DE1817464A1

DE1817464A1 - Color television receiver

Info

Publication number: DE1817464A1
Application number: DE19681817464
Authority: DE
Inventors: Junji Inagawa; Tetsuo Tokita
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1967-12-29
Filing date: 1968-12-30
Publication date: 1969-08-14
Also published as: NL6818834A; FR1600004A; NL6903194A; NL163404B; GB1249497A; NL163404C

Description

PATENTANWÄLTEPATENT LAWYERS

-iNG. Η_β LEINWEBER dipil-ing. H₀ ZIMMERMANN-iNG. Η _β LEINWEBER dipil- ing. H ₀ CARPENTER

l\t'amnet<i2₀Roseniciü7_c 2.A₁₃Jg. Tei.-Adr. LeinpatMünch« l \ t'amnet <i2 ₀ Roseniciü7 _c 2.A ₁₃ Jg. Part-Adr. LeinpatMünch «

der» 30. Dezember 1968the »December 30, 1968

Unser ZeidisiaOur Zeidisia

ZAo- 68-GE36ZAo- 68-GE36

SOII COEPOBATIOI (SOU KABUSHIKIKAISHA), Tokyo /JapanSOII COEPOBATIOI (SOU KABUSHIKIKAISHA), Tokyo / Japan

FarbfernsehempfängerColor television receiver

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung automatischen Ausschalten des Einflusses des Erdmagnetfeldes auf einen Farbfernsehempfänger₀ The invention relates to an apparatus automatically turning off the influence of the earth's magnetic field on a color television receiver ₀

In der Braun"sehen Röhre eines Farbfernsehempfängers kann der -Elektronenstrahl leicht unter dem Einfluß des Erdmagnetfeldes abgelenkt werden, so daß er daran gehindert wird, auf den fluoreszierenden Schirm an einer vorbestimmten Stelle aufzutreffen₉ was zu einer Beeinträchtigung der Farbreinheit führtο Diese Tendenz läßt sich insbesondere bei Kathodenstrahlröhren derjenigen Bauart feststellen,, bei denen der Elektronenstrahl nur eine geringe.Geschwindigkeit besitzt, wie s_eB_o bei den unter der Handelsbezeichnung Chromatronröhre bekann- ' ten Bohren«,In the brown "see tube of a color television receiver, the electron beam can be easily deflected under the influence of the earth's magnetic field, so that it is prevented from _{hitting the fluorescent screen at a predetermined point 9,} which leads to a deterioration in the color purity o This tendency is particularly noticeable notice in cathode ray tubes that type ,, in which the electron has only a geringe.Geschwindigkeit as s _e B _o in the well-known under the trade name Chromatronröhre 'th drilling "

„2—"2"

Um den nachteiligen Einfluß des Erdmagnetfeldes auf den Farbfernsehempfänger zu beseitigen» ist es bereits bekannt, um das Vorderfeld der Braun¹sehen Röhrer herum eine Spule anzuordnen und/oder Spulen, die mit der vorerwähnten Spule verbun- ; den sind, in den vier Ecken des vorderen Feldes vorzusehen, die mit verhältnismäßig geringen Gleichströmen beschickt wer- ' den. Wenn sich die Farbreinheit bei einer Änderung-des Erd-In order to eliminate the negative influence of the earth's magnetic field on the color television receiver, it is already known ^{to arrange a coil around the front field of the Braun 1} tube and / or coils that are connected to the aforementioned coil; the are to be provided in the four corners of the front panel, the advertising charged with relatively low direct currents' the. If the color purity changes with a change in the earth

magnetfeldes infolge Veränderung der Lage des Farbfernsehempfän* gers verringert, werden die Werte der an die Spulen gelegten Gleichströme so geändert, daß sie Magnetfelder erzeugen, die den Einfluß des Erdmagnetfeldes kompensieren und so der Absenkung der Farbreinheit entgegenwirken.magnetic field as a result of a change in the position of the color television receiver * gers reduced, the values of the direct currents applied to the coils are changed so that they generate magnetic fields that Compensate for the influence of the earth's magnetic field and thus counteract the reduction in color purity.

Dieses bekannte Verfahren erfordert jedoch drei oder fünf veränderliche Widerstände. Außerdem ist für das Einstellen der Stromwerte großes Geschick notwendig, und dies ist folglich für jemanden» der in der Handhabung von Farbfernsehempfängern nicht bewandert ist, außerordentlich schwierig.However, this known method requires three or five variable resistors. Also is for setting great skill is necessary for the current values, and consequently this is necessary for someone who is familiar with the use of color television receivers is not well versed, extremely difficult.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine E-inrichtung zur automatischen Beseitigung des Einflusses des \Erdmagnetfeldea auf einen Elektronenstrahl je nach Aufstellung des Farbfernsehempfängers zu schaffen.The invention is based on the object of an electrical device for the automatic elimination of the influence of the earth's magnetic fielda on an electron beam depending on the setup of the To create color television receivers.

Die den Gegenstand der Erfindung bildende Einrichtung soll den Einfluß des Erdmagnetfeldes auf den Elektronenstrahl in einem Farbfernsehempfänger beseitigen, indem das Erdmagnetfeld unter Verwendung von Magnetwiderstandselementen festgestellt wird.The device forming the subject of the invention is intended to control the influence of the earth's magnetic field on the electron beam in a color television receiver by detecting the earth's magnetic field using magnetoresistive elements will.

Gemäß der Erfindung soll weiterhin eine Einrichtung ' zur Ausschaltung des Einflusses des Erdmagnetfeldes bei Farbfernsehempfängern geschaffen werden, die so ausgebildet ist,According to the invention, a device ' to eliminate the influence of the earth's magnetic field in color television receivers are created, which is designed so,

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daß den um die Kathodenstrahlröhre herum angeordneten Spulen Ströme zugeführt werden, die dem Erdmagnetfeld entsprechende Spannungen entsprechen, welche durch Magnetwiderstandselemente erzeugt werden.that the coils arranged around the cathode ray tube Currents are supplied which correspond to the earth's magnetic field corresponding voltages, which by magnetic resistance elements be generated.

