DE1774832C - Method for reducing the power loss caused by the information streams in a core memory - Google Patents
Method for reducing the power loss caused by the information streams in a core memoryInfo
- Publication number
- DE1774832C DE1774832C DE1774832C DE 1774832 C DE1774832 C DE 1774832C DE 1774832 C DE1774832 C DE 1774832C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- information
- word
- bit
- memory
- bits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 210000004940 Nucleus Anatomy 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing Effects 0.000 description 3
- 229910000529 magnetic ferrite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
- 206010039740 Screaming Diseases 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
Description
1 21 2
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Wie nun aus den vorstehenden DarlegungenThe invention relates to a method for As now from the above statements
Verminderung der durch die Informationsströme in klar hervorgeht, sind vor allem die Informations-Reduction of which is clearly evident from the information flows, are above all the information
einem Kernspeicher verursachten Verlustleistung. ströme für die verursachte Verlustleistung verant-power loss caused by a core memory. currents responsible for the power loss caused
Ein Kernspeicher besteht üblicherweise aus η Spei- wortlich.A core memory usually consists of η memory.
cherebenen. Entsprechend den ri Ebenen eines Kern- 5 D:e Erfindung hat sich zur Aufgabe gemacht, einlevels. According to the ri levels of a core 5 D: e invention has set itself the task of a
Speicherblocks ist es möglich, η binäre Ziffern (Bits) Verfahren anzugeben, durch das die Verlustleistung,Memory blocks it is possible to specify η binary digits (bits) method by which the power loss,
zu einem verschlüsselten Wort zusammenzufassen. hervorgerufen durch die Informationsströme im Kern-to summarize in an encrypted word. caused by the information flows in the core
Die Zahl der speicherbaren und abrufbaren Wörter, speicher, vermindert wird. Erfindungsgemäß gelingtThe number of storable and retrievable words, storable, is reduced. Succeeds according to the invention
d. h. der adressierbaren Wörter, ist abhängig von der dies bei einem Kernspeicher, der entsprechend derd. H. of addressable words depends on this in the case of a core memory that corresponds to the
Zahl der Speicherelemente einer Ebene. Im allgemeinen io Wortlänge von π Bit aus η Speicherebenen besteht,Number of storage elements on a level. In general io word length of π bits consists of η memory levels,
finden als Speichermedien Ferritkerne Verwendung, dadurch, daß bei jedem einzuschreibenden Wort eineFerrite cores are used as storage media by the fact that for each word to be written one
die in Form einer Matrix, bestehend aus .v Zeilen unci Prüfung dahingehend erfolgt, ob die Zahl der »0«-which takes place in the form of a matrix, consisting of .v lines and a check to determine whether the number of "0" -
y Spalten, angeordnet sind. Entsprechend den .v Zeilen- wertigen Bits innerhalb eines Wortes größer oder y columns, are arranged. Corresponding to the .v line-valued bits within a word greater than or
kernen und y Spaltenkernen beträgt sodann die , . η bejahenden Fall eine Invertierungkernels and y column kernels is then the,. η is an inversion in the affirmative
speicherbare Wortkapazitat m = χ · y Worter. 15 B 2 ' J & storable word capacity m = χ · y words. 15 B 2 ' J &
Zum Einschreiben und Auslesen von Informationen des einzuschreibenden Wortes erfolgt und daß in einerFor writing and reading information of the word to be written takes place and that in one
