DE1947905C3 - Process for producing a charge image and a recording material therefor - Google Patents
Process for producing a charge image and a recording material thereforInfo
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Description
4. Aufzeichnungsmaterial zur Durchführung latente Bild entwickelt oder übertragen wird. Mit des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch ge- anderen Worten soll die lichtempfindliche Schicht kennzeichnet, daß auf dem Schichtträger eine eines photoleitfähigen Materials ein ausreichendes erste photoleitfähige Schicht (4) und auf dieser 5° elektrisches Isoliervermögen in einem dunklen Raum eine zweite photoleitfähige Schicht (6) mit gegen- besitzen. Wenn andererseits die lichtempfindliche über der ersten photoleitfähigen Schicht (4) unter- Schicht belichtet wird, muß sie eine gute elektrische schiedlichcm spektralem Absorptionsvermögen Leitfähigkeit besitzen. So soll ein und dieselbe lichtangeordnet sind, wobei zwischen der ersten und empfindliche Schicht in einem elektrophotographidcr zweiten photoleitfähigen Schicht gegebenen- 55 sehen Material gleichzeitig ein gutes elektrisches falls eine isolierende Zwischenschicht (5) geringer Isoliervermögen in einem dunklen Raum und eine Dicke vorhanden ist und wobei die beiden photo- gute elektrische Leitfähigkeit bei Belichtung aufweileitfähigen Schichten (4, 6) ein unterschiedliches sen. Es wurden daher Untersuchungen ausgeführt, Ladungsbeibehaltungsvermögcn aufweisen, wobei um die Empfindlichkeit der photoleitfähigen Schicht die eine photoleitfähige Schicht (4) elektrostati- 60 auf Kosten des elektrischen Widerstandes in einem sehe Ladungen im Dunkeln beibehält, während dunklen Raum bis zu einem praktisch annehmbaren die andere phololeiiiähige Schicht (6) einen ge- Ausmaß zu erhöhen. Wenn z. B. eine lichtempfindringcren elektrischen Widerstand im Dunkeln als liehe Schicht vollständig panchromatisch gemacht ist, die vorstehend genannte photoleitfähige Schicht damit ihre Lichtempfindlichkeit erhöht ist, wird4. Recording material for carrying out latent image is developed or transferred. With of the method according to claim 1, in which, in other words, the photosensitive layer is intended indicates that one of a photoconductive material on the support is sufficient first photoconductive layer (4) and on this 5 ° electrical insulation in a dark room have a second photoconductive layer (6) with opposite. On the other hand, if the photosensitive is exposed over the first photoconductive layer (4) under-layer, it must have a good electrical Different cm spectral absorption capacities have conductivity. This is how one and the same should be arranged with light are, being between the first and sensitive layer in an electrophotographidcr Given the second photoconductive layer, material is also a good electrical one in the case of an interlayer insulating layer (5) of low insulating property in a dark room and one Thickness is present and the two photographic good electrical conductivity on exposure aufweileiteit Layers (4, 6) a different sen. Investigations were therefore carried out Have charge retention, with the sensitivity of the photoconductive layer the one photoconductive layer (4) electrostatic 60 at the expense of electrical resistance in one see charges in the dark while keeping dark room up to a practically acceptable level the other layer capable of film (6) to increase to a certain extent. If z. B. a lichtsensringcren electrical resistance in the dark is made completely panchromatic as a layer, the above-mentioned photoconductive layer so that its photosensitivity is increased
(4) besitzt, wobei die Grenzfläche der beiden 65 zwangsläufig die Dichte der freien elektrischen La-Schichten bzw. die isolierende Zwischenschicht dungsträger auf Grund von deren Wärmeerregung so(4), the interface of the two 65 necessarily being the density of the free electrical La layers or the insulating intermediate layer fertilization carrier due to their heat excitation so
(5) so ausgebildet ist, daß das Fließen von freien erhöht, daß der elektrische Widerstand in einem elektrischen Ladungsträgern aus der ersten photo- dunklen Raum erniedrigt ist. Wenn andererseits die(5) is designed so that the flow of free increases that the electrical resistance in one electrical charge carriers from the first photo-dark room is lowered. On the other hand, if the
• le Lebensdauer der frei beweglichen Ladung-"·'· er die optisch erregt sind, und/oder deren AbraSHerunBsbeweglichkeit erhöht werden, um die P nfindlichkeit zu steigern, wird durch die Trägci T freien elektrischen Ladungen, die thermisch er-• le life of the floating charge- "· '· er which are optically excited and / or from Ras HerunBsbeweglichkeit be increased to the P to increase nfindlichkeit is free through the Trägci T electric charges thermally ER-
t sind oder die Träger der freien elektrischen [ Huneen die von der Elektrode oder der Oberfläche λ lichtempfindlichen Schicht zugeführt werden, der vvM -rstancl im Dunkeln herabgesetzt. Wenn die ι hrmpfindlichkeit des Materials erhöht wird, wird ι elektrischer Widerstand im Dunkeln verringert, Hh deren Fähigkeit zur Beibehaltung der elektro-t or the carriers of the free electrical [Huneen which are supplied from the electrode or the surface λ light-sensitive layer, the vvM -rstancl reduced in the dark. If the ι hearing sensitivity of the material is increased, ι electrical resistance is reduced in the dark, Hh their ability to maintain the electrical
,' -hen Ladungen im Dunkeln herabgesetzt. Anif seits «ibt es eine Mehrzahl von photoleitfähigen uTerialien die in einem dunklen Raum einen nied-'-hen charges are lowered in the dark. Anif on the other hand, there is a multitude of photoconductive materials which, in a dark room, have a low
• elektrischen Widerstand besitzen, d. h. die kein "Kirsches Isoliervermögen im Dunkeln aufweisen,• have electrical resistance, d. H. which do not have "cherry insulation properties in the dark,"
u eine -tuBerordentlich hohe Empfindlichkeit beabcr el" and a high sensitivity -tuBerordentlich be abcr el "
SIl?i"ist ein elektrophotographischcs Verfahren be-, t '(w\ US-PS 33 55 289), bei welchem man eine noraohische Platte mit einem elektroleitfähigen Sr n^ einer Schicht aus glasartigem Selen Con nRer freier Weglänge der Elektronen und einer dar- ^r angeordneten Schicht aus einer Selen-Tellur- f ρ erun'mit einer Menge von etwa 5 bis 40 Gew.-·/. τ mit negativem Potential auflädt, diese Platte Te Βϋΐίη« eSm s latenten elektrostatischen Bildes Michtet das latente Bild elektroskop^ mit anzieh- SIl ? I "is an electrophotographic process (w \ US-PS 33 55 289), in which a normal plate with an electroconductive Sr n ^ a layer of vitreous selenium Con nRer free path of electrons and a - ^ r arranged layer of a selenium-tellurium f ρ erun'with an amount of about 5 to 40 wt. · /. τ charges with negative potential, this plate Te Βϋΐίη «e S ms latent electrostatic image Means the latent image electroscope ^ with
^Ä'Ä £t"SASvTK ** »r die Wiederverwen- ^ Ä'Ä £ t "SASvTK ** » r the reuse
PS wird ein Aufzeichnung«-PS becomes a record «-
einer lichtempfindlichen Schicht und ^^soHerenden Film auf deren Oberseite ange-St Hterbei wird zunächst ein Potential von ^ im Dunkeln und dann ein zwei-a light-sensitive layer and ^^ resulting film on the upper side of which is first a potential of ^ in the dark and then a two-
Das Verfahren ncmäß der Erfindung zur Herstellung eines Ladungshildes unter Verwendung eines Aufzeidinungsmalerials aus einem elektrisch le-.tenden Schichtträger einer eisten phoiolcitfähigen Schicht und einer auf dieser angeordneten /weiten photo eit fähigen Schicht mit gegenüber der ersten photoleitfähigen Schicht unterschiedlichem spektralem Absorplionsvermügen und einer isolierenden Zwischenschicht zwischen den beiden photokillahigen Schichten, wobei wenigstens die auf einer Seile der innenliegenden ersten pholuleitfähieen Schicht angeordneten Schicnten für Licht der Äbsorptionswellenlänge der ersten photoleitfähigen Schicht durchlässig sind, bei dem die freie Oberfläche der zweiten photoleitfähigen Schicht gleichförmis aufgeladen und das Aufzeicnnungsmatcrial bildmäßig belichtet wird, ist dadurch gekennzeichnet, daß die erste photoleitlämge Schicht des geladenen Aufzeichnungsmaterials mit Licht sciner Äbsorptionswellenlänge bildmäßig belichtet und gleichzeitig die geladene Oberfläche einer Gleichstromkoronaentladung der gleichen Polarität op er einer Wechselstromkoronacntladung ausgesetzt wuo. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung kann man die obere (zweite) photoleitfah.gc Schicht J ,5 Licht aus spektralen Komponenten belichten die diese photoleitfähige Schicht photolc.tcnd machen das latente Bild in der unteren phatoleitfahig.n Schicht auslöschen und damit das !'^empfindliche Material für die wiederholte Verwendung voibe-The method of the invention for making of a charge shield using a display painting made of an electrically conductive material Carrier of an ice-resistant layer and a wide photoconductive layer disposed thereon and opposite to the first photoconductive one Layer of different spectral absorption capacity and an insulating intermediate layer between the two photocellular layers, wherein at least the layers arranged on a rope of the inner first conductive layer are transparent to light of the absorption wavelength of the first photoconductive layer in which the free surface of the second photoconductive Layer is uniformly charged and the recording material is exposed imagewise, is characterized in that the first photoconductive layer of the charged recording material with light sciner Absorption wavelength exposed imagewise and at the same time the charged surface of a direct current corona discharge the same polarity op he was exposed to an alternating current corona discharge. According to a development of the invention, can the top (second) photoconductive layer J , 5 light from spectral components expose the make this photoconductive layer photolc.tcnd the latent image in the lower phatoleitfahig.n Erase the layer and thus leave the! '^ Sensitive material for repeated use.
"Gemäß einer anderen Weiterbildung der Erfindung ^man nach^r J^- ehchtung das hch,"According to another development of the invention ^ one after ^ r J ^ - right that hch,
veirtlung gleichförmig belichten, daß die obere (zweite) photoleitfähige Schicht mch w sentlch photoleitcnd wird, jedoch die un crc (erste) photo leitfähige Schicht photole.tend vvud.veirterung uniformly expose that the upper The (second) photoconductive layer can be changed becomes photoconductive, but the un crc (first) photo conductive layer photole.tend vvud.
Das Aufzeichnungsmaterial zur Durchfuhrung desThe recording material for performing the
mieden werden, nämlich, daß Matenahen mit hohen Empfindlichkeit auf Grund ihres schlechten Beibehaltungsvermögens für elektrische Ladungen m der Elektrophotographie nicht verwendet werden konnten, während Matenahen mi einem guten BeibehaStangsvermögen für elektrische Ladungen einebe avoided, namely that mate with Middle high sensitivity due to its poor retention of assets for electrical charges m electrophotography could not be used during the Middle Mate mi a good BeibehaStangsvermögen electric charge a
S das auf der lichtempfindlichen Schicht gebildeteS that formed on the photosensitive layer
elektrostatische latente Bild in *'Λ?7"J^« c^ löscht wird, um hierdurch das lichtempfindliche Material für die wiederholte Verwendung vorzubereiten, wobei das lichtempfindliche Material wiederholt in hoher Wirksamkeit verwendet wc«^ Nach einer anderen Weiterbllfunß ^s Vcrfarirens kann ein elektrostatisches latentes Bild "halten werden, das für eine lange Zeitdauer stabil be.behalten werden kann.electrostatic latent image in * ' Λ ? 7 "J ^« c ^ is erased, thereby preparing the photosensitive material for repeated use, the photosensitive material being used repeatedly with high efficiency wc «^ After another next bll f un ß ^ As a result , an electrostatic latent image can be retained, which can be stably retained for a long period of time.
gen «m Dunkch beil,el alt en eleklris gen «m Dunkch beil, el alt en eleklris
Ie. fah ge ^Jicht ^n 8 vorstehend genannteIe. fah ge ^ ^ n Jicht 8 vorste starting called
W'dergdIm Dunker a Grenz.fiächeW'dergdIn the dark a border area
g^"^^^. die isolierende Zwischen55 to be den Schgte ^ ^^ ^ ^n g ^ "^^^. the insulating intermediate 55 to be den Schgte ^ ^^ ^ ^ n
^|e d D unj,strä ern aus der ersten photoleit- Ή in ^ie ^veite photo.dtf.hige Schicht^ | e d D unj , strands from the first photoconductive Ή in ^ ie ^ veite photo.dtf.hige layer
Rindert wird djo ^^^Cattle is djo ^^^
6° de?^veUen photoleitfähigen Schicht und auf die gr ^wcHcn P . benachbarten Te.l 6 ° de ? ^ VeUen photoconductive layer and on the gr ^ wcHcn P. neighboring Te.l
^"^^„^ι^ photoleitfähigen Schichten jc- ^,sc^ den t,c ^ voi;cmRCgengcsetzter^ "^^" ^ ι ^ photoconductive layers jc- ^, sc ^ den t, c ^ voi ; cmRCgengcse tzter
p^antäTaüfiebracht. wodurch in der zweiten photo-65 Po anta ^ g elektroslatisches Feld erzeugtp ^ antäTaüfiebracht. which creates an electroslatic field in the second photo-65 Po anta ^ g
f die Obernäche der zweiten "» .gcn Schicht frei bcwcgliche Ladungs- f the surface of the second "». gcn layer free floating charge
träger aufgebracht, während gleichzeitig mit Licht der Absorptionswellenlänge der ersten photoleitfäliigen Schicht bildmäßig belichtet wird, durch welches die zweite Schicht nicht wesentlich photoleitend gemacht wird, während es die erste Schicht photoleitend macht, wodurch die elektrostatischen Ladungen in beiden Oberflächen der zweiten photoleitfäliigen Schicht durch die erste photoleitfähige Schicht und die frei beweglichen Ladungsträger entsprechend demapplied while simultaneously with light of the Absorption wavelength of the first photoconductive layer is exposed imagewise, through which the second layer is not made substantially photoconductive, while the first layer is photoconductive makes, reducing the electrostatic charges in both surfaces of the second photoconductive Layer through the first photoconductive layer and the freely movable charge carriers according to the
Trägers 2 her erfolgt, muß die photoleitfähige Schicht 4 gegenüber wenigstens einem Teil oder der gesamten Strahlung, durch welche die photoleitfähige Schicht 6 photoleitend wird, im wesentlichen transparent sein.Carrier 2 is made ago, the photoconductive layer 4 must face at least a part or the all radiation through which the photoconductive layer 6 becomes photoconductive, substantially transparent being.