Gegenstand der Erfindung ist weiterhin eine automatische Farbreinheits-Korrektureinrichtung zum automatischen Beseitigen der Beeinträchtigung der Farbreinheit aufgrund des Erdmagnetfeldes in Abhängigkeit von der Ausrichtung des Farbfernsehempfängers .The invention also relates to an automatic color purity correction device for automatic elimination the impairment of the color purity due to the earth's magnetic field depending on the orientation of the color television receiver .

Weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung. Auf der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise veranschaulicht, und zwar zeigenFurther details, advantages and features of the invention emerge from the following description. On the Drawing illustrates the invention by way of example, namely show

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Magnetwiderstandselementes, das erfindungsgemäß einsetzbar ist,Fig. 1 is a perspective view of a magnetic resistance element, that can be used according to the invention,

Fig. 2 ein Diagramm -zur Veranschaulichung des Strom-Spannungs-Verhältnisses des in Fig. 1 dargestellten Magnetwiderstandselementes,2 shows a diagram to illustrate the current-voltage relationship of the magnetic resistance element shown in Fig. 1,

Fig. 3 ein Diagramm sur Veranschaulichung des Widerstand-Feldstärke-Verhältnisses des Magnetwiderstandselementes nach Fig. 1,3 shows a diagram to illustrate the resistance-field strength relationship of the magnetic resistance element according to Fig. 1,

Fig. 4 einen vereinfachten Schaltplan des Magnetwiderstandselementes, 4 shows a simplified circuit diagram of the magnetic resistance element,

Fig. 5A, 5B und 6 verschiedene Schaltpläne mit Magnetwiderstandselementen, 5A, 5B and 6 different circuit diagrams with magnetic resistance elements,

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Fig. 7A und 7B Schaltpläne zur beispielsweisen Veranschaulichung der Verbindung einer Spule mit den Widerstandselementen, 7A and 7B are circuit diagrams to illustrate, by way of example, the connection of a coil to the resistance elements,

Fig. 8A und 8B schematische Darstellungen zur Veranschaulichung von Beispielen nach der Erfindung,8A and 8B are schematic representations to illustrate examples according to the invention,

Fig. 9 ein Diagramm zur Veranschaulichung des Vorspannungs-Fig. 9 is a diagram to illustrate the preload

Empfindlichkeits-Verhältnisses des Magnetwiderstands4 w elementes, · jSensitivity ratio of the magnetic resistance4 w element, · j

Fig. 1OA, 1OB und 1OC Diagramme zur Erläuterung der Erfindung, und ^! 10A, 10B and 10C are diagrams for explaining the invention, and ^!

Fig. 11 eine schematische Darstellung eines Beispieles von11 is a schematic representation of an example of FIG

Maßnahmen zur Erhöhung der Empfindlichkeit des ^; Magnetwiderstandselementes. \ Measures to increase the sensitivity of the ^; Magnetic resistance element. \

Zunächst sei ein Magnetwiderstandselement, wie es erfin-^! dungsgemäß eingesetzt wird, beschrieben. Dieses Magnetwider- j Standselement ist ein Halbleiterelement mit pn-, pi- und ni- jFirst of all, be a magnetoresistance element, as it is invented ^! is used properly described. This magnetic resistance element is a semiconductor element with pn, pi and ni- j

leitenden Grenzschichten, sowie einem Bereich mit hoher Ladungs-ί· träger-Rekombinationsgeschwindigkeit. Es unterscheidet sich grundsätzlich von den bekannten Elementen dieser Art, und hat ; eine außerordentlich tone Empfindlichkeit. ■ ■■ conductive boundary layers, as well as an area with a high charge-carrier recombination rate. It differs fundamentally from the known elements of this type, and has; an extraordinary tone sensitivity. ■ ■■

Fig. 1 zeigt beispielsweise ein in seiner Gesamtheit \ mit SCM bezeichnetes Magnetwiderstandselement, bestehend aus einem Bereich I hohen Widerstandswertes, der beispielsweise aus einem eigenleitenden Germanium-Halbleiter besteht, in den in ausreichendem Maße Ladungsträger injizierbar sind. An den beiden Endseiten des Bereiches I hohen Widerstandswertes sindFig. 1 shows, for example a designated in its entirety \ with SCM magnetic resistance element, consisting from a high region I resistance value, for example, consists of an intrinsic germanium semiconductor, the charge carriers are injectable in a sufficient degree. On the two end sides of the area I are high resistance values

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ρ- und η-leitende Bereiche P bzw. I hoher Störstoffkonzentra- ^: tion zum Injizieren der Ladungsträger in den Bereich I hohen Widerstandswertes vorgesehen. An einer Seite des Bereiches I hohen Widerstandswertes ist zwischen dem p- und η-leitenden Be-^ reich P bzw. N ein Rekombinationsbereich F hoher Rekombinationsgeschwindigkeit gebildet. Mit den Bereichen P und I hoher Störstoffkonzentration sind jeweils Anschlüsse t., bzw. tp verbunden. An das Magnetwiderstandselement SCM ist eine Vorspannungsquelle "E. derart angeschlossen, daß deren positive Elektrode mit dem p-leitenden Bereich P und ihre negative Elektrode mit dem η-leitenden Bereich verbunden ist (Fig. 1). In diesem Fall hat das Magnetwiderstandselement SCM die Strom-Spannungs-Kennlinie gemäß Kurve a- von Fig. 2, die derjenigen einer be- ; kannten Grenzschicht-Diode in Durchlaßrichtung entspricht. Werden unter diesen Bedingungen die Elektronen und die Störstellen in Richtung auf den Rekombinationsbereich F hoher Rekombinationsgeschwindigkeit dadurch abgelenkt, daß an das Magnetwiderstandselement SCM in einer auf der Richtung des mit Pfeil bezeichneten Stromdurchgangs senkrecht stehenden Richtung ein Magnetfeld +H angelegt wird, so kommt es zu einer schnellen Rekombination der Ladungsträger im Rekombinationsbereich F, deren durchschnittliche Lebensdauer wird verkürzt und das Magnetwiderstandselement SCM erhält die Strom-Spannungs-Kennlinie gemäß Kurve &p von Fig_o 2, sein Widerstandswert nimmt also zu. Läßt man entgegengesetzt zur Richtung des Magnetfeldes -hH ein Magnetfeld -H einwirken, dann werden die Ladungsträger von Rekombinationsbereich F hoher Rekombinationsgeschwindigkeit abgelenkt₉ ihre durchschnittliche Lebensdauer nimmt zu, und die Strom-Spannungs-Kennlinie des Magnetwider-ρ- and η-conductive areas P and I high impurity ^{concentration:} intended for injecting the charge carriers in the area I high resistance value. On one side of the area I high resistance value, a recombination area F of high recombination speed is formed between the p- and η-conducting areas P and N, respectively. Connections t. A bias voltage source "E." is connected to the magnetic resistance element SCM in such a way that its positive electrode is connected to the p-conductive region P and its negative electrode is connected to the η-conductive region (FIG. 1). In this case, the magnetic resistance element SCM has the Current-voltage characteristic according to curve a- of FIG. 2, which corresponds to that of a known boundary layer diode in the forward direction If a magnetic field + H is applied to the magnetic resistance element SCM in a direction perpendicular to the direction of the current passage indicated by the arrow, the charge carriers in the recombination area F rapidly recombine, their average service life is shortened and the magnetic resistance element SCM receives the current-voltage -characteristic in accordance with curve & p of FIG _o 2, so its resistance value increases. If a magnetic field -H is allowed to act opposite to the direction of the magnetic field -hH, the charge carriers are deflected from the recombination area F at a high recombination speed ₉ their average life increases, and the current-voltage characteristic of the magnetic resistor

