DE1943844C

DE1943844C - Integrated semiconductor circuit for the mutual assignment of input and output signals

Info

Publication number: DE1943844C
Authority: DE
Inventors: Ronald Vincent Cranford; Kaenel Reginald Alfred Chatham; Lepselter Martin Paul New Providence; Smith James Lanson Bedminster; N.J. Günther (V.StA.). H03k 23-00
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Publication date: 1972-05-18

Description

ι 2ι 2

Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiter- nung von Eingangs- und Ausgangssignalen gemäfc schaltung für die gegenseitige Zuordnung von Ein- einem vorgegebenen Binärcode, die sich durch ver gangs- und Ausgangssignalen in Abhängigkeit von gleichsweise geringen Herstellungsaufwand und vieleinem vorgegebenen Binärcode, bei der eine Mehr- seitige Verwendungsmöglichkeit bzw. Einstellbarkeil zahl von Schaltungsstufen mit Logigelementen und 5 für unterschiedliche Funktionen auszeichnet. Die ermit Steuerelementen vorgesehen ist, welch letztere findungsgemäße Lösung dieser Aufgabe kennzeicheinen ersten und einen zweiten Übertragungszustand net sich dadurch, daß eine Betriebs-Eingangsschalaufweisen, und bei der eine Einstellschaltung mit tung vorgesehen ist, die mit den Steuerelementen ver-Eingangsverbindungen zu den Logigelementen für bundene Strompfade aufweist, und in Abhängigkeil deren selektive Einstellung gemäß dem vorgegebenen io von zugeführten Steuersignalen die bleibende ÜberBinärcode vorgesehen ist. führung der Steuerelemente aus dem ersten in denThe invention relates to an integrated semiconductor nung of input and output signals according to circuit for the mutual assignment of inputs to a given binary code, which are differentiated by ver input and output signals depending on an equally low manufacturing cost and much predefined binary code, with which a multi-sided possibility of use or adjustable wedge number of circuit levels with logic elements and 5 for different functions. The ermit Control elements is provided which characterize the latter inventive solution to this problem the first and a second transmission state are characterized in that they have an operating input and in which a setting circuit is provided with the control elements ver input connections to the logic elements for linked current paths, and in dependent wedge their selective setting according to the specified io of the supplied control signals the remaining over binary code is provided. leading the controls from the first to the

Die Wirtschaftlichkeit der Herstellung von inte- zweiten Übertragungszustand gemäß dem vorgegebe-The economic efficiency of the production of inter- second transmission state according to the specified

grierten Halbleiterschaltungen beruht vor allem auf nen Binärcode bewirkt.integrated semiconductor circuits is mainly based on a binary code.

der Übereinstimmung der wesentlichen Bearbeitungs- Bei einer solchen Anordnung ist nur eine vervorgänge für eine grüße Anzahl von gleichzeitig in 15 gleichsweise geringe Anzahl von Schaltungsstufen der Bearbt-i'ung befindlichen Schaltungseinheiten. erforderlich, die grundsätzlich nach der Formierung Eine individuelle Anpassung von Schaltungseinheiten alle in Funktion bleiben können, während nur einfür besondere Aufgaben macht dagegen viele der zelne Steuerelemente innerhalb der Stufen selektiv wirtschaftlichen Herstellungsvorteile hinfällig. Ande- von einem Übertragungszustand in den anderen überrerseits ist eine derartige Anpassung in vielen Fällen 20 geführt werden. Daraus ergibt sich ein geringerer gerade erforderlich. Beispielsweise müssen Schaltun- Schaltungsaufwand und eine geringere Anzahl von gen ;:ur Zeichenerkennung, etwa im Serienbetrieb Anschlußleitungen. Die Erfindung ermöglicht ferner arbeitende Pulsfolgedetektcren, auf bestimmte, für die Formierung einer entsprechend aufgebauten einzelne Schaltungseinheiten unterschiedlich vorge- Grundschaltung sowohl als Zeichenerkenner wie gebene Pulskombinationen ansprechen und bei Über- 35 auch als Zeichengenerator. Auch lassen sich Register einstimmung der empfangenen Fülskombinationen und insbesondere Schieberegister in gleicher Weise mit einem vo,gegebenen Binärcode ein entsprechen- aus einer geeigneten Grundschaltung formieren, wodes Ausgangssignal lie^fern. Perartige Anwendungen mit eine überaus große Vielseitigkeit und Anpasfinden sich unter anderem in der Fernsprech-Ver- sungsfähigkeit erreicht ist.In such an arrangement, only one process is required for a large number of circuit units located simultaneously in 15, equally small, number of circuit stages of the processing. An individual adaptation of circuit units can all remain in function, while only one for special tasks, on the other hand, makes many of the individual control elements within the stages, selective economic manufacturing advantages, unnecessary. On the other hand, such an adaptation can be carried out in many cases from one transfer state to the other on the other hand. This results in a lower straight requirement. For example, circuit complexity and a smaller number of genes;: ur character recognition, for example connecting lines in series operation. The invention also enables working pulse train detectors to respond to certain, for the formation of a correspondingly constructed individual circuit unit, differently pre-basic circuit both as a character recognizer as given pulse combinations and, in the case of over- 35, also as a character generator. Also, registers can match the received Fülskombinationen and in particular the shift register in the same manner with a vo, given binary code, a corresponding of a suitable basic circuit form, wodes output signal lie ^f s. Perartige applications with a very great versatility and Anpasfinden inter alia in the telephone - Resilience is achieved.

mittlungstechnik u. dgl. Demg. .näß müssen hierfür 30 Die Erfindung wird weiter an Hand von Ausfüh-averaging technology and the like demg. .wet must for this 30 The invention is further based on execution

einzelne Schaltungseinheiten hergestellt werden, die riingsbeispielen erläutert, die in den ZeichnungenIndividual circuit units are produced, the ring examples explained in the drawings

auf unterschiedliche Signalkombinationen ansprc- dargestellt sind. Hierin zeigtare shown on different signal combinations. Herein shows

chcn. Die äußerst geringe Größe integrierter Schal- Fig. 1 das Prinzipschema einer ersten Ausfüh-chcn. The extremely small size of the integrated scarf Fig. 1 the schematic diagram of a first execution

tungseinheiten macht jedoch einen einfachen Zugriff rungsform der erfindungsgerc'ißen Schaltung,processing units makes a simple access form of the circuit according to the invention,

für die Durchführung entsprechender Schaltungs- 35 Fig. 2 ein Pulsdiagramm zur Erläuterung derfor the implementation of corresponding circuit 35 Fig. 2 shows a pulse diagram to explain the

änderungen unmöglich. Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 1,changes impossible. Mode of operation of the circuit according to FIG. 1,

Es sind daher bereits Zuordner für BinärzeHien Fig. 3 einen abgewandelten Schaltungsteil entin Form von Matrixschaltungen bekanntgeworden sprechend einem Abschnitt der Schaltungsanord-(siehe »IBM Technical Disclosure Bulletin«, Bd. 10, nung gemäß Fig. 1,Allocators for binary characters are therefore already shown in FIG. 3, a modified part of the circuit The form of matrix circuits has become known speaking of a section of the circuit arrangement (see "IBM Technical Disclosure Bulletin", Vol. 10, according to FIG. 1,

