DE1924790A1 - Ultra-high frequency plasmatron - Google Patents
Ultra-high frequency plasmatronInfo
- Publication number
- DE1924790A1 DE1924790A1 DE19691924790 DE1924790A DE1924790A1 DE 1924790 A1 DE1924790 A1 DE 1924790A1 DE 19691924790 DE19691924790 DE 19691924790 DE 1924790 A DE1924790 A DE 1924790A DE 1924790 A1 DE1924790 A1 DE 1924790A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- waveguide
- high frequency
- ultra
- gas discharge
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32247—Resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
ZlVJ Γ V f4 α. LUYKEN ZlVJ Γ V f4 α. LUYKEN
5 . -u Mancher! 225. -u some! 22nd
.: .Vv wr .-'Kenstr. t.: .Vv wr .- 'Kenstr. t
Vladimir P. Kiräusin 14. Mai 1969Vladimir P. Kiräusin May 14, 1969
Irgazino, Moskovskaja obl. /UdSSR P 24 799Irgazino, Moskovskaja obl. / USSR P 24 799
ULTRAHOGHFREQUENZ-PLÄSE/iATROFULTRAHOGH FREQUENCY PLÄSE / iATROF
Die vorliegende Erfindung "bezieht sich auf Einrichtungen zur Erzeugung eines Niedertemperaturplasmas bei Ultrahochfrequenzeritladung unter atmosphärischem oder annähernd atmosphärischem Druck, insbesondere auf Ultrahochfrequenz-Plasmatrons, die man zur Durchführung von chemischen Reaktionen mit höchstem Reinheitsgrad und,· zum Auftragen von Dünnschichten, für Pulver- und Gasreinigung verwendet.The present invention "relates to devices for generating a low-temperature plasma with ultra-high frequency discharge under atmospheric or approximately atmospheric pressure, in particular to ultra-high frequency plasmatrons, which are used to carry out chemical reactions with the highest degree of purity and, for the application of thin layers, for powder and gas cleaning used.
Es sind Ultrahochfrequenz-Plasmatrons (UHF-Plasmatrons), bekannt, die eine den Gasentladungsraum eingrenzende und in einem Hohlleiter oder Topfkreis angeordnete Röhre enthalten, wobei der Topfkreis mit dem Speisehohlleiter mittels eines Anpassungstransformators gekoppelt wird, der optimale Bedingungen für die Energieübertragung aus dem Hohlleiter in den. Topfkreis gewährleisten soll.They are ultra-high frequency plasmatrons (UHF plasmatrons), known, the one delimiting the gas discharge space and in contain a waveguide or cup circle arranged tube, wherein the cup circle with the feed waveguide by means of a Matching transformer is coupled, the optimal conditions for the transfer of energy from the waveguide into the. Should ensure pot circle.
Ein Itangel dieser Piasmatronausführung besteht darin,One aspect of this Piasmatron version consists in
0098477070g0098477070g
daß die Ultrahochfrequenzenergie dem Plasma von einer Seite und zwar von der Hohlleiterseite zugeführt wird. Deswegen sind die Kennwerte der Plasmasäule (Temperatur, Ionisierungsgrad usw.) in ihrem Querschnitt unterschiedlich·that the ultra-high frequency energy is supplied to the plasma from one side, namely from the waveguide side. That’s why the characteristics of the plasma column (temperature, degree of ionization, etc.) differ in their cross-section
Bekanntlich hat das Gasentladungsplasma die Tendenz, sich in einem Hochfrequenzfeld in der Richtung der Energiequel-p Ie zu verschieben, was die Plasmaeingrenzung längs der Gasentladungsröhrenachse erschwert·As is known, the gas discharge plasma has the tendency to move in a high-frequency field in the direction of the energy source Ie to move what the plasma confinement along the gas discharge tube axis difficult
