DE1961191A1

DE1961191A1 - Image display system

Info

Publication number: DE1961191A1
Application number: DE19691961191
Authority: DE
Inventors: Gibson Jun Charles Byron
Original assignee: Tektronix Inc
Current assignee: Tektronix Inc
Priority date: 1968-12-06
Filing date: 1969-12-05
Publication date: 1971-04-01
Also published as: US3600509A; NL6918137A; FR2025562A1; GB1262919A; JPS4926032B1

Description

Patentanwälte Dipl.-Ing. F. Weickmann, 1961191Patent attorneys Dipl.-Ing. F. Weickmann, 1961191

Dipl.-Ing. H.WEICKMANN, Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke Dipl.-Ing. F. A-Weickmann, Dipl.-Chem. B. HuberDipl.-Ing. H.WEICKMANN, Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke Dipl.-Ing. F. A-Weickmann, Dipl.-Chem. B. Huber

8 MÜNCHEN 86, DEN8 MUNICH 86, DEN

POSTFACH 860 820PO Box 860 820

MÖHLSTRASSE 22, RUFNUMMER 48 3921/22MÖHLSTRASSE 22, CALL NUMBER 48 3921/22

TEKTRONIX ING.TEKTRONIX ING.

14150 Southwest Karl Braun Drive14150 Southwest Karl Braun Drive

Beaverton, Oregon, Y. St. A.Beaverton, Oregon, Y. St. A.

Image display system

Die Erfindung bezieht sich auf eine Bildspeicherröhre und auf ein Bildkontrollsystem.The invention relates to an image storage tube and an image control system.

Pur eine Direktbetrachtung dienende Kathodenstrahlröhren mit bistabilen Speichereigenschaften sind in verschiedenen Ausführungsarten bekannt. Derartige Röhren weisen im allgemeinen Überflutungs-Elektronenkanonen zusätzlich zu einer Schreib-Elektronenkanone mit zugehörigen X- und Y-AbIenkplatten auf. Derartige Röhren weisen eine dielektrische Speicherschicht
auf, die ggfs. die Leuchtstoffschicht sein kann, auf der das Sichtbild erzeugt wird. Ferner haben derartige Röhren einen Kollektor für die Aufnahme von Sekundäremissionselektroden. Zu diesem Zweck kann z.B. ein Gitter aus elektrisch leitendem Material zwischen der dielektrischen Schicht und den
Elektronenkanonen vorgesehen sein.Cathode ray tubes which are used for direct viewing and have bistable storage properties are known in various designs. Such tubes generally have flood electron guns in addition to a write electron gun with associated X and Y baffles. Such tubes have a dielectric storage layer
which may be the phosphor layer on which the visual image is generated. Furthermore, such tubes have a collector for receiving secondary emission electrodes. For this purpose, for example, a grid of electrically conductive material between the dielectric layer and the
Electron guns may be provided.

109814/1346109814/1346

Speicherröhren besitzen im allgemeinen ein elektrisch leitendes Teil oder eine Tragschicht,auf der das Speicherdielektrikum abgelagert ist. Teile der Tragschicht können dabei auch als Kollektor dienen. Die Leuchtstoffschicht, die den Fluoreszenzschirm bildet, auf dem das Lichtbild erzeugt wird, kann ebenfalls das Speicherdielektrikum bilden. Somit besitzt eine besonders effektive Speicherröhre eine au-ch das Speicherdielektrikum bildende Leuchtstoffschicht, die auf einer Schicht aus transparentem Material abgelagert ist, das für das Dielektrikum die Tragschicht darstellt. Die betreffende Schicht aus transparentem Material ist ihrerseits auf der Innenfläche der Glasstirnplatte der Kathodenstrahlröhre aufgebracht. Die Glasplatte tr^gt eine große Anzahl an kleinen Erhöhungen, die mit der transparenten leitenden Schicht überzogen sind. Die betreffende Schicht ragt dabei durch die dielektrische Schicht des Leuchtstoffs hindurch. Die durch diese Leuchtstoffschicht hindurchragendeh Teile der leitenden Schicht stellen ferner einen wirksamen Elektron entollektorfür die Aufnahme von Sekundärelektronen dar.Storage tubes generally have an electrically conductive part or a support layer on which the storage dielectric is placed is deposited. Parts of the base course can also serve as a collector. The phosphor layer that forms the fluorescent screen on which the light image is generated, can also form the storage dielectric. Consequently a particularly effective storage tube has an au-ch the phosphor layer forming the storage dielectric, the is deposited on a layer of transparent material which is the support layer for the dielectric. The person in question A layer of transparent material is in turn on the inner surface of the glass faceplate of the cathode ray tube upset. The glass plate supports a large number on small bumps covered with the transparent conductive layer. The layer in question protrudes through the dielectric layer of the phosphor. The parts protruding through this phosphor layer the conductive layer also represent an effective electron collector for the absorption of secondary electrons.

Systeme zum Betreiben von Speicherröhren im Speicherbetrieb, wie dies auch bei dem vorliegenden System der Fall ist, rufen normalerweise einen Elektronenstrahl mit eine hohe Geschwindigkeit besitzenden Elektronen von einer Schreib-Elektronenstrahlkanone hervor. Diese Elektronenstrahlen treffen auf das Speicherdielektrikum auf. Ferner werden Überflutungs-Elektronenkanonen in Betrieb gesetzt, die mit ihren abgegebenen Elektronen die Oberfläche des Speicherdielektri— kums mit eine geringere Geschwindigkeit besitzenden Elektronen überfluten. Die Spannung zwischen der Tragschicht und den Kathoden der Überflutungs-Elektronenkanonen ist so gewählt, daß das Verhältnis der Anzahl an Sekundäre!ektronen von den nicht beschriebenen Bereichen des Speicherdielektrikums zu der Anzahl der Primärelektronen, die von den Über—Systems for operating storage tubes in storage mode, as is the case with the present system, typically produce a high velocity electron beam from a write electron beam gun. These electron beams strike the storage dielectric. Furthermore, flood electron guns are put into operation, which with their released electrons flood the surface of the storage dielectric at a lower speed with electrons. The voltage between the base layer and the cathodes of the flood electron guns is selected so that the ratio of the number of secondary electrons from the areas of the storage dielectric that are not described to the number of primary electrons from the over-

109814/1346109814/1346

flutungs-Elektronenkanonen diese Bereiche erreichen, kleiner als eins ist. Unter diesen Voraussetzungen nimmt die Oberfläche der nicht beschriebenen Bereiche der Leuchtstoffschicht das Potential der Überflutungs-Elektronenkanonenkathoden an. Die Geschwindigkeit, mit der die Elektronen von den Überflutungs-Elektronenkanone?a auf die Leuchtstoffschicht in diesen Bereich auftrifft, ist sehr niedrig. Dadurch wird in diesen Bereichen eine schwache Fluoreszenz erzeugt.flooding electron guns reach these areas is less than one. Under these conditions takes the surface of the areas of the phosphor layer which are not written on, the potential of the flood electron gun cathodes at. The speed at which the electrons from the flood electron gun? A to the Phosphor layer impinging in this area is very low. This creates weak fluorescence in these areas.