Nr. I, Juni 1967, S. 95), bei denen im Fertigungszu- 40 Fig. 4 eine körperliche Darstellung einer inte-No. I, June 1967, p. 95), in which in the production area 40 Fig. 4 is a physical representation of an inte-

stand für jeden Kreuzungspunkt der Matrix eine vor- grierten Halbleiterschaltung gemäß Fig. 4,there was a pre-integrated semiconductor circuit according to FIG. 4 for each crossing point of the matrix,

bereitete Sciialtverbindung über einen Transistor mit Fig. 5 eine .schematische Ansicht eines Formier-prepared sciialt connection via a transistor with FIG. 5 a .schematic view of a forming

einem schmelzbaren Anschlußleiter vorgesehen ist. gerätes zur Anwendung bei einer Schaltung gemäßa fusible connecting conductor is provided. device for use in a circuit according to

Durch Beaufschlagung der zugehörigen Zeilen- und Fig. 1 undBy acting on the associated line and Fig. 1 and

Spaltenleitung mit einem entsprechend starken 45 Fig. 6 eine Wahrheitstafel zur Erläuterung derColumn line with a correspondingly strong 45 FIG. 6 shows a truth table for explaining the

Strompuls kann eine jede Schaltverbindung selektiv Wirkzustände der Logigelemente in einer anderenCurrent pulse can selectively activate each switching connection in another

zum Abschmelzen gebracht und damit unterbrochen Ausführung der erfindungsgemäßen Schaltung,brought to melt and thus interrupted execution of the circuit according to the invention,

werden. Auf diese Weise läßt sich grundsätzlich Fig. 1 zeigt eine Mehrzahl von Stufen eines alswill. In this way, basically Fig. 1 shows a plurality of stages as a

durch entsprechende Ansteuerung der Anschlüsse Beispiel wiedergegebenen Zeichenerkenners 10. Dreiby appropriate control of the connections example reproduced character recognizer 10. Three

einer solchen Matrix und ohne mechanischen Ein- 5° dieser Stufen 51, 52, 53 sind beispielsweise ange-such a matrix and without mechanical 5 ° of these steps 51, 52, 53 are, for example,

triff in die Schaltung eine individuell vorgegebene deutet, deren jede als Logigelemente eine Λ-Kipp-meet in the circuit an individually specified one, each of which as logic elements a Λ-toggle

Dtirchsclialtung bzw. Zuordnung zwischen einem schaltung und eine ß-Kippschaltung aufweist. DieseDtirchsclialtung or assignment between a circuit and a ß-flip-flop. This

Eingangsvielfnch und einem Ausgangsvielfach her- Kippschaltungen sind mit FFi A, FFiB, FFIA ... Input multiple and one output multiple flip-flops are available with FFi A, FFiB, FFIA ...

»teilen. bezeichnet, wobei die Ziffer die Stufe der betreffen-"divide. referred to, whereby the number indicates the level of the relevant

Nachteilig bei dieser bekannten Ausführung einer 55 den Kippschaltung angibt. Jede Stufe umfaßt fernerA disadvantage of this known embodiment of a 55 indicates the toggle switch. Each stage also includes

formierbaren Matrixsclialtung ist die vergleichsweise einen A- und einen fl-Transistor TlA, TlB₁ The formable matrix circuit is the comparatively one A and one fl transistor TlA, TlB ₁

große Anzahl von Gingangs- und Ausgangsanschlüs- T2A . .., wobei wiederum die Stufe der betreffendenlarge number of input and output ports- T2A. . ., again being the level of the concerned

sen sowie von Kreuzungspunkten mit entsprechenden Transistoren angegeben ist. Die Emitter der A- undsen as well as crossing points with corresponding transistors is indicated. The emitters of the A and

Transistoren und Selenverbindungen, die nach der B-Transistoren der verschiedenen Stufen sind durchTransistors and selenium compounds that are after the B transistors of the different stages are through

Formierung auf eine spezielle Paarung von Binär- So entsprechend bezeichnete, schmelzbare DiodenFormation based on a special pairing of binary fusible diodes with the appropriate designation

zeichen entsprechend der Anwendung afs nur lcs- DX A, Di B usw. sowie über EingangsanschtUsse »1«characters according to the application afs only lcs- DX A, Di B etc. as well as via input connections »1«

barer Permanentspeicher zum größten Teil keine und »0« mit entsprechenden Eingangsleitungen Cl permanent memory for the most part none and "0" with corresponding input lines C1

aktive Funktion mehr ausüben und an sich entbehr- und CO verbunden. Die genannten A- und fl-DtodenExercise more active function and in and of itself are dispensable and associated with CO. The mentioned A and fl electrodes

lieh wären. Außerdem sind derartige Matrixschnltun- stellen Steuerelemente dar, die durch einen Schmclz-would be borrowed. In addition, such matrix connections represent control elements that are

gcn im wesentlichen auf eine Funktion des Dccodic- 65 Vorgang mit entsprechend starker Strombeaufschla-gcn essentially on a function of the Dccodic process with a correspondingly strong current load

rens bzw. Umcodieren* beschränkt. gung bzw. durch einen irreversiblen Sperrdurchbruchrens or recoding * limited. or through an irreversible barrier breakthrough

Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung aus einem ersten Übertragungszustand, nämlich demThe object of the invention is therefore to create a first transmission state, namely the

tiller integrierten Halbleiterschaltung für die Zuord- sperrfähigen Zustand, in einen zweiten Übertragung-tiller integrated semiconductor circuit for the assignable-lockable state, in a second transmission-

zustand, nämlich den Kurzschlußzustand (auch in Der erstgenannte Transistor wird durch einen Pulsstate, namely the short-circuit state (also in The first-mentioned transistor is triggered by a pulse

Sperr-Richtung) überführbar sind. auf der Eingangsleitung IC, der letztgenannte Tran-Blocking direction) are transferable. on the input line IC, the latter tran-