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Standselementes SCM entsprich der Kurve a? von Fig. 3, sein Widerstandswert wird demnach kleiner. Im Diagramm gemäß Fig. ist das Verhältnis zwischen Magnetfeld und Widerstand des Magnetwiderstandselementes SCM dargestellt, wobei die Abszisse das das Magnetwiderstandselement SCM beaufschlagende Magnetfeld und die Ordinate die Beziehung Ru/Rq wiedergibt. Dabei ist Rq der Widerstandswert des Magnetwiderstandselements SCM, wenn kein Magnetfeld einwirkt, und Rn- der Widerstandswert, * wenn dieses von einem Magnetfeld beeinflußt ist. Aus dem Diagramm ist ersichtlich, daß der Wert Rtt/Rq mit zunehmendem Wert (Absolutwert) des Magnetfeldes -H abnimmt, daß also der Widerstandswert des Magnetwiderstandselements SCM im wesentlichen proportional zum Wert des Magnetfeldes -H abnimmt, und mit zunehmendem Wert (Absolutwert) des Magnetfeldes +H allmählich zunimmt. Mit anderen Worten, der Widerstandswert des Widerstandselementes SCM nimmt folglich im wesentliche proportional zum Wert des Magnetfeldes +H zu. Das Magnetwiderstandselement SCM spricht also auf entgegengesetzt gerichtete Magnetfelder unterschiedlich an, und seine Empfindlichkeit ist - im Vergleich mit den bekannten Elementen - sehr hoch. In Fig. 4 ist das Magnetwiderstandselement SCM stark vereinfacht dargestellt. Eine der langen Seiten des Rechtecks dick durchgezeichnet, um den Rekombinationsbereich F hoher Rekombinationsgeschwindigkeit zu symbolisieren; die beiden kurzen Seiten stellen die Bereiche hoher Störstoffkonzentration dar.Stand element SCM corresponds to curve a? of Fig. 3, its resistance value becomes smaller accordingly. In the diagram according to FIG. 1, the relationship between the magnetic field and the resistance of the magnetic resistance element SCM is shown, the abscissa representing the magnetic field acting on the magnetic resistance element SCM and the ordinate representing the relationship Ru / Rq. Here RQ is the resistance of the magnetoresistive element SCM when no magnetic field is applied, and Rn the resistance, * when it is influenced by a magnetic field. From the diagram it can be seen that the value Rtt / Rq decreases with increasing value (absolute value) of the magnetic field -H, that is, that the resistance value of the magnetic resistance element SCM decreases essentially proportionally to the value of the magnetic field -H, and with increasing value (absolute value) of the Magnetic field + H gradually increases. In other words, the resistance value of the resistance element SCM consequently increases essentially in proportion to the value of the magnetic field + H. The magnetic resistance element SCM therefore responds differently to oppositely directed magnetic fields, and its sensitivity is very high in comparison with the known elements. In Fig. 4, the magnetic resistance element SCM is shown greatly simplified. One of the long sides of the rectangle drawn in thick to symbolize the recombination area F of high recombination speed; the two short sides represent the areas of high concentration of contaminants.

Gemäß der Erfindung werden Magnetwiderstandselemente SCM. und SCMp der vorstehenden beschriebenen Art verwendet, die in Durchlaßrichtung in Reihe geschaltet sind (Fig. 5). Dabei ist der η-leitende Bereich eines der Magnetwiderstands-According to the invention, magnetic resistance elements are SCM. and SCMp of the type described above are used, which are connected in series in the forward direction (Fig. 5). The η-conducting area is one of the magnetoresistance

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elemente SCM. und SCMp mit dem p-leitenden Bereich des anderen Elements verbunden und beide Enden der Reihenschaltung sind derart an eine Vorspannungsquelle E- angeschlossen, daß deren positive und negative Elektroden jeweils mit dem anderen p- bzw. η-leitenden Bereich der Elemente verbunden sind. An den Verbindungspunkt der Magnetwiderstandselemente SCM-, und SCMp ist eine Ausgangskiemme t^. angeschlossen. In diesem Fall j sind die Magnetwiderstandselemente SCM. und SCMp derart angeordnet, daß ihre Bereiche hoher Rekombinationsgeschwindigkeit ~ in bezug auf ein einwirkendes Magnetfeld entgegengesetzt zueinander liegen, so daß der Widerstandswert des einen Elements durch das Magnetfeld abgesenkt und der des anderen erhöht wird. Bei dieser Anordnung wird an der Ausgangskiemme t« bei Beaufschlagung der Magnetwiderstandselemente SCM. und SCMp mit einem Magnetfeld von - 2 Kilogauß und bei Anschluß an die Vorspannungsquelle E. einer Spannung von 6V eine Ausgangsspan- ■ nung von ca. 3 - 2V abgeleitet. ,elements SCM. and SCMp are connected to the p-type region of the other element and both ends of the series circuit are connected to a bias voltage source E- such that their positive and negative electrodes are connected to the other p- and η-type regions of the elements, respectively. At the connection point of the magnetic resistance elements SCM-, and SCMp is an output terminal t ^. connected. In this case, j, the magnetic resistance elements are SCM. and SCMp arranged in such a way that their regions of high recombination speed - with respect to an applied magnetic field are opposite to each other, so that the resistance value of one element is lowered by the magnetic field and that of the other is increased. With this arrangement, when the magnetic resistance elements SCM are acted on, the output terminal becomes. and SCMP with a magnetic field of - 2 kilogauss and when connected to the bias voltage of 6V E. a ■ have an output voltage of approximately 3 - 2V derived. ,

