DE1923799A1 - Circuit arrangement bistable behavior - Google Patents

Circuit arrangement bistable behavior

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DE1923799A1 DE19691923799 DE1923799A DE1923799A1 DE 1923799 A1 DE1923799 A1 DE 1923799A1 DE 19691923799 DE19691923799 DE 19691923799 DE 1923799 A DE1923799 A DE 1923799A DE 1923799 A1 DE1923799 A1 DE 1923799A1
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Description

SIEMENS AKi1IENGESELLSCHAPTSIEMENS AKi 1 IENGESELLSCHAPT

den "ΐ/ΜΑΙ 1969the "ΐ / ΜΑΙ 1969

PAPA

GS/2HGS / 2H

Schaltungsanordnung rait bistabilen! VerhaltenCircuit arrangement rait bistable! behavior

ist aus der deutsehen Auslegeschrift T Q5O 376 bereits .is already from the German interpretation T Q5O 376.

Einrichtung an bistabilen Halbleiterkippschältungen als GGdächtnisclemente in Steuer- und Regelanlagen zur Vermeidung von Pehlkoraraandos nach Netzspannungsausfällen bekannt, bei der die beiden Arbeitsstromzv/eige der Kippschaltung durch einen sättigbaren Transformator mit gegensinnigerDevice on bistable semiconductor tilting circuits as Memory elements in control and regulation systems for avoidance known from Pehlkoraraandos after power failures, where the two working current cells of the flip-flop circuit through a saturable transformer with opposite directions

V/d/MaiV / d / May

9Q9&86/12979Q9 & 86/1297

PA y/452/56 . -2- . :■-.■■,; -PA y / 452/56. -2-. : ■ -. ■■ ,; -

Y/icklungspolung gekoppelt sind, der au! Grund der Hysterese eine der jeweiligen Ruhelage entsprechende Unsymmetrie bei Netzspannungsausfallen aufrechterhält und nach Spannungswiederkehr den ursprünglichen Be iriebszustand herbeiführt;.Y / winding polarity are coupled, the au! Reason for the hysteresis an asymmetry corresponding to the respective rest position Mains voltage failure is maintained and after voltage return brings about the original operating condition ;.

Es gibt jedoch Anwendungsfülle,- bei denen eine Einfügung derartiger nichtlinearor Widerstände in Schaltungsanordnungen mit bistabilen '/erhalten nicht ohne weiteres zulässig ist-.There is, however, a wide range of applications - in which an insertion of such non-linear resistors in circuit arrangements with bistable '/ get is not readily permitted-.

Aufgabe der Erfindung' ist es. eine Schaltungsanordnung mit bistabilera Verhalten zu schaffen, die die. genannten Schwierigkeicen bei möglichst geringen Schaltungsaufwand vermeldeteIt is the object of the invention. a circuit arrangement with bistabilera to create behavior that the. mentioned difficulties reported with the least possible switching effort

Eine spezielle Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung mit bistabilen Verhalten und mit Speicherung des/ Schaltzuctandes derart auszubilden; daß einer der darin enthaltenen Schaltkreise mit bistabilem -Verhalten zur wahlweisen Durchschaltung bzw. Sperrung von Wechselspannungen vorteilhaft verwendbar ist. A special object of the invention is to provide a circuit arrangement with bistable behavior and with storage of the / To train Schaltzuctandes in such a way; that one of the contained therein Circuits with bistable behavior can be used advantageously for the optional switching through or blocking of alternating voltages.

Gemäß der Erfindung wird die Schaltungsanordnung mit bistabilen Verhalten zur lösung dieser Aufgabe derart ausgebildet; daß die eine Wicklung rit einem von Schaltzustand der Schalttungsanordnung unabhängigen Strom, gespeist und die andere Wicklung in einem je nach Schaltzustand der Schaltungsanordnung stromführenden oder nichtstromführenden, zugleich als Steuerkreis ausgebildeten Kreis angeordnet ist uiUl eine in Bezug auf die von der anderen Wicklung erzeugte Durchflutunß entgegengesetzt gerichtete und derart, insbesondere etwa un den Paktor zwei, größere Durchflutung erzeugt, daß , der Übertrager je nach Schaltzustand der Schaltungsanordnung den einen oder anderen Speicherzustand einnimmt= Dabei können als Schaltelemente insbesondere Transistoren oder -Thyristoren dienen- Durch diese Maßnahmen ergibt sich der Vorteil, daß bei der Schaltungsanordnung bei geringem SchaltungsaufwandAccording to the invention, the circuit arrangement is designed with bistable behavior to solve this problem in such a way; that one winding is supplied with a current that is independent of the switching state of the circuit arrangement, and the other winding is arranged in a circuit that is current-carrying or non-current-carrying, at the same time as a control circuit, depending on the switching state of the circuit arrangement , and possibly an opposite direction in relation to the flow generated by the other winding and in such a way, in particular about the factor two, greater flow is generated that , depending on the switching state of the circuit arrangement, the transformer assumes one or the other memory state = transistors or thyristors in particular can serve as switching elements- These measures have the advantage that in the circuit arrangement with little circuit complexity