Die Eingangsanschlüsse »1« und »0« führen Span- r.istor über den Rückstellausgang 0 der Kippschaltung nung, wenn die entsprechenden Binärsignale über die FFlB durchgeschaltet. Die in Sperr-Richtung an zugehörigen Leitungen Cl bzw. CO zugeführt wer- 5 der Diode DlA liegende Spannung ist darin gleich den. Die Kollektoren eines jeden Paares von A- und der Differenz zwischen dem Potentialen der Leitunß-Transistoren sind parallel mit dem Emitter eines gen IC und CC, von denen die letztere während der zugehörigen, weiteren Transistors TlC bzw. T2C Formierung des Zeichenerkenners auf entsprechen- bzw. T3C verbunden. Die Kollektoren dieser zusatz- dem Potential gehalten wird. Beim Kurzschließen der liehen C-Transistoren sind in jeder Stufe mit einer ία Diode Dl/! wird die Kippschaltung FFlA einge-Steuerleitung CC verbunden. Die alternativ mit Pul- stellt, mit deren Stelleingang die Kollektoren der sen beaufschlagbaren Eingangslßitungen Cl und C2 Transistoren TlA und TlB verbunden sind. Somit sowie die als gemeinsamer Gegenpol dienende Steuer- wird das Tor Gl durch den Puls PGl zum Zeitleitung CC bilden eine Betriebs-Eingangsschaltung, punktti freigegeben. Ein PuIsPTGC wird zum Zeitüber die im Beispielsfall sowohl die zur Formierung 15 punkt/3 der LeitungPGC nach Beendigung des Pulvorgegebene Pulsfolge als auch die im Betrieb nach ses»l« zugeführt. Durch den Puls PTGC wird das der Formierung auszuwertenden Pulsfolgen züge- Tor Gl durchgeschaut und die Kippschaltung führt werden. FFlB eingestellt, wie a^s in F i g. 2 durch den PulsThe input connections "1" and "0" lead the voltage transistor via the reset output 0 of the flip-flop circuit when the corresponding binary signals are switched through via the FFIB . The in-the reverse direction on associated lines Cl and CO advertising fed 5 of the diode DlA opposite voltage is equal to the. The collectors of each pair of A and the difference between the potentials of the Leitunß transistors are parallel to the emitter of a gene IC and CC, of which the latter correspond to or during the associated, further transistor TlC or T2C formation of the character recognizer . T3C connected. The collectors of this additional potential is kept. When short-circuiting the borrowed C-transistors are in each stage with a ία diode Dl /! the flip-flop FFlA is connected to the control line CC . The alternatively with pulse sets, to whose control input the collectors of the input lines C1 and C2, transistors T1A and T1B, which can be acted upon, are connected. Thus, as well as the control which serves as a common opposite pole, the gate Gl is released by the pulse PGl to the timing line CC forming an operating input circuit, point ti . A PuIsPTGC is supplied with both the pulse sequence specified for formation 15 point / 3 of the line PGC after the end of the pulse and the pulse sequence given during operation after ses "1" in the example. Through the pulse PTGC , the pulse trains to be evaluated for the formation are looked through gate Gl and the toggle switch leads. FFlB set as a ^ s in F i g. 2 by the pulse

Zur Rückstellung der A-Kippschaltungen und B- PFFlB zum Zeitpunkt /3 angedeutet ist. Die Tran-Kippschaltungen ist je eine Leitung IRC bzw. IBRC 20 sistoren 7 2/1 und T2ß werden somit durch die Wirvorgesehen. Diese Leitungen sind entsprechend mit kung des Fortschaltkreises freigegeben, d. h. zum Rückstelleingängen R der zugehörigen Kippschaltun- Durchschalten vorbereitet.To reset the A flip-flop and B-PFFIB at time / 3 is indicated. The Tran flip-flops are each a line IRC or IBRC 20 sistors 7 2/1 and T2ß are thus provided by the Wirvor. These lines are released accordingly when the incremental circuit is activated, ie prepared for the reset inputs R of the associated toggle switching.

gen in allen Schaltungsstufen verbunden. Die Koüek- Der nächste codierte Eingangsimpuls hat den toren der A- und ß-Transistoren einer jeden Stufe Binänvert »0« und ist in Fig. 2 entsprechend beim sind mit dem Stelleingang S der zugehörigen /1-Kipp- 25 Zeitpunkt /4 angedeutet. Die Diode DlB wird nun schaltung verbunden, während der Stellausgang I durch entsprechende Beaufschlagung mit einer Spaneiner jeden /(-Kippschaltung über ein Tor Gl bzw. nungsdifferenz zwischen den Leitungen CO und CC G 2 bzw. G 3 mit dem Stelleingang 5 der zugehörigen über die Kollektor-Emitter-Kreise der Transistoren ß-Kippschaltung verbunden ist. Die Stellausgänge 1 T2B und T2C beaufschlagt. Gleichzeitig wird die der letztgenannten Kippschaltungen sind mit den 30 Kippschaltung FFlA eingestellt und das Tor G2 Basen der A- und ß-Transistoren der jeweils nächst- zum Zeitpunkt i4 durch den Puls PG2 freigegeben, folgenden Stufe verbunden. Ks handelt sich somit bei Zum Zeitpunkt i5 wird wieder der Puls PTGC zugedieser Anordnung um eine Einstellschaltung mit führt. Hierdurch wird die Kippschaltung FFlB eineinem Fortschaltkreis, der die wirksame Ansteue- gestellt, während die Transistoren TiA und T3ß rung der A- und ß-Transistoren von der Einstellung 35 freigegeben werden. Der nächste codierte Eingangsder Kippschaltungen der jeweils vorangehenden Stufe puls hat bei dem angenommenen Codezeichen den abhängig macht. Die erste Stufe weist eine besondere Binänvert »1«. Demgemäß wird die Leitung Cl zum Auslöseleitung IC auf, die mit den Basen der A- und Zeitpunkt /6 mit einem Puls beaufschlagt und die ß-Transistorcn dieser Stufe verbunden ist. Diode D 3/1 in ähnlicher Weise wie bei der erstengen connected in all circuit stages. The Koüek- The next encoded input pulse has the gates of the A and ß transistors of each stage Binänvert "0" and are respectively in Fig. 2 at the set input S of the associated / 1-tilting indicated 25 time / 4. The diode DLB is now connected circuit, while the control output I by appropriate application of a tension of each of / (- to the control input 5 of the associated flip-flop via a gate Gl or voltage difference between the lines CO and CC G 2 or G 3 on the the control outputs is acted 1 T2B and T2C collector-emitter circuits of the transistors ß-flop connected.. at the same time, the last-mentioned flip-flops are set to the flip-flop 30 and the gate G2 FFLA bases of the A and ß transistors of each nächst- released at the time i4 by the pulse PG2, following stage connected. Ks thus is at the time i5 the pulse PTGC is returned to this arrangement leads to an adjusting circuit with. in this way, the flip-flop FFlB is eineinem Fort circuit that provided the effective Ansteue- while the transistors TiA and T3ß tion of the A and ß transistors are enabled by setting 35. The next codie rth input of the flip-flops of the preceding stage puls has made the dependent on the accepted code character. The first level has a special binary "1". Accordingly, the line Cl to the trigger line IC is applied to the bases of the A and time / 6 with a pulse and the ß-Transistorcn of this stage is connected. Diode D 3/1 in a similar way to the first

Die Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 1 be- 40 Stufe kurzgeschlossen. Die Pulsfolge zur FormierungThe mode of operation of the circuit according to FIG. 1 is short-circuited 40 stage. The pulse train for formation

ruht darauf, daß zunächst bestimmte A- und der dritten Stufe sind in Fig. 2 in den Zeitpunktenrests on the fact that initially certain A and the third stage are in Fig. 2 in the times

ß-Dioden zum Kurzschluß gebracht werden und da- /5 bis /7 angedeutet und in entsprechender Weiseß-diodes are short-circuited and da- / 5 to / 7 indicated and in a corresponding manner

durch eine Eingangspulsfolge festgelegt wird, auf wie bei der ersten Stufe bezeichnet,is determined by an input pulse train, as referred to in the first stage,

welche der hierdurch formierte Zeichenerkenner nun Nach Ablauf dieser Vorgänge ist der Zeichen-which the character recognizer formed in this way is now.

lelektiv anspricht. Zunächst wird hierzu ein Puls 45 erkenner für die Feststellung der Pulsfolge 101 for-responds selectively. First of all, a pulse 45 detector is used to determine the pulse sequence 101 for this purpose.

