DE1949373C3

DE1949373C3 -

Info

Publication number: DE1949373C3
Application number: DE19691949373
Authority: DE
Inventors: Klaus 8000 Muenchen Boshold
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1969-08-29
Filing date: 1969-08-29
Publication date: 1974-04-04
Also published as: DE1949373A1; DE1949373B2

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine elektronische Schalteinrichtung, insbesondere für die Durchschaltung des Basisbandes bei Richtfunkanlagen, bei der in der zu schaltenden Leitung ein komplementäres Transistorpaar mit seinen paarweise zusammengeschalteten Kollektor- und Emitterelektroden liegt, und bei der für den Ein-Zustand des Schalters symmetrisch in bezug auf die Systemerdung (SchaltungsnuUpunkt) zwei Spannungen umgekehrter PoIa-The invention relates to an electronic switching device, in particular for switching through of the baseband in directional radio systems, in the case of the line to be switched a complementary one A pair of transistors with their collector and emitter electrodes connected in pairs, and for the on-state of the switch symmetrically with respect to the system ground (circuit grounding point) two voltages of opposite polarity

rität an die Basisstrecken der Transistoren von solcher Höhe angelegt sind, daß die Transistoren durchschalten.rity are applied to the base paths of the transistors of such a height that the transistors switch through.

Solche Schalteinrichtungen werden besonders dann benötigt, wenn breite Frequenzbänder, z. B. dasSuch switching devices are particularly needed when wide frequency bands, e.g. B. that

Basisband bei Richtfunkanlagen, sehr schnell durchgeschaltet werden sollen. So sollen vom Gleichstrom beginnend auch Wechselströme bis zu relativ hohen Frequenzen, z. B. bis zu 10 MHz, möglichst stoßfrei durchgeschaltet werden, und es soll ferner vermiedenBaseband in directional radio systems should be switched through very quickly. So should from direct current starting also alternating currents up to relatively high frequencies, z. B. up to 10 MHz, as smoothly as possible are switched through, and it should also be avoided

werden, daß an den Ausgängen Gleichspannungssprünge auftreten, die nicht auf das geschaltete Signal zurückzuführen sind. Ein Teil dieser Forderungen erfüllt auch die eingangs erwähnte elektronische Schalteinrichtung gemäß der USA.-Patentschrift 3 077 545. jedoch besteht vor allen Dingen bei solchen Schalteinrichtungen auch noch die Forderung eine hohe Rückwärtsdämpfung des Schalters zu erreichen, damit parallelliegende Zweige nicht beeinflußt werden.that jumps in DC voltage occur at the outputs that do not affect the switched signal are due. Some of these requirements are also met by the electronic system mentioned at the beginning Switching device according to US Pat. No. 3,077,545, however, primarily consists of Such switching devices also require a high level of reverse damping of the switch to achieve so that parallel branches are not affected.

Es wäre auch denkbar, als schaltende Elemente Schaltdioden zu verwenden, beispielsweise gemäß der deutschen Patentschrift 1 185 220. Dioden erfordern jedoch relativ hohe Steuerströme, und ferner treten hierdurch bedingt relativ große Restspannungen zwischen den zu schaltenden Leitungsenden auf Ferner wäre es dabei notwendig, um eine zu große Durchgangsdämpfung zu vermeiden, relativ hoch ohmige Stromzuführungswiderstände zu den DioderIt would also be conceivable to use switching diodes as switching elements, for example according to FIG German patent specification 1,185,220. Diodes, however, require relatively high control currents, and furthermore as a result, relatively high residual voltages occur between the line ends to be switched Furthermore, in order to avoid too great a transmission loss, it would be relatively high Ohmic power supply resistances to the dioders

zu verwenden oder zusätzliche elektronische Ein- tronische Schalteinrichtungen derart vorzusehen, daßto use or to provide additional electronic electronic switching devices in such a way that

richtungen, die den gleichen Zweck haben. vom Kollektor des Einschalttransistors des erstendirections that have the same purpose. from the collector of the turn-on transistor of the first

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine elektronischen Schalters (Arbeitskontakt) über eineThe invention is based on the object of an electronic switch (normally open contact) via a

elektronische Schalteinrichtung anzuheben, die samt- Diode das Schaltkriterium für den zweiten elektro-to raise electronic switching device, the complete diode is the switching criterion for the second electrical

liche der obengenannten Forderungen mit einfachen 5 nischen Schalter (Ruhekontakt) abgeleitet ist und anLiche of the above requirements with simple 5 niche switches (break contact) is derived and on

Mitteln erfüllt. den Basiskreis des Einschalttransistors dieses elek-Means met. the base circuit of the switch-on transistor of this elec-

Diese Aufgabe wird bei einer elektronischen tronischen Schalters gelegt ist.This task is assigned to an electronic tronic switch.

