DE1909635A1 - Demodulator - Google Patents
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D5/00—Circuits for demodulating amplitude-modulated or angle-modulated oscillations at will
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Description
Dr.-!n5. HÄ?iS flÜSDr .-! N5. HÄ? IS flÜS
Telefonaktiebolaget IM Eriesspn^ S töckholm JS, Sctiweden-Telefonaktiebolaget IM Eriesspn ^ S töckholm JS, Sctiweden-
DemodulatorDemodulator
Die vorliegende Erfindung.betrifft eine Anordnung, die die Differenz zwischen den Hüllkkrven' van zwei Spannungen.ermit^ telt, z.B, zur "Demodulation von amplitudenmodulierten oder frequenzmodulierten Signalen; , \ 'The present invention relates to an arrangement that includes the Difference between the envelopes of two voltages, with ^ telt, e.g. for "demodulating amplitude-modulated or frequency modulated signals; , \ '
Die Demodulation eines amplitudenmodulierten Signals wird höchst einfach dadurch erreicht, dass das Signai mit einer Diode gleichgerichtet wird, und mit Hilfe·, eines Integrationsnetzwerkes, welches aus einem Widerstand und einer parallel geschalteten Kapazität bestehen kann^ wird die Hilllkurve des gleichgerichteten Signals, d.h. das modulierende Signal erhalten. Ein beträchtlicher Nachteil ist in diesem Zusammenhang The demodulation of an amplitude-modulated signal is easily achieved by connecting the Signai with a Diode is rectified, and with the help of an integration network, which consists of a resistor and a parallel switched capacitance can exist ^ is the Hilllkurve des rectified signal, i.e. the modulating signal. There is a significant disadvantage in this regard
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- 2 - T 1007- 2 - T 1007
die Verzerrung, die dadurch erhalten wird, dass die Diode eine nichtlineare Strom-Spannung-Kennlinie aufweist. Darüber hinaus ist diese Kennlinie der Diode sehr temperaturabhängig. Um" diese Nachteile auszuschalten, kann man anstelle-einer Diode einen als Emitterfolger geschalteten Transistor verwenden und eine Kapazität parallel zum Emitterwiderstand schalten, wodurch der Emitterkreis das notwendige Integrationsnetzwerk bildet. Hierdurch wird eine etwas verbesserte Linearität erzielt, während andererseits die Temperaturabhängigkeit der Anordnung weiter besteht. Die oben genannten, die Hüllkurve ermittelnden Anordnungen können auch verwendet werden zur Demodulation eines frequenzmodulierten Signals. Wenn nämlich ein solches Signal mit der Trägerfrequenz f auf eine erste, die Hüllkurve ermittelnde Anordnung über eine Induktivität bzw. auf eine zweite, die Hüllkurve ermittelnde Anordnung über eine Kapazität gegeben wird, dann ist die Differenz zwischen den Ausgangssignalen der Anordnungen proportional zur Differenz zwischen der Frequenz des frequenzmodulierten Signals und der Frequenz f bei einer geeigneten Wahl der Werte der Induktivität und der Kapazität. Die oben erwähnten Nachteile treten konsequenterweise auch bei der Demodulation eines frequenzmodulierten Signals auf. Zweck der vorliegenden-Erfindung ist deshalb die Schaffung einer Anordnung zur Demodulation, bei der eine besonders gute Linearität erhalten wird und die praktisch unabhängig ist von Temperatüränderungen und Änderungen der Versorgungsspannung. Die Kennzeichen der Anordnung gehen aus dem unten folgenden Anspruch hervor.the distortion obtained by having the diode a has non-linear current-voltage characteristic. Furthermore this characteristic of the diode is very temperature-dependent. Around To eliminate the disadvantages, one can use a diode instead of a use transistor connected as emitter follower and connect a capacitance in parallel to the emitter resistor, whereby the emitter circuit forms the necessary integration network. This results in a somewhat improved linearity, while on the other hand the temperature dependence of the arrangement continues. The above-mentioned arrangements which determine the envelope curve can also be used for demodulation a frequency modulated signal. Namely, if such a signal with the carrier frequency f on a first, the envelope determining arrangement via an inductance or on a second arrangement determining the envelope curve via a capacitance is given, then the difference between the outputs of the assemblies is proportional to the difference between the Frequency of the frequency-modulated signal and the frequency f with a suitable choice of the values of the inductance and the Capacity. The disadvantages mentioned above occur consequently also when demodulating a frequency-modulated signal. The purpose of the present invention is therefore Creation of an arrangement for demodulation in which particularly good linearity is obtained and which is practically independent is affected by temperature changes and changes in supply voltage. The characteristics of the arrangement emerge from the claim below.
