DE1811312C

DE1811312C - Process for the production of an electrical resistor for miniaturized hybrid circuits

Info

Publication number: DE1811312C
Authority: DE
Inventors: Die Anmelder Sind
Original assignee: Le Men geb Le Men, Paulette, Che villy Larue, Menoret, Maurice, Chatillon sous Bagneux, Conruyt, Pierre, L Hay les Roses, (Frankreich)
Publication date: 1972-05-04

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung körper. An der Oberfläche dieser Zone müssen die eines elektrischen Widerstandes für miniaturisierte Anschlüsse in bekannter Weise befestigt werden, wo-Hybrid-Schaltkreise durch Zerteilen einer Schicht von durch die Größe des ohmschcn Widerstandes beeingegebenem spezifischem Widerstand in einzelne Wider- trächtigt werden kann.The invention relates to a method of manufacturing body. On the surface of this zone, the an electrical resistor for miniaturized connections can be attached in a known manner where hybrid circuits by dividing a layer of given by the size of the ohmic resistance specific resistance can be objected to in individual cases.

Standselemente, deren Abmessungen nach dem ge- 5 Aufgabe der Erfindung ist es, ein Herstellungs-Stand elements, the dimensions of which according to the 5 object of the invention is to provide a manufacturing

wünschten ohmschen Widerstand berechnet sind und verfahren der eingangs genannten Art zu schaffen, dasdesired ohmic resistance are calculated and the method of the type mentioned to create the

an deren Enden metallische Anschlüsse angelötet einfach, sicher und mit verhältnismäßig geringenat the ends of which metallic connections are soldered simply, safely and with relatively little

werden. Kosten auch bei Serienfertigung ausführbar ist undwill. Cost is also feasible for series production and

Man kennt Verfahren zur Aufbringung von Wider- Widerstände mit guter Homogenität und geringer ständen auf Miniaturträger, z. B. aus Aluminiumoxid, ίο Temperaturabhängigkeit ergibt, deren Wider.iandsentweder durch Vakuumbedampfen in dünnsten wert bei der Herstellung genau festlegbar ist und die Schichten der Größenordnung von einigen zehn- für miniaturisierte Hybrid-Schaltkreise geeignet sind, tausendstel Millimetern aus Metallen wie Nickel, Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch geChrom, Tantal usw., wobei jedoch durch die Feinheit löst, daß eine Platte gleichmäßiger Stärke aus einem dieser Schichten induktive Kopplungen hervorgerufen 15 Halbleiter-Werkstoff mit p-Leitung, der homogen und ■werden, die I ei schnellen logischen Schaltkreisen un- praktisch temperaturunabhängig ist, z. B. Silizium erwünscht sind. Besser sind durch Siebdruck her- oder Germanium, mit einem Diamanten in Elementargestellte Widerstände in Schichten der Größenordnung plättchen zerteilt wird, daß zwei Anschlüsse für jedes von einigen hundertstel Millimetern aus Pasten oder Plättchen aus Abschnitten eines feinen Bandes aus Druckfarben auf Metallbasis, deren Herstellungspreis ao Nickel oder einer Metallegierung mit einem Ausdehjedoch verhältnismäßig hoch ist. Es ist auch bekannt, nungskoeffizienten ähnlich Glas, das durch Metalliderartige durch Siebdruck hergestellte Widerstände sieren vergoldet ist, zugerichtet und in passende Verdurch Sandstrahlen in ihrem Widerstandswert zu ver- tiefungen eines Tiegels eingelegt werden, daß jedes ändern (Philips' Technische Rundschau 1966, S. 132). Plättchen als Brücke über seinen beiden AnschlüssenThere are known methods for applying resistances with good homogeneity and lower resistances stands on miniature carriers, e.g. B. from aluminum oxide, ίο temperature dependency results, their Wider.iandsentweder by vacuum evaporation in the thinnest value during manufacture can be precisely determined and the Layers of the order of a few tens - are suitable for miniaturized hybrid circuits, thousandths of a millimeter made of metals such as nickel. Tantalum, etc., but with the fineness solves that a plate of uniform thickness from one these layers induced inductive couplings 15 semiconductor material with p-conduction, which is homogeneous and ■ that I ei fast logic circuits is not practically temperature-independent, z. B. silicon are desired. It is better to use screen printing or germanium, with a diamond divided into elementary resistors in layers of the order of magnitude platelets that two connections for each of a few hundredths of a millimeter from pastes or platelets from sections of a fine tape Metal-based printing inks, the production price of which is nickel or a metal alloy with an expansion, however is relatively high. It is also known to have thermal coefficients similar to glass that is produced by metallider-like Resistors made by screen printing are gilded, trimmed and made into matching holes Sandblasting in their resistance to depressions of a crucible are inserted that each change (Philips' Technische Rundschau 1966, p. 132). Plate as a bridge over its two connections