-3-86/US7-3-86 / US7

BADBATH

ΡΛ 9/432/36 -3-ΡΛ 9/432/36 -3-

eiii von nielitlineax-en Widerständen freier Schaltkreis mit besonders vorteilhaften Schal tv. igehschaf ten zur Verfügung steht. Ferner kann der Zeitpunkt, zu dem die Schaltungsanordnung Jiach Einsehalten des Netzes in die vor Netzspannungsaur.fall vorhandene Lage überführt werden soll- in vorteilhafter V/cir.u frei gewühlt werden 'eiii circuit free of nielitlineax-en resistors with particularly advantageous scarf tv. properties available stands. Furthermore, the point in time at which the circuit arrangement After switching on the mains in the previous mains voltage failure existing situation should be converted into more advantageous V / cir.u to be freely rooted '

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung wird die -Schaltungsanordnung derart ausgebildet, daß Von zwei in der Schaltungsanordnung enthaltenen "Translatoren, nur der eine sättigbar und der andere, insbesondere zur wahlweisen Durchschaltung oder Sperrung von V/eehselspannungen vorgesehene Transistor in den aktiven Bereich steuerbar ist? Der in der Ernitter- :;ulci tung mit der einen Wicklung- beschal te te Transistor wird dabei. ^weckriißigerv/eise durch den sättigbaren Transistor gebildet. Eine derart ausgebildete Schaltungsanordnung läßt sieh besonders vorteilhaft bei der wahlweisen Durchschaltung und Sperrung von Wechselspannung«! einsetzenIn a further embodiment of the invention, the circuit arrangement is designed in such a way that of two "translators contained in the circuit arrangement, only one can be saturable and the other transistor, in particular intended for the optional switching through or blocking of V / voltage voltages, can be controlled into the active area ? The In the emitter circuit with one winding connected transistor is formed by the saturable transistor

In Y/eiterbildung der Erfindung wird die Schaltungsanordnung derart ausgebildet, daß die Transistoren vom einander entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps sind und daß die Basic des in den aktiven Bereich steuerbaren Transistors, insbesondere über entkoppelnde Schaltinittel, an einen Eingang für eine V/echsel'spannuiig, ferner über einen Widerstand an ein den Translator sperrendes Potential und über einen v/eiteren Widerstand an den Kollektor des sättigbaren Transistors geführt ist, und daß bei den sättigbaren Transistor dei* Emitter über die eine Wicklung des Übertragers Bezugspotential und die Basis an den Kollektor des in den aktiven Bereich steuerbaren Transistors geführt,ist. Eine derartige Schaltungsanordnung; die insbesondere über einen mit der Basis des sättigbaren Transistors verbundenen Steuereingang steuerbar ist5läßt sich vorteilhaft in Koppelfeldern bzw. Durchschaltefeldorn nach Art von Kreuzschienenverteiler!! einsetzen.In the embodiment of the invention, the circuit arrangement designed so that the transistors from each other opposite Conductivity type and that the basic of the transistor controllable in the active area, in particular via decoupling switching means, to an input for a V / echsel'spannuiig, furthermore via a resistor to one of the Translator blocking potential and passed through a further resistor to the collector of the saturable transistor is, and that in the saturable transistor the emitter Via one winding of the transformer reference potential and the base to the collector of the controllable in the active area Transistor led is. Such a circuit arrangement; which can be controlled in particular via a control input connected to the base of the saturable transistor ist5 can be advantageously used in switching networks or switching fields in the manner of a crossbar distributor !! insert.

909886/1297909886/1297

BAD ORIGINAL BATH ORIGINAL

PA 9/432/36- -4-PA 9/432 / 36- -4-

Eg ist ferner zweckmäßig, die Basic des in der Emitterzulcitung mit der einen Wicklung beschalteten, insbesondere sattigbaren, Transistors über einen V/idors band an das Bezugspotential zu führen.Eg it is also advisable to use the basic des in the emitter feed with the one winding connected, in particular saturable, transistor tied to the reference potential via a V / idors respectively.

In Weiterbildung der Erfindung enthält die Mitkopplungsschloife der Schaltungsanordnung mit bistabilein Verhalten ein Netzwerk mit integriei"endem Verhalten.In a further development of the invention, the positive feedback loop contains the circuit arrangement with bistable behavior creates a network with integrating behavior.

