DE1765807A1 - Magnetic field-dependent resistance - Google Patents
Magnetic field-dependent resistanceInfo
- Publication number
- DE1765807A1 DE1765807A1 DE19681765807 DE1765807A DE1765807A1 DE 1765807 A1 DE1765807 A1 DE 1765807A1 DE 19681765807 DE19681765807 DE 19681765807 DE 1765807 A DE1765807 A DE 1765807A DE 1765807 A1 DE1765807 A1 DE 1765807A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- magnetic field
- semiconductor layer
- resistance
- dependent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 20
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001828 Gelatine Substances 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 108091036429 KCNQ1OT1 Proteins 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 8000 München 2, Berlin und. München Wittelsbacherplatz 2SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 8000 München 2, Berlin and. Munich Wittelsbacherplatz 2
P 17 65 807.0-34 VPA 68/0038P 17 65 807.0-34 VPA 68/0038
Es ist bekannt, zur Messung von Magnetfeldern oder als magnetfei dempfindliche Steuerorgane magnetfeldabhängige Halbleiterwiderstände - sogenannte Feldplatten - zu verwenden. Bei derartigen Feldplatten hat der Widerstandskörper die Form einerIt is known to measure magnetic fields or as magnetfei demensitive control elements magnetic field-dependent semiconductor resistors - so-called field plates - to be used. In such field plates, the resistance body has the shape of a
III V Halbleiterschicht, die vorzugsweise aus A B -Verbindungen aus Elementen der III. bis V. Gruppe des periodischen Systems, insbesondere Indiumantimonid oder Indiumarsenid, besteht. Man erhält besonders starke Magnetfeldabhängigkeit, wenn im Halbleitermaterial gutleitende, nadeiförmige Einschlüsse einge-III V semiconductor layer, which preferably consists of A B compounds from elements of III. to V group of the periodic table, in particular indium antimonide or indium arsenide. Man receives a particularly strong magnetic field dependence when in the semiconductor material well-conducting, needle-shaped inclusions
Rb/Rl - 1 -Rb / Rl - 1 -
109841 /0488109841/0488
;LA 68/0038- Mr ; LA 68 / 0038- Mr
bettet sind, beispielsweise Nadeln aus Nickelautimonid in Indiumantimonid, die senkrecht zur Richtung des Magnetfeldes und senkrecht zur Richtung des Stromes ausgerichtet sind, nit dem der Widerstand gemessen wird. Die Halbleiterschicht ist in der Regel mäanderförmig ausgebildet, so daß auf kleiner Pläche ein Widerstand relativ großer Länge untergebracht v/erden kann.are embedded, for example needles made of nickel autimonide in Indium antimonide aligned perpendicular to the direction of the magnetic field and perpendicular to the direction of the current, with which the resistance is measured. The semiconductor layer is usually designed in a meander shape, so that on smaller A resistor of relatively great length can be accommodated in a plane.
Die Erfindung bezieht sich auf einen magnetfeldabhängigen Widerstand (Feldplatte) mit einem Widerstandskörper in Form einer Halbleiterschicht. Sie ist gekennzeichnet durch eine metallische, ferromagnetische Schicht mit kleinem magnetischen Widerstand, die mit der Halbleiterschicht über eine Isolierschicht stoffschlüssig verbunden ist und den gleichen Umriß hat wie diese. Während bei den bisherigen Feldplatten der gesamte Bereich, also die Halbleiterschicht ebenso wie'die halbleiterfreien Lücken, gleichmäßig von dem angelegten Magnetfeld durchsetzt wird, wird bei der Feldplatte nach der Erfindung der magnetische Fluß durch die zusätzliche weichmagnetische Schicht auf aie Halbleiterechioht kimaentrieirt. Dadurch wird die Empfindlichkeit dee Widerstandes erhöht. Zur Verstärkung dieser Y/irkung kann man die Halbleiterachicht auch auf beiden Seiten mit je einer ferroraagnetischen Schicht verbinden. The invention relates to a magnetic field-dependent resistor (field plate) with a resistor body in the form of a semiconductor layer. It is characterized by a metallic, ferromagnetic layer with a low magnetic resistance, which is firmly bonded to the semiconductor layer via an insulating layer and has the same outline as this. While in the previous field plates the entire area, i.e. the semiconductor layer as well as the semiconductor-free gaps, is evenly penetrated by the applied magnetic field, in the field plate according to the invention the magnetic flux is kimaentrieirt through the additional soft magnetic layer on the semiconductor region. This increases the sensitivity of the resistor. To reinforce this effect, the semiconductor layer can also be connected to a ferromagnetic layer on both sides.