Die Grenzschicht 3 ist für das Aufzeichnungsmaterial 1 nicht unbedingt notwendig. Die Grenzschicht 3 dient jedoch zur Regelung des Flusses von elektrischen Ladungsträgern aus dem Träger 2 in die photo-The boundary layer 3 is not absolutely necessary for the recording material 1. The boundary layer 3 serves, however, to regulate the flow of electrical charge carriers from the carrier 2 into the photo-
Bildmuster der photoleitfähigen ersten Schicht so io leitfähige Schicht 4 und umgekehrt. Sie dient auch entladen oder geladen werden, daß ein elektrostati- zur Verbesserung der Haftung von der photoleitfähisches latentes Bild in der zweiten photoleitfähigen gen Schicht 4 an dem Träger 2. Die Oberfläche der Schicht gebildet wird. Zwischenschicht 5 dient zur Regelung des FlussesImage pattern of the photoconductive first layer so io conductive layer 4 and vice versa. She also serves discharged or charged that an electrostatic to improve the adhesion of the photoconductive latent image in the second photoconductive gene layer 4 on the support 2. The surface of the Layer is formed. Intermediate layer 5 is used to regulate the flow
Für die Zwecke gemäß der Erfindung können be- von Trägern von elektrischen Ladungen hierdurch liebige photoleitfähige Materialien für die Herstellung 15 und der Verbesserung der Haftung zwischen den der beiden photoleitfähigen Schichten mit der Maß- beiden Schichten. Die Grenzoberfläche oder dieFor the purposes according to the invention, carriers of electrical charges can thereby be carried Loved photoconductive materials for making 15 and improving the adhesion between the of the two photoconductive layers with the measure- two layers. The boundary surface or the
Zwischenschicht 5 muß insbesondere ein Fließen von freien Ladungsträgern aus der photoleitfähigen Schicht 4 in die photoleitfähige Schicht 6 verhindern. Die Oberflächenschicht 7 dient zur Regelung des Durchgangs von Trägern von elektrischen Ladungen von der Oberfläche zu der photoleitfähigen Schicht 6 und als Oberflächenschutz des Aufzcichnungsmaterials. Jedoch ist das Vorhandensein der Oberfiächenschicht 7 nicht wesentlich, und sie kann auch weggelassen werden. Die Oberflächenschicht 7 muß von elektrisch isolierender Natur sein, und außerdem wird sie möglichst dünn ausgebildet.Intermediate layer 5 must, in particular, allow free charge carriers to flow out of the photoconductive Layer 4 in the photoconductive layer 6 prevent. The surface layer 7 is used to regulate the Passage of carriers of electrical charges from the surface to the photoconductive layer 6 and as surface protection of the recording material. However, the presence of the surface layer 7 is not essential and it can also be omitted will. The surface layer 7 must be of an electrically insulating nature, and moreover will they are made as thin as possible.
Die vorstehend beschriebene Grenzschicht 3, dieThe above-described boundary layer 3, the
trale Verteilung des zum Belichten dieses Materials 30 Zwischenschicht 5 und die Oberflächenschicht 7 müsgcmäß der Erfindung verwendeten Beleuchtungs- sen gegenüber dem Belichtungslicht ausreichend lichtes veranschaulicht werden.central distribution of the intermediate layer 5 and the surface layer 7 required for exposure of this material According to the invention, illuminations used in relation to the exposure light are sufficient be illustrated.
Mit Bezug auf Fig. 1 umfaßt das lichtempfindliche Material gemäß der Erfindung einen Schichtträger 2. eine auf dem Träger 2 gebildete photoleitfällige Schicht 4 und eine auf der photoleitfähigen Schicht 4 gebildete photoleitfähige Schicht 6. Eine Schicht 3 ist zwischen dem Träger 2 und der photoleitfähigen Schicht 4 vorhanden, und eine Schicht 5With reference to Fig. 1, the photosensitive material according to the invention comprises a support 2. a photoconductive layer 4 formed on the support 2 and one on the photoconductive one Layer 4 formed photoconductive layer 6. A layer 3 is between the support 2 and the photoconductive Layer 4 is present, and a layer 5
ist zwischen den beiden photoleitfähigen Schichten 4 40 tiver Polarität, wobei ^dies mit Hilfe einer Korona- und 6 vorgesehen, und eine Deckschicht 7 ist auf der entladung ausgeführt werden kann. Andererseits wird Oberfläche der photoleitfähigen Schicht 6 angeordm ' Iji dem Träger 2 eine positive Polarität eingeführt. Ein elektrostatisches latentes Bild soll von der Diese elektrische Ladung wird in kurzer Zeit, d. h. Seite der Deckschicht 7 her gebi dct werden. Der vor der zweiten Stufe, in der Grenzfläche oder der Träger 2 ist vorzugsweise aus einem elektrisch leit- 45 Zwischenschicht 5 oder einem angrenzenden Teil fähigen Material gebildet. Es ist vorteilhaft, das durch die photoleitfähige Schicht 4 in Übereinstimelektiostatischc latente Bild in Nähe der Oberfläche rnung mit der auf der Oberfläche des lichtempfinddcr photoleitfähigen Schicht mit einem darin auf- liehen Materials vorhandenen negativen Ladung inrcchtcrhaltcncn elektrostatischen Feld zu bilden. duziert. Wenn der elektrische Widerstand der photo-is between the two photoconductive layers 4 40 tiver polarity, where ^ this with the help of a corona and 6 are provided, and a cover layer 7 is provided on which discharge can be carried out. On the other hand will Surface of the photoconductive layer 6 angeordm 'Iji introduced a positive polarity to the support 2. An electrostatic latent image is said to be of the This electric charge is generated in a short time, i. H. Side of the cover layer 7 are gebi dct ago. The one before the second stage, in the interface or the Carrier 2 is preferably made of an electrically conductive intermediate layer 5 or an adjoining part capable material formed. It is advantageous that the photoconductive layer 4 in correspondence electiostaticallyc latent image near the surface coincides with that on the surface of the photosensitive device photoconductive layer with a material borrowed therein retained negative charge to form electrostatic field. dued. If the electrical resistance of the photo-
Dic photoleitfähige Schicht 6 muß daher ein clek- 50 leitfähigen Schicht 4 ausreichend niedrig ist, findet frisches Isoliervermögen wenigstens im Dunkeln be- die Induktion der positiven Ladung in der Grcnzsilzen, um die elektrostatischen Ladungen darin bei- oberfläche oder der Zwischenschicht 5 in ausreichend zubehalten. kurzer Zeit statt, und es ergeben sich keine Schwierig-The photoconductive layer 6 must therefore have a conductive layer 4 that is sufficiently low Fresh insulating capacity at least in the dark - induction of the positive charge in the outer surface, around the electrostatic charges in the surface or the intermediate layer 5 in sufficient to keep. takes place in a short time, and there are no difficulties
Andcrcrseits ist es nicht notwendig, daß die kciten. Wenn der elektrische Widerstand jedoch hoch Schicht 4 elektrostatische Ladungen im Dunkeln bei- 55 ist, wird die Zeitdauer, die zum Induzieren der posibchält, und daher muß sie nicht unbedingt ein elek- tiven Ladung in der Grenzfläche oder der Zwischen-On the other hand, it is not necessary that the kites. However, when the electrical resistance is high Layer 4 is electrostatic charges in the dark at- 55, the length of time it takes to induce the posibchält, and therefore it does not necessarily have to have an elec- trical charge in the interface or the intermediate
gabe verwendet werden, daß die photoleitfähigen Materialien verschiedene spektrale Absorptionscigenschaften besitzen und verschiedene Ladungsbeibehaltevcrmögen aufweisen.Given that the photoconductive materials have different spectral absorption properties and have various charge retention capacities.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to the drawing.
Fig. 1 zeigt in schematischer Darstellung ein Aufzeichnungsmaterial für das elektrophotographische Verfahren gemäß der Erfindung; die1 shows a schematic representation of a recording material for the electrophotographic process according to the invention; the
Fig. 2a, 2b, 3a und 3b zeigen jeweils graphische Darstellungen, worin die spektrale Empfindlichkeit der photoleitfähigen Schichten des Aufzeichnungsmatcrials gemäß der Erfindung und die spek-Figures 2a, 2b, 3a and 3b show graphs, respectively Representations in which the spectral sensitivity of the photoconductive layers of the recording material according to the invention and the spec-
transparent sein, um den Durchgang von Licht zu der Schicht 4 in ausreichendem Ausmaß zu gewährleisten. be transparent in order to ensure the passage of light to the layer 4 to a sufficient extent.
Bei der praktischen Ausführung des Verfahrens gemäß der Erfindung wird das vorstehend beschriebene Aufzeichnungsmaterial in der ersten Stufe auf der Oberfläche des lichtempfindlichen Materials gleichförmig elektrisch geladen, beispielsweise in ncga-In practicing the method according to the invention, that described above will be used Recording material in the first stage on the surface of the photosensitive material uniformly electrically charged, for example in ncga-
trisches Isoliervermögen in einem dunklen Raum besitzen. In einem hellen Raum muß jedoch die photoleilfähige Schicht 4 ausreichend photolcitfähig sein.have tric insulating properties in a dark room. In a bright room, however, the photoconductive layer 4 must be sufficiently photoconductive.
Im einzelnen ist zwischen den beiden photolcitfähiiien Schichten 4 und 6 die folgende Beziehung erforderlich. Bei bildmäßiger Belichtung von der Seite der Deckschicht 7 her muß die phololeitfähigcIn detail, there is photoconductivity between the two Layers 4 and 6 require the following relationship. With imagewise exposure from the Side of the cover layer 7 must be the pholeitktivc
Schicht 6 gegenüber wenigstens einem Teil oder der 65 liches Erniedrigen des elektrischen Widerstandes gesamten Strahlung, durch welche die Schicht 4 der photoleitfähigen Schicht 4). Andererseits kann photolcitend wird, im wesentlichen transparent sein. die photoleitfähige Schicht 4 gleichförmig an eine Wenn andererseits die Belichtung von der Seite des aktive Strahlung ausgesetzt werden, um ihren elck-Layer 6 against at least a part or the 65 Liches lowering of the electrical resistance total radiation through which the layer 4 of the photoconductive layer 4). On the other hand, can photoconductive will be essentially transparent. the photoconductive layer 4 uniformly to one On the other hand, if the exposure from the side of the active radiation is exposed to its elck-
schicht 5 erforderlich ist, lang, wodurch die Leistungsfähigkeit des Verfahrens gemäß der Erfindung beeinträchtigt wird.layer 5 is required, long, which affects the performance of the method according to the invention will.
Um die vorstehend geschilderte Schwierigkeit zu beseitigen, wird eine Gleichrichterfähigkeit, beispielsweise der Grenzschicht 3 so erteilt, daß die positive Ladung mühelos aus dem Träger 2 zu der photoleitfähigen Schicht 4 fließen kann (d. h. durch wescnt-In order to solve the above problem, a rectifying capability, for example the boundary layer 3 given so that the positive charge easily from the support 2 to the photoconductive Layer 4 can flow (i.e. through essential
IoIo
trischen Widerstand auf Grund von Photoleitfähigkeit zu erniedrigen. Hierbei ist es notwendig, daß die aktive Belcuchtungsstrahlung durch die photoleitfähige Schicht 6 hindurchgeht, jedoch diese nicht wesentlich photoleitend macht. Auf diese Weise werden die negativen und positiven elektrostatischen Ladungen den jeweiligen Oberflächen der photoleitfähigen Schicht 6 erteilt. Das durch die elektrostatischen Ladungen erzeugte elektrostatische Feld wird von der photoleitfähigen Schicht 6 aufrechterhalten.tric resistance due to photoconductivity to lower. It is necessary that the active illumination radiation passes through the photoconductive layer 6, but this does not makes it substantially photoconductive. This way the negative and positive become electrostatic Charges applied to the respective surfaces of the photoconductive layer 6. That by the electrostatic Electrostatic field generated by charges is maintained by the photoconductive layer 6.
In der zweiten Stufe werden dann elektrische Ladungen, die z. B. durch eine Koronaentladung erzeugt werden, auf die Oberfläche 6 des in der vorstehend beschriebenen Weise elektrisch geladenen lichtempfindlichen Materials aufgebracht, wobei ein aufzuzeichnendes optisches Bild auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials projiziert wird. In diesem Fall macht das Projektionslicht die photoleitfähige Schicht 6 nicht wesentlich photoleitend, erzeugt jedoch in der photoleitfähigen Schicht 4 einen Photostrom. Durch die Schaffung eines geeigneten äußeren elektrischen Stromkreises, der zwischen den auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials aufgebrachten frei beweglichen Ladungsträgern und dem photoleitfähigen Träger 2 eine Verbindung gibt, werden daher die elektrostatischen Ladungen, die in den jeweiligen Oberflächen der photoleitfähigen Schicht 6 gehalten werden, durch die photoleitfähige Schicht 4 so kurzgeschlossen, daß diese elektrischen Ladungen in Übereinstimmung mit dem Belichtungsbiid der photoleitfähigen Schicht 4 entladen oder auf die entgegengesetzte Polarität geladen werden.In the second stage, electrical charges that, for. B. generated by a corona discharge are, on the surface 6 of the electrically charged in the manner described above Photosensitive material applied, with an optical image to be recorded on the surface of the photosensitive material is projected. In this case, the projection light makes the photoconductive one Layer 6 is not essentially photoconductive, but generates a photocurrent in the photoconductive layer 4. By creating a suitable external electrical circuit between the on the Surface of the photosensitive material applied freely movable charge carriers and the photoconductive support 2 gives a connection, therefore the electrostatic charges that are in the respective surfaces of the photoconductive layer 6 are held by the photoconductive layer 4 so short-circuited that these electric charges in accordance with the exposure image photoconductive layer 4 discharged or charged to the opposite polarity.
Eine elektrische Entladung findet bis zu einem gewissen Ausmaß auch durch den unbelichteten Teil der photoleitfähigen Schicht 4 statt. Da jedoch der elektrische Widerstand dieses unbelichteten Teils der photoleitfähigen Schicht 4 größer ist als derjenige des belichteten Teils, ist das Ausmaß der Entladung gering. Jedoch soll zweckmäßig diese Stufe in kurzer Zeitdauer vervollständigt werden.An electrical discharge also takes place to a certain extent through the unexposed part the photoconductive layer 4 instead. However, since the electrical resistance of this unexposed part of the photoconductive layer 4 is larger than that of the exposed part, is the extent of discharge small amount. However, this stage should expediently be completed in a short period of time.
Andererseits ist es notwendig, den äußeren elektrischen Stromkreis zu öffnen, um die unerwünschte Entladung durch den unbelichteten Teil zu verhindern. On the other hand, it is necessary to open the external electrical circuit to the undesired To prevent discharge through the unexposed part.
Das in der vorstehend beschriebenen Weise gebildete elektrostatische latente Bild ist instabil, und es geht in einen stabilen Zustand mit einer Geschwindigkeit entsprechend dem elektrischen Widerstand der photoleitfähigen Schicht 4 im Dunkeln oder dem elektrischen Widerstand, der sich aus der Nachwirkunc der Photoleitfähigkeit der photoleitfähigen Schicht 4 nach deren Belichtung ergibt, über. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die elektrischen Ladungen in der Oberfläche (entweder von der gleichen Polarität oder von entgegengesetzter Polarität) durch die elektrischen Ladungen erhöht werden, die auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials in der ersten Stufe aufgebracht wurden, und die induzierten elektrischen Ladungen entsprechend den vorstehend angegebenen zusätzlichen elektrischen Ladungen in den elektrisch leitfähigen Träger 2 eingeführt weiden. Mit anderen Worten findet eine Erscheinung, die der in der ersten Stufe auftretenden Erscheinung ähnlich ist, in der zweiten Stufe bis zu einem gewissen Ausmaß statt. Daher geht das latente Bild in einen Gleichgewichtszustand mit einer dem elektrischen Widerstand der photoleitfähigen Schicht entsprechenden Geschwindigkeit über.The electrostatic latent image formed in the manner described above is unstable, and so is it goes into a steady state at a speed corresponding to the electrical resistance of the photoconductive layer 4 in the dark or the electrical resistance resulting from the after-effects the photoconductivity of the photoconductive layer 4 after its exposure gives over. this is due to the fact that the electrical charges in the surface (either of the same Polarity or of opposite polarity) are increased by the electrical charges that are applied to the Surface of the photosensitive material were applied in the first stage, and the induced electrical charges corresponding to the additional electrical charges specified above in the electrically conductive carrier 2 inserted. In other words, find an appearance that the is similar in appearance in the first stage, to some extent in the second stage instead of. Therefore, the latent image goes into a state of equilibrium with an electric one Resistance of the photoconductive layer above the corresponding speed.
