DE1934866A1 - Semiconductor component - Google Patents
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Description
6836-69/Sch/Ro. -ι q r> / ο ω ω 6836-69 / Sch / Ro. -ι q r> / ο ω ω
RCA 6ο 678 ' ι ο ο ^ ö b bRCA 6ο 678 'ι ο ο ^ ö b b
US-Ser.No. 750 20^
Piled: August 5, 1968US Ser. No. 750 20 ^
Piled: August 5, 1968
Radio Corporation of America, New York, N.Y. (V.St.A.)Radio Corporation of America, New York, N.Y. (V.St.A.)
HalbleiterbauelementSemiconductor component
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer ersten und einer zweiten Zone aus Halbleitermaterial entgegengesetzten Leitungstyps, die zwischen sich einen pn-übergang bilden, und mit einer.dritten, an die zweite angrenzenden Zone.The invention relates to a semiconductor component with a first and a second zone made of semiconductor material opposite one another Conductor type that form a pn junction between them and with a third zone adjoining the second.
Wichtige Eigenschaften für die Verwendung zahlreicher Halbleiterbauelemente, wie etwa Gleichrichterdioden, sind der Durchlaßspannungsabfall und die Spannungsfestigkeit. Ein niedriger Durchlaßspannungsabfall ist erforderlich für eine geringe Verlustleistung beim Leiten des Bauelementes, so daß weniger Wärme abgeleitet werden muß. Eine hohe Sperrspannung ist dagegen erforderlich bei Hochspannungsanwendungen. Diese Erfordernisse widersprechen sich aber, da.eine niedrige Durehlaßspannung eine dünne Basiszone erfordert, während eine hohe Sperrspannung eine dicke Basiszone zur Voraussetzung hat.Important properties for the use of numerous semiconductor components, such as rectifier diodes, are the forward voltage drop and the dielectric strength. A lower one Forward voltage drop is necessary for a low power loss when conducting the component, so that less heat is dissipated must become. In contrast, a high reverse voltage is required in high-voltage applications. These requirements contradict however, since a low forward voltage requires a thin base zone, while a high reverse voltage requires a thick one Base zone is a prerequisite.
Weiterhin ist es wünschenswert, daß ein eventueller Spannungs durchbruch während des Betriebes in der Mitte des Halbleiterplättchens statt an dessen Oberfläche auftritt, weil ein Spannungsdurchbruch im Hauptmaterial des Plättchens weniger zerstörerisch wirkt als ein Spannungsdurchbruch an dessen Oberfläche.Furthermore, it is desirable that a possible voltage breakdown during operation in the center of the semiconductor wafer instead occurs on its surface because of a voltage breakdown in the main material of the plate is less destructive than a voltage breakdown on its surface.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Verbesserung der bisher in dieser Hinsicht erreichten Kompromisse. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die dritte Zone vom gleichen Leitungstyp wie die zweite Zone istj, aber eine höhere Leitfähigkeit aufweist* und mit ihr einen Übergang zwischen hoher undThe object of the invention is to improve the compromises reached so far in this regard. According to the invention this object is achieved in that the third zone of the same The conductivity type is the same as the second zone, but a higher conductivity has * and with it a transition between high and
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Abstand vom pn-übergang hat als sein mittlerer Bereich, und daß . die Dicke der zweiten Zone an einer ersten Außenfläche des Halb- j leiterkörpers größer als im Innern des Halbleiterkörpers ist. 'Distance from the pn junction has as its middle area, and that. the thickness of the second zone on a first outer surface of the half-j conductor body is larger than inside the semiconductor body. '
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist der pn-übergang jIn one embodiment of the invention, the pn junction is j
praktisch eben. Der mittlere Teil des Übergangs zwischen höherer :practically just. The middle part of the transition between higher:
