DE19500136A1 - Opto-electronic component with axial grating period modulation for e.g. semiconductor laser - Google Patents

Opto-electronic component with axial grating period modulation for e.g. semiconductor laser

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DE19500136A1 DE1995100136 DE19500136A DE19500136A1 DE 19500136 A1 DE19500136 A1 DE 19500136A1 DE 1995100136 DE1995100136 DE 1995100136 DE 19500136 A DE19500136 A DE 19500136A DE 19500136 A1 DE19500136 A1 DE 19500136A1
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Abstract

The component has at least three layers several different semiconductor materials and an optical waveguide with a feedback grating with grating strips orthogonal to longitudinal direction. The inhomogeneous grating is combined with an arcuated waveguide. The inhomogeneous grating comprises several individual grating fields, fitted in longitudinal direction in tandem. The grating period within an individual grating field is constant and the grating period of adjacent fields in different and also differ from zero, meeting the specified relation.

Description

Die vorliegende erfindungsgemäße Lösung ermöglicht die Realisierung von optischen Rückstreugittern mit axial variierbarer Gitterperiode und kann in verschiedenartigen photonischen Komponenten angewendet werden, welche auf der Basis von DFB (engl. = distributed feedback) Gittern, DBR (engl. = distributed Bragg reflector) Gittern oder axial mehrfach unterbrochenen Gitterstrukturen (engl. "sampled grating") arbeiten. Für folgende photonische Komponenten ist die Erfindung von Bedeutung: z. B. Laser, Laser- Verstärker, Filter, Koppler, Schalter, Wellenlängen- Konverter, Multiplexer, Wellenleiter-Verzweigungen (engl. splitter), Wellenleiter-Zusammenführungen (engl. combiner), Demultiplexer und Detektoren.The present solution according to the invention enables Realization of optical backscatter grids with axial variable grating period and can be of various types photonic components are applied, which on the Basis of DFB (distributed feedback) grids, DBR (English = distributed Bragg reflector) grating or axial multiple interrupted lattice structures grating "). For the following photonic components the invention is important: z. B. laser, laser Amplifiers, filters, couplers, switches, wavelengths Converter, multiplexer, waveguide branches splitter), waveguide mergers (English combiner), Demultiplexers and detectors.

Zum Stand der Technik gehören folgende Arbeiten, welche thematisch mit der vorliegenden Erfindung zusammenhängen:The following works belong to the prior art, which thematically related to the present invention:

