DE1948895C

DE1948895C - Semiconductor device and method of manufacturing

Info

Publication number: DE1948895C
Authority: DE
Inventors: Hans Jürgen Dipl Ing 7100 Heilbronn Maute
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH, 6000 Frankfurt

Description

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Die \nrliegende Erfindung betrifft ein Halbleiter- angelegte elektrische Spannung bestimmter GrößeThe present invention relates to a semiconductor-applied electrical voltage of a certain magnitude

bauelement aus einem einkristallinen Halhleiterkör- in einen zweiten stabilen Zustand mit extrem niedri-component from a monocrystalline semiconductor body into a second stable state with extremely low

per mit mindestens zwei Zonen unterschiedlichen gern Widerstand überführt werden kann.can be transferred via with at least two zones of different like resistance.

Leitfähigkeiistyps und einer an der Oberfläche des Es ist aus dei deutschen Auslegeschrift 1200 439Conductivity type and one on the surface of the es is from the German Auslegeschrift 1200 439

Halbleiterkürpers angeordneten Isolierschicht. 5 bekannt, daß zur Bildung von Kontakten zu in einemSemiconductor body arranged insulating layer. 5 known that to form contacts to in one

Dioden, Transistoren und integrierte Schaltkreise Halbleiterkörper ungeordneten Zonen unterschiedhes'ehen im allgemeinen aus einkristallinem Silizium, liehen Leitfähigkeitstyps eine auf dem Halbleiter-Gernianium oder anderen halbleitenden Substanzen. körper angeordnete Oxydschicht durch Aufbringen An der Oberfläche der zur Fertigung der Halbleiter- einer aktiven Metallschicht und anschließende Tembauelemente verwendeten Halbleiterkörper befindet io perung so reduziert werden kann, daß die sich durch sich im allgemeinen eine dünne isolierende Schicht, Umwandlung bildende Schicht leitfähig wird. Hierbei die bei den erforderlichen Diffusions- und Ätzpro- wird jedoch die chemische Zusammensetzung des /essen als Maske dient und außerdem für die Passi- Isolierstoffmaterials irreversibel verändert,
vierung der an die Halbleiteroberfläche tretenden Es sind beispielsweise aus der LJSA.-Patentschrift pn-Übergangsflächen unerläßlich ist. Auf der holier- 15 3 400 310 Varaktorkapazitäten bekannt, bei denen tchicht verlaufen LJtbahnen, die durch Öffnungen zwischen einem pn-Ubergänge enthaltenden Halbin der Isolierschicht mit den im Halbleiterkörper leiterkörper und einer Metallkontaktelektrode eine ungeordneten Zonen elektrisch leitend verbunden Isolierschicht angeordnet ist, deren Leitfähigkeit sind. jedoch nicht durch Anlegen einer Spannung ver-Diodes, transistors and integrated circuits, semiconductor bodies of disordered zones, generally made of single-crystal silicon, conductivity type borrowed from semiconductor gernianium or other semiconducting substances. Oxide layer arranged body by application On the surface of the semiconductor body used to manufacture the semiconductor an active metal layer and subsequent Tembauelemente is located io perung can be reduced so that the layer, which is generally a thin insulating layer, is conductive. In this case, the required diffusion and etching process, however, the chemical composition of the / eat is used as a mask and also irreversibly changed for the Passi-insulating material,
vation of the emerging on the semiconductor surface. For example, from the LJSA. patent, pn transition surfaces are indispensable. On the holier 15 3 400 310 varactor capacitances known, in which tchicht run LJtbahnen, which are arranged through openings between a pn-junctions containing half of the insulating layer with the conductor body in the semiconductor body and a metal contact electrode a disordered zone electrically conductively connected insulating layer, the conductivity of which is arranged . but not by applying a voltage

In jüngster Zeit sind Halbleiterbauelemente be- 20 ändert wird.Semiconductor components have recently been changed.

kanntgeworden. die aus einer glasartigen, amorphen Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement hatbecame known. which has a glass-like, amorphous semiconductor component according to the invention