Es ist ferner zweckmäßig, die Schaltungsanordnung bei einer Einrichtung mit wenigstens einer Gruppe von Schaltungsanordnungen, bei der gleichzeitig nur eine geringe Zahl durchgeschal tet sein kann, derart auszubilden, daß die von dem vom Schaltzustand unabhängigen Strom durchflossene,Wicklung des Übertragers zusammen mit den gleichartigen Wicklungen der anderen Sclialtungsanordnungen derselben Gruppe in Reihe geschaltet ist. Dice trifft insbesondere für die zur wahlweiscn Sperrung oder Durchschaltung von Wechsolspannungen in einem Koppelfeld vorgesehenen, ein und demselben Ausgang zugeordneten Schaltungsanordnungen zu.It is also expedient to design the circuit arrangement in a device with at least one group of circuit arrangements in which only a small number can be durchgeschal tet at the same time that the winding of the transformer through which the current flows independently of the switching state, together with the similar windings the other Slialtungsanrichtungen the same group is connected in series. Dice applies in particular to the circuit arrangements assigned to one and the same output, which are provided for the optional blocking or switching through of AC voltages in a switching network.

Es ist ferner zweckmäßig, den vom Schaltzustand der Kippstufe unabhängigen Strom einer Einrichtung zur Einschaltung des Stromes mit einer für eine sichere Abfrage des Übertragers bemessenen Zeitkonstante zu entnehmen,It is also useful to determine the switching state of the flip-flop independent current of a device for switching on the current with one for a reliable query of the transformer measured time constant,

Die Erfindung wird anhand des in der Figur dargestellten Ausiührungsbeispieles näher erläutert.The invention is illustrated by means of the one shown in the figure Ausiührungsbeispieles explained in more detail.

Die Figur zeigt eine Schaltungsanordnung mit bistabilen Verhalten, die zur wahlweisen Durchschaltung von Wechselspannungen in einem Durchschaltefeld nach Art eines Kreuzschienenverteilers vorgesehen ist. Die Schaltungsanordnung kann jedoch auch für andere Verteiler " vorgesehen werden oder anderen Zwecken " dienen,The figure shows a circuit arrangement with bistable behavior, which is provided for the optional switching through of alternating voltages in a switching field in the manner of a crossbar distributor. However, the circuit arrangement can also "be provided for other distributors or serve other purposes ",

-5-909886/129?-5-909886 / 129?

ΡΛ 9/432/36 -5-ΡΛ 9/432/36 -5-

Von mehreren, dem Ausgang 15 des Durchsehaltefeldes vorgeschalteten unsymmetrischen Koppelelementen bzw. Torschaltungen ist lediglich das Koppelelement bzw. der Knotenpunkt 20 dargestellt, der als bistabile Kippstufe mit komplementären Transistoren ausgebildet ist.Of several upstream of the output 15 of the hold-through field asymmetrical coupling elements or gate circuits is only the coupling element or the node 20 shown as a bistable multivibrator with complementary Transistors is formed.

Das Koppelelement 20 besitzt eine Transistorstufe in Kollektor-Grundschaltung, die den Transistor 10 enthält und zur wahlweisen Sperrung oder Durchschaltung von Wechselspannungen dient. Diese Transistorstufe kann auch in Emitter-Grundschaltung geschaltot und mit Hilfe eines je Ausgang der Schaltungsanordnung vorgesehenen Verstärkers schleifengegengekoppelt werden=The coupling element 20 has a transistor stage in the common collector circuit, which contains the transistor 10 and for the optional blocking or switching of AC voltages serves. This transistor stage can also be switched in a basic emitter circuit and with the help of one per output the circuit arrangement provided amplifier with negative feedback will =

Der NPN-Transistor 10 gibt je nach dem Schaltzustand der Kippstufe die vom Eingangsübertrager 11 aus über die Diode 12 an die Basis gelegte Wechselspannung an den Ausgang 15 verstärkt ab. In einem Koppelfeld, insbesondere nach Art eines Kreuzschienenverteilers, werden von dem Eingangsübertrager 11 weitere Knotenpunkte in der gleichen Weise angesteuert. Andererseits werden in einem derartigen Koppelfeld mehrere Knotenpunkte dadurch an den Ausgang 15 geführt, daß die Emitter der verstärkenden Transistoren am gemeinsamen Arbeitswiderstand 14 liegen, der zwischen Betriebsspannung und Ausgang 15 angeordnet ist,The NPN transistor 10 is depending on the switching state of Flip-flop from the input transformer 11 via the diode 12 AC voltage applied to the base is amplified at output 15. In a coupling matrix, in particular according to Art a crossbar distributor, further nodes are controlled in the same way by the input transformer 11. On the other hand, in such a switching network, several nodes are led to the output 15 in that the emitters of the amplifying transistors are connected to the common working resistor 14, which is between the operating voltage and output 15 is arranged,