PIRC auf die Auslöseleitung IRC gegeben, der alle miert. Für den Betrieb des Zeichenerkenners mit die- PIRC given to the trigger line IRC , which mates everyone. For the operation of the character recognizer with the

/J-Kippschaltun^en über die Eingänge R zurückstellt, ser Pulsfolge wird nun die Spannung auf Leitung CC / J-Kippschaltun ^ en over the inputs R resets, this pulse sequence is now the voltage on line CC

wie dies für den Zeitpunkt /1 in F i g. 2 angedeutet so weit geändert, daß die verbleibenden Dioden inas is the case for the point in time / 1 in FIG. 2 indicated so far that the remaining diodes in

ist. Mit dem Puls PIRC tritt ein weiterer Puls PI3RC jeder Stufe unterhalb ihrer Sperr-Durchbruchsspan-is. With the pulse PIRC , another pulse PI3RC occurs at each stage below its blocking breakdown voltage.

ftuf Leitung IBRC auf, der alle B-Kippschaltungen 50 nung vorgespannt sind.ftuf line IBRC to which all B flip-flops 50 are biased.

über die Eingänge R zurückstellt. Gleichzeitig wird Durch eine entsprechende Dingangspulsfolge wirdresets via the inputs R. At the same time, a corresponding input pulse sequence is

der Leitung CC durch den in Fi g. 2 zum Zeitpunkt die Kippschaltung FFiB der letzten Stufe nach einerthe line CC through the in Fi g. 2 at the time the flip-flop FFiB of the last stage after a

11 angedeuteten Puls PCC eine Spannung zugeführt. vorgegebenen Anzahl von Pulsen unter der Wirkung11 pulse PCC indicated is supplied with a voltage. predetermined number of pulses under the effect

Eine positive Spannung gelangt ferner zum Zeitpunkt des Fortschaltkreises eingestellt. Der FortschaltkreisA positive voltage is also set at the time of the incremental circuit. The incremental circuit

Il auf Leitung IC, um die Transistoren TlA und 55 befördert somit den Zustand der Freigabe einer StufeIl on line IC to the transistors TlA and 55 thus promotes the state of the release of a stage

TlB zur Durchschaltung vorzubereiten. zur Ansteuerung über die Eingangsleitungen CO bzw.Prepare TLB for connection. for control via the input lines CO resp.

Als nächstes wird den Eingangsleitungen Cl und Cl und die zu der betrefföiidefi Stufe gehörenden A- Next, the input lines Cl and Cl and the A- CO eine codierte Pulsfolge zur Formierung des durch und fl-Transistoren durch schrittweise von Stufe zu CO a coded pulse train for the formation of the through and fl transistors through step by step from stage to

die Zeichcnerkcnnerstufen gebildeten Registers züge- Stufe fortschreitende Vorbereitung der A- und B- the draftsman's levels formed register trains - level progressive preparation of the A and B

führt. Beispielsweise sei hierfür die Puls- bzw. Binär- 60 Transistoren in Abhängigkeit von der Ansteuerungleads. For example, let the pulse or binary transistors 60 depend on the control

Zeichenfolge 101 betrachtet, Zuerst wird der Ein- der jeweils vorangehenden Stufe vom Anfang zumConsidering the character string 101, the first is the one of the preceding level from the beginning to the

gangslcitung Cl zum Zeitpunkt ti gemäß Fig.2 Ende der Gesamtschaltung.gangslcitung Cl at time ti according to Figure 2 end of the overall circuit.

ein Puls zugeführt, welcher einen bleibenden Kurz- Der Einstell-Schaltzustand der Kippschaltung dera pulse is supplied, which has a permanent short The setting switching state of the toggle circuit of the

schluß der Dir.de L) VA zur Folge hat. Die Sperrvor- letzten Stufe w'rd zweckmäßig mit Hilfe einer an denconclusion of Dir.de L) VA results. The locking before the last stage is expedient with the help of a

spannung der Diode DiA wird zwischen den Ein- 65 Einstellausgang dieser Kippschaltung angeschtossc-voltage of the diode DiA is connected between the input 65 setting output of this flip-flop

gangsleilungen Cl und CC zugeführt. Die genannte nen Ausgangsschaltung U festgestellt, die nach ArtGangsleilungen Cl and CC supplied. The above-mentioned output circuit U was established, which according to Art

Diode liegt im Kollektor-Emitter-Kreis des Transi- eines über den Einstellausgang der KippschaltungThe diode is located in the collector-emitter circuit of the transi- one via the setting output of the multivibrator

stors TlA und in demjenigen des Transistors TlC. FFiB freigegebenen und durch einen Synchronpulsstors TlA and that of the transistor TlC. FFiB enabled and by a synchronous pulse

durcligeschalteten Tores arbeiten kann. Die Aus- funktionsmüßig angedeuteten Kippschaltungen in gangsschaltung U liefert z. B. einen Puls, der etwa zur Fig. 3 im einzelnen wiedergegeben. Der Verstand-Freigabe des Empfangs einer Nachricht verwendet lichkeit halber sind die Elemente einer jeden Kippwerden kann. schaltung in einer Weise bezeichnet, welche dieswitched gate can work. The flip-flops indicated in the output circuit U deliver z. B. a pulse reproduced in detail about FIG. 3. The mind-releasing the receipt of a message is used for sake of convenience, the elements of any can be tilted. circuit in a way that the

Nunmehr wird die Arbeitswaise der Schaltung 5 Indentifizierung im Aufbauschema gemäß Fig. 4 ernach Fig. 1 bei ankommender Puisfolge 101 im Ein- leichtert. Die Kippschaltung VVlA in Fig. 1 um zelnen betrachtet. Der erste Puls»l« erscheint auf faßt z.B. drei Transistoren Qi, Ql und Q3 sowie Leitung Cl, wodurch die Kippschaltung Ζ="/=" 1/1 über fiirtf Widerstände Rl bis RS. Die Kippschaltung die kurzgeschlossene Diode DiA eingestellt wird. VFlB umfaßt entsprechend Transistoren Q9, Qlfl Hierauf wird ein Pul» auf Leitung TGC zum Durch- io und Qti sowie Widerstände Rb bis R9. Die Wirschalten des Tores (71 und entsprechend zum Ein- kungsweise der an sich Üblichen Kippschaltungen bestellen der Kippschaltung VViB gegeben. Der darf keiner Erläuterung.Now the working orphan of the circuit 5 identification in the construction scheme according to FIG. 4 after FIG. 1 is made easier for an incoming pulse sequence 101. The flip-flop VVIA in Fig. 1 is viewed individually. The first pulse "1" appears on, for example, three transistors Qi, Ql and Q3 as well as line Cl, whereby the flip-flop circuit Ζ = "/ =" 1/1 via fiirtf resistors R1 to RS. The flip-flop circuit is set to the short-circuited diode DiA. VFlB comprises corresponding transistors Q9, Q lfl Then a Pul "on line TGC for transit io and Qti and resistors Rb to R 9. The Wirschalten of the gate is of action of (71 and accordingly to switch the per se conventional flip-flops of flip-flop order VViB given. He must not give any explanation.