Schalteinrichtung der eingangs erwärmten Art da- Um den beim Umschalten auftretenden Störspan-Switching device of the initially heated type in order to avoid the interference voltage that occurs when switching

durch gelöst, daß in Richtung der zu schaltenden nungsimpuls weitgehend zu unterdrücken, ist essolved by that largely suppressed in the direction of the voltage pulse to be switched, it is

Ströme dem ersten Transistorpaar nachgeordnet ein io ferner vorteilhaft, wenn der Koppelwiderstand durchCurrents downstream of the first transistor pair are also advantageous if the coupling resistance is through

zweites komplementäres Transistorpaar kollektor- die Reihenschaltung einer Zenerdiode und einessecond complementary transistor pair kollektor- the series connection of a Zener diode and one

seitig an der zu schaltenden Leitung liegt und emitter- durch eine Kapazität überbrückten Widerstandeson the side of the line to be switched and the emitter resistor bridged by a capacitance

seitig am Schaltungsnullpunkt, und daß im Ein- ersetzt ist und die Knickspannung der Zenerdiodeside at the circuit zero point, and that in the one is replaced and the knee voltage of the Zener diode

Zustand des Schalters an den Basen der beiden etwas unter der Summe der symmetrischen Schalt-State of the switch on the bases of the two is slightly below the sum of the symmetrical switching

Transistoren des letztgenannten Paares zwei gleich- 15. spannungen gewählt ist.Transistors of the last-mentioned pair two DC voltages 15. is selected.

zeitig mit den Schaltspannungen für das erste Tran- Nachstehend wird die Erfindung mit ihren Vor-at the same time as the switching voltages for the first tran-

sistorpaar geschaltete Sperrspannungen symmetrisch teilen an Hand von Schaltbeispielen, gezeigt in denSplit sistor-pair switched blocking voltages symmetrically on the basis of switching examples, shown in

gegen den Schaltungsnullpunkt angelegt sind. F i g. 1 bis 4, näher erläutert. Es zeigtare applied against the circuit zero point. F i g. 1 to 4, explained in more detail. It shows

Um ein erdfretes Schalten zu ermöglichen, d.h. Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel für den eigent-In order to enable earth-free switching, i.e. Fig. 1 shows an embodiment for the actual

cin Schalten ohne Beeinflussung der zu schaltenden ao liehen elektronischen Schalter,cin switching without influencing the ao borrowed electronic switches,

Leitungen, ist es ferner vorteilhaft, wenn an den Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel für eine Einheit,Lines, it is also advantageous if, in FIG. 2, an exemplary embodiment for a unit,

Zuleitungen für die gegen den Schaltungsnullpunkt die Schaltspannungen für die Transistoren de· obigenAbove leads to the switching voltages de against the circuit ground for the transistors ·

symmetrischen Schaltspannungen des ersten Tran- Schalters,symmetrical switching voltages of the first tran switch,

sistorpaares je ein Spannungsteiler gegen je eine Fig. 3 eine Verbesserung der Schaltung nachtransistor pairs each have a voltage divider against each Fig. 3 an improvement in the circuit

gleich große Spannung umgekehrter Polarität liegt as F i g. 2, und zwar insbesondere hinsichtlich einerthe same voltage of opposite polarity lies as F i g. 2, in particular with regard to a

und wenn an den Anzapfpunkten die Basen des Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit,and if at the tapping points the bases of the increase in switching speed,

zweiten Transistorpaares liegen und die Spannungs- Fig. 4 an Hand einer Transistorkennlinie densecond transistor pair are and the voltage Fig. 4 on the basis of a transistor characteristic

teiler so bemessen sind, daß im Durchschaltezustand Arbeitsbereich der Transistoren für den elektroni-dividers are dimensioned so that in the switched-on state, the working range of the transistors for the electronic

des ersten Transistorpaares an den Basen des zweiten sehen Schalter.of the first pair of transistors at the bases of the second see switch.

