DE1810274A1

DE1810274A1 - Device for limiting temperature-related frequency fluctuations of a quartz-controlled high-frequency oscillator

Info

Publication number: DE1810274A1
Application number: DE19681810274
Authority: DE
Inventors: Manfred Franke
Original assignee: Robert Bosch Elektronik GmbH
Current assignee: Robert Bosch Elektronik GmbH
Priority date: 1968-11-22
Filing date: 1968-11-22
Publication date: 1970-06-25
Also published as: DE1810274C3; DE1810274B2

Description

Einrichtung zum Begrenzen temperaturbedingter Frequenzschwankungen eines quarzgesteuerten Hochfrequenzoszfllators Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Begrenzen der Frequenzschwankungen eines quarzgesteuerten Hochfrequenzoszillators auf einen vorgegebenen Frequenzbereich mit der oberen Grenze f0 und der unteren Grenze fu bei Schwankungen der Råumtemperatur unterhalb einer vorgegebenen oberen Temperaturgrenze T0 mit einem Quarz, der einen AT-Schnitt aufweist und eine derartige, durch eine Gleichung dritten Grades bestimmte Frequenz-Temperatur-Kennlinie hat, daß bei der vorgegebenen oberen Temperaturgrenze T0 die obere Frequenzgrenze f0 nicht Uberschritten wird, und mit einer Heizvorrichtung, die nur bei flaumtemperaturen unterhalb einer Temperatur Tu, die um denselben Betrag unterhalb der durch den Wendepunkt der Kennlinie bestimmten Temperatur T5 liegt wie die obere Temperaturgrenze To oberhalb der Temperatur T5, in Betrieb ist.Device for limiting temperature-related frequency fluctuations of a quartz-controlled high-frequency oscillator The invention relates to a device to limit the frequency fluctuations of a crystal controlled high frequency oscillator to a specified frequency range with the upper limit f0 and the lower limit Limit fu for fluctuations in the room temperature below a given upper limit Temperature limit T0 with a quartz that has an AT cut and such a, has a frequency-temperature characteristic determined by an equation of the third degree, that at the given upper temperature limit T0, the upper frequency limit f0 is not exceeded, and with a heater that works only at downy temperatures below a temperature Tu which is the same amount below that due to the inflection point the temperature T5 determined by the characteristic curve is above the upper temperature limit To the temperature T5, is in operation.

Es ist bekannt, bei Geräten mit einem quarzgesteuerten Hochfrequenzoszillator, beispielsweise bei einem Funksprechgerät mit einem quarzgesteuerten, die Frequenz des Senders bestimmenden Senderoszillator bzw. mit einem quarzgesteuerten, die Uberlagerungsfrequenz des Empfängers des Gerätes bestimmenden Uberlagerungsoszillator entweder das ganze Gerät in einem Thermostaten unterzubringen unterzubringen oder nur auf den Quarz eine elektrische Hez.v9rrichtung einwirken zu lassen. Bei batterie betriebenen Geräten, insbesondere bei solchen, die tragbar sind und oft in der Hand bzw. am Körper gehalten werden müssen, ist es sehr erwünscht, daß die Mittel zum Konstanthalten der Umgebungstemperatur des Quarzes ein möglichst geringes Gewicht und Ausmaß haben und daß zur Schonung der Batterien der Heizstrom so klein wie möglich ist.It is known that in devices with a crystal-controlled high-frequency oscillator, For example, in a two-way radio with a quartz-controlled, the frequency of the transmitter determining transmitter oscillator or with a crystal-controlled, the superposition frequency of the receiver of the device determining local oscillator either the whole To accommodate the device in a thermostat accommodate or just to let an electric heater act on the quartz. With battery operated devices, especially those that are portable and often in hand or must be held on the body, it is very desirable that the means for Keeping the ambient temperature of the quartz constant, the lowest possible weight and dimensions and that the heating current is as small as possible to save the batteries is.