nächste ankommende Puls »flc erscheint auf Leitung Die Elemente der integrierten Schaltung werden innext incoming pulse »flc appears on line The elements of the integrated circuit are in

CO. Nun wird die Kippschaltung VVlA über die üblicher Technik auf einer einzigen SiliziumscheibcCO. Now, the flip-flop VVIA is using the usual technology on a single silicon wafer

kurzgeschlossene Diode DlB eingestellt. Ein nach- ij von geringen Abmessungen hergestellt, wobei dershort-circuited diode DlB set. A nach- ij made of small dimensions, the

ster Puls auf Leitung 7C7C bewirkt die Durchschal- Herstellungäprozeß eine Folge von Photomaskie-The first pulse on line 7C7C causes the switch-through manufacturing process, a sequence of photomasking

tung des Tores (H und die Einstellung der Kipp- rungs-. Diffusions-, Aufdampf-. Aufsprüh- und ande-control of the gate (H and the setting of the tilting, diffusion, vapor deposition, spraying and other

schaltung VVlB. Der nächste ankommende Puls ren Verfahrensschritten umfaßt. Im folgenden wirdcircuit VVlB. The next incoming pulse comprises ren process steps. The following will

»1« erscheint auf Leitung Cl, wodurch die Kipp- die Herstellung der vorliegenden integrierten Schal-»1« appears on line Cl, whereby the tilting the production of the present integrated switching

schaltiung VV3A über die kurzgeschlossene Diode *o tung gemäß Fig. 3 und 4 nur in einem solchen Um- circuit VV3A via the short-circuited diode * o device according to FIGS. 3 and 4 only in such a

DiA «ingestellt wird. Der nächste Puls auf Leitung fang erläutert, der zum Verständnis der Erfindungs- DiA «is set up. The next pulse on line fang explained, which is necessary to understand the invention PGC bewirkt die Durchschaltung des Tores Gi, wel- merkmale dienlich ist. PGC causes gate Gi to be switched through, which is useful.

ches seinerseits die Kippschaltung VViB einstellt. Die integrierte Schaltung gemäß Fig. 4 wird z.B.ches in turn sets the flip-flop VViB . The integrated circuit according to FIG. 4 is, for example

Die Ausgangsschaltung U stellt nun die Übereinstim- aus eiiwr einzelnen, p-leitender Siliziumscheibe mitThe output circuit U now provides the correspondence from eiiwr individual, p-conductive silicon wafer with

mung mit der vorgegebenen Pulsfolge fest und liefet ι is einer n-feitenden Epitaxial-OberRächenschicht herge-mation with the specified pulse sequence and delivers ι is an n-conducting epitaxial surface layer produced

auf den nächstfolgenden Synchronpuls hin ein ent- stellt. Die Schaltungselemente sind voneinandera distorted on the next following synchronous pulse. The circuit elements are from each other

sprechendes Signal. Auf den Synchronpuls folgen durch hochdotierte Bereiche (H)-'" Atome pro cm·¹]speaking signal. The synchronous pulse is followed by highly doped areas (H) - '"Atoms per cm · ¹ ]

weitere Pulse auf den Leitungen IRC und IBRC. wc isoliert, die durch Diffusion gebildet und in F i g. 4further pulses on the lines IRC and IBRC. wc isolated, formed by diffusion and shown in FIG. 4th

durch alle Kippschaltungen zurückgestellt und in den mit H bezeichnet sind. Diese Isolierzonen werdenreset by all flip-flops and denoted by H in the. These isolation zones are

Ausgangszustand für eine nächstfolgende Eingangs- 30 üblicherweise vor der Bildung der einzelnen Schal-Initial state for a subsequent input 30 usually before the formation of the individual switch

pulsfolge übergeführt werden. Auf Leitung /C wird tungselemente und vor der Herstellung der Anpulse train are transferred. On line / C is processing elements and before the production of the An

wieder eine Spannung gegeben. Schlußleiter durch Photomaskierung hergestellt undagain given a tension. Final conductor made by photo masking and

Weiterhin soll nun die Wirkungsweise der Schal- unterteilen die Halbleiterscheibe in im wesentlichenFurthermore, the mode of operation of the shell should now essentially subdivide the semiconductor wafer

tung nach Fig. I für den Fall einer abweichenden rechteckförmige Flächenbereiche. Diese Flächt-\\W device according to Fig. I for the case of a different rectangular surface areas. This flat - \\ W

Eingangspulsfolge, und zwar beispielsweise der Puls- 35 reiche sind auch in Fig. 3 entsprechend angedi .1.Input pulse sequences, specifically for example the pulse ranges, are also indicated accordingly in FIG. 3 .1.

folge001, betrachtet werden. Der erste empfangene In Fig. 4 sind die Diffusionsbereiche durch siiu.i¹ follow001. The first received in Fig. 4 are the diffusion regions through siiu.i ¹

Puls »0« trifft auf Leitung CO ein. Da die Diode fierteStreifen wiedergegeben, welche die nicht siIh.ι'Pulse "0" arrives on line CO. Since the diode reproduced stripes which are not visible DiB sperrt, wird die Kippschaltung VViA nicht fierten Fmitterbereiche umgeben. Anschlußvcrh·: DiB locks, the flip-flop VViA is not surrounded fierten Fmitterbereiche. Connection:

eingestellt, das Tor Gl nicht freigegeben und die düngen sind durch sUeifenförmige, nicht schraffu.iset, the gate Gl is not released and the fertilizers are by soap-shaped, not hatched

Kippschaltung VViB durch den nächstfolgenden 40 Zonen wiedergegeben, während durch unterbrr.< Iu·ιToggle switch VViB reproduced by the next 40 zones, while by interrupt. <Iu · ι Puls auf Leitung TGC nicht eingestellt. Der nächste Linien angedeutete Flächenbereiche überbrückt,Pulse on line TGC not set. The next lines indicated areas bridged, Eingangspuls, obwohl an sich mit der vorgegebenen verbindungen wiedergeben, die z. B. nach der i <-■ Input pulse, although reproduced in itself with the specified connections, the z. B. after the i <- ■ Pulsfolge übereinstimmend, hat keine Einstellung nik der Traganschlußleiter hergestellt werdenPulse sequence matching, no setting nik of the support connection conductor has to be made

einer zugehörigen A -Kippschaltung zur Folge, da die Einer der Diodenabschnitte D 2 A und Dl an associated A flip-flop circuit, since the one of the diode sections D 2 A and Dl

zugehörigen A- und /!-Transistoren nicht freigegeben 45 Fig. 4 sei näher beschrieben. Diese Diodeassociated A and /! transistors not released 45 Fig. 4 will be described in more detail. This diode

sind. Wenn der Synchronpuls zur Abfrage auf Emp- durch einen p-leitenden Diffusionsbereich «ißare. When the synchronous pulse for interrogation of reception is through a p-conducting diffusion area

fang der vorgegebenen Pulsfolge zugeführt wird. quadratischer Form mit angewachsener Silizi"Fang is fed to the predetermined pulse train. square shape with grown silicon "

unterbleibt die Einstellung der Kippschaltung FViB. the setting of the toggle switch FViB is omitted. oxydschicht gebildet. In letzterer wird eine qiwoxide layer formed. In the latter, a qiw

so daß also die Ausgangsschaltung U kein Signal ab- tische Aussparung freigelegt und anschließend tso that the output circuit U does not expose any signal from the table recess and then t

gibt. 50 aufeinanderfolgenden Schichten von Titan (200 Äiuare. 50 successive layers of titanium (200 eu