Transistorpaares eine für die Sperrung der Emitter- 30 Bei einem derartigen Schalter ist, wie eingangsA pair of transistors for blocking the emitter 30 In such a switch, as at the beginning

kollektorstrecke dieses Transistorpaares notwendige erwähnt wurde, die Forderung gestellt, daß vomcollector line of this transistor pair necessary was mentioned, the requirement made that from

Spannung anliegt. Dadurch wird ferner ein gleich- Gleichstrom beginnend auch Wechselströme bis zuVoltage is present. As a result, a direct-direct current also starts up to alternating currents

zeitiges Umschalten des Längs- und Querzweiges relativ hohen Frequenzen, möglichst stoßfrei, durch-timely switching of the in-line and cross-branch relatively high frequencies, as smoothly as possible, through-

des Schalters erreicht. geschaltet werden müssen, d. h. daß vermieden seinreached the switch. must be switched, d. H. that should be avoided

Für die Zuführung der symmetrischen Schalt- 35 soll, daß an den Ausgängen Gleichspannungssprünge spannungen ist es vorteilhaft, eine weitere Transistor- auftreten, die nicht auf das geschaltete Signal zurückschaltung vorzusehen, bestehend aus zwei komple- zuführen sind. Letztere Forderung hat besonders mentären Transistoren, die mit ihren Emitterkollek- Bedeutung für Fernseh- und Vielkanalfernsprechtorstrecken in je eine der Schaltspannungszuführun- signale. In die zu schaltende Leitung, die hier eingen eingeschaltet sind, und für den Durchschalte- 40 fachheitshalber als einadrige unsymmetrische Leitung zustand des elektronischen Schalters an die Basis ausgeführt ist, ist zwischen den Eingang E und den des einen der beiden Transistoren (Einschalttransi- Ausgang A ein komplementäres Transistorpaar TP1 stör) eine entsprechende weitere Schaltspannung mit seinen paarweise zusammengeschaiteten Kollekeinpolig anzulegen, durch die die Emitter-Kollektor- tor-Emitterstrecken gelegt. Die Richtung des Stromstrecke dta zweiten Transistors über einen vom KoI- 45 flusses auf der Leitung ist durch Pfeile angedeutet, lektor des ersten Transistors auf die Basis des zweiten Beim Durchschalten der Transistoren durch einen Transistors führenden Widerstand (Koppelwider- geeigneten Basisstrom I₈ läßt sich jeder der Transistand) im Ein-Zustand des Schalters gleichfalls stören so steuern, daß er emitter-kollektorseitig im durchgeschaltet wird. Dadurch ist es möglich, durch Sättigungsgebiet arbeitet. Dies ist einfachheitshalber Anlegung eines Erdpotentials an den Eingang des 50 in der F i g. 4 dargestellt, und das Arbeitsgebiet ist ersterwähnten Transistors die symmetrischen Schalt- dort mit SB bezeichnet. Es muß hn Interesse mögspanmingen für beide Transistorpaare des elektro- liehst geringen Innenwiderstandes des Schalters nischen Schalters zu erzeugen. sichergestellt sein, daß dieser KennlinienbereichFor the supply of the symmetrical switching voltage, it is advantageous to have a further transistor which does not switch back to the switched signal and consists of two complete transistors. The latter requirement has mental transistors in particular, which, with their emitter collector significance for television and multichannel telephony doorways, each enter one of the switching voltage supply signals. In the line to be switched, which are switched on here, and for the sake of simplicity, is designed as a single-core unbalanced line of the electronic switch to the base, there is between input E and that of one of the two transistors (switch-on transistor output A a complementary transistor pair TP 1 disturb) to apply a corresponding further switching voltage with its collectors connected in pairs, through which the emitter-collector-gate-emitter paths are laid. The direction of the current path dta second transistor via a flow from koi 45 on the line indicated by arrows, lecturer of the first transistor to the base of the second When switching of the transistors leading through a transistor resistance (Koppelwider- appropriate base current I ₈ can be any the transistor) in the on-state of the switch also interfere in such a way that it is switched through on the emitter-collector side. This makes it possible to work through saturation area. For the sake of simplicity, this is the application of a ground potential to the input of the 50 in FIG. 4 shown, and the field of work is the first-mentioned transistor, the symmetrical switching, denoted there by SB. It must be in the interest of generating the electrical low internal resistance of the switch niche switch for both transistor pairs. it must be ensured that this characteristic range

Um den Schalter ähnlich wie hei einem Relais als auch nicht durch überlagerte zu schaltende Wechsel-Ruhekontakt wirken zu lassen, ist es vorteilhaft, 55 ströme überschritten wird, was im allgemeinen ge-To the switch similar to a relay as well as not by superimposed to switch changeover normally closed contact to allow it to act, it is advantageous to exceed 55 currents, which is generally

zwischen die Spannungszuführungen für die Emitter geben ist, da das ZMS-Signal meist in der Größebetween the voltage feeds for the emitter is given, since the ZMS signal is mostly in size

der Steuertransistoren einen über die Basis des ersten "_On 1 bis 2 V₈₈ liegt.of the control transistors one above the base of the first " _O n 1 to 2 V ₈₈ .

