DE1766322A1 - Arrangement for holding a diode in a waveguide - Google Patents

Arrangement for holding a diode in a waveguide

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DE1766322A1
DE1766322A1 DE19681766322 DE1766322A DE1766322A1 DE 1766322 A1 DE1766322 A1 DE 1766322A1 DE 19681766322 DE19681766322 DE 19681766322 DE 1766322 A DE1766322 A DE 1766322A DE 1766322 A1 DE1766322 A1 DE 1766322A1
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Craven Georg Frederick
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/04Coupling devices of the waveguide type with variable factor of coupling

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

Dipl.-Ing. Heinz CiaessenDipl.-Ing. Heinz Ciaessen

PatentanwaltPatent attorney

: 7 Stuttgart - Peuerbach
Kurze Straße 8
: 7 Stuttgart - Peuerbach
Short street 8

ISE-Reg.3865
G.P.Craven l6
ISE-Reg. 3865
GPCraven l6

INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATI(Ai, 520 Park Avenue, NEW YORK 22, N.Y., USA.INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATI (Ai, 520 Park Avenue, NEW YORK 22, N.Y., USA.

Anordnung zur Halterung einer Diode in einem HohlleiterArrangement for holding a diode in a waveguide

Die Priorität der Anmeldung Nr.22 147/6? in Großbritannien vom 12.Mai 1967 wird in Anspruch genommen.The priority of application number 22 147/6? in Great Britain of May 12, 1967 is used.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Halterung einer Diode in einem Hohlleiter, der an eine Hohlleiteranordnung nach dem Dämpfungstyp angeschlossen und an diesen angepaßt ist.The invention relates to an arrangement for holding a diode in a waveguide which is attached to a waveguide arrangement is connected according to the type of attenuation and adapted to this.

Ein Hohlleiter nach dem Dämpfungstyp hat einen positiv imaginären Wellenwiderstand (negativ imaginärer Wellenscheinleitwert) und die Portpflänzungskonstante 1st reell. Die volle übertragung von Energie durch einen Hohlleiter endlicher Länge unterhalb der Grenzfrequenz kann erfolgen, indem eine Abschlußimpedanz mit dem konjugierten Wert des Wellenwiderstandes des Hohlleiters nach dem Dämpfungstyp vorgesehen wird.A waveguide according to the attenuation type has a positive imaginary one Characteristic impedance (negative, imaginary wave admittance) and the port extension constant is real. the full transmission of energy through a waveguide of finite length below the cutoff frequency can be done by a terminating impedance with the conjugate value of the characteristic impedance of the waveguide is provided according to the attenuation type will.

Die reflex!onsfreie Energieübertragung durch Hohlleiter nach dem Dämpfungetyp ist in den britischen Patentanmeldungen Nr,643 279 (Anmeldung J 34 944 IXd/21g), 67I 046 (Anmeldung J 33 854 ECd/21g) und 681 637 (Anmeldung J 35 05I IXd/21g) beschrieben.The reflection-free energy transfer through waveguides according to the type of cushioning is described in British Patent Applications No. 643 279 (Application J 34 944 IXd / 21g), 67I 046 (Application J 33 854 ECd / 21g) and 681 637 (registration J 35 05I IXd / 21g) described.

In den Anordnungen gemäß dieser Anmeldungen sind Bandfilter nach den Dämpfung«typ am Ein- und Ausgang durch herkömmlicheIn the arrangements according to these applications, band filters according to the attenuation type are used at the input and output by conventional

ZT/P OrPf (II) pie-krä.ZT / P OrPf (II) pie-krä.

3O.April 1968 109827/1248 "2"April 30, 1968 109827/1248 " 2 "