Es wurde eine erfindungsgemäße Schaltung mil ström) und Gold (10 000 Angström) versehen. DiiA circuit according to the invention was provided with mil ström) and gold (10,000 angstroms). Dii

ihrer Wirkungsweise zur irreversiblen Programmie- Diode wird durch Leiter 42 und 43 kontaktiert, dietheir mode of action to the irreversible programming diode is contacted by conductors 42 and 43, the

rung für eine ankommende Signalkombination sowie in üblicher Technik aufgebracht werden können,can be applied for an incoming signal combination as well as in conventional technology,

die Wirkungsweise der Einrichtung nach erfolgter Die Dioden in Fig. 4 werden durch Einlegierenthe operation of the device after the diodes in Fig. 4 are alloyed

Formierung beschrieben. Die Vorteile einer solchen 55 von Titan-Gold in das n-Ieitende EpitaxialsubstraiFormation described. The advantages of such a 55 of titanium-gold in the n-conductive epitaxial substrate Schaltung treten insbesondere bei Betrachtung einer selektiv kurzgeschlossen. Bei Kurzschluß der DiodeCircuit occur especially when considering a selectively short-circuited. In the event of a short circuit in the diode

integrierten Schaltung mit einem Aufbau gemäß DlB ergibt sich ein bevorzugter Strompfad ent-integrated circuit with a structure according to DlB results in a preferred current path

Fig. 1 hervor. Der Einfachheit halber wird die Be- sprechend der Feststellung des Binärsignals NullFig. 1 shows. For the sake of simplicity, the description of the determination of the binary signal is zero

trachtung auf eine integrierte Schaltung beschränkt. Dieser Strompfad ist in F i g. 3 durch den punktierlimited to an integrated circuit. This current path is shown in FIG. 3 through the puncture

die einer einzigen Stufe aus F i g. 1 entspricht. Es 60 ten, mäanderförmig verlaufenden Streifen 44 angethat of a single stage from FIG. 1 corresponds. There 60 th, meandering strips 44 are attached

versteht sich jedoch, daß die integrierte Schaltung in deutet.however, it is to be understood that the integrated circuit is indicative of FIG.

bekannter Weise eine beliebige Anzahl derartiger In der Schaltung gemäß Fig. 3 sind zwei Transi-known way any number of such. In the circuit according to FIG. 3, two transi-

Stufen umfassen kann. stören TlC(Y) und TlC(I) vorhanden. Der erstge-May include stages. interfere with TlC (Y) and TlC (I) . The first Fig. 3 zeigt die Einzelheiten der Schaltungsan- nannte Transistor ist hinsichtlich seiner Leistung füi3 shows the details of the circuit called transistor with regard to its performance Ordnung der eine Stufe umfassenden integrierten 65 logische Steueraufgaben ausgelegt, während deiOrder of the integrated 65 logical control tasks comprising one stage, while the Schaltung, deren räumlicher Aufbau aus F i g. 4 her- zweitgenannte Transistor einen höheren Strom (ζ. ΒCircuit, the spatial structure of which is shown in FIG. 4 her- second named transistor has a higher current (ζ. Β

vorgeht. Die Schaltungselemente sind gemäß F i g. 1 25 mA) führt, wie dieser zum Schmelzen der Diodengoing on. The circuit elements are shown in FIG. 1 25 mA), like this one, leads to the melting of the diodes

bezeichnet, jedoch sind die dort nur in Blockform benötigt wird. Durch diese Verwendung von zweireferred to, but they are only needed there in block form. By using this two

I^I ^ 88th

Transistoren wird die Dauerleistung der Kippschal- Der Kollektor des Transistors 110 ist mit derrTransistors, the continuous output of the toggle switch The collector of transistor 110 is with derr

tungen verringert. Kollektor des Transistors TCl und die Basis de!reduced. Collector of transistor TCl and the base de!

Vorangehend wurde die individuelle Ausbildung Transistors 110 in jeder Stufe parallel z. B. mit derrAbove, the individual training transistor 110 was in each stage in parallel z. B. with derr

von serienmäßig hergestellten, übereinstimmenden Formiergerät 100 gemäß F i g. 5 verbunden, worübeiof series-produced, matching forming device 100 according to FIG. 5 connected, whereby

integrierten Schaltungen durch selektives Kurzschlie- 5 entsprechende Pulse zugeführt werden. Zum Kurzintegrated circuits are supplied by selective short-circuiting 5 appropriate pulses. For short

fVn vein Dioden erläutert. Wie jedoch bereits in der schließen der /!-Dioden werden durch entsprechendefVn vein diodes explained. However, as in the closing of the /! Diodes are activated by appropriate

Einleitung angedeutet, können die integrierten "spätere Pulsbeaufschlagung der Transistoren 110 dieIndicated in the introduction, the integrated "subsequent pulsing of the transistors 110 can

Schaltungen auch für eine Formierung durch Unter- Λ-Kippschaltungen der betreffenden SchaltungsstuCircuits also for formation by sub-Λ flip-flops of the relevant Schaltungsstu

brechung bestimmter Dioden und entsprechende fen eingestellt, während zum Kurzschließen deibreaking of certain diodes and corresponding fen set, while to short-circuit the dei

Aktivierung eines Parallelpfades für die normale io ß-Dioden die entsprechenden ß-KippschaltungerActivation of a parallel path for the normal io ß-diodes the corresponding ß-toggle switch

Wirkungsweise ausgelegt werden. Hierbei wird in einzustellen sind. Ein zusätzlicher Transistor 12(Effectiveness are designed. Here are to be set in. An additional transistor 12 (

einer bezüglich der gegebenen Erläuterungen ahn- zwischen je zwei benachbarten Schaltungsstufen erone with regard to the explanations given ahn- between every two adjacent circuit stages er

liehen Weise verfahren, und zwar z. B. unter Anwen- möglicht die Verschiebung der so gespeicherten Inborrowed way, namely z. B. Under Applicable, it is possible to move the In saved in this way

dung einer Verdampfung der entsprechenden Dioden- formation zu einer Ausgangsstufe für die Erzeugungformation of an evaporation of the corresponding diode formation to an output stage for the generation

verbindungen zur Unterbrechung des Strompfades. 15 der speziell verlangten Pulsfolge. Fig. 3 zeigt ferneiconnections to interrupt the current path. 15 of the specially requested pulse train. Fig. 3 also shows

Hierbei können auch zueinander gegensinnig gepolte den Emitter-Kollektor-Kreis eines zusätzlichen, zwiIn this case, the emitter-collector circuit of an additional, zwi can also be polarized in opposite directions

Schaltungselemente verwendet werden. sehen I eitung IC und dem Kollektor des TransistorCircuit elements are used. see line IC and the collector of the transistor

Fig. 5 zeigt die Draufsicht eines Formiergerätes T1C angeordneten Transistors, dessen Basis in jedeiFig. 5 shows the plan view of a forming device T1C arranged transistor, the base in each

100 mit Leistungsstromquelle. Dieses Gerät kann Stufe elektrisch parallel über eine Außenleitung 121100 with power source. This device can stage electrically in parallel via an outside line 121

von einer Bedienungsperson mitgeführt und zur 10 mit einer zusätzlichen, nicht dargestellten Klemmecarried by an operator and to 10 with an additional, not shown clamp

selektiven Formierung von integrierten Mehrzweck- des Formiergerätes 100 verbunden ist.selective formation of integrated multi-purpose of the forming device 100 is connected.

schaltungen verwendet werden. Das Gerät umfaßt Fig. 6 zeigt eine Wahrheitstafel für die Binärcircuits are used. The apparatus comprises Fig. 6 shows a truth table for the binary

τ, B. zwei Kippschalter 1 und 2 sowie eine Mehrzahl informationen in einem mehrstufigen Mehrzweck τ, B. two toggle switches 1 and 2 and a lot of information in a multi-stage multi-purpose

von Druckknopfschaltern 3 bis 9. Mit Hilfe der Zeichengenerator nach Art der Schaltung gemälof push-button switches 3 to 9. With the help of the character generator according to the type of circuit gemäl

Kippschalter wird die Leitung CC der Schaltung 35 Fig. 3 mit Transistoren 110 und 120 in jeder SchalToggle switch becomes line CC of circuit 35 Fig. 3 with transistors 110 and 120 in each switch

nach F i g. 3 mit höherer bzw. niedriger Leistung tungsstufe. Die Spalten der Tafel sind in der Reihenaccording to FIG. 3 with higher or lower performance level. The columns of the board are in line

zum Formieren und anschließenden Prüfen der folge von links nach rechts entsprechend den die beto form and then check the sequence from left to right according to the be

.vlehrzweckschaltung beaufschlagt. Mit Hilfe der treffende Information speichernden Kippschaltunget.Purpose circuit acted upon. With the help of the appropriate information storing toggle switch

Druckknopfschalter 3, 4 und 8 werden Pulse auf die bezeichnet. Die Zeilen der Tafel sind entsprechenePush-button switches 3, 4 and 8 are called pulses on the. The lines on the table are the same

Leitungen Cl. CO und TCJC in Fig. 3 gegeben. Mit 30 denjenigen Leitungen in Fig. 3 bezeichnet, die. wiiLines Cl. CO and TCJC given in Figure 3. With 30 denotes those lines in Fig. 3, the. wii

Hilfe der Druckknopfschalter 6 und 7 werden Pulse in der Tafel angegeben, ?ur Bewegung von gespeiWith the help of the push-button switches 6 and 7, pulses are indicated in the board for movement of stored

zum Rückstellen der A- und /?-Kippschaltungen in cherter Information mit Pulsen beaufschlagt werdento reset the A and /? flip-flops in cherter information with pulses

Fig. 1 ausgelöst, während der Druckknopfschalter5 Die Folge beginnt in der obersten Zeile der Tafel miFig. 1 triggered while the pushbutton switch 5 The sequence begins in the top line of the table mi

zur Impulsgabe auf Leitung IC in Fig. 3 und damit der gleichzeitigen Pulsansteuerungder Leitungen IBRC for pulse generation on line IC in Fig. 3 and thus the simultaneous pulse control of the lines IBRC

zur Anfangseinstellung des Systems dient. Ferner ist 35 und IRC . wodurch alle Kippschaltungen auf nulis used for the initial setting of the system. Furthermore is 35 and IRC . whereby all flip-flops are set to zero

ein Meßgerät M zur Überwachung des Zustandes eingestellt werden. Im folgenden sei nun angenoma measuring device M can be set to monitor the state. In the following it is now assumed

einer abgefragten Schaltungsstufe während des Prüf- men, daß wie beim vorangehend diskutierten Beispiea queried circuit stage during the test that as in the example discussed above

Vorganges sowie eine Anschlußfassung Γ zum Ein- die Dioden DlA und DiA kurzgeschlossen werdetProcess as well as a connection socket Γ for one the diodes DlA and DiA are short-circuited

setzen der zu bearbeitenden integrierten Schaltung sollen. Alle Basen der Transistoren 110 werden seiset the integrated circuit to be processed. All of the bases of the transistors 110 will be

vorgesehen. Die tragbare Vorrichtung ist in ihren 40 dann mit entsprechenden Pulsen angesteuert und daintended. The portable device is then triggered in its 40 with appropriate pulses and there

Abmessungen kleiner als ein üblicher Fernsprech- durch nur die Kippschaltungen FFlA und FF3/Dimensions smaller than a conventional telephone due to only the flip-flops FFlA and FF 3 /

apparat mit Tastschaltern und hat ein entsprechend eingestellt. Sodann wird der Leitung TaC ein PuI¹ apparatus with push-button switches and has set one accordingly. The line TaC then becomes a PuI ¹

geringeres Gewicht. Die Schaltung des Formierge- zugeführt, welcher lediglich die auf die eingesteiltcilower weight. The circuit of the Formierge is supplied to which only the assigned to the ci

rätes 100 zur Erzeugung der Pulsfolgen gemäß /!-Kippschaltungen folgenden ß-Kippschaltungen einadvises 100 to generate the pulse trains according to /!

Fig. 2 ist von üblicher Art und bedarf keiner Er- 45 stellt. Sodann wird die Leitung IRC gepulst und daFig. 2 is of the usual type and does not need to be drawn up. Then the line IRC is pulsed and there

läuterung. durch die Rückstellung ausschließlich der eingcstellpurification. due to the resetting, only the setting

Die Formierung einer integrierten Mehrzweck- ten /!-Kippschaltungen hervorgerufen. Sodann wireThe formation of an integrated multi-purpose / flip-flop circuit. Then wire

schaltung als Pulsfolgedetektor veranschaulicht die die Leitung 121 gepulst, was die Einstellung der deicircuit as a pulse train detector illustrates the line 121 pulsed, what the setting of the dei

Anpassungsfähigkeit einer erfindungsgemäßen Schal- eingestellten Schaltungen nächstgelegenen Λ-KippAdaptability of a switch according to the invention-adjusted circuits closest Λ-tilt

lung, da die Detektoren nach der Formierung zwang- 50 schaltungen zur Folge hat. Beim Pulsen der I.eitunibecause the detectors result in forced switching after formation. When pulsing the I.eituni

läufig übereinstimmen. Eine noch weitergehende An- IRRC wird die eingestellte ß-Kippschaltung zurückcoincide with each other. An even further on IRRC will switch back the set ß-toggle switch

passungsfähigkeit kann jedoch mit Mehrzweckschal- gestellt. Die cespeicherte Information wird nun unHowever, adaptability can be made with multipurpose formwork. The stored information is now un

lungen unter Verwendung einer internen Logigschal- eine Stufe fortgeschaltet und die Schiebepulsfoleilungs using an internal logic switch advanced one level and the shift pulse screen

tung zur Voreinstellung der Wirkanordnung einer er- wiederholt.The device for presetting the active arrangement is repeated.