Alle bekannten Einrichtungen, bei denen ein Thermostat verwendet wird, kommen wegen des großen Gewichtes und Ausmaßes des Thermostaten für transportable Geräte nicht in Frage. Bei einer, bekannten Einrichtung wird eine ungeregelte Heizung eingeschaltet, wenn die Raumtemperatur und damit die Umgebungstemperatur des Quarzes die Temperatur Tu unterschreitet. Bei allen Rrumtemperaturen unterhalb Tu wird durch diese Heizung die Umgebu,ngstemperatur des Quarzes gegenüber der Raumtemperatur um den Differenzbetrag zwischen der Raumtemperatur Tu und einer für die Betriebsfähigkeit des Gerätes vorgegebenen unteren Raumtemperaturgrenze Tu' erhöht.All known devices that use a thermostat come for transportable because of the great weight and size of the thermostat Devices out of the question. In one known device there is an unregulated heating switched on when the room temperature and thus the ambient temperature of the quartz the temperature falls below Tu. At all room temperatures below Tu, through this heating the ambient temperature of the quartz compared to the room temperature by the difference between the room temperature Tu and one for the operability of the device's lower room temperature limit Tu 'is increased.

Der Nachteil vorstehender bekannter Einrichtung ist Jedoch, daß dieselbe Heizleistung bei einer Raumtemperatur knapp unterhalb Tu aufgewendet werden muß wie bei der weit darunter liegenden Raumtemperatur Tu'. Außerdem wird der Arbeitsbereich der Heizung durch die Forderung eingeengt, daß durch die bei der Raumtemperatur Tu eingeschaltete Heizung die Umgebungstemperatur des Quarzes nicht höher als die obere, für die Betriebsfähigkeit des des Gerätes vorgegebene Raumtemperatur T0 werden darf, da Ja sonst die obere Frequenzgrenze f0 des Quarzes überschritten werden wUrde. Dieses bedeutet umgekehrt, daß die untere vorgegebene Raumtemperatur Tu nur um diesen Arbeitsbereich der Heizung tiefer liegen darf als die die Einschaltung der Heizung bestimmende Temperatur Tu, wodurch beispielsweise für Ts = + 27° C, To = + 40° C sowie Tu = + 14° C der Arbeitsbereich der Heizung 260 C betragen würde und Tu' bei - 120 C liegen müßte. Letzterer Wert genügt aber nicht, da normalerweise die untere Raumtemperatur mit - 200 C vorgegeben ist.However, the disadvantage of the above known device is that the same Heating power must be used at a room temperature just below Tu as in the case of the room temperature Tu ', which is well below this. In addition, the work area the heating is restricted by the requirement that by being at room temperature When the heating is switched on, the ambient temperature of the quartz is not higher than that upper, for the operability of the room temperature specified by the device T0 may be, otherwise the upper frequency limit f0 of the crystal would be exceeded would be. Conversely, this means that the lower specified room temperature Only this working area of the heating may be lower than when it is switched on the heating determining temperature Tu, which means, for example, for Ts = + 27 ° C, To = + 40 ° C and Tu = + 14 ° C the working range of the heater would be 260 C. and Tu 'should be - 120 C. However, the latter value is not sufficient, as it is usually the lower room temperature is set at - 200 C.

Die geschilderten Nachteile der bekannten Einrichtung zum Heizen werden gemäß der Erfindung dadurch vermieden, daß die Heizvorrichtung von einer Regelschaltung derart gesteuert wird, daß sie die Umgebungstemperatur des Quarzes bei Tu konstant hält.The disadvantages of the known device for heating are described avoided according to the invention in that the heating device of a control circuit is controlled in such a way that it keeps the ambient temperature of the quartz constant at Tu holds.

Die Heizvorrichtung wird also bei einer knapp unterhalb Tu liegenden Raumtemperatur, beispielsweise bei einer Temperatur von + 100 C, wenn der ert von Tu angenommenerweise + 14Q C betragen soll, nur eine sehr geringe Heizleistung an den Quarz abzugeben brauchen, um die Umgebungstemperatur des Quarzes von annähernd + 14Q C auRrechtzuerhalten. Die RegeLschaltung ist dabei so aufgebaut, daß im Gegensatz zu der vorstehend erwähnten bekannten Einrichtung bei der Außentemperatur von + 100 C eine Umgebungstemperatur des Quarzes von + 140 C nicht überschritten wird. Bei weiterem Absinken der Raumtemperatur, beispielsweise bis 0° wird dann die Heizleistung größer werden, um die Umgebungstemperatur temperatur des Quarzes von annähernd 140 C zu gewShrleisten.The heating device is so located at a just below Tu Room temperature, for example at a temperature of + 100 C, if the ert of Assumed to be + 14Q C, only a very low heating output the quartz need to give off the ambient temperature of the quartz of approximately + 14Q C. The control circuit is constructed so that in contrast to the above-mentioned known device at the outside temperature of + 100 C an ambient temperature of the quartz of + 140 C is not exceeded. If the room temperature drops further, for example to 0 °, the heating output then increases become larger around the ambient temperature temperature of the quartz of approximately 140 C to be guaranteed.

Schließlich kann die Regelschaltung der Heizvorrichtung ohne Schwierigkeit so dimensioniert sein, daß sie bei beispielsweise einer Raumtemperatur von - 200 C eine solche Heizleistung'aufbringt, daß die Umgebungstemperatur des Quarzes ebenfalls auf annähernd + 140 C gehalten wird. Ein Absinken der Raumtemperatur unter - 200 C könnte gegebenenfalls ohne weiteres beim Aufbau der Heizvorrichtung mit Erfolg berücksichtigt werden. Jeden-' ralls kann man bei der erfindungsgemäßen Einrichtung zum Begrenzen temperaturbedingter Frequenzschwanküngen einen viel größeren Arbeitsbereich der Heizvorrichtung ausnutzen als bei der bekennS ten Einrichtung. Außerdem wird an Heizleistung gespart, da Ja bei Raumtemperaturen knapp unterhalb Tu nur wenig Heizleistung benötigt wird.Finally, the control circuit of the heating device can be done without difficulty be dimensioned in such a way that, for example, at a room temperature of -200 C such a heating power applies that the ambient temperature of the quartz also is kept at approximately +140 C. A fall in room temperature below - 200 C could possibly easily be successful in setting up the heater must be taken into account. Anything can be done with the device according to the invention a much larger working range to limit temperature-related frequency fluctuations use of the heating device than with the known device. Also will Saving in heating power, since yes only a little at room temperatures just below Tu Heating power is required.

In Durchführung des Erfindungsgedankens können in einem aus einer Grundplatte und einer auf der Grundplatte aufgesetzten metallischen Haube bestehenden Gehäuse der Quarz, der HochRrequenz-, oszillator in Form einer integrierten Schaltung und die zur Steuerung der mindestens einen Heizwiderstand enthaltenden elektrischen Heizvorrichtung dienende Regelschaltung einschließlich der Heizwiderstände in integrierter Bauweise untergebracht und das Gehäuse von einer Wärme-Isolation umgeben sein.In carrying out the inventive concept in one of one Base plate and a metallic hood placed on the base plate Housing of the quartz, the high-frequency, oscillator in the form of an integrated circuit and the electrical ones for controlling the at least one heating resistor Heating device serving control circuit including the heating resistors in an integrated Design housed and the housing can be surrounded by thermal insulation.

Dieses ergibt einen raumsparenden und preiswerten Aufbau der Einrichtung.This results in a space-saving and inexpensive structure of the device.

Natürlich Natürlich kann die vorgeschlagene Einrichtung auch bei ortsfesten Geräten, die aus dem Starkstromnetz betrieben werden, von Vorteil sein, wenn man Strom sparen will. Naturally Of course, the proposed facility can This is also an advantage for stationary devices that are operated from the high-voltage network if you want to save electricity.

Weitere Einzelheiten der Erfindung sowie deren Wirkungsweise seien anhand der Zeichnungen erläutert, in denen ein AusrWhrungsbeispiel der erfindungsgemäßen Einrichtung zum Begrenzen der Frequenzschwankungen eines quarzgesteuerten Hochfrequenzoszillators dargestellt ist, Fig. 1 bringt Frequenz-Temperatur-Kennlinien von drei Quarzen mit verschiedenen AT-Schnitten, Fig. 2 ist ein in stark vergrößertem Maßstab und schematisch gezeichneter Schnitt durch ein einen Quarz, einen Hochfrequenzoszillator und eine geregelte Heizvorrichtuxg enthaltendes Gehäuse, Fig. 3 gibt eine Regelschaltung der Heizvorrichtung wieder.Further details of the invention and its mode of operation are explained with reference to the drawings, in which a AusrWhrungsbeispiel the invention Device for limiting the frequency fluctuations of a quartz-controlled high-frequency oscillator is shown, Fig. 1 brings frequency-temperature characteristics of three crystals various AT sections, Fig. 2 is a greatly enlarged scale and schematically Drawn section through a quartz, a high frequency oscillator and a controlled Heizvorrichtuxg containing housing, Fig. 3 gives a control circuit the heater again.

In Fig. 1 sind die Frequenz-Temperatur-Kennlinien 1, 2, 3 von drei Quarzen mit AT-Schnitten gezeichnet, wobei die Quarze jeweils unter einem anderen Winkel geschnitten sind. Auf der Abszisse sind die Temperaturen von minus dreißig bis plus sechzig Grad Celsius eingetragen, während die Ordinate die positiven Frequenzabweichungen des Quarzes nach oben und die negativen nach unten enthält.In Fig. 1, the frequency-temperature characteristics are 1, 2, 3 of three Crystals drawn with AT cuts, with the crystals each under a different one Angles are cut. On the abscissa are the temperatures of minus thirty up to plus sixty degrees Celsius, while the ordinate shows the positive frequency deviations of the quartz upwards and the negative downwards.

Die Kennlinien 1, 2, 3 sind durch Gleichungen dritten Grades bestimmt, die alle einen gemeinsamen Wendepunkt 24 bei der Temperatur tur Ts, beispielsweise bei + 270 C, haben und symmetrisch zur Ordinate dieser Temperatur verlaufen.The characteristics 1, 2, 3 are determined by equations of the third degree, all of which have a common inflection point 24 in temperature door Ts, for example at + 270 C, have and symmetrical to the ordinate of this temperature get lost.

Für die Entwicklung der Einrichtung zum Begrenzen der Frequenzschwankungen eines quarzgesteuerten Hochfrequenzoszillators ist vorgegeben, daß bis zu einer oberen Raumtemperatur T0, beispielsweise von + 400 C, die obere Grenze f0 des Frequenzbereiches nicht überschritten und daß bis zu einer unteren Raumtemperatur Tu' eine untere Grenze fu des Frequenzbereiches nicht unterschritten werden darf, wobei die Frequenzen fo und fu vorteilhafterweise symmetrisch zu einer Sollfrequenz liegen, die der Temperatur Ts des Wendepunktes 24 der Kennlinien l, 2, 3 entspricht0 Ein Blick auf Fig. 1 zeigt, daß oberhalb der Temperatur T5 bis zur oberen Raumtemperatur T0 ein Quarz mit der Kennlinie 2 in diesem Temperaturbereich, beispielsweise zwischen + 27° C und + 400 C, die obere Grenze rO des Frequenzbereiches nicht Uberschreitet und daß bei der Raumtemperatur Tu, die um denselben Betrag unterhalb der durch den Wendepunkt 24 der Kennlinie bestimmten Temperatur T5 liegt wie die obere Raumtemperatur To oberhalb der Temperatur Ts, eine untere Grenze fu des Frequenzbereiches eingehalten wird, wobei für exakt symmetrischen Verlauf der Kennt linie fu gleich fo ist. Für beispielsweise Ts = + 27° C und To = + 40° C liegt Tu bei + 14° C. Um nun für tiefere Raumtemperaturen, beispielsweise von + 14° C abwärts bis zur unteren vorgegebenen Raumtemperatur von Tu' = - 20Q C, die Umgebungstemperatur des Quarzes nicht unter Tu absinken zu lassen und dadurch eine wesentliche wesentliche Unterschreitung der unteren Grenze fu zu erhalten, wird erfindungsgemäß bei der Temperatur Tu eine von einer Regelschaltung gesteuerte Heizvorrichtung selbsttätig in Funktion gesetzt, die die Umgebungstemperatur des Quarzes auf annähernd Tu konstant hält. Beispielsweise sinkt dann, durch die geregelte Heizvorrichtung gesteuert, die Umgebungstemperatur des Quarzes für eine knapp unterhalb Tu liegende Raumtemperatur um wenige Zehntel Grad und für eine untere vorgegebene Raumtemperatur von Tu' - - 200 C um etwa einen Grad Celsius ab.For the development of the device for limiting the frequency fluctuations a crystal controlled high frequency oscillator is specified that up to one upper room temperature T0, for example + 400 C, the upper limit f0 of the frequency range not exceeded and that up to a lower room temperature Tu 'a lower Limit fu of the frequency range must not be fallen below, whereby the frequencies fo and fu are advantageously symmetrical with respect to a setpoint frequency, that of the temperature Ts of the turning point 24 of the characteristic curves 1, 2, 3 corresponds to 0 A look at FIG. 1 shows that above the temperature T5 to the upper room temperature T0 a quartz with the Characteristic curve 2 in this temperature range, for example between + 27 ° C and + 400 C, does not exceed the upper limit rO of the frequency range and that at the Room temperature Tu, which is by the same amount below that caused by the turning point 24 the temperature T5 determined by the characteristic curve is above the upper room temperature To the temperature Ts, a lower limit fu of the frequency range is observed, where for an exactly symmetrical course the characteristic line fu is equal to fo. For example Ts = + 27 ° C and To = + 40 ° C, Tu is at + 14 ° C. In order now for lower room temperatures, for example from + 14 ° C down to the lower specified room temperature of Tu '= - 20Q C, not to let the ambient temperature of the quartz drop below Tu and thereby an essential one significant shortfall of the lower To obtain limit fu, according to the invention, at the temperature Tu, one of one Control circuit controlled heating device automatically activated, which the Keeps the ambient temperature of the quartz constant at approximately Tu. For example, sinks then, controlled by the regulated heating device, the ambient temperature of the Quartz for a room temperature just below Tu by a few tenths of a degree and for a lower specified room temperature of Tu '- - 200 C by about one degree Celsius.

Die Einrichtung zum Begrenzen der Frequenzschwankungenieines quarzgesteuerten llochfrequenzoszillators ist, wie in Fig. 2 schematisch gezeichnet, beispielsweise in einem aus einer Haube 5 und einer Grundplatte 4 bestehenden Gehäuse untergebracht. Dieses Gehäuse kann ähnlich dem Gehäuse eines -Transistors gestaltet sein. Ein HochRrequenzoszlllator 7 und eine Regelschaltung 6, beide in integrierter Bauweise, sind unmittelbar auf der Oberseite der Grundplatte 4 befestigt ein Quarz 8 ist frei innerhalb der Haube gehalten. Schließlich ist das ganze Gehäuse mit einer Wärme-Isolation 10 umgeben, aus der Anschlußdrähte 9 herausragen.The device for limiting the frequency fluctuations of a crystal controlled Hole frequency oscillator is, as shown schematically in Fig. 2, for example housed in a housing consisting of a hood 5 and a base plate 4. This housing can be designed similar to the housing of a transistor. A high frequency oscillator 7 and a control circuit 6, both in an integrated design, are directly on the top of the base plate 4 attached a quartz 8 is free within the hood held. Finally, the entire housing is surrounded by a thermal insulation 10, protrude from the connecting wires 9.

Die Regelschaltung (Pig. 3) enthält eine BrUcke mit vier Zweigen 11 bis 14, von denen der Zweig 11 ein ohmscher Widerstand, der Zweig 12 ein Heißleiter und die Zweige 13, 14 zwei in Sperrichtung arbeitende Zener-Dioden sind. Die an den Zener-Dioden herrschende Spannung ist Jeweils größer als ihre Zenerspannung, so daß die an den Diagonalpunkten 25,. 26 der BrUcke wirksame Arbeitsspannung stabilisiert stabilisiert ist, die von dem Pluspol 29 und dem Minuspol 28 einer Batterie entnommen ist, Die andere, waagerechte Diagonale mit den Diagonalpunkten 17, 18 bildet den Eingang eines aue,zwel Transistoren 15, 16 bestehenden Gleichstromverstärkers. 15 ist ein npn-Transistor, 16 ein pnp-Transistor.The control circuit (Pig. 3) contains a bridge with four branches 11 to 14, of which branch 11 is an ohmic resistor and branch 12 is an NTC thermistor and branches 13, 14 are two reverse zener diodes. The on The voltage prevailing in the Zener diodes is always greater than their Zener voltage, so that the at the diagonal points 25 ,. 26 the bridge stabilizes the effective working voltage stabilized which is taken from the positive pole 29 and the negative pole 28 of a battery, The another, horizontal diagonal with the diagonal points 17, 18 forms the entrance a dc amplifier consisting of aue, two transistors 15, 16. 15 is a npn transistor, 16 a pnp transistor.

Oberhalb einer Temperatur Tu, im weiter oben erwähnten Beispiel angenommenerweise + 140 C, ist der Widerstandswert des Heißleiters 12 kleiner als der des Widerstandes 11, der zur Basis des Transistors 15 führende Diagonalpunkt 17 der Brücke 11 bis 14 ist somit negativer als der zum Emitter des Transistors 15 ruhrende Diagonalpunkt 18 und der npn-Transistor 15 gesperrt. Dadurch rührt der Transistor 15 keinen Kollektorstrom über Widerstände 19, 20, und der pnp-Transistor 16 ist ebenfalls nahezu gesperrt, weil dessen Emitter und Basis das gleiche Potential haben. Im Kollektorkreis des Transistors 16 liegende Heizwiderstände 21, 22 bleiben also kalt. Der Widerstandswert des ohmschen Widerstandes 11 ist also derart dimensioniert und der Heißleiz ter 12 in seiner Kennlinie derart ausgesucht, daß bei einer Temperatur Tu keine Heizleistung in den Heizwiderständen entsteht und die Heizvorrichtung außer Funktion ist.Above a temperature Tu, assumed in the example mentioned above + 140 C, the resistance value of the thermistor 12 is smaller than that of the resistor 11, the diagonal point 17 of the bridge 11 bis leading to the base of the transistor 15 14 is thus more negative than the diagonal point moving towards the emitter of transistor 15 18 and the npn transistor 15 blocked. As a result, the transistor 15 does not stir any collector current via resistors 19, 20, and the pnp transistor 16 is also almost blocked, because its emitter and base have the same potential. In the collector circuit of the Transistor 16 lying heating resistors 21, 22 so remain cold. The resistance value the ohmic resistor 11 is so dimensioned and the hot melt ter 12 selected in its characteristic curve in such a way that at a temperature Tu there is no heating output arises in the heating resistors and the heating device is inoperative.

Sinkt die Umgebungstemperatur des Quarzes wegen sinkender Außentemperatur unter Tu, so wird der Widerstandswert des Helßleiters 12 größer als der des Widerstandes 11, die Basis des npn-Transistors 15 erhält eine positivere Spannung als dessen Emitter, der Kollektor führt Strom über die Widerstände 19, 20 vom Pluspol 23 der der Batterie her, und der pnp-Transistor 16 erhält an seiner Basis eine negativere Spannung als an seinem Emitter. Dadurch rührt der Kollektor des Transistors 16 Strom über die beiden Heizwiderstände 21, 22. Die dabei und in dem Transistor selbst entstehende Wärme erhöht die Temperatur der Umgebung des integrierten Bausteines 6 (Fig. 2) sowie des Quarzes 8, bis nahe an Tu.If the ambient temperature of the quartz drops due to falling outside temperature below Tu, the resistance value of the Helß conductor 12 becomes greater than that of the resistor 11, the base of the npn transistor 15 receives a more positive voltage than that Emitter, the collector carries current through the resistors 19, 20 from the positive pole 23 of the the Battery ago, and the pnp transistor 16 receives a more negative voltage at its base than at its emitter. This causes the collector of transistor 16 to stir current the two heating resistors 21, 22. The one that arises in the process and in the transistor itself Heat increases the temperature of the surroundings of the integrated module 6 (Fig. 2) as well as the quartz 8, up to close to Tu.

Eine Diode 27 dient zum Reduzieren des Reststromes des Transistors 16 bei hohen Raumtemperaturen. Die für die einzelnen Widerstände vermerkten Widerstandswerte stellen nur angenäherte Werte dar; es können gegebenenfalls andere Größen dafür genommen werden.A diode 27 is used to reduce the residual current of the transistor 16 at high room temperatures. The resistance values noted for the individual resistors only represent approximate values; there may be other sizes for it be taken.

Die erfindungsgemäße Einrichtung kann auch zum Begrenzen der Schwankungen der Resonanzfrequenz eines Quarzfilters benutzt werden.The device according to the invention can also be used to limit the fluctuations the resonance frequency of a crystal filter can be used.

Claims

1. Device for limiting the frequency fluctuations of a crystal-controlled High-frequency oscillator to a predetermined frequency range with the upper limit £ 0 and the.

lower limit fu for fluctuations in room temperature below one predetermined upper temperature limit T0 with a quartz that has an AT cut and such a frequency-temperature characteristic curve determined by an equation of the third order has that at the predetermined upper temperature limit T0 the upper frequency limit £ 0 is not exceeded, and with a heater that works only at room temperatures below a temperature Tu which is by the same amount below that by which The inflection point of the characteristic curve for the specific temperature T5 lies like the upper temperature limit To is above the temperature Ts, is in operation, characterized in that the heating device is controlled by a control circuit so that it maintains the ambient temperature of the quartz (8) keeps constant at Tu.

2, device according to claim 1, characterized in that in one from a base plate (4) and a metallic one placed on the base plate Hood (5) existing housing of the quartz (8), the high-frequency oscillator in the form an integrated circuit (7) and for controlling the at least one heating resistor (e.g. Bo 21) containing electrical heating device serving control circuit (6) including the heating resistors (21, 22) housed in an integrated design are and that the housing is surrounded by thermal insulation (10).

L e r s e i t e