Gemäß der vorstehenden Beschreibung dient eine Gleichspannungsquelle als Vorspannungsquelle E.. Es ist jedoch auch eine Wechselspannungsquelle E (Fig. 5B) verwendbar, wodurch die Empfindlichkeit der Magnetwiderstandselemente aus den nachstehend beschriebenen Gründen noch weiter verbessert werden kann. In diesem Fall sind zwei Magnetwiderstandselemente SCM., und SCM₉ in Reihe geschaltet und mit beiden Enden der Reihen-According to the above description, a DC voltage source serves as the bias voltage source E. However, an AC voltage source E (FIG. 5B) can also be used, whereby the sensitivity of the magnetic resistance elements can be further improved for the reasons described below. In this case, two magnetic resistance elements SCM., And SCM _{9 are connected} in series and with both ends of the series

C.C.

schaltung ist eine Wechselspannungsquelle E verbunden. An den Verbindungspunkt der Magnetwiderstandselemente SCM. und SCMp ist eine Ausgangsklemme Iq geschaltet.An AC voltage source E is connected to the circuit. At the connection point of the magnetic resistance elements SCM. and an output terminal Iq is connected to SCMp.

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Fig. 9 zeigt die Beziehung zwischen der Spannung der Energiequelle und der Empfindlichkeit der Magnetwiderstandselemente, wobei als Abszisse die Spannung E und als Ordinate die Beziehung zwischen der Änderung der Ausgangsspannung AV in bezug auf die Spannung E unter Verwendung des Magnetfeldes H als Parameter aufgetragen ist. Es ist ersichtlich, daß die Spannungsänderung ΔV und die Empfindlichkeit mit zunehmender Spannung E ansteigen. Bei steigender Spannung nimmt die Temperatur der Magnetwiderstandselemente, bedingt durch Joul'sche Erwärmung, zu, die einen ungünstigen Einfluß ausübt. Durch Verwendung einer Wechselspannungsquelle E ist jedoch eine Span-Fig. 9 shows the relationship between the voltage of the power source and the sensitivity of the magnetic resistance elements, where the abscissa is the voltage E and the ordinate is the relationship between the change in the output voltage AV is plotted with respect to the voltage E using the magnetic field H as a parameter. It can be seen that the Voltage change ΔV and the sensitivity with increasing Increase voltage E. As the voltage rises, the temperature of the magnetoresistance elements increases due to Joule's Warming, too, which exerts an unfavorable influence. By using an alternating voltage source E, however, a voltage

P ιP ι

nung einsetzbar, die bedeutend höher ist als die einer Gleich- j Spannungsquelle, so daß die Empfindlichkeit dadurch dementspre-j chend erhöht wird. Auf diese Weise besitzt das Magnetwiderstandselement eine außerordentlich hohe Empfindlichkeit gegenüber einem Magnetfeld, die mit den bekannten Magnetwiderstandselementen nicht erzielbar ist. Es ist möglich, Halbleiterele- ' mente, wie Transistoren od.dgl. durch direktes Anlegen eines Ausgangssignals der Ausgangsklemme tQ zu steuern. Der Ansprechbereich des Magnetwiderstandselements liegt bei 0 bis 100 kHz; es hat also eine breite Frequenzcharakteristik. Darüber hinausThis voltage can be used, which is significantly higher than that of a DC voltage source, so that the sensitivity corresponds accordingly is increased accordingly. In this way, the magnetic resistance element has an extremely high sensitivity to a magnetic field that cannot be achieved with the known magnetoresistance elements. It is possible to use semiconductor elements elements, such as transistors or the like. by directly creating a To control the output signal of the output terminal tQ. The response area the magnetic resistance element is 0 to 100 kHz; so it has a wide frequency characteristic. Furthermore

kann das Magnetwiderstandselement beispielsweise mit einem Vo- jthe magnetic resistance element can, for example, have a Vo- j

3 ^! 3 ^!

lumen von ca, 0,1 χ 0,2 χ 1,0 mm oder weniger hergestellt werden, also mit sehr kleinen Abmessungen, und da es aus nichtmagnetischem Werkstoff besteht, beeinträchtigt es das angelegte Magnetfeld nicht und es treten also auch keine Hystereseverluste auf. Sind die beiden Magnetwiderstandselemente nach Art von Fig. 5 miteinander verbunden, verlaufen ihre Kennlinien unter Beeinflussung des gleichen Magnetfeldes entgegengesetzt,lumen of approx. 0.1 χ 0.2 χ 1.0 mm or less can be produced, so with very small dimensions, and since it is made of non-magnetic material, it affects the applied There is no magnetic field and there are no hysteresis losses either. Are the two magnetoresistance elements according to Art 5 connected to one another, their characteristics run in opposite directions under the influence of the same magnetic field,

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so daß der Gesamtwiderstandswert der Reihenschaltung der Ände- ■ rung des Magnetfeldes nicht entspricht und nahezu gleich bleibt, und da der Einfluß der Temperatur entsprechend dem Widerstands-i teilungsverhältnis der beiden Elemente abgeschwächt ist, sind : sie unabhängig Ton der Temperatur stabil. Desgleichen können . ! Tier Magnetwiderstandselemente SCM^ bis SCM, in Form einer Brückenschaltung gemäß Fig. 6 miteinander Terbunden werden. Dadurch läßt sich zwischen den Ausgangsklemmen t^.. und t ^ ^ei^ne ! Spannung erhalten, deren Polarität τοη der Richtung des ein- | wirkenden Magnetfeldes abhängt. :so that the total resistance of the series circuit does not correspond to the change in the magnetic field and remains almost the same, and since the influence of temperature is weakened according to the resistance division ratio of the two elements, they are stable regardless of temperature. Can do the same. ! Tier magnetoresistance elements SCM ^ to SCM, in the form of a bridge circuit according to FIG. 6 are connected to one another. This allows between the output terminals t ^ .. and t ^ ^e i ^ne ! Voltage obtained whose polarity τοη the direction of the on | acting magnetic field depends. :

