DE1763352C

DE1763352C - Receiver for a remote control circuit

Info

Publication number: DE1763352C
Application number: DE19681763352
Authority: DE
Inventors: Leopold Albert Somerville N.J. Harwood (V.St.A.)
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1967-05-18
Filing date: 1968-05-10
Publication date: 1973-03-29

Description

Die Erfindung betrifft einen Empfänger für eine Fernsteuerschaltung, bei der f.\n akustisches Signal, vorzugsweise ein Ultraschallsignal, über einen Wandler einem einen Resonanzkreis enthaltenden Transistorverstärker und Begrenzer zugeführt und mit Hilfe einer frequenzselektiven Schaltung ein Bet'dtigungssignal für mindestens ein Steuerrelais erzeugt wird.The invention relates to a receiver for a remote control circuit, in which f. \ N acoustic signal, preferably an ultrasonic signal applied via a transducer an a resonant circuit containing transistor amplifier and limiter and a Bet'dtigungssignal for a control relay is generated by means of a frequency-selective circuit at least.

Bei einem bekannten derartigen Empfänger (USA.-Patentschrift 3 233 152), welcher für den Empfang und clic Verarbeitung zweier verschiedener Frequenzen für unterschiedliche Sicueraufgaben eingerichtet ist. ist der im Verstärker enthaltene Resonanzkreis auf die Mittenfrequenz zwischen den beiden relativ dicht beieinani.lerliei>enden Empfangsfrequenzen abgestimmt, so düü diese gegenüber (akustischen) Störsignulen selekt crt worrier.. Nach dieser Vorselektion erfolgt eine Begrenzung, welche vornehmlich zur Blschneidung von Störimpuhen vorgesehen ist. An die Begremerstufe schließen sich zwei auf die Empfang·-.-frequenzen abgestimmte Schwingkreise an, denen Gleichrichter und Gleichspannungsverstärker nachgeschaltei sind, welche Relais für die unterschiedlichen Steuerfünktionen anfeuern. In a known such receiver (US Pat. No. 3,233,152 ), which is set up for receiving and clic processing two different frequencies for different security tasks. If the resonance circuit contained in the amplifier is matched to the center frequency between the two relatively close together receiving frequencies, then these are selected against (acoustic) interference signals . The limiter stage is followed by two resonant circuits that are matched to the reception frequencies, which are followed by rectifiers and DC voltage amplifiers, which trigger relays for the various control functions.

Es ist weiterhin eine Frequenzmeßschaltury bekannt, in deren Eingangsteil das zu messende Sign;:! ίο nach Durchlauf eines Hochpasses durch einen zweistufigen Begrenzer in ein Rechtecksignal umgeformt wird" Dieses Rechtecksignal wird dem Steuergitttr ein-.r Verstärkerröhre zugeführt, in deren Anodenkreis ein Parallelschwingkreis mit einer parallelgeschalteten Diode liegt. Durch die Rechteckflankcn wird der Schwingkreis jeweils angestoßen. Wegen der parallelliegenden Dämpfungsdiode führt er jedoch immer nur eine Halbschwingung aus. Diese Halbschwingungen treten mit der Periode der Rechteck-There is also a frequency measurement circuit known, the sign to be measured in the input part;:! ίο after passing a high pass through a two-stage Limiter is converted into a square-wave signal "This square-wave signal is sent to the control grid door a-.r amplifier tube fed into its anode circuit a parallel resonant circuit with a parallel connected diode. Through the rectangular flanks the oscillating circuit is triggered. However, because of the parallel damping diode, it leads only ever one half oscillation. These half oscillations occur with the period of the square

schwingung auf und werden über einen Kathodenfolger auf einen bistabilen Röhrenschalter gekoppelt. der im Takt der Eingangsfrequenz hin und her schaltet und dessen Ausgangssignal einem Integrator zugeführt wird. Die Ausgangsspannung des Integratorsvibrate and are coupled to a bistable tube switch via a cathode follower. which switches back and forth in time with the input frequency and feeds its output signal to an integrator will. The output voltage of the integrator

ist dann ein Maß für c'ie mittlere Frequenz des Eingangssignals (USA.-Patentschrift 2 467 777).is then a measure of the mean frequency of the input signal (U.S. Patent 2,467,777).