und niedrigerer Leitfähigkeit ist ebenfalls praktisch eben. In ' der Nähe des Umfangs des Plättchens verläuft dieser Übergang jedoch von dem ebenen pn-übergang weg, so daß der mittlere Teil derand lower conductivity is also practically level. In ' however, this transition occurs near the periphery of the platelet away from the flat pn junction so that the middle part of the
dritten Zone dünner als ihr Randteil ist. 'third zone is thinner than its peripheral part. '
Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen. Die Erfindung ist im folgenden anhand der Darstel- ; " ' lungen von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:Further details of the invention emerge from the subclaims. The invention is illustrated below with reference to the illustration; "'lungs of exemplary embodiments explained in more detail. They show:
Pig. 1 und 2 senkrechte Schnitte durch zwei erfindungsgemäße ■; Halbleiterbauelemente; Pig. 1 and 2 vertical sections through two inventive ■; Semiconductor components ;
Fig. 5 einen senkrechten' Schnitt durch ein Bauelement nach ; dem Stande der Technik und ; 5 shows a vertical section through a component according to; the state of the art and ;
Pig. 4 und 5 senkrechte Schnitte durch weitere Aus führungs- ; formen erfindungsgemäßer Bauelemente,Pig. 4 and 5 vertical sections through further execution; forming components according to the invention,
j Das in Fig. 1 dargestellte Bauelement .10 dient als Gleich- : riehterdiode und weist ein scheibenförmiges Plättchen aus HaIb-■■: leitermaterial, beispielsweise Silizium, mit drei schichtartigen ·Zonen 12, 14 und 16 auf. Jede dieser Zonen erstreckt sich über ' , den vollen Durchmesser des Plättchens.. The component j .10 shown in Figure 1 serves as a DC: riehterdiode and has a disk-shaped tablets made of HaIb- ■■: conductor material, for example silicon, having three layered · zones 12, 14 and 16. Each of these zones extends over the full diameter of the platelet.
j Bei dieser Aus führungs form ist die Zone - 12.n-leitend y.on. ' hoher Leitfähigkeit (n+), die Zone 14 ist mit geringerer Leitfähigkeit η-leitend (n), und die Zone 16 ist p-leitend von höher Leitfähigkeit (ρ+).'Die Zone 14 trennt diebeiden Zonen 12 und l6 und bildet einen p*n-Übergang 18 mit der Zone 16 und einen η n-Übergang 20 mit der Zone 12. Der Übergang 20 ist somit ein Über-" '; gang zwischen einer Zone höherer und einer Zone niedrigerer Leitfähigkeit vom gleichen Leitungstyp, Die Zone .1.4 ist die Basis der J Diode, Der Zweck der eine geringe Leitfähigkeit aufweisenden Basiszone 14 liegt bekannterweise In einer Erhöhung der Sperrspannung der Diode. Derart aufgebaute Dreischiohtendioden sind bekannt;j In this version the zone - 12. n-conductive y.on. 'High conductivity (n + ), zone 14 is η-conductive with lower conductivity (n), and zone 16 is p-conductive of higher conductivity (ρ +).' Zone 14 separates the two zones 12 and 16 and forms a p * n junction 18 with the zone 16 and an η n junction 20 with the zone 12. The junction 20 is thus a junction between a zone of higher and a zone of lower conductivity of the same conductivity type, the zone .1.4 is the base of the J diode, the purpose of the base zone 14, which has a low conductivity, is known to increase the reverse voltage of the diode.
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Die Oberfläche 22 des Plättchens hat in der Mitte eine Einsenkung 24. Der Übergang 20 hat von der Oberfläche 22 des Plättchens einen praktisch gleichförmigen Abstand und ist somit paral- l IeI zur Oberfläche 22. Er ist im mittleren Teil des Plättchens ■ praktisch eben, verläuft jedoch auf den Umfang des Plättchens zu ' vom pn-übergang l8 weg, der selbst über den gesamten Durchmesser J des Plattchens praktisch in einer Ebene liegt.The surface 22 of the plate has in the center a recess 24. The transition 20 has the surface 22 of the plate a substantially uniform distance and is thus paral- IeI l 22 to the surface it is in the central part of the wafer ■ practically flat, extends however, towards the circumference of the platelet, away from the pn junction 18, which itself is practically in one plane over the entire diameter J of the platelet.