An die Basis des Transistors 10 ist sowohl die an den Eingangsübertrager 11 gelegte Wechselspannung als auch eine Steuergloichspannung gelegt, so daß die Wechselspannung zur Gleichspannung addiert wird. Dabei ist der Eingangsübertrager 11 von der Basis des Transistors TO galvanisch getrennt» Die Sekundärwicklung des Eingangsüberträgers TI ist auf der einen Seite an die Gleichspannung -19 V geführt und auf der anderen Seite über die Diode 11 an die Basis des Transistors TOAt the base of the transistor 10 is both that at the input transformer 11 applied alternating voltage as well as a control equilibrium voltage, so that the alternating voltage becomes the direct voltage is added. The input transformer 11 is galvanically isolated from the base of the transistor TO »Die Secondary winding of the input transformer TI is on the one side to the DC voltage -19 V and on the the other side via the diode 11 to the base of the transistor TO

ΡΛ 9/432/36 -6- ·ΡΛ 9/432/36 -6-

gelegt, sowie an weitere, nicht näher dargestellte. an denselben Eingang angeschlossene Koppelclemente geführt.placed, as well as other, not shown. to the same Input connected coupling elements out.

Die Steuerspannung, die den Transistor '0 in den sperrenden oder leitenden Zustand steuert, wird in dem Spannungsteiler 16 gebildet, der die Widerstände 7, 9 und .'3 enthält, Dabei ist die Basis des Transistors 10 über die in Serie zueinander geschalteten Widerstände 9 und 7 an dem Kollektor des Transistors 5 und über den Widerstand 13 an die Betriebsspannung gelegt. Der Emitter des Transistors 5 ist über die \7icklung 22 des Übertragers 2 an Masse geführt,The control voltage that the transistor '0 in the blocking or conductive state controls, is formed in the voltage divider 16, which contains the resistors 7, 9 and .'3, Here is the base of transistor 10 across in series with each other connected resistors 9 and 7 at the collector of the transistor 5 and via the resistor 13 to the operating voltage placed. The emitter of transistor 5 is across the winding 22 of the transformer 2 led to ground,

Die Basis dos Transistors 5 liegt am Steuereingang 6 der Kippstufe, am Kollektor des Transistors 10 und über den Widerstand 3 an Masse,The base of the transistor 5 is connected to the control input 6 of the Flip-flop, at the collector of transistor 10 and via resistor 3 to ground,

Eine v/eitere Wicklung 21 des Übertragers 2 ist über den Widerstand 4 ständig an Versorgungsspannung angeschlossen» Die Widerstände 9 und 13 sind durch den Kondensator 8 überbrückt : A further winding 21 of the transformer 2 is on the Resistor 4 is constantly connected to the supply voltage » The resistors 9 and 13 are bridged by the capacitor 8:

Die Diode 12 ist so gepolt, daß sie bei gesperrtem Transistor 5 ebenfalls sperrt, Der Spannungsteiler 16 ist so dimen sioniert, daß die Diode 12 bei leitendem Transistor 5 ebenfalls leitet.The diode 12 is polarized so that it also blocks when the transistor 5 is blocked. The voltage divider 16 is so dimensioned sioniert that the diode 12 also conducts when the transistor 5 is conductive.

Das Eingangssignal wird über die Diode '·". eingespeist., -Wenn der Transistor 5 durchgostcuert wird, fließt über die Diode *1 Strom und man erhält an der Basis desTransistors 10 eine Spannung von z.B. -18,3 V und dementspreehend am Emitter eine Spannung von z.B. -19 Y.The input signal is fed in via the diode '· "., -When the transistor 5 is passed through, current flows through the diode * 1 and a voltage of, for example, -18.3 V is obtained at the base of the transistor 10 and a corresponding voltage at the emitter Tension of e.g. - 1 9 Y.

Wird der Transistor 5 dagegen gesperrt, so v/ird die Basis des Transistors TO über die Widerstände 7, 9 und die Wieklung 22 an die Betriebsspannung von ζ^B. -24 V gelegt und dieOn the other hand, if the transistor 5 is blocked, the base becomes of the transistor TO via the resistors 7, 9 and the weighing 22 to the operating voltage of ζ ^ B. -24 V placed and the

PA 9/432/56 -?-PA 9/432/56 -? -

Mode i': und die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 10 ζ.B. mit 5 V gesperrteMode i ': and the base-emitter path of the transistor 10 ζ. B. blocked with 5 V.