Es ist weiterhin Stand der Technik, elektrische 15 angeordnet, mit diesen unter Druck in einem Ofen bei Widerstände pus Halbleiter-Werkstoffen, wie Silizium einer Temperatur, die höher ist als die Schmelztempeoder Germanium, herzustellen. Der Einsatz solcher ratur des Eutektikums Gold/Halbleiter, verlötet wird Widerstände in Iogif-hen ⁿchaltkreisen scheiterte und daß der ohmsche Widerstand eines jeden Plättjedoch lange Zeit an korstitutionellen Mängeln dieser chens mit Hilfe eines Ohmmeters abgeglichen wird, Werkstoffe wie der lnhornoge. ität der Leitfähigkeit 30 indem in an sich bekannter Weise mit einem Schleifselbst innerhalb eines Einkristalls und der Temperatur- pulverstrahl so lange Materie von dem Plättchen ababhängigkeit des Widerstandes. Heute kann man diese getragen wird, bis sich der gewünschte ohmsche WiderMängel jedoch weitgehend ausschalten. stand innerhalb des vorgegebenen ToleranzbereichsIt is also state of the art, electrical 15 arranged, with these under pressure in a furnace with resistances pus semiconductor materials such as silicon at a temperature which is higher than the melting temperature or germanium to manufacture. The use of such temperature is the eutectic gold / semiconductor soldered, resistors in Iogif-hen ⁿ chaltkreisen failed and that the ohmic resistance of these is compared Chen using an ohmmeter of each Plättjedoch long time korstitutionellen deficiencies, materials such as the lnhornoge. ity of the conductivity 30 in that in a known manner with a grinding itself within a single crystal and the temperature powder jet as long as matter depends on the platelet as a function of the resistance. Today you can wear it until the desired ohmic resistance is largely eliminated. was within the specified tolerance range

Aus der österreichischen Patentschrift 173 754 ist einstellt.From the Austrian patent 173 754 is adjusted.

ein Verfahren zur Herstellung eines hochohrnigen .*5 Die Qualität der so hergestellten Widerstände ist Widerstandes mit dsn folgenden Verfahrensschritten vergleichbar mit solchen, dis durch Siebdruck herbekannt: Eine im wesentlichen ebene Platte aus hitze- gestellt sind, vor allem deshalb, weil sie weder eine beständigem, nicht leitendem Material, beispielsweise mer'iiche Kapazität noch Induktivität aufweisen. Sie Glas, wird mindestens auf einer Fläche metallisiert; können daher in schnell ansprechenden logischen mittels eines Fotoätzverfahrens werden auf der '-ietalli- t,o Schaltkreisen eingesetzt werden. Das Verfahren versierten Oberfläche der Platte einzelne schmale band- ursacht vergleichsweise geringe Kosten und ist daher förmige Strornleitwege geschaffen, deren Schutzschicht auch bei Serienfertigung anzuwenden. Es erfordert nur nach dem Ätzen entfernt wird, wobei auch das Ätz- einfache Werkzeuge und ist verhältnismäßig leicht und mittel verdampft werden kann; sodann kann die Platte schnell durchzuführen; das gleiche gilt für das Anlöten in einzelne Widerstandselemente zerschnitten werden. 45 der Anschlüsse.a process for the production of a high-eared resistor , non-conductive material, for example mer'iiche capacitance still have inductance. The glass is metallized on at least one surface; can therefore be used in fast-responding logical circuits using a photo-etching process on the '-ietalli- t, o circuits. The process of well-versed surface of the plate single narrow band causes comparatively low costs and is therefore created shaped current conduction paths, whose protective layer can also be used in series production. It only needs to be removed after the etching, whereby the etching can also be vaporized with simple tools and is relatively easy and medium; then the plate can perform quickly; the same applies to the soldering, which can be cut into individual resistance elements. 45 of the connections.