Transistors geführten Strompfad vorzusehen, be- Um auch die geforderte Sperrdämpfung von etwa stehend aus einer der Basis dieses Transistors nächst- 50 dB zu erreichen, ist in Richtung der zu schaltengelegenen Zenerdiode und einem Widerstand, und die 60 den Ströme dem ersterwähnten Transistorpaar näch-Zenerspannung der Zenerdiode so zu wählen, daß bei geordnet ein zweites komplementäres Transistorpaar Anlegen des Schaltungsnullpunktes an den Abgriff TPl mit seinen Emitter-Kollektorstrecken zwischen des Spannungsteilers die Spannung an der Zener- die zu schaltende Leitung und den Schaltungsnulldiode unter den Zenerknick zu liegen kommt, so punkt gelegt. Im Ein-Zustand des Schalters muß daß der Basisstrom durch den erstgenannten Tran- 65 demnach dafür gesorgt werden, daß die Basisströme sistor verschwindet. des ersten Transistorpaares die Transistoren aufIn order to achieve the required blocking attenuation of approximately 50 dB from one of the base of this transistor next to 50 dB, is in the direction of the Zener diode to be switched and a resistor, and the 60 the currents to the first-mentioned transistor pair next-Zener voltage choose the Zener diode so that when the circuit zero point is properly applied to the tap TPl with its emitter-collector lines between the voltage divider, the voltage at the Zener line to be switched and the circuit zero diode comes to lie under the Zener kink, so point placed. When the switch is on, the base current through the first-mentioned transistor must therefore be ensured that the base current sistor disappears. of the first transistor pair on the transistors

Zur Verwirklichung eines bei Relais bekannten einen geeigneten Arbeitspunkt des Sättigungs-To achieve a suitable operating point of the saturation point known from relays

Umschalterkontaktes ist es vorteilhaft, zwei elek- bereiches SB bringen, während gleichzeitig die Basis-Switch contact, it is advantageous to bring two electrical areas SB , while at the same time the basic

spannungen des zweiten Transistorpaares so zu R13, R12, All und die Basis des Transistors 7*3 wählen sind, daß diese Transistoren TP 2 gesperrt zustande, r.iti· diesen Transistor (Einschalttransistor) werden. Ferner müssen diese Sperrspannungen bzw. emitter-kollektorseitig durchschaltet. Schaltströme gegen Erde symmetrisch sein. Dies Will man erreichen, daß der elektronische Schaltervoltages of the second transistor pair are selected so as to R 13, R 12, All and the base of transistor 7 * 3 that these transistors TP 2 are blocked, r.iti · this transistor (switch-on transistor). Furthermore, these blocking voltages or emitter-collector side must be switched through. Switching currents must be symmetrical to earth. This is what one wants to achieve that the electronic switch

wird gemäß der Erfindung auf einfache Art dadurch 5 als Ruhekontakt wirksam ist, so sind an Stelle der erreicht, daß den den Ein-Zustand des Schalters die Brücke ar die Brücken ru eingelegt zii denken. In im Schaltbild angegebenen Steuerspannungen Ul diesem Zustand Hießt von der Spannungsquelle 1/4 und Ul (+24V und —24 V). über die Enikopp- über den Widerstand R 14, die ZenerdiodeZD und lungswiderstände Rl, Rl angelegt werden. Von den den Widerstand «12 ein Strom in die Basis des Einbeiden Steuerleitungen α und b sind, um die gleich- io schalttransistors, so daß dieser im Ruhezustand zeitige Sperrung des zweiten Transistorpaares zu emitter-kollektorseitig stets durchgeschaltet ist. Ererreichen, je ein Paar von Spannungsteilerwider- scheint am Steuereingang SE durch Drücken der ständen RS, RT, Rf», RS zu gleich hohen, jedoch Taste Tl ein Erdpotential, so wird am unteren entgegengesetzt gcpollen Spannungsquellen t/3 bzw. Anschluß der Zenerdiode das vorherige Potential UA von je 24 V geführt. Die Spannungsteiler-Anzapf- 15 verschwinden, d. h. auch der Basisstrom fur / 3 wird punkte c, d führen über weitere gleich große Enikopp- verve·...-"den wenn die Zcneruiode derart gewählt lungswiderstände R3, RA auf die Basen des zweiten ist, daß c · Kcnnlinionknick höher liegt als die Span-Transistorpaares. An diesen liegen ferner die Kon- nungt/3. In diesem Beispiel ist die Zcnerspannung densatoren Cl, Cl zur Verringerung des Durchlaß- zu 27 V gewählt, liegt also oberhalb der 24 V bcwiderstandes. Zur Erhaltung der Symmetrie des 20 tragenden Spannung U 3.If, according to the invention, 5 is effective as a normally closed contact in a simple manner, it is achieved in place of the that the bridge ar the bridges ru inserted zii think of the on-state of the switch. In the control voltages Ul specified in the circuit diagram, this state means 1/4 and Ul (+ 24V and -24 V) from the voltage source. are applied via the Enikopp- via the resistor R 14, the Zener diode ZD and lungs resistors Rl, Rl . Of which the resistor 12 a current is in the base of the two control lines α and b to the same switching transistor, so that this blocking of the second transistor pair in the idle state is always switched through to the emitter-collector side. If a pair of voltage divider resistors is reached at the control input SE by pressing the positions RS, RT, Rf », RS at the same level, but key T1, then voltage sources t / 3 or the connection of the Zener diode are pollen at the lower voltage source previous potential UA of 24 V each. The voltage divider taps disappear, ie the base current for / 3 will also lead to points c, d via further equal-sized coupling connections if the Zcneruiode is selected in this way, R3, RA on the bases of the second that c · Kcnnlinionknick is higher than the clamping transistor pair. at these are further nungt / 3, the con-. In this example, the Zcnerspannung capacitors Cl, Cl is selected to reduce the passband to 27 V, that is above the 24 V To maintain the symmetry of the voltage U 3.

Ganzen ist R5 - Rb und RT — RS von im Schalt- Die Entkopplungsdiode Gr2 wäre an sich mehl All in all, R5 - Rb and RT - RS from in the switching The decoupling diode Gr2 would be fine in itself

bild angegebenen Größen gewählt. Sämtliche Zahlen- unerläßlich ist hier jedoch aus Symmetricprundcn werte sind natürlich Beispielsangaben iür hier vcr- vorhanden.sizes indicated in the picture. However, all numbers are indispensable here for reasons of symmetry values are of course given as examples for this.

wendete Transistoren und nur zum besseren Vet- Die Stouerlcitungsanschlüssc \ « haben folgendeturned transistors and just for the sake of better vet

ständnis in das Schaltbild eingetragen. Wie sich 15 Bedeutung: Wird U, r Punkt .\ l\i der vorliegenden daraus ersehen läßt, entstehen hierdurch im Ein- Sk n'rcinhct mit dem Punkt y einer « r:i^rcn. jedoch Zustand des Schalters an den Basen der Tiansistorcn gleich aufgebauten solchen Steuereinheit verbunden. TPl Sperrspannungen, se daß die Emitter-Kollektor- so erscheint an der B.. is des l:insc lalttrai sistoi^ / 3 strecken dieser Transistoren stromlos sind. Die der zweiten S'.eucreinhcn prak.isch die gkiche Span Sperrspannungen liegen in der Größe von ^; b/w. 30 nung als ;n dessen Immer, so daß dieser Transistor - 5 V. Werden nun zur U^sieueiung des ci^ktron· 'rr.mc: pci.i ic dann stiomlos ist. wenn dci I"inschalt sehen Schalters von den Steuerleitungen α bzw. b die transistor der eisten Steuereinheit durch^scnaltc; obengenannten Steuerspannungen -t- bzw. 24 V hat. Es laot sich auf diese Art auf cintachc WVim entfernt, so stellt sich für das Transistorpaar TP2 cm Umschalter realisieren der au? zwei lrwc'-automatisch ein Basisstrom Ib 2 ein. der diese Tran- 35 gleichen Baueinheiten (je Γ ι g. I und 2 zusamn' sistoren in das SäUigungsgehiet SB ihrer L-U.-Kenn- genommen) bestellt. Bei der /weiten Siewreiiir■ ü linie treibt. Ferner svl'i sich beim TrinsJEtorpartr TPl entfällt dann natü:^!'ch die Drucktaste /1. Die Diod gleichzeitig eine c. :ig..v.c Sperrspannung von den Gr3 ist /ur I-"uiV..,, p'.c.ng vorgesehen, denn ohm in Klammem angegebenen Werten ein, die wiederum R 13. R 12. KlI und die Basis des Transi<<or^ /3 dieses Transistoruaar in den Aus-Zustand. d. h. in 40 eine Spannung an dessen Kollektor auftreten, die den stromlosen Zustand ihrer Emitter-Kollektor- unter Umstanden den Transistor 7 4 unbeabsichtigt strecken versetzt. Sämtliche Spannungen und Wider- durchschalten würde.entered in the circuit diagram. As can be deduced from this, if U, r point. \ L \ i of the present one can be seen, in the one Sk n'rcinhct with the point y a «r: i ^ rcn arise. however, state of the switch connected to the bases of the Tiansistorcn identically constructed such control unit. TPl reverse voltages, se that the emitter-collector appears at the B .. is des l: insc lalttrai sistoi ^ / 3 stretch these transistors are de-energized. Those of the second S'.eucreinhcn practically the gkiche Span blocking voltages are in the size of ^; b / w. 30 tion as; n its always, so that this transistor - 5 V. Will now be stiomless for the purpose of securing the ci ^ ktron · 'rr.mc: pci.i ic. if the switch from the control lines α or b the transistor of the first control unit through ^ scnaltc; has the control voltages -t- or 24 V mentioned above The pair of transistors TP 2 cm change-over switches automatically implement a base current Ib 2 of these transistors (each Γ g. I and 2 combined transistors in the SäUigungsgehiet SB of their LU. ) . ordered) When / wide Siewreiiir ■ above sea line drives Further svl'i located at TrinsJEtorpartr TPI omitted then natural ^f.! 'ch the pushbutton / 1 Diod simultaneously c.. ig..vc reverse voltage of the Gr3 is / ur I- "uiV .. ,, p'.c.ng provided, because ohm values given in brackets, which in turn are R 13. R 12. KlI and the base of the Transi << or ^ / 3 of this transistoruaar in the off -Status. ie in 40 a voltage appear at its collector which causes the currentless state of its emitter-collector to unintentionally stretch the transistor 7 4. Would switch through all tensions and resistances.

stände sind jeweils so gewählt, daß sich erdsymme- Die oben geschilderte elektronische Schaltern* π >■The above-described electronic switches * π> ■

trische Verhältnisse ergeben. tung hat an sich schon eine sehr kurze LJmschMi/;-■ tric conditions. tung itself has a very short LJmschMi /; - ■

Da unter anderen, gefordert wird, daß sich der 45 von etwa 7.5 msec. Dieser Wert läßt sich noch \e Schalter durch Anlegen einer einzelnen gegen Erde bessern, wenn die Steuereinheit so verändert wird. auftretenden Spannung bzw wie im Ausführung:»- wie in Fig. Ί- gezeigt. Zur F i g. 2 ist dann die beispiel nach Fig. 2 angegeben, durch ein Erd- Zenerdiode ZD1 hinzugekommen und die K^ndenpotential selbst (TasieTl) betätigen läßt, ist eine satorcn C 3, CA. Der Widerstand R9 ist hier kleine: Steuereinheit gemäß Fig. 2 verwendet Dabei liegen 50 gewählt als dor;. Die Zenerspannung der Zcncrdiocic an den Steueradem a, b über Entkopplungsdioden 7/) I ist daboi kleiner als die Summe der Spannungen GrI und Gr2 und die Emitter-Kollektor-Elektroden 1/3 und U4 gewählt., im Beispiel zu 3? V. Wird also von Steuertransistoren T3 und T4 die Spannungen der Transistor 7 3 leitend, so übersteigt die Spannung i/3 und UA. Dies können die gleichen Spanmings- an der Zenerdiode den Zencrknick, und zwar sehi quellen sein, wie die bei Fig. 1 mit 1/3 bzw. UA 55 schnell und versetz! den Transistor Γ4 schlagartig benannten. Von der Kollektorstrecke des Transi- in den Ein-Zustand. was durch Zuschaltung der stors T3 führt ein Widerstand R9 auf die Basis des Kapazität C3 noch unterstützt wird. Wird die Zener-Transistors T4. spannung der Zenerdiode ZD1 größer gewählt als dieSince, among other things, it is required that the 45 of about 7.5 msec. This value can be improved by applying a single switch to earth if the control unit is changed in this way. occurring voltage or as in the execution: »- as shown in Fig. Ί- . To the F i g. 2 is then given the example of FIG. 2, added by an earth Zener diode ZD 1 and the K ^ ndenpotential itself (TasieTl) can be actuated, a satorcn C 3, CA. The resistance R 9 is small here: control unit according to FIG. 2 is used. 50 are selected as dor ;. The Zener voltage of the Zcncrdiocic at the control arenas a, b via decoupling diodes 7 /) I is therefore smaller than the sum of the voltages GrI and Gr2 and the emitter-collector electrodes 1/3 and U 4, in the example chosen to be 3? V. If the voltages of the transistor 7 3 of the control transistors T3 and T4 become conductive, the voltage exceeds i / 3 and UA. This can swell the same Spanmings- on the zener diode, the zencr kink, and indeed sehi, like the one in Fig. 1 with 1/3 or UA 55 quickly and offset! suddenly named the transistor Γ4. From the collector section of the transit to the on state. which leads to the connection of the stors T3, a resistor R9 on the basis of the capacitance C 3 is still supported. If the Zener transistor T4. voltage of the Zener diode ZD 1 selected greater than the

Die Basis-Emitterstrecke ist ferner durch einen Summe von I/ 4 unc¹ die an der Steuerleitung α aufdcn Arbeitspunkt im Ein-Zustand dieses Transistors 60 tretende Sperrspannung, in diesem Fall —5 V, so daß bestimmenden Widerstand Ä10 überbrückt. Wird der hier eine Spannung von 19 V resultiert, so ist neben Transistor T3 durchgeschaltet, so liegt an seiner der Diode GrI in diesem Schaltbeispie! auch die Kollcktorseitc praktisch die Spannung +24V, so Diode Gr entbehrlich. C 4 dient zur schnelleren Umdaß ein Basisstrom für den Transistor T4 fließen schaltung eines eventuell vorgesehenen weiteren kann, der praktisch gleichzeitig diesen Transistor 65 elektronischen Schalters wie schon er'" durchschaltet. Ist die nächst der Taste Tl in der Es lassen sich mit den oben anijot > >cri ckk-The base-emitter path is also, by a sum of I / 4 unc ^1, the reverse voltage occurring on the control line α at the operating point in the on state of this transistor 60, in this case -5 V, so that the determining resistance λ10 is bridged. If this results in a voltage of 19 V, then next to transistor T3 is switched through, so its the diode GrI in this switching example! also the Kollcktorseitc practically the voltage + 24V, so diode Gr dispensable. C 4 serves for the faster Umd that a base current for the transistor T4 can flow circuit of a possibly provided further one, which practically at the same time switches this transistor 65 electronic switch like it '". If the next button Tl is in the it can be with the anijot above >> cri ckk-

Schaltung liegende Brücke ar eingelegt und die Ironischen Einrichtungen also nicht nur Arbcits- und Taste Tl gedrückt, so kommt ein Stromfluß über Ruhekontakte, sondern auch UmschaltrelaiskontakteCircuit lying bridge ar inserted and the ironic devices not only pressed Arbcits- and key Tl, a current flow comes through normally closed contacts, but also changeover relay contacts

ersetzen. Ferner lassen sich auf einfache Weise ganze Schaltfelder aufbauen, wie sie für die eingangs genannten Zwecke manchmal erforderlich sind. Ferner lassen sich auch symmetrische Leitungen schalten, wenn nämlich zwei Schalter nach Fig. 1, d.h. in jeder Leitung einer, verwendet werden.substitute. Furthermore, whole Build switch panels, as they are sometimes required for the purposes mentioned above. Further symmetrical lines can also be switched, namely if two switches according to Fig. 1, i.e. in each line one, can be used.

Die Sperrdämpfung läßt sich durch Aneinanderfügen mehrerer Schalter nach Fig. t in ein und denselben Leitungs2ug vergrößern.The blocking attenuation can be converted into a and by joining several switches according to FIG enlarge the same cable 2ug.

Wird das Transistorpaar TP t in Richtung der zu •chaltenden Ströme nach dem Transistorpaar TP 2 noch einmal vorgesehen, so läßt sich auch damit •chon eine wesentlich höhere Sperrdämpfung und Rückwärtsdämpfung erreichen.If the transistor pair TP t is provided again in the direction of the currents to be switched after the transistor pair TP 2, a significantly higher blocking attenuation and reverse attenuation can also be achieved with this.

Durch Anwendung der Flip-Flop-Technik oder einer anderen Miniaiurbauweise lassen sich die obengenannten Schalt- und Steuereinheiten räumlich sehr klein ausführen. In einem Ausführungsbeispiel hatte die Schaltung nach F i g. 1 wie die nach F i g. 2 auf je einem Plättchen von 1,5 · 1,5 cm² Platz gefunden. Die Sperrdämpfung des Ausführungsbeispiels wai größer als 50 dB, der Frequenzbereich betrug 0 Hs bis 14MHz, und der maximale Ausgangspegel wai bei einer Frequenz von 10OkHz= 10 V_KS. Di< Brückenschaltung bei der Schaltung nach Fig.] bewirkt gleichspannungsfreie Ein- und Ausgänge unc hat ferner den Vorteü, daß beim Schalten durch det Schalter praktisch keine Spannungsspriinge auftretenBy using the flip-flop technique or some other miniature construction, the above-mentioned switching and control units can be made spatially very small. In one embodiment, the circuit of FIG. 1 like that according to FIG. 2 found on a plate of 1.5 x 1.5 cm ² each. The blocking attenuation of the exemplary embodiment was greater than 50 dB, the frequency range was 0 Hs to 14 MHz, and the maximum output level wai at a frequency of 100 kHz = 10 V _KS . The bridge circuit in the circuit according to FIG.] Causes inputs and outputs free of DC voltage and also has the advantage that practically no voltage jumps occur when switching through the switch

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Electronic switching device, especially for switching the baseband through Radio relay systems with a complementary transistor pair in the line to be switched its collector and emitter electrodes connected in pairs, and the for the on-state of the switch symmetrically with respect to the system ground (circuit zero point) two voltages of opposite polarity to the base paths of the transistors of such height are applied that the transistors switch through, characterized in that in the direction of the currents to be switched downstream of the first pair of transistors, a second complementary one The pair of transistors on the collector side is connected to the line to be switched and on the emitter side at SchaltungsnuUpunkt, and that in the on-state of the switch at the bases of the two Transistors of the last-mentioned pair two at the same time with the switching voltages for the first transistor pair switched blocking voltages applied symmetrically against the SchaltungsnuUpunkt are.

2. Electronic switching device according to claim 1, characterized in that the au Supply lines for the switching voltages of the first pair of transistors each have a voltage divider reversed against an equally large voltage Polarity is, and that the bases of the second transistor pair at the taps of the voltage divider üegen and the voltage dividers are dimensioned so that when the first transistor pair at the bases of the second transistor pair one for blocking the emitter-collector paths the necessary voltage is applied to this pair of transistors.

3. Electronic switching device according to one of the preceding claims, characterized in that that another transistor circuit is used to supply the symmetrical switching voltages is provided, consisting of two complementary transistors (control transistors) which are switched on with the emitter collector path in each of the switching voltage leads are, and that for the through-state of the electronic switch to the base of one of the two transistors (switch-on transistor) a corresponding switching voltage is applied single-pole is through which the emitter-collector path of the second transistor via one of the collector of the resistor leading to the base of the second transistor (coupling resistor) is also switched through when the switch is on.

4. Electronic switching device according to claim 3, characterized in that for a system in which the electronic switch is in the idle state in the "setting" (break contact) to the voltage supply points for the emitter of the control transistors, a current path routed through the base of the first transistor is provided, consisting of a Zener diode (ZD) closest to the base of this transistor and a resistor (R 14),

and that the Zener voltage of the Zener diode is chosen so that when the circuit zero point is applied at the connection point of the zener diode and resistor, the voltage at the zener diode is below the zener kink comes, so that the base current disappears through the first-mentioned transistor.

5. Electronic switching device according to claim 4, characterized in that for one Changeover switch two electronic switching devices are provided, and that from the collector of the Turn-on transistor of the first electronic switch acting as a normally open contact via a Diode the switching criterion for the second electronic switch acting as a normally closed contact is derived and applied to the base circuit of the switch-on transistor of this electronic switch is.

6. Electronic switching device according to one of claims 3 to 5, characterized in that that the coupling resistance by the series connection of a Zener diode and one by a Capacity bridged resistor is replaced and the kink voltage of the Zener diode somewhat is selected from the sum of the symmetrical switching voltages.