Ein weiterer Mangel der bekannten Piasmatrone besteht darin, daß der als Spalt, Stift oder Schleife ausgebildete Anpassung stransformat or ganz bestimmte Abmessungen haben muß, die von der Schwingungsfrequenz der Ultrahochfrequenz-Energie-" quelle abhängig sind. Bei einer Steigerung der Plasmatronleistung wächst entsprechend auch die elektrische Feldstärke an, wobei die Stärke des elektrischen Feldes am Transformator oftmals für einen spontanen Durchbruch und eine Entladung ausreichende Werte erreicht. Bei derartiger störender Ent ladung «getefe sich die zugeführte Energie am Anpassungstransformator at*e, wobei der letztere zerstört werden kann und das Plasmatron ausfällt·Another shortcoming of the well-known Piasmatrone is that that the adaptation formed as a gap, pin or loop must have very specific dimensions, that of the vibration frequency of the ultra-high frequency energy " source are dependent. With an increase in the plasmatron output The electrical field strength increases accordingly, whereby the strength of the electrical field on the transformer often increases reaches sufficient values for a spontaneous breakthrough and discharge. In the event of such a disruptive discharge the energy supplied to the matching transformer at * e, the latter can be destroyed and the plasmatron fails
Das Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Entwicklung eines Ultrahochfrequenz-Plasmatrons, bei dem die Eigenschaften des Gasentladungsplasmas im ganzen Querschnitt der Plasmasäule gleichmäßig sind und die Wahrscheinlichkeit eines Durchbruchs am Anpassungstransformator geringer ist·The aim of the present invention is to develop an ultra-high frequency plasmatron in which the properties of the gas discharge plasma are uniform in the entire cross section of the plasma column and the probability of a breakthrough at the matching transformer is lower
Dieses Ziel wird dadurch erreicht, daß der Hohlleiter des Plasmatrons so ausgeführt und angeordnet wird, daß dieThis goal is achieved in that the waveguide of the plasmatron is designed and arranged so that the
009847/07Os009847 / 07Os
Ultrahochf requenzenergie zum Plasma gleichmäßig von mehreren Seiten gelangen kann. *Ultra-high frequency energy to the plasma evenly from several Pages can get. *
Diese Aufgabe wird..dadurcH gelöst, daß im Ultrahochf requenz-Plasmatron, bei dem die Gasentladungsröhre längs der Symmetrieachse eines Topfkreises angeordnet ist und der letztere durch Elemente der elektromagnetischen Kopplung mit einem die Ultrahochfrequenzenorgie übertragenden Hohlleiter Verbindung hat, der Hohlleiter erfindungsgemäß rechtwinklig zur Längsachse der Gasentladungsröhre und um den Umfang des Topfkreises von außen angeordnet v±st und niit dem Topfkreis gemeinsame V/and besitzt, in der sich. Elemente zur elektromagnetischen Kopplung befinden, wobei diese Elemente von der Längsachse der Gasentladungsröhre in gleicher Entfernung liegen und ihr Abstand voneinander die Gleichphasigkeit der in ihnen entstehenden Schwingungen gewährleistet.This object is achieved by the fact that in the ultra-high frequency plasmatron, in which the gas discharge tube is arranged along the axis of symmetry of a pot circle and the latter is connected to a waveguide transmitting the ultra-high frequency orgy through elements of the electromagnetic coupling, the waveguide according to the invention is at right angles to the longitudinal axis of the Gas discharge tube and arranged around the circumference of the pot circle from the outside v ± st and niit the pot circle has common V / and in which. Elements for electromagnetic coupling are located, these elements being at the same distance from the longitudinal axis of the gas discharge tube and their spacing from one another ensuring that the vibrations occurring in them are in phase.