Es ist ersichtlich, daß ein derartiger instabiler Zustand des latenten Bildes in dem unbelichteten Teil signifikant ist, und daß in den belichteten Teilen der Gleichgewichtszustand, d. h. der stabile Zustand des latenten Bildes nahezu augenblicklich erreicht wird, da der elektrische Widerstand hiervon aufgrund der erhaltenen Photoleitfähigkeit erniedrigt ist. Wenn der elektrische Widerstand der photoleitfähigen Schicht 4 sehr hoch ist und eine stabile Verteilung der elcktrostatischen Ladungen nicht rasch erreicht werden kann, wird als dritte Stufe der photoleitfähigen Schicht 4 eine gleichförmige Belichtung so erteilt, um ein stabiles elektrostatisches latentes Bild rasch zu bilden. Die dritte Stufe ist jedoch nicht wesentlich und kann weggelassen werden, wenn der elektrische Widerstand der photoleitfähigen Schicht 4 ausreichend niedrig ist. Das in der dritten Stufe für die gleichförmige Belichtung verwendete Licht muß wie im Falle der in der ersten Stufe ausgeführten gleichförmigen Belichtung durch die photoleitfähige Schicht 6 hindurchgehen und darf die Schicht 6 nicht wesentlich photoleitend machen.It can be seen that such an unstable state of the latent image in the unexposed part is significant and that in the exposed parts the equilibrium state, i.e. H. the stable state of the latent image is achieved almost instantaneously because the electrical resistance thereof is due to the obtained photoconductivity is lowered. When the electrical resistance of the photoconductive layer 4 is very high and a stable distribution of the electrostatic charges cannot be achieved quickly as the third stage, the photoconductive layer 4 is given uniform exposure so as to to rapidly form a stable electrostatic latent image. However, the third stage is not essential and can be omitted if the electrical resistance of the photoconductive layer 4 is sufficient is low. The light used in the third stage for uniform exposure must be as in the case of the uniform exposure carried out in the first stage by the photoconductive one Layer 6 pass through and must not make layer 6 substantially photoconductive.
Das so erhaltene elektrostatische latente Bild ist in Abwesenheit einer Strahlung, die gegenüber der photoleitfähigen Schicht 6 aktiv ist, sehr stabil und kann in verschiedenen Anwendungsgebieten angewandt werden. Das latente Bild kann z. B. nach dem gewöhnlich in der Elektrophotographie angewendeten Entwicklungsverfahren sichtbar gemacht werden. Mit anderen Worten wird das latente Bild durch ein elektrisch geladenes gefärbtes feines Pulver aufgrund der elektrostatischen Kräfte entwickelt. Das durch das gefärbte Pulver gebildete Bild wird auf ein anderes Übertragungsmaterial übertragen und darauf fixiert.The electrostatic latent image thus obtained is in the absence of radiation which is opposite to that photoconductive layer 6 is active, very stable and can be applied in various fields of application will. The latent image can e.g. B. after that commonly used in electrophotography Development processes are made visible. In other words, the latent image becomes electric by an charged colored fine powder developed due to the electrostatic forces. That through the The image formed from the colored powder is transferred to another transfer material and fixed thereon.
Das Aufzeichnungsmaterial selbst wird für die wiederholte Verwendung durch Entfernen des darauf zurückbleibenden gefärbten leinen Pulvers vorbereitet. Bei wiederholter Verwendung des Aufzeichnungsmaterials, wobei ein elektrostatisches latentes Bild gebildet werden soll, das von dem vorhergehend gebildeten Bild verschieden ist, ist es notwendig, eine vierte Stufe zum Auslöschen des bei der vorhergehenden Verwendung gebildeten elektrostatischen latenten Bildes anzuwenden. Dies wird mühelos dadurch erreicht, daß man das Aufzeichnungsmaterial gleichförmig mit Licht, das die photoleitfähige Schicht t photolcitend macht, belichtet, wodurch ein Entlader oder Neutralisieren der das latente Bild bildender elektrostatischen Ladungen durch die photolcilfähigi Schicht 6 ermöglicht wird, wobei das latente Bile gelöscht wird.The recording material itself is prepared for repeated use by removing the colored linen powder remaining thereon. When the recording material is repeatedly used to form an electrostatic latent image different from the previously formed image, it is necessary to apply a fourth step for erasing the electrostatic latent image formed in the previous use. This is easily achieved by uniformly exposing the recording material to light which makes the photoconductive layer t photoconductive, thereby enabling the electrostatic charges forming the latent image to be discharged or neutralized by the photoconductive layer 6, whereby the latent image is erased .
Der Träger 2 kann weggelassen werden, falls durcl dessen Weglassung keine mechanischen Nachtcih auftreten. In diesem Fall kann das Aufzcichnungs material auf eine getrennte Elektrodenplatte, bei spielsweise eine Metallplatte oder ein Metallblech au: Aluminium, Messing, Nickel od. dgl., aufgebrach werden. Andererseits kann als Elektrode eine Kunst stoßplatte verwendet werden, deren Oberfläche bei spielswcise durch Aufdampfen eines Metalls elek trisch leitfähig gemacht wurde.The carrier 2 can be omitted if, due to its omission, there are no mechanical problems appear. In this case, the recording material can be stored on a separate electrode plate For example, a metal plate or a metal sheet au: aluminum, brass, nickel or the like., broken open will. On the other hand, an art shock plate can be used as an electrode, the surface of which is used Spielswcise by vapor deposition of a metal elek was made trically conductive.
Da es nicht erforderlich ist. daß die photolcitfäliigi Schicht 4 elektrostatische Ladungen in einem dunklei Raum beibehält, ist es nicht notwendig, daß sie eil elektrisches Isoliervermögen im Dunkeln besitzt. Di Schicht 4 soll jedoch eine hohe Empfindlichkeit hin sichtlich der Photolcitfiihigkeit aufweisen. Natürlicl kann die phütoleitfiihigc Schicht 4 im Dunkeln elekSince it is not required. that the photolcitfäliigi Layer 4 maintains electrostatic charges in a dark room, it is not necessary that they be rushed has electrical insulation properties in the dark. Layer 4 should, however, have a high sensitivity clearly show the photoconductivity. Of course, the conductive layer 4 can be electrically activated in the dark
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irisch isoliert sein und vorzugsweise im Dunkeln reichs der durch die beiden Grenzzeitdauern, wieIrish isolated and preferably in the dark empire by the two time limits, such as
einen möglichst hohen elektrischen Widerstand be- vorstehend beschrieben, begrenzt wird, ausgeführtas high an electrical resistance as possible, as described above, is limited
sitzen. Die Geschwindigkeit, d. h. die Zeitkonstante, werden.sit. The speed, i.e. H. the time constant.
bei welcher die elektrostatischen Ladungen in den Es ist daher notwendig, daß die photoleitfähige
jeweiligen Oberflächen der photoleitfähigen Schicht 6 5 Schicht einen möglichst großen Wert von n„/nL und
entladen, in entgegengesetzter Polarität geladen oder einen für die Geschwindigkeit für die Durchführung
neutralisiert werden, was in der zweiten Stufe statt- des Verfahrens gemäß der Erfindung geeigneten Wert
findet, wird durch Rn ■ C ausgedrückt, worin Ru den von «„ oder R0 besitzt. Ein größerer Wert von
elektrischen Widerstand (senkrecht zu der Schicht) n„!nL macht den Bereich der von den beiden Zeitin
einem dunklen Raum der photoleitfähigen io abschnitten begrenzten Zeitdauer größer.
Schicht 4 je Einheitsfläche bezeichnet und C die clek- In einem Verfahren von hoher Geschwindigkeit
trische Kapazität je Einheitsfläche der photoleitfähi- kann ein photoleitfähiges Material mit einem niedrigen
Schicht 6 darstellt. Vorzugsweise wird der Wert gen Wert von «„ in der Größenordnung von
von R11 C größer als die Dauer der zweiten Stufe 10* Ohm-cm zur "Anwendung gelangen, wenn die
gewählt, das ist die Zeitdauer, in welcher elektrische 15 Dauer der zweiten Stufe in der Größenordnung vor
Ladungen auf die Oberfläche des lichtempfindlichen 10--'see liegt. Dies ermöglicht die Verwendung vor
Materials aufgebracht und der äußere elektrische photoleitfähigen Materialien, von denen bisher ange-Stromkreis
geschlossen wird. Wenn z.B. die Zeit- nommen wurde, daß sie in der Technik der bisdauer
der zweiten Stufe so gewählt wird, daß sie herigen Elektrophotographie für den Gebrauch nich1
0,01 see betragt, dann kann der Wert von R1, ■ C vor- 20 geeignet wären. Beispielsweise kann gemäß der Erzugsweise
auf einen Wert in der Größenordnung von findung eine Gruppe von hexagonalem CDS-System
0,01 see oder darüber gebracht werden. Jeder der die hochempfindliche photoleitfähige Materialier
Werte von R1) ■ C kann bis zu einem gewissen Aus- umfaßt, verwendet werden. Wenn ferner die Dauei
maß in Abhängigkeit von der Dicke der photoleit- der zweiten Stufe kurz gemacht wird, kann ein photofähigen
Schichten variiert werden, wobei jedoch der 25 leitfähiges Material mit dem Wert von o„ von wenigei
Änderungsbereich in der Größenordnung von hoch- als 10·' Ohm-cm verwendet werden
stens 10 ist. Daher wird der Wert von R1, in größerem Photoleitfähige Materialien die die vorstehenc
Ausmaß durch das verwendete Material variiert, und angegebenen Bedingungen erfüllen werden nach
eine photoleitfähige Schicht mit dem spezifischen stehend aufgeführt: Elemente von einfacher Substanz
Widerstand von n„ im Dunkeln in der Größenord- 30 z. B. Si, Ge" Sn, P As Sb S Se Te od dsl-, Oxyd«
nung von 10· Ohm-cm oder darüber wird verwendet. von Elementen,'wie Cu Ae 'sr Ba Zn Ge, Cd,'Si
Andererseits müssen Teile, die an Licht ausgesetzt He, Al, In, Ga Tl Sn ' Mn Fe Ni' Pb' Ti As, Sb
werden, eine kürzere Zeitkonstante R,· C als die Bi" od. dgl., Chalkogenide Halogenide und Verbin
Dauer der zweiten Stufe besitzen. Hierbei bezeichnet düngen, bestehend aus einer Mehrzahl der vorstehenc
RL den Widerstand (senkrecht zu der Schicht) der 35 angegebenen Substanzen und einer Mehrzahl voi
photoleitfähigen Schicht 4 je Einheitsfläche in einem negativen Elementen ζ B Cd(v) · Zn(I -.v)S
hellen Raum. Wenn z.B. die Zeitdauer der zweiten CdS (>·) · Se (1 -y) CdV*) Zn (1- v) S Iv) · Se(I-)1
Stufe 0.01 see beträgt dann muß der Wert R1 ■ C od. dgl. Verschiedene intermetallische Verbindungen
kleiner oder gleich 0,01 see sein. Unter der Annahme, z. B. CuAlS, AgInS ZnSiAS ZnGeP CdGeP.,
daß die Zeitdauer der zweiten Stufe 0,01 see beträgt 40 InSbJ od. dgl. und feste Lösungen (einschließlicl
und der Wert der untersten Grenze von Vn kristalliner Form und amorpher Form), bestehend au
10; Ohm-cm ist, dann muß der Wert des spezifischen einer Mehrzahl von Elementen aus der Grunr-e voi
Widerstandes /_.,. in einem hellen Raum gleich oder As, Sb, Pb, S Se Te Tl Br J od dgl · es'könnei
kiemer als 10- Ohm-cm sein. Wenn jedoch die Dauer auch verschiedene Arten 'von'organischen photoleit
in der ersten Stufe auf 1.0 see gebracht wird, dann 45 fähigen Materialien angewendet werden. Jedes voi
wird vorzugsweise der Wert der brauchbaren unter- diesen Materialien oder eine Mischung von einigei
stcn Grenze von »„ von 1 )■ Ohm-cm gewählt, wüh- dieser Materialien kann zur Herstellung der photo
rend der Wert von ,,,. auf gleich oder weniger als leitfähigen Schicht verwendet werden oder in einen
1)1 °" £cb™?h\ Wlrd; Wenn die Dicke der Bindemittel disperser! werden, um die photoleit
photolc.tlah.gen Schicht geändert wird, ändern sich 50 fähige Schicht zu "bilden. Als Bindemittel könne,
auch die vorstehenden Werte. Cs )St notwendig, den anorganische hochmolekulare Verbindungen verwen
Wert der I.-.mpnndlichkc.t mit Bezug auf die Photo- det werden. Diese Bindemittel können selbst bis ν
lc.tfa.iigkc.t ..„/..,. in der Größenordnung von 10 oder einem gewissen Ausmaß eine photoleilfähige Natu
oberhalb H) zu wählen. Je großer der Wert ",/"/. besitzenat which the electrostatic charges in the It is therefore necessary that the respective photoconductive surfaces of the photoconductive layer 6 5 layer are discharged as large as possible of n / n L and, charged in opposite polarity or neutralized for the speed of implementation what is suitable value in the second stage of the process according to the invention is expressed by R n · C , where R u has that of or R 0 . A larger value of electrical resistance (perpendicular to the layer) n "! N L makes the range of time limited by the two times in a dark room of the photoconductive portions larger.