Die so erhaltenen Widerstände sinu jedoch nicht Die Schaltungen können in der am häufigsten verhomogen, sie bestehen aus Metall und nicht aus Halb- wendeten Art hergestellt werden, nämlich durch leitern. Selbst in verhältnismäßig dünnen Schichten Photogravüre auf Epoxydharzträgern. Der Herstellhaben die Widerstände, wenn hohe Widerstandswerte preis von integrierten Schaltungen mit erfindungser-eicht werden sollen, eine viel 7.11 hohe innere Induk- 50 gemäß hergestellten Widerständen ist niedriger als der tiviiät, als daß sie in schnell ansprechenden Hoch- nach bekannten Verfahren hergestellten,
frequenzschaltkreisen verwendet werden könnten. Die Erfindung wird im folgenden unter Bezug aufThe resistances obtained in this way, however, are not. The circuits can most often be homogenized, they are made of metal and not of half-turned type, namely by means of conductors. Photo-engraving on epoxy resin substrates even in relatively thin layers. If high resistance values are to be achieved by the invention of integrated circuits with high resistance values, a much 7.11 high internal inductance is lower than the usefulness of the resistors that are manufactured in accordance with known processes.
frequency circuits could be used. The invention is described below with reference to FIG

Es ist auch ein Verfahren zur Herstellung von elek- die Zeichnung näher beschrieben. In dieser zeigt
trischen Widerständen aus Halbleiter-Werkstoffen F i g. 1 die perspektivische Ansicht eines Widernach der klassischen Diffusions-Technik bekannt 55 Standes,There is also a method for producing electrical the drawing is described in more detail. In this shows
tric resistances made of semiconductor materials F i g. 1 the perspective view of a prior art known against the classical diffusion technique,

(Philips' Technische Rundschau 1966, S. 144). Hier F i g. 2 die Draufsicht auf eine Platte aus Halbleiterwird der Widerstand durch eine dotierte Schicht in Werkstoff, die mit einem Diamanten in Rechtecke zerdem Halbleiterkörper (Silizium oder Germanium) ge- schnitten ist,
bildet. Diese Widerstände sind jedoch ebenfalls nicht F i g. 3 ein Schaltungsbeispiel,
homogen. Derartige Widerstände sind hinsichtlich des 60 F i g. 4 in perspektivischer Darstellung ein Ausfüh-Frequenzbereichs in ihrer Anwendung begrenzt, so daß rungsbeispiel der Schaltung nach F i g. 3 in Siebsie für schnell ansprechende Hochfrequenzschaltkreise drucktechnik,(Philips' Technische Rundschau 1966, p. 144). Here F i g. 2 the top view of a plate made of semiconductor, the resistance through a doped layer in material, which is cut into rectangles with a diamond in the semiconductor body (silicon or germanium),
forms. However, these resistors are also not FIG. 3 a circuit example,
homogeneous. Such resistances are with respect to the 60F i g. 4 in a perspective view of an execution frequency range limited in its application, so that approximately example of the circuit according to FIG. 3 in sieve for fast-responding high-frequency circuit printing technology,

nicht geeignet sind. Das Verfahren ist deshalb schwierig F i g. 5 eine gedruckte Schaltung zu F i g. 3 für dieare not suitable. The process is therefore difficult. 5 shows a printed circuit for FIG. 3 for the

anzuwenden, weil man die Form der Zone berück- Halbleiterwiderslände.to be used because one takes into account the shape of the zone.

sichtigen muß, in der sich die Verunreinigungen kon- 65 F i g. 1 zeigt einen Widerstand mit einem quaderzentrieren in dem Augenblick, in dem sie in den förmigen Körper I aus einem Halbleiter-Werkstoff wie Halbleiter·Werkstoff eindiffundieren. Diese Diffusions- Germanium oder Silizium, der, wie weiter unten bezone bildet nämlich den eigentlichen Widerstands- schrieben, behandelt ist, und mit Anschlüssen 2, und I_x must pay attention in which the impurities con-65 F i g. 1 shows a resistor with a cuboid centering at the moment in which they diffuse into the shaped body I made of a semiconductor material such as semiconductor material. This diffusion germanium or silicon, which, as further below bezone forms the actual resistance writing, is treated, and with connections 2, and I _x

aus Abschnitten eines dünnen Metallbandes, das z. B. aus Nickel oder einer Metallegierung mit einem Ausdehnungskoeffizienten ähnlich Glas besteht.from sections of a thin metal strip which z. B. made of nickel or a metal alloy with a coefficient of expansion similar to glass.