Die metallische, ferromagnetische Schicht soll eine möglichst hohe Permeabilität haben; auch ihre Sättigungsinduktion soll möglichst hoch sein, so daß sie auch noch bei hohen magneti- The metallic, ferromagnetic layer should have the highest possible permeability ; their saturation induction should be as high as possible so that they even at high magnetic
109841/0488109841/0488
JrLA 68/0038 β JrLA 68/0038 β
sehen Feldstärken wirksam ist. Als Material für die metallische Schicht kommt daher insbesondere reines Eisen in Betracht, das im ausnutzbaren Bereich der Kennlinie eine Permeabilität /u = 400 bis 30 000 und eine Sätti^urigsinciuktion von mindestens 21 000 Gauß aufweist. Auch Nickel mit einer Permeabilität /u von 250 bis 2500 und einer Sättigun^sinduktion von mindestens 6000 Gauß kommt in Betracht, ebenso Eisen-lIickel-Legierungen. "Die Dicke der metallischen Schicht liegt vorzugsweise mindestens in der gleichen Größenordnung wie die der Halbleiterschicht.see field strengths is effective. As a material for the metallic Therefore, in particular, pure iron comes into consideration, which has a Permeability / u = 400 to 30,000 and a saturation increase of at least 21,000 Gauss. Also nickel with a permeability of 250 to 2500 and a saturation reduction of at least 6000 Gauss is possible, as well as iron-nickel alloys. "The thickness of the metallic layer is preferably at least in the same order of magnitude as that of the semiconductor layer.
Zur Isolierung der Metallschicht gegen die Halbleiterschicht kann mit Vorteil eine Schicht aus Siliziur.i-IIonoxid oder Silizium-Dioxid vorgesehen sein. Bei der Verwendung von Siliziumoxid ist es möglich, sowohl die Isolierschicht wie die metallische Schicht auf die Halbleiterschicht aufzudampfen. Man kann für die Metallschicht jedoch auch eine vorgefertigte Blechfolie verwenden, die auf die Halbleiterschicht aufgeklebt wird, wobei die Klebschicht gleichzeitig als Isolator dient. Weiterhin besteht die Möglichkeit, die vorgefertigte Metallschicht mit Glaslot oder Glasemail zu beschichten und durch Erwärmung mit der Halbleiterschicht zu verbinden.To isolate the metal layer from the semiconductor layer can advantageously be a layer of silicon oxide or Silicon dioxide may be provided. When using silicon oxide, it is possible to use both the insulating layer as evaporate the metallic layer onto the semiconductor layer. However, one can also use one for the metal layer Use prefabricated sheet metal foil that is glued to the semiconductor layer, the adhesive layer at the same time serves as an isolator. There is also the option of sealing the prefabricated metal layer with glass solder or glass enamel coat and connect to the semiconductor layer by heating.
Ein Ausfübrungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert, wobei auch Verfahren zur Herstellung des Widerstandes beschrieben werden. Ein fertiger WiderstandAn exemplary embodiment of the invention is explained below with reference to the drawing, with a method for production of resistance can be described. A finished resistor
RAD 109 841/0488 b RAD 109 841/0488 b
PM 6G/OO3«'PM 6G / OO3 «'
nach der Erfindung ist in den Figuren 4 und 5 dargestellt. Die Dicken der Schichten sind der Deutlichkeit halber überhöht. according to the invention is shown in FIGS. The thicknesses of the layers are exaggerated for the sake of clarity.