Die Spannung zwischen der Tragschicht und der Kathode der Schreib-Elektronenkanone ist jedoch so gewählt, daß das Verhältnis der Anzahl von Sekundärelektronen von derjenigen Grundfläche des Speicherdielektrikums, auf die der Schreibstrahl aufgetroffen ist, zu der Anzahl der Primärelektronen, die auf derartige Bereiche auftreffen, sehr viel größer ist als eins. Dadurch nehmen die beschriebenen Bereiche ein positives Potential in Bezug auf die nicht beschriebenen Bereiche an. Die zuvor erwähnte Spannung zwischen der Tragschicht und den Kathoden der Überflutungs-Elektronenkanonen liegt jedoch noch in dem Bereich für die bistabile Speicherung, in welchem die von den Überflutungs-Elektronenkanonen abgegebenen Elektronen auf die positiveren beschriebenen Bereiche mit einer derart hohen Geschwindigkeit auftreffen, daß das Verhältnis der e.mibtierten Selcundarelektronen zu den Primärelektronen größer als eins bleibt. Dies führt dazu, daß die positiveren Grundflächen, die ursprünglich von den Elektronen des Schreibstrahls getroffen worden sind, eine maximale positive Spannung in Bezug auf die Kathoden der Überflutungs-Elektronenkanonen annehmen, und zwar eine Spannung, wie sie durch die Spannung^.<£ertragschicht und den Kathoden der Überflutungs-Elektronenkanonen bestimmt ist. Damit reicht die Geschwindigkeit, mit der die Elektronen von den Überflutungs-Elektronenkanonen auf die Leuchtstoff schicht auftreffen, aus, um die durch die ElektronenThe voltage between the base layer and the cathode of the writing electron gun is selected so that the Ratio of the number of secondary electrons from that Base area of the storage dielectric on which the write beam hit the number of primary electrons, that hit such areas is much larger as one. As a result, the areas described have a positive potential in relation to the areas not described Areas. The aforementioned voltage between the base layer and the cathodes of the flood electron guns However, it is still in the range for bistable storage in which the electron guns emitted from the flood Electrons hit the more positively written areas at such a high speed that that the ratio of the e.mibtierte Selcundar electrons to the Primary electrons larger than one remains. This leads to the fact that the more positive footprints originally from the Electrons of the write beam have been hit, a maximum positive voltage with respect to the cathodes of the Flood electron guns accept, and indeed a voltage, as determined by the voltage ^. <£ base layer and the cathodes of the flood electron guns. With that the speed with which the electrons are sufficient from the flood electron guns hit the fluorescent layer, from the electrons

10 9 8 14/134610 9 8 14/1346

der Schreib-Elektronenkanone hervorgerufene ursprüngliche Helligkeit beizubehälten bzw. in den meisten Fällen noch zu steigern.to maintain the original brightness produced by the writing electron gun or in most cases still to increase.

Bas auf der dielektrischen Speicherschicht gespeicherte Bild kann auf dem Anzeigeschirm einer Bildüberwachungsröhre wiedergegeben werden, die mit einem Fluoreszenzschirm und mit einem Ablenksystem sowie mit einer Z-Achsensteuerung versehen ist. Dies erfolgt dadurch, daß ein Leseraster oder irgendein anderes Lesebild in der Speicherröhre erzeugt wird, und zwar durch eine Lese-Elektronenstrahlkanone und durch ein Ablenksystem. Ferner erfolgt dies durch ein entsprechendes Raster in der Überwachungsbildröhre durch eine Schreib-Elektronenkanone und durch ein entsprechendes Ablenksystem. Die Stärke des Lese-Elektronenstrahls in der Speicherröhre wird hinreichend niedrig gehalten, so daß das Verhältnis der Anzahl an emittierten Selundärelektronen zu der Anzahl an Primärelektronen von der Lese-Elektronenkanone kleiner a_ls eins ist. Damit erfolgt eine Speicherung des Rasters, und die Hintergrundbeleuchtung der Speicherschicht der Speicherröhre bleibt ebenfalls gering.Bas stored on the dielectric storage layer Image can be displayed on the display screen of an image monitoring tube equipped with a fluorescent screen and is provided with a deflection system as well as with a Z-axis control. This is done in that a reading frame or any other reading image is produced in the storage tube by an electron beam reading gun and through a deflection system. Furthermore, this is done by a corresponding grid in the monitoring picture tube by a Write electron gun and a corresponding deflection system. The strength of the reading electron beam in the storage tube is kept sufficiently low so that the ratio of the number of secondary electrons emitted to the number of primary electrons from the reading electron gun is less than one. This saves the grid, and the backlighting of the storage layer of the storage tube also remains low.

Ein Elektronenstrom, der einen Wert besitzt, wenn der Elektronenstrahl der Lese-Elektronenkanone auf einen nicht beschriebenen Bereich der dielektrischen Speicherschicht auftrifft, und der einen anderen Wert besitzt, wenn dieser Elektronenstrahl auf einen positiveren beschriebenen Bereich auftrifft, kann von irgendeiner Elektrode der verschiedenen Elektroden der Speicherröhre erhalten werden. Dabei ist es zweckmäßig, ein Signal von dem Elektronenstrom in der externen Verbindung zu einem dicht neben dem Speicherdielektrikum angeordneten Kollektor für die Sekundärelektronen abzuleiten.' In der gerade betrachteten Röhre kann dieses Signal von dem Strom gewonnen werden, der von den durch das Speicherdielek-An electron current that has a value when the electron beam the reading electron gun hits a non-written area of the dielectric storage layer, and which has a different value when this electron beam hits a more positive recorded area can be from any one of the various electrodes Electrodes of the storage tube can be obtained. It is useful to have a signal from the electron flow in the external To derive connection to a collector for the secondary electrons arranged close to the storage dielectric. ' In the tube just considered, this signal can be obtained from the current flowing through the storage dielectric.

trikum hindurchragenden kleinen Kollektorelementen durch die Tragschicht und zu dem äußeren Anschluß der Tragschicht hinfließt. Änderungen in diesem Strom ^können dazu herangezogen werden, eine Z-Achsen-Modulation/der Überwachungsbildröhre vorzunehmen und damit auf dem Anzeigeschirm der Kontrollbildröhre ein dem gespeicherten Bild der Speicherröhre entsprechendes Bild zu erzeugen.tricum protruding through small collector elements the base course and flows towards the outer connection of the base course. Changes in this stream ^ can be used for this a Z-axis modulation / of the surveillance picture tube undertake and thus on the display screen of the control picture tube corresponding to the stored image of the storage tube Generate image.

Ein Betrieb des obigen Systems in der Speicherbetriebsart kann jedoch nicht dazu herangezogen werden, einer Veränderung in dem Bild zu folgen, das auf einer der beiden Röhren angezeigt wird, sofern nicht häufig noch Löschvorgänge ausgeführt werden. Derartige Löschvorgänge rufen jedoch einen unangenehmen Übergang bei der Speicherröhre und bei der Bildkontrollröhre hervor. Die Löschvorgänge sind erforderlich, da jede Veränderung in dem durch den Schreibstrahl geschriebenen Bild das ursprünglich gespeicherte Bild als Sichtbild bzw. als elektrisches Bild in seiner originalen Lage beläßt und da in jeglichen weiteren Bereichen der von dem Schreibstrahl der Schreib-Elektronenkanone während der Veränderung getroffenen Speicherschicht eine entsprechende Aufzeichnung gespeichert wird und somit ein Teil des Sichtbildes auf beiden Röhren vorhanden ist. Veränderungen in Form oder Größe des angezeigten Bildes zufolge einer Veränderung in dem dem Speicheroszillografen zugeführten Signal oder zufolge einer manuellen Einstellung der Signalbedämpfung oder der Einstellung der Ablenkfrequenzsteuerungen des Oszillografen führen dazu, daß der Fluoreszenzschirm mit einem breiten Beleuchtungsband überzogen wird anstatt ein gewünschtes Signal anzuzeigen.However, operating the above system in the memory mode cannot be relied on to change to follow in the picture that is displayed on one of the two tubes, provided that there are not frequent deletions are executed. However, such erasure processes cause an uncomfortable transition in the storage tube and in the image control tube emerged. The erasures are necessary because of any change in that written by the write beam Image leaves the originally stored image as a visual image or as an electrical image in its original position and there in any other areas of the writing beam of the writing electron gun during the change a corresponding recording is stored and thus a part of the visual image on both Tubes is present. Changes in the shape or size of the displayed image result from a change in the The signal supplied to the storage oscilloscope or as a result of a manual setting of the signal attenuation or the setting the deflection frequency controls of the oscilloscope cause the fluorescent screen with a wide Lighting band is covered instead of displaying a desired signal.

Die zuvor betrachteten Speicherröhren sind ferner normalerweise in einer NichtSpeicher-Betriebsart betrieben worden, indem die Überflutungs-Elektronenkanonen unwirksam gemachtThe storage tubes previously considered are also normal operated in a non-memory mode, by rendering the flood electron guns ineffective

1098U/13A61098U / 13A6

wurden, wie z.B. durch einen Schalter, mit dessen Hilfe die Kathoden der Überflutungs-Elektronenkanoneii von dem negativen Pol einer Speisespannungsquelle abgeschaltet wurden, die zwischen diesen Kathoden und dem Kollektor für die Speicherschicht geschaltet ist. Die Speicherröhre wird somit zu einer herkömmlichen Oszillografenröhre, wobei- abgesehen von den sehr niedrigen Schreibgeschwindigkeiten - die Nachleuchtdauer des Leuchtstoffs der Speicherröhre ausreicht, um von irgendeinem geschriebenen Signal ein vollständiges _Ä Sichtbild zu liefern.were, for example, by a switch, with the help of which the cathodes of the flood electron guns were switched off from the negative pole of a supply voltage source, which is connected between these cathodes and the collector for the storage layer. The storage tube is thus to a conventional Oszillografenröhre, wobei- apart from the very low writing speeds - the afterglow of the phosphor of the storage tube is sufficient to provide a complete _Ä view image from any written signal.

Verwendet man das oben betrachtete Überwachungssystem mit der Speicherröhre in dem Nichtspeicherbetrieb, wie er durch Abschalten der Kathoden der Überflutungs-Elektronenkanone erzielt wird, so führt dies in vielen Fällen nicht zu einer vollständigen Wiedergabe des auf der Speicherschicht der Speicherröhre geschriebenen Bildes auf dem Anzeigeschirm der Überwachungsbildröhre. Damit reicht die Nachleuchtdauer des Bildes auf der Leuchtstoffschicht oder auf dem anderen Speicherdielektrikum nicht -aus, um zu gewährleisten, daß der Elektronenstrahl der Lese-Elektronenkanone beim Nachlaufen des Leserasters stets auf eine Fläche auftrifft, die von dem w Elektronenstrahl der Schreib-Elektronenkanone geschrieben worden ist, und zwar bevor diese Schreibfläche auf ein Potential abgesunken ist, das keine hinreichend starke Änderung in dem Kollektorstrom hervorruft, um ein Beschreiben der entsprechenden Fläche auf dem Anzeigeschirm der Überwachungsröhre zu bewirken. Das Ergebnis hiervon ist, daß das Bild auf dem Anzeigeschirm der Überwachungsröhre im allgemeinen nur ein Fragment ist. Dies bedeutet, daß auch der herkömmliche Nichtspeicherbetrieb nicht zufriedenstellend dazu herangezogen werden kann, iiT einer Überwachungsröhre einer Veränderung in der Sichtanzeige auf der Speieherschicht einer Speicherröhre zu folgen.If the above-considered monitoring system with the storage tube is used in the non-storage mode, as is achieved by switching off the cathodes of the flood electron gun, then in many cases this does not lead to a complete reproduction of the image written on the storage layer of the storage tube on the display screen of the monitoring picture tube . Thus the persistence ranges of the image on the phosphor layer or on the other storage dielectric not -aus to ensure that the electron beam of the reading electron gun always hits the hunting of the reading frame in an area that had been written by the w electron beam of the writing electron gun before that writing surface has dropped to a potential which does not produce a change in the collector current sufficiently large to cause the corresponding surface to be written on on the display screen of the monitoring tube. The result of this is that the image on the monitor tube display screen is generally only a fragment. This means that even the conventional non-storage operation cannot be used satisfactorily to follow a change in the visual display on the storage layer of a storage tube.

109814/1346109814/1346

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, einen Weg zu zeigen, wie unter "Vermeidung der vorstehend aufgezeigten Nachteile vorzugehen ist, um ein eine Sichtüberwachung ermöglichendes Überwachungsröhrens ystem zu schaffen, das einer Veränderung eines sichtbaren Bildes auf der Speicherschicht einer Speicherröhre zu folgen vermag.The invention is therefore based on the object of showing a way as under "Avoidance of the above Disadvantages is to proceed in order to enable visual monitoring Monitoring tube system to create a change in a visible image on the storage layer able to follow a storage tube.

Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe bei einem Bildanzeigesystem mit einer Bildspeicher-Kathodenstrahlröhre und einer Bildkontrollröhre erfindungsgemäß dadurch, daß die Bildspeicher-Kathodenstrahlröhre zumindest eine Elektronenstrahlen abgebende Elektronenkanone und eine Überflutungs-Elektronenkanone aufweist und mit einer dielektrischen Speicherschicht versehen ist, die von einer tragschicht aus elektrisch leitendem Material getragen und so angeordnet ist, daß sie Elektronen von den Elektronenkanonen aufnimmt, daß ein Kollektor zur Aufnahme von von dem Dielektrikum emittierten Sekundärelektronen vorgesehen ist, daß eine Ablenkschaltung vorgesehen ist, die mit einem von einer Elektronenkanone abgegebenen Lese-Elektronenstrahl aufeinanderfolgende Lesebilder auf dem Dielektrikum erzeugt, daß Einrichtungen vorgesehen sind, die die Abgabe eines Scbreib-Elektronenstrahles· von einer Elektronenkanone bewirken und mit diesem Elektronenstrahl ein elektrisches Bild auf dem Dielektrikum während Zeitspannen schreiben, während der mit dem Lese-Elektronenstrahl kein Lesebild erzeugt wird, daß Einrichtungen vorgesehen sind, die für die Speicherung des elektrischen Bildes auf dem Dielektrikum der Speicher-Kathodenstrahlröhre die Tragschicht auf einem positiven Potential in Bezug auf die Kathoden der Elektronenkanonen halten, daß Einrichtungen vorgesehen sind, die die Bildspeicher-Kathodenstrahlröhre in einen Kichtspeicherbetrieb überführen, und zwar durch eine solche Verringerung des Potentials zwischen der Tragschicht und der Kathoden/uberflutungs-Elektronenkanone, daß keine Bildspeicherung erfolgt, daß aber ein gesteuertes NachleuchtenThe above object is achieved in an image display system with an image storage cathode ray tube and an image control tube according to the invention in that the image storage cathode ray tube has at least one electron beam emitting electron gun and one flood electron gun and is provided with a dielectric storage layer which extends from a support layer electrically conductive material is carried and arranged to receive electrons from the electron guns that a collector for receiving secondary electrons emitted by the dielectric is provided, that a deflection circuit is provided, the successive reading images with a reading electron beam emitted by an electron gun generated on the dielectric, that devices are provided which allow the emission of a writing electron beam from an electron gun and with this electron beam an electrical image on the dielectric during Write periods of time during which no reading image is generated with the reading electron beam, that devices are provided that are responsible for storing the electrical image on the dielectric of the storage cathode ray tube Support layer at a positive potential with respect to the cathodes of the electron guns keep that facilities are provided, which convert the image storage cathode ray tube in a Kichtspeicherbetrieb, namely by a such a reduction in the potential between the base layer and the cathode / flood electron gun that no image storage takes place, but that a controlled afterglow

1098 U./1 3AE1098 U./1 3AE

- S-- S-

des Bildes während einer Zeitspanne möglich ist, die zumindest so groß ist wie die Dauer eines Lesebildes, und daß Einrichtungen vorgesehen sind, die auf Grund von Änderungen in dem Kollektor-Elektronenstrom und in den Signalen der Ablenkschaltung auf der Bildkontrollröhre ein sichtbares Bild tiervorrufen.of the image is possible during a period of time that is at least as long as the duration of a reading image, and that means are provided which are due to changes in the collector electron current and in the Signals from the deflection circuit on the image control tube evoke a visible image.

Anstatt einer Überführung der Überflutungs-Elektronenkanonen der Speicherröhre in den nicht wirksamen Zustand zwecks Erzielung eines Nichtspeicherbetriebs hat sich erfindungsgemäß erwiesen, daß es möglich ist, die Spannung zwischen der Tragschicht der Speicherschicht und den Kathoden der Überflutungs-Elektronenkanone auf einen solchen V/ert herabzusetzen, bei dem noch keine Speicherung erfolgt, bei dem aber eine gesteuerte Nachleuchtdauer der dielektrischen Speicherschicht während einer Zeitspanne hervorgerufen wird, die zumindest gleich der Zeitdauer eines Einzelbildes des Leserasters ist. Dadurch ist es für die Überwachungsröhre möglich, stets das vollständige sichtbare Bild zu zeigen, das zu irgendeinem Zeitpunkt auf der Leuchtstoffschicht der Speicherröhre vorhanden ist, und jeglichen Veränderungen in diesem Bild zu folgen.Instead of converting the flooding electron guns of the storage tube into the inoperative state in order to achieve a non-storage operation, according to the invention proved that it is possible to reduce the voltage between the support layer of the storage layer and the cathodes of the flood electron gun to such a value at which no storage takes place at but a controlled persistence of the dielectric Storage layer is generated during a period of time which is at least equal to the duration of a single image of the Reading frame is. This makes it possible for the monitoring tube to always show the complete visible image, that at any point in time on the phosphor layer of the Storage tube is in place, and any changes in this picture should be followed.

Jegliches auf der Leuchtstoffschicht der Speicherröhre gespeicherte Bild wird beim Übergang vom Speicherbetrieb in den ilichtspeicherbetrieb allmählich verblassen. Dies ist ebenfalls bei jedem Bild der Fall, das während des Nichtspeicherbetriebs geschrieben wird, wenn der Schreibvorgang bei diesem Bild unterbrochen oder auf irgendeinen anderen Teil der Anzeige auf der Speicherröhre gerichtet wird. In dem zuletzt erwähnten Fall besteht die Auswirkung auf die Sichtanzeige der Überwachungsröhre und der Speicherröhre darin, daß das vollständige oben erwähnte Bild sich von einer Stelle zu einer anderen Stelle bewegt. Dabei sind keif!ο Löschoperationen erforderlich. ■-■:.-. Anything on the fluorescent layer of the storage tube The stored image will gradually fade when changing from the storage mode to the light storage mode. This is also the case with every image that is during the non-storage operation is written when the writing process is interrupted on this picture or on any other part the display on the storage tube. In the last-mentioned case, there is an effect on the visual display the monitoring tube and the storage tube in that the complete picture mentioned above is from one place moved to another location. No delete operations are required. ■ - ■: .-.

109814/13/κ109814/13 / κ

An Hand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend näher erläutert.The invention is explained below with reference to drawings explained in more detail.

JFig. 1 zeigt in einem Blockdiagramm schematisch ein System gemäß der Erfindung, unter Verwendung einer eine Direktbetrachtung ermöglichenden Speicher-Kathodenstrahlröhre mit ein und derselben Elektronenstrahlkanone für den Speicherund Auslesevorgang.JFig. 1 schematically shows a system in a block diagram according to the invention, using a direct viewing storage cathode ray tube with one and the same electron beam gun for the storage and readout process.

Fig. 2 zeigt in einem stark vergrößerten Ausschnitt den Speicherschichtaufbau der Speicher-Kathodenstrahlröhre gemäß Fig. 1.FIG. 2 shows, in a greatly enlarged section, the storage layer structure of the storage cathode ray tube according to FIG Fig. 1.

Fig. 3 zeigt in einem Ausschnitt die in Fig. 2 dargestellte Speicherschicht.FIG. 3 shows a section of the one shown in FIG Storage layer.

Eine für eine Direktbetrachtung vorgesehene Speicher-Kathodenstrahlröhre 10 besitzt eine einzige Elektronenstrahlkanone 12 sowohl für die Ausführung von Schreibvorgängen auf einem Speicherdielektrikum einer für eine Direktbetrachtung dienenden Speicherschicht 14 als auch zum Ablesen von Informationen, die auf der Speicherschicht 14 gemäß Fig.1 angezeigt v/erden. Die Elektronenkanone 12 kann von irgendeiner herkömmlichen Art sein und eine Kathode 1G, ein Helligkeitssteuergitter 18, eine Beschleunigungsanode 20 und Horizontal- und Vertikal-Ablenkplatten 22 und 24 enthalten. Eine derartige Speicherröhre besitzt gewöhnlich noch eine Vielzahl von parallel geschalteten Uberflutungs-Elektronenkanonen, von denen eine mit 26 bezeichnet ist, und eine zweite Beschleunigungsanode 28.A storage cathode ray tube intended for direct viewing 10 has a single electron beam gun 12 both for performing write operations on a storage dielectric of a storage layer 14 serving for direct viewing as well as for reading of information that is displayed on the storage layer 14 according to FIG. The electron gun 12 can be of any one conventional type and a cathode 1G, a brightness control grid 18, an accelerating anode 20 and horizontal and vertical baffles 22 and 24 included. Such a storage tube usually has a plurality of parallel-connected flood electron guns, one of which is denoted by 26, and a second acceleration anode 28.

Eine besonders v/irksame Form der Speicherschicht 14 ist in Fig. 2 und 3 wiedergegeben. Diese Speicherschicht 14 enthält eine transparente Glasplatte 30, die die Stirnplatte der Röhre 10 bildet. Die Innenfläche der Platte 30 ist geätzt oder auf sonstige Weise geformt, so daß diese Platte eine Vielzahl von voneinander beabstandeten Vorsprüngen 32 aufweist.A particularly effective form of storage layer 14 is shown in FIG Fig. 2 and 3 reproduced. This storage layer 14 contains a transparent glass plate 30, which is the face plate of the Tube 10 forms. The inner surface of the plate 30 is etched or otherwise shaped so that this plate has a plurality of projections 32 spaced from one another.

1098U/134 6-1098U / 134 6-

Die die Oberfläche dieser Vorsprünge umfassende Fläche ist mit einem dünnen Überzug aus einem transparenten, elektrisch leitenden Material 34- überzogen, wie durch einen aufgedampften Zinnoxydüberzug. Auf der Oberfläche der Glasplatte um die überzogenen Vorsprünge 32 herum ist eine dünne Schicht aus einem Leu'cntstoff 35 abgelagert. Auf diese Weise ist sowohl die dielektrische Speicherschicht als auch der Fluoreszenzschirm gebildet, der durch den Überzug 34· und die Glasplatte 30 betrachtet v/erden kann. Diejenigen Teile des Überzugs 34-* die sich über die Leuchtstoff schicht auf den Vorsprüngen 32 erheben, wirken als Hauptkollektoren für die von der Leuchtstoffschicht emittierten Sekundärelektronen. Diese Sekundärelektronen treten dadurch auf, daß mit hoher Geschwindigkeit Elektronen auf die Leuchtstoffschicht auftreffen. Der damit auftretende Elektronenstrom fließt durch den übrigen Teil des elektrisch leitenden Überzugs und einen an diesen Überzug angeschlossenen .äußeren Anschluß 37· Der betreffende übrige Teil ist ferner die leitende Tragschicht für die Leucht- ' Stoffschicht. - ^: The area surrounding the surface of these projections is covered with a thin coating of a transparent, electrically conductive material, such as a vapor-deposited tin oxide coating. A thin layer of a fluorescent substance 35 is deposited on the surface of the glass plate around the coated projections 32. In this way, both the dielectric storage layer and the fluorescent screen are formed, which can be grounded when viewed through the coating 34 and the glass plate 30. Those parts of the coating 34- * which rise above the phosphor layer on the projections 32 act as main collectors for the secondary electrons emitted by the phosphor layer. These secondary electrons occur because electrons strike the phosphor layer at high speed. The electron current that occurs flows through the remaining part of the electrically conductive coating and an external connection 37 connected to this coating. - ^:

Die gerade beschriebene Speicherschicht 14- ist mit Ausnahme der Tatsache von bekanntem Aufbau, daß Sorgfalt aufgewandt werden muß, um eine Leuchtstoffschicht zu erzielen, deren elektrische und physikalische Eigenschaften, einschließlich der Dicke, der Partikelgröße, der Dielektrizitätseigenschaften ■■■''·"- und der Fluoreszenzeigenschaften, über die Speicher- und Betrachtungsfläche extrem gleichmäßig sind. Wäre dies nicht der Fall, so wäre die Nachleuchtdauer des elektrischen und sichtbaren Bildes auf dem Leuchtstoff-Speicherdielektrikum bei dem erläuterten Nichtspeicherbetrieb über die Fläche des Dielektfrikums nicht gleichmäßig empfindlich, weshalb das Bild in unterschiedlichen Bereichen dieser Fläche mit unterschiedlichen Geschwindigkeiten verblassen würde.The storage layer 14- just described is an exception the fact of known construction that care must be taken to achieve a phosphor layer, their electrical and physical properties, including thickness, particle size, dielectric properties ■■■ '' · "- and the fluorescence properties over which the storage and viewing surfaces are extremely uniform. Wouldn't that be the case would be the afterglow duration of the electrical and visible image on the phosphor storage dielectric in the explained non-storage operation over the area of the Dielektfrikums not evenly sensitive, which is why the picture would fade at different speeds in different areas of this surface.

1098U/13461098U / 1346

Im allgemeinen wird die Kathode 36 der überflutungs-Elektronenkanone 26 auf oder nahe bei Massepotential gehalten. Die Tragschicht 34 der Speicherschicht 14 wird auf etwa +150 V gehalten, während die Röhre im Speicherbetrieb arbeitet, und die Kathode 16 der ElektronenkanoneGenerally, the cathode 36 becomes the flood electron gun 26 held at or near ground potential. The support layer 34 of the storage layer 14 is held at about +150 V while the tube is in storage mode works, and the cathode 16 of the electron gun

OTTIOTTI

wird auf eil/Potential von z.B. etwa -3000 V gehalten. Das Steuergitter 18 wird auf einer geeigneten mittleren negativen Vorspannung in Bezug auf die Kathode 16 gehalten. Hierzu dient eine negatives Potential abgebende Hochspannungs-Vorspannungsquelle 38, cüe zwischen dem Gitter 18 und einem Ausgang eines Z-Achsen-Verstärkers 40 geschaltet ist. Die Horizontal- und Vertikal-Ablenkplatten 20 und 22 besitzen normalerweise ein nahe Kassepotential liegendes mittleres Ablenkpotential bzw. Kull-Ablenkpotential; sie werden mit Abierikspannungen von X- und X-Achsen-Ausgangsverstärker 4-2 und 44- her gespeist.is kept at an eil / potential of e.g. about -3000 V. That Control grid 18 is maintained at an appropriate mean negative bias with respect to cathode 16. For this a high-voltage bias source emitting negative potential is used 38, cüe between the grid 18 and a Output of a Z-axis amplifier 40 is switched. the Have horizontal and vertical baffles 20 and 22 normally a mean deflection potential or Kull deflection potential which is close to the Kass potential; They will with Abierik Voltages of X- and X-Axis Output Amplifiers 4-2 and 44- fed here.

Die mittlere Spannung an der Tragschicht 34· der Speicherschicht 14- wird-, wie dargestellt, über einen Verstärker 4-6 zugeführt. Dieser Verstärker 45 wird an seinem einen Eingang von einem ^peicher-Zliichtspeicher-Steuersystem 4-7 angesteuert, das, wie angedeutet,.zwei mit Hilfe eines Schraubenziehers einstellbare Potentiometer 48 und 50 aufweist. Diese Potentiometer sind mit ihren Widerstandselementen zwischen-Masse und einem positiven Pol einer Spannungsquelle angeschlossen. Die einstellbaren Kontakte der Potentiometer sind an zwei Anschlüsse eines Schalters 52 angeschlossen, dessen beweglicher Kontakt an einen Eingang des Verstärkers 46 hinführt.The mean stress on the support layer 34 * the storage layer 14- is supplied via an amplifier 4-6, as shown. This amplifier 45 is at its one input controlled by a ^ memory-temporary storage control system 4-7, that, as indicated, .two with the help of a screwdriver has adjustable potentiometers 48 and 50. These potentiometers are between-mass with their resistance elements and connected to a positive pole of a voltage source. The adjustable contacts of the potentiometers are on two Connections of a switch 52, the movable contact of which leads to an input of the amplifier 46.

Das Potentiometer 48 ist derart einstellbar, daß es das mittlere Potential der Tragschicht 34 der Speicherschicht auf dem Speicherpotential einzustellen erlaubt. Dieses Potential betrügt normalerweise etwa +150 V, wenn der Schalter 52 sich in der Speicher-Stellung befindet; das betreffendeThe potentiometer 48 is adjustable so that it Allowed setting the mean potential of the support layer 34 of the storage layer on the storage potential. This Potential is normally around +150 V when switch 52 is in the memory position; the one in question

1 0 9 8 1 L I 1 3 /_; 61 0 9 8 1 LI 1 3 / _; 6th

Potential besitzt einen etwas geringeren positiven Wert von z.B. +130 V, wenn der Schalter sich in der Nichtspeieher-Stellung befindet» Der bewegliche Eontakt des Potentiometers 48 ist so eingestellt, daß optimale Speichereigenschaften erzielt werden, und der bewegliche Kontakt des Potentiometers 50 ist so eingestellt, daß an der !Tragschicht 54 <ler Speicherschicht-14 ein positives Potential liegt, das noch gerade unterhalb des Potentials liegt, bei dem eine Speicherung auftritt, das jedoch ausreicht, um eine gesteuerte Nachleuchtdauer bei dem auf dem Speieherdielektrikum oder der Leuchtstoffschicht befindlichen Bild hervorzurufen.Potential has a slightly lower positive value of e.g. +130 V when the switch is in the non-storage position The movable contact of the potentiometer 48 is set in such a way that optimal Storage properties can be achieved, and the movable Contact of the potentiometer 50 is set so that on the support layer 54 <ler storage layer 14 a positive Potential lies just below the potential at which storage occurs, but which is sufficient a controlled afterglow period for that located on the storage dielectric or the phosphor layer To evoke image.

Die Ausgangsimpedanz des Verstärkers 46 stellt eine Belastung für einen Elektronenfluß dar, der durch die Aufnahme von Sekundärelektronen durch die Tragschicht 34 hervorgerufen wird. Änderungen in der Spannung _alif Grund von Änderungen in der Stärke der Sekundärelektronenemission von der dielektrischen Speicherschicht werden dem Eingang eines Leseverstärkers 54 über einen Kondensator 56 übertragen. The output impedance of the amplifier 46 represents a load for an electron flow which is caused by the uptake of secondary electrons by the support layer 34. Changes in the voltage _al if due to changes in the strength of the secondary electron emission from the dielectric storage layer to the input of a sense amplifier 54 are transmitted via a capacitor 56th

An die Tragschicht der Speicherschicht 14 kann über den Verstärker 46 von einer Löschimpuls-Impulsformerschaltung her ein normaler Löschimpuls zugeführt werden. Dies erfolgt unter der Steuerung eines Drucktastentschalters 60, der neben dem Löschschaltungsblock dargestellt ist. Dabei kann es sich um einen positiven Impuls handeln, der eine "positive Abschwächung" bewirkt. Dies bedeutet, daß die Überflutungs-Elektronenkanonen veranlaßt werden, Elektronen mit hinreichender Geschwindigkeit abzugeben, um die gesamte Fläche der Leuchtstoffschicht zu beschreiben und in einen Speicherzustand überzuführen. Anschließend daran kann ein negativer Impuls auftreten, der allmählich abklingen kann,To the support layer of the storage layer 14 can be via the Amplifier 46 from an erase pulse pulse shaper circuit a normal erase pulse can be supplied. This is done under the control of a push button switch 60, the is shown next to the erase circuit block. Here can it is a positive impulse that causes a "positive attenuation". This means that the Flood electron guns are made to give off electrons at a rate sufficient to cover the entire area Surface of the phosphor layer to describe and in a To transfer memory state. This can be followed by a negative impulse, which can gradually subside,

109814/13*6109814/13 * 6

um das Potential zu speichern, das durch das Potentiometer 48 der Speicher/Nichtspeicher-Schaltung 47 eingestellt ist. -^ies ruft eine "negative Abschwächung" auf der Oberfläche der dielektrischen Leuchtstoffsehicht der Speicherschicht hervor, die den Elektronen der überflutungs-Elektronenkanone ausgesetzt ist. Auf diese Weise wird die gesamte Oberfläche dieser Schicht in einen nicht beschriebenen Zustand zurückgeführt.to store the potential set by the potentiometer 48 of the memory / non-memory circuit 47 is. - ^ ies calls a "negative attenuation" the surface of the dielectric phosphor layer of the storage layer, the electrons of the flood electron gun is exposed. In this way, the entire surface of this layer becomes one not described state returned.

Während des gesamten gerade betrachteten Löschvorgangs kann ein Tastimpuls geeigneter Polarität von der Löschschaltung 48 dem Verstärker 54 zum Zwecke der Abschaltung zugeführt werden. Auf diese Weise werden schnelle Beleuchtungsänderungen auf dem gesamten Anzeigeschirm der Bildkontrollröhre verhindert. Ungeachtet dessen bewirkt der Löschvorgang ein unerwünschtes AufblitzeIi auf den sichtbaren Schichten der Speicherröhre 10 und irgendeiner Bildkontrollröhre, die von der Schicht 14 der Röhre 10 über den Leseverstärker 54 mit einem Z-Achsen-Signal gespeist wird. Es sei bemerkt, daß der Löschvorgang normalerweise nur dann angewandt wird, wenn die Speicherröhre 10 im Speicherbetrieb betrieben ist und der Wunsch besteht, ein gespeichertes Bild schnell von der Schicht 14 dieser Röhre zu beseitigen.During the entire deletion process just under consideration, a key pulse of suitable polarity can be emitted from the deletion circuit 48 are fed to the amplifier 54 for the purpose of switching off. This way there are quick lighting changes prevented on the entire display screen of the image control tube. Regardless of that, the Erasing an unwanted flash on the visible Layers of storage tube 10 and any image display tube drawn from layer 14 of tube 10 through the sense amplifier 54 is fed with a Z-axis signal. It it should be noted that the erase operation is normally only applied when the storage tube 10 is in storage mode and there is a desire to quickly remove a stored image from layer 14 of that tube.

Um dieselbe Elektronenkanone 12 der Speicherröhre 10 sowohl für den Schreib- als auch für den Lesevorgang auszunutzen, veranschaulicht das System gemäß Fig. 1 die Verwendung eines Zeitmultiplex-Schaltsystems. Dieses Schaltsystem umfaßt elektronische Schalter 62, 64, 66 für die den Verstärkern 42,44 und 40 zuzuführenden X-, Y- und Z-Achsen-Eingangssignale. Dabei wird die Elektronenkanone 12 auf der Speicherschicht nur während der Horizontal-Rücklauf- oder Rückführzeit des oben erläuterten Leserasters einen Schreibvorgang auf der Speicherschicht ausführen. Für den Auslesevorgang kann z.B.In order to use the same electron gun 12 of the storage tube 10 for both the writing and the reading process, Figure 1 illustrates the use of a time division multiplex switching system. This switching system includes electronic Switches 62, 64, 66 for the X, Y and Z axis input signals to be fed to amplifiers 42, 44 and 40. The electron gun 12 is only on the storage layer during the horizontal return or return time of the above-mentioned reading frame carry out a write operation on the storage layer. For the readout process, e.g.

109814/1346109814/1346

ein herkömmliches Fernsehraster angewandt werden. Für höhe Schreibgeschwindigkeiten können während der erwähnten Rücklaufzeit mehrere Bewegungen des SchreibStrahls über die gesamte Speicherschicht hinweg erfolgen, und für geringere Schreibgeschwindigkeiten wird der Schreibvorgang in Form einer Reihe von Strichen oder Punkten ausgeführt, die jedoch mit einer hinreichend hohen Geschwindigkeit erzeugt werden j um auf der Anzeigeröhre einen kontinuierlichen Schreibvorgang auszuführen.a conventional television grid can be used. For height Write speeds can occur during the mentioned deceleration time several movements of the writing beam over the entire And for slower write speeds, the write process is in shape a series of lines or dots, but produced at a sufficiently high speed are j to continuously write on the display tube.

Ein Raster kann unter Verwendung eines Systems erzeugt werden, das einen Synehronoszillafcor 68 enthält, der Impulse an einen Impulszähler 70 abgibt. Dieser Zähler 70 gibt an einen Schaltertreiber 72 einen Signalanstieg auslösende Impulse zu geeigneten Zeitpunkten ab. Der Schaltertreiber gibt seinerseits einen Signalanstieg auslösende Spannungen an einen X-Sägezahngenerator bzw. an einen die horizontale Ablenkspannung liefernden Generator 74- ab. Dieser Sägezahngenerator 74· liefert eine X-Sägeζahnspannung bzw. eine Horizontal-Sägezahnspannung an einen Eingang des X-Schalters 62. Der Zähler 70 gibt ferner an einen X-Sagezahngenerator bzw. die vertikale Ablenkspannung erzeugenden Generator 76 in geeigneter Weise bemessene, einen Signalanstieg auslösende-Spannungen ab. Der Sägezahngenerator 76 gibt seinerseits eine Y-Sägezahnspannung bzw. eine Vertikal-Sägezahnablenkspannung an einen Eingang des Y-Schalters 64-ab. In der Lesestellung der elektronischen Schalter 62 und 64-werden die horizontalen und vertikalen Ablenkspannungen von den Sägezahngeneratoren 62 und 64- über die Verstärker 4-2 und 4-4- an die Ablenkplatten 22 und 24- der Röhre 10 angelegt.A raster can be generated using a system that includes a synhronoscillafcor 68 that contains pulses outputs to a pulse counter 70. This counter 70 indicates a switch driver 72 triggering a signal rise Impulses at appropriate times. The switch driver in turn gives a signal increase triggering voltages to an X sawtooth generator or to a generator 74- supplying the horizontal deflection voltage. This sawtooth generator 74 · supplies an X-saw tooth voltage or a Horizontal sawtooth voltage to one input of the X switch 62. The counter 70 also outputs to an X sawtooth generator or the generator 76 producing the vertical deflection voltage, appropriately sized, a signal rise triggering voltages. The sawtooth generator 76 in turn gives a Y sawtooth voltage or a vertical sawtooth deflection voltage to an input of the Y switch 64-off. When the electronic switches 62 and 64 are in the read position, the horizontal and vertical deflection voltages of the sawtooth generators 62 and 64- via the amplifiers 4-2 and 4-4- applied to the baffles 22 and 24- of the tube 10.

Der der Z-Achse zugehörige elektronische sOhalter gibt in der Lesestellung eine Lese-Helligkeitsspannung von einer Lese-Helligkeit s st euer schaltung 78 an das Steuergitter 18In the reading position, the electronic sOholder associated with the Z-axis outputs a reading brightness voltage of a reading brightness s st your circuit 78 to the control grid 18

1098 U/134 61098 U / 134 6

-¹⁵- 1361131- ¹⁵ - 1361131

der Elektronenkanone 12 über den Verstärker 40 ab» Die erwähnte Helligkeitssteuerschaltung 78 besitzt, wie angedeutet, eine Steuereinrichtung 79 zur Einstellung des Wertes der Helligkeitssteuerspannung. Die Einstellung erfolgt dabei mit Hilfe eines Schraubenziehers. Zwischen dem Verstärker 40 und dem Steuergitter 18 der Elektronenkanone liegt dabei die ein negatives Potential abgebende Vorspannungsquelle 38, die eine konstante negative Spannung in der Größenordnung von z.B. 3000 V jeder von dem Verstärker 40 abgegebenen Spannung überlagert.the electron gun 12 via the amplifier 40 »The aforementioned brightness control circuit 78 has, as indicated, a control device 79 for setting the value of the brightness control voltage. The setting is made with the help of a screwdriver. Between the amplifier 40 and the control grid 18 of the electron gun the bias voltage source 38 which emits a negative potential and a constant negative voltage lies thereby of the order of, for example, 3000 V is superimposed on each voltage output by the amplifier 40.

Die Schalter 62, 64 und 66 sind eingangsseitig noch an die Ausgänge von X-, Ύ- und Z-Vorverstärkern SO, 82 bzv/. 84 angeschlossen. Diese Vorverstärker besitzen die X-, Y- und Z-Eingänge 86, 88 bzw. 100. Der X-Eingang 86 kann z.B. an die Ablenkschaltung eines die Oszillografenröhre 10 enthaltenden Oszillografen oder an eine externe Signalquelle angeschlossen sein. In entsprechender V/eise kann der Y-Eingang 88 an Vertikal-Signaldämpfungsschaltungen des Oszillografen oder an eine externe Signalquelle angeschlossen sein. Der Z-Eingang kann schließlich an eine Helltastschaltung des Oszillografen oder an eine externe Signalquelle zur Modulation der Austastspannung angeschlossen sein. Somit können z.B, alle drei Eingänge 86, 88 bzw. 100 an eine Zeichengeneratorquelle oder an eine eine elektrische Information zur Darstellung einer Zeichnung oder Skizze, etc. abgebende Signalquelle angeschlossen sein.The switches 62, 64 and 66 are still on the input side Outputs from X, Ύ and Z preamplifiers SO, 82 and / or. 84 connected. These preamps have the X, Y and Z-inputs 86, 88 or 100. The X-input 86 can, for example, be connected to the deflection circuit of an oscilloscope tube 10 Oscilloscope or connected to an external signal source. The Y input 88 can be connected to vertical signal attenuation circuits on the oscilloscope or to an external signal source. The Z input can finally be connected to a light switch of the Oscilloscope or to an external signal source for modulating the blanking voltage. Thus, e.g. all three inputs 86, 88 or 100 to a character generator source or to an electrical information item for display a drawing or sketch, etc. emitting signal source be connected.

Die Verstärker 80, 82 und 84 können kathodengekoppelte Verstärker mit zwei getrennten Eingängen sein. Diese Verstärker nehmen ferner Spannungen für die Horizontal-Einstellung, die Vertikal-Einstellung und die Helligkeitssteuerung auf. Hierzu dienen eine Vertikal-Einstellschaltung 102, eine Horizontal-Einstellsteuerschaltung 104 undThe amplifiers 80, 82 and 84 can be cathode coupled amplifiers with two separate inputs. These amplifiers also take tension for the horizontal adjustment, the vertical adjustment and the brightness control. A vertical adjustment circuit is used for this purpose 102, a horizontal adjustment control circuit 104 and

1098U/13A61098U / 13A6

eine Sehreib-Heirigkeitssteuersehaltung 106. Jede-dieser . Spannungen ist mit Hilfe eines gesonderten Einstellknopf es; 108, 110 bzw. 112 manuell einst ellb arv-a sehreib-serenity tax attitude 106. Each-of these. Tension is with the help of a separate adjustment knob it; 108, 110 or 112 manually adjustable

Die von dem Schältertreiber 72 abgegebenen Spannungen werden ferner als Betriebsspannungen den Schaltern 62, 64 und 66 zugeführt.¹ Mit Hilfe dieser Spannungen werden; diese . Schalter veranlaßt, die Eingänge des X-Sägezahngenerat*>rs 74,. des Y^Sägezähiigön:#r'ators -76 und. deriese-Helligkeitssteuer·^· ; schaltung 78 mit den Verstärkern 42, 44 bzw* 40;zu .verbinden,: . und zwar während der Erzeugung einer X-Sägezahnspannung bzw« Horizontal-Ablenkspannung von dem X-Sägezahngenerator., Während des Rücklaufs bzw, während der horizontalen Strahlrüekführung werden die Schalter veranlaßt, die Eingänge der Verstärker SQ^ 82 und 84:mit den Verstärkern 42, 44 und 40 zu.verbinden. Dies bedeutet, daß das Leseraster, welehes durch die Schaltungen erzeugt wird, zu denen der Oszillator 68, der Zähler. 70, der . Schaltertreiber 72, der X-Sägezähngenerator 74,. der Y-Säge-■.■■.'-zahngenerator 76 und die Lese-Helligkeitssteuersiehaltung- 78 gehören, die Steuerung der Elektronenkanone 12 und der Ab- ·. lenkplatten 22 und 24. der Eöhre 10 bewirkt , wenn ein Säge-r zahnteil einer Horizontal-Ablenkspannung. des Iieserasters erzeugt, wird, ferner bedeutet dies^ daß die Eingangssignale der/Vorverstärker 80, 82 und.84 die Elektronenkanone 12 und -..--. die Ablenkplatten 22.und 24 während der Hüeklaufzeiten d^r Horizontal-Ablenkung des CLeserasters steuern. Dadurch-wird ,,_: . jeglicher Schreibvorgang beim Rücklauf auf der Speicher-, ^? schicht 14 der Höhre 10 wirksam ausgetastet. Es werden aedoe^,., vorzugsweise kurze Austastimpulse von einer Austastschal- ,The voltages output by the switch driver 72 are also fed to the switches 62, 64 and 66 as operating voltages. ¹ With the help of these tensions become; these . Switch causes the inputs of the X sawtooth generator *> rs 74 ,. des Y ^ saw counters: # r'ators -76 and. deriese-brightness control · ^ ·; circuit 78 with the amplifiers 42, 44 or * 40; to .connect:. namely during the generation of an X-sawtooth voltage or horizontal deflection voltage from the X-sawtooth generator. 44 and 40 to.connect. This means that the reading frame generated by the circuits to which the oscillator 68, the counter. 70, the. Switch driver 72, the X sawtooth generator 74 ,. the Y-saw ■. The tooth generator 76 and the reading brightness control holding 78 belong to the control of the electron gun 12 and the off. Steering plates 22 and 24 of the tube 10 causes when a saw-tooth part of a horizontal deflection voltage. of the reading raster, this also means that the input signals of the / preamplifiers 80, 82 and 84, the electron gun 12 and -..--. control the deflection plates 22. and 24 during the stroke times of the horizontal deflection of the C reading grid. This becomes ,, _: . any write operation when rewinding on the memory ^,? layer 14 of the hearing 10 effectively blanked. There are aedoe ^,., Preferably short blanking pulses from a blanking switch,

tung 114 an den Verstärker 40 abgegeben. Dies erfolgt unter device 114 delivered to amplifier 40. This is done under

der Steuerung von Spannungen, die_;-v^on-..dem. Zähler ¹JO heT-züge-· , führt werden.. Diese Spannungen b^w^rken eine Austastiuig des. ._.,-Elektronenstfrahls_; der Elektronenkanone 12 während der Schall?- ., vorgänge der Schalter 62, 64 und. 66.., ^_s ■ _h ,■%<·. , .-,.,■ the control of voltages that _; -v ^ on - .. dem. Counter ¹ JO heT-zzüge- ·, leads .. These voltages b ^ w ^ rken a blanking of the ._., - electron beam _; of the electron gun 12 during the sound? -., operations of the switches 62, 64 and. 66 .., ^ _s ■ _h , ■% <·. , .-,., ■

14/I34e-14 / I34e-

Ein normale Fernseh-Horizontal- und Fernseh-Vertikal-Synehronisierimpulse an den Leseverstärker 54- abgebender Synehronisierimpulsgenerator 115 kann ebenfalls durch von dem Zähler 70 und dem Schaltertreiber 72 abgegebene Spannungen gesteuert werden. Diese Impulse werden dem Z-Achsen-Signal von der Tragschicht 34- hinzuaddiert. Auf diese Weise wird ein normales Schwarz-Weiß-Bildsignal erzeugt, das. zur Modulation eines Hochfrequenzträgers herangezogen werden kann. Hierfür dient der Hochfrequenzgenerator und Modulator 116. Damit wird ein normales Fernsehsignal erzeugt, das an das Bildkontrollgerät 118 abgegeben wird. Bei diesem Kontrollgerät 118 kann es sich um ein normales Fernsehgerät handeln.A normal television horizontal and television vertical synchronization pulse Synchronizing pulse generator 115 outputting to sense amplifier 54 can also be provided by from the counter 70 and the switch driver 72 output voltages being controlled. These pulses are added to the Z-axis signal from the base layer 34-. That way will Generates a normal black-and-white image signal that can be used to modulate a high-frequency carrier. The high-frequency generator and modulator 116 is used for this purpose. This generates a normal television signal that is sent to the Image control device 118 is delivered. This control device 118 can be a normal television set.

Es dürfte ersichtlich sein, daß das von dem Leseverstärker 5 4-abgegebene Bildsignal unmittelbar an die Bildschaltungen eines Kontrollgerätes abgegeben werden kann, das keine Hochfrequenzschaltungen besitzt.. Es ist auch möglich, derartige vorgesehene Hochfrequenzschaltungen bei der Zuführung eines solchen Signals zu umgehen. Ferner ist es möglich, ein Kontrollgerät zu verwenden, das selbst keine Schaltungen zur Erzeugung eines Rasters besitzt. In diesem Fall sind die Ausgangssignale des X- und Y-Sägezahngenerators 74 bzw. 76 unmittelbar dem Kontrollgerät zugeführt.- Der Synehronisierimpulsgenerator 115 wäre in diesem Fall nicht erforderlich. In jedem dieser Fälle erscheint auf dem.Anzeigeschirm des Kontrollgerätes das gleiche Bild. Wie oben ausgeführt, bewirkt das gesteuerte Nachleuchten des Speicherdielektrikums oder der Leuchtstoffschicht 35, daß sämtliche Teile des mit Hilfe des Elektronenstrahls der Elektronenkanone 12 während der Rücklaufintervalle des Leserasters geschriebenen Bildes nachleuchten, und zwar zumindest während der Dauer eines Rasters. Auf diese Weise ist es möglich, auf dem Fluoreszenzschirm des Kontrollgerätes 118 eine Anzeige zu liefern, die genau -den Veränderungen in dem Bild folgt, welches auf dem durch dieIt should be seen that the output from the sense amplifier 5 4- Image signal can be output directly to the image circuits of a control device that does not have high-frequency circuits possesses .. It is also possible to provide high-frequency circuits of this type when supplying such a Bypassing the signal. It is also possible to use a control device that does not itself have any circuits for generating a Rasters owns. In this case, the outputs of the X and Y sawtooth generators 74 and 76, respectively, are immediately after Control device supplied. The synchronization pulse generator 115 would not be required in this case. In each of these The same picture appears on the display screen of the recording device. As stated above, the controlled Afterglow of the storage dielectric or the phosphor layer 35 that all parts of the with the help of the electron beam of the electron gun 12 persists during the retrace intervals of the reading frame, and at least for the duration of a grid. In this way it is possible to use the fluorescent screen of the control device 118 to provide an indication of the exact changes in the picture which follows on the by the

109814/1346109814/1346

Leuchtstoffschicht 35 gebildeten Fluoreszenzschirm der Speicherröhre angezeigt v/ird. Obwohl eine Verringerung des positiven Potentials der Tragschicht von dem Potential, das die Bxldspeicherung bewirkt, die erläuterte Betriebsweise zur Sicherstellung der gesteuerten iTachleuchtung des auf dem Speicherdielektrikum geschriebenen Bildes darstellt, ist es gerade die Potentialdifferenz zwischen den Kathoden der Überflutungs-Elektronenkanone und der Tragschicht, die den Steuerungsfaktor darstellt. Es dürfte somit ersichtlich sein, daß die gesteuerte Nachleuchtung auch dadurch erzielt werden kann, daß das an diese Kathoden angelegte Potential in geeigneter V/eise geändert wird.Fluorescent screen formed by the fluorescent layer 35 Storage tube displayed v / ird. Although a reduction in the positive potential of the base course from the potential that causes the Bxldsaving, the explained mode of operation to ensure the controlled iTachlighting of the represents the image written on the storage dielectric, it is precisely the potential difference between the Cathodes of the flood electron gun and the base layer, which is the control factor. So it should be seen that the controlled afterglow can also be achieved by that on these cathodes applied potential is changed in a suitable manner.

Obwohl hier eine für eine Direktbetrachtung dienende Speicher-Kathodenstrahlröhre 10 mit einer einzigen Elektronenkanone 12 für die Ausführung eines Schreivo.rgangs auf dem Speicherdielektrikum oder auf der Leuchtstoffschicht 35 und zum Ablesen des auf dieser Schicht dargestellten Bildes verwendet wird, dürfte einzusehen sein, daß eine entsprechende Röhre mit gesonderten Schreib- und Lese-Elektronenkanonen verwendet werden kann. In diesem Fall würden die Schalter 62, 64 und 66 entfalle η, und ferner würde eine Tast- oder Hellsteuerspannung an das Steuergitter der Schreib—Elektronenkanone angelegt w.erden, so daß der Schreibvorgang durch diese Elektronenkanone auf die Kücklaufintervalle zwischen den horizontalen Zeilen des Leserasters beschränkt wäre. Dies bedeutet, daß die Ausgangs signale der Vorverstärker 80, und 84 unmittelbar über die entsprechenden Ausgangsverstärker an die Schreib-Elektronenkanone gelangen wurden und daß die Ausgangssignale der Sägezahngeneratoren 74 und 76 und der Lese-Helligkeitssteuerschaltung 78 in entsprechender Weise der Lese-Elektronenkanone zugefünrt würden.Although here one is used for direct viewing Storage cathode ray tube 10 with a single electron gun 12 for executing a writing process on the storage dielectric or on the phosphor layer 35 and is used to read the image displayed on this layer, it should be understood that a corresponding Tube with separate read and write electron guns can be used. In this case the switches 62, 64 and 66 omit η, and a tactile or light control voltage would also be used to the control grid of the write electron gun w.erden w.erden so that the writing process by this electron gun on the return intervals between the horizontal lines of the reading frame would be limited. this means that the output signals of the preamplifier 80, and 84 directly via the corresponding output amplifier got to the writing electron gun and that the output signals of the sawtooth generators 74 and 76 and the read brightness control circuit 78 in a corresponding manner Way would be fed to the reading electron gun.

109814/1346109814/1346

Claims

P at e ^: ir ta η s ρ r S che

IJ image display system with a fine image storage cathode ray tube and a * image control tube , characterized in that the image storage cathode ray tube (10) has at least one electron gun (12) emitting electron beam and a flooding electron gun (26) and with a dielectric gun (26) %, 55), which is carried by a support layer (34) [made of electrically conductive material and arranged so that it accepts electrons from the electron gun (12,26), that a collector (52) for receiving from the dielectric (55) emitted secondary electrons is provided that a deflection circuit (42,62,74,80; 44,64,76,82) is provided, which with a reading H electron beam emitted by an electron gun (12) successive reading images on the dielectric ( 35) generated that devices (80,82,84,62,64-, 66) are provided which cause the emission of a write electron beam from an electron beam (12) and Write an electrical image with this electron beam on the dielectric (35) during periods of time during which no reading image is generated with the Liese electron beam, that devices (46, 47) are provided which are used to store the electrical image on the dielectric ^ ( 14) of the storage cathode ray tube (10) keep the Sragschicht (34) on ein.positiven potential with respect to the cathodes (16,36) of the electron guns (12,26) that devices (47 ^ 52) are provided which Convert the image storage cathode ray tube (10) into a memory operation j and zvrar by such a reduction in the potential between the 5? Ragachicht (34) and the KgLthoden / flooding ^ electron gun (26) that

109 8-1-4/1 3 £109 8-1-4 / 13 pounds

no image storage takes place, but there is an afterglow of the image occurs during a period of time which is at least as long as the duration of a reading image, and that means (54-, 56) are provided which on Reason for changes in the collector electron current and in the signals of the deflection circuit (4-2,62,74- »80; 44, 64, 76, 82) produce a visible image on the image control tube (118). -

2, system according to claim 1, characterized in that the facilities (4-7,52) for the introduction of the not « Storage mode the potential of the base layer (34-) opposite the cathodes (16,36) of the slectron cannons (12,26) decrease.

3. System according to claim 1, characterized in that the support layer (34) is formed by a transparent layer on a transparent end face (30) of the "storage" cathode ray tube (10), that the storage "" dielectric (35) Is a luminescent material which produces a visible fluorescent image on a written electrical image, and that such a potential is present during non-storage operation between the base layer (34) and the that a controlled afterglow of the electrical image results, as a result of which the visual image on the image control tube (11 &) exactly follows the visible image on the phosphor layer (35).

4, system according to claim 3? characterized in that the phosphor layer located on the support layer (34) (35) has such uniform electrical properties and such a uniform thickness that the controlled

1098 1Α / _: 1Λ4 6 -, ^;

Illumination of the electrical and visible image is the same in all parts of this phosphor layer (35).

5. System according to one of claims 1 to 4, characterized in that that horizontal and vertical deflection devices (42,62,74,80; 44,64,76,82; 72) are provided, which generate a grid, and that the writing operations to be carried out by the writing beam are based on the retrace intervals of the horizontal deflection device (42,62,80,72) are limited.

6. System according to claim 5, characterized in that one and the same electron gun (12) for generating the writing electron beam and the reading electron beam serves that electronic switching devices (62,64,66,68,70,72,74,76,78) are provided for Generation of a reading image from the storage cathode ray tube (10) at the beginning of each horizontal deflection Reverse the write beam control device (74,76,78) to the read beam control device (80,82,84) and at the end every horizontal deflection a reversal by the reading beam control device (80,82,84) on the write beam control device (74-, 76,78).

1098U/134 61098U / 134 6

LeerseiteBlank page

■_s r^ΐ? e ο r■ _s r ^ΐ? e ο r