Der Widerstand nach F i g. I ist zum Einbau in eine gedruckte Leiterplatte gedacht, die an ihrer Ober-Mäche gedruckte Anschlüsse (oder Flächen) besitzt.The resistance according to FIG. I is intended for installation in a printed circuit board on its surface has printed connections (or surfaces).

Die Berechnung der Abmessungen eines solchen Widerstandes ist sehr einfach. Bezeichnet man den Abstand zwischen den äußersten gegenüberliegenden Kanten der beiden Anschlüsse I₁ und I₁ mit d, die Breite mit /, die Stärke des Widerstandskörpers mit β und mit ρ den spezifischen Widerstand des Materials des Widerstandskörper, so kann man in erster Näherung annehmen, daß sich der ohmsche Widerstand aus der klassischen BeziehungCalculating the dimensions of such a resistor is very simple. If one denotes the distance between the extreme opposite edges of the two connections I ₁ and I ₁ with d, the width with /, the thickness of the resistance body with β and with ρ the specific resistance of the material of the resistance body, one can assume as a first approximation that that the ohmic resistance results from the classic relationship

e I
ergibt. e I
results.

Wenn der für den Widerstand vorgesehene Platz auf der Leiterplatte bereits festgelegt ist und somit d, I und in gleicher Weise R bereits vorgegeben sind, ergibt sich ·If the space provided for the resistor on the circuit board has already been determined and thus d, I and, in the same way, R are already given, the result is

^e _ ^d ^e _ ^d

ρ I R ρ I R _a5a5

Wenn e in Mikron und ρ in Ohm-Zentimeter ausgedrückt werden, gilt:If e is expressed in microns and ρ in ohm-centimeters, then:

^e - ^d o« ^e - ^d o «
Q IRQ IR

Um die Größenordnung abzuschätzen, kann man d — I setzen, dann erhält man:To estimate the order of magnitude, one can set d - I , then one obtains:

3030th

_e κ A . 10⁴.
R _e κ A. 10 ⁴ .
R.

(2)(2)

3535

Diese Berechnung zeigt, daß z. B. bei Silizium, dessen spezifischer Widerstand ρ zwischen 1,3 und 3 Ω cm liegt, ein Widerstand von IOC Ohm eine Stärke von 130 bis 300 μπι haben wird.This calculation shows that e.g. B. with silicon, the specific resistance ρ between 1.3 and 3 Ω cm is, a resistance of IOC ohms will have a strength of 130 to 300 μπι.

Die Länge L des Widerstandskörpers 1 wird durch die Forderung nach einer genügend großen Auflagefläche auf den beiden Anschlüssen 2, und 2₂ bestimmt. Durch Versuche wurde gefunden, daß, wenn die Anschlüsse aus einem Metallband mit einer Breite von I mm besteben, der Wert {L—d) etwa 1 mm betragen sollte.The length L of the resistor body 1 is determined by the requirement for a sufficiently large contact surface on the two connections 2 and 2 ₂ . It has been found through experiments that if the connections consist of a metal strip with a width of 1 mm, the value {L-d) should be about 1 mm.

Es ist noch zu bemerken, daß durch das Anlöten der Anschlüsse an eine der großen Flächen des Widerstandskörpers 1 die Flußlinien der Stromverteilung, die sich im Inneren des Widerstandskörpers einstellt, verlängert werden. Aus diesem Grunde ist es vorteilhaft, die crfindungsgemäßen Widerstände zu Beginn in der Weise auszuschneiden, daß Länge und Stärke etwas größer gehalten werden, als sie berechnet wurden, und dann die genaue Größe mit Hilfe eines Ohmmeters zu korrigieren.It should also be noted that by soldering the connections to one of the large surfaces of the resistor body 1 the flow lines of the current distribution that occurs inside the resistor body, be extended. For this reason it is advantageous to use the resistors according to the invention at the beginning cut out in such a way as to keep the length and thickness slightly larger than calculated and then correct the exact size with the help of an ohmmeter.

Man kann z. B. den Halbleiter-Werkstoff in Form von Platten beziehen und dabei die folgenden Eigenschaften vorschreiben:You can z. B. refer to the semiconductor material in the form of plates and thereby have the following properties prescribe:

Stärke der Platten; fioThickness of the panels; fio

Leitfähigkeit des Grundmaterial;
Art dci¹ in den Platten enthaltenen Verunreinigungen, die vorteilhafterweise p-Verunreinigungen sein so'! ten, wenn man die Anschlüsse 2, und "X_t mit Gold verlöten will, was einen ausgezeichneten elektrischen Koniakt ergibt;
eine polierte Fläche der Platte, um eine bessere Benetzung durch das Lot zu erzielen;Conductivity of the base material;
Kind dci ¹ impurities contained in the plates, which advantageously be p-impurities so '! ten, if you want to solder the terminals 2, and "X _t with gold, which gives an excellent electrical contact;
a polished surface of the plate for better wetting by the solder;

eine Toleranz von ± 0,2 °/₀ in bezug auf Homogenität und Temperaturstabilität der Leitfähigkeit.a tolerance of ± 0.2 ° / ₀ with regard to the homogeneity and temperature stability of the conductivity.

Auf diese Weise beschränkt sich die Herstellung von erfindungsgemäßen Widerständen auf die folgenden Arbeitsgänge:In this way, the manufacture of resistors according to the invention is limited to the following Operations:

Ausschneiden der Widerstandskörper,
Vorbereiten der Anschlüsse,
Verlöten der Anschlüsse mit dem Widerstandskörper. Cutting out the resistor body,
Preparing the connections,
Solder the connections to the resistor body.

Man geht von einer nach den obengenannten Angaben vorgefertigten Platte 3 (F i g. 2) aus. Man klebt mit Wachs einen Schlitten auf die Platte, der sich in zwei zueinander senkrechten Richtungen hin und her bewegen läßt. Man setzt eine Diamantspitze auf die freie Oberfläche der P^; -tte und verschiebt den Schlitten so, daß die DiamantsptEze ein Netzwerk von Riefen in die Platte ritzt. Man löst durch Erhitzen den Schlitten von der Platte und bringt die Platte in ein UltraschaÜ-bad mit Trichloräthylen; danach sind alle Wachsspuren beseitigt und die Widerstandskörper voneinander getrennt.The starting point is a plate 3 (FIG. 2) prefabricated in accordance with the above information. A slide is glued to the plate with wax and can be moved back and forth in two mutually perpendicular directions. Place a diamond point on the free surface of the P ^; -Take and move the slide so that the diamond tip scratches a network of grooves in the plate. The slide is released from the plate by heating and the plate is placed in an ultrasonic bath with trichlorethylene; then all traces of wax are removed and the resistance bodies are separated from one another.

Zum anderen geht man von einem Metallband aus, das z. B. 1 mm breit und 30 μιη stark und durch ein bekanntes elektrolytisches Verfahren vergoldet ist. Man zerschneidet das Band in z. B. 4 mm lange Abschnitte, die dann als Anschlüsse verwendet werden.On the other hand, one assumes a metal band that z. B. 1 mm wide and 30 μm thick and through a known electrolytic process is gold-plated. You cut the tape in z. B. 4 mm long sections, which are then used as connections.

Man legt die Anschlüsse paarweise und genau ausgerichtet in Vertiefungen eines Graphittiegels mit ebenen Böden, legt einen Widerstandskörper auf je ein Paar von Anschlüssen und schützt das Ganze durcii Druck gegen Verschieben, nachdem man den Abstand der Anschlüsse mit einer Meßlupe nachgeprüft hat. Dann wird der Tiegel in einen Ofen gelegt, der eine Temperatur von 550° C hat, die weit oberhalb der Schmelztemperatur des Eutektikums Gold/Halbleiter liegt.The connections are placed in pairs and precisely aligned in the depressions of a graphite crucible flat floors, places a resistance body on each pair of connections and protects the whole thing durcii Pressure against shifting after checking the distance between the connections with a measuring magnifier. Then the crucible is placed in an oven that has a temperature of 550 ° C, which is well above that Melting temperature of the eutectic gold / semiconductor lies.

Wenn die Widerstände dann vollständig abgekühlt sind, mißt man ihren ohmschen Widerstand mit Gleichstrom und korrigiert ihre Abmessungen durch Abtragen von Materie mit Hilfe eines Strahles aus sehr feinem Schleifpulver, wie z. B. Aluminiumoxid.When the resistors have cooled down completely, their ohmic resistance is also measured Direct current and corrects its dimensions by removing matter with the help of a beam very fine abrasive powder, such as B. alumina.

AusführungsbeispielEmbodiment

Die Torschaltung gemäß F i g. 3 hatThe gate circuit according to FIG. 3 has

a) drei Eingangskreise mit jeweils einem npn-Transistor 11, 12, 13, deren Basen mit je einem Eingang 1O₁, 1O₂ und IO3 eier Torschaltung verbunden sind. Diese Transistoren mit gleichen elektrischen Eigenschaften sind parallel geschaltet, ihre Emitter liegen über einen gemeinsamen Widerstand 16 an Masse, und ihre Kollektoren sind mit dem positiven Pol 1O₅ einer Gleichspannungsquclle über den gemeinsamen Punkt 18 und einen Widerstand 15 verbunden;a) three input circuits each with an npn transistor 11, 12, 13, the bases of which are each connected to an input 1O ₁ , 1O ₂ and IO3 of a gate circuit. These transistors with the same electrical properties are connected in parallel, their emitters are connected to ground via a common resistor 16, and their collectors are connected to the positive pole 10 _{5 of} a DC voltage source via the common point 18 and a resistor 15;

b) eine Regenerationsstufe als Aus^angskreis, die i.us einem einzelnen npn-Transistor 14 besteht, dessen elektrische Eigenschaften die gleichen sind, wie die der Eingangstransistoren, und der mit seiner Basis mit deren Kollektoren verbunden ist, mit seinem Kollektor an dem positiven Pol 10_s liegt und dessen Emitter, der den Ausgang 10, der Torschaltung darstellt, über einen Widerstand 17 mit Masse verbunden ist.b) a regeneration stage as an output circuit consisting of a single npn transistor 14, the electrical properties of which are the same as those of the input transistors, and whose base is connected to their collectors, with its collector connected to the positive one Pole 10 _s and its emitter, which represents the output 10 of the gate circuit, is connected to ground via a resistor 17.

F i g. 4 zeigt schematisiert eine mögliche Ausfüh-F i g. 4 shows schematically a possible embodiment

rungsform dieser Torschaltung für den Fall, daß man dünne, meist durch Siebdruck aufgebrachte Metallschicht-Widerstände verwendet.Approximate form of this gate circuit for the case that one uses thin, usually applied by screen printing, metal layer resistors.

Als Träger einer gedruckten Schaltung dient eine Keramikplatte 19. Die Transistoren 11 und 12 sind übereinander angeordnet, ebenso die Transistoren 13 und 14. Diese beiden Stapel werden von den äußeren Anschlüssen der Transistor-Elektroden gehalten, welche auf metallische Flächen auf der Platte 19 aufgelötet werden. Diese Flächen mit den Bezeichnungen 2O₁ bis 2O₅ entsprechen den Klemmen 1O₁ bis 1O₆ des Schaltplanes in F i g. 3. Die schraffierten Flächen 15, 16, 17 sind die durch Siebdruck auf die Keramikplatte 19 aufgebfachten Schichtwiderstände.A ceramic plate 19 serves as a carrier for a printed circuit. The transistors 11 and 12 are arranged one above the other, as are the transistors 13 and 14. These two stacks are held by the outer connections of the transistor electrodes, which are soldered onto metallic surfaces on the plate 19 . These areas with the designations 2O ₁ to 2O ₅ correspond to the terminals 1O ₁ to 1O _{6 of} the circuit diagram in FIG. 3. The hatched areas 15, 16, 17 are the sheet resistances panned onto the ceramic plate 19 by screen printing.

In einem Ausführungsmuster betrugen die Ab-In one execution model, the

IOIO

»5»5 messungen der Tragerplatte 19 16 · 12,7 · 0,5 mm' Mit den aufgelöteten Transistoren betrug die gesamte Höhe des Musters 3,6 mm.measurements of the support plate 19 16 12.7 0.5 mm ' With the transistors soldered on, the total height of the pattern was 3.6 mm.

F i g. 5 zeigt eine Ausführungsform der gedruckten Schaltung für den Fall, daß man erfindungsgemäße Halbleiter-Widerstände verwendet; sie ist gegenüber der in F i g. 4 dargestellten lediglich leicht abgeändert, so daß man die erfindungsgemäßen Widerstände IS, 16, 17 auflöten kann.F i g. 5 shows an embodiment of the printed Circuit for the case that semiconductor resistors according to the invention are used; she is opposite the in F i g. 4 shown only slightly modified, so that the resistors IS according to the invention, 16, 17 can be soldered on.

Die Abmessungen der Trägerplatte 19 sind die gleichen wie vorher.The dimensions of the support plate 19 are the same as before.

Die Abmessungen der Widerstandskörper, die Genauigkeit und der Temperaturkoeffizient der hergestellten Widerstände sind in der folgenden Tabelle aufgeführt.The dimensions of the resistor bodies, the accuracy and the temperature coefficient of the resistors produced are in the following table listed.

Widerstand Nr. ! (Ω)resistance No. ! (Ω)

Halbleitersemiconductor

ArtArt

(Ω "cm)(Ω "cm)

Abmessungen des WiderstandskörpersDimensions of the resistor body

e (μηι) e (μηι)

d (mm) d (mm)

L (mm) L (mm)

Genauigkeitaccuracy

Temperalur KoeffizientTemperalur coefficient

J. AL·
R AT J. AL
ADVICE

100100

3939

150150

Si Si SiSi Si Si

250 250 250250 250 250

1 0,51 0.5

und zwar wurden diese Abmessungen und Genauigkeiten vor der Korrektur mit dem Schleifpulverstrahl erzielt.and that these dimensions and accuracies were measured with the abrasive powder jet before the correction achieved.

Claims

Patentanspruch:Claim:

Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandes für miniaturisierte Hybrid-Schaltkreise durch Zerteilen einer Schicht von gegebenem spezifischem Widerstand in einzelne Widerstandselemente, deren Abmessungen nach dem gewünschten ohmschen Widerstand berechnet sind und an deren Enden metallische Anschlüsse angelötet werden, dadurch gekennzeichnet, daß eine Platte gleichmäßiger Stärke aus einem Halbleiter-Werkstoff mit p-Leitung, der homogen und praktisch temperaturunabhängig ist, z. B. Silizium oder Germanium, mit einem Dia-Method for producing an electrical resistor for miniaturized hybrid circuits by dividing a layer of a given specific resistance into individual resistance elements, the dimensions of which are calculated according to the desired ohmic resistance and at the ends of which metallic connections are soldered, characterized in that a plate of uniform thickness is made a semiconductor material with p-conduction that is homogeneous and practically independent of temperature, z. B. silicon or germanium, with a di-

ΙΟ 10 10ΙΟ 10 10

manten in Elementarplättchen zerteilt wird, daß zwei Anschlüsse für jedes Plättchen aus Abschnitten eines feinen Bandes aus Nickel oder einer Metallegierung mit einem Ausdehnungskoeffizienten ähnlich Glas, das durch Metallisieren vergoldet ist, zugerichtet und in passende Vertiefungen eines Tiegels eingelegt werden, daß jedes Plättchen als Brücke über seinen beiden Anschlüssen angeordnet, mit diesen unter Druck in einem Ofen bei einer Temperatur, die höher ist als die Schmelztemperatur des Eutektikums Gold/Halbleiter, verlötet wird und daß der ohm sehe Widerstand eines jeden Plättchens mit Hilfe eines Ohmmeters abgeglichen wird, indem in an sich bekannter Weise mit einem Schleifpulverst rahl so lange Materie von dem Plättchen abgetragen wird, bis sich der gewünschte ohmsche Widerstand innerhalb des vorgegebenen Toleranzbereichs einstelltmanten is divided into elementary tiles that two connections for each platelet made from sections of a fine ribbon of nickel or one Metal alloy with a coefficient of expansion similar to glass that is gold-plated by metallizing is, trimmed and placed in matching wells of a crucible that each plate as Bridge placed over its two connections, with these under pressure in an oven at one Temperature higher than the melting temperature of the gold / semiconductor eutectic, soldered and that the ohmic resistance of each plate is compared with the help of an ohmmeter is by in a known manner with a grinding powder steel as long matter of the Platelet is removed until the desired ohmic resistance within the specified tolerance range

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings