DE1935175A1

DE1935175A1 - Electric memory circuit

Info

Publication number: DE1935175A1
Application number: DE19691935175
Authority: DE
Inventors: Strumpf Hans Guenter; Werner Popp
Original assignee: Schoppe and Faeser GmbH
Current assignee: Schoppe and Faeser GmbH
Priority date: 1969-07-11
Filing date: 1969-07-11
Publication date: 1971-01-14

Description

"Elektrische Speicherschaltung Die Erfindung betrifft eine elektrische Speicherschaltung mit einer Einrichtung zur selbsttätigen Wiederherstellung des eingespeicherten Schaitzustandes nach der Wiederkehr der zuvor ausgefallenen Versorgungsgleichspannung. "Electrical memory circuit The invention relates to an electrical Memory circuit with a device for automatic restoration of the stored switching status after the return of the previously failed DC supply voltage.

Elektrische Speicherschaltungen, für deren Betrieb eine zusätzliche Versorgungsspannungsquelle benötigt wird, insbesondere bistabile Multivibratoren, haben bei ihrer Verwendung als Speicherschaltung den Nachteil, daß die in ihnen gespeicherte Information bei einem Ausfall der Versorgungespannung verlorengeht. Bistabile Multivibratoren haben zwar die Eigenschaft, bei einem Ausfall der Versorgungsspannung ueber die vorhandenen Koppelkondensatoren kurzzeitig (in der Größenordnung von Millisekunden) den gerade vorhandenen Schaltzustand beizubehalten. Die Nutzbarmachung dieser Eigenschaft für eine Speicherschaltung, bei der die gespeicherte Information nach einem Ausfall der Versorgungsspannung auch über einen längeren Zeitraum, z.B. in der Größenordnung von Sekunden, nicht verlorengehen darf, ist nicht möglich.Electrical storage circuits, for their operation an additional Supply voltage source is required, in particular bistable multivibrators, have the disadvantage that they are used as a memory circuit stored information is lost in the event of a supply voltage failure. Bistable multivibrators do have the property of failure of the supply voltage via the existing coupling capacitors for a short time (in the order of milliseconds) to keep the current switching status. The harnessing of this property for a memory circuit in which the stored information after a failure the supply voltage even over a longer period of time, e.g. in the order of magnitude seconds, not to be lost, is not possible.

Es sind deshalb besondere bistabile Multivibratoren geschaffen worden, die mit der Wiederkehr der Versorgungsspannung den vorher eingespeicherten Schaltzustand selbsttätig wieder herstellen. Diese Speicherschaltungen (DAS 1.035.206, DAS 1.050.376, DAS 1.134.710 und DAS 1.200.357) beruhen auf dem Sättigungsverhalten eines ferromagnetischen Kerns mit annähernd rechteckförmiger Hyatereseschleife, der von den Arbeitsströmen der bistabilen Multivibratoren beeinflußt wird. Nachteilig bei den bekannten Schaltungen ist der große Raumbedarf, den die bewickelten Kerne haben. Insbesondere im ZusAmmenhang mit gedruckten Schaltungen besteht das Bestreben, derartige Bauelemente nach Möglichkeit zu vermeiden.Special bistable multivibrators have therefore been created the previously stored switching status when the supply voltage returns restore automatically. These memory circuits (DAS 1.035.206, DAS 1.050.376, DAS 1.134.710 and DAS 1.200.357) are based on the saturation behavior of a ferromagnetic Kerns with an approximately rectangular hyateresis loop, that of the work streams the bistable multivibrators is influenced. Disadvantageous with the known circuits is the large amount of space required by the wound cores. Especially in connection With printed circuits, there is an effort to use such components as far as possible to avoid.

Ein weiterer Nachteil bei der Verwendung von ferromagnetischem Material ist dessen - insbesondere bei Kernen mit rechteckförmiger Hystereseschleife vorhandene - Stoßempfindlichkeit.Another disadvantage of using ferromagnetic material is it - especially in cores with a rectangular hysteresis loop - sensitivity to shock.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Nachteile der bekannten Schaltungen zu vermeiden und eine möglichst einfache, raumsparende und stoßunempfindliche Schaltung anzugeben.The object of the invention is to overcome the disadvantages of the known To avoid circuits and as simple as possible, space-saving and shock-insensitive Specify circuit.

Die Erfindung geht dazu aus von einer elektrischen Speicherschaltung mit einer Einrichtung zur selbsttätigen Wiederherstellung des eingespeicherten Schaltsustzades nach der Wiederkehr der zuvor ausgefallenen Versorgungsgleichspannung und besteht darin, daß sie eine von Impulsen ansteuerbare und sich selbst verriegelnde Schalteinheit enthält, die in einem Schaltzustand Strom aus der Versorgungespannungsquelle zieht, im anderen dagegen keinen Strom zieht, und einen Kondensator, der über Sperrglieder so in den Versorgungsstromkreis der Schalteinheit eingefügt ist, daß er sich bei einem Ausfall der Versorgungsgleichspannung in dem einen Schaltzustand (Schalteinheit zieht Strom) kurzzeitig entlädt, dagegen in dem anderen Schaltzustand (Schalteinheit zieht keinen Strom) die Versorgungsgleichspannung speichert. In einer Ausbildung der Erfindung ist ein für die betriebsmäßige Umsteuerung der Schalteinheit von dem einen in den anderen Schaltzustand erforderlicher Steuereingang zusammen mit einem zusätzlichen Steuereingang in der Art einer ODER-Schaltung mit der Schalteinheit verbunden. In weiterer Ausbildung der Erfindung ist in Reihe zu dem Kondensator ein Ladewiderstand geschaltet, und der während des Aufladevorgangs über dem Ladewiderstand auftretende Spannungsabfall ist als Steuerimpuls dem zusätzlichen Steuereingang der Schalteinheit zugeführt.To this end, the invention is based on an electrical storage circuit with a device for the automatic restoration of the stored switching status after returning the previously failed DC supply voltage and consists in the fact that it is a pulse-controllable and self-locking one Contains switching unit, which in a switching state current from the supply voltage source draws, in the other, however, does not draw any current, and a capacitor that runs through blocking elements is inserted into the supply circuit of the switching unit in such a way that it is at failure of the DC supply voltage in one switching state (switching unit draws current) briefly discharges, on the other hand in the other switching state (switching unit does not draw any current) stores the DC supply voltage. In an apprenticeship the invention is one for the operational reversal of the switching unit of the one control input required for the other switching state together with one additional control input in the form of an OR circuit with the switching unit tied together. In a further embodiment of the invention is in series with the capacitor a charging resistor is switched, and that during the charging process via the charging resistor Any voltage drop that occurs is sent as a control pulse to the additional control input fed to the switching unit.

Weitere Merkmale der Erfindung sind an Hand von zwei Ausführungsbeispielen beschrieben und an Hand von Zeichnungen erläu-tert. Es zeigen: Fig. 1 das Schaltbild einer erfindungsgemäßen Speicherschaltung mit einer aus elektro-mechanischen Bauelementen aufgebauten Schalteinheit und Fig. 2 das Schaltbild einer erfindungsgqäßsn Speicherschaltung, bei der die Schalteinheit aus elektronischen Bauteilen aufgebaut ist.Further features of the invention are based on two exemplary embodiments described and explained on the basis of drawings. 1 shows the circuit diagram a memory circuit according to the invention with one of electro-mechanical components constructed switching unit and Fig. 2 is the circuit diagram of a erfindungsgqäßsn Memory circuit in which the switching unit is made up of electronic components is.

Fig. 1 zeigt das Schaltbild einer erfindungsgemäßen Speicherschaltung mit einer aus elektro-mechanischen Bauelementen aufgebauten Schalteinheit, die in dem einen Schaltzustand Strom aus der Versorgungsspannungsquelle zieht und in dem anderen Schaltzustand keinen Strom zieht. An den Klemmen 1 und 2 wird der Speicherschaltung die Versorgungsgleichspannung U3 zugeführt. Durch das Schließen eines Tastschalters 3 ist über einen Tastschalter 4 der Stromkreis für die Spule eines Relais 5 geschlossen. Das Relais 5 zieht an und die Kontakte 5a und 5b nehmen die gestrichelt gezeichnete Stellung ein.1 shows the circuit diagram of a memory circuit according to the invention with a switching unit made up of electro-mechanical components, which is in draws current from the supply voltage source in one switching state and in which other switching state does not draw any current. The memory circuit is connected to terminals 1 and 2 the DC supply voltage U3 is supplied. By closing a pushbutton switch 3, the circuit for the coil of a relay 5 is closed via a push button switch 4. The relay 5 picks up and the contacts 5a and 5b take the one shown in dashed lines Position.

Nach dem Öffnen des Tastschalters 3 wird der Spulenstrom über den Kontakt 5a geführt, der als Haltekontakt dient. Durch Betätigung des Tastschalters 4 wird der Spulenstrom unterbrochen und mit dem Abfall des Relais 5 wird die Halteverbindung über den Kontakt 5a aufgetrennt. Das Relais 5 ist ein wesentlicher Bestandteil der Schalteinheit, zu der auch die Tastschalter 3 und 4 sowie der Haltekontakt 5a gehören. Die Ausgangsgröße der Schalteinheit ist die Stellung des Kontakts 5b, der sich bei geschlossenem Spulenstromkreis in der gestrichelt gezeichneten Stellung und bei geöffnetem Spulenstromkreis in der ausgezogen gezeichneten Stellung befindet. Durch wechselweise Betätigung der Tastschalter 3 und 4.läßt sich das Relais 5 ein- und ausschalten und damit der Schaltzustamd der Schalteinheit wechseln.After opening the push button switch 3, the coil current is over the Contact 5a out, which serves as a holding contact. By pressing the push button 4 the coil current is interrupted and when relay 5 drops out, the holding connection is established separated via the contact 5a. The relay 5 is an integral part of the Switching unit to which the pushbutton switches 3 and 4 and the holding contact 5a also belong. The output variable of the switching unit is the position of the contact 5b, which is at closed coil circuit in the position shown in dashed lines and at open coil circuit is in the drawn position. By alternately actuation of the pushbutton switches 3 and 4, the relay 5 can be switched on and off switch off and thus the switching state of the switching unit switch.

Parallel zu dem Tastschalter 3, der zum betriebsmäßigen Einschalten des Relais 5 dient, liegt ein Arbeitskontakt 6a, der durch das Relais 6 betätigt wird. Die Spule des Relais 6 liegt in Reihe mit einem Kondensator 7 und hat mit der zuvor beschriebenen Schalteinheit die Schaltungspunkte 8 und 9 gemeinsam. Parallel zu dem Relais 6 liegt eine Diode 10, die in Sperrichtung betrieben wird, d.h. sie ist so geschaltet, daß der Widerstand der Spule des Relais 6 als Ladewiderstand für den Kondensator 7 dient.In parallel with the pushbutton switch 3, which is used for operational switching on of the relay 5 is used, there is a normally open contact 6a which is actuated by the relay 6 will. The coil of the relay 6 is in series with a capacitor 7 and has with the switching unit described above, the switching points 8 and 9 together. Parallel to the relay 6 is a diode 10 which is operated in the reverse direction, i.e. it is switched so that the resistance of the coil of the relay 6 as a charging resistor for the capacitor 7 is used.

Um die Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Speicherschaltung bei einem Ausfall der Versorgungsgleichspannung zu beschreiben, wird zunächst angenommen, daß durch Betätigen des Tsstschalters 3 das Relais 5 eingeschaltet sei und über den Kontakt 5a und den Tastschalter 4 sowie die Spule des Relais 5 Strom fließt.To the operation of the memory circuit according to the invention in a To describe failure of the DC supply voltage, it is initially assumed that by pressing the Tsstschalters 3 the relay 5 is switched on and over the contact 5a and the push button switch 4 and the coil of the relay 5 current flows.