  • 1. Aus der Literatur sind Lösungen bekannt, die abrupte Änderungen der Korrugationsperiode in longitudinaler Bauelementerichtung bewirken. Dabei wird z. B. in der zentral gelegenen Sektion des Laser-Resonators mit der Methode der Selbstinterferenz eine größere Korrugationsperiode realisiert als in den Seitensektionen [M. Okai et. al., IEEE J. Quantum Electron 27, 1767 (1991)]. Mit dieser Struktur wurden zwar abrupte Korrugationsperioden-Änderungen erzeugt, aber nicht alle Vorteile, welche eine kontinuierliche Variation der Korrugationsperiode bietet, ausgeschöpft. Der Wellenleiter verläuft in diesem Fall gerade und senkrecht zu den Gitterstrichen.1. Solutions are known from the literature that are abrupt Changes in the corrugation period in longitudinal Effect device direction. Here, for. B. in the centrally located section of the laser resonator with the Method of self-interference a larger Corrugation period realized than in the side sections [M. Okai et. al., IEEE J. Quantum Electron 27, 1767 (1991)]. With this structure, abrupt Corrugation period changes generated, but not all Advantages, which a continuous variation of the Corrugation period offers, exhausted. The waveguide  in this case runs straight and perpendicular to the Dashes.
  • 2. In gewissem Rahmen ermöglicht auch die Elektronenstrahl- Litografie (EL) die Variation der Korrugationsperiode in longitudinaler Richtung. Allerdings ist bei diesem Verfahren die Differenz zwischen benachbarten Gitterperioden auf größere Werte begrenzt. Dadurch können mit EL lediglich DFB-Gitter hergestellt werden, welche eine kleine Anzahl verschiedener Sektionen aufweisen. Innerhalb dieser Sektionen ist die effektive Gitterperiode zwar konstant, sie unterscheidet sich jedoch von Sektion zu Sektion. [C. Kaden et. al. J. Vac. Sci. Technol. B 10 (6), Nov./Dez. (1992).]
    Es können keine quasi-kontinuierlichen Variationen der Gitterperiode mit dem Ort erreicht werden. Ferner ist EL ein kompliziertes Verfahren und die EL-Schreibzeit ist sehr teuer.    2. To a certain extent, electron beam lithography (EL) enables the corrugation period to be varied in the longitudinal direction. In this method, however, the difference between adjacent lattice periods is limited to larger values. As a result, only DFB gratings can be produced with EL that have a small number of different sections. The effective grating period is constant within these sections, but differs from section to section. [C. Kaden et. al. J. Vac. Sci. Technol. B 10 (6), Nov./Dec. (1992).]
    No quasi-continuous variations of the grating period with the location can be achieved. Furthermore, EL is a complicated process and the EL write time is very expensive.
  • 3. Eine weitere bekannte Lösung beinhaltet auf homogenen DFB-Gittern gekippt verlaufende Wellenleiter, welche eine Abweichung der Korrugationsperiode im Wellenleiter von derjenigen des ursprünglichen DFB Gitters ermöglichen. [Hirato Shoji, DE 36 43 361 A1, H 01 S 3/098-C (1987) sowie W. T. Tsang et al. IEEE Phot. Technol. Lett. 5, 978 (1993)].3. Another known solution involves on homogeneous DFB gratings tilted waveguides, which one Deviation of the corrugation period in the waveguide from enable that of the original DFB grid. [Hirato Shoji, DE 36 43 361 A1, H 01 S 3/098-C (1987) as well W. T. Tsang et al. IEEE Phot. Technol. Lett. 5, 978 (1993)].
  • 4. Des weiteren ist es bekannt, gekrümmte Wellenleiter auf homogenen DFB-Gitterfeldern zur Definition von Gittern mit axial variierter Gitterperiode zu nutzen [DE-42 33 500.0) sowie H. Hillmer et al. IEEE Photon. Technol. Lett. 5, 10 (1993)].4. Furthermore, it is known to have curved waveguides homogeneous DFB grid fields for the definition of grids with to use axially varied grating period [DE-42 33 500.0) and H. Hillmer et al. IEEE photon. Technol. Lett. 5, 10 (1993)].

Das Ziel der Erfindung ist es, optoelektronische Bauele­ mente mit individuell zugeschnittenen Eigenschaften für spezielle Anwendungsfälle zu ermöglichen. Dabei wird die Realisierung von optischen Rückkopplungsgittern mit - innerhalb eines Gitterfeldes - kontinuierlich variierbarer Korrugationsperiode angewendet.The aim of the invention is to optoelectronic devices elements with individually tailored properties for to enable special applications. The  Realization of optical feedback grids with - within a grid field - continuously variable Corrugation period applied.

Die axiale Variation der Korrugationsperiode innerhalb eines Gitterfeldes wird mittels eines gekrümmt verlaufenden optischen Lichtwellenleiters realisiert, welcher im Bereich eines optischen Rückkopplungs-Gitters liegt. Dabei weist das Rückkopplungs-Gitter in longitudinaler Richtung (z- Richtung) eine Anzahl (n + 1) von Teilbereichen mit unterschiedlicher Korrugationsperiode auf. Die longitudinale Richtung und axiale Richtung (entlang des Wellenleiters d. h. in Richtung des geführten Lichtes) sind bei der vorliegenden Lösung nicht identisch. Die axiale Richtung verläuft entlang der Wellenleiter-Krümmung und beschreibt näherungsweise die gekrümmt verlaufende optische Achse des im Wellenleiter geführten Lichtes. Die Erzeugung der axial variierbaren Korrugationsperiode resultiert aus zwei Effekten: 1. einer Grobabstimmung über den Sprung der Gitterperiode zwischen zwei benachbarten Gitterfeldern und 2. einer kontinuierlichen Feinabstimmung über eine axial variable lokale Kippung des optischen Wellenleiters relativ zu den Gitterstrichen. Der Winkel zwischen dem optischen Wellenleiter und den Gitterlinien variiert in longitudinaler Richtung. Die effektive, lokale Korrugationsperiode, welche aus der lokalen Lichtwellenleiter-Krümmung resultiert, ist aus dem Winkel ϑ(z) berechenbar, wobei ϑ(z) der Winkel zwischen der Senkrechten auf die der Stelle z benachbarte Gitterlinie und der Tangente an den Lichtwellenleiter an der Stelle z ist. Die effektive, lokale Korrugationsperiode an einer Stelle z, welche im Gitterfeld der Ordnungszahl i liegt, berechnet sich nach: Λ(z) = Λi/cos [ϑ(z)]. Dabei ist Λi die Korrugationsperiode des Gitterfeldes der Ordnungszahl i. The axial variation of the corrugation period within a grating field is realized by means of a curved optical fiber, which lies in the area of an optical feedback grating. The feedback grating has a number (n + 1) of partial areas with different corrugation periods in the longitudinal direction (z direction). The longitudinal direction and the axial direction (along the waveguide, ie in the direction of the guided light) are not identical in the present solution. The axial direction runs along the waveguide curvature and describes approximately the curved optical axis of the light guided in the waveguide. The generation of the axially variable corrugation period results from two effects: 1. a rough adjustment via the jump of the grating period between two adjacent grating fields and 2. a continuous fine adjustment via an axially variable local tilt of the optical waveguide relative to the grating lines. The angle between the optical waveguide and the grating lines varies in the longitudinal direction. The effective, local corrugation period, which results from the local optical waveguide curvature, can be calculated from the angle ϑ (z), where ϑ (z) is the angle between the perpendicular to the grating line adjacent to the point z and the tangent to the optical waveguide at the Digit z is. The effective, local corrugation period at a point z, which lies in the grid field of the ordinal number i, is calculated according to: Λ (z) = Λ i / cos [ϑ (z)]. Here Λ i is the corrugation period of the lattice field of atomic number i.

Die Grobabstimmung der Gitterperiode ergibt sich aus der sprungartigen Änderung der Gitterperiode von Gitterfeld zu Gitterfeld. Innerhalb eines Gitterfeldes der Ordnungszahl i ist die Gitterkonstante Λi unverändert. Die sprunghafte Änderung drückt sich im Nichtverschwinden der Differenz Λi - Λi+1 aus. Dabei ist n die Gesamtzahl der individuellen Gitterfelder und i verläuft ganzzahlig im Bereich 1 i n. Λi kann beliebig variiert werden, wobei z. B. alle Λi voneinander verschieden gewählt werden können oder auch die Gitterperioden nichtbenachbarter Gitterfelder wieder übereinstimmen können. Die Länge der individuellen Gitterfelder Li kann ebenfalls beliebig gewählt werden, wobei sich die Gesamtgitterlänge L aus L = L₁ + L₂ + . . . + Ln ergibt. Li kann auch die Länge von gitterfreien Teilab­ schnitten darstellen. Im Fall eines Laserbauelements oder eines Laserverstärkerbauelements wird Λi sinnvollerweise im Bereich Λmin Λi Λmax gewählt, wobei die korrespondierenden Wellenlängen λi = 2Neff · Λi innerhalb der spektralen Breite des optischen Verstärkungsprofils liegen.The coarse adjustment of the grid period results from the sudden change in the grid period from grid field to grid field. The lattice constant Λ i is unchanged within a lattice field of atomic number i. The sudden change is expressed in the non-disappearance of the difference Λ i - Λ i + 1 . Here n is the total number of individual grid fields and i is an integer in the range 1 i n. Λ i can be varied as desired, z. B. all Λ i can be selected differently from one another or the lattice periods of non-adjacent lattice fields can match again. The length of the individual grid fields L i can also be chosen arbitrarily, the total grid length L being L = L₁ + L₂ +. . . + L n results. L i can also represent the length of grid-free sections. In the case of a laser component or a laser amplifier component, Λ i is expediently chosen in the range Λ min Λ i Λ max , the corresponding wavelengths λ i = 2N eff · Λ i being within the spectral width of the optical amplification profile.

Das Gesamt-Gitterfeld wird entweder abschnittweise holographisch hergestellt, mit Elektronenstrahl-Litographie EL definiert oder mit Ionenstrahl-Lithographie realisiert. In Fig. 1 ist der gekrümmt verlaufende optische Wellenleiter zusammen mit diesem Gesamt-Gitterfeld dargestellt. Dabei kann der gekrümmte optische Wellenleiter in vertikaler Richtung (y-Richtung, senkrecht zur Bildebene) oberhalb oder unterhalb bzw. innerhalb des Gitterfeldes verlaufen. Der optische Wellenleiter schneidet auf Grund seiner Krümmung die in z-Richtung hintereinanderfolgenden Gitterstriche unter verschiedenen Winkeln. Die Änderung dieses Winkels erfolgt zwischen benachbarten Gitterstrichen in derart kleinen Schritten, daß von einer kontinuierlichen Änderung des Winkels und damit einer kontinuierlichen Änderung der axialen Korrugationsperiode innerhalb eines individuellen Gitterfeldes gesprochen werden kann. Entlang der Krümmung (= axiale Richtung) durchläuft das im optischen Wellenleiter geführte Licht ein lokal verschiedenartig gedehntes und teilweise auch ungedehntes Abbild der Gitterstruktur in z-Richtung. Das Gitter kann andererseits auch DBR-artig sein oder eine Übergitterstruktur aufweisen (sampled grating), wobei in z-Richtung zusätzlich eine bestimmte Anzahl gitterfreier Bereiche integriert sind. Die mathematische Funktion, welche die Krümmung des optischen Wellenleiters in der xz-Ebene beschreibt, ist stetig und wenn es zu keinen zusätzlichen Streuverlusten kommen soll, differenzierbar. Die Krümmungen dem Wellenleiters sind gemäßigt, wobei in Fig. 1 die Krümmungen zur Verdeutlichung stark übertrieben sind. Starke Wellenleiterkrümmungen (kleine Krümmungsradien), wie in den Abbildungen übertrieben dargestellt, würden in realen Bauelementen zu größeren Streuverlusten führen. Dies ist z. B. in Halbleiterlasern und Halbleiterlaser- Verstärkern jedoch unerwünscht.The entire grid field is either produced holographically in sections, defined with EL electron beam lithography or realized with ion beam lithography. In Fig. 1 the curved optical waveguide is shown together with this total grating field. The curved optical waveguide can run in the vertical direction (y direction, perpendicular to the image plane) above or below or within the grating field. Due to its curvature, the optical waveguide cuts the grating lines which follow one another in the z direction at different angles. The change of this angle takes place between adjacent grid lines in such small steps that one can speak of a continuous change of the angle and thus a continuous change of the axial corrugation period within an individual grid field. Along the curvature (= axial direction), the light guided in the optical waveguide passes through a locally differently expanded and in some cases also unexpanded image of the grating structure in the z direction. On the other hand, the grid can also be DBR-like or have a superlattice structure (sampled grating), a certain number of grid-free regions being additionally integrated in the z direction. The mathematical function, which describes the curvature of the optical waveguide in the xz plane, is continuous and can be differentiated if no additional scattering losses are to occur. The curvatures of the waveguide are moderate, the curvatures in FIG. 1 being greatly exaggerated for clarification. Strong waveguide curvatures (small radii of curvature), as exaggerated in the figures, would lead to greater scattering losses in real components. This is e.g. B. in semiconductor lasers and semiconductor laser amplifiers undesirable.

Erzielt werden kann eine äußerst präzise Variation der Korrugationsperiode sowie eine gezielte axiale Verteilung der Gesamtphasenverschiebung. Das Verfahren ist ungeachtet der speziellen Bauformen verschiedener photonischer Bauelemente anwendbar, wenn diese auf optischen Rückkopplungsgittern basieren.An extremely precise variation of the can be achieved Corrugation period and a targeted axial distribution the total phase shift. The procedure is irrelevant the special designs of various photonic Components applicable when these are optical Feedback grids are based.

Mittels der erfindungsgemäßen Lösung ist es möglich, die auftretenden geometrischen und kompositionellen Parameter so zu optimieren, daß die Kenngrößen des photonischen Bauelements wesentlich verbessert werden. Für einen Halbleiterlaser können beispielsweise Verbesserungen in Bezug auf folgende Eigenschaften und Parameter erzielt werden:By means of the solution according to the invention it is possible to occurring geometric and compositional parameters to optimize so that the parameters of the photonic Component can be significantly improved. For one Semiconductor lasers can, for example, improvements in Achieved in relation to the following properties and parameters will:

  • - kleinere Linienbreiten der optischen Emission, - smaller line widths of the optical emission,  
  • - maßgeschneidertes räumliches Lochbrennen,- customized spatial hole burning,
  • - gezielte Beeinflussung der Stabilität der Oszillation einzelner spektraler Moden,- targeted influence on the stability of the oscillation single spectral modes,
  • - gezielte Veränderung der Hochfrequenzeigenschaften:
    • - reduzierter Frequenz-Chirp,
    • - höhere Grenzfrequenzen unter hochfrequenter Modu­ lation,
    • - Realisierung flacher Frequenz-Modulations- Charakteristiken,
    - targeted change of the radio frequency properties:
    • - reduced frequency chirp,
    • - higher cut-off frequencies under high-frequency modulation,
    • - implementation of flat frequency modulation characteristics,
  • - Realisierung stabilerer axialer Einwelligkeit auch bei hohen Ausgangsleistungen,- Realization of more stable axial single-shaft also high output power,
  • - mögliche Schwellenstrom-Erniedrigung der Hauptmode und mögliche Schwellenstrom-Erhöhung der Seitenmoden,- possible lowering of the main current threshold current and possible increase in threshold current of the side modes,
  • - Linearisierung der Licht-Strom Kennlinie,- linearization of the light-current characteristic,
  • - Erhöhung der Ausbeute an photonischen Bauelementen bestimmter Spezifikationen,- Increasing the yield of photonic components certain specifications,
  • - Erhöhung der abgestrahlten optischen Leistung,- increasing the emitted optical power,
  • - Erweiterte Wellenlängen-Durchstimmbarkeit.- Extended wavelength tunability.

BezugszeichenlisteReference list

i Ordnungszahl der individuellen Gitterfelder
n Gesamtzahl der individuellen Gitterfelder
L₁ |
Li | Länge der individuellen Gitterfelder
Ln |
L Gesamtgitterlänge
Λi Gitterperiode des Gitterfeldes der Ordnungszahl i
λi Bragg-Wellenlänge im Gitterfeld der Ordnungszahl i
Neff effektiver Brechungsindex des Wellenleiters
z longitudinale Richtung
ϑ(z) Winkel zwischen der Senkrechten auf die der Stelle z benachbarte Gitterlinie und der Tangente an den Lichtwellenleiter an der Stelle z
Λmin kleinste Gitterperiode aller individuellen Gitterfelder
Λmax größte Gitterperiode aller individuellen Gitterfelder
$λv spektrale Breite des optischen Verstärkungsprofilsi Ordinal number of the individual grid fields
n Total number of individual grid fields
L₁ |
L i | Length of the individual grid fields
L n |
L total grid length
Λ i lattice period of the lattice field of atomic number i
λ i Bragg wavelength in the lattice field of atomic number i
N eff effective refractive index of the waveguide
z longitudinal direction
ϑ (z) Angle between the perpendicular to the grid line adjacent to point z and the tangent to the optical waveguide at point z
Λ min smallest grid period of all individual grid fields
Λ max largest grid period of all individual grid fields
$ λ v spectral width of the optical gain profile

Claims (18)

1. Optoelektronisches Bauelement mit axialer Gitterperiodenmodulation mit mindestens drei Schichten aus mindestens zwei verschiedenen Halbleitermaterialien und einem optischen Wellenleiter, wobei in dem Bereich des Wellenleiters, in dem die Intensität des geführten Lichtes deutlich von Null verschieden ist, das Rückkopplungsgitter mit seinen senkrecht zur longitudinalen Richtung angeordneten Gitterstrichen liegt, dadurch gekennzeichnet, daß das optoelektronische Bauelement ein inhomogenes Rückkopplungsgitter in Kombination mit einem gekrümmt verlaufenden Wellenleiter aufweist, wobei das inhomogene Rückkopplungsgitter mindestens zwei in longitudinaler Richtung (z) hintereinander angeordnete individuelle Gitterfelder aufweist, daß die Gitterperiode innerhalb eines individuellen Gitterfeldes der Ordnungszahl i konstant ist und den Betrag Λi aufweist, wobei sich die Gitterperiode zwischen benachbarten Gitterfeldern unterscheidet und Λi - Λi+1 von Null verschieden ist, n die Gesamtzahl der individuellen Gitterfelder ist, und i ganzzahlig im Bereich 1 i n liegt.1. Optoelectronic component with axial lattice period modulation with at least three layers of at least two different semiconductor materials and an optical waveguide, the feedback grating with its perpendicular to the longitudinal direction being arranged in the region of the waveguide in which the intensity of the guided light is clearly different from zero Lattice lines lies, characterized in that the optoelectronic component has an inhomogeneous feedback grating in combination with a curved waveguide, the inhomogeneous feedback grating having at least two individual grating fields arranged one behind the other in the longitudinal direction (z), that the grating period within an individual grating field of ordinal number i is constant and has the magnitude Λ i , the grating period differing between adjacent grating fields and Λ i - Λ i + 1 being different from zero, n being the G is the total number of individual grid fields, and i is an integer in the range 1 in. 2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitterperioden Λi der individuellen Gitterfelder im Falle eines Halbleiterlaserverstärkers bzw. Halbleiterlasers mit axial homogener aktiver Schicht in einem Bereich Λmin Λi Λmax liegen und die spektrale Breite des optischen Verstärkungsprofils Δλv in die Beziehung eingeht, wobei Neff der effektive Brechungsindex der Wellenleiterstruktur ist.2. Optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the grating periods Λ i of the individual grating fields in the case of a semiconductor laser amplifier or semiconductor laser with an axially homogeneous active layer lie in a range Λ min Λ i Λ max and the spectral width of the optical gain profile Δλ v in the relationship incoming, where N eff is the effective refractive index of the waveguide structure. 3. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß die Längen der individuellen Gitterfelder Li mit i im ganzzahligen Bereich von 1 i n beliebig gewählt werden können, wobei die longitudinale Gesamtgitterlänge L sich aus L = L₁ + L₂ + . . . + Ln-1 + Ln ergibt.3. Optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the lengths of the individual grid fields L i with i in the integer range of 1 can be chosen in any way, the longitudinal total grid length L being L = L₁ + L₂ +. . . + L n-1 + L n results. 4. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß alle Gitterperioden Λi voneinander verschieden sind.4. Optoelectronic component according to claim 1, characterized in that all the grating periods Λ i are different from one another. 5. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitterperioden Λi und Λi+m nichtbenachbarter Gitterfelder mit 2 m n - 2 identisch sind, wobei es eine beliebige Anzahl von Gitterfeldpaaren gleicher Gitterperiode gibt.5. Optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the grating periods Λ i and Λ i + m of non-adjacent grating fields with 2 mn - 2 are identical, there being any number of grating field pairs of the same grating period. 6. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Realisierung des gekrümmten optischen Wellenleiters ein in sich konsistenter Li­ thographie-Maskensatz verwendet wird, wobei die Wellen­ leiterkrümmung nach nahezu beliebigen mathematischen Funktionen verläuft, und daß die Wellenleiter-Struktur in den auf der Oberfläche der Halbleiterstruktur aufgebrachten Photolackschichten mittels optischer Masken-Lithographie definiert wird. 6. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized in that to realize the curved optical waveguide a consistent Li thography mask set is used, the waves conductor curvature according to almost any mathematical Functions runs, and that the waveguide structure in the on the surface of the semiconductor structure applied photoresist layers by means of optical Mask lithography is defined.   7. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gekrümmte Wellenleiter-Struktur in den auf der Oberfläche der Halbleiterstruktur aufgebrachten Photolackschichten direkt mittels Elektronenstrahl-Lithographie definiert wird.7. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized in that the curved waveguide structure in the on the surface of the semiconductor structure applied photoresist layers directly by means of Electron beam lithography is defined. 8. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gekrümmte Wellenleiter-Struktur in den auf der Oberfläche der Halbleiterstruktur aufgebrachten Photolackschichten direkt mittels Ionenstrahl-Lithographie definiert wird.8. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized in that the curved waveguide structure in the on the surface of the semiconductor structure applied photoresist layers directly by means of Ion beam lithography is defined. 9. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Gitters komplex ist und Brechungsindex- sowie Gewinnkopplung beinhaltet.9. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized in that the coupling of the lattice is complex is and refractive index and profit coupling includes. 10. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Gitters komplex ist und Brechungsindex- sowie Verlustkopplung beinhaltet.10. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized in that the coupling of the lattice is complex is and refractive index and loss coupling includes. 11. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Gitters rein imaginär ist und Gewinnkopplung beinhaltet.11. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized in that the coupling of the grid is pure is imaginary and includes profit coupling. 12. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Gitters rein imaginär ist und Verlustkopplung beinhaltet.12. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized in that the coupling of the grid is pure is imaginary and involves loss coupling. 13. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Gitters reell ist und reine Indexkopplung darstellt.13. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized in that the coupling of the grid is real and represents pure index coupling. 14. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Tastverhältnis der jeweiligen homogenen Gitterbereiche Wi/Λi im Bereich zwischen 0 und 1 beliebig eingestellt werden kann, wobei Λi die Gitterperiode im Gitterfeld der Ordnungszahl i und Wi die Gitterstegbreite im Gitterfeld der Ordnungszahl i ist.14. Optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the pulse duty factor of the respective homogeneous lattice areas W i / im i can be set as desired in the range between 0 and 1, wherein Λ i the lattice period in the lattice field of the ordinal number i and W i the lattice web width in Grid field of atomic number i is. 15. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu den einzelnen Gitterfeldern unterschiedlicher Gitterperiode eine definierte Anzahl von gitterfreien Bereichen in z- Richtung angeordnet ist, wodurch eine DBR-Struktur bzw. eine "sampled grating"-Struktur entsteht.15. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized that in addition to the individual Lattice fields of different lattice periods one defined number of grid-free areas in z Direction is arranged, whereby a DBR structure or a "sampled grating" structure is created. 16. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gesamtwellenleiter aus einer Kombination von mindestens einem gekrümmten und mindestens einem geraden Teilstück besteht, wobei der relative Kippungswinkel des Wellenleiters, bzw. der Schnittwinkel zwischen einem Gitterstrich und dem Wellenleiter an jedem Ort des Wellenleiters in axialer Richtung in einem Bereich zwischen 60° und 120° definiert ist.16. Optoelectronic component according to claim 1, characterized characterized in that the overall waveguide from a Combination of at least one curved and there is at least one straight section, the relative tilt angle of the waveguide, or Cutting angle between a grid line and the Waveguide at any location on the waveguide in axial Direction in a range between 60 ° and 120 ° is defined. 17. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitterperioden Λi der jeweiligen Gitterfelder mit zunehmender Ordnungszahl i monoton ansteigen.17. Optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the grating periods Λ i of the respective grating fields increase monotonically with increasing atomic number i. 18. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine und höchstens n - 2 Sektionen der Länge Li völlig gitterfrei sind.18. Optoelectronic component according to claim 1, characterized in that at least one and at most n - 2 sections of length L i are completely free of gratings.
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