Durch Verwendung der beschriebenen Magnetwiderstandselemente in einem Farbfernsehempfänger, in dessen Kathodenröhre der Elektronenstrahl unter der Wirkung des Erdmagnetfeldes abgelenkt wird, kann folglich der Einfluß des Erdmagnetfeldes Terhindert werden. Die Magnetwiderstands-Einheiten werden zu-diesem Zweck im Fernsehempfänger jeweils an geeigneten Stellen und in geeigneten Richtungen angeordnet und ihre Ausgänge werden mäßig Terstärkt und dann in Spulen eingespeist, die in der Kathodenstrahlröhre an bestimmten Stellen Torgesehen sind. Dadurch werden die Spulen τοη Strömen durchflossen, die τοη der Ausrichtung des Empfängers abhängen und den Efafluß des Erdmagnetfeldes selbsttätig kompensieren.By using the magnetic resistance elements described in a color television receiver, in its cathode tube the electron beam is deflected under the action of the earth's magnetic field, the influence of the earth's magnetic field can consequently Be prevented. For this purpose, the magnetoresistance units are connected to suitable ones in the television receiver Places and arranged in appropriate directions and their outputs are moderately amplified and then fed into coils, which are seen in the cathode ray tube in certain places. As a result, currents flow through the coils, the τοη depend on the orientation of the receiver and automatically compensate for the Efafluss of the earth's magnetic field.

Gemäß der Erfindung sind die Magnetwiderstandselemente jeweils über GleichstromTerstärker mit einer Hauptspule Terbunden, die um das Vorderfeld der Braun'sehen Röhre herum angeordnet sind, sowie einem Paar Spulen an der oberen und unteren linken Ecke des Vorderfeldes, und einem zweiten Paar Spulen an der oberen und unteren rechten Ecke des Vorderfeldes. JedesAccording to the invention, the magnetic resistance elements are each via direct current amplifier with a main coil Terbunden, which are arranged around the front panel of the Braun's tube and a pair of coils at the top and bottom left corners of the front panel, and a second pair of coils at the top and bottom right corners of the front panel. Each

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- ίο -- ίο -

Magnetwiderstandselement erhält über eine' geeignete Vorspannungsquelle eine bestimmte Vorspannung und die Magnetwider- . standselemente, die mit den Spulenpaaren an den linken und
rechten Ecken verbunden sind, sind unter einem bestimmten Win-; kel zu den mit der Hauptspule verbundenen Elementen angeordnet. IMagnetic resistance element receives a certain bias voltage and the magnetic resistance via a suitable bias voltage source. stand elements that are connected to the coil pairs on the left and
right corners are connected are under a certain win-; kel arranged to the elements connected to the main coil. I.

Fig. 7A zeigt beispielsweise die Anschlüsse der Magnet-j Widerstandselemente an die Hauptspule. Hier liegen vier Mag- ' netwiderstandselemente SCM. bis SCM. in Form einer Brükenschal4 tung gemäß Fig. 6 an einer Gleichspannungs-Vorspannungsquelle jFor example, Fig. 7A shows the connections of the magnet-j Resistance elements to the main coil. Here are four magnetic resistance elements SCM. to SCM. in the form of a bridge scarf 4 6 to a DC voltage bias source j

! E₁. Eine Ausgangsklemme t₁ der Magnetwiderstandselement-Einheiij S ist mit einem Ende einer Hauptspule Lm über einen ersten Ver-4 stärker DA₁ verbunden und die andere Ausgangskiemme tp ist an _: das andere Ende der Hauptspule Lm über einen zweiten Gleich- ; stromverstärker DA_? angeschlossen. Der erste Gleichstromver- | stärker DA₁ besteht aus einem kaskadenförmig geschalteten Drei-j stufen-Verstärker mit Transistoren, deren Emitter geerdet sind. Dieser Verstärker braucht jedoch nicht immer diesen Aufbau zu
haben, sondern kann durch einen Gleichstrom-Verstärker ersetzt werden, der den Ausgang der Magnetwiderstandselement-Einheit bis? einem bestimmten Niveau verstärken kann. Der
zweite Gleichstromverstärker DAo ist ebenso aufgebaut wie der
erste Gleichstromverstärker DA₁, so daß keine konkreten Schaltanschlüsse weggelassen werden. Die Anschlüsse der Magnetwiderstandselemente zu den an den rechten und linken Ecken vorgesehenen Spulen entsprechen denjenigen zur Hauptspule, so daß
sich eine Beschreibung erübrigt.! E ₁ . An output _{terminal t 1 of} the magnetic resistance element unit S is connected to one end of a main coil Lm via a first _{amplifier DA 1} and the other output terminal tp is connected to _: the other end of the main coil Lm via a second DC; current amplifier DA _? connected. The first DC power | stronger DA ₁ consists of a cascaded three-stage amplifier with transistors, the emitters of which are grounded. However, this amplifier does not always need this structure
but can be replaced by a DC amplifier that connects the output of the magnetoresistive element unit up? can amplify a certain level. Of the
second DC amplifier DAo is constructed in the same way as the
first DC amplifier DA ₁ , so that no specific switching connections are omitted. The connections of the magnetic resistance elements to the coils provided at the right and left corners correspond to those to the main coil, so that
a description is unnecessary.