Hohlleiter für fortschreitende Wellen abgeschlossen* Jedoch sind die Bedingungen, die sich für Hohlleiter nach dem Dämpfungstyp aufstellen lassen, auch für Netzwerke anwendbar, die nicht als Filter dienen. Daraus folgt, daß sich ein Abschluß eines fortleitenden Hohlleiters erübrigt, wenn sich ein geeignetes Transformationsglied zwischen dem Filter (oder einem anderen Glied) und der Last befindet. Die Querschnitte von Hohlleitern für den fortschreitenden Wellentyp sind mitunter doppelt so groß wie die eines Hohlleiters nach dem Dämpfungstyp, wodurch der Vorteil, ein geringeres Volumen zu benötigen, wieder verloren geht. Ferner entsteht an der Stoßstelle dieser HohlIeltertypen ein induktiver Blindleitwert, der kompensiert werden muß. Wenn Bauteile verwendet werden, die sich mit Filtern nach dem Dämpfungstyp verbinden lassen, ergeben sich einige Vorteile.Waveguides completed for advancing waves * However, the conditions that apply to waveguides after the Have attenuation type set up, also applicable for networks that do not serve as filters. It follows that there is no need to terminate a continuing waveguide if there is a suitable transformation element between the filter (or another link) and the load is located. The cross-sections of waveguides for the advancing wave type are sometimes twice as large as that of a waveguide according to the attenuation type, which has the advantage of a smaller volume to need is lost again. Furthermore, an inductive susceptance value arises at the junction of these hollow core types, which has to be compensated. When components are used that combine with filters according to the type of attenuation there are some advantages.

Eine Diodenhalterung ist eines der wichtigsten Bauteile, welches auch in Hohlleitern nach dem Dämpfungstyp benötigt wird. Die Verwendung einer Diodenhaiterung in einem solchen Hohlleiter läßt sich durch die Anwendung der bisher üblichen Anpassungsmaßnahmen ermöglichen, jedoch hat dies einen Energiefluß zur Folge. Ferner tritt eine Reflexion ein, weil die Diode die Impedanz des angeschlossenen Hohlleiterbauelementes, wie z.B. eines Filters, belastet.- Demnach muß die Diodenhalterung selbst die richtige Anpassung herbeiführen.A diode holder is one of the most important components that is also required in waveguides according to the attenuation type. The use of a diode holder in such a waveguide can be achieved by applying the customary adjustment measures enable, however, this results in a flow of energy. Furthermore, reflection occurs because the diode the impedance of the connected waveguide component, such as a filter, is loaded bring about the correct adjustment yourself.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine derartige Diodenhai terung zu schaffen.The invention is based on the object of such a diode shark to create change.

Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der der Halterung der Diode dienende Hohlleiter, der für die Betriebsfrequenz nach dem Dämpfungstyp arbeitet, einen ersten, mit einem kapazitiven Nebenschluß versehenen Abschnitt vom Eingang bis zur Diode aufweist, dessen Länge so bemessen ist, daß der Eingangsleitwert an den Leitwert der Quelle angepaßt ist und einen zweiten, an Ende kurzgeschlossenen Abschnitt aufweist,The invention is characterized in that the holder the diode serving waveguide, which works for the operating frequency according to the damping type, a first, with a has capacitive shunt provided section from the input to the diode, the length of which is such that the input conductance is adapted to the conductance of the source and has a second section short-circuited at the end,

- 3-- 3-

109827/12 48109827/12 48

der einen induktiven Blindwiderstand darstellt, durch den der kapazitive Blindwiderstand der Diode kompensiert wird.which represents an inductive reactance through which the capacitive reactance of the diode is compensated.

Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Anordnung werden nachstehend anhand der Figuren 1 bis 7 beschrieben.Embodiments of the arrangement according to the invention are described below with reference to FIGS. 1 to 7.

Fig.l und 2 zeigen im Schnitt die Seitenansicht und die Aufsicht auf eine Diodenhalterung, die in einen Hohlleiter nach dem Dämpfungstyp eingebaut ist.Fig.l and 2 show in section the side view and the Top view of a diode holder which is built into a waveguide according to the attenuation type.

Fig.3 zeigt das Ersatzschaltbild einer Diode, die sich in einem kurzgeschlossenen Hohlleiterstück nach dem Dämpfungstyp befindet.Fig. 3 shows the equivalent circuit diagram of a diode, which is in a short-circuited waveguide piece is located according to the attenuation type.

Fig.4 zeigt ein Transformationsnetzwerk zur Schaltung nach Fig.3.4 shows a transformation network for the circuit according to Fig. 3.

Fig.5 zeigt eine Diodenhalterung, die sich in einem Hohlleiter nach dem Dämpfungstyp befindet, der den Abschluß eines Bandfilters nach dem Dämpfungstyp bildet. Fig.5 shows a diode holder, which is in a waveguide after the attenuation type, which forms the conclusion of a band filter according to the attenuation type.