In diesem Betriebszustand ist der Kondensator 7 nahezu auf die Versorgungsspannung UB aufgeladen. Der Schaltungspunkt 11 hat praktisch dasselbe Potential wie der Schaltungspunkt 9 und es fließt kein Strom durch die Spule des Relais 6; der Kontakt 6a nimmt also die gezeichnete Stellung ein. Fällt in diesem Betriebszustand die Versorgungsapannung aus, z.B.In this operating state, the capacitor 7 is almost at the supply voltage UB charged. The node 11 has practically the same potential as the node 9 and no current flows through the coil of relay 6; the contact 6a thus takes the position shown. If the supply voltage drops in this operating state off, e.g.

durch einen Kurzschluß zwischen den Klemmen 1 und 2, so entlädt sich der Kondensator 7 über die Diode 10, den Kontakt 5a, den Tastschalter 4 und den Widerstand der Spule des Relais 5 solange, bis das Relais 5 abfällt und den Haltestromkreis (Kontakt 5a) auftrennt. Eine Entladung des Kondensators 7 über die kurzgeschlossenen Klemmen 1 und 2 wird durch die Diode 12 verhindert. Kehrt die Versorgungsspannung wieder, so lädt sich der Kondensator 7 über den als Ladewiderstand dienenden Widerstand der Spule des Relais 6 auf. Der über das Relais 6 fließende Ladestrom des Kondensators 7 bewirkt ein Ansprechen des Relais 6, der Kontakt 6a schließt adch und damit sprcht das Relais 5 ebenfalls an. Mit fortschreitender Auf ladung des Kondensators 7 verringert sich der Ladestrom des Kondensators 7 und das Relais 6 fällt wieder ab.due to a short circuit between terminals 1 and 2, it discharges the capacitor 7 through the diode 10, the contact 5a, the push button switch 4 and the Resistance of the coil of the relay 5 until relay 5 drops out and the holding circuit (contact 5a) disconnects. A discharge of the capacitor 7 via the short-circuited terminals 1 and 2 is prevented by the diode 12. If the supply voltage returns, the capacitor 7 is charged via the as Charging resistor serving resistance of the coil of the relay 6. The one about the relay 6 flowing charging current of the capacitor 7 causes a response of the relay 6, the Contact 6a closes and the relay 5 also responds. With advancing On charge of the capacitor 7, the charging current of the capacitor 7 and decreases the relay 6 drops out again.

Das Relais 5 bleibt angezogen, da der Spulenstrom über den Kontakt 5a geführt wird. Somit hat das Relais 5 nach der Wiederkehr der Versorgungsspannung denselben Schaltzustand angenommen, den es vor deren Ausfall hatte.The relay 5 remains attracted because the coil current passes through the contact 5a is performed. Thus, the relay 5 has after the return of the supply voltage assumed the same switching state that it had before it failed.

Um die Wirkungsweise der Speicherichaltung weiter zu beschreiben, wird angenommen, daß das Relais 5 durch Betätigen des Tastschalters 4 abgefallen sei. Fällt in diesem 5chaltsustand die Versorgungsspannung aus, so kann sich der Kondensator 7 wegen der Diode 12 nicht über die Anschlußklesmen entladen.To further describe the mode of operation of the memory interconnection, it is assumed that the relay 5 has dropped out by pressing the pushbutton switch 4 may be. If the supply voltage fails in this switching state, the Capacitor 7 is not discharged through the connection terminals because of the diode 12.