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Fig. 8A zeigt, wie die jeweils über die Gleichstromverstärker mit den Spulen verbundenen Magnetwiderstandselemente in einem Fernsehempfänger angeordnet sind. Eine Magnetwiderstandselement-Einheit Sj, die mit den Spulen Lr- und Lrp an den linken Ecken verbunden ist, und eine Magnetwiderstandselement-Einheit j S_R, die an die Spulen Lg., und L™ an den rechten Ecken angeschlossen ist, sind jeweils um 45 zu einer Magnetwiderstandselement-Einheit Sm versetzt, die mit der rings um das Vorderfeljd einer Braun¹sehen Farbröhre CT angeordneten Hauptspule verbunden ist. Die Gleichstromverstärker sind auf der Zeichnung jeweils mit DAm, DAt bzw. DAg bezeichnet. Die Spulen L_m, Lr., und Ljo» 1^3-j und. Lp2 werden auf diese Weise gemäß Fig. 10 mit Strömen gespeist, die sich zusammen mit dem Erdmagnetfeld ändern, das von der Ausrichtung des Fernsehempfängers abhängig ist. In den Fig. 10A, 10B und 10C sind jeweils die Änderungen der die Spulen L-.. und I-rp a*¹ den linken Ecken der Hauptspule L_m und der Spulen Lp., und Lnp an den rechten Ecken dargestellt; als Abszissen sind die Ströme und als Ordinaten die Richtung des Farbfernsehempfängers aufgetragen.Fig. 8A shows how the magnetic resistance elements connected to the coils via the direct current amplifiers are arranged in a television receiver. A magnetic resistance element unit Sj connected to the coils Lr- and Lrp at the left corners, and a magnetic resistance element unit j S _R connected to the coils Lg., And L ™ at the right corners are each around 45 added to a magneto-resistance element unit Sm, which are arranged with the rings see the Vorderfeljd a brown color tube ¹ CT main coil is connected. The direct current amplifiers are designated DAm, DAt and DAg on the drawing. The coils L _m , Lr., And Ljo »1 ^ 3-j and. Lp2 are fed in this way, as shown in FIG. 10, with currents which change together with the earth's magnetic field, which depends on the orientation of the television receiver. 10A, 10B and 10C show the changes of the coils L- .. and I-rp a * ^{1 at} the left corners of the main _{coil L m} and the coils Lp., And Lnp at the right corners; the currents are plotted as the abscissa and the direction of the color television receiver as the ordinate.

Fig. 10 zeigt die Ströme, die notwendig sind, um den Einfluß des Erdmagnetfeldes auf den Fernseapparat zu beseitigen, wenn dessen Lage geändert wird. Wie aus der Zeichnung ersichtlich, ist der die Hauptspule Lm durchfließende Strom um 45° gegenüber dem die Spulen Lt- und Lrp durchfließenden Strom phasenverschoben,, und der die Spulen L^.. und L^o an den rechten Ecken durchfließende Strom ist um 45 gegenüber dem die Hauptspule Lm durchfließende! Strom phasenverschoben. Die durch die Spulen Lj₁ und L-r« an den linken Ecken und durch die Spulen L_R1 und Lnp an den rechten Ecken fließenden Ströme sind folg- i lieh um 90° phasenverschoben.Fig. 10 shows the currents which are necessary to eliminate the influence of the earth's magnetic field on the television set when its position is changed. As can be seen from the drawing, the current flowing through the main coil Lm is 45 ° out of phase with the current flowing through the coils Lt- and Lrp, and the current flowing through the coils L ^ .. and L ^ o at the right corners is 45 ° compared to the one flowing through the main coil Lm! Current out of phase. The currents flowing through the coils Lj ₁ and Lr «at the left corners and through the coils L _R1 and Lnp at the right corners are consequently phase-shifted by 90 °.

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Die Magnetwiderstands el ement-Einhei ten S-r und S^, die mit den Spulen an den linken und rechten Ecken verbunden sind, sind demnach um einen Winkel von 45° gegenüber der Magnetwiderstandselement-Einheit Sm versetzt,- die mit der Hauptspule verbunden ist (Fig. 10), wodurch die Spulen entsprechend einer Verlagerung des Fernsehempfängers mit den Strömen gemäß Fig.10 gespeist werden.The magnetoresistance element units S-r and S ^, the are connected to the coils at the left and right corners, are therefore at an angle of 45 ° with respect to the magnetic resistance element unit Sm offset - which is connected to the main coil (Fig. 10), whereby the coils correspond to a Relocation of the television receiver can be fed with the currents according to Fig.10.

Gemäß der vorstehenden Beschreibung werden die Magnetic Widerstandselemente durch Gleichspannung gesteuert; stattdessen kann jedoch auch eine Wechselspannung verwendet werden. Di ej vier Magnetwiderstandselemente SCM₁ bis SCM. sind nämlich gemäß Fig. 7B als Brücke geschaltet und die Magnetwiderstandselement-Einheit S wird mit einer bestimmten Wechselspannung gespeist* die über einen Umformer 10 von einer Wechselspannungs quelle E geliefert wird. Eine Ausgangsklemme t. der Magnetwiderstandselement-Einheit S ist mit der Basis eines Verstärkertransistors 12 über einen Kondensator 11. verbunden. Der Kollektor des Transistors 12. ist über einen Widerstand 13-» ^ mit einer Energiequelle +B verbunden und sein Emitter.ist über einen veränderlichen Widerstand 14-, an Erde gelegt. Der Verbin-j dungspunkt der Vorspannungswiderstände 15-, und 16-, die in Eeihe zwischen die Energiequelle +B und Erde geschaltet sind,· ist mii der Basis des Transistors 12. verbunden und bildet somit einen Wechselstromverstärker AC.. Der Ausgang des Wechselstromverstärkers AC-j wird durch ein Gleichrichterelement 1?., z.B. eine Diode, gleichgerichtet und dann an die Basis eines Verstärkertransistors 18-j angelegt. Zwischen der Basis des Transistors 18.j und Erde liegen ein Kondensator 19-, und ein parallelgeschalteter Widerstand 20.. Der Kollektor des Transistors 1S₁ As described above, the magnetic resistance elements are controlled by DC voltage; however, an alternating voltage can also be used instead. The four magnetic resistance elements SCM ₁ to SCM. are namely connected as a bridge according to FIG. 7B and the magnetic resistance element unit S is fed with a certain AC voltage * which is supplied from an AC voltage source E via a converter 10. An output terminal t. the magnetic resistance element unit S is connected to the base of an amplifier transistor 12 via a capacitor 11. The collector of the transistor 12 is connected to an energy source + B via a resistor 13-> ^ and its emitter is connected to earth via a variable resistor 14-. The junction of the bias resistors 15-, and 16-, which are connected in series between the energy source + B and earth, is connected to the base of the transistor 12. and thus forms an alternating current amplifier AC .. The output of the alternating current amplifier AC -j is rectified by a rectifier element 1?., for example a diode, and then applied to the base of an amplifier transistor 18-j. A capacitor 19- and a parallel-connected resistor 20 .. are located between the base of the transistor 18.j and earth. The collector of the transistor 1S ₁

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ist mit der Energiequelle +B über einen Widerstand 21^ verbun-j den und der Emitter ist über einen Widerstand 22., geerdet. Der so erzielte Gleichstromverstärker DC, ist als Emitter-Folger konstruiert, so daß sein Ausgangssignal vom Emitter des Tran- ! sistors 18. abgegeben und dem einen Ende der Hauptspule L_m zugeführt wird.is connected to the energy source + B via a resistor 21 ^ and the emitter is grounded via a resistor 22. The direct current amplifier DC achieved in this way is designed as an emitter follower, so that its output signal from the emitter of the Tran-! sistor 18. delivered and fed to one end of the main coil L _m.

Die andere Ausgangskiemme t2 der Magnetwiderstandselement-Einheit S ist mit dem anderen Ende der Hauptspule Lm über Stromanschlüsse verbunden, die denjenigen der Ausgangsklemme t-j entsprechen. Einander entsprechende Elemente sind deshalb mit gleichen Bezugszeichen und Buchstaben, jedoch mit unterschiedlichen Indizes versehen, wodurch sich eine weitere Beschreibung erübrigt. Die Anschlüsse der Magnetwiderstandselemente an die Spulen an den rechten und linken Ecken entsprechen ebenfalls den in Verbindung mit der Hauptspule Lm beschriebenen, und es bedarf keiner weiteren Erläuterung.The other output terminal t2 of the magnetic resistance element unit S is connected to the other end of the main coil Lm via power connections similar to those of the output terminal t-j match. Corresponding elements are therefore with the same reference numerals and letters, but with different indices, creating a further Description unnecessary. The connections of the magnetoresistance elements to the coils at the right and left corners correspond also the one described in connection with the main coil Lm, and no further explanation is required.

Durch Verwendung der Weehselspannungsquelle für die Magnetwiderstandselemente ist folglich deren Empfindlichkeit erhöht und die Ausgänge der Magnetwiderstandselemente können auf vorstehend beschriebene V/eise durch die Wechsel spannungsverstärker verstärkt werden, so daß der Betrieb stabilisiert und der Wirkungsgrad weitgehend erhöht ist. Außerdem können als Weehselspannungsquelle im Fernsehgerät sinusförmige, horizontale und vertikale Impulse u_odgl_o verwendet werden.By using the alternating voltage source for the magnetic resistance elements, their sensitivity is consequently increased and the outputs of the magnetic resistance elements can be amplified by the alternating voltage amplifier in the manner described above, so that the operation is stabilized and the efficiency is largely increased. In addition, as a sinusoidal Weehselspannungsquelle the TV horizontal and vertical pulses u _o _o the like may be used.

Die jeweils mit den Spulen über die V/echseistromverstärker ₉ die Gleichrichterelemente und die Gleichstromverstärker verbundenen Magnetwiderstandselemente sind im Fernsehempfänger entsprechend Fig_o 8B angeordnet. Die jeweils mit den SpulenRespectively connected to the coils via the V / echseistromverstärker _9, the rectifying elements and the DC amplifier connected magnetoresistance elements are arranged in the television receiver according to Fig _o 8B. The one with the coils

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L₁--, und L_{T o} an den linken Ecken und den Spulen L_0n und L₁₃₀ anL ₁ -, and L _{T o} at the left corners and coils L _0n and L ₁₃₀

JLj I ha Xt ι Άά JLj I ha Xt ι Άά

den rechten Ecken verbundenen Magnetwiderstandselement-Einheiten S-r und S-n sind jeweils winklig zur Magnetwiderstandselement-Einheit Sm versetzt, die mit der rings um das Vorderfeld der Braun¹sehen Chromatron-Farbröhre CT angeordneten Hauptspule Lq₁ verbunden ist. Die Verstärkersysteme sind jeweils mit Am, A-r bzw. Απ bezeichnet und bestehen jeweils aus einem Wechselstromverstärker, einem Gleichrichterelement und einem Gleichf stromverstärker. Die Spulen L_m, L₇₁ und L_TO, L₀₁ und L₀₀ wer- 'Magnetic resistance element units Sr and Sn connected to the right corners are each angularly offset from the magnetic _{resistance element unit Sm, which is connected to the main coil Lq 1} ^{arranged around the front field of the Braun 1} chromatron color tube CT. The amplifier systems are each designated by Am, Ar or Απ and each consist of an AC amplifier, a rectifier element and a DC current amplifier. The coils L _m , L ₇₁ and L _TO , L ₀₁ and L ₀₀ are

1 Jj I hc Ά ι ixe. 1 Jj I hc Ά ι ixe.

den auf diese Weise mit den Strömen gemäß Fig. 10 in Abhängig- J keit von der Änderung des Erdmagnetfeldes aufgrund einer Verlag^ rung des Fernsehgeräts gespeist.the in this way with the currents according to FIG. 10 as a function of the change in the earth's magnetic field due to a publishing ^ the television is powered.

Durch die im vorstehenden beschriebene Anordnung ändern sich die Ausgangsströme der Magnetwiderstandselemente selbsttätig, wenn sich das das Fernsehgerät beaufschlagende Erdmagnetfeld aufgrund einer Lageänderung des Apparates ändert. Die Spulen werden also immer von solchen Strömen gespeist, die den Einfluß des Erdmagnetfeldes ausschalten, und dabei wird eine Beeinträchtigung der Farbreinheit aufgrund der speziellen Ausrichtung des Fernsehgerätes beseitigt. Sind die Stellung der Magnetwiderstandselemente und der Verstärkungsgrad der Gleichstromverstärker zur Erzielung der Ströme gemäß Fig. 10 einmal eingestellt, dann brauchen die in die Spulen eingespeisten Strö-j me in Abhängigkeit von der Ausrichtung des Fernsehgeräts folglich nicht mehr nachgestellt zu werden.Due to the arrangement described above, the output currents of the magnetic resistance elements change automatically, when the geomagnetic field applied to the television set changes due to a change in the position of the set. The spools are therefore always fed by currents that switch off the influence of the earth's magnetic field, and thereby one Impairment of the color purity due to the special alignment of the television has been eliminated. Are the position of Magnetic resistance elements and the gain of the direct current amplifier to achieve the currents shown in FIG. 10 once is set, then the currents fed into the coils need accordingly, depending on the orientation of the television set no longer to be pursued.

Es können auch Magnetflußkollektoren M.. und Mp auf beiden Seiten der Magnetwiderstandselemente S der Brückenschaltung gemäß Fig. 11 angeordnet werden, um die Empfindlichkeit der Elemente weitgehend zu verbessern.There can also be magnetic flux collectors M .. and Mp on both Sides of the magnetic resistance elements S of the bridge circuit shown in FIG. 11 are arranged to increase the sensitivity of the elements largely to improve.

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Im beschriebenen Beispiel sind die verwendeten Magnetwiderstands elemente in Form einer Brückenschaltung geschaltet, jedoch ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Die Verstärker sind auf beiden Seiten jeder Spule angeordnet, es kann aber auch einer der Verstärker fortgelassen werden. Weiterhin sind die jeweils mit den Spulen an den linken und rechten Ecken verbundenen Magnetwiderstandselement-Einheiten S-r und S_R jeweils um 45° winklig von der mit der Hauptspule Lm verbundenen Magnetwiderstandselement-Einheit Sm versetzt, was jedoch bedingt, daß die Magnetwiderstandselement-Einheiten derart angeordnet sind, daß sie die Spulen gemäß Fig. 10 mit Strom versorgen. In the example described, the magnetic resistance elements used are connected in the form of a bridge circuit, but the invention is not limited thereto. The amplifiers are located on either side of each coil, but one of the amplifiers can be omitted. _{Furthermore, the magnetic resistance element units Sr and S R} connected to the coils at the left and right corners are each offset at an angle of 45 ° from the magnetic resistance element unit Sm connected to the main coil Lm, which, however, requires the magnetic resistance element units to be arranged are that they supply the coils of FIG. 10 with power.

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Claims

Patent claims:

1. Device for automatically switching off the on;

flux of the earth's magnetic field on a color television receiver, with of the electron beam emitted by the electron gun of the cathode ray tube, characterized by feeding the coils (Lt ₁ I Ljo »^ pi» ^ qo ^ ^m ^ currents based on the output of the detector device (St, Sm, Sg).

2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the detector device for measuring the earth's magnetic field is formed by magnetic resistance elements (SCM), each having a semiconductor region with a high resistance value for injection. ren of charge carriers, have at least one area of high impurity + concentration for injecting charge carriers into the area with high resistance value, and an area with high recombination speed which is locally formed in the area with high resistance value.

3. Apparatus according to claim 1, characterized in that _: that to increase the sensitivity of the detector device (Stt Sm »Sg) magnetic flux collectors are provided.

4. Apparatus according to claim 1, characterized in that the detector device (S) consists of four magnetic resistance elements (SCM) connected in the form of a bridge.

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5. Apparatus according to claim 1 and 4, characterized in that the amplifier and the coils are switched on between two diagonal points Ct ₁ , tp) of the bridge circuit (S); are. " ^:

6. Device for automatically switching off the influence of the earth's magnetic field on a color television receiver, ι with a device for measuring the earth's magnetic field and for generating an alternating voltage as a function of the earth's magnetic field, an alternating voltage source for feeding this measuring device, a device for amplifying the output voltage of the measuring device, means for rectifying the output signal of the amplifier to generate a DC voltage, and having coils arranged around the cathode ray tube of the color television receiver for correcting the deflection of the emitted from the electron gun of the cathode ray tube; Electron beam, characterized by feeding the coils I (LT ₁ , Lrρ »Ln-I» ^ R2 ^ ^ra ^ Si ' ¹ ' ⁰ * ¹¹¹⁶¹¹ * which are based on the output of the detector device.

7. Apparatus according to claim 6, characterized in that ^: that the detector device for measuring the earth's magnetic field consists of magnetoresistance elements (SCM), each having a ι semiconductor area with high resistance for injecting charge carriers, at least one area of high concentration of contaminants for injecting charge carriers into the area having a high resistance value, and a high speed recombination area locally formed in the high resistance area.

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8. Apparatus according to claim 6, characterized in that to increase the sensitivity of the detector device Magnetic flux collectors are provided.

9. Apparatus according to claim 6, characterized in that the detector device (S) consists of four in the form of a bridge switched magnetic resistance elements (SCM).

10. Apparatus according to claim 6 and 9, characterized in that the amplifier and the coils between two Diagonal points (t .., tp) of the bridge circuit (S) switched on are.

11. Device for automatically switching off the influence of the earth's magnetic field on a color television receiver, with first, second and third means for measuring the earth's magnetic field and for Generating voltages depending on the earth's magnetic field, voltage sources for feeding the first, second and third Means, first, second and third means for amplifying the output signals of the first, second and third, respectively Measuring means, a main coil arranged around the front panel of the cathode ray tube of the color television receiver, one on the left corners of the front panel of the cathode ray tube arranged coil pair, one at the right corners of the front panel the cathode ray tube arranged coil pair, a device for feeding in the output signal of the first amplifier in the main coil, and with a device for feeding the output signal of the second amplifier into the first pair of coils, characterized in that the second pair of coils is fed with the output signal of the third amplifier is.

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12. The apparatus according to claim 11, characterized in that the first, second and third measuring means each from Magnetic resistance elements (SCM) exist, each of which has a semiconductor area with a high resistance value for feeding in Charge carriers, at least one area of high concentration of contaminants for injecting charge carriers into the area high resistance, and have a high recombination speed range that is in the high resistance range; is locally formed. j

15. The device according to claim 11, characterized! net that to increase the sensitivity of these means magnetic, flux collectors with first, second and third measuring means (SCM) are connected. ;

14. The device according to claim 11, characterized in that that the first, second and third measuring means consist of four magnetic resistance elements (SCM) connected in the form of a bridge exist.

15. The apparatus of claim 11 and 14 _t, characterized in that the amplifier and coils between two Diagoηalpunkte (t., T «) of the bridge circuit are switched on.

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