Bei dieser Piasmatronausführung wird die Plasmaeingrenzung in der lüitte der Gasentladungsröhre wesentlich erleichtert, da die Energie dem Plasma gleichmäßig von allen Seiten zugeführt wird und die erwähnte Plasmaverschiebung in der Sichtung der Energiequelle vermieden wird. Ein weiterer Vorzug derartiger Ausführung liegt in der fsäöglichkeit einer bedeutenden Steigerung der Piasmatronleistung, da jedes zur elektromagnetischen Kopplung dienende Anpassungselement nur einen Teil der gesamten Energie überträgt·With this Piasmatron version the plasma confinement in the middle of the gas discharge tube much easier, because the energy is supplied to the plasma evenly from all sides and the aforementioned plasma shift in the sighting of the energy source is avoided. Another advantage of such Execution lies in the possibility of a significant increase in the piasmatron power, since each of them leads to the electromagnetic Coupling serving adaptation element only transmits part of the total energy
Zweckmäßigerweise können die Kopplungeelemente auf der ganzen Hohlleiterlänge mit den Abständen ihrer Mittelpunkte von einer halben Wellenlänge der speisenden Ultrahochfrequenz-The coupling elements can expediently over the entire length of the waveguide with the distances between their center points of half a wavelength of the feeding ultra-high frequency
009847/0705009847/0705
■- 4 -■ - 4 -
Schwingungen angeordnet werden, wobei die benachbarten Kopplungselemente an verschiedenen Seiten der Hohlleiterlängsachse anzuordnen sind·Vibrations are arranged, the adjacent coupling elements are to be arranged on different sides of the longitudinal axis of the waveguide
Die Kopplungselemente können auf der ganzen Hohlleiterlänge mit <äe» Abständen von einer Wellenlänge der speisenden Ultrahochfrequenzschwingungen verteilt sein· Dabei sollen, sie alle an einer Seite der Hohlleiterlängsachse liegen·The coupling elements can be used along the entire length of the waveguide at a distance of one wavelength from the feeding Ultra-high frequency vibrations should be distributed
In beiden Fällen kann der Hohlleiter in de* Form eines geschlossenen Hohlringes ausgeführt werden.In both cases, the waveguide can be in the form of a closed hollow ring are executed.
Nachstehend wird die Erfindung <±n der Beschreibung der
Ausführungsbeispiele und an Hand beigelegter Zeichnungen näher erläutert·
Hierbei zeigen:The invention is explained in more detail below using the description of the exemplary embodiments and the accompanying drawings.
Here show:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung des spärischen Hohlleiters, der Gasentladungsröhre und eines Teils des speisenden Plasmatron-Hohlleiters;Fig. 1 is a sectional view of the spherical waveguide, the gas discharge tube and part of the feeding plasmatron waveguide;
Fig. 2 einen Schnitt nach H-II in Fig. 1jFIG. 2 shows a section according to H-II in FIG. 1j
Fig. 3 einen zylindrischen Hohlleiter, die Gasentladungsröhre und einen Teil des speisenden Plasmatron-Hohlleiters; Fig. 4 einen ringförmigen Hohlleiter·3 shows a cylindrical waveguide, the gas discharge tube and part of the feeding plasmatron waveguide; Fig. 4 shows an annular waveguide
Die den, Gasentladungsraum eingrenzende Gasentladungsröhre 1 des Plasmatron^ (Fig. 1) ist aus einem hitzebeständigen Werkstoff mit geringen Hochfrequenaverlusten hergestellt und im Innenraum eines Topfkreises 2 angeordnet. Praktisch sind Topfkreisresonatoren mit der Achsensymmetrie z.B. sphärische, zylindrische u.a. zweckmäßiger· Wenn solche Resonatoren mit der Grundschwingung (symmetrischer Schwingung) angeregt werden, soThe gas discharge tube delimiting the gas discharge space 1 of the Plasmatron ^ (Fig. 1) is made of a heat-resistant material Manufactured with low high frequency losses and arranged in the interior of a cup circle 2. Cup-circle resonators are practical with axis symmetry e.g. spherical, cylindrical among other things more expedient · If such resonators are excited with the fundamental oscillation (symmetrical oscillation), so
009847/07Ob009847/07 Ob
fällt das Feldstärkemaximum des elektrischen Feldes mit der Symmetrieachse zusammen. Die Gasentladungsröhre 1 ist eben längs dieser Achse angeordnet.the field strength maximum of the electric field coincides with the axis of symmetry. The gas discharge tube 1 is flat longitudinally arranged on this axis.