Substanz bestehen. Diese glasartigen Substanzen den Vorteil, daß der Halbleiterkörper vollständig undSubstance exist. These vitreous substances have the advantage that the semiconductor body is completely and

haben die Eigenschaft, in begrenzten Bereichen vor- allseitig mit einer Isolierschicht umgeben sein kann,have the property of being surrounded on all sides with an insulating layer in limited areas,

schicdene Widerstandszustände einnehmen zu kön- die an keiner Stelle, auch nicht zu Kontaktierungs-to be able to assume dangerous resistance states - at no point, not even for contacting

nen, wobei diese Zustände unbeschränkt stabil sind. 25 zwecken, durchbrochen werden muß. Damit ergebennen, whereby these states are indefinitely stable. 25 purposes, must be breached. So surrender

Derartige Bauelemente sind sperrschichtfrei und sich ideal passivierte Halbleiterbauelemente, beiSuch components do not have a barrier layer and are ideally passivated semiconductor components

werden im allgemeinen als Speicher- oder Schaltele- denen störende Oberflächeneffekte vollständig aus-In general, as memory or switching elements, disruptive surface effects are completely eliminated.

mente verwendet. Die glasartigen Schichten sind in geschlossen sind. Des weiteren wird bei dem erfin-ments used. The vitreous layers are in are closed. Furthermore, in the case of the

ihrem Entstehungszustand so hochohmig. daß sie als dungsgemäßen Halbleiterbauelement der bei den be-their state of origin so high resistance. that it is a proper semiconductor component of the

Isolator angesehen werden können. Ϊ _τ spezifische 30 kannten Verfahren erforderliche Maskierungs- undIsolator can be viewed. Ϊ _τ specific 30 masking and required procedures known

Widerstand liegi in der Größenordnung von 10^l0Ohm- Ätzschritt zur Herstellung der KontaktierungsfensterLiegi resistance in the order of 10 ohm ^l0 etching step for producing the contact-making

Zentimetern. Wird eine derartige Glasschicht zwi- in der Isolierschicht eingespart,Centimeters. If such a glass layer is saved between the insulating layer,

sehen zwei Metallelcktroden gebracht und an die Außerdem kann bei dem erfindungsgemäßen HaIb-see two metal electrodes brought and to the

Mctallclcktroden eine wachsende Spannung angelegt, leiterbauelement die an sich nuilpunktsymmetrischeAn increasing voltage is applied to the metal electrodes, the conductor component is inherently zero-point symmetrical

so gibt es einen bestimmten Schwcllspannungsvvert, ₃₅ Kennlinie der sperrschichtfreien, glasartigen Schichtthere is a certain Schwcllspannungsvvert, ₃₅ characteristic of the barrier layer-free, glass-like layer

bei dem die glasartige Substanz in dem zwischen den auf einen Ast beschränkt werden, da ein pn-Über-in which the glass-like substance is restricted to a branch between the two, since a pn-over-

Elektroden liegenden Bereich in den niederohmigen gang im Halbleiterkörper den Stromfluß in einerElectrodes lying in the low-resistance gang in the semiconductor body the current flow in one area

Zustand übergeht und diesen Zustand auch nach Richtung unterbindet. Solche Bauelemente eignenState and also prevents this state in direction. Such components are suitable

dem Abschalten der Spannung uneingeschränkt sich besonders für Speicheranordnungen,switching off the voltage is particularly beneficial for storage systems,

stabil beibehält. Der Widerstand zwischen den 40 Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementmaintains stable. The resistance between the 40 in the semiconductor component according to the invention

Elektroden ändert sich hierbei von beispielsweise sind die metallischen Kontakte an die verschiedenenElectrodes changes here from, for example, the metallic contacts to the different ones

K)" bis K)¹²OlIm auf einen Wert von beispielsweise Halblcitcrzonen im Halbleiterkörper auf der Isolier-K) "to K) ¹² OlIm to a value of, for example, half-liter zones in the semiconductor body on the insulating