Die Aufgabe der Erfindung besteht in einer wc teren Erhöhung der Unempfindlichkeit einer Fen. steuerschaltung gegen Störgeräusche. Diese Aufgab·.The object of the invention consists in increasing the insensitivity of a fen. control circuit against background noise. This task ·.

wird bei einem Empfänger der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Resonanzkreis auf eine Oberweüe des akustischen Signals abgestimmt ist und daß der ihn ansäuernde Transistor derart vorgespannt ist, daß durch das seiner Basis zugeführte begrenzte Signal sein Kolleklorstrom periodisch verringert wird und seine Kollektor-Basis-Diode dabei eine Dämpfungsdioue für Schwingungen einer Polarität des Resonanzkreises darstellt, und daß die dabei auftretende Halbweüe der Resonanzkreisschwingung der frequenzselektiven Schaltung zugeführt wird. Hierdurch wird einmal erreicht, daß die frequenzselektive Schaltung (oder mehrere derartige Schaltungen) mit einem Signal konstanter Amplitude angesteuert wird, welches durch die HaIb-is achieved according to the invention in a receiver of the type mentioned in that the resonance circuit is matched to an Oberweüe of the acoustic signal and that the transistor acidifying it is biased so that by the limited signal applied to its base, its collector current is periodically reduced and its collector-base diode thereby a damping diode for vibrations represents a polarity of the resonance circuit, and that the resulting Halbweüe of the resonance circuit oscillation the frequency selective circuit is supplied. This once achieved that the frequency-selective circuit (or several such circuits) with a signal more constant Amplitude is controlled, which is determined by the half

welle der Resonanzkreisschwingung gebildet wird. Dadurch wird eine große Sicherheit des Ansprechens erreicht. Weiterhin treten diese Halbwelten bei Empfang eines Störfrequenzgemisches, wie es beispielsweise beim Klingen von Münzen oder Schlüsseln oder beim Läuten von Klingeln entsteht, in unregelmäßiger Folge auf, so daß keine der frequenzselektiven Schaltungen unbeabsichtigt anspricht. Durch diese Art der Ansteuerung der frequenzselektiven Schaltungen wird eine erhöhte Sicherheit gegen eine Fehlauslösung der Steuerfunktion oder -funktionen erreicht. Die gleichzeitige Ausnutzung der Basis-Kollektor-Diode des den Schwingkreis anstoßenden Transistors führt zu einer Vereinfachung der Schaltung.wave of the resonance circuit oscillation is formed. This creates a great deal of security in the response achieved. Furthermore, these half-worlds occur when a mixture of interfering frequencies is received, as is the case, for example occurs when coins or keys are clinked, or when bells ring, in an irregular manner Sequence so that none of the frequency selective circuits respond inadvertently. Through This type of control of the frequency-selective circuits increases security against a Incorrect triggering of the control function or functions achieved. The simultaneous use of the base collector diode of the transistor triggering the resonant circuit leads to a simplification of the circuit.

In spezieller Ausgestaltung der Erfindung kann der Verstärker derart asymmetrische Begrenzerstufen enthalten, daß die Dauer einer Signalhalbwelle wesentlich kürzer als die Dauer der entgegengesetzten Signalhalbweile ist, wobei die derart begrenzten unsymmetrischen Signale dem Transistor mit einer solchen Polarität zugeführt werden, daß der Transistor durch die kürzeren Signalhalbwellen in den Sperrzustand gesteuert wird. Weitere Ausgostahunps-In a special embodiment of the invention can the amplifier contain such asymmetrical limiter stages that the duration of a signal half-wave is significantly shorter than the duration of the opposite signal half-time, the so limited unbalanced signals are fed to the transistor with such a polarity that the transistor is controlled by the shorter signal half-waves in the blocking state. Further Ausgostahunps

möglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.Possibilities of the invention emerge from the subclaims.

Nachstehend wird an Hand der Zeichnungen ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert. Es zeigtAn exemplary embodiment of the invention is explained below with reference to the drawings. It shows

F i g. 1 das Blockschaltbild einer typischen Fernfteueranlage bekannter Ausführung,F i g. 1 the block diagram of a typical remote control system of known design,

Fig. 2 d?G Schaltschema eines in Verbindung mit der Fernsteueranlage nach F i g. 1 verwendbaren Verstärkers gemäß einer Ausführungsform der Erfindung undFig. 2 d? G circuit diagram of a in connection with the remote control system according to FIG. 1 usable amplifier according to an embodiment of the invention and

Fig. 3 bis 6 der Erläuterung der Erfindung dienende Signalverläufe.Fig. 3 to 6 used to explain the invention signal curves.