Dieser gekrümmte Verlauf des n+n-Übergangs 20 ergibt eine > Basiszone 14, deren mittlere Teil 28 innerhalb der Hauptmasse j des Plattchens dünner ist als der Randteil ^O der Zone 14. Ein Vorteil dieser Ausbildung liegt darin,- daß beim Eintreten eines Sperrspannungsdurchbruchs im Betrieb des Plättchens als Diode dieser Durchbruch im mittleren Teil 28 der Basiszone 14 auftritt ; anstatt an der Oberfläche des Plättchens, wo die Zone 14 einen dickeren Abschnitt j50 hat. Ein Spannungsdurchbruch im Inneren des Plättchens wirkt bekanntlich weniger zerstörend auf das Plättchen als ein Spannungsdurchbruch an dessen Oberfläche. ·This curved course of the n + n junction 20 results in a > base zone 14, the middle part 28 of which is thinner within the main mass j of the plate than the edge part ^ O of zone 14. One advantage of this design is that when a reverse voltage breakdown occurs when the plate is operating as a diode, this breakdown occurs in the central part 28 of the base zone 14; rather than on the surface of the wafer where zone 14 has a thicker portion j50. A voltage breakdown in the interior of the plate is known to have a less damaging effect on the plate than a voltage breakdown on its surface. ·
Auf den Oberflächen 22 bzw. 40 des Plattchens sind Metall- i kontakte J6 und 3>8, beispielsweise aus Blei, abgelagert, mit Hilfe deren es in einem geeigneten Gehäuse befestigt und mit elektrischeil Verbindungen versehen werden kann. Einzelheiten dieser Befestigung· des Plättchens sind bekannt und werden daher hier nicht beschrie- ; ben. Metal contacts J6 and 3> 8, for example made of lead, are deposited on the surfaces 22 and 40 of the plate, with the aid of which it can be fastened in a suitable housing and provided with electrical connections. Details of this attachment of the plate are known and are therefore not described here; ben.
Der pn-übergang 18 liegt also praktisch in einer Ebene, und , dadurch wird die Sperrspannung, wie sich herausgestellt hat, we- ■ sentlich vergrößert. Der Grund hierfür ist im folgenden erläutert.ιThe pn junction 18 is practically in one plane, and, as a result, the reverse voltage is, as has been found, we- ■ significantly enlarged. The reason for this is explained in the following
Wenn eine Sperrspannung an ein Halbleiterplättchen, welches \ einen gleichrichtenden pn-übergang enthält, angelegt wird, dann tritt diese Spannung an der Verarmungszone auf, welche sich beider seits des pn-Übergangs ausbildet. Innerhalb des Plättchens entsteht so ein elektrisches Feld, und wenn die Feldstärke einen j kritischen Wert überschreitet, tritt ein Spannungsdurchbruch ein. ·' Die elektrische Feldstärke an der Verarmungszone ist eine Funktionj der angelegten Spannung, der Dotierstoffverteilung des Halbleitermaterials neben dem pn-tfbergang und, wie sich gezeigt hat, der geometrischen Form des pn-Übergangs. Bei Gleichheit der übrigenWhen a reverse voltage is applied to a semiconductor wafer containing transition pn \ a rectifying is applied, then this voltage occurs at the depletion region which is formed to both sides of the pn junction. This creates an electric field within the plate, and if the field strength exceeds a critical value, a voltage breakdown occurs. The electric field strength at the depletion zone is a function of the applied voltage, the dopant distribution of the semiconductor material next to the pn junction and, as has been shown, the geometric shape of the pn junction. If the others are equal
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Parameter ist somit die elektrische Feldstärke um eine gekrümmte Elektrode höher als es bei einer flachen Elektrode der Fall ist. Bei Verwendung eines gleichrichtenden pn-Übergangs, der flach istj ist die elektrische Feldstärke in der Verarmungszone niedriger als die elektrische Feldstärke in der sich an einem gekrümmten pn-übergang ausbildenden Feldstärke.Parameter is the electric field strength around a curved electrode higher than it is the case with a flat electrode. When using a rectifying pn junction that is flat j the electric field strength is lower in the depletion zone as the electric field strength in the field strength developing at a curved pn junction.
In einem Experiment wurden beispielsweise identische HaIbleiterplättchen hergestellt, die sich nur dadurch unterschieden, j daß in einer Gruppe der dünne Mittelteil 28 der Basiszone 14 ' durch eine Kombination eines gekrümmten η n-Übergangs20 und eines1 praktisch flachen pn-Übergangs 18 begrenzt wurde, während bei einer zweiten Plättchengruppe ein dünner Mittelteil der Basiszone durch die Kombination eines gekrümmten pn-Übergangs mit einen flachen η η-Übergang begrenzt wurde. Die Sperrspannung der ersten Plättchengruppe (mit dem flachen pn-übergang) betrug im Durchschnitt 800 Volt, während die Sperrspannung der zweiten Plattchengruppe (mit dem gekrümmten pn-übergang) im Durchschnitt 700 Volt betrug.In an experiment identical HaIbleiterplättchen were prepared, for example, the only way differed, j that of the base region 14 'by a combination of a curved η n-Übergangs20 and a 1 practically flat pn junction was restricted 18 in a group of the thin central portion 28, while In the case of a second group of platelets, a thin central part of the base zone was delimited by the combination of a curved pn junction with a flat η η junction. The reverse voltage of the first group of platelets (with the flat pn junction) averaged 800 volts, while the reverse voltage of the second group of platelets (with the curved pn junction) averaged 700 volts.