Layer 4 per unit area denotes and C denotes the clek- In a process of high speed tric capacitance per unit area of the photoconductive- can be a photoconductive material with a low layer 6 represents. Preferably, the value of "" in the order of magnitude of R 11 C greater than the duration of the second stage 10 * ohm-cm is used, if the selected, that is the duration in which electrical duration of the second Level in the order of magnitude before charges are on the surface of the photosensitive 10 - 'see. This enables the use of the material applied before and the external electrical photoconductive materials, from which previously connected electric circuit is closed if it is chosen in the technique of the duration of the second stage so that it does not amount to 1 0.01 seconds for use in the previous electrophotography, then the value of R 1 , ■ C would be suitable a value on the order of finding a group of hexagonal CDS systems 0.01 see or above.Each of the highly sensitive photoconductive materials values from R 1 ) ■ C can be up to e to a certain extent, can be used. Furthermore, if the duration is made short as a function of the thickness of the photoconductive second stage, a photoconductive layer can be varied, but the conductive material with the value of o " of a little change range in the order of magnitude of greater than 10 · 'Ohm-cm can be used
at least 10 is. Therefore, the value of R 1 , in greater photoconductive materials that meet the above extent varies by the material used, and specified conditions are listed after a photoconductive layer with the specific: elements of simple substance resistance of n " in the dark in the order of magnitude - 30 z. B. Si, Ge "Sn, P As Sb S Se Te od dsl, oxidation of 10 ohm-cm or more is used of elements such as Cu Ae sr Ba Zn Ge, Cd, Si on the other hand Parts that are exposed to light must be He, Al, In, Ga Tl Sn 'Mn Fe Ni' Pb 'Ti As, Sb, a shorter time constant R, · C than the Bi "or the like, chalcogenides, halides and connec duration of the second stage. Here fertilize, consisting of a plurality of the protruding R L denotes the resistance (perpendicular to the layer) of the 35 specified substances and a plurality of photoconductive layer 4 per unit area in a negative element ζ B Cd (v) · Zn (I -.v ) S bright room. If, for example, the duration of the second CdS (> ·) · Se (1 -y) CdV *) Zn (1- v) S Iv) · Se (I-) 1 level is 0.01 see then the value R 1 ■ C od Various intermetallic compounds may be less than or equal to 0.01 sec. Assuming e.g. B. CuAlS, AgInS ZnSiAS ZnGeP CdGeP., That the duration of the second stage is 0.01 seconds 40 InSbJ or the like and solid solutions (including and the value of the lowest limit of Vn crystalline form and amorphous form), consisting of 10 ; Ohm-cm, then the value of the specific of a plurality of elements on the basis of resistance / _.,. in a bright room the same as or As, Sb, Pb, S Se Te Tl Br J od dgl · es'kiemer than 10-ohm-cm. If, however, the duration also different types of 'organic photoconductor is brought to 1.0 see in the first stage, then 45 capable materials are applied. Each of these materials is preferably chosen as the value of the useful among these materials or a mixture of certain limits of "" from 1) ohm-cm, while these materials can be used to produce the photo rend the value of ,,,. can be used on equal or less as a conductive layer or in a 1) 1 ° " £ cb ™? h \ Wlrd ; If the thickness of the binders become more dispersed! to the photoconductive photolc.tlah.gen layer is changed, 50 capable change Layer to "form. The above values can also be used as binders. Cs ) St necessary, the inorganic high molecular weight compounds use the value of the I .-. Mpnndlichkc.t with reference to the photodet. These binders can even be used up to ν lc.tfa.iigkc.t .. “/ ..,. of the order of 10 or a certain amount of photoconductive nature above H). The larger the value ", /" /. own
um so überlegenere Ergebnisse wurden erhalten. So 55 Die spektrale Empfindlichkeit der photoleitfähige]the more superior results were obtained. So 55 The Spectral Sensitivity of Photoconductive]
kann die Dauer der zweiten Stufe verkürzt werden, Schicht 4 wird zweckmäßig in Übereinstimmung mithe duration of the second stage can be shortened, layer 4 is expediently in accordance with mi
wenn der Wert von ,.,. kleiner w.rd Mit anderen dem Zweck, für welchen das Aufzeichnungsmateriaif the value of,.,. smaller w.rd With others the purpose for which the recording material
W orten kann die Zeitdauer d;c fur die Ausführung bestimmt ist, gewählt, wobei vorzugsweise das lichtWords can be the duration d; c intended for the execution, chosen, preferably the light
der zweiten Stu e erforderlich .st. d. h. cn Wert, der empfindliche Material panchromatisch gemacht wirdof the second stage required. d. H. cn value that makes sensitive material panchromatic
die Emplinulichke. des Verfahrens gemäß der Erfin- 60 Der Bereich der Verteilung der spektralen Empfindthe Emplinulichke. of the method according to the invention. 60 The range of distribution of the spectral sensitivity
dung darstellt, n.cht kurzer gemacht werden als die Iichkcit der Hauptkomponente de lichtempfindliche:It cannot be made any shorter than the main component of the photosensitive component:
fur den Wert von -,,definierte Zeitdauer. Matcrials kann rf h . ' eines Zu for the value of - ,, defined period of time. Matcrials can rf h . ' one to
Anderen«, s wird d.c Dauer der zwe.ten Stufe satzmittels oder durch SeLbilfeieninif mit einerOthers, ”s is the duration of the second stage by substitution or by self-help with a
durch den Wert von ..„ beschrankt, und die Dauer Färbematerial erweitert werden Die photoleitfähiglimited by the value of .. “, and the duration of coloring material can be expanded. The photoconductive
der zweiten Stufe kann nicht über eine Grenzzeit- 65 Schicht 4 muß jedenfalls gegenüber wenigstens einerthe second stage cannot have a time limit - 6 5 shift 4 must in any case face at least one
^tSwerfen ^ "" ' "' ^" ™ ϋ" Spek!rUmS des durch die photoleitfühig^ tSwerfen ^ ""'"'^" ™ ϋ " Spek! rUmS des by the photoconductive
Sifzwchc Stufe innerhalb des Be- Τ"' ' hindureh**ende„ Lichtes lichtempfindlieSifzwchc level within the loading "'' passing " light, light-sensitive
Die photoleitfähige Schicht 6 muß ein elektrisches Isoliervermögen besitzen, das für die Aufrechtcrhaltung von elektrostatischen Ladungen in den jeweiligen Oberflächen der photoleitfähigen Schicht 6 in einem dunklen Raum geeignet ist, d. h. zur Beibehaltung eines elektrostatischen Feldes hierin fähig sein. Um ein wirksames Auslöschen des elektrostatischen latenten Bildes in der vierten Stufe zu ermöglichen, muß die photoleitfähige Schicht 6 eine gewisse Photoleitfähigkeit besitzen.The photoconductive layer 6 must be an electrical one Have an insulating capacity for the maintenance of electrostatic charges in the respective Surfaces of the photoconductive layer 6 is suitable in a dark room, i.e.. H. to maintain of an electrostatic field therein. To effectively erase the electrostatic To enable latent image in the fourth stage, the photoconductive layer 6 must have a certain photoconductivity own.
Beispielsweise können photoleitfähige Schichten aus CdS-Pulver mit hohem Widerstand oder ZnO-Pulver, dispergiert in einem Bindemittel, oder aus amorphem Selen oder eine organische photoleitfähige Schicht mit einem hohen elektrischen Isoliervermögen verwendet werden. In diesem Fall ist eine derartig hohe Empfindlichkeit des lichtempfindlichen Materials für die Elektrophotographie, wie sie bisher verlangt wurde, nicht notwendig, da die Intensität der Beleuchtung, die der Oberfläche des lichtempfindlichen Materials erteilt werden soll, einfach und ausreichend zum Auslöschen des latenten Bildes darin erhöht werden kann, indem man dieses gleichförmig belichtet, und auch weil die Beschränkung in der Dauer der vierten Stufe nicht so streng ist wie in der zweiten Stufe. Die Schicht 6 darf den Durchgang von Licht hierdurch mit solchen spektralen Komponenten, die in der photoleitfähigen Schicht 4 absorbiert werden und diese photoleitend machen, nicht wesentlich stören. Welcher Wellenlängenbereich des Lichts durch die photoleitfähige Schicht 6 hindurchgelassen werden soll, hängt von der spektralen Empfindlichkeit der photoleitfähigen Schicht 4 und der Art des verwendeten lichtempfindlichen Materials ab.For example, photoconductive layers made of CdS powder with high resistance or ZnO powder, dispersed in a binder, or made of amorphous selenium, or an organic photoconductive Layer with a high electrical insulating property can be used. In this case one is such high sensitivity of the light-sensitive material for electrophotography as heretofore Required was not necessary, given the intensity of the illumination that the surface of the photosensitive Material should be given simply and sufficient to erase the latent image can be increased therein by exposing it uniformly, and also because the limitation in the duration of the fourth stage is not as severe as that of the second stage. Layer 6 is allowed to pass through of light thereby with such spectral components that are absorbed in the photoconductive layer 4 and make them photoconductive, do not significantly interfere. Which wavelength range of the Light to be transmitted through the photoconductive layer 6 depends on the spectral sensitivity the photoconductive layer 4 and the type of light-sensitive material used.
Wenn z. B. Licht mit Wellenlängen innerhalb des sichtbaren Bereichs zum Aufzeichnen des optischen Bildes verwendet wird, wird vorzugsweise eine photoleitfähige Schicht 6 verwendet, die gegenüber derartigem Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich transparent ist. Wenn ein panchromatisches Verhalten für das lichtempfindliche Material verlangt wird, muß die Photoleitfähigkcit der photoleitfähigen Schicht 4 panchromatisch sein, und die photoleitfähige Schicht 6 muß im wesentlichen farblos und transparent sein. Als Beispiel für eine derartige elektrisch isolierende, photole:tfähige Schicht wird eine organische photoleitfähige Schicht angeführt. In diesem Fall kann das Auslöschen des elektrostatischen latenten Bildes ausgeführt werden, indem man die photoleitfähige Schicht mit ultraviolettem Licht beleuchtet. Wenn eine Kopie von einem Mikrofilm oder ein Dokument von verschiedenster Art reproduziert werden soll, wird gewöhnlich als Lichtquelle, z. B. eine Wolframlampe, eine Jodlampe, eine Zirkonlampe oder eine Xenonlampe verwendet. Da der Mikrofilm ein Schwarz-Weiß-Film ist und nichts mit der Farbe zu tun hat und das Spektrum des von der vorstehend beschriebenen Lampe ausgesendeten Lichts eine große Menge an Komponenten mit langen Wellenlängen enthält, wird vorzugsweise eine photoleitfähige Schicht 4 mit einer hohen Empfindlichkeit in den Komponenten des Spektrums, bei welchem die rote Komponente im Bereich von 550 mu bis 1,5 μ die Mitte darstellt, verwendet. In diesem Fall absorbiert die photoleitfähige Schicht 6 blaues Licht mil kürzeren Wellenlängen als 550 πηι. Überdies kann ein elektrisch isolierendes photoleitfähiges Material mit einer Photoleitfähigkcit gegenüber dem blauen Licht verwendet werden. Ein derartiges photoleitfähiges Material ist z. B. eine Schicht, die Zinkoxyd enthält, das mit einem Färbemateiial im Bereich von etwa 450 mu bis etwa 500 mu durch Fluorescein sensibilisiert ist, wobei das Zinkoxyd in einem organischen Harz als Bindemittel dispergiert ist. Wenigstens ein Teil der spektralen Empfindlichkeit der photoleitfähigen Schicht 4 und 6 kann mit dem anderen gleich ausgebildet werden.If z. B. light with wavelengths within the visible range is used to record the optical image, a photoconductive layer 6 is preferably used, which is transparent to such light in the visible wavelength range. If panchromatic behavior is required for the photosensitive material, the photoconductivity of the photoconductive layer 4 must be panchromatic and the photoconductive layer 6 must be substantially colorless and transparent. As an example of such an electrically insulating photole: tfähige layer is given an organic photoconductive layer. In this case, the electrostatic latent image erasure can be carried out by illuminating the photoconductive layer with ultraviolet light. When a copy of a microfilm or a document of various kinds is to be reproduced, a light source, e.g. B. a tungsten lamp, an iodine lamp, a zirconium lamp or a xenon lamp is used. Since the microfilm is a black and white film and has nothing to do with color and the spectrum of the light emitted from the lamp described above contains a large amount of long wavelength components, a photoconductive layer 4 having a high sensitivity is preferably used in the components of the spectrum in which the red component in the range from 550 mu to 1.5 μ represents the center. In this case, the photoconductive layer 6 absorbs blue light with wavelengths shorter than 550 μm. In addition, an electrically insulating photoconductive material having photoconductivity to blue light can be used. Such a photoconductive material is e.g. B. a layer containing zinc oxide which is sensitized with a dye file in the range of about 450 mu to about 500 mu by fluorescein, wherein the zinc oxide is dispersed in an organic resin as a binder. At least a part of the spectral sensitivity of the photoconductive layers 4 and 6 can be made the same as the other.
Der Zweck der Grenzschicht 3 besteht in der Regelung des Flusses von den frei beweglichen Ladungsträgern aus dem Träger 2 zu der photoleitfähigen Schicht 4 oder umgekehrt, besteht jedoch nicht in einer Verhinderung des Flusses. Wenn die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials mit negativer Polarität, wie vorstehend beschrieben, geladen werden soll, muß die Grenzschicht 3 z. B. derartig sein, daß sie ein leichtes Fließen von positiven Ladungen aus dem Träger 2 zu der photoleitfähigen Schicht 4 gestattet. Wenn ferner ein elektrostatisches latentes Bild in der zweiten Stufe gebildet wird, ist es erwünscht, ein unbeabsichtigtes Fließen der negativen elektrischen Ladungen von dem Träger 2 zu verhindern, da es bevorzugt wird, den Widerstand der photoleitfähigen Schicht 4 im Dunkeln möglichst hoch zu machen. Das heißt,wenn die photoleitfähige Schicht4 selbst wenig frei bewegliche Ladungsträger im Wärmegleichgewichtszustand besitzt und einen hohen elektrischen Widerstand aufweist und der Widerstand durch die Zugabe von frei beweglichen Ladungsträgern von außen her beeinflußt wird, wird es bevorzugt, die Grenzschicht 3 mit einem Gleichrichtervermögen auszubilden. Das Material dieser Schicht wird in Abhängigkeit von dem zur Bildung der photoleitfähigen Schicht 4 verwendeten Material ausgewählt. Überdies kann die Grenzschicht 3 eine getrennte Schicht sein, oder sie kann die Grenzoberfläche selbst zwischen der photoleitfähigen Schicht 4 und dem Träger 2 sein.The purpose of the boundary layer 3 is to regulate of the flow of the freely moving charge carriers from the carrier 2 to the photoconductive one Layer 4 or vice versa, however, does not consist in preventing the flow. When the surface of the photosensitive material can be charged with negative polarity as described above should, the boundary layer 3 must z. B. be such that it allows positive charges to flow easily from the support 2 to the photoconductive layer 4. Further, when an electrostatic latent image is formed in the second stage, it is desirable to to prevent accidental flow of the negative electric charges from the carrier 2, since it is preferred to make the resistance of the photoconductive layer 4 as high as possible in the dark do. That is, when the photoconductive layer 4 itself has few freely movable charge carriers in the state of thermal equilibrium and has a high electrical resistance and the resistance is influenced from the outside by the addition of freely movable charge carriers, it is preferred to form the boundary layer 3 with a rectifying capability. The material of this layer will is selected depending on the material used to form the photoconductive layer 4. Moreover, the boundary layer 3 can be a separate layer or it can be the boundary surface itself be between the photoconductive layer 4 and the support 2.
Die Grenzoberfläche oder die Zwischenschicht 5 dient zur Verbesserung der Haftung oder Verbindung von der photoleiifähigen Schich; 4 und der photoleitfähigen Schicht 6 und außerdem zur elektrischen Trennung der photoleitfähigen Schichten 4 undovoneinander bis zu einem gewissen Ausmaß mit Bezug auf den Fluß von Trägern von frei beweglichen Ladungen. The interface surface or the intermediate layer 5 serves to improve the adhesion or connection from the photo-capable layer; 4 and the photoconductive Layer 6 and also for the electrical separation of the photoconductive layers 4 and from one another to some extent with reference to the flow of carriers of free-moving charges.