Die Fernsteueranlage nach Fig. 1 ist mit einem tragbaren Sender 10, der akustische Schwingungen oder Schallwellen erzeugt, ausgerüstet. Die Erzeugung dieser akustischen Schwingungen erfolgt mit verschiedenen diskreten Frequenzen, deren Anzahl der Anzahl der im Empfänger 12 zu steuernden Funktionen entspricht. Eine dieser Schwingungen, die mittels einzelner Druckknopfschalter im Sender 10 gewählt bzw. eingeschaltet werden, wird im Empfänger 12 durch ein Kondensatormikrophon 14 wahrgenommen, und das entsprechende elektrische Ausgangssignal des Mikrophons wird einem Fernsteuerverstärker 16 zugeführt. Nach Verstärkung gelangt dieses Signal zu einer ebenfalls der Anzahl der gewünschten Funktionen c !sprechenden Anzahl von abgestimmten Stufen oder Kreisen 18, 20, 22 usw., deren jeder auf eine bestimmte der erzeugten Signalfrequenzen abgestimmt ist. Nach selektiver Filterung des Signals in einem der Kreise 18, 20, 22 usw. erfolgt eine weitere Verstärkung und Gleichrichtung in einer entsprechenden der einzelnen Detektoreinheiten 40a, 40b, 40c usw., und die gleichgerichtete Gleichstromkomponente erregt dasjenige der Relais 42, 44, 46 usw., das der gewählten Funktion entspricht Diese Relais betätigen im erregten Zustand die verschiedenen Stufen des Empfängers 12 im Sinne der gewünschten Funktionsänderung.The remote control system according to FIG. 1 is equipped with a portable transmitter 10 which generates acoustic vibrations or sound waves. These acoustic oscillations are generated at various discrete frequencies, the number of which corresponds to the number of functions to be controlled in the receiver 12. One of these vibrations, which are selected or switched on by means of individual push-button switches in the transmitter 10, is perceived in the receiver 12 by a condenser microphone 14, and the corresponding electrical output signal from the microphone is fed to a remote control amplifier 16. After amplification, this signal arrives at a number of matched stages or circuits 18, 20, 22, etc., which is also matched to the number of desired functions, each of which is matched to a specific one of the generated signal frequencies. After selective filtering of the signal in one of the circuits 18, 20, 22 etc., further amplification and rectification takes place in a corresponding one of the individual detector units 40a, 40b, 40c etc., and the rectified direct current component excites that of the relays 42, 44, 46 etc. . Which corresponds to the selected function. When energized, these relays actuate the various stages of the receiver 12 in the sense of the desired change in function.

Fig. 2 zeigt das Schaltschema eines als integrierte Schaltung ausgeführten Fernsteuerverstärkers, der für die oben beschriebene Feinsteueranlage verwendet werden kann. Der gestrichelte Block 100 stellt ein monolithisches HalbleiterschaltungspläUcheii dar. Das Plättchen hat an seinem Rand eine Anzahl von Anschlußkontakten für die äußeren Anschlüsse der integrierten Schaltung. Beispielsweise wird über die Eingangskontakte 102, 104 das elektrostatische Aufnahmemikrophon dei Fernsteueranlagü (nicht gezeigt) an das Plättchen 100 angekoppelt. Die Kontakte 104, 106 bilden ein Kontaktpaar gemeinsamen Potentials (Masse), das mit den verschiedenen Masseanschlüssen des Plättchens verbunden ist. Die Abmessungen des Plättchens 100 können in der Größenordnung von 1,4 ■ 1,4 miii betragen.Fig. 2 shows the circuit diagram of an integrated Circuit executed remote control amplifier, which is used for the fine control system described above can be. The dashed block 100 represents a monolithic semiconductor circuit diagram. The plate has on its edge a number of connection contacts for the external connections of the integrated circuit. For example, the electrostatic recording microphone is via the input contacts 102, 104 the remote control system (not shown) coupled to the wafer 100. The contacts 104, 106 form a pair of contacts of common potential (ground), which is connected to the various ground connections of the plate is connected. The dimensions of the die 100 can be of the order of magnitude of 1.4 ■ 1.4 miii.

Das Ausgangssignal des Mikrophons (Klemme 200) wird über die Reihenschaltung des Kondensators 11 und des Widerstands 13 auf die Eingangskontaktc 102, 104 des Platteneis 100 gekoppelt. Eine Gleichspannungsquelle K₁ polt das Mikrophon über zwei .Widerstände 15, 17 und die Klemme 200.The output signal of the microphone (terminal 200) is coupled to the input contacts 102, 104 of the plate ice 100 via the series connection of the capacitor 11 and the resistor 13. A DC voltage source K ₁ poles the microphone via two resistors 15, 17 and the terminal 200.