Diese Schaltung ist "besonders günstig, da für das Sperrverhalten die !Reihenschaltung der Sperrkapazität der Diode 11 und der Kapazität der gesperrten Basis-Emitter-Strecke des Transistors 10 maßgebend ist Außerdem wird der Eingangsviderstand eines gesperrten Koppeleleinentes sehr groß- Der über den Widerstand 13 durch die Diode 12 fließende Gleichstrom kann in Hinblick auf einen großen Klirrabstand genügend groß gewählt werdenThis circuit is "particularly favorable, since it is responsible for the blocking behavior the series connection of the blocking capacitance of the diode 11 and the capacitance of the blocked base-emitter path of the transistor 10 is decisive. In addition, the input resistance a blocked coupling element very large- The direct current flowing through the resistor 13 through the diode 12 can be chosen to be sufficiently large with regard to a large distortion distance

Man kann die Transistoren andererseits auch derart ansteuern, daß das Sperrpotential über eine Sekundärwicklung eines Eingangsiibcrträgers und einen dazu in Serie liegenden Widerstand der Basis des Transistors zugeführt wird, wobei die Sekundärwicklung für alle s\i den betreffenden Eingang angeschlossenen Transistorstufen gemeinsam vorgesehen ist.On the other hand, the transistors can also be controlled in such a way that the blocking potential is via a secondary winding of an input carrier and a resistor in series therewith is fed to the base of the transistor, the Secondary winding for all s \ i connected to the relevant input Transistor stages is provided jointly.

Ausgehend von der in der Figur gezeigten Schaltungsanordnung kann man ferner "anstelle der Diode 12 einen Kondensator vorsehen, wobei der Eingangsübertrager 11 entfällt-.Based on the circuit arrangement shown in the figure one can also "provide a capacitor instead of the diode 12, the input transformer 11 is omitted.

Der Knotenpunkt 20 besteht aus einer mit komplementären Transistoren aufgebauten bistabilen Kippstufe, wobei der Transistor 5 in durchgcschalteten Zustand bis in die Sättigung gesteuert wix'd, wogegen der Transistor 10 im Verstärkerbetrieb bswc in aktiven Bereich bleibt und das, insbesondere durch ein Trägerfarequenz-Signal gebildete Eingangssignal durchschaltet.The node 20 consists of one with complementary transistors built bistable multivibrator, the transistor 5 is controlled in the switched-through state to saturation, whereas the transistor 10 is in amplifier mode bswc remains active and that, in particular input signal formed by a carrier harmonic signal switches through.

Wenn der Knotenpunkt gesperrt ist, ist die Y/icklung 22 des Übertragers 2 stromlos und der Speicherkern bzw. Übertrager 2 wird mit dem Gleichstrom I über die Wicklung 21 in die Lage 0 magnetisiert. Wenn der Knotenpunkt durchgeschaltet ist,When the node is locked, the winding 22 is the Transformer 2 is de-energized and the storage core or transformer 2 is fed with the direct current I via the winding 21 into the Position 0 magnetized. When the node is switched through,

909886/1297 "8"909886/1297 " 8 "

ΡΛ 9/432/36 -8-ΡΛ 9/432/36 -8-

v/ird der Speicherkern 2 mit den Gleichstrom 2 I über die Wicklung 22 in die Lage 1 magnetisiert, wobei gleiche Windung zahlen von Wicklung 21 und Wicklung 22 vorausgesetzt werden. Bei ungleichen Windungszahlen ändex^t sich das Verhältnis der Ströme entsprechend.v / ird the memory core 2 with the direct current 2 I over the Winding 22 magnetized in position 1, with the same turn numbers of winding 21 and winding 22 are assumed. If the number of turns is unequal, the ratio changes corresponding to the currents.

Wird ein in der Lage 0 befindlicher Speicherkern in Richtung zur Lage 0 magnetisiert, so treten an der Wicklung 22 kurze Stöiirapulse auf, die durch entsprechende Wahl der Zeitkonstanten beim Ummagnetisieren klein gehalten werden können. Ein RC-Glied erhöht die Sicherheit, daß diese Störimpulse die Kippstufe nicht durchschalten können,A memory core in position 0 becomes in the direction of magnetized to position 0, short disturbance pulses occur on winding 22, which can be achieved by appropriate selection of the time constants can be kept small during magnetization reversal. An RC element increases the security that these interference pulses cannot switch through the multivibrator,

Je nach Schaltzustand der Torschaltung wird der Speicherkern 2 in verschiedener Richtung magnetisiert, und zwar soP daß dann, wenn die Torschaltung vor einem Stroinversorgungsausfall durchgeschaltet war, beim Einschalten des Netzes durch das Umschalten des Kernes ein Impuls auftritt, der die Torschaltung wieder einschaltet,Depending on the switching state of the gate circuit of the memory core 2 is magnetized in different directions, and such P that when the gate was turned on before a Stroinversorgungsausfall, a pulse occurs due to the switching of the core when turning on the network which switches the gate again,

Die Kippstufe ist so zu dimensionierenψ daß durchgeschaltete Knotenpunkte bei Ausfall der Stromversorgung erst bei kleinen Stroraversorgungsspannungen in den gesperrten Zustand kippen,' damit der Zustand der Magnetisierung erhalten bleibt. Beim Wiedereinschalten des Netzes sind vorerst alle Knotenpunkte gesperrt. Es werden somit alle Speicherkorne jeweils? über die Wicklung 21 in die Lage 0 magnetisiert. Dabei treten an der Wicklung 22 Impulse auf, die, wenn der Kern bereits in Lage 0 magnetisiert war, kurzer und normalerweise auch kleiner sind, als wenn der Kern vorher in Lage 1 magnetisiert war, Diese Impulse steuern den Transistor 5 leitend, wobei aber nur die langen Impulse über das RC-Glied aus dem Widerstand 7 und dem Kondensator 8 auch den Transistor 10 leitend steuern und damit die Kippstufe durchschalten können. Wenn die Kippstufe durchgeschaltet ist, magnetisiertThe flip-flop should be sized such that ψ by switched hubs in loss of power tilt only at small Stroraversorgungsspannungen to the locked state, 'so that the state of magnetization is maintained. When the network is switched on again, all nodes are initially blocked. There are thus all storage grains each? Magnetized into position 0 via winding 21. In this case, pulses occur on winding 22 which, if the core was already magnetized in position 0, are shorter and usually smaller than if the core was previously magnetized in position 1. These pulses make transistor 5 conductive, but only the long pulses via the RC element from the resistor 7 and the capacitor 8 also control the transistor 10 conductive and thus can switch through the flip-flop. If the flip-flop is switched through, magnetized

909886/1297 -9-909886/1297 -9-

BAD OBtGVHALBAD OBtGVHAL

PA 9/432/36 -9-PA 9/432/36 -9-

sie den Speicherkern 2 sofort wieder in die lage 1, wodurch der ursprüngliche Zustand wieder erreicht ist,they immediately put the memory core 2 back into position 1, whereby the original state is reached again,

Um den Versorgungsstrombedarf klein zu halten, ist es zweckmäßig, die Wicklungen 21 der Speicherkerne alle-r mit ein und demselben Ausgang des Koppelfeldes verbundenen Knotenpunkte in Reihe zu schalten und über einen dem Ausgang zugeordneten Widerstand an die Veroorgungsspannung zu legen,In order to keep the supply current requirement small, it is expedient to include the windings 21 of the storage cores all with one and the other the same output of the switching network connected nodes in series and assigned to the output To apply resistance to the supply voltage,

Damit die Anordnung auch bei schleichendem Einschalten des Netzes sicher funktioniert, ist zweckmäßigerweise entweder eine Vorrichtung vorzusehen, die erst bei Erreichen einer bestimmten Netzspannung das Netz mit definierter Zeitkonstante einschaltet oder die Wicklungen 21 der Speicherkerne nach Einschalten des Netzes verzögert und/oder mit definierter Zeitkonstantc an Spannung legt.So that the arrangement works reliably even if the network is gradually switched on, it is advisable to either to provide a device that only when a certain mains voltage is reached, the mains with a defined time constant switches on or the windings 21 of the storage cores delayed after switching on the network and / or with a defined Time constantc applies voltage.

Bei symmetrischer Durchschaltung von Wechselspannungen enthält die Schaltungsanordnung einen weiteren in den aktiven Bereich steuerbai'en Transistor, wobei von den in den aktiven Bereich steuerbaren Transistoren vom selben Leitfähigkeitstyp jeder einen wenigstens zum Teil eigenen Basisspannungsteiler aufweist.In the case of symmetrical switching through of AC voltages, the circuit arrangement contains another in the active one Area controllable transistor, whereby from the in the active Area of controllable transistors of the same conductivity type, each with at least partially its own base voltage divider having.

Die Koppelpunkte der Schaltungsanordnung lassen sich punktweise, insbesondere über Koinzidenzgatter ansteuern, wobei die Steuerimpulse der Basis eines der in der bistabilen Kippstufe enthaltenen Transistoren zugeführt werden»The coupling points of the circuit arrangement can be controlled point by point, in particular via coincidence gates, with the control pulses of the base of one of the in the bistable The transistors contained in the flip-flop are fed »

Die Koppelpunkte der Schaltungsanordnung können andererseits auch mit koinzidenten Impulsen koordinatenweise angesteuert werden, derart, daß jeweils, alle Koppolpunkte einer Zeile mit einem ersten und alle Koppelpunkte einer Spalte mit einem zweiten Steuerimpuls beaufschlagt werden= Dabei wird zw.eckmäßigerwciso der eine Steuerimpuls dem Emitter und der andereThe crosspoints of the circuit arrangement can on the other hand also controlled by co-ordinates with coincident impulses are, in each case, all coupling points of a line with a first and all crosspoints of a column with a second control impulse is applied = it becomes more practical one control pulse to the emitter and the other

-10-909886/1297 -10- 909886/1297

BADBATH

PA 9/432/36 -10-PA 9/432/36 -10-

Steuerimpuls der Basis ein und desselben in der bistabilen Kippstufe enthaltenen Transistors zugeführt, Als besonders zweckmäßig hat sich dabei eine koordina teilweise Ansteuerung des verstärkenden Transistors 4 erwiesen, bei der die Ausgangsleitung in vorteilhafter Weise, zugleich als Steuerleitung Verwendung findet.Control pulse of the base one and the same in the bistable Flip-flop included transistor fed, as a special A partial coordinaire control of the amplifying transistor 4 has proven to be expedient, in which the output line advantageously also functions as a control line Is used.

Ferner können bei den Koppelelementen die Poüeiitialverhältnisse so gewühlt werden, daß von den ein und demselben Ausgang zugeordneten Koppclolementen nur dann eines in den leitenden Zustand übergeführt werden kann, wenn auf den betreffenden Ausgang noch kein Koppelelement durchgcschaltet i3t. Bei einer derartigen Ausbildung der Schaltungsanordnung nuß vor einer neuen Durchschaltung gegebenenfalls ein bereits leitendes Koppelelement gelöscht werden.» Die Löschung kann dabei gruppenweise oder einzeln vorgenommen werdenFurthermore, the Poüeiitialbedingungen in the coupling elements be rooted in such a way that from the one and the same exit associated coupling element can only be converted into the conductive state if no coupling element has yet been switched through to the output concerned i3t. In the case of such a configuration of the circuit arrangement, it may be necessary to use an already before a new through-connection conductive coupling element are deleted. » The deletion can can be carried out in groups or individually

9 Patentansprüche
1 Figur9 claims
1 figure

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909886/1297909886/1297

Claims (1)

ΡΛ 9/432/36 -11-ΡΛ 9/432/36 -11- PatentanstirüchePatent infringements Schaltungsanordnung mit bistabilen Vei'halten. die mit HiIIo eines Übertragers mit magnetisch hartem Kernmaterial und mit zwei Wicklungen nach Unterbrechungen der Versorgungsspannungen in den vor Ausfall der Versorgungsspannung vox'handenen Schaltzustand übergeführt v/ird, dadurch gekennzeichnet, daß die eine V/iclclung (21) mit einem vom Schaltzustand der Schaltungsanordnung (20) unabhängigen Strom (I) gespeist und die andere Wicklung (22) in einen je nach Schaltsustand der Schaltungsanordnung stromführenden oder nichtstromführendenr zugleich als Steucx\kreis ausgebildeten Kreis angeordnet ist und eine in Bezug'auf die von der anderen Wicklung (21) erzeugte Durchflutung entgegengesetzt gerichtete und derart; insbesondere etwa um den Faktor zwei, größere Durchflutung erzeugt, daß der Übertrager je nach Schaltzustand der Schaltungsanordnung (20) den einen oder anderen Speicherzustand einnimmt * „Circuit arrangement with bistable Vei'halten. which with a transformer with magnetically hard core material and with two windings after interruptions of the supply voltages is converted into the switching state that existed before the failure of the supply voltage, characterized in that the one winding (21) with one of the switching state of the circuit arrangement fed (20) current (I) independent and the other winding (22) is arranged in a current carrying or non-current carrying depending Schaltsustand the circuitry r at the same time as Steucx \ circle formed circle and in Bezug'auf of the other winding (21) generated throughflow oppositely directed and such; in particular by a factor of about two, greater flow is generated that the transformer assumes one or the other memory state depending on the switching state of the circuit arrangement (20) * " 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß von zwei in der Schaltungsanordnung enthaltenen Transistorsn (5, 10) nur der eine (5) sättigbar und der andere, insbesondere zur wahlweisen Durchschaltung oder Sperrung von Wechselspannungen vorgesehene: Transistor (10) in den aktiven Bereich steuerbar is2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that of two transistors contained in the circuit arrangement (5, 10) only one (5) saturable and the other, in particular provided for the optional switching through or blocking of alternating voltages : transistor (10) in the active area can be controlled 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich net, daß der in der Emitterzuleitung mit der einen Wicklung (22) beschaltete !Transistor (5) durch den sättigbaren Transistor (5) gebildet ist*3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the one winding in the emitter lead (22) wired! Transistor (5) is formed by the saturable transistor (5) * 4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 und 3f dadurch gekennzeichnet; daß die Transistoren (5; 1O durch Transistoren des einander entgegengesetzten Leit-4. Circuit arrangement according to one of claims 2 and 3 f, characterized; that the transistors (5; 1 O by transistors of the opposite conduction 909886/1297909886/1297 ~12~~ 12 ~ ΡΛ 9/432/56 -12-ΡΛ 9/432/56 -12- fähigkeitstyps gebildet sind und daß die Basis des in den aktiven Bereich steuerbaren Transistors (10), insbesondere· über entkoppelnde Schaltrnittel (Diode 12), an einen' Eingang für eine Wechselspannung; ferner übei* einen Widerstand (13) an ein den Transistor (10) sperrendes Potential und über einen weiteren Widerstand (Widerstände 75 9) an den Kollektor des sättigbaren Transistors (5) geführt ist, und dai3 bei dem sättigbaren Transistor der Emitter über die eine Wicklung (22) des Übertragers (2) Bezugspotential und die Basis an den Kollektor des in den aktiven Bereich steuerbaren Transistors (10) geführt ist:capability type are formed and that the base of the controllable in the active area transistor (10), in particular · via decoupling switching means (diode 12), to an 'input for an alternating voltage; furthermore via a resistor (13) to a potential blocking the transistor (10) and via a further resistor (resistors 7 5 9) to the collector of the saturable transistor (5), and dai3 in the saturable transistor the emitter via the a winding (22) of the transformer (2) reference potential and the base to the collector of the transistor (10) controllable in the active area: Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 45 dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des in der Emitterzuleitung mit der einen Wicklung (22) beschalteten, insbesondere sättigbaren Transistors (5) über einen Widerstand (3) an das Bezugspotential (Masse) geführt ist.Circuit arrangement according to one of Claims 2 to 4 5, characterized in that the base of the, in particular saturable, transistor (5) connected to one winding (22) in the emitter lead is connected to reference potential (earth) via a resistor (3). C-., Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5; dadurch gekennzeichnet, daß die Mifkonplungsschleife ein Netzwerk mit integrierendem Verhalten enthält, C-. , Circuit arrangement according to one of Claims 2 to 5 ; characterized in that the Mifkonplungsschleife contains a network with integrating behavior, 7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 TnR 6; dadurch gekennzeichnet, daß , - . bei einer Einrichtung mit wenigstens einer Gruppe von Schaltungsanordrmngen, bei der gleichzeitig nur eine geringe Zahl durchgeschaltet sein kann, die von dem vom Schaltzustand unabhängigen Strom (I) durchflossene Wicklung des Übertragers zusammen mit den gleichartigen Wicklungen der anderen Schaltungsanordnungen derselben Gruppe in Reihe geschaltet ist,7. Circuit arrangement according to one of claims 2 TnR 6 ; characterized in that -. in the case of a device with at least one group of circuit arrangements in which only a small number can be switched through at the same time, the winding of the transformer through which the current (I) flows, which is independent of the switching state, is connected in series with the similar windings of the other circuit arrangements of the same group, 8. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der vom Schaltzustand der Kippstufe (20) unabhängige Strom ;i) einer 8. Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the current independent of the switching state of the flip-flop (20); i) one 909886/1297909886/1297 BADBATH PA 9/43-2/36 -13-PA 9 / 43-2 / 36 -13- Einrichtung zur Einschaltung des Stromes (I)' mit einer für eine sichere Abfrage des Übertragers bemessenen Zeitkonstante entnommen ist.Device for switching on the current (I) 'with a for a reliable query of the transformer measured time constant is taken. 9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis. 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnung bei symmetrischer Durchschaltung von V/echselspannungen einen weiteren in den aktiven Bereich steuerbaren Transistor enthält und daß von den in den aktiven. Bereich steuerbaren Transistoren vom selben Leitfähigkeitstyp jeder einen wenigstens zum Teil eigenen Basisspannungsteiler aufweist.9. Circuit arrangement according to one of claims 2 to. 8th, characterized in that the circuit arrangement is at symmetrical switching of V / alternating voltages another transistor controllable in the active area contains and that of those in the active. Area controllable Transistors of the same conductivity type each has an at least partially separate base voltage divider. ■**■ ** BAD ORIGINALBATH ORIGINAL Le e r s eiteBlank page
DE19691923799 1968-07-15 1969-05-09 Circuit arrangement bistable behavior Withdrawn DE1923799A1 (en)

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