Die photoleitfähige Schicht 6 muß ein elektrisches Isolier, erhalten im Verlauf des Verfahrens gemäß derThe photoconductive layer 6 must have an electrical insulation obtained in the course of the process according to FIG
5e. Erfindung mit Ausnahme in der vierten Stufe besitzen. Natürlich gibt es keine Erzeugung von frei beweglichen Ladungsträgern in der photoleitfähigen Schicht 6 in den Stufen des Verfahrens gemäß der Erfindung, die die photoleitfähige Schicht 6 photoleitend machen. Es besteht jedoch die Möglichkeit daß frei bewegliche Ladungsträger, die in der photo leitfähigen Schicht 4 durch die Erregung mittels Lieh erzeugt werden, in die photoleitfähige Schicht 6 Hie ßen könnten. Wenn in diesem Fall das lichtempfind liehe Material mit Licht in den Stufen mit Ausnahm von der vierten Stufe belichtet wird, wird das clek Irische Isoliervermögen der photoleitfähigen Schicht verringert. Um eine Erniedrigung des elektrische Isoliervermögens der Schicht 6 zu verhindern, ist c notwendig, wenigstens den Fluß von frei bewegliche Ladungsträgern einschließlich der durch die therm sehe Erregung erzeugten Träger aus der Schicht 4 i die Schicht 6 zu verhindern. Die Grenzoberfläcr5e. Own invention except in the fourth stage. Of course there is no generation of freely moving charge carriers in the photoconductive one Layer 6 in the stages of the method according to the invention, which makes the photoconductive layer 6 photoconductive do. However, there is the possibility that freely movable charge carriers that are in the photo conductive layer 4 are generated by the excitation by means of Lieh, into the photoconductive layer 6 Hie could eat. If in this case the photosensitive material borrowed with light in the stages with exception from the fourth stage is exposed, the electrical insulating property of the photoconductive layer becomes decreased. In order to prevent a lowering of the electrical insulating capacity of the layer 6, c necessary to at least the flow of freely movable charge carriers including those through the therm see excitation generated carrier from layer 4 i to prevent layer 6. The boundary surface
oder die Zwischenschicht 5 die.it als Maßnahme hierfür. Überdies wird eine besondere Störung nicht hervorgerufen, selbst wenn die frei beweglichen Ladungsträger, die in der photoleitfähigen Schicht 6 in der vierten Stufe erregt werden, in die photoleitfähige Schicht 4 fließen. Jedoch kann auch der Fluß von frei beweglichen Ladungsträgern in jeder der Richtungen verhindert werden. or the intermediate layer 5 die.it as a measure for this. In addition, a particular disturbance is not caused, even if the freely movable load carriers, which are excited in the photoconductive layer 6 in the fourth stage into the photoconductive one Layer 4 flow. However, the flow of freely movable carriers in either direction can also be prevented.
Die Grenzfläche oder die Zwischenschicht 5, die die vorstehend beschriebenen Bedingungen erfüllt, kann die Grenzoberfläche selbst zwischen den photoleitfähigen Schichten 4 und 6 sein. Andererseits ist es notwendig, eine dünne Schicht aus einem anderen Material zwischen den beiden Schichten 4 und 6 als Zwischenschicht S vorzusehen. Die Dicke der dünnen Schicht wird vorzugsweise möglichst niedrig gehalten, mit der Maßgabe, daß die vorstehend beschriebene Wirksamkeit erreicht ist. Im allgemeinen ist eine Dicke von weniger als 1 μ für die Erzielung der Wirksamkeit ausreichend.The interface or the intermediate layer 5 which satisfies the conditions described above, may be the interface itself between the photoconductive layers 4 and 6. On the other hand it is necessary to put a thin layer of a different material between the two layers 4 and 6 than Intermediate layer S to be provided. The thickness of the thin layer is preferably kept as low as possible, with the proviso that the effectiveness described above is achieved. Generally one is Thickness of less than 1μ is sufficient to be effective.
Die Zwischenschicht 5 wird aus einer dünnen Schicht eines elektrisch isolierenden Materials gebildet. Beispiele für ein derartiges Material sind ein Film, der durch Vakuumverdampfung einer anorga-The intermediate layer 5 is formed from a thin layer of an electrically insulating material. Examples of such a material are a film formed by vacuum evaporation of an inorganic
SiO2, ZnS,SiO 2 , ZnS,
maß der Erfindung kann irgendeine der bisher für das elektrische Laden von photoleitfähigen Schichten angewendeten Arbeitsweisen zur Anwendung gelangen. Die zweite Stufe kann ausgeführt werden, indem man frei bewegliche Ladungsträger auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials aufbringt, während gleichzeitig das optische Bild auf die Oberfläche projiziert wird. Natürlich kann sowohl das Aufbringen der frei beweglichen Ladungsträger als auch das Projizieren des optischen Bildes jeweils nacheinander ausgeführt werden, oder einer dieser Arbeitsgänge kann fortgesetzt werden, nachdem der andere unterbrochen wurde. Beim Aufbringen der frei beweglichen Ladungsträger wird ein äußerer elektrischer Stromkreis (der nicht durch das Innere des lichtempfindlichen Materials hindurchgeht) zwischen der Oberfläche des lichtempfindlichen Materials und dem elektrisch leitfähigen Träger so gebildet, daß diese kurzgeschlossen sind.The measure of the invention can be any of those previously available for the electric charging of photoconductive layers applied methods to apply. The second stage can be carried out by placing freely moving charge carriers on the surface of the photosensitive material while simultaneously applying the optical image to the surface is projected. Of course, both the application of the freely movable load carriers and the projecting of the optical image can be carried out one after the other, or one of these operations can continue after the other has been interrupted. When applying the freely movable Charge carrier becomes an external electrical circuit (which does not go through the inside of the photosensitive Material passes) between the surface of the photosensitive material and the electrically conductive carrier formed so that these are short-circuited.
ίο Die zweite Stufe knnn auch ausgeführt werden, indem man den äußeren elektrischen Stromkreis öffnet und schließt, während die frei beweglichen Ladungsträger aufgebracht werden. Die frei beweglichen Ladungsträger können aus einem Strom von Elektronen, Ionen enthaltendem Gasstrom, elektrisch geladenen Teilchen in einem Gas jonen in einer Flüssigkeit oderίο The second stage can also be performed by one opens and closes the external electrical circuit while the freely moving charge carriers be applied. The freely moving charge carriers can be made up of a stream of electrons, Gas stream containing ions, electrically charged particles in a gas ion in a liquid or
thetischen Harzes, z.B. Cellulosenitrat, Cellulose- elektrisch geladene Teilchen in einer Flüssigkeit acetat, Vinylchlorid-Viynlacetat-Mischpolymerisat, od. dgl. bestehen. Beispielsweise kann der Ionen-Harze von Urethangruppen, Harze von Acrylgruppen, strom in einem Gas durch eine Koronaentladung ge-Harnstoffharz, Siliconharz, Epoxydharz od. dgl. Die 30 liefert werden.synthetic resin, e.g. cellulose nitrate, cellulose - electrically charged particles in a liquid acetate, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, or the like. For example, the ionic resins of urethane groups, resins of acrylic groups, flow in a gas through a corona discharge ge-urea resin, Silicone resin, epoxy resin or the like. The 30 supplies.
Grenzfläche oder die Zwischenschicht 5 kann hierbei Zur Ausführung der Projektion können verschie-Boundary surface or the intermediate layer 5 can be used here.
eine solche mit einer hohen Konzentration an Re- dene Arbeitsweisen, wie sie bisher verwendet wurden, kombinationszentren, die die frei beweglichen La- zur Anwendung gelangen. Beispielsweise kann die dungsträger auslöscht, sein. Projektion des optischen Bildes durch einen Schlitzone with a high concentration of speeches working methods as they have been used up to now, Combination centers that use the freely movable load. For example, the chemical carrier extinguishes, be. Projection of the optical image through a slit
Die Deckschicht? dient zum Schutz der Oberfläche 35 erfolgen, der an der Rückseite des lichtempfindlichen
des lichtempfindlichen Materials und zur Verhinde- Materials angeordnet ist, indemman das lichtemprung
eines unerwünschten Fließens von frei beweglichen Ladungsträgern aus der Oberfläche hiervon.
Die Dicke dieser dünnen Schicht ist vorzugsweise inThe top layer? serves to protect the surface 35, which is arranged on the back of the photosensitive of the photosensitive material and to prevent material by preventing the light jump of an undesired flow of freely movable charge carriers from the surface thereof.
The thickness of this thin layer is preferably in
der Größenordnung von 1 bis 2 μ. Sie ist jedoch nicht 40 empfindlichen Materials durch eine Koronaentladung
unbedingt auf diese Dicke beschränkt; diese Ober- mit einem Verteilungsmuster entsprechend dem auf
flächenschicht kann auch weggelassen werden. AuLV
dem muß die Oberflächenschicht ein elekirisches Isoliervermögen besitzen und kann ai.; einem ähnlichen
Material, wie es zur Bildung der vorstehend beschrie- 45 benen Weise ausgeführt.of the order of 1 to 2 μ. However, it is not necessarily limited to this thickness by a corona discharge of sensitive material; This surface layer with a distribution pattern corresponding to the surface layer can also be omitted. AuLV
The surface layer must have an electrical insulating capacity and can ai .; a similar one
Material as it is carried out to form the 45 described above manner.
benen Zwischenschicht 5 verwendet wurde, hergestellt Die vierte Stufe wird ausgeführt, indem die photowerden, leitfähige Schicht 6 an Licht ausgesetzt wird, das ge-The fourth stage is carried out by photowing the conductive layer 6 is exposed to light that
In der ersten Stufe werden elektrostatische Ladun- genüber dieser Schicht aktiv ist, nachdem das elektrogen in die Oberfläche des lichtempfindlichen Mate- statische latente Bild verwendet worden war. Das rials eingebracht. Die Polarität der elektrostatischen 50 elektrostatische Bild kann gewöhnlich zerstört wer-Ladung muß nicht unbedingt negative Polarität sein. den, nachdem es beispielsweise zu einem sichtbaren Es kann sowohl die positive als auch die negative Po- Bild entwickelt wurde. Nach der Entwicklung kann larität in Abhängigkeit von der Art von jeder der die Belichtung in der vierten Stufe vor dem Überphotoleitfähigen Schicht 4 und 6 gewählt werden. tragen des Bildes angewendet werden. Andererseits Wenn das Produkt μ ■ τ frei bewegliche Ladungsträ- 55 kann die Belichtung in der vierten Stufe nach der ger, wobei μ die Beweglichkeit von deren Abwände- Übertragung des Bildes und vor der Entfernung der rung ist und τ die mittlere Lebensdauer derselben dar- zurückbleibenden Substanz ausgeführt werden. Es ist stellt, bei den Elektronen größer ist als bei den Lö- sehr wirksam, die elektrischen Ladungen in der zuchern, dann wird vorzugsweise die positive Polarität rückbleibenden Substanz und die Oberfläche des lichtgewählt, und wenn der Wer; von μ ■ τ bei den Löchern 60 empfindlichen Materials durch eine Koronaentladung größer ist als bei den Elektronen, dann wird Vorzugs- von Wechselstrom oder Gleichstrom zu neutralisieweisc die negative Polarität gewählt. Die Auswahl der ren, während Hie photoleitfähige Schicht 6 oder beide Polarität ist jedoch bei dem Verfahren gemäß der Er- photoleitfähigen Schichten 4 und 6 mit aktivem Licht findung nicht wesentlich, und es wurde eine photoleit- belichtet werden oder vor oder nachdem die Belichfähige Schicht gefunden, die in jeder der Polaritäten 65 tung ausgeführt wird.In the first stage, electrostatic charges are active over this layer after the electrogenic latent image has been used in the surface of the photosensitive material. The rials introduced. The polarity of the electrostatic 50 electrostatic image can usually be destroyed - charge does not have to be negative polarity. after it has developed into a visible, for example, it can both the positive and the negative Po image. After the development, larity can be selected depending on the type of each of the exposure in the fourth stage before the overphotoconductive layers 4 and 6. wear of the image can be applied. On the other hand, if the product μ ■ τ freely movable charge carriers, the exposure can take place in the fourth stage after the ger, where μ is the mobility from its wall transfer of the image and before the removal of the image, and τ is the mean lifetime of the same remaining Substance to be run. It is very effective in the case of electrons being greater than in the case of the Lö-, the electric charges in the cultivate, then the positive polarity of the remaining substance and the surface of the light are preferably chosen, and if the who; of μ τ in the holes 60 of sensitive material due to a corona discharge is greater than in the case of the electrons, then the preferred alternating current or direct current is chosen to neutralize the negative polarity. The selection of the photoconductive layer 6 or both polarity is, however, not essential in the method according to the photoconductive layers 4 and 6 with active light detection, and a photoconductively exposed layer was found or before or after the photoconductive layer was found , which is carried out in each of the polarities 65 direction.
unter Erzielung von etwa der gleichen Leistung ver- Viele entwickelte Bilder können aus einem latentenWith approximately the same performance, many developed images can be produced from a latent
wendet werden kann. Hinsichtlich des Verfahrens zum Bild durch Wiederholung von Entwicklung und Überelektrischen Laden der photoleitfähigen Schicht ge- tragung unter Verwendung des in der zweiten odercan be turned. Regarding the method of image by repetition of development and over-electric Charge the photoconductive layer using the in the second or
findliche Material in senkrechter Richtung zu dem Belichtungsschlitz verschiebt, während ein Strom oder eine Gruppe von Ionen auf die Oberfläche des licht-sensitive material in a direction perpendicular to the exposure slit shifts while a current or a group of ions hits the surface of the light-
die Rückseite projizierten optischen Bildes aufgebracht werden.applied to the back of the projected optical image will.
Die dritte Stufe wird in der vorstehend beschrie-The third stage is described in the above
/ro/ ro
15 16 15 16
dritten Stufe erzeugten elektrostatischen latenten BiI- Nähe der Mittelschicht durch die amorphe Schichtthird stage generated electrostatic latent BiI proximity of the middle layer through the amorphous layer
des erhalten weiaen. von Arsentriselenid eingeführt. Die Einführung derthe received white. introduced by arsenic triselenide. The introduction of the
Die Erfindung wird nachstehend un Hand von Bei- positiven elektrischen Ladungen in die Nähe derThe invention is described below with positive electrical charges in the vicinity of the
spielen naher erläutert. Mittd. oder Zwischenschicht erforderte etwa 2 see.play explained in more detail. Mittd . or interlayer required about 2 seconds.