sind durch alle Kerne in .v- und ^'-Richtung Treiber- zusätzlichen (p + l)-ten Speicherebene für jedes Wort are driver-additional (p + l) -th memory level for each word through all cores in .v- and ^ '- direction
leitungen hindurchgeführt. Die weitverbreiteste Me- . in einem (/; + l)-ten Bit festgehalten wird, ob beimlines passed through. The most widespread me-. a (/; + l) -th bit is used to determine whether the
thode, Informationen in die Kerne einzuschreiben bzw. Auslesen des betreffenden Wortes die Informationmethod of writing information into the kernels or reading out the information from the relevant word
auszulesen, macht von dem Koinzidenzprinzip (Teil- ao invertiert werden muß oder nicht,read out, makes of the coincidence principle (partial ao must be inverted or not,
stromprinzip) Gebrauch. Hierbei werden beim Schrei- An Hand der F i g. 1 bis 4 der Zeichnung soll imcurrent principle) use. In this case, when screaming, FIG. 1 to 4 of the drawing should be in
. ,, .■ . · ■ , Im . , , folgenden die Erfindung näher erläutert werden. Es. ,,. ■. · ■, Im. , The following, the invention will be explained in more detail. It
ben posit.ve Halbstromimpulse + 2 in den x- und ^ im einzrinen ben positive half-current impulses + 2 in the x- and ^ in the einrinen
^-Treibern erzeugt. Nur in den Kreuzungspunkten, F i g. 1 einen einzelnen Ferritkern mit den er-^ Drivers generated. Only in the crossing points, F i g. 1 a single ferrite core with the
wo sich Zeilen- und Spaltenleitung kreuzen, addieren 25 forderlichen Treiberdrähten,where row and column lines cross, add 25 required driver wires,
• u j· 11 lu . - 1 ,fm ■ ,,11 F i g. 2 den prinzipiellen Aufbau eines Kernspeicher-• uj · 11 lu. - 1 , fm ■ ,, 11 F i g. 2 the basic structure of a core memory
s.ch d.e Halbstrormmpulse +. 2 zu einem Vollstrom- f mjt £ ergndungsgemäß vorgesehenen zu-s.ch de half-current pulses +. 2 to a full flow f mjt £ he g ndungsgemäß provided to-
impuls + Im, der ausreicht, die Kerne in den positiven sätzlichen Speicherebene,impulse + Im, which is sufficient to store the cores in the positive additional memory level,
Remanenzzustand zu Dringen, dem der Digitalwert »L« F i g. 3 eine Schaltungsanordnung zur ErzeugungRetentive state to urge to which the digital value "L" F i g. 3 shows a circuit arrangement for generation
zugeordnet ist. Zum Lesen, der ''.erne ist es erforderlich, 30 des Zusatzbits ZB, assigned. To read the '' .erne it is necessary to add 30 of the additional bit ZB,
negative Halbstromimpulse zu erzeugen bzw. die F i g. 4 ein logisches Schaltglied zum Invertieren derto generate negative half-current pulses or the F i g. 4 a logic gate for inverting the
Stromrichtung umzukehren. Kerne, die positiv magne- Wortinformation.Reverse current direction. Cores that positively magne- word information.
tisicrt sind und die sich im Kreuzungspunkt der beiden In F i g. 1 ist ein einzelner Ferritkern dargestellt, negativen Lesehalbströme befinden, kippen nun in den durch den die .v- und ^-Treiberdrähte zwecks Schreinegativen Remanenzzustand, dem der Digitalwert »0« 35 bens und Lesens der Infor.nation gefädelt sind und zugeordnet ist. Durch einen Lesedraht, det durch alle durch den weiterhin der Lesedraht und der Infor-Kerneeiner Matrix gefädelt ist, kann festgestellt werden, mationsdraht gefädelt ist.are tisicrt and which are located at the intersection of the two in F i g. 1 shows a single ferrite core, negative read half-currents are now toggle into the through the .v- and ^ -driver wires for the purpose of shrine negatives Retentive state, to which the digital value "0" 35 ben and reading of the information are threaded and assigned. Through a read wire, det through all of the continue the read wire and the Infor cores Matrix is threaded, it can be determined that mation wire is threaded.
ob ein sich im Kreuzungspunkt der Halbströme befind- F i g. 2 zeigt einen Speicherblock mit η Speicher-whether a is located at the intersection of the half-currents- F i g. 2 shows a memory block with η memory
Iichcr Kern im positiven Remanenzzustand war. ebenen entsprechend der Wortlänge von η Bit, mitIichcr core was in the positive remanence state. levels corresponding to the word length of η bit, with
Nun weist ein eingeschriebenes Kernspeicherwort 40 einer weiteren Speicherebene für ein Prüfbit PB und nicht in allen seinen Binärstellen den Wert digital »Z.« erfindungsgemäß mit einer zusätzlichen Speicherauf. Vielmehr kommt im statistischen Mittel der Wert ebene für ein Zusatzbit ZB. In der vordersten Ebene digital »0« innerhalb eines Wortes ebenso häufig vor. sind die Kerne einer Matrix und die zugehörigen Das bedeutet, daß man in manchen Speicherebenen Spalten und Zeilentreiberleitungen eingezeichnet. Des die Bildimg eines »L« in den Kreuzungspunkten der 45 weiteren sind der alle Kerne einer Matrix durch-Treiberleitungcn verhindern muß. Hierzu ist pro laufende Informationstreiberdraht und der Lesedraht Speicherebene ein Informationsdraht (»Inhibitdraht«) angedeutet.A written core memory word 40 in a further memory level for a check bit PB and not in all of its binary digits has the value digital “Z.” according to the invention with an additional memory. Rather, the statistical mean is the value level for an additional bit ZB. In the foremost level, digital »0« appears just as often within a word. are the cores of a matrix and the associated parts. That means that columns and row driver lines are drawn in some memory levels. The image of an "L" in the crossing points of the 45 others is what all cores of a matrix must prevent through driver lines. For this purpose, an information wire ("inhibit wire") is indicated for each running information driver wire and the reading wire of the memory level.
vorgesehen, der alle Kerne einer Matrix durchsetzt Die Vorteilhaftigkeit des erfinderischen Verfahrensprovided that penetrates all the cores of a matrix. The advantages of the inventive method
und beispielsweise den j-Treiberdrähten entgegen- soll nun im folgenden an einem konkreten Beispieland, for example, the j-driver wires in the opposite direction - we shall now use a specific example in the following
wirkt. Durch Erregung dieses Informationsdrahtes mit 5° erläutert werden:works. By exciting this information wire with 5 ° the following can be explained:
einem Halbstromimpuls kann das Einschreiben eines Der Kernspeicher besitze beispielsweise inklusiveA half-current pulse can include writing a core memory, for example
»/.« verhindert werden. Während die Schreib- und Prüfbit eine Wortlänge von 13 Bit. Das Speicherwort"/." be prevented. While the write and check bits have a word length of 13 bits. The memory word
Leseimpulhc jeweils nur .v Kerne einer Zeile und selbst hat dann eine Länge von η ----- 12 Bit. Von diesenRead pulse only .v cores of a line and then itself has a length of η ----- 12 bits. Of these
y Kerne einer Spalte durchsetzen, müssen die In- η Bit seien jeweils Κλ Bit »0«-wertig und K2 Bit »L«- y cores of a column enforce, the In- η bits must each be Κ λ bit "0" -value and K 2 bit "L" -
formationsimpulse alle m -■ χ · y Kerne einer Spei- 55 wertig. Das Prüfbit PB ist dann z. B. jeweils so be-formation impulses all m - ■ χ · y cores of a storage 55 valued. The check bit PB is then z. B. in each case
chermatrix durchsetzen. Bei einer typischen Speicher* schaffen, daß die Anzahl Af2 der »/.«-wenigen Bits zu-enforce chermatrix. With a typical memory * create that the number Af 2 of »/.
kapazität von beispielsweise m = 4 Kilobit (64 - 64 sammen mit dem Prüfbit PB geradzahlig wird (Pari-capacity of, for example, m = 4 kilobits (64 - 64 together with the check bit PB becomes an even number (pari-
-■■ 4096) ergibt sich somit für eine Speichermatrix, tätsprüfung). Zu den « Bit der Wortinformation und- ■■ 4096) thus results for a memory matrix, validity check). To the «bits of the word information and
daß die Koordinatenströme beim Schreiben nur dem Prüfbit, die die Wortlänge von 13 Bit ergeben,that the coordinate streams when writing only to the check bit, which results in the word length of 13 bits,
l\m 128 Kerne und die Informationsströme alle 60 kommt gemäß dem erfinderischen Vorschlag noch ein l \ m 128 cores and the information streams every 60 still comes in according to the inventive proposal
m 4096 Kerne durchsetzen müssen. Zusatzbit 2B hinzu. m must enforce 4096 cores. Additional bit 2B added.
Jeder Strom durch die Kerne crzfligt in erster Linie Im bekannten Verfahren bestimmt sich die AnzahlEach current through the nuclei is primarily responsible for the number. In the known process, the number is determined
Verluste in den Drähten. Auf der anderen Seite ist es der erforderlichen Informationsströme aus der AnzahlLosses in the wires. On the other hand, it is the required information flows out of the number
bekannt, daß eine Temperatur um etwa 10"C die der »O«-wertigen Bit innerhalb der Wortinformationknown that a temperature around 10 "C that of the" O "-valent bits within the word information
Lebensdauer der betroffenen Bauteile des Kern- 65 und des Prüfbits, so daß sich im ungünstigsten Fall dieLifetime of the affected components of the core 65 and the test bit, so that in the worst case the
Speichers etwa um die Hälfte verringert, Jeder Strom Erfordernis ergibt, in allen 13 Ebenen die Informa-Memory is reduced by about half , each stream requirement results in the information in all 13 levels
durdi die Kerne verursacht weiterhin elektrische tionsströme durch die Kerne zu treiben. Gemäß demDurdi the nuclei caused electrical currents to continue to drive through the nuclei. According to the
Störungen anderer Kernspeicher bauelemente. Vorschlag der Erfindung gelingt hier eine entscheidendeFaults in other core memory components. Proposal of the invention succeeds here in a decisive one
i 774 832i 774 832
Verbesserung, indem eine Prüfung dahingehend erfolgt, ob von den η Bit der Wortinformation " oderImprovement by checking whether the η bits of the word information "or."
mehr Bit die Wertigkeit ..0« aufweisen. Ist dies der Fall, so werden die einzuschreibende Wortinformation und das Prüfbit invertiert. Die Information, daß eine Invertierung erfolgt, wird in einer 14. Speicherebene durch Markierung einer »L« an entsprechender Stelle niedergelegt. Solange keine Invertierung erfolgt, ist es erforderlich, jeweils eine «0« an entsprechender Stelle in der 14. Speicherebene zu markieren, was einen zusätzlichen Informationsstrom bedingt. Dieser geringfügige Nachteil vermag jedoch insgesamt den Vorteil des erfinderischen Verfahrens nicht zu beeinträchtigen. more bits have the value ..0 «. If this is the case, the word information to be written and the check bit are inverted. The information that an inversion takes place is stored in a 14th memory level by marking an "L" in the appropriate place. As long as there is no inversion, it is necessary to mark a "0" in the appropriate place in the 14th memory level, which requires an additional flow of information. However, this minor disadvantage cannot overall impair the advantage of the inventive method.
An Hand der nachstehend aufgerührten Tabelle tritt der Unterschied zwischen bekannten und neuen Verfahren deutlich hervor.The table below shows the difference between known and new Procedure clearly.
Aus dieser Tabelle ersieht man, daß bei Anwendung des erfinderischen Verfahrens die Anzahl der gleichzeitig fließenden Informationsströme im günstigsten Fall von 13 auf 6 zurückgegangen ist.From this table it can be seen that when using the inventive method, the number of simultaneously flowing information streams has decreased from 13 to 6 in the best case.
Has bedeutet zunächst einmal eine Verringerung der Verlustleistung. Da die elektrischen Daten der verwendeten Magnetkerne und die Alterung der Bauteile temperaturabhängig ist, kann einmal bei Beibehaltung der Auslegung des Kernspeicher, d. h. Beibehaltung des zulässigen Betriebstemperaturbereiches, eine Verringerung der statistischen FehlerwahrscheinJichkeit und damit eine erhöhte Sicherheit gegen Fehlfunktionen erreicht werden. Auf der anderen Seite bietet sich eine Möglichkeit, den zulässigen Betrieüstemperaturbereich auszudehnen, was beispielsweise bei Speichern für militärische Anwendungen von großem Interesse ist. Has means, first of all, a reduction the power loss. Because the electrical data of the magnetic cores used and the aging of the components is temperature-dependent, once while maintaining the design of the core memory, i. H. Maintaining the permissible operating temperature range, a reduction in the statistical probability of errors and thus increased security against malfunctions can be achieved. On the other hand, there is a possibility of the permissible To expand the operating temperature range, which is of great interest, for example, in storage for military applications.
Weiterhin erreicht man bei Anwendung des e finderischen Verfahrens sowohl eine Reduzierung der durch die Informationsströme bewirkten elektrischen Störungen anderer Kernspeicherschaltungen als auch eine Reduzierung des für die Infoimutionsströme benötigten maximalen Leistungsbedarfes. Letzterer Sachverhalt ermöglicht zusammen mit der sich durch das erfinderische Verfahren ergebenden geringen Schwankung des Leistungsbedarfcs (maximal sechs Informationsströme anstatt dreizehn) Einspafutigen an der die Informationsströme liefernden Speisequelle.Furthermore, one achieves resourcefulness when using the e Method both a reduction in the electrical caused by the information flows Interferences in other core memory circuits as well as a reduction in the information flow for the information required maximum power requirement. The latter fact allows together with the through the inventive method resulting in small fluctuations in the power requirement (maximum six Streams of information instead of thirteen) single line at the feed source delivering the streams of information.
Bei Ausfall einer Speicherebene ergibt sich infolge der für das erfindungsgemäße Verfahren benötigten zusätzlichen i.peicherebene der Vorteil, daß diese Speicherebene an die Stelle der ausgefallenen Speicher' ebene treten kann. Dadurch kann der Speicher nach der bisher bekannten Weise weiter in Betrieb bleiben. Für diesen Fall muß die Speisespanminßsquellenlcistung mit ausreichender Reservekapazität versehen sein. Das Ziisatzbit dient demnach als Rcservebit.If a memory level fails, the results required for the method according to the invention result additional storage level has the advantage that this storage level takes the place of the failed storage ' level can step. As a result, the memory can continue to operate in the manner known hitherto. In this case, the supply voltage source power be provided with sufficient reserve capacity. The target bit therefore serves as a reserve bit.
Zur schaltungstechnisciien Verwirklichung des erfinderischen Verfahrens ist einmal — wie bereits erwähnt — der Speicherblock um eine weitere Ebene für das Zusatzbit ZB zu erweitern.In order to implement the inventive method in circuit technology, the memory block has to be expanded once - as already mentioned - by a further level for the additional bit ZB.
Des weiteren ist eine Schaltungsanordnung vorzusehen, die für den Fall, daß Ί oder mehr als Bits Furthermore, a circuit arrangement is to be provided, which for the case that Ί or more than bits
der einzuschreibenden Kcrnspeichcrinformation ti ic Wertigkeit >0« aufweisen, die Information invertiert und zusätzlich ein Zusat/bit ZB der Wertigkeit »Z.« erzeugt.of the core memory information to be written have ti ic valency> 0 ", the information is inverted and an additional bit ZB with the valency" Z. "is generated.
Zur Entscheidung K1 > " wobei Λ', die Zahl derFor the decision K 1 >" where Λ ', the number of
Bits der Wertigkeit »0« repräsentiert, kann mit Vorteil eine Schaltung benutzt werden, die aus einem Digital-Analog-Umsetzer und einem nachgcschaltcten Vcrgleichsglied besteht, wie dies aus der I i g. 3 der Zeichnung ersichtlich ist. Die Ausgänge des Informationsregistcrs für die /1 Bit der Wortinformation JA1 ... JAn sind auf die Eingänge des Digital-Analog-Umsetzers 30 geführt, der jeden Eingang mit gleichem Gewicht bewertet. Im einfachsten Fall kann der D'^ital-Analog-Umset/er aus der Parallelschaltung von /; gleich großen Widerständen bestehen, die in einem gemeinsamen Summenpunkt zusammengeführt sind. Der analoge Ausgang des Digital-Analog-Umsetzers ist sodann mit dem einen Eingang eines Diffeienzvcrstärkers31 verbunden. An den anderen Eingang des Differenzverstärkers ist eine Referenzspannung U gelegt, die in der Größe so gewählt ist, daß der Differenzverstärker ein »Z.«-Ziisat/bit ZB ausgibt, wenn Kt > '' ist. Dieses Zusat/bit ist in derBits with the value "0", a circuit can advantageously be used which consists of a digital-to-analog converter and a downstream comparator, as shown in I i g. 3 of the drawing can be seen. The outputs of the information register for the / 1 bit of the word information JA 1 ... JA n are fed to the inputs of the digital-to-analog converter 30, which evaluates each input with the same weight. In the simplest case, the D '^ ital-analog converter / he can from the parallel connection of /; consist of equal resistances, which are brought together in a common sum point. The analog output of the digital-to-analog converter is then connected to one input of a differential amplifier 31. A reference voltage U is applied to the other input of the differential amplifier, the magnitude of which is selected so that the differential amplifier outputs a "Z." Ziisat / bit ZB when K t >". This addition / bit is in the
5s zusätzlichen Speichercbcnc abzuspeichern.5s additional memory cbcnc to be saved.
Es ist sodann /wischen den Ausgängen des Informationsregisters für die η Bit der Wortinformation JA ... JAn und das Prüfbit JAfn und den Kern-It is then / between the outputs of the information register for the η bit of the word information JA ... JA n and the check bit JAfn and the core
ipeicher-lnfoftnationseingängen KJAx . . . KJAn, KJApB ein logisches Schaltglied vorzusehen, das Folgende Boolsche Gleichung erfüllt: ipeicher-Infoftnationseedänge KJA x . . . KJA n , KJApB to provide a logic switching element that fulfills the following Boolean equation:
KJΑμ = JAμ ZB+ JAμ■ZB. KJΑμ = JAμ ZB + JAμ ■ ZB.
Diese Gleichung wird erfüllt von einem ODER- NICHT-Glied42, dem zwei UND-Glieder 40 und 41 vorgeschaltet sind, wobei den beiden Eingängen des einen UND-Gliedes 40 der jeweilige valenie Infor- mationsrcgisterausgang JAμ und das Zusatzbit ZB zugeführt ist und die beiden Eingänge des zweiten UND-Gliedes 41 jeweils von den hierzu antivalenten Signalen beaufschlagt werden. Wie man an Hand der F i g. 4 dsr Zeichnung erkennen kann, ist die Kern- Speicherinformation KJΑμ immer dann bezüglich des lnformationsregistennhaltes JAμ negiert, wenn das Zusatzbit ZB = L ist. This equation is fulfilled by an OR- NOT element 42, which is preceded by two AND elements 40 and 41, the respective valenie information register output JAμ and the additional bit ZB and the two inputs being fed to the two inputs of the one AND element 40 of the second AND element 41 are each acted upon by the complementary signals. How to use the F i g. 4 of the drawing, the core memory information KJΑμ is always negated with respect to the information register content JAμ when the additional bit ZB = L.
Claims (3)
realisieren. KJΑμ = JAμ ■ ZB + JAμ ■ ZB
realize.
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2828726C2 (en) | Monolithic integrated circuit structure with a memory device | |
DE2030760C2 (en) | Parity check circuit for a memory circuit | |
DE2010366A1 (en) | Method and device for electronic writing into an impedance memory intended only for reading | |
DE1108953B (en) | Arrangement for comparing data words with a test word | |
DE2132565A1 (en) | Converter | |
DE2632943B2 (en) | Circuit for checking time sequences to be recorded and determining recording points | |
DE1259387B (en) | Storage matrix | |
DE1280935B (en) | Method for storing data in magnetic memory and arrangement for carrying out the method | |
DE2821110C2 (en) | Data storage facility | |
DE1260532B (en) | Memory with characteristic value call | |
DE2031038B2 (en) | ||
DE1186509B (en) | Magnetic memory with a magnetic core provided with holes perpendicular to each other | |
DE1234054B (en) | Byte converter | |
DE1774832C (en) | Method for reducing the power loss caused by the information streams in a core memory | |
DE2243053A1 (en) | PROCEDURE AND ARRANGEMENT FOR WRITING WORDS INTO A MEMORY | |
DE2161940A1 (en) | Storage system with low energy requirements | |
DE1774832B1 (en) | PROCEDURE FOR REDUCING THE POWER LOSS CAUSED BY THE INFORMATION STREAMS IN A CORE MEMORY | |
DE2934599C3 (en) | Circuit arrangement for the formation of check bits in an error correction device | |
DE1186244B (en) | Comparison circuit | |
DE102020100541A1 (en) | DETERMINATION OF A RESULTING DATA WORD WHEN ACCESSING A MEMORY | |
DE1224782B (en) | Word organized storage device | |
DE1499796B2 (en) | Circuit for writing and reading information | |
DE2523911C3 (en) | Circuit arrangement for magnetic tape storage of digital data | |
DE69028748T2 (en) | Method and device for encrypting transmission data and decrypting encrypted data and computer system containing such a device | |
DE2744490C2 (en) | Bipolar semiconductor memory |