Eine Entladung über die Spule des Relais 5 ist ebenfalls nicht möglich, da dieser Stromkreis bereits vor dem Ausfall der Versorgungsspannung unterbrochen war. Bei der Wiederkehr der Vereergungsepannung liegt der Schaltungspunkt 11 praktisch auf demselben Potential wie der Schaltungepunkt 9 und es fließt kein Lsdestrom über die Spule des Relais 6. Aus diesem Grund bleibt der Kontakt 6a geöffnet und das Relais 5 nimmt nach der Wiederkehr der Versorgungsspannung denselben Schaltzustand an, den es vor deren Ausfall hatte.A discharge via the coil of relay 5 is also not possible, because this circuit was interrupted before the supply voltage failed was. When the energization voltage returns, circuit point 11 is practically in place at the same potential as the circuit point 9 and it flows no Lsdestrom through the coil of the relay 6. For this reason, the contact 6a remains open and the relay 5 takes on the same switching state after the return of the supply voltage that it had before it failed.

Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Speicherschaltung, bei der die Relais 5 und 6 durch elektronische Bauteile ersetzt sind. Bauteile, die denen der Fig. 1 entsprechen, sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen.Fig. 2 shows an embodiment of the memory circuit according to the invention, in which the relays 5 and 6 are replaced by electronic components. Components, which correspond to those of FIG. 1 are provided with the same reference numerals.

An der Klemme 1 wird der Speicherschaltung die auf das Massepotential bezogene Versorgungsspannung +UB zugeführt. Die komplementären Transistoren 13, 14 sowie die Widerstände 15, 16, 17 und 18 bilden eine von Impulsen ansteuerbare und sich selbst verriegelnde Schalteinheit mit zwei stabilen Zuständen, die im folgenden kurz mit Schalteinheit bezeichnet ist. Die Schalteinheit besitzt zwei gleichwertige Eingänge für Steuerimpulse, von denen der eine für die betriebsmäßige Ansteuerung und der andere für die selbsttätige Wiederherstellung des eingespeicherten Schalt zus tandes nach der Wiederkehr der zuvor ausgefallenen Versorgungsspannung vorgesehen ist. Die betriebsmäßige Ansteuerung der Schalteinheit erfolgt so über Impulse, beispielsweise verschiedener Polarität, die der Klemme 19 zugeführt und auf das Massepotential bezogen sind, daß mit Jedem Impuls die Schalteinheit von dem einen Schaltzustand in den anderen usgestouert wird. Der andere Eingang der Schalteinheit wird durch die Schaltungspunkte 9 und 11 gebildet. Ist das Potential des Schaltungspunktes 11 kurzzeitig niedriger als das des Schaltungspunktes 9, so wlrd der Transistor 13 in den leitenden Zustand gesteuert und damit auch der Transistor 14. Durch die selbstverriegelnde Arbeitsweise der Schaltsinheit wird der Schaltzustand, in dem beide Transistoren 13 und 14 leiten, auch dann beibehalten, wenn die Potentialdifferenz zwischen den Schaltungspunkten 9 und 11 verschwindet.The memory circuit is connected to the ground potential at terminal 1 related supply voltage + UB supplied. The complementary transistors 13, 14 and the resistors 15, 16, 17 and 18 form a pulse controllable and self-locking switch unit with two stable states, as follows is referred to briefly as switching unit. The switching unit has two equivalent Inputs for control pulses, one of which is for operational control and the other for the automatic restoration of the stored switch state after the return of the previously failed supply voltage is. The operational control of the switching unit takes place via pulses, for example different polarity, which are fed to the terminal 19 and to the ground potential are related that with each pulse the switching unit of the one switching state is usgestouert in the other. The other input of the switching unit is through the circuit points 9 and 11 are formed. Is the potential of the switching point 11 temporarily lower than that of the circuit point 9, so wlrd the transistor 13 is controlled in the conductive state and thus also the transistor 14. Due to the self-locking mode of operation of the switching unit, the switching status in which both transistors 13 and 14 conduct, even if the potential difference is maintained between the switching points 9 and 11 disappears.

ueber diesen Eingang ist Jedoch nur eine Umsteuerung der Schalteinheit in den Schaltzustand, in welchem die Transistoren leiten, vorgesehen. Die Ausgangsgröße der Schalteinheit ist das Potential der Klemme 20 (Kollektorpotential des Transistors 14). Leiten die Transistoren 13 und 14, so liegt der Kollektor des Transistors 14 praktisch auf Massepotential. Sperren die Transistoren 13 und 14 dagegen, 80 liegt der Kollektor des Transistors 14 praktisch auf dem Potential der Versorgungsspannung +UB.However, this input is only used to reverse the switching unit in the switching state in which the transistors conduct, provided. The output size of the switching unit is the potential of terminal 20 (collector potential of the transistor 14). If the transistors 13 and 14 conduct, the collector of the transistor 14 is connected practically at ground potential. Block transistors 13 and 14 on the other hand, 80 is the collector of transistor 14 is practically at the potential of the supply voltage + UB.

Zusätzlich zu der Schalteinheit ist ein Kondensator 7 in Reihe mit einem Ladewiderstand 6', der dem Widerstand der Spule des Relais 6 in Fig. 1 entspricht, und der Diode 12 an die Versorgungsspannungsquelle angeschlossen, Der Widerstand 6' dient zur Begrenzung des Ladestroms des Kondensators 7. Die Diode 12 verhindert eine Entladung des Kondensators 9 bei einem Kurzschluß zwischen der Klemme 1 und der Masseleitung im Störungsfall. Die Diode 10 schließt den Widerstand 6' bei der Entladung des Kondensators 7 über die Schalteinheit praktisch kurz. Die Schalteinheit hat wie das Relais 5 in Fig. 1 die Eigenschaft, in dem einen Schaltzustand (Transistoren 13 und 14 leitend) die Versorgungespannungequelle zu belasten, dagegen in dem anderen Schaltzustand (Transistoren 13 und 14 gesperrt) die Versorgungsspannungsquelle praktisch nicht zu belasten.In addition to the switching unit, a capacitor 7 is in series with a charging resistor 6 ', which corresponds to the resistance of the coil of the relay 6 in Fig. 1, and the diode 12 connected to the supply voltage source, the resistor 6 'is used to limit the charging current of the capacitor 7. The diode 12 prevents a discharge of the capacitor 9 in the event of a short circuit between the terminal 1 and the ground line in the event of a fault. The diode 10 closes the resistor 6 'at the Discharge of the capacitor 7 via the switching unit is practically brief. The switching unit like relay 5 in Fig. 1 the property in which a switching state (Transistors 13 and 14 conductive) to load the supply voltage source, however in the other switching state (transistors 13 and 14 blocked) the supply voltage source practically not to burden.

Die Wirkungsweise der Speicherschaltung bei der Wiederkehr der Versorgungsspannung wird im folgenden an Hand der beiden Schaltzustände der Schalteinheit beschrieben: Fällt die Versorgungsspannung in dem Schaltzustand aus, in welchem die Transistoren 13 und 14 leitend sind, entlädt sich -da das Potential des Schaltungspunktes 11 größer als das des Schaltungspunktes 9 ist - der Kondensator 7 über die Diode 10, den Transistor 13, die Widerstände 16 und 15 und die leitende Basis des Transistors 14, sowie über die Widerstände 18 und 17 und den Trånsistor 14. Die Kapazität des Kondensators 7 ist so dimensioniert, daß er bei dem betrachteten Schaltzustand ungefähr innerhalb von 2 ms entladen ist. Bei der Wiederkehr der Versorgungsspannung wirkt der Kondensator 7 im ersten Augenblick als Kurzschluß, das Potential des Schaltungepunktes 11 ist niedriger als das des Schaltungepunktes 9 und der Transistor 13 wird in den leitenden Zustand gesteuert. Durch den von dem Kollektorstrom des Transistors 13 verursachten Spznnungsabfall am Widerstand 15 wird der Transistor 14 ebenfalls leitend. Nachdem sich die Transistoren 13 und 14 im leitenden Zustand befinden, hat die Aufladung des Kondensators 7, welche die Potentialdifferenz zwischen den Schaltungepunkten i1 und 9 verringert, keinen Einfluß sehr auf den Schaltzustand der Schalteinheit. Damit ist aber der Schaltzustand, der vor dem Ausfall der Versorgungsspannung bestanden hat, wieder hergestellt. Sorgt man vor dem erstmaligen Einschalten der Versorgungsgleichspannung dafür, daß der Kondensator 7 entladen ist, so ist es möglich, beim Einschalten der Versorgungsgleichspannung einen definierten Schaltzustand, nämlich Transistoren 13 und 14 leitend, zu erhalten.How the memory circuit works when the supply voltage returns is described below using the two switching states of the switching unit: If the supply voltage fails in the switching state in which the transistors 13 and 14 are conductive, since the potential of the circuit point 11 is discharged is greater than that of the circuit point 9 - the capacitor 7 via the diode 10, the transistor 13, the resistors 16 and 15 and the conductive base of the transistor 14, as well as through the resistors 18 and 17 and the Trånsistor 14. The capacity of the Capacitor 7 is dimensioned so that it is approximately in the switching state under consideration is discharged within 2 ms. When the supply voltage returns, it takes effect the capacitor 7 in the first moment as a short circuit, the potential of the circuit point 11 is lower than that of the circuit point 9 and the transistor 13 is in the conductive state controlled. By the collector current of the transistor 13 caused voltage drop at the resistor 15, the transistor 14 also becomes conductive. After transistors 13 and 14 are in are in a conductive state, has the charge of the capacitor 7, which is the potential difference between the Circuit points i1 and 9 reduced, no influence very much on the switching state the switching unit. However, this is the switching state that was before the failure of the supply voltage has passed, restored. Before you switch on the DC supply voltage for the capacitor 7 to be discharged, so it is possible a defined switching state when the DC supply voltage is switched on, namely, transistors 13 and 14 conductive.

Fällt die Versorgungsspannung in dem Schaltzustand aus, in welchem die Transistoren 13 und 14 gesperrt sind, so kann sich der Kondensator 7 nicht über diese entladen. Eine Entladung über die Klemme 1 ist wegen der Diode 12 nicht möglich.If the supply voltage fails in the switching state in which the transistors 13 and 14 are blocked, so the capacitor 7 can not over unload this. A discharge via terminal 1 is not possible because of the diode 12.

Der Kondensator 7 ist somit bei der Wiederkehr der Versorgungsspannung noch geladen, was zur Folge hat, daß die Transistoren 13 und 14 wieder sperren, da die Schaltungspunkte 11 und 9 annähernd gleiches Potential haben und deshalb der Transistor 13- keinen Steuerimpuls erhält. Damit ist auch in diesem Schaltzustand mit der Wiederkehr der Versorgungsspannung der vorher eingestellte Schaltzustand selbsttätig wieder hergestellt.The capacitor 7 is thus when the supply voltage returns still charged, which means that transistors 13 and 14 block again, since the circuit points 11 and 9 have approximately the same potential and therefore the transistor 13- does not receive a control pulse. This is also in this switching state the previously set switching status when the supply voltage returns automatically restored.

Die erfindungsgemäße Speicherschaltung läßt sich besonders vorteilhaft bei Regeleinrichtungen iit Leitgeräten in Iipulstechnik anwenden, bei denen durch einen ersten Impuls z.B.The memory circuit according to the invention can be particularly advantageous for control devices with control devices in Iipulstechnik use, in which by a first pulse e.g.

von Hsndsteuerbetrieb auf automatischen Betrieb und durch den nächsten Impuls-wieder zurück auf Handsteuerbetrieb geschaltet wird. Bei diesen Regeleinrichtungen ist es erforderlich, daß nach der Wiederkehr der zuvor ausgefallenen Versorgungsspannung die Regeleinrichtung in der zuletzt eingestellten Betriebsart (Handsteuerbetrieb bzw. automatischer Betrieb) weiterarbeitet. Wegen der Ansteuerung durch Impulse, bei der die früher üblichen Rastschalter, die mit der Schalterstellung zugleich die Betriebsart festlegten, entfallen, wird für das Leitgerät eine Speicherschaltung mit einer Einrichtung zur selbsttätigen Wiederherstellung des eingespeicherten Schaltzustandes nach der Wiederkehr der zuvor ausgefallenen Versorgungsspannung erforderlich.from manual control mode to automatic mode and through the next Pulse is switched back to manual control mode. With these control devices it is necessary that after the return of the previously failed supply voltage the control device in the last set operating mode (manual control mode or automatic operation). Because of the control by impulses, in the case of the previously usual latching switches, which are at the same time as the switch position the operating mode specified, omitted, a memory circuit is used for the master device with a device for automatic restoration of the stored switching state required after the return of the previously failed supply voltage.

Claims

Patent claims

1. Electrical storage circuit-with a device for self-actuation Restoration of the saved switching state after the return of the previously failed DC supply voltage, characterized in that it is one of Impulse controllable and self-locking switching unit (3, 4, 5, 5a; 13, 14, 15, 16, 17, 18) which in a switching state current from the supply voltage source (UB) draws, in the other switching state, on the other hand, draws no current, and a capacitor (7), which via blocking elements (10, 12) so into the supply circuit of the switching unit (3, 4, 5, 5a; 13, 14, 15, 16, 17, 18) is inserted so that it will stop in the event of a failure of the DC supply voltage (UB) in one switching state (switching unit pulls Current) briefly g discharges, on the other hand in the other switching state (switching unit pulls no current) stores the DC supply voltage (UB).

2. Electrical storage device according to claim 1, characterized in that that one for the operational reversal of the switching unit (3, 4, 5, 5a; 13, 14; 15, 16, 17, 18) from one control input required to the other switching state (3; 19, ground) together with an additional control input (6a; 9, 11) in the wait for an OR circuit with the switching unit (5j 4, 5, 5a; 13, 14, 15, 16, 17, 18) is connected.

3. Electrical storage circuit according to claim 2, characterized in that that a charging resistor (6; 6 ') is connected in series with the capacitor (7), and the voltage drop occurring across the charging resistor (6; 6 ') during the charging process as a control pulse to the additional control input (6a; 9, 11) of the switching unit £ 3.4, 5, 5a; 13, 14, 15, 16, 17, 18) is supplied.

4. Electrical storage circuit according to claim 3, characterized in that that the coil of a first relay (5) has a working contact serving as a holding contact (5a) is connected to the supply voltage source (UB), in parallel with the holding contact (5a) two additional working contacts (3, 6a) are arranged, through their short-term Actuation of the coil current is switched on, and a break contact (4) to interrupt of the coil current is provided and of the additional working contacts (3, 6a) one can be operated manually and the other is controlled by a second relay (6) is whose coil in series with the capacitor (7) to the supply voltage source (UB) is connected and a reverse-biased diode (10) parallel to it the coil of the second relay (6) is located.

5. Electrical storage circuit according to claim 3, characterized in that that the switching unit (13, 14, 15, 16, 17, 18) has two complementary ones coupled to one another Contains transistors (13, 14) and the collectors of the two complementary Transistors (13, 14) each via a resistor (16, 17) to the base of the other transistor are connected and the emitter of the first transistor (14) to the ground line, the emitter of the second transistor (13) via a first diode (12) to the supply voltage source (UB) and the base of the first transistor (14) via a resistor (15) to the Ground line connected st that one assignment of the capacitor (7) to the ground line and the other assignment via a resistor (18) to the base of the second transistor (13), connected to the emitter of the second transistor (13) via a second diode (10) and a resistor (6 ') is connected in parallel to the second diode (10).

Electrical memory circuit according to memory circuit according to claim 4 or 5, characterized in that the first diode (12) is polarized so that it a discharge of the capacitor (7) via the supply voltage source (UB). prevented and the second diode (10) is polarized so that the charging of the capacitor (7) takes place via the resistor (6; 6 ') as a charging resistor. Blank page