5 Dies wurde aus der Tatsache entnommen, daß die5 This was inferred from the fact that the
Beispiel 1 Spannung an der Oberfläche (mit Bezug auf die Erd-Example 1 Voltage on the surface (with reference to the earth
.... . spannung) augenblicklich gemessen wurde, nachdem.... voltage) was measured immediately after
Arsentriselenid wurde einer Vakuumverdampfung die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials in unterworfen, um als Überzug oder Beschichtung auf negativer Polarität geladen war, und die gemessene eine gereinigte Aluminiumplatte so aufgebracht zu io Spannung betrug etwa -1800 V während die Spanwerden, daß eine amorphe Schicht mit einer Dicke nung auf etwa -300 V nach etwa 2 see abnahm, von etwa 70 μ darauf gebildet wurde. Diese Schicht um im wesentlichen den Gleichgewichtszustand zu entspricht der in Fig. 1 gezeigten lichtelektrisch leit- erreichen. Wenn das lichtempfindliche Material mit fähigen Schicht 4. Eine Schicht von Magnesium- Licht mit dem Spektrum, wie es in Kurve 1 in fluorid mit einer Dicke von etwa 500 mu wurde auf 15 Fig. 2b dargestellt ist, belichtet wurde, wurde es der amorphen Schicht durch Vakuumverdampfung gleichzeitig in der gleichen Weise, wie vorstehend gebildet. Ferner wurde Selen von hoher Reinheit beschrieben, elektrisch geladen, wobei die Spannung durch Vakuumverdampfung auf die Magnesium- an der Oberfläche etwa -350 V unmittelbar nach fluoridschicht so aufgebracht, um eine amorphe der elektrischen Ladung betrug, und dieser Wert Schicht mit einer Dicke von etwa 10 μ zu bilden. *o änderte sich nicht wesentlich im Verlauf der Zeit. Es Diese Schicht entspricht der in Fig. 1 gezeigten licht- kann angenommen werden, daß die positiven elektrielektrisch leitfähigen Schicht 6. Die aus dem Magne- Ladungen nahezu augenblicklich in Nähe der Zwisiumfluorid gebildete Zwischenschicht 5 ist notwcn- schenschicht bei der elektrischen Ladung eingeführt dig, um ein Fließen von Trägern von freien elektri- wurden. Auf der Abszisse von Fig. 2b ist die Weischen Ladungen, die in der amorphen Schicht von 25 lenlänge in mu aufgetragen, während auf der Ordi-Arsenselenid gebildet werden, in die amorphe Schicht nate die relativen Werte der spektralen Energie des von Selen zu verhindern. Die so gebildete amorphe verwendeten Beleuchtungslichtes aufgetragen werden. Schicht von Arsentriselenid zeigte die durch Kurve 1 Wenn blaues Licht mit den Eigenschaften, wieArsenic triselenide was applied to the surface of the photosensitive material in a vacuum evaporation subjected to being charged as a plating or coating on negative polarity, and the measured a cleaned aluminum plate so applied to io voltage was about -1800 V during the chiping, that an amorphous layer with a thickness of about -300 V decreased after about 2 seconds, of about 70 μ was formed thereon. This layer in order to essentially the equilibrium state corresponds to the photoelectrically conductive reach shown in FIG. If the photosensitive material with capable layer 4. A layer of magnesium light with the spectrum as shown in curve 1 in fluoride with a thickness of about 500 μm was shown on FIG. 2b; when it was exposed, it was the amorphous layer by vacuum evaporation at the same time in the same manner as above educated. Selenium of high purity has also been described, electrically charged with the voltage by vacuum evaporation on the magnesium surface about -350 V immediately after fluoride layer applied so as to have an amorphous electrical charge, and this value Form layer with a thickness of about 10 μ. * o did not change significantly over time. It This layer corresponds to the light shown in Fig. 1, it can be assumed that the positive is electrically conductive layer 6. The charges from the Magne almost instantaneously close to the Zwisiumfluorid The intermediate layer 5 formed is a necessary layer introduced during the electrical charge dig to a flow of carriers of free elec- tric were. The axis is on the abscissa of FIG. 2b Charges, which are applied in the amorphous layer of 25 len length in mu, while on the Ordi-arsenic selenide are formed in the amorphous layer nate the relative values of the spectral energy of the to prevent selenium. The amorphous illuminating light thus formed can be applied. Layer of arsenic triselenide showed that by curve 1 when blue light with the properties as
in F i g. 2 a dargestellte spektrale Empfindlichkeit. Die in Kurve 2 in F i g. 2 b angezeigt, auf das lichtemp-Kurve zeigt, daß die amorphe Schicht von Arsentri- 30 findüche Material nach Beendigung der ersten Stufe selenid im wesentlichen panchromatisch ist. Auf der gerichtet wurde, nahm die Spannung an der Ober-Abszisse von Fig. 2a ist die Wellenlänge in ΐημ auf- fläche rasch auf 0 ab. Dies ist auf die Entladung in gezeichnet, und auf der Ordinate von Fig. 2a ist der amorphen Schicht von Selen zurückzuführen. die Zahl aufgetragen, in welcher die Einheitszahl Das lichtempfindliche Material, auf welches diein Fig. 2 a shown spectral sensitivity. The curve 2 in FIG. 2 b displayed on the light temp curve shows that the amorphous layer of arsenic tri-noxious material after completion of the first stage selenide is essentially panchromatic. On which was judged, the tension took on the upper abscissa From Fig. 2a the wavelength in ΐημ surface is rapidly down to 0. This is due to the discharge in drawn, and on the ordinate of Fig. 2a is due to the amorphous layer of selenium. plotted the number in which the unit number The photosensitive material on which the
durch die Energie, die für das Aufweisen des gleichen 35 erste Stufe angewendet worden war, wurde gleich-Ansprechens miteinander erforderlich ist, dividiert zeitig mit der Koronaentladung durch Wechselstrom ist. (Die Einheit ist willkürlich.) Die spektrale Emp- einem optischen Bild ausgesetzt. Mit anderen Worfindlichkeit der amorphen Schicht von Selen von ten wurde die Aluminiumplatte des lichtempfindhoher Reinheit wird durch die Kurve 2 in Fig. 2a liehen Materials geerdet, und ein Anschluß oder Pol dargestellt. Diese Kurve zeigt, daß die amorphe 40 der elektrischen Hochspannungsquelle für die Ko-Schicht von Selen eine spektrale Empfindlichkeit auf ronaentladung, deren anderer Anschluß geerdet war der Seite von kürzerer Wellenlänge als die Wellen- (Wechselstromhochspannung), wurde mit der Eleklänge von etwa 550 rau besitzt. Die amorphe Schicht trode für die Koronaentladung so verbunden, daß von Arsentriselenid besaß eine niedrige Kapazität zur positive und negative Ionen erzeugt wurden. Diese Beibehaltung von elektrostatischen Ladungen darin, 45 Ionen wurden auf das lichtempfindliche Material und etwa 9O°/o der elektrostatischen Ladungen wur- gleichzeitig mit der Belichtung mit dem optischen den in etwa 2 see abgegeben, wenn die elektro- Bild in der Schlitzform von der Rückseite der Elekstatischen Ladungen durch Koronaentladung aufge- trode für die Koronaentladung entlang der Konfibracht wurden. Dies bedeutet, daß die amorphe guration der elektrischen Platte aufgebracht. Diese Schicht von Arsentriselenid nicht leicht als lichtemp- 50 Arbeitsweise wurde praktisch ausgeführt, indem man findliches Material bei der bisherigen Technik der das lichtempfindliche Material während der Belich-Elektrophotographie verwendet werden kann. Ande- tung mit dem optischen Bild bewegte und die Elekrerseits konnte die amorphe Schicht von Selen von trode für die Koronaentladung örtlich festhielt. Das hoher Reinheit die elektrostatischen Ladungen in der Spektrum des bei der Projektion des optischen BiI-Oberfläche hiervon über 3000 see lang beibehalten. 55 des verwendeten Lichtes war das von Kurve 1 in Die Aluminiumplatte, die darauf das so gebildete Fig. 2b dargestellte Spektrum. Das amorphe Selen lichtempfindliche Material tmg, wurde geerdet, und wird durch ein derartiges Licht nicht wesentlich ein Anschluß oder Pol (negative Polarität einer hohen optisch sensibilisiert. Dies ist bei Vergleich mit den Gleichstromspannung) von einer Hochspannungs- Kurven in Fig. 2a leicht ersichtlich, und gleichzeitig quelle für eine Koronaentladung, deren anderer An- 6° weist die amorphe Schicht von Arsentriselenid eine schluß geerdet war, wurde mit einer Elektrode für Lichtempfindlichkeit auf. Daher wurden, wie vor die Koronaentladung so verbunden, daß negative stehend beschrieben, die elektrostatischen Ladunger Ionen erzeugt wurden. Die so erzeugten negativen in den belichteten Teilen durch die Schicht von Ar Ionen wurden auf die Oberfläche des lichtempfind- sentriselenid, den äußeren Stromkreis und die Ionen liehen Materials so aufgebracht, daß die Oberfläche 65 gruppen der Koronaentladung mit Wechselstrom ent des lichtempfindlichen Materials in negativer Polari- laden und neutralisiert. Andererseits wurden di< tat geladen wurde. Zu diesem Zeitpunkt wurden die elektrostatischen Ladungen in den dunklen Teilei elektrischen Ladungen von positiver Polarität in die (angeordnet in Nähe der Zwischenschicht) in dedivided by the energy used to have the same first stage equal responses divided by the corona discharge by alternating current. (The unit is arbitrary.) The spectral receiver exposed to an optical image. In other words, the amorphous layer of selenium was made of the aluminum plate of the photosensitive high purity material is grounded by the curve 2 in Fig. 2a, and a terminal or pole is shown. This curve shows that the amorphous high-voltage electric source for the co-layer of selenium had a spectral sensitivity to rona discharge, the other terminal of which was grounded on the side of shorter wavelength than the wave (alternating current high voltage), became rough with the electric length of about 550 owns. The amorphous layer trode for the corona discharge so connected that arsenic triselenide possessed a low capacity to generate positive and negative ions. This retention of electrostatic charges in it, 45 ions were on the photosensitive material and about 90% of the electrostatic charges were given off simultaneously with the exposure to the optical in about 2 seconds when the electro- picture in the slit shape from the back of the electrostatic charges were generated by corona discharge for the corona discharge along the Konfibracht. This means that the amorphous guration is applied to the electrical plate. This layer of arsenic triselenide not easily as a photosensitive operation has been put into practice by using sensitive material in the prior art that the photosensitive material can be used during exposure electrophotography. Andetation moved with the optical image and the elec- tric side was able to hold the amorphous layer of selenium from the electrode for the corona discharge locally. The high purity of the electrostatic charges in the spectrum of the projection of the optical BiI surface is retained for over 3000 seconds. 55 of the light used was that of curve 1 in the aluminum plate, the spectrum shown thereon in FIG. 2b formed in this way. The amorphous selenium photosensitive material tmg, has been grounded, and is not substantially a terminal or pole (negative polarity of a high optically sensitized. This is easily seen when comparing with the direct current voltage) of a high voltage curve in Fig. and the same source for a corona discharge, the other check 6 °, the amorphous layer of arsenic triselenide a circuit was grounded, was applied to an electrode for light sensitivity. Therefore, as before the corona discharge was connected in such a way that negative standing described, the electrostatic charges of ions were generated. The negative thus generated in the exposed parts by the layer of Ar ions were applied to the surface of the photosensitive triselenide, the external circuit and the ion borrowed material in such a way that the surface 65 groups of corona discharge with alternating current ent of the photosensitive material in negative polarity - load and neutralize. On the other hand, di <tat was charged. At this time, the electrostatic charges in the dark parts became electrical charges of positive polarity in the (located near the intermediate layer) in the
Form, wie sie vorhanden waren, beibehalten. Jedoch wurden die elektrostatischen Ladungen in den dunklen Teilen der Oberfläche bis zu einem gewissen Ausmaß für die Ionengruppen der Koronaentladung von Wechselstrom neutralisiert, und sie waren mehr oder weniger in einem instabilen Zustand unter Berücksichtigung der elektrischen Ladungen entsprechend den positiven elektrischen Ladungen, die örtlich in Nähe der Zwischenschicht vorhanden waren. Die Spannung an der Oberfläche unmittelbar nach der Vervollständigung der zweiten Stufe und die Spannung an dem belichteten Teil der Oberfläche betrug etwa —20 V, während die Spannung an dem dunklen Teil der Oberfläche etwa + 100 V betrug. Wenn die Änderung der Oberflächenspannung aufeinanderfolgend gemessen wurde, zeigte die Spannung an dem belichteten Teil der Oberfläche keine wesentliche Änderung, jedoch wurde die Spannung an dem dunklen Teil der Oberfläche auf -250 V in 2 oder 3 see geändert. Danach änderte sich die Spannung nicht wesentlich. Nach Vervollständigung der zweiten Stufe, wobei die Oberfläche mit Licht mit dem durch Kurve 1 von Fig. 2b dargestellten Spektrum belichtet war, änderte sich die Spannung an der Oberfläche, auf welche das optische Bild projiziert wird, nicht wesentlich, jedoch die Spannung an der dunklen Oberfläche änderte sich rasch zu der Gleichgewichtsspannung von —250 V. Somit wurde das elektrostatische latente Bild mit dem elektrostatischen Kontrast von etwa +120V unmittelbar nach der Vervollständigung der zweiten Stufe zu einem elektrostatischen latenten Bild mit einem elektrostatischen Kontrast von etwa —230 V nach Verlauf von mehreren Sekunden nach der zweiten Stufe oder nach Vervollständigung der dritten Scufe geformt. Diese elektrostatischen latenten Bilder wurden mit Hilfe eines gefärbten Harzpulvers mit einer derartigen elektrischen Ladung, um die Bilder sichtbar zu machen, entwickelt. Das gefärbte Harzpulver, das auf diese Weise das sichtbare Bild bildete, wurde elektrostatisch auf gewöhnliches weißes Papier übertragen und darauf durch Erhitzen geschmolzen. Andererseits wurde das auf der Oberfläche des lichtempfindlichen Materials zurückbleibende gefärbte Harzpulver mit Licht mit dem durch Kurve 2 in Fig. 2b dargestellten Spektrum belichtet, während Ionengruppen einer Koronoentladung von Wechselstrom darauf aufgebracht wurden, und anschließend wurde die Oberfläche mit einer Bürste mit synthetischen Fasern gereinigt, danach wurde das lichtemp- 5» findliche Material mit Licht mit dem durch Kurve 2 in Fig. 2b dargestellten Spektrum so belichtet, daß das elektrostatische latente Bild vollständig entfernt wurde. Wenn Licht mit dem durch Kurve 3 in Fig. 2b dargestellten Spektrum an Stelle des Lichts mit dem durch Kurve 2 in Fig. 2b dargestellten Spektrums verwendet wurde, wurden etwa die gleichen Ergebnisse erhalten. Jede der in diesem Beispiel verwendeten Lichtarten wurde, wie nachstehend beschrieben, erhalten. Die durch Kurve 1 in Fig. 2b dargestellte Lichtart wurde durch Kombination von Licht mit einer Farbtemperatur von etwa 3200° K, das von einer Jodlampe erhalten wurde, mit einem Glasfiltcr mit der Fähigkeit, Licht mit Wellenlängen kürzer als 580 mn abzufangen, erhalten. Die durch Kurve 2 in Fig. 2b dargestellte Lichtart wurde von einer blauen Fluoreszenzlampe erhalten, während das durch Kurve 3 in Fi g. 2 b dargestellte Licht von einer Fluoreszenzlampe von Tageslichtferbe erhalten wurde.Maintain shape as it was. However, the electrostatic charges were in the dark Divide the surface to some extent for the ion groups of the corona discharge of AC neutralized and they were more or less in an unstable state under consideration of the electrical charges corresponding to the positive electrical charges that are locally in Were present near the interlayer. The tension on the surface immediately after the Completion of the second stage and the voltage on the exposed part of the surface was about -20V, while the voltage on the dark part of the surface was about + 100V. When the change in surface tension was successively measured, indicated the tension the exposed portion of the surface did not change significantly, but the voltage on the dark became Part of the surface changed to -250 V in 2 or 3 see. After that, the tension didn't change significant. After completing the second stage, the surface with light with the curve 1 was exposed in the spectrum shown in FIG. 2b, the voltage at the surface changed which the optical image is projected is not essential, however the tension on the dark Surface rapidly changed to the equilibrium voltage of -250 V. Thus, it became electrostatic latent image with the electrostatic contrast of about + 120V immediately after completion the second stage to an electrostatic latent image with an electrostatic Contrast of about -230 V after several seconds after the second stage or after Completion of the third stage shaped. These electrostatic latent images were made using a colored resin powder having such an electric charge as to make the images visible make, developed. The colored resin powder thus forming the visible image became electrostatically transferred to ordinary white paper and melted onto it by heating. On the other hand, that remained on the surface of the photosensitive material became colored Resin powder exposed to light with the spectrum shown by curve 2 in Fig. 2b, while Ion groups of a coronary discharge of alternating current were applied thereon, and then the surface was cleaned with a brush with synthetic fibers, then the light-sensitive Sensitive material exposed to light with the spectrum shown by curve 2 in Fig. 2b so that the electrostatic latent image has been completely removed. When light with the through curve 3 in Fig. 2b shown spectrum in place of the light with that shown by curve 2 in Fig. 2b Spectrum was used, roughly the same results were obtained. Any of the in this example The lights used were obtained as described below. The curve 1 in Fig. 2b The type of light shown was created by combining light with a color temperature of around 3200 ° K, obtained from an iodine lamp, with a glass filter capable of absorbing light with wavelengths shorter than 580 mn received. The type of light represented by curve 2 in Fig. 2b was from obtained a blue fluorescent lamp, while the curve 3 in Fi g. 2 b shown light from a fluorescent lamp of daylight yellow.