In Figur 1 ist mit 1 eine Halbleiterschicht bezeichnet, die zum Beispiel aus Indiumantimonid mit eingeschlossenen Nadeln aua Nickelantiraonid bestehen und eine Dicke von etwa 10 bis ■ 50/un haben kann. Auf diese Halbleiterschicht wird eine Silizium-Monoxidschicht 2 mit einer Dicke von etwa 1 bis 5/um aufgedampft. Diese Schicht kann durch Erwärmung in Luft oder in einer Sauerotoffatmosphäre zu Silizium-Dioxid oxydiert werden; das ist jedoch nicht unbedingt erforderlich. Auf die Siliziumoxidschicht 2 wird dann eine weitere Schicht 3 aufgedampft, die aus reinem Eisen oder reinem Nickel besteht. Die Dicke der Schicht 3 kann etwa 10 bis 200 yum betragen. Statt dessen kann man auch zunächst eine dünnere Eisen- oder liickelschicht aufdampfen und diese Schicht dann bis zur gewünschten Dicke galvanisch verstärken.In FIG. 1, 1 denotes a semiconductor layer which, for example, consists of indium antimonide with enclosed needles as well as nickel antiraonide and can have a thickness of approximately 10 to 50 μm. A silicon monoxide layer 2 with a thickness of approximately 1 to 5 μm is vapor-deposited on this semiconductor layer. This layer can be oxidized to silicon dioxide by heating in air or in an oxygen atmosphere; however, this is not absolutely necessary. A further layer 3 , which consists of pure iron or pure nickel, is then vapor-deposited onto the silicon oxide layer 2. The thickness of the layer 3 can be about 10 to 200 μm. Instead, you can first vaporize a thinner iron or nickel layer and then galvanically reinforce this layer to the desired thickness.
Die aus den Schichten 1, 2 und 3 bestehende Einheit wird nunmehr, wie Figur 2 zeigt, auf einen isolierenden Träger 5 aufgeklebt; die Klebschicht (zum Beispiel aus einem organischen Kleber) ist mit 4 bezeichnet. Der Träger 5 kann eine Keramikplatte sein; er kann auch aus einem Ferrit oder einem Oxid-Permanentmagneten bestehen. Falls erforderlich, kann anschließend die Halbleiterschicht 1 auf die gewünschte Dicke abgeschliffen werden.The unit consisting of layers 1, 2 and 3 is now as FIG. 2 shows, glued to an insulating support 5; the adhesive layer (for example from an organic Glue) is labeled 4. The carrier 5 can be a ceramic plate be; it can also consist of a ferrite or an oxide permanent magnet exist. If necessary, the semiconductor layer 1 can then be ground to the desired thickness will.
— 4 —
109841/0489 - 4 -
109841/0489
.·.·.'■ _ PM 68/0036. ·. ·. '■ _ PM 68/0036
Gemäß; figur 3 können nun auf die andere Seite der Halbleiterschic lit 1 eine weitere Isolierschicht 6 und eine weitere ferromagnetische Schicht 7 aufgebracht werden, und zwar in der gleichen V/eise, wie es oben für die Schichten 2 und 3 beschrieben wurde. Die Halbleiterschicht 1 ist dann also sand-Y.'ichartig zwischen zwei metallischen, ferromagnetischen Schichten 3 und 7 eingeschlossen.According to; Figure 3 can now go to the other side of the semiconductor layer lit 1 a further insulating layer 6 and a further ferromagnetic Layer 7 can be applied in the same way as described above for layers 2 and 3 became. The semiconductor layer 1 is then sand-Y'ich-like between two metallic, ferromagnetic Layers 3 and 7 included.
Aus den Schichtkörper 3/1/7 wird nunmehr die mäanderartige Porm des Halbleiterkörpers durch entsprechendes Ausätzen gewonnen. Dies kann zum Beispiel durch das Fotoresist-Verfahi'en geschehen, bei dem die Anordnung' mit einem lichtempfindlichen Lack, überzogen und durch eine Maske mit ultraviolettem licht belichtet wird. Die unbelichteten '"teilen des Lackes lassen sich auswaschen, während die belichteten stehenbleiben. Die zu entfernenden Seile der Schichten 1, 2, 3, 6 und 7 können dann mit einer Ätzflüssigkeit herausgelöst werden, die zum Beispiel aus Ammonbifluorid, Wasserstoffsuperoxid und Eiaen(IIl)ohlorid bestehen kann. Auf diese Weise läßt sich öine mäanderartige Porm des Schichtkörpers erzielen, die in Figur 4 in uer Draufsicht dargestellt ist.The meandering shape of the semiconductor body is now obtained from the layer body 3/1/7 by appropriate etching. This can be done, for example, by the photoresist method, in which the arrangement is coated with a light-sensitive lacquer and exposed to ultraviolet light through a mask. The unexposed parts of the lacquer can be washed out, while the exposed parts remain. The ropes of layers 1, 2, 3, 6 and 7 to be removed can then be removed with an etching liquid made up of, for example, ammonium bifluoride, hydrogen peroxide and egg (IIl may consist ohlorid). in this way, meander öine Porm of the laminated body can be obtained, which is shown in Figure 4 in uer plan view.
In Figur 5 ist der Widerstand nach Figur 4 im Schnitt darge-Gteilt; gleichzeitig sind die Pole 8 und 9 eines Magneten angedeutet, dessen Feld den V/iderstandsbetrag der Feldplatte beeinflußt. Die Dickenmaße der Schichten des Widerstandes sind in Figur 5 weniger übertrieben als in den übrigen Figuren.In FIG. 5, the resistor according to FIG. 4 is shown in section; At the same time, the poles 8 and 9 of a magnet are indicated, the field of which is the amount of resistance of the field plate influenced. The thickness dimensions of the layers of the resistor are less exaggerated in FIG. 5 than in the other figures.
tlu\ 68/0038 tlu \ 68/0038
Wie Figur 5 zeigt, werden die Feldlinien 10 des Magneten 8/9 durch die Schichten 3 und 7 auf die Halbleiterschicht 1 konzentriert, so daß die wirksame Feldstärke und damit auch die wideratandsänderung vergrößert wird.As Figure 5 shows, the field lines 10 of the magnet 8/9 concentrated by the layers 3 and 7 on the semiconductor layer 1, so that the effective field strength and thus also the Resistance change is enlarged.
V.'ie schon bemerkt, kann statt einer aufgcidampf ten metallischen Schicht 3 auch eine vorgefertigte Eisen- oder Nickelblechfolie verwendet v/erden, die durch Kleben oder einen ähnlichen Vorgang mit der Halbleiterschicht 1 verbunden wird. Dabei ist zu beachten, daß der Kleber beim späteren Ätzvorgang gelöst werden muß. I.Ian kann daher als Kleber, der gleichzeitig die Isolierschicht bildet, ein niedrigschmelzendes Glaslot oder ein Glasemail verwenden, das sich sowohl mit der Eisen- oder Nickelfolie als auch mit der Halbleiterschicht bei Erwärmung verbindet. !&xn kann jedoch auch andere Kleber verwenden, die sich durchätzen lassen, v/ie zum Beispiel Gelatine oder Zucker. Ferner sind lösliche Schmelzkleber verwendbar, die vor* dem Durchätzen der von ihnen bedeckten Schicht mit einem organischen Lösungsmittel: weggelöst werden. ,As already noted, instead of a vapor-deposited metallic layer 3, a prefabricated iron or nickel sheet foil can also be used, which is connected to the semiconductor layer 1 by gluing or a similar process. It should be noted that the adhesive must be loosened during the later etching process. I.Ian can therefore use a low-melting glass solder or glass enamel as the adhesive that simultaneously forms the insulating layer, which bonds to both the iron or nickel foil and the semiconductor layer when heated. However,! & xn can also use other adhesives that can be etched through, such as gelatine or sugar. Further, soluble hot-melt adhesive can be used which with an organic solvent etching through the buried layer of them before *: are dissolved away. ,
5 Figuren
Ansprüche5 figures
Expectations
- 6 -109841/0488 BAD original- 6 -109841/0488 BAD original
Claims (9)
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681765807 DE1765807A1 (en) | 1968-07-19 | 1968-07-19 | Magnetic field-dependent resistance |
| CH778969A CH486134A (en) | 1968-07-19 | 1969-05-22 | Magnetic field-dependent resistance |
| AT509769A AT290676B (en) | 1968-07-19 | 1969-05-29 | Magnetic field-dependent resistance, in particular magnetic field plate |
| GB1264817D GB1264817A (en) | 1968-07-19 | 1969-07-17 | |
| FR6924423A FR2013266A1 (en) | 1968-07-19 | 1969-07-17 | |
| NL6911116A NL6911116A (en) | 1968-07-19 | 1969-07-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681765807 DE1765807A1 (en) | 1968-07-19 | 1968-07-19 | Magnetic field-dependent resistance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1765807A1 true DE1765807A1 (en) | 1971-10-07 |
Family
ID=5698623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19681765807 Pending DE1765807A1 (en) | 1968-07-19 | 1968-07-19 | Magnetic field-dependent resistance |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT290676B (en) |
| CH (1) | CH486134A (en) |
| DE (1) | DE1765807A1 (en) |
| FR (1) | FR2013266A1 (en) |
| GB (1) | GB1264817A (en) |