Ein Vorteil der Verwendung der in der Mitte vorgesehenen Einsenkung 24 liegt darin, daß die Plättchen außerordentlich dünne mittlere Basisteile 28 haben können, welche zu einem niedrigen Durchlaßspannungsabfall führen, während aus Gründen ! größerer Festigkeit des Plättchens und geringerer Produktionsverluste infolge Plättchenbruch das Plättchen einen dickeren Randbereich haben kann. _ !An advantage of using the recess 24 provided in the middle is that the platelets can have extremely thin central base parts 28, which lead to a low forward voltage drop, while for reasons ! greater strength of the platelet and lower production losses due to platelet breakage, the platelet can have a thicker edge area. _!
Nach Fig. 2 umfaßt das Plättchen 50 eine p-leitende Basiszone 14, welche durch einen pn-übergang 52 und einen ρ p-Übergang; 54 zwischen hoher und niedriger p-Leitfähigkeit begrenzt ist. Bei dieser Ausführungsform ist der p+p-Übergang 54 in der Nähe des Umfangs des Plattchens vom pn-übergang 52 weg gekrümmt, so daß die Basiszone unterschiedliche Dickenbereiche hat. Auch bei dieser Ausführungsform ist eine mittlere Einsenkung 24 in der Oberfläche 40 auf der Seite des Plättchens, wo sich die p-Zone 16 befindet, ausgebildet.According to FIG. 2, the plate 50 comprises a p-conducting base zone 14, which is formed by a pn junction 52 and a ρ p junction; 54 is limited between high and low p-conductivity. In this embodiment, the p + p junction 54 is curved away from the pn junction 52 in the vicinity of the periphery of the plate, so that the base zone has different thickness ranges. In this embodiment too, a central indentation 24 is formed in the surface 40 on the side of the plate where the p-zone 16 is located.
Solche Plättchen lassen sich in der nachstehend beschriebenen Weise nach'bekannten Verfahren herstellen. Beginnt man bei-Such platelets can be produced by known processes in the manner described below. If you start both
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spielsweise mit einer flachen Siliziumscheibe des für die spätere Basiszone gewünschten spezifischen Widerstandes und Leitungstyps, dann wird die mittlere Einsendung 24 auf einer Seite des Plättchens durch Ätzen, Sandstrahlen oder dgl. ausgebildet. Auf gegenüberliegenden Oberflächen des Plättchens werden Leitfähigkeitsmodi fikat or en abgelagert, und das Plättchen wird zur Eindiffusion dieser Modifikatoren erhitzt. Dann werden auf gegenüberliegenden Flächen des Plättchens durch geeignete Metallablagerungsverfahren die Kontakte 36 und ^8 ausgebildet.For example with a flat silicon wafer of the specific resistance and conductivity type desired for the later base zone, then the middle mailing 24 is on one side of the platelet formed by etching, sandblasting or the like. On opposite Conductivity modifiers are deposited on surfaces of the platelet and the platelet becomes for diffusion these modifiers are heated. Then be on opposite Contacts 36 and ^ 8 are formed on surfaces of the chip by suitable metal deposition processes.
Ein weiterer Vorteil der mittleren Einsenkung 24 liegt darin, daß sich mit ihrer Hilfe Plättchen der gewünschten Konfiguration mit Hilfe eines einzigen Diffusionsschrittes einfach und billig herstellen lassen.Another advantage of the central indentation 24 is that with its help, small plates of the desired configuration can be produced easily and cheaply with the help of a single diffusion step.
Plättchen mit dieser Ausbildung lassen sich grundsätzlich auch ohne Vorhandensein der Einsenkung 24 durch Anwendung geeigneter Diffusions- und Maskierungsschritte herstellen, so daß die gewünschte Ausbildung des Übergangs und der Basis beispielsweise auch in flachen Plättchen erhalten werden kann.In principle, platelets with this design can also be used in a more suitable manner without the presence of the depression 24 Make diffusion and masking steps so that the desired formation of the junction and base, for example can also be obtained in flat plates.