Der Verstärker auf dem Plättchen 100 ist eine dreistufige Einheit 130, 150, 170. In der Eingangsstufe 130 bilden die beiden ersten Transistoren 131, 132 ein Transistorpaar 133 in Darlington-Scluiltimg mit ausreichend hoher Eingangsimpcduiu, um eine übermäßige Belastung des Mikrophons zu vermeiden. Der dritte Transistor 134 ist als Emitterfolger geschaltet und beliefert über einen äußeren, zwischen die Kontakte 108 und 110 geschalteten Koppelkondensator 19 die zweite Stufe 150 mit einem verstärkten Signal. Mittels eines äußeren Rückkopplungsnetzwerkes in Form der Widerstände 21 und 23 und des Kondensators 25 erhalten die Transistoren 131, 132 und 134 eine angemessene Vorspannung. Dieses zwischen den Kontakt 108 und den Verbindungspunkt des Kondensators 11 und des Widerstands 13 geschaltete Rückkopplungsnetzwerk sorgt außerdem dafür, daß die Eingangsstufe 130 eine Hochpaßcharakteristik aufweist, so daß der Verstärkungsgrad bei den vom Fernsteuersender erzeugten Frequenzen im wesentlichen konstant bleibt. Eine in der Stufe 130 vorgesehene Diode 133 verhindert, daß die Schaltung auf dem Plättchen 100 durch zufällige Spannungsentladung des (von der Spannungsqueüe V₁ über die Widerstände 15, 17 aufgeladenen) Koppelkondensators 11 beschädigt werr/en kann. Außerdem sorgt der Widerstand 13 für eine wirksame Begrenzung des kapazitiven Entladestromes. Die Betriebsspannung für die Stufe 130 wird von einer Gleichspcinnungsquelle V.„ die an das Plättchen 100 über den Widerstand 27~und den Kontakt 112 angeschlossen ist, geliefert.The amplifier on the plate 100 is a three-stage unit 130, 150, 170. In the input stage 130, the first two transistors 131, 132 form a transistor pair 133 in Darlington-Scluiltimg with a sufficiently high input pulse to avoid excessive loading of the microphone. The third transistor 134 is connected as an emitter follower and supplies the second stage 150 with an amplified signal via an external coupling capacitor 19 connected between the contacts 108 and 110. By means of an external feedback network in the form of resistors 21 and 23 and capacitor 25, transistors 131, 132 and 134 are given an appropriate bias. This feedback network connected between the contact 108 and the connection point of the capacitor 11 and the resistor 13 also ensures that the input stage 130 has a high-pass characteristic so that the gain remains essentially constant at the frequencies generated by the remote control transmitter. A diode 133 provided in the stage 130 prevents the circuit on the plate 100 from being damaged by accidental voltage discharge of the coupling capacitor 11 (charged by the voltage source V _{1 via the resistors 15, 17).} In addition, the resistor 13 ensures an effective limitation of the capacitive discharge current. The operating voltage for the stage 130 is supplied by a DC voltage source V, which is connected to the plate 100 via the resistor 27 and the contact 112.

Die Widerstände 136 bis 139 in der Verstärkerstufe 130 sind so bemessen, daß sich ein niedriger Rauschfaktor für die Stufe ergibt. Das heißt, diese . Widerstände sind gerade so groß bemessen, daß die Kollektorströme der Transistoren 131, 132 und 134 auf einen einem niedrigen Rauschfaktor entsprechenden Wert begrenzt werden, ohne daß die Betawerte der Transistoren unter Verschlechterung des Rauschfaktors erniedrigt werden. Der Ohmsche Widerstand des Kollektorkreises des Transistors 132 ist ferner so bemessen, daß er zusammen mit der effektiven Kapazität zwischen Kollektor und Masse einen HF-Kreis bildet, so daß die Stufe 130 ihre maximale Spannungsverstärkung über einen Frequenzbereich, derThe resistors 136 to 139 in the amplifier stage 130 are dimensioned so that a lower Gives the noise factor for the stage. That is, this. Resistances are just big enough that the Collector currents of the transistors 131, 132 and 134 to a corresponding to a low noise factor Value can be limited without the beta values of the transistors deteriorating the noise factor to be humiliated. The ohmic resistance of the collector circuit of transistor 132 is also so dimensioned so that it forms an HF circuit together with the effective capacitance between collector and ground forms, so that the stage 130 its maximum voltage gain over a frequency range that

4η die vom Fernsteuersender erzeugten Frequenzen umfaßt, liefert. Bei den in Fig. 2 angegebenen Bemessungswerten liefert die Verstärkerstufe 130 eine Verstärkung von ungefähr 40 db im Sendersignalfrequenzbereich von 35 bis 45 kHz.4η includes the frequencies generated by the remote control transmitter, supplies. In the case of the rated values given in FIG. 2, the amplifier stage 130 supplies one Gain of approximately 40 db in the transmitter signal frequency range from 35 to 45 kHz.