Fig.6 zeigt die Aufsicht auf eine Diodenhalterung, die sich in einem Hohlleiter nach dem Dämpfungstyp befindet. Fig.6 shows the plan view of a diode holder, the located in a waveguide according to the attenuation type.

Fig.? zeigt die Seitenansicht einer herkömmlichen Dioden-' halterung, die als Abschluß für einen 4 GHz-Hohlleiter umgeändert wurde.Fig.? shows the side view of a conventional diode ' bracket that was changed to terminate a 4 GHz waveguide.

Aus den Figuren 1 und 2 ist zu ersehen, wie eine keramische Diodenhalterung 1 in einen rechteckigen Hohlleiter 2 eingebaut ist. Der Kontaktstift 3 eier Halterung 1 ragt durch eine öffnung der Wandung des Hohlleiters und ist außerhalb dessel^ ben durch ein leitendes Stück 4 befestigt. Der Kontakt 5 der Halterung ist durch eine Isolierhülle 6 vom Hohlleiter getrennt .It can be seen from FIGS. 1 and 2 how a ceramic diode holder 1 is installed in a rectangular waveguide 2 is. The contact pin 3 egg holder 1 protrudes through a opening of the wall of the waveguide and is outside it ^ ben attached by a conductive piece 4. The contact 5 of the holder is separated from the waveguide by an insulating sleeve 6 .

Links neben der Diode befindet sich eine Abstimmschraube 7 und ein Kupplungsflansch 8. Hechts neben der Diode ±fit ein kurzgeschlossener Hohlleiterabsehnitt 9 angebracht. Die Höhe und die Breite des Hohlleiters sind so bemessen, daß dieserThere is a tuning screw 7 to the left of the diode and a coupling flange 8. Right next to the diode ± fit one short-circuited waveguide section 9 attached. The height and the width of the waveguide are dimensioned so that this

- 4 -10 9 827/1248- 4 -10 9 827/1248

bei der Betriebefrequenz nach dem Dämpfungstyp, d.h. unterhalb der Qrenzfrequenz arbeitet. Für eine Betriebsfrequenz von 4 OHz hat der Hohlleiter eine Höhe von ca. 10 mm und eine Breite von ca. 2j5 mm.at the operating frequency according to the damping type, i.e. works below the limit frequency. For one operating frequency of 40 Hz, the waveguide has a height of approx. 10 mm and a width of approx. 25 mm.

Eine Diode, welche in einen kurzgeschlossenen Abschnitt eines Hohlleiters nach dem Dämpfungstyp eingebaut ist, läßt sich nach dem Ersatzschaltbild der Pig.3 als ein von einer Kapazität UberbrUckter Nebenschlußwiderstand darstellen, der mit einem Abstand t^ von dem Anschluß T der übertragungslei tung entfernt 1st. Diese hat den Wellenleitwert Y, der negativ imaginär 1st und eine reelle Portpflanzungskonstante Y~ hat.A diode, which is built into a short-circuited section of a waveguide according to the attenuation type, can be represented according to the equivalent circuit diagram of Pig. 3 as a shunt resistor bridged by a capacitance, which is at a distance t ^ from the terminal T of the transmission line. This has the waveguide value Y, which is negative imaginary and has a real port planting constant Y ~ .

Der Scheinleitwert Y1 der Diode istThe admittance Y 1 of the diode is

Y1 - 0 + JB (1)Y 1 - 0 + JB (1)

wobei 0 der reelle Leitwert und B der Blindleitwert der Diode 1st. Der Scheinleitwert Yg des kurzgeschlossenen Stückes I2 beträgtwhere 0 is the real conductance and B is the susceptibility of the diode. The admittance value Yg of the short-circuited section I 2 is

Y2 - -JY0 coth ^Z2 Y 2 - -JY 0 coth ^ Z 2 {2){2)

daraus folgt, daßit follows that

Y1 + Y2 - 0 + j (B-Y0 coth r tZ) Y 1 + Y 2 - 0 + j (BY 0 coth rt Z ) O)O)

, wird so gewählt, daß (B -Yn coth γ·-C ) -oTst. Das heißt, der induktive Blindwiderstand des kurzgeschlossenen Teiles des Hohlleiters gleicht den kapazitiven Blindwiderstand der Diode aus, sodaß Y1 + Y2 « 0 wird. Somit braucht nur noch der Wirkwiderstand der Diode berücksichtigt werden. Das Ersatzschaltbild nach Fig.4 zeigt ein Transformatlonsglied, welches an dem Anschluß T einen Eingangssoheinleitwert Y* Aufweist., is chosen so that (B -Y n coth γ · -C ) -oTst. This means that the inductive reactance of the short-circuited part of the waveguide compensates for the capacitive reactance of the diode, so that Y 1 + Y 2 «0. Thus, only the effective resistance of the diode needs to be taken into account. The equivalent circuit diagram according to FIG. 4 shows a transformer element which has an input solenoid input value Y * at terminal T.

Bei Resonanz ergibt sich der Eingangs-Wirkleitwert O1 zuIn the case of resonance, the input conductance value O 1 results in Yn QOBh2TA +v eln»£ Y n QOBh 2 TA + v eln » £

109827/1248 - 5 -109827/1248 - 5 -

Die Anpassung des Eingangs-Wirkleitwertes G1 an den Wirkleitwert der $μβ11β erfolgt durch die geeignete Bemessung der Länge Ji-, .The adaptation of the input conductance G 1 to the conductance of $ μβ11β is done by appropriately dimensioning the length Ji-,.

Die Resonanzbedingung läßt sich aus dem imaginären Anteil von Y. und dem Eingangs-Blindleitwert B. ermitteln, wobei -J Y0 (G^ + Yp The resonance condition can be determined from the imaginary part of Y. and the input susceptance B., where -JY 0 (G ^ + Yp

B1 = —y g ist. (5)B 1 = -yg. (5)

Y* coth T JL1 + 0 tanh Y J1 Y * coth T JL 1 + 0 tanh YJ 1

Om diesen induktiven Blindleitwert B1 herausstimmen zu können, 3äb ein kapazitiver Blindleitwert B1 über den Anschluß T augebracht. In order to be able to tune out this inductive susceptibility value B 1 , 3ab a capacitive susceptance value B 1 applied via the connection T.

Der Wert von G1 nimmt mit einer Zunahme von γ· J-^ ab. Deshalb erfordert eine niedrigefDiodenimpedanz und eine hohe Quellimpedanz einen relativ hohen Wert für y* -c...The value of G 1 decreases with an increase in γ · J- ^ . Therefore a low diode impedance and a high source impedance require a relatively high value for y * -c ...

Diese Methode, eine Last anzupassen, bei der der Abstand zwischen der Last und der Quelle den Anpassungsparameter darstellt, unterscheidet sich grundsätzlich von der herkömmlichen Leitungstechnik. Die Impedanztransformation nimmt stetig mit dem Abstand zwischen Quelle und Last zu und folgt nicht der zyklischen Darstellung, die sich für Leiter für fortschreitende Wellen ergibt.This method of fitting a load where the distance between the load and the source is the fitting parameter differs fundamentally from conventional line technology. The impedance transformation increases steadily with the distance between source and load and does not follow the cyclical representation, which is for ladder for progressive Waves.

Wenn ein Hohlleiterfilter nach dem Dämpfungstyp mit einer Οίοι de abgeschlossen werden soll, so erfolgt deren Anpassung nach Fig.5 durch geeignete Wahl des Abstandes <£, zwischen der Diode und der letzten Abstimmschraube des Pilters. Der Wert von B1 läßt sich dann durch diese Schraube herausstimmen. Der Blindleitwert der Diode wird, wie bereits beschrieben, durch Anbringung des Kurzschlusses für den Hohlleiter nach der Diode in einem geeigneten Abstand ^2 kompensiert.If a waveguide filter is to be terminated with a Οίοι de according to the attenuation type, it is adapted according to FIG. 5 by a suitable choice of the distance <£, between the diode and the last tuning screw of the filter. The value of B 1 can then be tuned out using this screw. The susceptibility of the diode is, as already described, compensated by attaching the short circuit for the waveguide after the diode at a suitable distance ^ 2 .

f. Wird der Wert O1 der Diode und der Wert G der Quelle zugeordnefc, dann ergibt der Ausdruck (4) die Impedanztransformationf. If the value O 1 is assigned to the diode and the value G to the source, then expression (4) gives the impedance transformation

in umgekehrter Richtung. Der Wert B1 muß dann an der Diode * liegen und ist durch deren Streukapazität herausstimmbar. Ist : 109827/1 248 in the opposite direction. The value B 1 must then be on the diode * and can be tuned out by its stray capacitance. Is : 109827/1 248

ISE-Reg.3863 -6- 17RR^9?ISE-Reg. 3863 -6- 17RR ^ 9?

diese nicht genügend groß, so 1st eine zusätzliche Abstimmschraube 10 (Fig.6) vorzusehen.if this is not big enough, there is an additional tuning screw 10 (Fig. 6) to be provided.

Anstelle einer keramischen Diodenhalterung, die nach den Figuren 1 und 2 direkt in den Hohlleiter eingesetzt ist, ist es auch möglich, eine koaxiale Diodenhalterung zu verwenden. Fig.7 zeigt eine derartige Halterung an einem 4 öHz-Hohilelter mit einer Schraube 11 zum Herausstimmen des Induktiven Blindleitwertes der Diodenhalterung. Da der Hohlleiter bei der Betriebefrequenz nach dem Dämpfungatyp arbeitet, sind die Längen Jt--, und L^ mit Hilfe der oben angegebenen Beziehungen ermittelt. Der kurzgeschlossene Abschnitt des Hohl-' lelters kompensiert den kapazitiven Blindleitwert der DiodeInstead of a ceramic diode holder, which is inserted directly into the waveguide according to FIGS. 1 and 2, it is also possible to use a coaxial diode holder. FIG. 7 shows a holder of this type on a 4 Ω Hz Hohilter with a screw 11 for tuning out the inductive susceptance value of the diode holder. Since the waveguide works according to the attenuation type at the operating frequency, the lengths Jt--, and L ^ are determined with the help of the relationships given above. The short-circuited section of the hollow core compensates for the capacitive susceptance of the diode

6 Patentansprüche6 claims

1 Bl. Zeichng. (7 Fig.)1 sheet drawing. (7 fig.)

109827/1248109827/1248

Claims (6)

PatentansprücheClaims 1. Anordnung zur Halterung einer Diode in einem Hohlleiter, der an eine Hohlleiteranordnung nach dem Dämpfungstyp angeschlossen und an diesen angepaßt ist, dadurch g e k e η ,η ζ e i ohne t, daß der der Halterung der Diode dienende Hohlleiter, der für die Betriebsfrequenz nach dem Dämpfungstyp arbeitet, einen ersten, mit einem kapazitiven Nebenschluß versehenen Abschnitt (Z-x ) vom Eingang bis zur Diode aufweist, dessen Länge so bemessen ist, daß der EingangsIeitwert an den Leitwert der Quelle angepaßt ist und einen zweiten, am Ende kurzgeschlossenen Abschnitt ( ^2 ) aufweist, der einen induktiven Blindwiderstand darstellt, durch den der kapazitive Blindwiderstand der Diode kompensiert wird.1. Arrangement for holding a diode in a waveguide, which is connected to a waveguide arrangement according to the attenuation type and adapted to this, thereby geke η, η ζ ei without t that the hollow conductor serving to hold the diode, which for the operating frequency after Attenuation type works, has a first, provided with a capacitive shunt section ( Zx ) from the input to the diode, the length of which is such that the input conductance is adapted to the conductance of the source and a second section short-circuited at the end (^ 2 ) which represents an inductive reactance through which the capacitive reactance of the diode is compensated. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich der kapazitive Nebenschluß am Eingang des ersten Abschnittes befindet.2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the capacitive shunt at the entrance of the first section is located. j5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich der kapazitive Nebenschluß des ersten Abschnittes bei der· Diode befindet.j5. Arrangement according to claim 1, characterized in that the capacitive shunt of the first section is at the diode. 4. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis J5, dadurch gekennzeichnet, daß der kapazitive Nebenschluß eine Abstimmschraube aufweist.4. Arrangement according to claims 1 to J5, characterized in that that the capacitive shunt has a tuning screw. 5. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Diode in dem Hohlleiterabschnitt befindet.5. Arrangement according to claims 1 to 4, characterized in that the diode is in the waveguide section is located. 6. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode koaxial in den Hohlleiterabschnitt eingekoppelt ist.6. Arrangement according to claims 1 to 4, characterized in that the diode is coaxial in the waveguide section is coupled. ZT/P OrPf <II) ple-krä.
50.April 1968
ZT / P OrPf <II) ple-krä.
April 50, 1968
109827/1248109827/1248
DE19681766322 1967-05-12 1968-05-04 Arrangement for holding a diode in a waveguide Pending DE1766322A1 (en)

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