In den Öffnungen 3, durch die die Gasentladungsröhre in ' den Innenraum des Resonators 2 hindurchgelassen ist, sind Stutzen 4 mit unterkritischem Querschnitt eingebaut, welche die Ausstrahlung der Ultrahochfrequenzenergie nach außen verhindern. An Stelle dieser Stutzen 4 können Drosseln oder sonstige Vorrichtungen mit der Eigenschaften der Ultrahochfrequenzfilter eingebaut werden.In the openings 3, through which the gas discharge tube in ' the interior of the resonator 2 is allowed to pass through, nozzles 4 with a subcritical cross-section are installed, which prevent the radiation of ultra-high frequency energy to the outside world. Instead of this nozzle 4 throttles or other devices with the properties of ultra-high frequency filters to be built in.
Außerhalb des Topfkreises 2 ist um seinen Umfang rechtwinklig zur Längsachse der Gasentladungsröhre 1 ein ringförmig gebogener rechteckiger Hohlleiter 5 angeordnet, dessen eine Wand durch die Wand 6 (Fig. 2) des Topfkreises 2 gebildet ist.Outside the pot circle 2 is rectangular around its circumference to the longitudinal axis of the gas discharge tube 1 an annular arranged curved rectangular waveguide 5, one of which Wall is formed by the wall 6 (Fig. 2) of the cup circle 2.
Die in der Wand 6 ausgeschnittenen Spalte 7 dienen als Elemente der elektromagnetischen Kopplung, durch welche die Ultrahochfrequenzenergie in den Topfkreis 2 eingestrahlt wird· Die Spalte 7 sind von der Längsachse dej? Gasentladungsröhre gleichentfernt und so angeordnet, daß der Abstand zwischen den Mittelpunkten der benachbarten Spalte gleich der halben Wellenlänge der Ultrahochfrequenzschwingungen ist. Dabei liegen die benachbarten Spalte an verschiedenen Seiten5 der Längsachse des Hohlleiters 5. Diese Anordnung der Spalte gewährleistet die Gleichphasigkeit de.r in ihnen erzeugten Schwingungen. Der in der Kichtung der UHF-Energieausbreitung im Hohlleiter zuletzt liegende Spalt befindet eich in der Entfernung von einem Viertel der Wellenlänge von der HohlleiterwandThe gaps 7 cut out in the wall 6 serve as elements of the electromagnetic coupling through which the ultra-high frequency energy is radiated into the cup circle 2. The gaps 7 are from the longitudinal axis dej? Gas discharge tube equidistant and arranged so that the distance between the centers of the adjacent column is equal to half the wavelength of the ultra-high frequency oscillations. The adjacent gaps are on different sides 5 of the longitudinal axis of the waveguide 5. This arrangement of the gaps ensures that the vibrations generated in them are in phase. The last gap in the direction of the UHF energy propagation in the waveguide is located at a distance of a quarter of the wavelength from the waveguide wall
8. Diese Hohlleiterwand 8 bewirkt eine gleichmäßige Aufteilung8. This waveguide wall 8 causes an even division
009847/0705009847/0705
der UHF-Enegrie auf alle Spalte·the UHF energy on all columns
Die Strahlungselemente können nicht nur als Spalte, sondern auch als Schleifen oder Stifte ausgeführt werden· Dabei ist die Hohlleiteranordnung mit Stiften oder Schleifen die gleiche wie bei der oben beschriebenen Konstruktion·The radiating elements can be designed not only as gaps, but also as loops or pins · Thereby is the waveguide arrangement with pins or loops the same as the construction described above
Der Kopplungsgrad zwischen dem Hohlleiter 5 und den Kopplungselementen wird so gewählt, daß jedes Kopplungselement den gleichen Teil der Gesamtenergie in den Topfkreisresonator ausstrahlt. Bei der oben beschriebenen Ausführungsvariante wird der Kopplungsgrad durch die Verschiebung der Spalte in Bezug auf die Längsachse des Hohlleiters bestimmt«The degree of coupling between the waveguide 5 and the Coupling elements is chosen so that each coupling element receives the same part of the total energy in the pot-circle resonator radiates. In the variant described above the degree of coupling is determined by the displacement of the gaps in relation to the longitudinal axis of the waveguide «
In Eig· 3 ist ein Plasmatron mit zylindrischem Resonator 2 dargestellt· Der Hohlleiter 5 ist um den Umfang des zylindrischen Resonators 2 rechtwinklig zur Längsachse der Gasentladungsröhre 1 angeordnet· Die ebenfalls als Spalte 1 ausgebildeten Kopplungselemente liegen in den Abständen von einer Wellenlänge zwischen ihren Mittelpunkten auf der ganzen Hohlleiterlänge· Dabei befinden sich alle Spalte an einer Seite der Hohlleiter-Längsachse. Diese Anordnung der Kopplungselemente gewährleistet ebenfalls die Gleichphasigkeit der in ihnen entstehenden Schwingungen·In Eig · 3 is a plasmatron with a cylindrical resonator 2 · The waveguide 5 is around the circumference of the cylindrical Resonator 2 arranged at right angles to the longitudinal axis of the gas discharge tube 1 Coupling elements are at a distance of one wavelength between their centers along the entire length of the waveguide All gaps are located on one side of the waveguide longitudinal axis. This arrangement of the coupling elements also ensures that the vibrations that arise in them are in phase
Bs ist in Betracht zu ziehen, daß im zylindrischen Resonator des Plasmatron^" die Kopplungselemente auch in Abständen von einer halben Wellenlänge der UHF-Energie angeordnet werden können·It should be taken into account that in the cylindrical resonator of the plasmatron ^ "the coupling elements are also spaced apart of half a wavelength of UHF energy can be arranged
Statt des Hohlleiters mit der Wand 8 kann auch ein ringförmig gebogener Hohlleiter verwendet werden· Dabei wird dieInstead of the waveguide with the wall 8, an annularly curved waveguide can also be used
009847/0705009847/0705
Eigenschaft der zwei gegeneinander laufenden elektromagnetischen Wellen ausgenutzt, die sogenannte elektrische Wand zu bilden.Property of the two electromagnetic running against each other Waves exploited to form the so-called electrical wall.
Die in den Hohlleiter 5 (Fig. 4) eingeführte ÜHF-Energie teilt sich in zwei gleiche Teile, die sich im Hohlleiter gegeneinander ausbreiten· In der Zone, die der Einspeisungsstelle der UHF-Energie im Hohlleiterring diametral entgegengesetzt liegt, bilden diese Energieteile eine elektrische Wand, die die Holle der Wand 8 in den oben beschriebenen* Ausführungsvarianten des Plasmatrons spifelt. Die Anordnung dieses Hohlleiters in Bezug auf den Topfkreis und die Gasentladungsröhre sowie die Lage der Kopplungselemente, gegehenenfalls der Spalte 7, im Hohlleiter sind der oben beschriebenen .Anordnung analog« Dabei sind die an der elektrischen Wand am nächsten liegenden Spalte im Abstand von einem Vierteil der Wellenlänge der sich im Hohlleiter ausbreitenden UHF-Energie anzuordnen·The UHF energy introduced into the waveguide 5 (FIG. 4) divides into two equal parts, which spread out against each other in the waveguide · In the zone that of the feed point the UHF energy in the waveguide ring is diametrically opposite, these energy parts form an electrical wall, the the hell of the wall 8 in the above-described * design variants of the plasmatron whistles. The arrangement of this waveguide in relation to the pot circle and the gas discharge tube as well as the position of the coupling elements, possibly the column 7, in the waveguide are analogous to the arrangement described above. The gaps closest to the electrical wall are at a distance of a quarter of the wavelength of each other to arrange UHF energy propagating in the waveguide
Das erfindungsgemäß aufgebaute Plasmatron funktioniert folgenderweise·The plasmatron constructed according to the invention functions as follows:
In die Gasentladungsröhre wird ein plasmabildendes Gas eingeführt· Die durch den Hohlleiter 5 zugeführte UHF-Energie gelangt durch die Spalte 7 in den Resonator 2 und konzentriert sich an der Achse, die als Längsachse der Gasentladungsröhre 4 dient, wobei in dieser Röhre das Plasma gezündet wird, das die UHF-Energie absorbiert.A plasma-generating gas is introduced into the gas discharge tube introduced · The UHF energy supplied by the waveguide 5 passes through the gap 7 into the resonator 2 and is concentrated on the axis, which is the longitudinal axis of the gas discharge tube 4 serves, whereby the plasma is ignited in this tube, which absorbs the UHF energy.
Sind die Abmessungen des Resonators 2 so gewählt, daß die Arbeitsfrequenz der Resonanzfrequenz entspricht, so wird im Augenblick der Plasmazündung die elektrische FeldstärkeAre the dimensions of the resonator 2 chosen so that If the working frequency corresponds to the resonance frequency, the electric field strength becomes at the moment of plasma ignition
009847/0705009847/0705
an der Resonatorachse maximal und in den Spalten 7 minimal sein. Dieses Feldstärkerverhältnis erhöht die elektrische Festigkeit des Gerätes bei der Plasmazündung und erleichtert die Zündung im Zeitpunkt, wenn wegen der Resonanzeigenschaften des Resonators die elektrische Überbeanspruchung bei fehlender Energieabsorbtion besonders groß ist.be maximal at the resonator axis and minimal in the columns 7. This field strength ratio increases the electrical strength of the device during plasma ignition and makes it easier Ignition at the point in time when, due to the resonance properties of the resonator, the electrical overstress in the absence of Energy absorption is particularly great.
Um eine Berührung der Rohrenwände durch das Plasma zu vermeiden, wird durch die Röhre 4· ein Wirb el strahl des plasmabildenden Gases durchgeblasen. Das an der Röhrenachse entstehende Unter druckgebiet hält das Plasma von den Röhrenwänden fern·In order to avoid the plasma coming into contact with the tube walls, a vortex beam of the plasma-forming stream is passed through the tube 4 Blown through the gas. The negative pressure area created on the tube axis keeps the plasma away from the tube walls
Gemäß der vorliegenden Erfindung wurden Piasmatronversuchsmuster hergestellt und geprüft. Bei der Benutzung einer kontinuierlich erzeugten UHF-Energieleistung von 3kW entstand in einer Quarzröhre mit einem Durchmesser von 50 bm ©int Plasmastrahl, der eine Länge von 300 mm einen Durchmesser von 40 mm und eine Temperatur von 3000 bis 50000K hatte. In accordance with the present invention, piasmatron test samples were made and tested. When using a continuously produced UHF-energy output of 3 kW was built in a quartz tube having a diameter of 50 bm © int plasma beam having a length of 300 mm a diameter of 40 mm and a temperature of 3000 to 5000 0 K had.
0098A7/070B.0098A7 / 070B.
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US82245069A | 1969-05-07 | 1969-05-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1924790A1 true DE1924790A1 (en) | 1970-11-19 |
Family
ID=25236065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691924790 Pending DE1924790A1 (en) | 1969-05-07 | 1969-05-14 | Ultra-high frequency plasmatron |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3577207A (en) |
| DE (1) | DE1924790A1 (en) |
| FR (1) | FR2050610A5 (en) |
| GB (1) | GB1226278A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2632194A1 (en) * | 1975-07-18 | 1977-01-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | ACTIVE GAS REACTION DEVICE |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3757518A (en) * | 1970-11-03 | 1973-09-11 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Ion engine |
| US3911318A (en) * | 1972-03-29 | 1975-10-07 | Fusion Systems Corp | Method and apparatus for generating electromagnetic radiation |
| CA1024246A (en) * | 1973-08-22 | 1978-01-10 | Donald M. Spero | Apparatus and method for generating radiation |
| US4042850A (en) * | 1976-03-17 | 1977-08-16 | Fusion Systems Corporation | Microwave generated radiation apparatus |
| JPS5939178B2 (en) * | 1977-04-25 | 1984-09-21 | 株式会社東芝 | Activated gas generator |
| FR2432820A2 (en) * | 1977-11-08 | 1980-02-29 | Anvar | UHF energised plasma source - has resonant annular cavity within glass envelope for e.g. laser modulation plasma spectroscopy and pollution detection |
| US4292344A (en) * | 1979-02-23 | 1981-09-29 | Union Carbide Corporation | Fluidized bed heating process and apparatus |
| FR2473833A1 (en) * | 1980-01-11 | 1981-07-17 | Petrov Evgeny | Super-high frequency low temp. plasma generator - esp. for powder oxide(s) prodn. using SHF absorber mounted in resonant cavity allowing increased power |
| AT388814B (en) * | 1985-11-15 | 1989-09-11 | Paar Anton Kg | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING AN HF-INDUCED PLASMA PLASMA |
| DE3712971A1 (en) * | 1987-04-16 | 1988-11-03 | Plasonic Oberflaechentechnik G | Method and device for producing (generating) a plasma |
| US4883570A (en) * | 1987-06-08 | 1989-11-28 | Research-Cottrell, Inc. | Apparatus and method for enhanced chemical processing in high pressure and atmospheric plasmas produced by high frequency electromagnetic waves |
| DE4235914A1 (en) * | 1992-10-23 | 1994-04-28 | Juergen Prof Dr Engemann | Device for generating microwave plasmas |
| US5470541A (en) * | 1993-12-28 | 1995-11-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Apparatus and process for the preparation of hydrogen cyanide |
| GB9414561D0 (en) * | 1994-07-19 | 1994-09-07 | Ea Tech Ltd | Method of and apparatus for microwave-plasma production |
| EP0702393A3 (en) * | 1994-09-16 | 1997-03-26 | Daihen Corp | Plasma processing apparatus for radiating microwave from rectangular waveguide through long slot to plasma chamber |
| US6193878B1 (en) * | 1995-01-25 | 2001-02-27 | Zpm, Inc. | Multi-modal method and apparatus for treating a solution |
| US5810934A (en) * | 1995-06-07 | 1998-09-22 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Silicon deposition reactor apparatus |
| DE19600223A1 (en) * | 1996-01-05 | 1997-07-17 | Ralf Dr Dipl Phys Spitzl | Device for generating plasmas using microwaves |
| DE19608949A1 (en) * | 1996-03-08 | 1997-09-11 | Ralf Dr Spitzl | Device for generating powerful microwave plasmas |
| TW359847B (en) * | 1996-11-01 | 1999-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High frequency discharge energy supply means and high frequency electrodeless discharge lamp device |
| TW385623B (en) * | 1997-10-20 | 2000-03-21 | Sumitomo Metal Ind | Apparatus and method for microwave plasma process |
| US6057645A (en) * | 1997-12-31 | 2000-05-02 | Eaton Corporation | Plasma discharge device with dynamic tuning by a movable microwave trap |
| US6362449B1 (en) | 1998-08-12 | 2002-03-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Very high power microwave-induced plasma |
| EP0997927A3 (en) * | 1998-10-29 | 2003-06-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave applicator with annular waveguide, plasma processing apparatus having the same, and plasma processing method |
| US6870123B2 (en) | 1998-10-29 | 2005-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method |
| US6537493B1 (en) * | 2000-09-06 | 2003-03-25 | Microlizer Ltd. | Sterilization apparatus |
| KR20040020893A (en) * | 2001-04-27 | 2004-03-09 | 데이비드 시스템즈 앤드 테크놀로지, 에스. 엘. | Method for plasma catalytic conversion of fuels usable in an internal combustion engine of gas turbine into a synthesis gas and the plasma catalytic converter therefor |
| US20030104139A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | House Keith L. | Apparatus for depositing a plasma chemical vapor deposition coating on the inside of an optical fiber preform |
| US6657171B1 (en) * | 2002-11-20 | 2003-12-02 | Maytag Corporation | Toroidal waveguide for a microwave cooking appliance |
| EP2086285A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-05 | Anton Paar GmbH | Applicator and Apparatus for heating samples by microwave radiation |
| JP5349923B2 (en) * | 2008-11-27 | 2013-11-20 | 東海ゴム工業株式会社 | Microwave plasma processing equipment |
| NL2007968C2 (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-17 | Draka Comteq Bv | An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process. |
| NL2017575B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-13 | Draka Comteq Bv | A method and an apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process and a method |
| CN115666792A (en) * | 2020-06-02 | 2023-01-31 | 塔玛拉·蕾妮·韦伯 | Method for treating waste using low temperature plasma and apparatus therefor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1150717B (en) * | 1961-06-29 | 1963-06-27 | Max Planck Gesellschaft | Arrangement for generating high-frequency electromagnetic oscillations, preferably in the millimeter and sub-millimeter wave range, by means of a Penning-type gas discharge |
| GB1020224A (en) * | 1962-01-22 | 1966-02-16 | Hitachi Ltd | Improvements relating to an electron cyclotron resonance ultra-violet lamp |
| US3378723A (en) * | 1964-01-02 | 1968-04-16 | Rca Corp | Fast wave transmission line coupled to a plasma |
-
1969
- 1969-05-07 US US822450A patent/US3577207A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-05-14 DE DE19691924790 patent/DE1924790A1/en active Pending
- 1969-06-18 FR FR6920380A patent/FR2050610A5/fr not_active Expired
- 1969-07-15 GB GB3549669A patent/GB1226278A/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2632194A1 (en) * | 1975-07-18 | 1977-01-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | ACTIVE GAS REACTION DEVICE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3577207A (en) | 1971-05-04 |
| GB1226278A (en) | 1971-03-24 |
| FR2050610A5 (en) | 1971-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1924790A1 (en) | Ultra-high frequency plasmatron | |
| DE2439961C2 (en) | Plasma light source | |
| DE19628952C5 (en) | Device for generating plasma | |
| DE874927C (en) | Ultra-short wave arrangement for directed oncoming traffic | |
| DE1953732C3 (en) | Antenna for generating a recessed spherical sector diagram | |
| DE10100130A1 (en) | Standing wave particle beam accelerator with switchable beam energy has at least two probes for independent insertion into coupling volumes to alter electromagnetic field distribution | |
| DE1955914A1 (en) | High frequency plasma generator | |
| EP1183709B1 (en) | Linearly extended device for large-surface microwave treatment and for large surface plasma production | |
| DE1099093B (en) | Arrangement for coupling the helical delay line of a traveling wave tube to a waveguide | |
| DE2810057A1 (en) | STANDING SHAFT LINEAR ACCELERATOR | |
| EP1665324B1 (en) | Electron cyclotron resonance (ecr) plasma source having a linear plasma discharge opening | |
| DE1130083B (en) | Device for the spatial delimitation of a large number of charged particles | |
| DE1491499C1 (en) | Electron beam generator for a transit time tube | |
| WO2007144058A1 (en) | Modular linear accelerator | |
| DE1109796B (en) | Electron beam generation system with focusing ring for transit time tubes | |
| DE3044532A1 (en) | HIGH-FREQUENCY ANTENNA SMALL CIRCULAR APERTURE WITH AN ARRANGEMENT OF SLOT EMITTERS | |
| DE102006034084A1 (en) | Microwave energy concentrating arrangement for local operating region, has antenna system with antennas that radiate microwaves in mode in direction to region, and hollow body with elevation sections attached to respective antennas | |
| DE885257C (en) | Electron tubes for fanning (generating, amplifying, receiving) ultra-high frequency electromagnetic vibrations | |
| DE3302205A1 (en) | OPENED COIL MAGNET OF EVEN FIELD STRENGTH | |
| DE1261608B (en) | High frequency plasma generator | |
| DE713141C (en) | Electron tube arrangement for generating ultrashort waves in feedback circuit | |
| DE1615504A1 (en) | Microwave heating device | |
| DE2450131A1 (en) | LINEAR STANDING WAVE ACCELERATOR | |
| DE2258568C3 (en) | Rotationally symmetrical double hollow radiator | |
| DE1491369A1 (en) | Traveling field pipes |