Die Erfindung wird in den Einzelheiten unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung beschrieben, die ein Schaltbild einer ' Anordnung gemäsß der Erfindung zeigt.The invention will be described in more detail with reference to FIG Description of the accompanying drawing, which shows a circuit diagram of an arrangement according to the invention.
In der Zeichnung sind zwei Transistoren mit Tl und T2 bezeichnet, die jeweils über einen Kollektorwiderstand Rl bzw. R2 mit einer Gleichspannungsquelle E verbunden sind. Die Emitter der Transistoren liegen über einen gemeinsamen .Emitterwiderstand R3 an Masse, wobei eine Kapazität C parallel zum Emitterwider-In the drawing, two transistors are labeled T1 and T2, which are each connected to a DC voltage source E via a collector resistor R1 or R2. The emitters of the Transistors are connected to a common emitter resistance R3 to ground, with a capacitance C parallel to the emitter resistor
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ORKSlNAt. INSPECTEDORKSlNAt. INSPECTED
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standliegt. Ein Widerstand r4 liegt zwischen der Basis des Transistors Tlund Kasse, wobei die Anschlusspunkte des Wider-Standes R^ die Eirigangslclemmen Ia und Ib der Anordnung bilden. Entsprechend ist ein Widerstand R5 zwischen der Basis des Transistors ^ Masse verbunden, und dessen Anschlüsse bilden die Eingangsklemmen Ra bzw. Rb für eine Bezugsspannung. Darüber Hinaus bilden die Kollektoren der Transistoren die Ausgangsklemmen-Ua bzw. Ub der Anordnung.is standing. A resistor r4 lies between the base of the Transistor Tlund cash register, the connection points of the resistor R ^ form the Eirigangslemmen Ia and Ib of the arrangement. Similarly, there is a resistor R5 between the base of the transistor ^ Ground connected, and its connections form the input terminals Ra and Rb for a reference voltage. About that In addition, the collectors of the transistors form the output terminals-Ua or Ub of the arrangement.
In der oben beschriebenen Anordnung, die im wesentlichen aus einem Differenzverstärker besteht, zu dem eine Kapazität C hinzugefügt ist, werden die auf die Eingangsklemmen bzw. die Bezugsspannungsklemmen gelieferten Spannungen von der Basis-Emitter-Diode des entsprechenden Transistors gleichgerichtet, und die Differenz zwischen den gleichgerichteten Spannungen wird im Integrationsnetzwerk aus dem Widerstand R^ und der Kapazität C integriert. Dadurch wird eine Spannung über den Ausgangsklemmen erhalten, deren Grosse proportional der Diffe-. renz zwischen den Hüllkurven der t-af die Basiselektroden gelieferten Spannungen ist. Wenn infolgedessen ein amplitudenmoduliertes Signal auf die Eingangsklemmen und eine Gleichspannung auf die Bezugsspannungsklemmen gegeben wird, wird an den Ausgangsklemmen eir Signal erhalten, dessen Grosse proportional der Differenz zwischen dem modulierten Signal und dieser Gleichspannung ist. Aufgrund der Differenzschaltung wird diese Proportionalität innerhalb eines sehr grössen Amplitudenbereiches erhalten, und die Kennlinien der Anordnungen werden nur sehr wenig durch Änderungen der Temperatur oder der Versorgungsspannung beeinflusst. Um diese Kennlinien weiter zu verbessern, kann die Anordnung selbstverständlich noch mit anderen Kompensationsmitteln versehen werden, die an sich in Verbindung.mit Differenzverstärkern bekannt sind.In the arrangement described above, which consists essentially of consists of a differential amplifier to which a capacitance C is added, the input terminals or the Reference voltage terminals supplied voltages from the base-emitter diode of the corresponding transistor rectified, and the difference between the rectified voltages becomes in the integration network from the resistance R ^ and the Capacity C integrated. This creates tension across the Get output terminals whose size is proportional to the difference. rence between the envelopes of the t-af supplied by the base electrodes Tension is. As a result, when an amplitude-modulated signal is applied to the input terminals and a DC voltage is applied to the reference voltage terminals, will be on the output terminals receive a signal whose size is proportional to the difference between the modulated signal and this DC voltage is. Due to the differential circuit, this proportionality is within a very large amplitude range obtained, and the characteristics of the arrangements are very little by changes in temperature or supply voltage influenced. In order to improve these characteristics further, the arrangement can of course also be combined with others Compensation means are provided which are known per se in connection with differential amplifiers.
Wenn die Demodulation für frequenzmodulierte Signale verwendet wird, dann werden diese Signale teilweise auf die Eingängsklemme Ia über eine Spule, teilweise auf die Bezugsspannung&klemmeWhen demodulation is used for frequency modulated signals is then these signals are partly to the input terminal Ia via a coil, partly to the reference voltage & terminal
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- .".- 4.-..'■ T 1007-. ".- 4 .- .. '■ T 1007
Ra über eine Kapazität gegeben. Wenn in dieser Schaltung die Induktivität L der Spule und die Kapazität C des. Kondensatorsso gewählt werden, dass die Beziehung fQ = ■ : - 1 . . :. ; Ra given over a capacity. If, in this circuit, the inductance L of the coil and the capacitance C of the capacitor are chosen so that the relationship f Q = ■: - 1. . :. ;
2 W /LC2 W / LC
eingehalten wird, wobei f_ die Trägerfrequenz ist, dann werden zwei Signale mit der gleichen Amplitude an den Basiselektroden der Transistoren bei der Frequenz f" erhalten. Wenn sich die Frequenz von der Trägerfrequenz unterscheidet, dann verändern sich die Amplituden in. entgegengesetzten Richtungen an den beiden Basiselektroden, und das an den Ausgangsklemmen Ua und Ub erhaltene Signal ist proportional der Differenz zwischen den Hüllkurven der auf die Basiselektroden gelieferten Signale, d.h. dem Modulationsgrad.is maintained, where f_ is the carrier frequency, then two signals with the same amplitude are obtained at the base electrodes of the transistors at the frequency f ". If the Frequency differs from the carrier frequency, then change it the amplitudes in opposite directions at the two base electrodes, and that at the output terminals Ua and Ub signal obtained is proportional to the difference between the Envelope curves of the signals delivered to the base electrodes, i.e. the degree of modulation.
Patentanspruch: ■-*.-■ Claim: ■ - * .- ■
90 98U71 15 S90 98U71 15 p
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE412568A SE329419B (en) | 1968-03-28 | 1968-03-28 | ANORINATION FOR OBTAINING THE DIFFERENCE BETWEEN THE ENVELOPE CURVES OF TWO VOLTAGES |
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DE1909635A1 true DE1909635A1 (en) | 1969-10-30 |
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FR (1) | FR2004896A1 (en) |
GB (1) | GB1258310A (en) |
NL (1) | NL6903315A (en) |
SE (1) | SE329419B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2948336A1 (en) * | 1979-05-18 | 1980-11-20 | Sanyo Electric Co | FREQUENCY MODULATION DEMODULATION CIRCUIT |
-
1968
- 1968-03-28 SE SE412568A patent/SE329419B/en unknown
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1969
- 1969-02-21 DE DE19691909635 patent/DE1909635A1/en active Pending
- 1969-03-04 NL NL6903315A patent/NL6903315A/xx unknown
- 1969-03-17 FR FR6907542A patent/FR2004896A1/fr active Pending
- 1969-03-27 GB GB1258310D patent/GB1258310A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2948336A1 (en) * | 1979-05-18 | 1980-11-20 | Sanyo Electric Co | FREQUENCY MODULATION DEMODULATION CIRCUIT |
Also Published As
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FR2004896A1 (en) | 1969-12-05 |
SE329419B (en) | 1970-10-12 |
GB1258310A (en) | 1971-12-30 |
NL6903315A (en) | 1969-09-30 |
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