findungsgemäßen Schaltung erzielt werden. Zum Bei- 55 Wenn die Schaltung nur als Schieberegister verinventive circuit can be achieved. For the 55 If the circuit is only used as a shift register

spiel kann die Wirkungsweise eines Zeichengenera- wendet werden soll, so braucht hierzu lediglich dl·game, the mode of action of a character generator can be used, all that is needed is dl ·

tors wie auch diejenige eines Zeichenerkenners aus- A- oder ß-Diode der ersten Schaltungsstufc kurzeegate as well as that of a character recognizer from A or ß diode of the first circuit stage short

gehend von einer einzigen Mehrzweckschaltung, die schlossen zu werden. Die Eingangsansteuerung degoing from a single multipurpose circuit to be closed. The input control de

»ich nur geringfügig von derjenigen nach F i g. 3 Schieberegisters erfolgt durch Pulsen der Leitung Cl“I differ only slightly from the one in FIG. 3 shift register takes place by pulsing the line Cl

■nterscheidet. verwirklicht werden. In F i g. 3 ist 60 oder Cl —je nachdem, weiche Diode kurzceschlos■ makes a difference. be realized. In Fig. 3 is 60 or Cl - depending on the soft diode short-circuited

hierzu in durchbrochenen Linien ein Transistor 110 sen ist — zusammen mit einem Puls auf Leitung /(for this purpose a transistor 110 is sen in broken lines - together with a pulse on line / (

angedeutet, der für jede Stufe einer entsprechenden und an der Basis des Transistors 110 zur Freicahindicated, the for each stage of a corresponding and at the base of the transistor 110 to Freicah

Mehrstufenschaltung nach der Erfindung vorgesehen der entsprechenden Kippschaltung für das EinstellenMulti-stage circuit according to the invention provided the corresponding flip-flop for setting

ist und die Formierung sowohl eines Pulsfolgcgene- Eine mehrstufige Mehrzweckschaltime gemäß Fig..and the formation of both a pulse train gene- A multi-stage multi-purpose switchgear according to Fig.

rators wie auch eines Pulsfolgedetektors ermöglicht. 65 mit Transistoren 110 und 120 kan ι auf dijse W'eisirators as well as a pulse train detector allows. 65 with transistors 110 and 120 can ι on this W'eisi

Der Emitter eines jeden dieser Transistoren ist mit erlindungscemiiß für die Funktion ei:!'^ FolgedelekThe emitter of each of these transistors is designed for the function of a:! '^ Follow-up elec

dem Emitter z. B. des Transistors TlA verbunden. tors, eines Folgegenerators oder eines Schiebethe emitter z. B. the transistor TlA connected. tors, a sequence generator or a shift

wie dies in Fig. 3 für die zweite Stufe angedeutet ist. registers formiert werden. Für die Bildung eineas indicated in Fig. 3 for the second stage. registers are formed. For education one

ίοίο

Pulsfolgedetektors kann das Vorhandensein der Transistoren 110 und 120 mit ihren Steuer- bzw. Versorgungsleitungen unbeachtet bleiben, wie sich aus der vorangehenden Erläuterung zu Fig. 1 ohne weiteres ergibt.Pulse train detector can detect the presence of the transistors 110 and 120 with their control or Supply lines are ignored, as can be seen from the preceding explanation of FIG. 1 without further results.

Claims

Patent claims:

1. Integriert Halbleiterschaltung für die gegenseitige Zuordnung von Eingangs- und Ausgangssignalen in Abhängigkeit von einem vorgegebe- nen Binärcode, bei der eine Mehrzahl von Schaltungsstufen mit Logigelementen und mit Steuerelementen vorgesehen ist, welch letztere einen ersten und einen zweiten Übertragungszustand aufweisen, und bei der eine Einstellschaltung mit Eingangsverbindungen zu den Logigelementen für deren selektive Einstellung gemäß dem vorgegebenen Binärcode vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine Betriebs-Eingangsschaltung (Cl, CO, CC) vorgesehen ist, die ao mit den Steuerelementen (D IA, DiB...) verbundene Strompfade aufweist und in Abhängigkeit von zugeführten Steuersignalen die bleibende Überführung der Steuerelemente aus dem ersten1. Integrated semiconductor circuit for the mutual assignment of input and output signals depending on a given binary code, in which a plurality of circuit stages with logic elements and with control elements are provided, the latter having a first and a second transmission state, and the one Setting circuit with input connections to the logic elements for their selective setting according to the predetermined binary code is provided, characterized in that an operating input circuit (Cl, CO, CC) is provided which is connected to the control elements (D IA, DiB ...) Has current paths and, depending on the control signals supplied, the permanent transfer of the control elements from the first in den zweiten Übertragungszustand gemäß dem vorgegebenen Binärcode bewirkt.in the second transmission state according to given binary code.

2. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelemente Dioden aufweisen.2. Integrated semiconductor circuit according to claim 1, characterized in that the Control elements have diodes.

3. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die3. Integrated semiconductor circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the Strompfade (Cl, CO, CC) der Betriebs-fiingangsschaltung derart angeordnet sind, daß die Steuerelemente selektiv in einen Kurzschlußzustand bzw. in einen Sperrzustand überführbar sind.Current paths (Cl, CO, CC) of the operating input circuit are arranged in such a way that the control elements can be selectively transferred into a short-circuit state or into a blocking state.

4. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Dioden (DiA, DlB...) der Steuerelemente eine Zone (40. Fig. 4) eines ersten Leitungstyps (P) aufweist, die benachbart zu einer Zone eines zweiten Leitungstyps (N) angeordnet ist, welch letztere Zone eine in Abhängigkeit \on einem Steuersignal zur Bildung eines Leitpfades in die erste Zone einlegierbare Dotierung aufweist.4. Integrated semiconductor circuit according to claim 2, characterized in that each of the diodes (DiA, DlB ...) of the control elements has a zone (40. Fig. 4) of a first conductivity type (P) which is adjacent to a zone of a second conductivity type (N) is arranged, the latter zone has a depending \ on a control signal for forming a conductive path in the first zone einlegierbare doping.

5. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein mit der Betriebs-Eingangsschattung (Cl, CO, CC) in Wirkverbindung stehender Fortschaltkreis für die Übertragung der Schaltzustände der Logigelemente (FFlA, FFlB ...) durch die Schaltungsstufen (51, Sl...) und seine Ausgangsschaltung U für die Anzeige des Schaltungszustandes der letzten Schaltungsstufe vorgesehen ist.5. Integrated semiconductor circuit according to one of the preceding claims, characterized in that an incremental circuit for the transmission of the switching states of the logic elements (FFlA, FFlB ...) through the circuit stages (Cl, CO, CC) in operative connection with the operational input shading 51, Sl ... ) And its output circuit U is provided for the display of the circuit status of the last circuit stage.

6. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Logigelemente Kippstufen (FFlA ... FF3 B) vorgesehen sind und daß jeweils eine Transistorschaltung (TiA, TlB, TlC ...) zwischen jeder dieser Kippstufen und einem Paar von Steuerelementen (DiA, D1B ...) angeordnet ist.6. Integrated semiconductor circuit according to one or more of the preceding claims, characterized in that as logic elements flip-flops (FFlA ... FF3 B) are provided and that in each case a transistor circuit (TiA, TlB, TlC ...) between each of these flip-flops and one Pair of controls (DiA, D 1 B ...) is arranged.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings