträgt.3. The method according to claim 1 or 2, characterized ge indicates that the layer thickness of the coating tion alloy is 1 to 6 µm. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die Beschichtungslegie­ rung auf die Fügefläche des mindestens einen Ver­ bindungspartners schmelzflüssig oder durch Sputtern oder glavanisch mittels Maskentechnik aufgetragen wird. 4. The method according to any one of claims 1 to 3, because characterized in that the coating alloy tion on the joining surface of the at least one ver binding partner molten or by sputtering or applied in a Glavanian way using mask technology becomes.   5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da­ durch gekennzeichnet, daß die einzelnen Bestand­ teile der Beschichtungslegierung galvanisch oder durch Vakuumbedampfung oder durch Sputtern als Mul­ tilayer aufgetragen werden.5. The method according to any one of claims 1 to 4, there characterized by that the individual stock parts of the coating alloy galvanically or by vacuum evaporation or by sputtering as Mul tilayer can be applied. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da durch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke der ein­ zelnen Bestandteile in der Multilayer 1 bis 10 µm beträgt.6. The method according to any one of claims 1 to 5, there characterized in that the layer thickness of a individual components in the multilayer 1 to 10 µm is. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß vor dem Auftragen der Be­ schichtungslegierung eine vorzugsweise galvanisch abgeschiedene Kupfer-Basisschicht auf die Fügeflä­ che des mindestens einen Verbindungspartners aus einer Eisen-Legierung aufgetragen wird.7. The method according to any one of claims 1 to 6, there characterized in that before applying the Be Layering alloy is preferably galvanic deposited copper base layer on the joining surface che of the at least one connection partner an iron alloy is applied. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da­ durch gekennzeichnet, daß die niedrigschmelzende Beschichtungslegierung Aktivmetalle vorzugsweise Titan, Hafnium, Zirconium oder Niob enthält.8. The method according to any one of claims 1 to 7, there characterized in that the low melting Coating alloy active metals preferably Contains titanium, hafnium, zirconium or niobium. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da­ durch gekennzeichnet, daß die Aktivmetalle in Form von Aktivmetallschichten zwischen die einzelnen Schichten der Multilayer, vorzugsweise in einer Dicke von 0,01 bis 1 µm, aufgebracht werden.9. The method according to any one of claims 1 to 8, there characterized in that the active metals in the form of active metal layers between the individual Layers of multilayers, preferably in one Thickness of 0.01 to 1 micron, are applied. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da­ durch gekennzeichnet, daß die auf den mindestens einen Verbindungspartner galvanisch oder als Multi­ layer aufgebrachte Beschichtung vor dem Zusammen­ fügen der Verbindungspartner aufgeschmolzen wird. 10. The method according to any one of claims 1 to 9, there characterized in that the at least a connection partner galvanically or as a multi layer applied coating before assembling add the connection partner is melted.   11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Verbindungspartner mit einer Beschichtungslegierung versehen werden.11. The method according to any one of claims 1 to 10, characterized in that two connection partners be provided with a coating alloy. 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Erwärmung unter ei­ nem Druck von 1 bis 300 N/mm², vorzugsweise zwi­ schen zwei Heizstempeln, durchgeführt wird.12. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the heating under egg nem pressure of 1 to 300 N / mm², preferably between between two heating stamps. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Zusammenfügen der Verbindungspartner bei einer Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes der niedrigschmelzenden Be­ schichtungslegierung liegt, vorzugsweise bei 200°C bis 450°C.13. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the assembly of the Connection partner at a temperature above the melting point of the low-melting Be Layering alloy is preferably at 200 ° C. up to 450 ° C. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungspartner aus Kupfer, Eisen, Nickel, Kobalt oder deren Legie­ rungen bestehen.14. The method according to any one of claims 1 to 13, characterized in that the connection partner made of copper, iron, nickel, cobalt or their alloy there exist.
DE19615841A 1996-04-20 1996-04-20 Production of diffusion solder joins between joining partners Ceased DE19615841A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19615841A DE19615841A1 (en) 1996-04-20 1996-04-20 Production of diffusion solder joins between joining partners

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19615841A DE19615841A1 (en) 1996-04-20 1996-04-20 Production of diffusion solder joins between joining partners

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19615841A1 true DE19615841A1 (en) 1997-11-06

Family

ID=7791980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19615841A Ceased DE19615841A1 (en) 1996-04-20 1996-04-20 Production of diffusion solder joins between joining partners

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19615841A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10314876A1 (en) * 2003-04-01 2004-11-04 Infineon Technologies Ag Process for the multi-stage production of diffusion solder connections for power components with semiconductor chips
EP2436473A1 (en) * 2010-09-29 2012-04-04 Kompetenzzentrum Neue Materialien Nordbayern GmbH Method and device for producing a metal body from metal layers arranged over each other

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989007999A1 (en) * 1988-02-29 1989-09-08 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Process for resistance diffusion junction
EP0568952A1 (en) * 1992-05-04 1993-11-10 The Indium Corporation Of America Lead-free alloy containing tin, silver and indium
EP0588545A1 (en) * 1992-09-14 1994-03-23 Showa Aluminum Corporation Method of hot brazing aluminum articles

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989007999A1 (en) * 1988-02-29 1989-09-08 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Process for resistance diffusion junction
EP0568952A1 (en) * 1992-05-04 1993-11-10 The Indium Corporation Of America Lead-free alloy containing tin, silver and indium
EP0588545A1 (en) * 1992-09-14 1994-03-23 Showa Aluminum Corporation Method of hot brazing aluminum articles

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10314876A1 (en) * 2003-04-01 2004-11-04 Infineon Technologies Ag Process for the multi-stage production of diffusion solder connections for power components with semiconductor chips
DE10314876B4 (en) * 2003-04-01 2008-02-14 Infineon Technologies Ag Method for the multi-stage production of diffusion solder joints and its use for power components with semiconductor chips
US7851910B2 (en) 2003-04-01 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Diffusion soldered semiconductor device
EP2436473A1 (en) * 2010-09-29 2012-04-04 Kompetenzzentrum Neue Materialien Nordbayern GmbH Method and device for producing a metal body from metal layers arranged over each other

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0123702B1 (en) Method of joining metallic work pieces
DE3783489T2 (en) TITANIUM-COPPER-NICKEL HARD SOLDER ADDITIVES.
DE3781882T2 (en) INTERMEDIATE PIECE FOR DIFFUSION JOINTING WITH LIQUID PHASE.
WO2005082569A1 (en) Method for welding similar metal joining partners, in particular, aluminium-copper connecting points
DE60119695T2 (en) METHOD FOR PRODUCING A CONNECTION BETWEEN COPPER AND STAINLESS STEEL
DE102016115364A1 (en) Method for forming a cohesive joint connection
DE60117291T2 (en) METHOD FOR THE PROTECTIVE GAS SOLDERING OF A GALVANICALLY TREATED PRODUCT WITH A STEEL STRUCTURE COMPONENT AND AN ANTI-FREEZE METAL COATING
EP1027728A1 (en) Component and method for production thereof
EP0229954B1 (en) Process for manufacturing integral construction elements of highly steady aluminium
DE60221874T2 (en) EXTERNAL PART OF A CLOCK AND METHOD FOR PRODUCING THE PART
DE2357231C2 (en) Method for joining magnetic-ceramic and metallic components
DE60212678T2 (en) METHOD FOR METALLIZING AND / OR SOLDERING OXID CERAMIC COMPONENTS BY MEANS OF A SILICON ALLOY THAT WILL NOT BE USED
DE2816120A1 (en) METHOD OF CONNECTING A TUNGSTEN CONTAINING ANODENTARGET TO A GRAPHITE SUBSTRATE
EP0180070B1 (en) Enamelled object and method of fabricating an enamellable weld joint
DE19632378A1 (en) Diffusion soldering joint and method of producing same
DE19615841A1 (en) Production of diffusion solder joins between joining partners
DE102006051936B4 (en) Process for producing two interconnected layers and functional component which can be produced by the process
DE3827318A1 (en) GASKET BETWEEN CERAMIC OBJECTS OR BETWEEN CERAMIC AND METALLIC OBJECTS
DE3740773A1 (en) Method for producing electroconductive bonds
WO2010066494A2 (en) Arrangement of two substrates having a slid bond and method for producing such an arrangement
DE10239416B4 (en) Process for the preparation of a ceramic layer composite body
DE10240355B4 (en) Composite component and method for producing a composite component
DE60120408T2 (en) brazing filler metal
DE2605874A1 (en) HIGH TEMPERATURE SOLDERING FORMS AND THEIR USE IN A DIFFUSION SOLDERING PROCESS
DE102015226746A1 (en) Solder, solder metal powder and method for joining components

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection