DE19609967C2 - Circuit arrangement for protecting a switching stage against thermal overload - Google Patents

Circuit arrangement for protecting a switching stage against thermal overload

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DE19609967C2 DE1996109967 DE19609967A DE19609967C2 DE 19609967 C2 DE19609967 C2 DE 19609967C2 DE 1996109967 DE1996109967 DE 1996109967 DE 19609967 A DE19609967 A DE 19609967A DE 19609967 C2 DE19609967 C2 DE 19609967C2
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Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a circuit arrangement according to the preamble of claim 1.

Eine derartige Schaltungsanordnung ist beispielsweise aus der DD 215 428 bekannt. Die dort beschriebene Schaltungsanordnung weist eine Schaltstufe zur Ansteuerung eines Motors auf, sowie eine Temperaturerfassungseinheit, eine Vergleichseinheit und eine Vergleichsspannungsquelle mit einer Refe­ renzspannungsquelle mit gegebener Ausgangsimpedanz und einer Reihen­ schaltung aus einem Lastwiderstand und einem durch die Vergleichseinheit ansteuerbaren Bipolartransistor. Die Temperaturerfassungseinheit dient der Erzeugung einer der Temperatur der Schaltstufe entsprechenden Meßspan­ nung und die Vergleichsspannungsquelle der Erzeugung einer zwischen zwei Spannungswerten umschaltbaren Vergleichsspannung. Mit der Ver­ gleichseinheit werden die Meßspannung und die Vergleichsspannung mit­ einander verglichen. Zum Schutz der Schaltstufe vor thermischer Überla­ stung wird diese, sobald die Meßspannung aufgrund eines Temperaturan­ stiegs die Vergleichsspannung unterschreitet, ausgeschaltet. Gleichzeitig wird über den Bipolartransistor ein vorgegebener Strom zur Referenzspan­ nungsquelle eingespeist, wodurch die Vergleichsspannung um einen Hyste­ resewert erhöht wird. Im ausgeschalteten Zustand kühlt die Schaltstufe ab und die Meßspannung steigt bis zu dem neuen Wert der Vergleichsspan­ nung an. Sobald die Meßspannung die Vergleichsspannung überschreitet, wird letztere um den Hysteresewert reduziert und die Schaltstufe zum Ein­ schalten freigegeben. Mit dem Hysteresewert wird dabei die Temperatur­ differenz zwischen einer Ausschalttemperatur, bei der die Schaltstufe aus­ geschaltet wird, und einer Einschalttemperatur, bei der die Schaltstufe wie­ der eingeschaltet werden kann, vorgegeben. Such a circuit arrangement is, for example, from DD 215 428 known. The circuit arrangement described there has a switching stage to control a motor and a temperature detection unit, a comparison unit and a reference voltage source with a reference limit voltage source with a given output impedance and a series circuit of a load resistor and one through the comparison unit controllable bipolar transistor. The temperature detection unit is used for Generation of a measuring chip corresponding to the temperature of the switching stage voltage and the reference voltage source generating a between two voltage values switchable reference voltage. With the Ver The measuring voltage and the reference voltage are the same unit compared to each other. To protect the switching stage from thermal overload This becomes as soon as the measuring voltage due to a Temperaturan If the reference voltage falls below, switched off. At the same time a predetermined current becomes the reference chip via the bipolar transistor voltage source, thereby reducing the reference voltage by one hyster residual value is increased. When switched off, the switching stage cools down and the measuring voltage increases up to the new value of the reference chip on. As soon as the measuring voltage exceeds the reference voltage, the latter is reduced by the hysteresis value and the switching stage to on switch released. The temperature is the hysteresis value difference between a switch-off temperature at which the switching stage turns off is switched, and a switch-on temperature at which the switching stage as that can be switched on.  

Aus der Literaturstelle Paolo Antognetti: "Power Integrated Circuits", McGraw-Hill, 1986, Seiten 6.23-6.24, ist weiterhin bekannt, daß mittels eines von der Vergleichseinheit zur Temperaturerfassungseinheit eingekoppelten Stromes die Meßspannung um einen Hysteresewert reduzierbar bzw. er­ höhbar ist, was ebenfalls zu einer Schalthysterese führt.From the Paolo Antognetti reference: "Power Integrated Circuits", McGraw-Hill, 1986, pages 6.23-6.24, is further known that by means of a coupled from the comparison unit to the temperature detection unit Current the measuring voltage can be reduced by a hysteresis value or he is height-adjustable, which also leads to a switching hysteresis.

Eine weitere Schaltungsanordnung zum Schutz einer Schaltstufe vor thermi­ scher Überlastung ist aus der DE 41 22 653 A1 bekannt.Another circuit arrangement for protecting a switching stage from thermi shear overload is known from DE 41 22 653 A1.

Der wesentliche Nachteil der vorbekannten Schaltungsanordnungen besteht darin, daß der Hysteresewert und somit auch die Einschalttemperatur und die Ausschalttemperatur stark von Herstellungstoleranzen der verschiede­ nen Schaltungsteile abhängig sind und daher nicht mit hoher Genauigkeit eingehalten werden können.The main disadvantage of the known circuit arrangements is in that the hysteresis value and thus also the switch-on temperature and the switch-off temperature strongly depends on the manufacturing tolerances of the various NEN circuit parts are dependent and therefore not with high accuracy can be met.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung ge­ mäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 anzugeben, die mit geringem Schaltungsaufwand realisierbar ist und bei der die Einschalttemperatur und die Ausschalttemperatur weitgehend unabhängig von Herstellungstoleran­ zen sind.The invention is based, ge a circuit arrangement according to the preamble of claim 1 to specify the low Circuit effort is realizable and at which the switch-on temperature and the switch-off temperature is largely independent of the manufacturing tolerance zen are.

Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspru­ ches 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.The task is characterized by the characterizing features of claim ches 1 solved. Advantageous further developments and refinements result itself from the subclaims.

Erfindungsgemäß weist die Vergleichsspannungsquelle einen durch die Ver­ gleichseinheit ansteuerbaren Steuereingang auf, über den die Vergleichs­ spannung durch die Vergleichseinheit variierbar ist. Dabei wird mit der Ver­ gleichseinheit ein Vorzeichenwechsel der Spannungsdifferenz zwischen der Meßspannung und der Vergleichsspannung detektiert und die Vergleichs­ spannung, sobald ein Vorzeichenwechsel stattfindet, um einen Hysterese­ wert derart variiert, daß die Spannungsdifferenz betragsmäßig erhöht wird. Das heißt, die Vergleichsspannung wird bei einem durch einen Anstieg der Meßspannung bewirkten Vorzeichenwechsel der Spannungsdifferenz um den Hysteresewert reduziert und bei einem durch einen Abfall der Meß­ spannung bewirkten Vorzeichenwechsel der Spannungsdifferenz um den Hysteresewert erhöht. Da der Arbeitspunkt der Temperaturerfassungsein­ heit durch die Vergleichseinheit nicht beeinflußt wird, wird die Meßspan­ nung durch Herstellungstoleranzen der Vergleichseinheit nicht verfälscht. According to the invention, the reference voltage source has a Ver control unit controllable input via which the comparison voltage can be varied by the comparison unit. It is with the Ver equals a change of sign of the voltage difference between the Measuring voltage and the reference voltage detected and the comparison voltage as soon as a sign change takes place to a hysteresis value varies in such a way that the voltage difference is increased in amount. That is, the reference voltage is increased by a Measuring voltage caused a change in the sign of the voltage difference the hysteresis value is reduced and in the case of a drop in the measurement caused a change in the sign of the voltage difference around the Hysteresis value increased. Since the operating point of the temperature detection unit is not influenced by the comparison unit, the measuring chip not falsified by manufacturing tolerances of the comparison unit.  

Die Vergleichsspannungsquelle weist vorzugsweise einen Schalttransistor mit einem mit dem Steuereingang der Vergleichsspannungsquelle verbun­ denen Steueranschluß und mit zwei Schaltanschlüssen, einen Lastwider­ stand und eine Referenzspannungsquelle mit gegebener Ausgangsimpedanz auf. Die Referenzspannungsquelle ist dabei mit einem Referenzanschluß, an dem die Vergleichsspannung ansteht, verbunden und der Referenzanschluß ist über den Lastwiderstand und den Schafttransistor mit einem Bezugspo­ tentialanschluß, an dem ein Bezugspotential, beispielsweise ein Massepoten­ tial, anliegt verbunden. Der Lastwiderstand ist demnach zum Schalttran­ sistor bezüglich dessen Schaltanschlüssen in Reihe geschaltet. Zur Variation der Vergleichsspannung wird die Belastung der Referenzspannungsquelle durch Ein- oder Ausschalten des Schalttransistors verändert. Der Hyste­ resewert, um den die Versorgungsspannung durch Umschalten des Schalt­ transistors verändert wird, hängt dabei vom Widerstandsverhältnis des Lastwiderstandes und der Ausgangsimpedanz der Referenzspannungsquelle ab. Ein derartiges Widerstandsverhältnis ist bei der Verwendung von Wi­ derständen mit gleichem Temperaturkoeffizient temperaturunabhängig und ist zudem, insbesondere bei einer in einen Schaltkreis integrierbaren Schaltungsanordnung, mit hoher Genauigkeit herstellbar.The reference voltage source preferably has a switching transistor connected to one with the control input of the reference voltage source which control connection and with two switching connections, a load resistor stood and a reference voltage source with a given output impedance on. The reference voltage source is connected to a reference connection to which the reference voltage is applied, connected and the reference connection is via the load resistor and the shaft transistor with a reference spo tentialanschluß at which a reference potential, such as a ground potential tial, is connected. The load resistance is accordingly to the switching oil sistor connected in series with respect to its switching connections. For variation the reference voltage becomes the load of the reference voltage source changed by switching the switching transistor on or off. The hyster residual value by which the supply voltage is switched by switching transistor is changed depends on the resistance ratio of the Load resistance and the output impedance of the reference voltage source from. Such a resistance ratio is when using Wi with the same temperature coefficient regardless of temperature and is also, especially in the case of an integrable in a circuit Circuit arrangement, can be manufactured with high accuracy.

Der Schalttransistor ist vorzugsweise als invers beschalteter Bipolartransistor ausgeführt. Bei leitendem Schalttransistor ist dessen Kollektor-Emitter-Span­ nung aufgrund der inversen Beschaltung so gering, daß die Vergleichsspan­ nung bei eingeschaltetem Schalttransistor weitgehend unabhängig von Schaltungseigenschaften, insbesondere von Streuungen eines über den Steuereingang der Vergleichsspannungsquelle dem Steueranschluß des Schalttransistors als Basisstrom zugeführten Vergleichssignals der Vergleichs­ einheit, ist.The switching transistor is preferably an inverse-connected bipolar transistor executed. When the switching transistor is conductive, its collector-emitter span is voltage due to the inverse wiring so low that the reference voltage voltage largely independent of when the switching transistor is switched on Circuit properties, in particular from scattering over the Control input of the reference voltage source to the control connection of the Switching transistor as the base current supplied comparison signal of the comparison unity, is.

Die Temperaturerfassungseinheit weist vorzugsweise eine Meßdiode, die beispielsweise als Bipolartransistor mit kurzgeschlossenem Kollektor- und Basis-Anschluß ausgeführt ist, und eine Ruhestromquelle zur Einprägung ei­ nes Ruhestromes in die Meßdiode auf. Die Meßdiode ist mit der Schaltstufe, welche beispielsweise als Leistungstransistor ausgebildet ist, thermisch ge­ koppelt, so daß eine entlang der Meßdiode anstehende Diodendurchfluß­ spannung von der Temperatur der Schaltstufe abhängig ist. Die Meßspan­ nung entspricht dann der Diodendurchflußspannung der Meßdiode. The temperature detection unit preferably has a measuring diode for example as a bipolar transistor with short-circuited collector and Basic connection is carried out, and a quiescent current source for impressing egg nes quiescent current in the measuring diode. The measuring diode is with the switching stage, which is designed, for example, as a power transistor, thermally ge couples, so that a diode flow pending along the measuring diode voltage is dependent on the temperature of the switching stage. The measuring chip voltage then corresponds to the diode flow voltage of the measuring diode.  

Die Referenzspannungsquelle ist vorzugsweise als sogenannte Bandgap- Spannungsquelle ausgeführt, die eine von Versorgungsspannungsschwan­ kungen und Temperaturschwankungen unabhängige Referenzspannung er­ zeugt, aus der die Vergleichsspannung ableitbar ist.The reference voltage source is preferably a so-called band gap Voltage source running, the one of supply voltage swan cations and temperature fluctuations independent reference voltage testifies from which the reference voltage can be derived.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren näher beschrieben. Es zeigen:The invention is described below with reference to the figures. It demonstrate:

Fig. 1 eine Prinzipdarstellung der erfindungsgemäßen Schaltungsan­ ordnung, Fig. 1 a schematic diagram of the order Schaltungsan according to the invention,

Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung aus Fig. 1, Fig. 2 shows an embodiment of the circuit arrangement from Fig. 1,

Fig. 3 eine vorteilhafte Ausgestaltung einer Vergleichsspannungs­ quelle aus Fig. 1 oder 2. Fig. 3 shows an advantageous embodiment of a comparison voltage source of FIG. 1 or 2.

Gemäß Fig. 1 weist die Schaltungsanordnung eine als Leistungstransistor ausgebildete Schaftstufe 1 mit einem ersten Schaltanschluß 11, mit einem zweiten Schaltanschluß 12 und mit einem Steueranschluß 10, eine Tempera­ turerfassungseinheit 2 mit einem Sensoranschluß 20, eine Vergleichsspan­ nungsquelle 3 mit einem Referenzanschluß 30 und mit einem Steuereingang 31, eine Vergleichseinheit 4 mit einem ersten Vergleichseingang 41, mit einem zweiten Vergleichseingang 42, mit einem ersten Vergleichsausgang 43 und mit einem zweiten Vergleichsausgang 44, eine Last 5 sowie eine Treiberstufe 6 mit einem ersten Treibereingang 60, mit einem zweiten Trei­ bereingang 62 und mit einem Treiberausgang 61 auf. Dabei ist der Sensor­ anschluß 20 der Temperaturerfassungseinheit 2 mit dem ersten Vergleichs­ eingang 41 der Vergleichseinheit 4 verbunden, der Referenzanschluß 30 der Vergleichsspannungsquelle 3 mit dem zweiten Vergleichseingang 42 der Vergleichseinheit 4 verbunden, der Steuereingang 31 der Vergleichs­ spannungsquelle 3 mit dem ersten Vergleichsausgang 43 der Vergleichs­ einheit 4 verbunden, der erste Treibereingang 60 der Treiberstufe 6 mit dem zweiten Vergleichsausgang 44 der Vergleichseinheit 4 verbunden, der Treiberausgang 61 der Treiberstufe 6 mit dem Steueranschluß 10 der Schalt­ stufe 1 verbunden und der erste Schaltanschluß 11 der Schaltstufe 1 mit der Last 5 verbunden. Referring to FIG. 1, the circuit arrangement designed as a power transistor shaft step 1 with a first switching terminal 11, a second switch terminal 12 and to a control terminal 10, a temperature turerfassungseinheit 2 with a sensor terminal 20, a comparing clamping voltage source 3 with a reference terminal 30 and with a Control input 31 , a comparison unit 4 with a first comparison input 41 , with a second comparison input 42 , with a first comparison output 43 and with a second comparison output 44 , a load 5 and a driver stage 6 with a first driver input 60 , with a second driver input 62 and with a driver output 61 . The sensor connection 20 of the temperature detection unit 2 is connected to the first comparison input 41 of the comparison unit 4 , the reference connection 30 of the comparison voltage source 3 is connected to the second comparison input 42 of the comparison unit 4 , and the control input 31 of the comparison voltage source 3 is connected to the first comparison output 43 of the comparison Unit 4 connected, the first driver input 60 of the driver stage 6 connected to the second comparison output 44 of the comparison unit 4 , the driver output 61 of the driver stage 6 connected to the control terminal 10 of the switching stage 1 and the first switching terminal 11 of the switching stage 1 connected to the load 5 .

Die Vergleichsspannungsquelle 3 weist eine Referenzspannungsquelle 37 mit gegebener Ausgangsimpedanz 38, einen Lastwiderstand 36 und einen als Bipolartransistor ausgeführten Schalttransistor 35 auf. Die Referenzspan­ nungsquelle 37 ist mit dem Referenzanschluß 30 verbunden und der Refe­ renzanschluß 30 ist über den Lastwiderstand 36 und die Emitter-Kollektor- Strecke des Schalttransistors 35 mit dem Bezugspotentialanschluß 32, an dem ein Bezugspotential, beispielsweise ein Massepotential, anliegt, verbun­ den. Der Schalttransistor 35 ist invers beschaltet, d. h. sein Kollektor-An­ schluß ist als Emitter-Anschluß und sein Emitter-Anschluß ist als Kollektor-An­ schluß beschaltet.The reference voltage source 3 has a reference voltage source 37 with a given output impedance 38 , a load resistor 36 and a switching transistor 35 designed as a bipolar transistor. The reference clamping voltage source 37 is connected to the reference terminal 30 and the Refe rence terminal 30 is over the load resistor 36 and the emitter-collector path of the switching transistor 35 to the reference potential terminal 32 to which a reference potential, for example, a ground potential is applied, verbun. The switching transistor 35 is connected inversely, that is, its collector connection is connected as an emitter connection and its emitter connection is connected as a collector connection.

Die Temperaturerfassungseinheit 2 weist als Temperatursensor eine mit der Schaltstufe 1 thermisch gekoppelte Meßdiode 22 und eine Ruhestromquelle 25 zur Einspeisung eines konstanten Ruhestromes I0 in die Meßdiode 22 auf. Der Sensoranschluß 20 ist dabei mit der Ruhestromquelle 25 und über die Meßdiode 22, die beispielsweise als Bipolartransistor mit kurzgeschlossenem Basis- und Kollektor-Anschluß ausgebildet ist, mit einem weiteren Bezugs­ potentialanschluß 21 verbunden, dem zur Arbeitspunkteinstellung der Meß­ diode 22 eine konstante Spannung, beispielsweise das Massepotential, zu­ geführt wird.The temperature detection unit 2 has, as a temperature sensor, a measuring diode 22 thermally coupled to the switching stage 1 and a quiescent current source 25 for feeding a constant quiescent current I 0 into the measuring diode 22 . The sensor connection 20 is connected to the quiescent current source 25 and via the measuring diode 22 , which is designed, for example, as a bipolar transistor with a short-circuited base and collector connection, to a further reference potential connection 21 , which has a constant voltage, for example for setting the measuring diode 22 the ground potential, too.

Die von der Temperaturerfassungseinheit 2 am Sensoranschluß 20 bereitge­ stellte Meßspannung UM ist aufgrund der Temperaturabhängigkeit der an der Meßdiode abfallenden Diodendurchflußspannung ein Maß der Tempera­ tur der Schaltstufe 1, d. h. ein Maß der Temperatur einer Sperrschicht des Leistungstransistors 1. Die Meßspannung UM wird dem ersten Vergleichsein­ gang 41 der Vergleichseinheit 4 zugeführt und die am Referenzanschluß 30 von der Vergleichsspannungsquelle 3 bereitgestellte Vergleichsspannung US wird dem zweiten Vergleichseingang 42 der Vergleichseinheit 4 zugeführt. Die Vergleichseinheit 4 erzeugt aus der Meßspannung UM und aus der Ver­ gleichsspannung US ein am ersten Vergleichsausgang 43 anstehendes erstes Vergleichssignal SA1 und ein am zweiten Vergleichsausgang 44 anstehendes zweites Vergleichssignal SA2, die dem Vorzeichen der Spannungsdifferenz UD zwischen der Meßspannung UM und der Vergleichsspannung US entsprechen. Das erste Vergleichssignal SA1 wird dem Steuereingang 31 der Vergleichs­ spannungsquelle 3 zugeführt und dient zum Ein- und Ausschalten des Schalt­ transistors 35. Durch das Einschalten des Schalttransistors 35 ändert sich die Belastung der Referenzspannungsquelle 37, da dann ein zusätzlicher Strom IR durch den Lastwiderstand 36 und durch den Schalttransistor 35 fließt. Dieser zusätzliche Strom IR bewirkt eine Änderung der Vergleichsspannung US um einen von dem Widerstandsverhältnis des Lastwiderstandes 36 und der Ausgangsimpedanz 38 abhängigen Hysteresewert. Der Hysteresewert wird durch die Kollektor-Emitter-Spannung des eingeschalteten Schalttran­ sistors 35 kaum beeinflußt, da diese aufgrund der inversen Beschaltung des Schaltransistors 35 sehr gering ist. Das zweite Vergleichssignal SA2 wird über die Treiberstufe 6 dem Steueranschluß 10 Schaltstufe 1 zugeführt. Am zwei­ ten Treibereingang 62 der Treiberstufe liegt ein Schaltsignal USCH zum Ein- und Ausschalten der Schaltstufe 1 an. Die Schaltstufe 1 kann jedoch jeder­ zeit, d. h. unabhängig vom Schaltsignal USCH, durch das dem ersten Treiber­ eingang 61 zugeführte zweite Vergleichssignals SA2 ausgeschaltet werden. Dem zweiten Schaltanschluß 12 der Schaltstufe 1 wird die Betriebsspannung UCC zugeführt, so daß bei eingeschalteter Schaltstufe 1 ein Laststrom IL in die Last 5 eingespeist wird.The measurement voltage U M provided by the temperature detection unit 2 at the sensor connection 20 is a measure of the temperature of the switching stage 1 , ie a measure of the temperature of a barrier layer of the power transistor 1 , due to the temperature dependence of the diode flow voltage dropping across the measurement diode. The measuring voltage U M is fed to the first comparison input 41 of the comparison unit 4 and the comparison voltage U S provided at the reference terminal 30 by the comparison voltage source 3 is fed to the second comparison input 42 of the comparison unit 4 . The comparison unit 4 generates from the measurement voltage U M and from the comparison voltage U S a first comparison signal S A1 present at the first comparison output 43 and a second comparison signal S A2 present at the second comparison output 44 , which has the sign of the voltage difference U D between the measurement voltage U M and the comparison voltage U S correspond. The first comparison signal S A1 is supplied to the control input 31 of the comparison voltage source 3 and is used to switch the switching transistor 35 on and off. When the switching transistor 35 is switched on, the load on the reference voltage source 37 changes since an additional current I R then flows through the load resistor 36 and through the switching transistor 35 . This additional current I R causes the comparison voltage U S to change by a hysteresis value which is dependent on the resistance ratio of the load resistor 36 and the output impedance 38 . The hysteresis is hardly affected by the collector-emitter voltage of the switched Schalttran sistors 35, since this is very low due to the inverse wiring of the switching transistor 35th The second comparison signal S A2 is fed via the driver stage 6 to the control connection 10 switching stage 1 . At the second driver input 62 of the driver stage there is a switching signal U SCH for switching the switching stage 1 on and off. However, the switching stage 1 can be switched off at any time, ie independently of the switching signal U SCH , by the second comparison signal S A2 supplied to the first driver input 61 . The operating voltage U CC is supplied to the second switching terminal 12 of the switching stage 1 , so that a load current I L is fed into the load 5 when the switching stage 1 is switched on.

Die Temperatur der Schaltstufe 1 wird durch die Vergleichseinheit 4 über­ wacht, indem diese die Meßspannung UM mit der Vergleichsspannung US ver­ gleicht. Die Vergleichsspannung US entspricht, falls die Temperatur der Schaltstufe 1 kleiner als die Ausschalttemperatur ist, der Ausschalttempera­ tur. In diesem Falle hängt der Schaltzustand der Schaltstufe 1 vom Schaltsi­ gnal USCH ab. Eine durch den Laststrom IL bedingte Erwärmung der Schaltstu­ fe 1 bewirkt dann eine Änderung der Meßspannung UM. Sobald die Tempe­ ratur der Schaltstufe 1 die Ausschalttemperatur überschreitet, ändert sich das Vorzeichen der Spannungsdifferenz UD. Die Vergleichseinheit 4 detek­ tiert diesen Vorzeichenwechsel und schaltet daraufhin die Schaltstufe 1 aus. Mit der Vergleichseinheit 4 wird gleichzeitig auch der Schalttransistor 35 umgeschaltet. Hierdurch wird die Vergleichsspanung US derart verändert, daß die Spannungsdifferenz UD betragsmäßig ansteigt und somit ein siche­ res Ausschalten der Schaltstufe 1 gewährleistet wird. Die Vergleichsspan­ nung US springt dabei um den Hysteresewert auf einen der Einschalttempe­ ratur entsprechenden neuen Spannungswert. Die Einschalttemperatur ist um eine Differenztemperatur kleiner als die Ausschalttemperatur, wobei die Differenztemperatur durch den Hysteresewert vorgegeben ist. The temperature of the switching stage 1 is monitored by the comparison unit 4 by comparing the measuring voltage U M with the comparison voltage U S. The comparison voltage U S corresponds to the switch-off temperature if the temperature of switching stage 1 is lower than the switch-off temperature. In this case, the switching state of switching stage 1 depends on the switching signal U SCH . A heating of the switching stage 1 caused by the load current I L then causes a change in the measuring voltage U M. As soon as the temperature of switching stage 1 exceeds the switch-off temperature, the sign of the voltage difference U D changes . The comparison unit 4 detects this change of sign and then switches off the switching stage 1 . With the comparison unit 4 , the switching transistor 35 is also switched over at the same time. As a result, the comparison voltage U S is changed such that the voltage difference U D increases in amount and thus a safe res switching off of the switching stage 1 is ensured. The comparison voltage U S jumps by the hysteresis value to a new voltage value corresponding to the switch-on temperature. The switch-on temperature is one difference temperature lower than the switch-off temperature, the differential temperature being predetermined by the hysteresis value.

Die Schaltstufe 1 kühlt im ausgeschalteten Zustand ab. Das Vorzeichen der Spannungsdifferenz UD ändert sich dabei dann, wenn die Temperatur der Schaltstufe 1 die Einschalttemperatur unterschreitet. Die Vergleichseinheit 4, die diesen Vorzeichenwechsel detektiert, schaltet daraufhin die Schaltstu­ fe 1, sofern diese nicht durch das Schaltsignal USCH ausgeschaltet wird, wie­ der ein. Gleichzeitig schaltet sie auch den Schalttransistor 31 in den ur­ sprünglichen Schaltzustand um, so daß die Vergleichsspannung US wieder den der Ausschalttemperatur entsprechenden ursprünglichen Spannungs­ wert annimmt.Switching stage 1 cools down when switched off. The sign of the voltage difference U D changes when the temperature of switching stage 1 falls below the switch-on temperature. The comparison unit 4 , which detects this change of sign, then switches the switching stage 1 , provided that this is not switched off by the switching signal U SCH , as the one. At the same time, it also switches the switching transistor 31 into the original switching state, so that the comparison voltage U S again assumes the original voltage value corresponding to the switch-off temperature.

Gemäß Fig. 2 weist die Vergleichseinheit 4 einen Transkonduktanzverstär­ ker, d. h. einen Differenzverstärker, der die Differenzspannung UD in einen Ausgangsstrom wandelt, und zwei Widerstände 45, 46, die den Ausgangs­ strom in zwei Teilströme aufteilen, auf. Der eine Teilstrom wird über den Widerstand 45 dem ersten Vergleichsausgang 43 als erstes Vergleichssignal SA1 zugeführt und der andere Teilstrom wird über den Widerstand 46 dem zweiten Vergleichsausgang 44 als zweites Vergleichssignal SA2 zugeführt. Die Referenzspannungsquelle 37 weist als Ausgangsimpedanz einen Span­ nungsteiler mit den beiden Widerständen 38' und 38" auf, der die konstante Versorgungsspannung UCC1 von beispielsweise 5 V auf die Vergleichsspan­ nung US, deren Spannungswerte beispielsweise zwischen 400 mV und 500 mV liegen, herunterteilen. Durch das Einschalten des Schalttransistors 35 wird der Lastwiderstand 36 zum Widerstand 38' parallel geschaltet und das Teilverhältnis des Spannungsteilers und demnach auch die Vergleichsspan­ nung US verändert.According to FIG. 2, 4, the comparison unit a Transkonduktanzverstär ker, ie, a differential amplifier that converts the difference voltage U D to an output current, and two resistors 45, 46 which divide the output stream into two partial streams, to. One partial current is supplied via the resistor 45 to the first comparison output 43 as the first comparison signal S A1 and the other partial current is supplied via the resistor 46 to the second comparison output 44 as the second comparison signal S A2 . The reference voltage source 37 has as an output impedance a voltage divider with the two resistors 38 'and 38 ", which divide the constant supply voltage U CC1 from, for example, 5 V to the reference voltage U S , the voltage values of which are between 400 mV and 500 mV, for example. By switching on the switching transistor 35 , the load resistor 36 is connected in parallel with the resistor 38 'and the part ratio of the voltage divider and therefore also the comparison voltage U S is changed.

Die Schaltstufe 1, die Temperaturerfassungseinheit 2, die Referenzspan­ nungsquelle 3, die Vergleichseinheit 4 und die Treiberstufe 5 sind in einen Schaltkreis integrierbar. Die Meßdiode 22 ist dabei in der Nähe der Schaltstu­ fe 1 angeordnet, so daß sie durch die Erwärmung der Schaltstufe 1 ebenfalls erwärmt wird.The switching stage 1 , the temperature detection unit 2 , the reference voltage source 3 , the comparison unit 4 and the driver stage 5 can be integrated into a circuit. The measuring diode 22 is arranged in the vicinity of the Schaltstu fe 1 , so that it is also heated by the heating of the switching stage 1 .

Die Bezugspotentialanschlüsse 32 und 21 liegen beide auf Massepotential. Die Meßspannung UM beträgt daher etwa 400-500 mV und nimmt bei stei­ gender Temperatur pro °C um ca. 2 mV ab. Die Kollektor-Emitter-Spannung des eingeschalteten Schalttransistors 35 beträgt wegen dessen inversen Be­ schaltung ca. 3-10 mV, und ist somit wesentlich kleiner als die Vergleichs­ spannung US. Die Vergleichsspannung US hängt demzufolge im wesentlichen nur von der Versorgungsspannung UCC1 und den Widerständen 36, 38' und 38" ab und ist, da die Widerstände 36, 38' und 38" gleiche Temperaturkoef­ fizienten aufweisen, zudem temperaturunabhängig.The reference potential connections 32 and 21 are both at ground potential. The measuring voltage U M is therefore about 400-500 mV and decreases with increasing temperature per ° C by about 2 mV. The collector-emitter voltage of the switched-on switching transistor 35 is approximately 3-10 mV because of its inverse circuit, and is thus significantly lower than the comparison voltage U S. The comparison voltage U S consequently depends essentially only on the supply voltage U CC1 and the resistors 36 , 38 'and 38 "and, since the resistors 36 , 38 ' and 38 " have the same temperature coefficients, is also temperature-independent.

Die Schaltstufe 1 wird, solange ihre Temperatur kleiner als die Ausschalttem­ peratur von beispielsweise 150°C ist, d. h. solange die Meßspannung UM grö­ ßer als die Vergleichsspannung US ist, durch die Vergleichseinheit 1 nicht ausgeschaltet. Sobald die Meßspannung UM aufgrund eines Temperaturan­ stiegs die Vergleichsspannung US unterschreitet, werden die Schaltstufe 1 und der Schalttransistor 35 durch die Vergleichseinheit 4 ausgeschaltet. Die Vergleichsspannung US springt daraufhin auf einen um den Hysteresewert höheren Spannungswert, so daß die Schaltstufe 1 auch weiterhin ausgeschaltet bleibt. Die Schaltstufe 1 kann erst dann wieder eingeschaltet werden, wenn die Meßspannung UM die nun um den Hysteresewert höhere Vergleichsspannung US überschreitet, d. h. wenn die Temperatur der Schaltstufe 1 die Einschalttemperatur unterschreitet. Die Einschalttempe­ ratur ist dabei um eine Differenztemperatur von beispielsweise 24°C, das entspricht einem Hysteresewert von etwa 47 mV, kleiner als die Ausschalt­ temperatur. Sobald die Temperatur der Schaltstufe 1 die Einschalttem­ peratur unterschreitet, wird Schalttransistor 35 eingeschaltet und die Ver­ gleichsspannung US hierdurch um den Hysteresewert auf den der Ausschalt­ temperatur entsprechenden ursprünglichen Spannungswert reduziert.The switching stage 1 is not switched off by the comparison unit 1 as long as its temperature is lower than the temperature of, for example, 150 ° C., that is, as long as the measuring voltage U M is greater than the comparison voltage U S. As soon as the measuring voltage U M falls below the comparison voltage U S due to a temperature rise, the switching stage 1 and the switching transistor 35 are switched off by the comparison unit 4 . The comparison voltage U S then jumps to a voltage value higher by the hysteresis value, so that switching stage 1 remains switched off. Switching stage 1 can only be switched on again when the measuring voltage U M exceeds the comparison voltage U S which is now higher by the hysteresis value, ie when the temperature of switching stage 1 falls below the switch-on temperature. The switch-on temperature is lower than the switch-off temperature by a differential temperature of, for example, 24 ° C, which corresponds to a hysteresis value of approximately 47 mV. As soon as the temperature of switching stage 1 falls below the switch-on temperature, switching transistor 35 is switched on and the comparison voltage U S is thereby reduced by the hysteresis value to the original voltage value corresponding to the switch-off temperature.