In ähnlicher Weise wie in Beispiel 1 wurde Arsentriselenid im Vakuum verdampft und als Beschichtung oder Überzug auf eine gereinigte Aluminiumplatte so aufgebracht, um eine amorphe Schicht mit einer Dicke von etwa 70 μ zu bilden. Vinylacetat wurde auf die amorphe Schicht von Arsentriselenid so aufgebracht, um eine Zwischenschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 bis 1,0 μ zu bilden. Polyvinylcarbazol wurde ferner auf die Zwischenschicht so aufgebracht, um eine Schicht mit einer Dicke von etwa 20 u zu bilden. Dieses lichtempfindliche Material wurde erfolgreich verwendet, indem dessen Oberfläche in der ersten Stufe in negativer Polarität elektrisch geladen wurde, wobei ausgezeichnete Ergebnisse erhalten wurden. In diesem Fall ist die aus Polyvinylcarbazol bestehende lichtelektrisch leitfähig Scnicht gegenüber sichtbarem Licht im wesentlichen transparent und wird nur durch Licht des nahen ultravioletten Bereiches erregt, um eine Photoempfindlichkeit aufzuweisen. Daher können nahezu sämtliche spektralen Bereiche der spektralen Photoempfindlichkeit von Arsentriselenid ausgenutzt werden, und es wurde daher eine höhere Lichtempfindlichkeit in diesem Beispiel, verglichen mit Beispiel 1, erhalten. Die Entfernung des elektrostatischen latenten Bildes wurde mit Hilfe einer Fluoreszenzchemikalienlampe (fluorescent chemical lamp) ausgeführt.In a similar manner to Example 1, arsenic triselenide was evaporated in vacuo and used as a coating or coating applied to a cleaned aluminum plate so as to have an amorphous layer a thickness of about 70 μ to form. Vinyl acetate was applied to the amorphous layer of arsenic triselenide so applied to form an intermediate layer having a thickness of about 0.5 to 1.0 µm. Polyvinyl carbazole was further applied to the intermediate layer so as to form a layer having a thickness of to form about 20 u. This photosensitive material has been successfully used by removing its surface in the first stage was electrically charged in negative polarity, with excellent results were obtained. In this case, the one made of polyvinyl carbazole is photoelectrically conductive It is not essentially transparent to visible light and is only made clear by the light of the near ultraviolet region excited to have photosensitivity. Therefore can almost all spectral ranges of the spectral photosensitivity of arsenic triselenide are used, and it was therefore a higher photosensitivity in this example compared with Example 1, receive. The removal of the electrostatic latent image was carried out using a fluorescent chemical lamp (fluorescent chemical lamp).
Selen mit einem Gehalt von 15 Gew.-Vo Tellur wurde im Vakuum verdampft und als Beschichtung oder Überzug auf die Oberfläche eines gereinigten Aluminiumrohres so aufgebracht, um darauf eine amorphe Schicht mit einer Dicke von etwa 80 μ zu bilden. Auf die amorphe Schicht wurde Polycarbonat so aufgebracht, um eine dünne Schicht mit einer Dicke von 0,8 μ zu bilden. Eine amorphe Schicht von Selen hoher Reinheit mit einer Dicke von etwa 10 μ wurde auf der Schicht von Polycarbonat durch Vakuumverdampfung von Selen gebildet. Ferner wurde eine dünne Schicht von Polycarbonat mit einer Dicke von 0,8 μ ähnlich der vorstehend beschriebenen Zwischenschicht von Polycarbonal auf der amorphen Schicht von Selen hoher Reinheit als Oberflächenschicht gebildet, und auf diese Weise wurde ein lichtempfindliches Material für die Elektro· photographie hergestellt.Selenium with a content of 15 parts by weight of tellurium was evaporated in vacuo and applied as a coating or coating on the surface of a cleaned Aluminum tube so applied to it an amorphous layer with a thickness of about 80 μ to build. Polycarbonate was applied to the amorphous layer in such a way as to form a thin layer with a thickness of 0.8 μ to form. An amorphous layer of high purity selenium with a thickness of about 10 µ was formed on the layer of polycarbonate by vacuum evaporation of selenium. Further, a thin layer of polycarbonate with a thickness of 0.8 µm was made similar to the above described intermediate layer of polycarbonal on the amorphous layer of selenium of high purity formed as a surface layer, and thus a photosensitive material for electro · photography made.
Die amorphe Schicht von Selen mit einem Gehall von 15 Gew.-"/o Tellur besaß eine niedrige Fähigkeil zur Beibehaltung von elektrostatischen Ladunger darin gemäß der bisherigen Technik der Elektrophotographie und konnte kaum die elektrostatischer Ladungen beibehalten, jedoch war der Bereich dei spektralen Lichtempfindlichkeit um etwa 120 m\ auf die Seite von längeren Wellenlängen, vergliche/ mit der amorphen Schicht von Selen hoher Reinheit erweitert. Dies bedeutet, daß die amorphe Schich von Tellur enthaltendem Selen im wesentlichen pan chromatisch ist. Daher wurden unter Verwendunj des gleichen Lichts wie in Beispiel 1 für die Beiich tung in jeder Stufe ausgezeichnete Ergebnisse erhal ten. Das lichtempfindliche Material wird in diesen Beispiel vorzugsweise an der Oberfläche in negative Polarität so geladen, um die Stabilität der EigenThe amorphous layer of selenium having a content of 15% by weight of tellurium had a low electrostatic retention ability therein according to the prior art of electrophotography and could hardly retain the electrostatic charges, but the range of the spectral photosensitivity was around about 120 µm to the side of longer wavelengths compared to the amorphous layer of high-purity selenium. That is, the amorphous layer of tellurium-containing selenium is substantially pan-chromatic. Therefore, using the same light as in Example 1 excellent results are obtained for the processing in every stage. In this example, the photosensitive material is preferably charged on the surface in negative polarity so as to maintain the stability of its own
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ichaften sicherzustellen. Jedoch wurden im wesentichen die gleichen Ergebnisse erhalten, ;venn die Dberfläche des lichtempfindlichen Materials in posiiiver Polarität geladen wurde.ichaften to ensure. However, they were essentially obtain the same results; if the surface of the light-sensitive material is more positive Polarity has been loaded.
B eispiel 4Example 4
Eine feste Lösung, bestehend aus 25 Gew.-Teilen Arsen, lOTeiiin Antimon und 49 Teilen Selen wurde im Vakuum verdampft und als Beschichtung oder Überzug auf eine gereinigte Messingplatte so aufgebracht, um eir.e glasartige Schicht zu bilden. Die Dicke der Schicht betrug etwa 15 μ. Dann wurde eine Mischung von 45 Teilen Anthracen, dispcrgiert in 55 Teilen Siliconharz, auf die glasartige Schicht aufgebracht. Die Dicke der überzogenen Mischung betrug etwa 15 μ. Das so erhaltene lichtempfindliche Material wurde an seiner Oberfläche in der ersten Stufe in negativer Polarität elektrisch geladen, und die Belichtung wurde in der zweiten Stufe unter Verwendung von Licht aus einer Zirkonlampe, das ein optisches Bild darin trug, ausgeführt, während gleichzeitig eine Koronaentladung von Wechselstrom angewendet wurde.A solid solution consisting of 25 parts by weight of arsenic, 10% antimony and 49 parts of selenium was evaporated in vacuo and as a coating or coating on a cleaned brass plate so applied to form a vitreous layer. The thickness of the layer was about 15 μ. then a mixture of 45 parts of anthracene, dispersed in 55 parts of silicone resin, was applied to the vitreous Layer applied. The thickness of the coated mixture was about 15 microns. The photosensitive In the first stage, material became electrical on its surface in negative polarity charged, and the exposure was carried out in the second stage using light from a zirconium lamp, that carried an optical image therein, while at the same time a corona discharge of AC power was applied.
Ausgezeichnete positive Bilder wurden unter Verwendung eines Kaskadenentwicklermittels für die Elektrophotographie erhalten, wobei das gefärbte elektrisch geladene Pulver in positiver Polarität geladen war. Nach Übertragung der Bilder auf andere Übertragungspapiere wurde das lichtempfindliche Material gleichförmig mit Licht einer Leuchtstofflampe so belichtet, um das verbleibende Bild darauf zu entfernen.Excellent positive images were obtained using a cascade developer for the Electrophotography obtained with the colored electrically charged powder being charged in positive polarity was. After the images were transferred to other transfer papers, the paper became photosensitive Material uniformly exposed to light from a fluorescent lamp so as to form the remaining image on it to remove.
Eine ähnliche glasartige Schicht, wie in Beispiel 4 wurde durch Vakuumverdampfung einer Lösung, bestehend aus 15,5 Teilen As, 25,3 Teilen Sb, 10,0 Teilen S und 24,6 Teilen Se, gebildet und als hochempfindliche lichtelektrisch leitfähige Schicht verwendet, während ein Film von Polyvinylcarbazol als elektrisch isolierende lichtelektrisch leitfähige Schicht von geringer Empfindlichkeit verwendet wurde. Bei Verwendung von Licht aus einer Zirkonlampe zur Belichtung wurde eine Empfindlichkeit in der Größenordnung von ASA 25 erhalten.A similar glass-like layer as in Example 4 was made by vacuum evaporation of a solution, consisting of 15.5 parts of As, 25.3 parts of Sb, 10.0 parts of S and 24.6 parts of Se, and formed as high sensitivity photoelectrically conductive layer used while a film of polyvinylcarbazole as electrically insulating photoelectrically conductive layer of low sensitivity was used. at Using light from a zirconium lamp for exposure was a sensitivity in the Order of magnitude of ASA 25 received.
Ein CdS-Pulver von hoher Empfindlichkeit wurde durch Zusatz einer sehr geringen Menge von Kupferchlorid, das als Aktivator diente, und von etwa 10 Gew.-°/o von Cadmiumchlorid, das als Schmelzoder Sintermittel diente, zu reinem Cadmiumpulver und durch Zerkleinern der Masse nach dem Sintern in einer Atmosphäre bei einer Temperatur von 550 bis 600° C während etwa 15 min hergestellt. Das so gebildete Pulver wurde in einem hitzehärtbaren Acrylharzanstrich dispergiert und auf ein Aluminiumblech so aufgebracht, um eine lichtelektrisch leitfähige Schicht von hoher Empfindlichkeit zu bilden. Ein Film von Polyvinylcarbazol, der als elektrisch isolierende, lichtelektrisch leitfähige Schicht von niedriger Empfindlichkeit diente, wurde auf der HlIuclektrisch leitfähigen Schicht von hoher Empfindlichkeit gebildet, und auf diese Weise wurde ein lichtempfindliches Material erzeugt. Dieses lichtempfindliche Material wurde in gleicher Weise wie im Bei-Qniel 4 verwendet, und es wurden ausgezeichnete Ei-A CdS powder of high sensitivity was made by adding a very small amount of copper chloride, which served as an activator, and of about 10% by weight of cadmium chloride, which served as enamel or Sintering agent was used to make pure cadmium powder and by crushing the mass after sintering in an atmosphere at a temperature of 550 to 600 ° C for about 15 minutes. That so Powder formed was dispersed in a thermosetting acrylic resin paint and placed on an aluminum sheet applied so as to form a photo-conductive layer of high sensitivity. A film of polyvinyl carbazole that acts as an electrically insulating, photoelectrically conductive layer of Served lower sensitivity, was on the hluclectric conductive layer of high sensitivity was formed, thus becoming a photosensitive Material generated. This light-sensitive material was produced in the same manner as in the Bei-Qniel 4 used, and excellent egg
gebnisse erhalten. In diesem Fall war jedoch die Polarität der elektrischen Ladungen, die in der ersten Stufe auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials aufgebracht wurden, positiv.get results. In this case, however, the polarity of the electrical charges was that in the first Stage applied to the surface of the photosensitive material, positive.
Etwa 18 Gew.-",Ό Cadmiumjodid wurde einem feinen Pulver, bestehend aus CdS- 1,5 CdCO,, bei welchem der Kern von jedem Teilchen als aus CdCO., bestehend und die Oberflächenschicht von jedem der Teilchen als aus CdS bestehend angenommen wurde, zugegeben, und die Mischung wurde bei einer Temperatur von 200 bis 250 C gesintert. Das so gebildete Pulver wird nachstehend als Pulver A bezeichnet. Ein Pulver, bei welchem 0,1 Gew.-0.0 Malachitgrün, das als Sensibilisierungsfärbernaterial dient, dem vorstehend beschriebenen Pulver A zugegeben worden ist, wird nachstehend als Pulver B bezeichnet.About 18% by weight ", Ό Cadmium iodide became a fine powder composed of CdS-1.5 CdCO ,, in which the core of each particle was assumed to be composed of CdCO., And the surface layer of each of the particles was assumed to be composed of CdS was added, and the mixture was sintered at a temperature of 200 to 250 C. the powder thus formed is hereinafter referred to as a powder. a powder, in which 0.1 part by weight malachite Green 0 .0 serving as Sensibilisierungsfärbernaterial, the Powder A described above is added as powder B hereinafter.