| NL (1) | NL6911116A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2263077A1 (en) * | 1971-12-22 | 1973-07-05 | Cii | MAGNETIC RESISTOR STRUCTURE |
| DE2530625A1 (en) * | 1975-07-09 | 1976-12-16 | Asahi Chemical Ind | Hall element with vapour-deposited semiconductor film - uses semiconductor material affording high carrier propagation with input and output electrodes |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10083781B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-09-25 | Vishay Dale Electronics, Llc | Surface mount resistors and methods of manufacturing same |
| US10438729B2 (en) | 2017-11-10 | 2019-10-08 | Vishay Dale Electronics, Llc | Resistor with upper surface heat dissipation |
-
1968
- 1968-07-19 DE DE19681765807 patent/DE1765807A1/en active Pending
-
1969
- 1969-05-22 CH CH778969A patent/CH486134A/en not_active IP Right Cessation
- 1969-05-29 AT AT509769A patent/AT290676B/en active
- 1969-07-17 GB GB1264817D patent/GB1264817A/en not_active Expired
- 1969-07-17 FR FR6924423A patent/FR2013266A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-07-18 NL NL6911116A patent/NL6911116A/xx unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2263077A1 (en) * | 1971-12-22 | 1973-07-05 | Cii | MAGNETIC RESISTOR STRUCTURE |
| DE2530625A1 (en) * | 1975-07-09 | 1976-12-16 | Asahi Chemical Ind | Hall element with vapour-deposited semiconductor film - uses semiconductor material affording high carrier propagation with input and output electrodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2013266A1 (en) | 1970-03-27 |
| GB1264817A (en) | 1972-02-23 |
| NL6911116A (en) | 1970-01-21 |
| AT290676B (en) | 1971-06-11 |
| CH486134A (en) | 1970-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2315498C3 (en) | Process for the production of a coil unit and a coil unit produced according to this process | |
| DE3876849T2 (en) | MAGNETIC HEAD ASSEMBLY FOR PERFECT MAGNETIC RECORDING. | |
| DE3883819T2 (en) | Magnetic head for reading tracks with a very narrow width and manufacturing process. | |
| DE102009007479A1 (en) | Thin-film magnetic sensor | |
| DE2911660A1 (en) | COMPOSITE SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING IT | |
| DE2937886A1 (en) | PRINTED CIRCUIT BOARD | |
| DE1765807A1 (en) | Magnetic field-dependent resistance | |
| DE2931825A1 (en) | MAGNETIC BUBBLE STORAGE DEVICE | |
| DE1499819C3 (en) | A method of manufacturing a multiple magnetic head unit and a multiple magnetic head unit manufactured thereafter | |
| DE4016955A1 (en) | STRENGTH DETECTOR OF THE MAGNETOSTRICTION DESIGN AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
| DE3715677A1 (en) | COMPOSED MAGNETIC HEAD | |
| DE2002191A1 (en) | Method for positioning an electrical circuit element and circuit element and mounting element for carrying out such a method | |
| DE2343539A1 (en) | THIN FILM THROTTLE | |
| DE1665750C3 (en) | Magnetic field-dependent resistor with strip-shaped metal grid to short-circuit the Hall voltage | |
| DE2329488C3 (en) | Magnetic sensor with a parametrically excited second harmonic oscillator | |
| DE652011C (en) | Device for pre-magnetizing magnetogram carriers or deleting magnetograms | |
| DE3046944A1 (en) | Variable hybrid inductance coil mfr. - uses second insulating layer applied to core acting as carrier for second set of winding sections | |
| DE2530625C2 (en) | Process for the production of a Hall element | |
| DE4013016C2 (en) | Magnetic field sensor of a switching device with parts of different coercive field strengths | |
| DE1549052C (en) | Storage element made up of thin magnetic layers | |
| DE973052C (en) | Electrical room shielding made of metal foils | |
| DE3686728T2 (en) | MAGNETIC BUBBLE MEMORY MODULE. | |
| DE1216424B (en) | Device for measuring the intensity of a weak magnetic field | |
| DE1975749U (en) | CIRCUIT BOARD FOR MAGNETIC THIN-LAYER FILMS. | |
| DE2408367C3 (en) | Magnetic head assembly and method for making the same |