K) Ohm. schicht über den zugeordneten Zonen im Halbleiter-K) ohms. layer over the assigned zones in the semiconductor

Dic genannten glasartigen Substanzen bestehen aus körper angeordnet. Diese Isvdierschicht wird in denThe glass-like substances mentioned consist of bodies arranged. This insulation layer is used in the

Mischungen, die beispielsweise Siliziumdioxyd, Bor- 45 Bereichen, die zwischen den metallischen KontaktenMixtures, for example silicon dioxide, boron 45 areas between the metallic contacts

trioxyd oder Phosphorpcntoxyd enthalten. Außerdem und den zugeordneten Halblciterzoncn liegen, durchcontain trioxide or phosphorus oxide. In addition, and the assigned half-liter zones lie through

enthält das Glas die Oxyde von Metallen, die ver- Anlegen einer elektrischen Spannung bestimmterThe glass contains the oxides of metals, which create a certain electrical voltage

schicdene Wertigkcitszustände annehmen können. Größe in den niederohmigen Widerstpndszustandcan accept schicdene valency states. Size in the low-resistance state of resistance

Hierunter fallen beispielsweise die Oxyde von Kup- übergeführt. Diese niederohmigen, sehr kleinflächi-This includes, for example, the oxides converted from copper. These low-resistance, very small-area

fcr oder Wolfram. Zusammensetzungen solcher GHi- 50 gen Gebiete bilden den Strompfad zwischen den Kon-fcr or tungsten. Compositions of such GH-gen areas form the current path between the con

scr sind bekannt und bereits veröffentlicht, beispiels- takten und den im Halbleiterkörper befindlichenscr are known and have already been published, example clocks and those located in the semiconductor body

weise in der deutschen Auslegeschrift 1 280441 bzw. Halbleiter/oncn.wise in the German Auslegeschrift 1 280441 or semiconductor / oncn.

in der Zeitschrift »Solide State Technology«, Bd. 12. Die criindungsgcmäßc Isolierschicht auf dem HaIb-in the magazine "Solide State Technology", Vol. 12. The crush-proof insulating layer on the

1"(W, Heft 1, S. 43 bis 46. leiterkörper kann auch bei den erforderlichen Diffu-1 "(W, booklet 1, p. 43 to 46. The conductor body can also be used with the required diffusion

Es ist Aufgabe der Erfindung, die Eigenschaft 55 sionsschritten als Diffusionsmaske verwendet wer-It is the object of the invention to use the property 55 sion steps as a diffusion mask

einer bistabilen Widerstandscharaktcristik der ge- den, sofern in der Isolierschicht nicht Stoffe enthal-a bistable resistance characteristic of the goods, provided that the insulating layer does not contain any substances

nannten glasartigen Substanzen, auf Grund der die ten sind, die den Diffusionsvorgang nachteilig beein-named vitreous substances, which are the ones that adversely affect the diffusion process.

Isolierschicht an gewünschten Stellen im hochohmi- flüssen.Insulation layer at the desired points in the high-ohmic flux.

gen Zustand belassen oder in den niederohmigen Zu- Nach dem Herstellen aller Halbleiterzonen imAfter the production of all semiconductor zones in the

stand übergeführt werden kann, mit Halblciterbau- 60 Halbleiterkörper unter Verwendung einer Diffusions-stand can be transferred, with half-liter construction 60 semiconductor body using a diffusion

clcmentcn, die mehrere Zonen unterschiedlichen maske, die aus dem glasartigen Material mit verschie-clcmentcn, the mask with different zones, made of the glass-like material with different

Lcitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper enthal- denen möglichen Widerstandszuständen oder ausConductivity type in a semiconductor body contain possible resistance states or off

ten, zu kombinieren. einem anderen geeigneten Isoliermaterial besteht,th to combine. consists of another suitable insulating material,

Dies geschieht bei einem Halbleiterbauelement der wird vorzugsweise auf die gesamte OberflächenseiteThis happens in the case of a semiconductor component which is preferably applied to the entire surface side

eingangs beschriebenen Art crfindungsgemaß da- 65 des Halbleiterkörpers — gegebenenfalls nach demType of the semiconductor body described at the outset - optionally after the

durch, daß das Material der Isolierschicht glasartig Entfernen einer vorhandenen Isolierschicht — eineby making the material of the insulating layer glass-like removing an existing insulating layer - a

ist ü'd einen ersten stabilen Zustand mit extrem extrem hochohmige Isolierschicht aus glasartigemis ü'd a first stable state with extremely extremely high-resistance insulating layer made of glass-like

hohem Widerstand aufweist, von dem es durch eine Material aufgebracht. Auf diese Isolierschicht werdenhas high resistance, from which it is applied by a material. Be on top of this insulating layer

Cher den zugeordneten Halhleiterzonen Metallkontakle aufgebracht. Zwischen jeweils zwei Kontakte ^ird danach eine Spannung angelegt, die den im Sitriimplad liegendtn pn-übergang in Durchlaßriehtuny beansprucht. Diese Spannung wird so weit erliiilit. bis das Gebiet eier Isolierschicht zwischen den Meiallkoiitakten und den zugeordneten Halbleiter S iinen den extrem niederohmigen Zustand bleibend i.nnimmt. Nach dem erfolgiep. stellenweisen Über-I i'ireii der lsolierschiclu in den Zustand niedrigen U iderslands wird die ;;;igelegte Spannung Vorzugs-1 -ise sofort wieder abgeschaltet.Cher the assigned semiconductor zones metal contacts upset. A voltage is then applied between every two contacts, which corresponds to the im Sitriimplad lying tn pn-junction in Durchlaßriehtuny claimed. This tension is achieved so far. until the area of an insulating layer between the metal coils and the associated semiconductor S iine permanently in the extremely low-ohmic state. After the success in places over-I i'ireii the isolation circuit in the state low U iderslands becomes the ;;; applied voltage preferred-1 -ise switched off again immediately.

Die Erfindung wird im weiteren noch an Hand ; '. ier Ausiührungsbeispiele näher erläutert. Die ] ι 11. I zeigt eine Diode mit der erfindungsgemäßen iMilierschicht. In der Fig. 2 ist dargestellt, wie eine derartige Diode in ein Gehäuse eingebaut wird. Die F i g. 3 zeigt jinen Plantransistor mit einer Isolierschicht, die keine Kontaktierungsfenster auweist.The invention is further still on hand; '. ier exemplary embodiments explained in more detail. the ] ι 11. I shows a diode with the iMilierschicht according to the invention. In Fig. 2 it is shown how a such a diode is built into a housing. The F i g. 3 shows a plan transistor with an insulating layer, which has no contact window.

Die Fig. 1 zeigt einen Halbleiterkörper 1, beispielsweise aus cinkristallinem Silizium. Der Halbleiiergrundkörper 3 ist beispielsweise p-leitend und v.eist an der Oberfläche eine durch Diffusion her gestellte η-leitende Zone 2 auf Diese Zone kann sich iuich über die gesamte Oberflächenseite des Halb-Luerkörpers erstrecken und durch Epitaxie herjiestellt sein. Nach der Herstellung der Zone 2 wird die gesamte Oberfläche des Halbleiterkörper mi. fmer dünnen Isolierschicht 5 bedeckt, die beispielsv eise eine Dicke von nur einigen μπι aufweist. Diese 1 -,olierschicht besteht beispielsweise aus einem glaslnldenden Oxyd, wie Siliziumdioxyd, Bortrioxyd (Hler Phosphorpentoxyd, und enthält Oxyde eines <m!>t mehrerer Metalle, die verschiedene Wertigkeits-3ίγ lande annehmen können. Derartig Metalle sind k.MneKwei-,e Kupfer oder Wolfram. Die genannte tM.lierschiclii wird auf den Halbleiterkörper aufjeda:npft. aufgeschmolzen oder durch kathodische Verstaubung aufgebracht Der Halbleiterkörper wild vorzui^weise auf einem metallischen Trägerkörper 6 befcstig· Auf diesen Trägerkörper kann der Halbleiterkötper aufgeklebt oder angepreßt werden. Über der n-le.tenden /one 2 befindet sich auf der Isolierfrucht 5 ein weiterer Kontakt 4, der beispielsweise aus einem bandförmigen Druckkontakt, einem Spitzenkontakt oder aus einem aufgedampften Metallkontakt !»steht. Die Isolierschicht des Halbleiterbauclemen'is kann vor oiler —■ gemäß I'i g. 2 — nach dem Einbau in ein Gehäuse in den Zustand niedrigen Widerstands- übciführt werden.Fig. 1 shows a semiconductor body 1, for example made of cicrystalline silicon. The semiconductor base body 3 is, for example, p-conductive and v.eist an η-conductive zone 2 produced by diffusion on the surface. This zone can develop iuich over the entire surface side of the half-luer body extend and be produced by epitaxy. After the production of zone 2 is the entire surface of the semiconductor body mi. fmer thin insulating layer 5 covered, the examples ice has a thickness of only a few μm. This 1 -, oiling layer consists, for example, of a glass insert Oxide, such as silicon dioxide, boron trioxide (Hler phosphorus pentoxide, and contains one oxides <m!> t of several metals that have different valency 3ίγ land can accept. Such metals are k.MneKwei-, e copper or tungsten. The said tM.lierschiclii is applied to the semiconductor body on each: npft. melted or applied by cathodic dusting. The semiconductor body wild preferably on a metallic support body 6 The semiconductor body can be attached to this carrier body be glued or pressed on. Above the n-le.tenden / one 2 is on the isolating fruit 5 a further contact 4, for example from a band-shaped pressure contact, a Tip contact or from a vapor-deposited metal contact! ». The insulating layer of the semiconductor component can before oiler - ■ according to I'i g. 2 - after installation in a housing in the low state Resistance to be transferred.

I in ge-'mietes Gehäuse tür eine Diode ist ir der I -ig. 2 dargestellt. 1 s besteht aus einem langgestreck-■ten'Glaskolben 7 mit zwei isoliert (lurch den Glaskörper gcliihrten I lcktrodenzuleitungcn 8 und 9. Das Ende der i;icktroden/.uleitimg9 ist im Cichäwsemncrc η als Stempel ausgebildet und trägt die in der F i μ. I dargestellte Halbleiteranordnung. Die Elektrodcnzuleitimg 8 ist über einen gefedert aufgesetzten Spit/enkoniakt 10 mit der dem Trägerkörper 6 gcgcnüberlirgendci. Oberflächenseite des Halbleiterköri)crs verbunden.I in the rented housing for a diode is ir der I -ig. 2 shown. 1 s consists of an elongated ■ glass bulb 7 with two insulated tubes 8 and 9. End of i; icktroden / .uleitimg9 is in the Cichäwsemncrc η designed as a stamp and carries the in the F i μ. I illustrated semiconductor arrangement. The Elektrodcnzuleitimg 8 is connected to the carrier body 6 via a sprung tip 10 gcgcnüberlirgendci. Surface side of the semiconductor body connected.

Zum Überführen dci' Isolierschicht in den Zustand niedrigen Widerslands wird zwischen die Elcktroden 8 und 9 eine Spannung angelegt, die so gcpolt ir.t, daß der im Strompfad zwischen den Elektroden liegende pn-übergang im Halbleiterkörper in Durchlaßrichtung beansprucht ist. Bei den oben beschriebeiien Lcitfäliigkeitsverhältnissen muß also die Elek-To convert the insulating layer into the state low contradiction between the Elcktroden 8 and 9 a voltage is applied which is so polarized that the in the current path between the electrodes lying pn junction in the semiconductor body is stressed in the forward direction. In the case of the ones described above The elec-

irni.li.· H ι ·. e μ; 111 ν gegen die Elektrode') pirni.li. · H ι ·. e μ; 111 ν against the electrode ') p

werden. Bei einer bestimmten Spannung, die u. a. vtm der Dicke der Isolierschicht abhängig isl, uein ein im Querschnitt kleiner leil der Isolierschicht zwischen den Elektroden und dem llalhleiterköip.ji in den niederohmigen Zustund über. Der niedcrohmige Sirompfad in der Isolierschicht wird hierbei im wesentlichen von der kürzesten Sirecke zwischen den IElektroden und den !eilenden 1 lalbleiier/uncn gebildet. Dieser niederohmige Strompfad behält diesen Widerstandszusland bleibend bei, während alle übrigen Bereiche der Isolierschicht im extrem li'.ichohmigen Zustand verbleiben. Im Augenblick de-, Uberfiihrens der Isolierschicht in den Slrompfadhcreich kann die Spannung und der Strom im Strompfad durch einen vorgeschalteten Widerstand ueeit.'-neter Größe begrenzt werden.will. At a certain voltage, which among other things depends on the thickness of the insulating layer, a small portion of the insulating layer between the electrodes and the semiconductor element changes to the low-resistance state. The low-roughness sirom path in the insulating layer is essentially formed by the shortest sir corner between the I electrodes and the hurrying 1 bullets. This low-ohmic current path permanently maintains this resistance state, while all other areas of the insulating layer remain in the extremely low-ohmic state. At the moment when the insulating layer is moved into the current path, the voltage and the current in the current path can be limited by an upstream resistor of the same size.

In der Fig. 3 ist ein Planam.msistor dargestellt, der unter Verwendung einer Maskierungsschicht durch Eindiffusion der Basiszone 12 und der Emitlerzone 13 in dem Halbleitergrundkörper 17 hergestellt wurd*. Nach der Fertigstellung aller Zonen wird der Halbleiterkörper allseitig mit einer Isolierschicht 5 bedeckt, die extrem hochohmig ist, jedoch durch Anlegen einer elektrischen Spannung bestimmter Größe in eng begrenzten Bereichen einen extrem nivderohmigen Widerstandszustand annehmen kann. Der Halblcitergrundkörper ist wiederum auf einem metallischen Trägerkörper 11 befestigt, der als KoIIektoranschluß dient. Über der Basiszone bzw. über der Emitterzone sind auf der isolierenden Schicht metallische Kontakte 14 und 15 angeordnet. Hat der Tran sistor beispielsweise eine ppn-Zoncnfolge, so wird bei der Formierung zunächst zwischen die Anschlußdrähte 16 und 17, die zu den Mctallkontakttn 14 und 15 führen, eine Spannung angelegt, wobei das Poienthl an der Elektrode 16 positiv gegenüber dem Potent'^{al ;1}" 'ler Elektrode 17 ist. Bei einer bestimmten Schwellspannung bildet sich zwischen den Kontakten 14 und 15 und den darunter befindlichen Halbleiterzonen ein niederohmiger Strompfad 18 aus. Die Stromstärke und die an der Isolierschicht hierbei abfallende Spannung kann wieder durch einen Vorwiderstand begrenzt werden. Danach odor gleich ^zcitiP ^wircl '^wisdlt;n die Elektroden U und 16 eine Spannung angelegt, Ki dor die Elektrode 16 wieder posimcs Potential gegenüber der Elektrode Π aufweist. 3 shows a planam. Msistor which was produced using a masking layer by diffusing the base zone 12 and the emitter zone 13 into the semiconductor base body 17. After the completion of all zones, the semiconductor body is covered on all sides with an insulating layer 5, which is extremely high-resistance, but can assume an extremely low-resistance state by applying an electrical voltage of a certain size in narrow areas. The half-liter base body is in turn attached to a metallic support body 11, which serves as a KoIIektoranschluss. Metallic contacts 14 and 15 are arranged on the insulating layer above the base zone or above the emitter zone. If the transistor has a ppn zone sequence, for example, a voltage is applied between the connecting wires 16 and 17, which lead to the Mctallkontakttn 14 and 15, during the formation, the Poienthl at the electrode 16 being positive compared to the potential '^{al; 1} "'ler electrode 17. For a given threshold voltage, a low current path 18 is formed between the contacts 14 and 15 and the semiconductor regions below it. the current intensity and the case dropped across the insulating voltage can be limited by a series resistor again. Thereafter, odor equal ^zciti P ^wircl ^'wisdlt; n, the electrodes 16 U, and a voltage is applied, the electrode 16 again Ki dor posimcs potential relative to the electrode having Π.

'^ici einer Sduvellspanmmi! bildet sich auch der letzte noch erforderliche niederohmige Kanal /wisehen dem Metallkörper 11 und der Ko'lcktorzonc 17 '» ^(lcr isolierenden Schicht 5 aus. Auch die zuletzt geschilderten Maßnahmen können vorgenommen werden, nachc'-m das Halbleiterbauelement bereits ^{ln tin f:t}'^n:ulsc eingebaut \vurdc.' ^ici a Sduvellspanmmi! . also forms the last still required low impedance channel / wisehen the metal body 11 and the Ko'lcktorzonc 17 '^"(LCR insulating layer 5 of The last-mentioned measures may be taken, nachc'-m, the semiconductor device already ^{ln tin f: t} ' ^{n: ulsc} built in \ vurdc.

Es ist selbstverständlich, daß die in den Aiisführungsbeispielen angegebenen ixitfiihigkcitstypcn der verschiedenen Halblciterzoncn umgekehrt werden können. Des weiteren läßt sich die beschriebene Isolierschicht mit zwei verschiedenen Widerstandzustän- ^^cu immer dann verwenden, wenn zwischen verschicdencn Zonen oder verschiedenen Elektroden cmc elektrische Verbindung hergestellt werden soll.It goes without saying that the resistance types of the various half-liter zones indicated in the exemplary embodiments can be reversed. Furthermore, the described insulating layer with two different resistance ^{states can} always be used when an electrical connection is to be made between different zones or different electrodes.

Claims

Patent claims:

1. Semiconductor component made from a cine-crystalline semiconductor body with at least two zones

different conductivity type and one arranged on the surface of the semiciter body Insulating layer, characterized in that that the material of the insulating layer (5) is glass-like and has a first stable state has extremely high resistance, of which it is determined by an applied electrical voltage Size can be transferred to a second stable state with extremely low resistance can.

2. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that the metallic contacts (4, 6, 10, 11, 14, 15) to the various semiconductor zones (2, 3, 12, 13, 17) in the semiconductor body (1) on the insulating layer (5) over the corresponding zones (2, 3, 12, 13, 17) in the semiconductor body (1) are arranged and that the Ma material of the insulating layer (5) in the areas (18) between the metallic contacts (2, 4, 6, 10, 11, 14, 15) and the associated semiconductor zones (2, 3,12, 13,17) by applying an electrical voltage of a certain size from State of high resistance is converted to state of low resistance.

3. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that that the vitreous material is a glass-forming oxide such as silicon dioxide, boron trioxide or phosphorus pentoxide contains.

4. Semiconductor component according to claim 3, characterized in that the vitreous material Contains oxides of a metal that can assume various valency states.

5. Semiconductor component according to claim 4, characterized in that the vitreous material which contains oxides of copper or tungsten.

6. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized that the insulating layer (5) made of the vitreous material is a few µm thick.

7. A method for producing a semiconductor component according to any one of the preceding claims, characterized in that the surface of the semiconductor body according to the manufacturer all semiconductor zones to be accommodated in the semiconductor body with an insulating layer on all sides: the high-resistance glass-like material is covered that on this insulating layer over the associated Semiconductor zones metal contacts are applied that between two contacts a voltage is applied, the pn-junction lying in the current path in the forward direction claims that this voltage is increased until the material of the insulating layer in the The area between the metal contacts and the assigned semiconductor zones is the lower-olimiger Assumes permanent state, and that the applied voltage is then switched off immediately.

8. The method according to claim 7, characterized in that the insulating layer on the surface of the semiconductor body is vapor-deposited or applied by cathode sputtering.

1 sheet of drawings