100 Gew.-Teile des Pulvers D und 50 Gew.-Teile eines hitzehärtbaren Acrylharzanstrichs (FeststofT-komponente) wurden gemischt und mit einer organischen Verdünnungslüsung zusammen dispergiert und auf ein Aluminiumblech aufgebracht und getrocknet. Außerdem wurde der gleiche hitzehärtbare Acrylharzanstrich allein auf den vorstehend beschriebenen Überzug aufgebracht und getrocknet. Dann wurden 100 Gew.-Teile des Pulvers Λ in 50 Gew.-Teilen des gleichen hitzehärtbaren Acrylharzanstrichs (Feststoffkomponente) zusammen mit einem Lösungsmittel gemischt und dispergiert, und die so gebildete Mischung wurde auf den vorstehend beschriebenen Überzug aufgebracht und getrocknet. Ferner wurde das Aluminiumblech, das darauf die vorstehend beschriebenen drei Überzüge trug, bei einer Temperatur von 150c C während etwa 30 min zwecks Hitzeverfestigung erhitzt, wodurch ein lichtempfindliches Material hergestellt wurde. Die Dicke von jeder der Schichten des so gebildeten lichtempfindlichen Materials war nach der Hitzeverfestigung wie folgt: Die unterste Schicht, bei welcher das Pulver B verwendet wurde (nachstehend als »Schicht b« bezeichnet), besaß eine Dicke von etwa 60 u. Die Dicke der Zwischenschicht, in welcher lediglich das Bindemittel verwendet wurde, betrug etwa 0,8 u, während die Dicke der obersten Schicht, in welder das Pulver A verwendet wurde (nachstehend als »Schicht«« bezeichnet) etwa 20 μ betrug. Die spektrale Empfindlichkeit von jeder der Schichten α und h ist in F i g. 3 a gezeigt. Auf der Abszisse von F i g. 3 a ist die Wellenlänge in mu aufgetragen, während auf der Ordinate in logarithmischem Maßstab die Zahl aufgetragen ist, in welche die Einheitszahl durch die für die Erzielung eines vorbestimmten Ansprechens auf Licht mit einer Farbtemperatur von 3200° K erforderliche Belichtungsdauer dividiert ist. Die obere Schicht α besaß eine spektrale Empfindlichkeit auf der Seite von kürzeren Wellenlängen als 610 mu. wie dies in Kurve 1 in Fig. 3a angezeigt ist. Die obengenannte Schicht /) besaß eine spektrale Empfindlichkeit bis zu einer Wellenlänge in Nähe von etwa 750 mu. Sowohl die Schicht α als auch die Schicht h besaßen ein elektrisches Isoliervermögen in einem dunklen Raum und besaßer, die Kapazität oder Fähigkeit zur Beibehaltung von elektrostatischen Ladungen, während einer ausreichend langen Zeitdauer. Jede der Schichten a und Λ können getrennt voneinander als lichtempfindliches Material für die Elektrophotographie gemäß der bisherigen Technik verwendet werden. Die Ober-100 parts by weight of Powder D and 50 parts by weight of a thermosetting acrylic resin paint (solid component) were mixed and dispersed together with an organic diluent and applied to an aluminum sheet and dried. In addition, the same thermosetting acrylic resin paint alone was applied to the above-described coating and dried. Then, 100 parts by weight of the powder Λ was mixed and dispersed in 50 parts by weight of the same thermosetting acrylic resin paint (solid component) together with a solvent, and the mixture thus formed was applied to the above-described coating and dried. Further, the aluminum sheet having the above-described three coats thereon was heated at a temperature of 150 ° C. for about 30 minutes for heat-setting, whereby a photosensitive material was prepared. The thickness of each of the layers of the photosensitive material thus formed was as follows after heat-setting: The lowermost layer using the powder B (hereinafter referred to as "layer b" ) had a thickness of about 60µ The intermediate layer in which only the binder was used was about 0.8 µm, while the thickness of the top layer in which the powder A was used (hereinafter referred to as "layer") was about 20 µm. The spectral sensitivity of each of the layers α and h is shown in FIG. 3 a shown. On the abscissa of FIG. 3 a, the wavelength is plotted in mu, while the ordinate is plotted on a logarithmic scale the number into which the unit number is divided by the exposure time required to achieve a predetermined response to light with a color temperature of 3200 ° K. The upper layer α had a spectral sensitivity on the side of shorter wavelengths than 610 µm. as indicated in curve 1 in Fig. 3a. The above-mentioned layer /) had a spectral sensitivity up to a wavelength in the vicinity of about 750 mu. Both the layer α and the layer h had electrical insulating property in a dark room and had the capacity or ability to retain electrostatic charges for a sufficiently long period of time. Each of the layers a and Λ can be used separately as a photosensitive material for electrophotography according to the prior art. The upper
fläche des so gebildeten lichtempfindlichen Materials wurde in der ersten Stufe durch eine Koronaentladung in positiver Polarität elektrisch geladen und wurde dann mit Licht mit dem durch Kurve 2 in Fig. 3b dargestellten Spektrum gleichförmig belichtet. Auf diese Weise wurden positive und negative elektrostatische Ladungen an den jeweiligen Oberflächen der Schicht α aufgebracht. Überdies wurden in der ersten Stufe die Koronaentladung und die Belichtung gleichzeitig ausgeführt, und es wurden gleiche Ergebnisse erhalten. Dann wurden Ionengruppen, die durch eine Koronaentladung mit Wechselstrom erzeugt wurden, auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials aufgebracht, während Licht mit dem durch Kurve 2 in Fig. 3b dargestellten Spektrum, das darin ein optisches Bild trug, auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials projiziert wurde, wobei ein elektrostatisches latentes Bild in der Schicht gebildet wurde. Die Spannung an der Oberfläche nach Vervollständigen der ersten Stufe betrug +600V. Die Spannung an der Oberfläche nach der Vervollständigung der zweiten Stufe betrug jedoch an den belichteten Bereichen der Oberfläche + 10V, während die Oberflächenspannung an den dunklen Teilen etwa —350 V betrug. Somit war unter diesen Bedingungen der elektrostatische Kontrast — 360 V. Da die Schicht /; ein elektrisches Isoliervermögen in einem dunklen Raum aufwies, wurde der elektrostatische Kontrast während einer ausreichenden Zeitdauer, die für die Bildentwicklung hiervon erforderlich war, aufrechterhalten. In der dritten Stufe wurde eine Belichtung auf das lichtempfindliche Material unter Verwendung des gleichen Lichts, wie in der ersten Stufe verwendet, gleichförmig angewendet. Dabei wurde eine Spannung an der Oberfläche von etwa H-IOV an den Teilen, die in der zweiten Stufe belichtet wurden, erhalten, während die dunklen Teile eine Spannung von etwa +250V aufwiesen. Mit anderen Worten wurde ein elektrostatischer Kontrast von etwa + 340 V erhalten. Da der elektrostatische Kontrast durch die Beibehaltung eines elektrostatischen Feldes in der Schichta gebildet wurdr wurde die zur Entwicklung erforderliche Zeitdauer in ausreichendem Ausmaß erhalten. Diese elektrostatischen latenten Bilder wurden durch ein gefärbtes elektrisch geladenes Pulver entwickelt und auf andere Übertragungspapiere übertragen, und danach wurde das auf der Oberfläche des lichtempfindlichen Materials zurückbleibende Pulver entfernt. Anschließend wurde das elektrostatische latente Bild ausgelöscht, indem die Oberfläche gleichförmig mit Licht mit dem durch Kurve 1 in Fig. 3b dargestellten Spektrum belichtet wurde, um das Material für die nächsten Versuche vorzubereiten. Die Abszisse von Fig. 3b zeigt die Wellenlänge in mn, während auf der Ordinate die Intensität des Spektrums des Lichts in irgendeiner gewünschten Einheit aufgetragen ist. Das durch Kurve 1 in Fig. 3b dargestellte Licht wurde von einer grünen Fluoreszenzlampe erhalten, während das durch Kurve 2 dargestellte Licht von einer Zirkonlampc mit einer Farbtemperatur von 3200° K mit einem Glasfilter erhalten wurde, das Licht mit kürzeren Wellenlängen als 620 mji abfing.The surface of the photosensitive material thus formed was electrically charged in the first stage by a corona discharge in positive polarity and was then uniformly exposed to light having the spectrum shown by curve 2 in Fig. 3b. In this way, positive and negative electrostatic charges were applied to the respective surfaces of the layer α . Moreover, in the first stage, corona discharge and exposure were carried out at the same time, and the same results were obtained. Then, ion groups generated by corona discharge with alternating current were applied to the surface of the photosensitive material while projecting light having the spectrum shown by curve 2 in Fig. 3b and bearing an optical image therein on the surface of the photosensitive material whereby an electrostatic latent image was formed in the layer. The voltage on the surface after completing the first stage was + 600V. However, the surface voltage after completion of the second stage was + 10V on the exposed areas of the surface, while the surface tension on the dark parts was about -350V. Thus, under these conditions, the electrostatic contrast was - 360 V. Since the layer /; exhibited electrical insulating property in a dark room, the electrostatic contrast was maintained for a sufficient period of time required for image development thereof. In the third stage, exposure was uniformly applied to the photosensitive material using the same light as used in the first stage. A voltage on the surface of about H-IOV was obtained on the parts that were exposed in the second stage, while the dark parts had a voltage of about + 250V. In other words, an electrostatic contrast of about + 340 V was obtained. Since the electrostatic contrast was formed by maintaining an electrostatic field in the layer a, the time required for development was sufficiently obtained. These electrostatic latent images were developed by a colored electrically charged powder and transferred to other transfer papers, after which the powder remaining on the surface of the photosensitive material was removed. The electrostatic latent image was then erased by uniformly exposing the surface to light having the spectrum shown by curve 1 in Fig. 3b to prepare the material for the next tests. The abscissa of FIG. 3b shows the wavelength in mn, while the ordinate shows the intensity of the spectrum of the light in any desired unit. The light represented by curve 1 in Fig. 3b was obtained from a green fluorescent lamp, while the light represented by curve 2 was obtained from a zirconium lamp with a color temperature of 3200 ° K with a glass filter which intercepted light with wavelengths shorter than 620 mji.
Die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials wurde in der ersten Stufe durch eine Koronaentladung in negativer Polarität elektrisch geladen und danach unter den gleichen Bedingungen, wie vorstehend angegeben, behandelt, und es wurden im wesentlichen die gleichen Ergebnisse erhalten.The surface of the photosensitive material was corona discharge in the first stage electrically charged in negative polarity and then under the same conditions as above and substantially the same results were obtained.
Das im Beispiel 7 hergestellte lichtempfindliche Material wurde einer Koronaentladung in positiver Polarität unterworfen, um dessen Oberfläche in positiver Polarität elektrisch zu laden, während gleichzeitig eine gleichförmige Belichtung unter Verwendung von Licht mit dem durch Kurve 2 in Fig. 3b dargestellten Spektrum ausgeführt wurde. Die Oberflächenspannung zu diesem Zeitpunkt betrug +600V.The photosensitive material prepared in Example 7 became positive to corona discharge Subject to polarity to electrically charge its surface in positive polarity while at the same time a uniform exposure using light having that indicated by curve 2 in Figure 3b spectrum shown was executed. The surface tension at this point was + 600V.
so Anschließend wurde Licht mit dem durch Kurve 1 in Fig. 3b dargestellten Spektrum, das darin ein optisches Bild trug, auf die Oberfläche so projiziert, um ein elektrostatisches latentes Bild zu bilden. Die Oberflächenspannung in den dunklen Teilen betrug etwa +595 V, während die Oberflächenspannung in den belichteten Teilen -I-20V war, und somit war der elektrostatische Kontrast etwa +575 V.so then light with the curve 1 in Fig. 3b shown spectrum, which is a optical image projected onto the surface so as to form an electrostatic latent image. the Surface tension in the dark parts was about +595 V, while the surface tension in the exposed parts was -I-20V, and thus the electrostatic contrast was about +575 V.
Nachdem die Oberfläche in der ersten Stufe auf + 600V elektrisch geladen worden war, wurden die durch Koronaentladung in negativer Polarität in der zweiten Stufe erzeugten negativen Ionengruppen auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials aufgebracht, während gleichzeitig eine Belichtung unter Verwendung von Licht mit dem durch Kurve 2 in Fig. 3b dargestellten Spektrum, das darin ein optisches Bild trug, ausgeführt wurde. Die Oberflächenspannung zu diesem Zeitpunkt betrug — 1030 V an den dunklen Teilen, während die belichteten Teile eine Spannung von etwa — 250 VAfter the surface had been electrically charged to + 600V in the first stage, the negative ion groups generated by corona discharge in negative polarity in the second stage The surface of the photosensitive material is applied while simultaneously taking an exposure Using light with the spectrum shown by curve 2 in Fig. 3b, which is a optical image was carried out. The surface tension at this point was - 1030 V on the dark parts, while the exposed parts have a voltage of about - 250 V
zeigten. Mit anderen Worten betrug der elektrostatische Kontrast etwa —780 V. Überdies wurde in der .!ritten Stufe eine gleichförmige Belichtung unter Verwendung des gleichen Lichtes, wie in der ersten Stufe verwendet, ausgeführt. Die so erhaltene Oberflächenspannung betrug etwa + 180 V an den dunklen Teilen, während die belichteten Teile eine Oberflächenspannung von etwa —250 V zeigten.showed. In other words, the electrostatic contrast was about -780 V. Moreover, in the .! rode stage using a uniform exposure of the same light as used in the first stage. The surface tension thus obtained was about + 180 V on the dark parts, while the exposed parts had a surface tension of about -250 V.
Mit anderen Worten betrug der elektrostatische Kontrast etwa ! 430 V. Diese latenten Bilder wurden unter Verwendung eines gefärbten elektrisch geladenen Pulvers entwickelt und übertragen, und anschließend wurde das zurückbleibende Pulver entfernt, um das Material für die nächsten Versuche fertigzumachen. Hierbei wurde vor oder nach dei Entfernung des zurückbleibenden Pulvers das lichtempfindliche Material gleichförmig mit Licht mil dem durch Kurve 1 in Fig. 3b dargestellter Spektrum belichtet.In other words, the electrostatic contrast was about! 430 V. These latent images were developed and transferred using a colored electrically charged powder, and then the remaining powder was removed to make the material for the next tests to get ready. Here, before or after the remaining powder was removed, the light-sensitive one became Material uniformly with light as shown by curve 1 in Figure 3b Spectrum exposed.
Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings
Claims (3)
bildes unter Verwendung eines Aufzeichnungsmaterials aus einem elektrisch leitenden Schicht- .
träger einer ersten photoleitfähigen Schicht und Die Erfindung bezieht s.ch auf cn Verfahren zur einer auf dieser angeordneten zweiten photoleit- Herstellung eines Ladungsbildes unter Verwendung fähigen Schicht mif gegenüber der ersten photo- »ο eines Aufzeichnungsmaterial aus einem elektrisch leitfähig Schicht unterschiedlichem spektralem leitenden Schichtträger, einer ersten photoleitfähigen Absorptionsvermögen und einer isolierenden Schicht und einer auf d.eser angeordneten zwe.ten Zwischenschicht zwischen den beiden photoleit- photoleitfähigen Schicht nut gegenüber der ersten fähigen Schichten, wobei wenigstens die auf einer photoleitfähigen Schicht unterschiedlichem spektra-Seite der innenliegenden ersten photoleitfähigen 15 lern Absorptionsvermögen und einer isolierenden Schicht angeordneten Schichten für Licht der Zwischenschicht zwischen den beiden photoleitfäht-Absorptionswellenlänge der ersten photoleitfähi- gen Schichten, wobei wenigstens die auf einer Seite gen Schicht durchlässig sind, bei dem die freie der innenliegenden eisten photoleittahigcn Schicht Oberfläche der zweiten photoleitfähis-en Schicht angeordneten Schichten fur Licht der Absorpüonsi>leichförmig aufgeladen und das Aufzeichrungs- 20 wellenlänge der ersten photoleitfähigen Schicht durchmaterial bildmäßig belichtet wird, dadurch lässig sind, bei dem die freie Oberfläche der zweiten gekennzeichnet, daß die erste photoleit- photoleitfähigen Schicht gleichförmig aufgeladen und fähige Schicht des geladenen Aufzeichnungsmate- das Aufzeichnungsmaterial bildmäßig belichtet wird. rials mit Licht seiner Absorptionswellenlänge Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein Aufzeichbildmäßig belichtet und gleichzeitig die geladene 25 nungsmaterial zur Durchführung des vorstehend anOberfläche einer Gleichstromkoronaentladung der gegebenen Verfahrens.1. Process for the production of a Laduhgs- 5
image using a recording material composed of an electrically conductive layer.
carrier of a first photoconductive layer and the invention relates to cn method for a second photoconductive production of a charge image arranged thereon using a layer capable of being compared to the first photoconductive layer, a first photoconductive absorption capacity and an insulating layer and a second intermediate layer arranged on it between the two photoconductive photoconductive layer only opposite the first capable layers, at least those on one photoconductive layer with different spectra of the inner first photoconductive 15 learn Absorbency and an insulating layer arranged layers for light of the intermediate layer between the two photoconductive absorption wavelengths of the first photoconductive layers, at least the layer on one side being durc are permissible, in which the free of the inner first photoconductive layer surface of the second photoconductive layer arranged layers are slightly charged for light from the absorption and the recording wavelength of the first photoconductive layer is exposed imagewise through the material, which means that the free surface of the second characterized in that the first photoconductive photoconductive layer is uniformly charged and the capable layer of the charged recording material is exposed imagewise. rials with light of its absorption wavelength. Furthermore, the invention relates to a recording image-wise exposed and at the same time the charged recording material for carrying out the above on surface of a direct current corona discharge of the given method.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43068510A JPS4925218B1 (en) | 1968-09-21 | 1968-09-21 | |
| JP6851068 | 1968-09-21 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1947905A1 DE1947905A1 (en) | 1970-04-09 |
| DE1947905B2 DE1947905B2 (en) | 1977-03-03 |
| DE1947905C3 true DE1947905C3 (en) | 1977-10-27 |
Family
ID=
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