In Fig. 3 ist ein bekannter gesteuerter Siliziumgleichrichter 60 (beispielsweise der RCA-Gleichrichter 2N3228).dargestellt. Das Plättchen 60 enthält eine η-leitende Kathodenschicht 62 (welche in der Draufsicht ringförmig ist), eine p-leitende Steuerschicht 64, eine η-leitende Basisschicht 66 und eine p-leitende Anodenschicht 68. Auf den Oberflächen des Plättchens sind Metallkontakte 70, 72 und 74 vorgesehen, über welche die elektrischen Anschlüsse zur Kathode, Steuerelektrode und Anode erfolgen.Referring to Figure 3, a well known silicon controlled rectifier 60 (e.g., the RCA rectifier 2N3228) is shown. The lamina 60 contains an η-conducting cathode layer 62 (which is annular in plan view), a p-conducting control layer 64, an η-conducting base layer 66 and a p-conducting anode layer 68. Metal contacts 70, 72 are on the surfaces of the lamina and 74 are provided, via which the electrical connections to the cathode, control electrode and anode are made.
Wird das Bauelement in Durchlaßrichtung vorgespannt (Anode 68 positiv gegenüber Kathode 62), dann bildet sich beiderseits des pn-Übergangs 76 eine Verarmungszone. Normalerweise ist die Basisschicht 66 genügend dick, so daß sich die Verarmungszone nicht vollständig durch sie hindurch ausbreitet. Erreicht die Verarmungszone die Anode 68 ', dann tritt eine Lochinjektion von der Anode 68 in die Basis 66 ein, so daß das Bauelement vorzeitig eingeschaltet wird.If the component is biased in the forward direction (anode 68 positive compared to cathode 62), then a depletion zone is formed on both sides of the pn junction 76. Typically, the base layer 66 will be sufficiently thick that the depletion zone will not spread completely through it. When the depletion zone reaches the anode 68 ', hole injection occurs from the anode 68 into the base 66 so that the device is turned on prematurely.
Damit dej? Durohlaßspannungsabfall kleiner wird und die Erholzeit kürzer wird (kürzer© Absohaltzelt) hat das in Fig. 4 dar-So that dej? Thermosetting voltage drop becomes smaller and the recovery time becomes shorter (shorter © Absohaltzelt) is shown in Fig. 4
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•gestellte Plättchen 80 eine Basisschicht 66 mit einem dünnen Mittelteil 82. Damit die Verarmungszone nicht die Anode 68 er^· reicht, ist zwischen der Basisschicht 66 und der Anodenschicht 68 eine n-leitende Zwischenschicht 84 vorgesehen, die stärker n-lei- ■ tend als die Basisschicht 66 ist. Die stärkere Leitfähigkeit der Schicht 84 begrenzt in bekannter Weise die Ausbreitung der Verarmungszone. Die beiden η-leitenden Schichten 66 und 84 bilden einen n+n-Übergang 86 zwischen hoher und niedriger Leitfähigkeit beim gleichen Leitungstyp zwischen sich.• Placed platelets 80 a base layer 66 with a thin middle part 82. So that the depletion zone does not reach the anode 68, an n-conductive intermediate layer 84 is provided between the base layer 66 and the anode layer 68, which is more n-conductive than the base layer 66. The greater conductivity of layer 84 limits the expansion of the depletion zone in a known manner. The two η-conductive layers 66 and 84 form an n + n junction 86 between high and low conductivity for the same conductivity type between them.
Damit die Basis 66 einen dünnen mittleren Teil 82 und einen dicken äußeren Teil 88 bekommt, ist der n+n-Übergang 86 innerhalb | des mittleren Teils des Plättchens praktisch eben und biegt dann von dem ebenen pn-übergang 76 in der Nähe des Plättchenumfangs weg. Der pn-übergang 76 ist zur Erreichung einer hohen Sperrspannung flach.In order for the base 66 to have a thin central portion 82 and a thick outer portion 88, the n + n junction 86 is inside | of the middle part of the plate practically flat and then bends away from the flat pn junction 76 near the circumference of the plate. The pn junction 76 is flat in order to achieve a high reverse voltage.
Bei dieser Ausführungsform erstreckt sich die Zwischenschicht 84 nicht wie die Schichten 64, 66 und 68 voll durch: das Plättchen 80, sondern sie endet kurz vor dem Umfang des Plättchens. Hierbei bildet sich bei angelegter Sperrspannung (Kathode 62 positiv [ gegenüber Anode 68) auf beiden Seiten des pn-Übergangs 94,. 94!, jIn this embodiment, the intermediate layer 84 does not extend fully through the platelet 80, as do the layers 64, 66 and 68, but rather it ends shortly before the circumference of the platelet. In this case, when the reverse voltage is applied (cathode 62 positive [compared to anode 68) is formed on both sides of the pn junction 94. 94 ! , j
welcher von den n-leitenden Schichten 66 und 84 und der p-leiten- ' den Schicht 68 gebildet wird, aus. Wegen der geringeren Leitfähigkeit der Basisschicht 66 ist die in dieser Schicht am Umfang des j Plätt chens 80 gebildete Verarmungszone breiter als die in der Nähe ι des mittleren Teils des Plättchens in der Zwischenschicht 84 höherer Leitfähigkeit sich ausbildende Verarmungszone. Bei angelegter ' Durchlaßspannung tritt damit ein Durchbruch höchstens im mittleren Teil des Plättchenst nicht aber an seiner Oberfläche auf.which is formed by the n-type layers 66 and 84 and the p-type layer 68 from. Because of the lower conductivity of the base layer 66 , the depletion zone formed in this layer on the periphery of the platelet 80 is wider than the depletion zone formed in the vicinity of the central part of the platelet in the intermediate layer 84 of higher conductivity. When the forward voltage is applied, a breakdown occurs at most in the central part of the plate t but not on its surface.
Fig. 5 zeigt einen Hochfrequenz-npn-Transistor mit einem Plättchen 98, welches im Abstand angeordnete η-leitende Zonen 1OG aufweist, welche den Emitter des Transistors bilden, ferner eine p-leitende Schicht 102 als Basis und zwei n-leitende Schichten 104, 106 von niedriger bzw. hoher Leitfähigkeit, welche den Kollektor bilden.Fig. 5 shows a high frequency npn transistor with a Plate 98, which η-conductive zones arranged at a distance 1OG, which form the emitter of the transistor, furthermore a p-type layer 102 as a base and two n-type layers 104, 106 of low and high conductivity, respectively, which the collector form.
Auf «Jeder der Zonen 100 sind Mefcallablagerungen 108 ausgebildet, welche die elektrischen Verbindungen zum Emitter herzustellenMefcall deposits 108 are formed on each of the zones 100, which make the electrical connections to the emitter
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gestatten und untereinander (was jedoch nicht dargestellt ist) verbunden sind. Die Metallablagerungen 110 und 112 dienen entsprechend dem Anschluß der Basis 102 bzw. des Kollektors 104, 106.allow and are connected to each other (but this is not shown). Metal deposits 110 and 112 serve accordingly the connection of the base 102 or the collector 104, 106.
Die sich an den pn-übergang 114 angrenzende Schicht 104 hat einen dünnen mittleren Teil 116 und einen dickeren Randteil 118, der durch einen Übergang 120 zwischen hoher und niedriger Leitfähigkeit begrenzt wird, welcher sich von dem ebenen pnübergang 114 in-der Nähe des Plättchenrandes wegbiegt. Eine mittlere Einsenkung 122 erlaubt eine leichtere Herstellung und größere Festigkeit des Plättchens.The layer 104 adjoining the pn junction 114 has a thin central part 116 and a thicker edge part 118, which is limited by a transition 120 between high and low conductivity, which differs from the planar pn-transition 114 bends away near the edge of the plate. A middle one Countersink 122 allows easier manufacture and greater strength of the die.
Im Betrieb des Transistors bildet sich beiderseits des pn-Übergangs 114 eine Verarmungszone aus. Die größere Dicke der Schicht 104 am Plättchenumfang begrenzt einen eventuell eintretenden Spannungsdurchbruch auf den mittleren Teil des Plättchens. Der ebene pn-übergang 114 führt zu höherer Spannungsfestigkeit.During operation of the transistor, the pn junction is formed on both sides 114 a depletion zone. The greater thickness of the layer 104 on the circumference of the platelet limits any that may occur Voltage breakdown on the central part of the plate. The flat pn junction 114 leads to a higher dielectric strength.
00 9820/126900 9820/1269
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