Fig. 3 zeigt eine vorteilhafte Ausgestaltung der Vergleichsspannungsquelle 3 aus Fig. 1 oder Fig. 2. Die Referenzspannungsquelle 37 ist hierbei als eine an sich bekannte Bandgap-Spannungsquelle ausgeführt, die die Wider­ stände 310, 311, 312, 313, 380' und 380", die Transistoren 320 und 321 und den Differenzverstärker 350 umfaßt. Die Versorgungsleitung 33, an der die Versorgungsspannung UCC1 anliegt, ist dabei über den Widerstand 310 mit dem Kollektor des Transistors 320 und über den Widerstand 311 mit dem Kollektor des Transistors 321 verbunden; der Kollektor des Transistors 320 ist mit dem nichtinvertierenden Eingang des Differenzverstärkers 350 und der Kollektor des Transistors 321 mit dem invertierenden Eingang des Differenz­ verstärkers 350 verbunden; der Ausgang des Differenzverstärkers 350 ist mit den Basisanschlüssen der Transistoren 320 und 321 und über den Wider­ stand 380" und den diesem nachgeschalteten Widerstand 380' mit dem Be­ zugspotentialanschluß 32 verbunden; der Emitter des Transistors 321 ist über den Widerstand 312 mit dem Emitter des Transistors 320 verbunden und der Emitter des Transistors 320 ist über den Widerstand 313 mit dem Bezugspotentialanschluß 32 verbunden. Der mit den Widerständen 380' und 380" gebildete Spannungsteiler entspricht dem Spannungsteiler 38', 38" aus Fig. 2. Fig. 3 shows an advantageous embodiment of the reference voltage source 3 from Fig. 1 or Fig. 2. The reference voltage source 37 is designed as a known bandgap voltage source, the resistors 310 , 311 , 312 , 313 , 380 'and 380th ", which includes transistors 320 and 321 and differential amplifier 350. Supply line 33 , to which supply voltage U CC1 is present, is connected via resistor 310 to the collector of transistor 320 and via resistor 311 to the collector of transistor 321 ; the collector of transistor 320 is connected to the non-inverting input of differential amplifier 350 and the collector of transistor 321 to the inverting input of the differential amplifier 350 is connected, the output of the differential amplifier 350 is connected to the bases of the transistors 320 and 321 and the reflection was 380 " and the resistor 380 'connected downstream with the reference potential terminal 32 connected; the emitter of transistor 321 is connected to the emitter of transistor 320 via resistor 312 and the emitter of transistor 320 is connected to reference potential terminal 32 via resistor 313 . The voltage divider formed with the resistors 380 'and 380 "corresponds to the voltage divider 38 ', 38 " from FIG. 2.

Die Widerstände 310 . . . 313 sind derart dimensioniert, daß der Widerstand 310 um einen Faktor n1 kleiner als der Widerstand 311 ist, der Widerstand 312 um einen Faktor n2 kleiner als der Widerstand 311 ist und der Wider­ stand 313 um den Faktor 1 + n1 kleiner als der Widerstand 311 ist, wobei für die Faktoren n1 und n2 folgende Bedingung gilt: n2 . Ig(n1) ≈ 10. Die am Aus­ gang des Differenzverstärkers 350 anstehende Ausgangsspannung UA be­ trägt dann 1,205 V. Sie ist unabhängig von Temperaturschwankungen und auch unabhängig von Schwankungen der Versorgungsspannung UCC1, so daß die mit dem Spannungsteiler 380', 380", mit dem Lastwiderstand 36 und mit dem Schalttransistor 35 daraus abgeleitete Vergleichsspannung US dann ebenfalls unabhängig von Schwankungen der Versorgungsspannung UCC1 ist. Die Ausschalttemperatur der Schaltstufe 1 wird demzufolge durch die Ver­ sorgungsspannung UCC1 nicht beeinflußt.Resistors 310 . , , 313 are dimensioned such that the resistor 310 is smaller by a factor n 1 than the resistor 311 , the resistor 312 is smaller by a factor n 2 than the resistor 311 and the resistor 313 was smaller by a factor 1 + n 1 than that Resistor 311 , with the following condition for the factors n 1 and n 2 : n 2 . Ig (n 1 ) ≈ 10. The output voltage U A present at the output of the differential amplifier 350 then amounts to 1.205 V. It is independent of temperature fluctuations and also independent of fluctuations in the supply voltage U CC1 , so that the voltage divider 380 ', 380 ", with the load resistor 36 and with the switching transistor 35 derived therefrom comparison voltage U S is then also independent of fluctuations in the supply voltage U CC1 . The switch-off temperature of the switching stage 1 is consequently not influenced by the supply voltage U CC1 .

In den Fig. 1 und 2 ist die Schaltstufe 1 als npn-Transistor eingezeichnet. Denkbar sind jedoch auch Schaltungsanordnungen mit als pnp-Transistoren ausgebildeten Schaltstufen.In Figs. 1 and 2, the switching circuit 1 is shown as a npn transistor. However, circuit arrangements with switching stages designed as pnp transistors are also conceivable.

Claims (4)

1. Schaltungsanordnung zum Schützen einer Schaltstufe (1) vor thermischer Überlastung
  • - mit einer Temperaturerfassungseinheit (2) zur Erzeugung einer der Temperatur der Schaltstufe (1) entsprechenden Meßspannung (UM),
  • - mit einer Vergleichsspannungsquelle (3) zur Erzeugung einer an ei­ nem Referenzanschluß (30) anstehenden Vergleichsspannung (US), wobei die Vergleichsspannungsquelle (3) eine mit dem Referenzan­ schluß (30) verbundene Referenzspannungsquelle (37) mit gegebener Ausgangsimpedanz (38) und eine mit dem Referenzanschluß (30) verbundene Reihenschaltung aus einem Lastwiderstand (36) und ei­ nem Bipolartransistor (35) aufweist,
  • - und mit einer Vergleichseinheit (4) zur Detektion eines Vorzeichen­ wechsels der Spannungsdifferenz (UD) zwischen der Meßspannung (UM) und der Vergleichsspannung (US),
wobei
  • - der Bipolartransistor (35) durch die Vergleichseinheit (4) derart ange­ steuert ist, daß die Vergleichsspannung (US) bei einem durch einen Anstieg der Meßspannung (UM) bedingten Vorzeichenwechsel der Spannungsdifferenz (UD) um einen Hysteresewert reduziert und bei einem durch einen Abfall der Meßspannung (UM) bedingten Vorzei­ chenwechsel der Spannungsdifferenz (UD) um den Hysteresewert er­ höht wird
  • - und die Schaltstufe (1) durch die Vergleichseinheit (4) derart ange­ steuert ist, daß sie bei einem durch einen Anstieg der Temperatur der Schaltstufe (1) bewirkten Vorzeichenwechsel der Spannungs­ differenz (UD) ausgeschaltet wird und erst nach einem durch einen Abfall der Temperatur der Schaltstufe (1) bewirkten Vorzeichenwech­ sel der Spannungsdifferenz (UD) wieder einschaltbar ist,
dadurch gekennzeichnet, daß der Referenzanschluß (30) über die Reihenschaltung aus Lastwiderstand (36) und Bipolartransistor (35) mit einem auf einem Bezugspotential liegenden Bezugspotentialanschluß (32) verbunden ist und daß der Bipolartransistor (35) als Schalttransistor invers betrieben ist.1. Circuit arrangement for protecting a switching stage ( 1 ) against thermal overload
  • - With a temperature detection unit ( 2 ) for generating a measuring voltage (U M ) corresponding to the temperature of the switching stage ( 1 ),
  • - with a comparison voltage source (3) for generating a pending at ei nem reference terminal (30) comparison voltage (U S), wherein the reference voltage source (3) with the Referenzan circuit (30) reference voltage source (37) connected to a given output impedance (38) and has a series circuit comprising a load resistor ( 36 ) and a bipolar transistor ( 35 ) connected to the reference terminal ( 30 ),
  • - And with a comparison unit ( 4 ) for detecting a sign change of the voltage difference (U D ) between the measuring voltage (U M ) and the comparison voltage (U S ),
in which
  • - The bipolar transistor ( 35 ) is controlled by the comparison unit ( 4 ) in such a way that the reference voltage (U S ) is reduced by a hysteresis value in the event of a change in the sign of the voltage difference (U D ) due to an increase in the measuring voltage (U M ) and at one due to a drop in the measuring voltage (U M ), the change in the sign of the voltage difference (U D ) by the hysteresis value is increased
  • - And the switching stage ( 1 ) is controlled by the comparison unit ( 4 ) in such a way that it is switched off at a change in sign of the voltage difference (U D ) caused by an increase in the temperature of the switching stage ( 1 ) and only after a drop the temperature of the switching stage ( 1 ) brought about by changing the sign of the voltage difference (U D ) can be switched on again,
characterized in that the reference connection ( 30 ) is connected via the series circuit comprising load resistor ( 36 ) and bipolar transistor ( 35 ) to a reference potential connection ( 32 ) which is at a reference potential and that the bipolar transistor ( 35 ) is operated inversely as a switching transistor. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturerfassungseinheit (2) eine mit der Schaltstufe (1) thermisch ge­ koppelte Meßdiode (22) als Temperatursensor und eine Ruhestromquelle (25) zur Einprägung eines Ruhestromes (I0) in die Meßdiode (22) aufweist, wobei eine entlang der Meßdiode (22) abfallende Diodendurchflußspannung der Meßspannung (UM) entspricht.2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the temperature detection unit ( 2 ) with the switching stage ( 1 ) ge thermally coupled measuring diode ( 22 ) as a temperature sensor and a quiescent current source ( 25 ) for impressing a quiescent current (I 0 ) in the measuring diode ( 22 ), a diode flow voltage falling along the measuring diode ( 22 ) corresponding to the measuring voltage (U M ). 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßdiode (22) als Bipolartransistor mit kurzgeschlossenem Kollektor- und Basis-Anschluß ausgeführt ist.3. A circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the measuring diode ( 22 ) is designed as a bipolar transistor with a short-circuited collector and base connection. 4. Schaltungsanordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Referenzspannungsquelle (37) als Bandgap-Span­ nungsquelle ausgeführt ist.4. Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the reference voltage source ( 37 ) is designed as a bandgap voltage source.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10205502A1 (en) * 2002-02-09 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor component with integrated temperature sensor formed by bipolar transistor

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10014434A1 (en) * 2000-03-16 2001-09-20 Volkswagen Ag Electrical circuit arrangement for checking lines and electrical components

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD215428A1 (en) * 1983-06-01 1984-11-07 Halbleiterwerk Frankfurt Oder PROCESS FOR THE THERMAL PROTECTION OF INTEGRATED CIRCUITS
GB2210501A (en) * 1987-09-28 1989-06-07 Mitsubishi Electric Corp Temperature protection of semiconductor power devices
DD284565A5 (en) * 1989-06-01 1990-11-14 Veb Halbleiterwerk,Dd TEMPERATURE PROTECTION FOR INTEGRATED CIRCUIT
DE4122653A1 (en) * 1991-07-09 1993-01-28 Daimler Benz Ag CONTROLLABLE SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE WITH INTEGRATED CURRENT LIMITATION AND OVER-TEMPERATURE SHUTDOWN
EP0525255A1 (en) * 1990-04-02 1993-02-03 Motorola, Inc. Semiconductor device protection circuit
EP0618658A1 (en) * 1993-03-31 1994-10-05 STMicroelectronics S.r.l. Thermal protection circuit

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD215428A1 (en) * 1983-06-01 1984-11-07 Halbleiterwerk Frankfurt Oder PROCESS FOR THE THERMAL PROTECTION OF INTEGRATED CIRCUITS
GB2210501A (en) * 1987-09-28 1989-06-07 Mitsubishi Electric Corp Temperature protection of semiconductor power devices
DD284565A5 (en) * 1989-06-01 1990-11-14 Veb Halbleiterwerk,Dd TEMPERATURE PROTECTION FOR INTEGRATED CIRCUIT
EP0525255A1 (en) * 1990-04-02 1993-02-03 Motorola, Inc. Semiconductor device protection circuit
DE4122653A1 (en) * 1991-07-09 1993-01-28 Daimler Benz Ag CONTROLLABLE SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE WITH INTEGRATED CURRENT LIMITATION AND OVER-TEMPERATURE SHUTDOWN
EP0618658A1 (en) * 1993-03-31 1994-10-05 STMicroelectronics S.r.l. Thermal protection circuit

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ANTOGNETTI, P.: Power Integrated Circuits, McGraw-Hill, 1986, S. 6.23-6.24 *
LEMME,Helmuth: Sichere Schaltungen mit TOPFET. In: Elektronik 4/1993, S.24-27 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10205502A1 (en) * 2002-02-09 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor component with integrated temperature sensor formed by bipolar transistor
DE10205502B4 (en) * 2002-02-09 2009-01-15 Infineon Technologies Ag Semiconductor device with integrated temperature sensor

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