Die zweite Stufe 150 enthält einen ersten Transistor 151 in Emitterschaltung und einen als Emitterfolger geschalteten zweiten Transistor 152. Die Spannungsverstärkung dieser Stufe 150 wird hauptsächlich d'.irch den Wert des Widerstands 153 im Kollektorkreis des Transistors 151 bestimmt, während der Frequenzgang dieser Stufe durch das Produkt dieses Widerstandswertes und der Kollektorkapazität des Transistors 151 nach Masse bestimmt wird. Bei den angegebenen Bemessungswerten beträgt diese Ver-Stärkung ebenfalls ungefähr 40 db mit konstantem Wert innerhalb des Bereiches von 35 bis 45 kHz, Die Eingangssignale sind der Stufe 150 über den Kontakt 110 zugeführt, während die Ausgangssignale vom Emitterfolger über den äußeren, zwischen die Kontakte 11·' und 116 geschalteten Koppelkondensator 29 auf die dritte Stufe 170 gekoppelt werden. Der Strom im Kollektorkreis des Transistors 151 wird durch eine innere Vorspannschaltung 180 reguliert, während der Strom im Transistor 152 durchThe second stage 150 contains a first transistor 151 in an emitter circuit and one as an emitter follower switched second transistor 152. The voltage gain of this stage 150 is mainly d'.irch determines the value of the resistor 153 in the collector circuit of the transistor 151, during the Frequency response of this stage through the product of this resistance value and the collector capacitance of the Transistor 151 is determined by ground. With the specified rated values, this reinforcement is also about 40 db with a constant value within the range of 35 to 45 kHz, The input signals are fed to stage 150 via contact 110, while the output signals from the emitter follower via the outer coupling capacitor connected between the contacts 11 · 'and 116 29 are coupled to the third stage 170. The current in the collector circuit of transistor 151 is regulated by an internal bias circuit 180 while the current in transistor 152 is through

6s einen Widerstand 154 in dessen Emitterkreis bestimmt svird.6s a resistor 154 in its emitter circuit is determined svird.

Die innere Vorspannschaltung 180 ist im wesentlichen eine Verstärkerstufe mit Gegenkopplung, soThe internal bias circuit 180 is essentially an amplifier stage with negative feedback, see above

daß sic an einem niederohmigcn Ausgang eine feste, stabilisierte Bezugsspannung liefert. Und zwar ent- ■ wickelt diese Vorspannschaltung mit den Transistoren 181 und 182 und den Widerständen 183, 184 und 185 eine Gleichspannung, die gleich ist dem S Basis-Emjtter-Spannungsabfall V_be des Transistors 182 bei einem Ausgangswiderstand von ungefähr 50 Ohm. Diese an der Basis des Transistors 182 entwickelte Gleichspannung ist ferner selbst bei großen Schwankungen der am Kontakt 112 zugeführten Speisespannung weitgehend konstant. Der Spannungsabfall V_be des Transistors 182 im integrierten Schaltungsplättchen 100 ist gleich dem des Transistors 181 und beträgt bei monolithischem Silicium in der Größenordnung von 0,7 Volt. «s.that it supplies a fixed, stabilized reference voltage at a low-resistance output. This bias circuit with transistors 181 and 182 and resistors 183, 184 and 185 develops a DC voltage which is equal to the base-emitter voltage drop V _be of transistor 182 at an output resistance of approximately 50 ohms. This DC voltage developed at the base of transistor 182 is also largely constant even in the event of large fluctuations in the supply voltage supplied to contact 112. The voltage drop V _be of transistor 182 in integrated circuit die 100 is equal to that of transistor 181 and is on the order of 0.7 volts for monolithic silicon. «S.

Die Vorspannschaltung 180 ist über den Isolierwiderstand 186 mit der zweiten Verstärkerstufe 150 gekoppelt. Dieser zwischen den Emitter des Transistors 181 und die Basis des Transistors 151 gegcschaltete Widerstand 186 ist in bezug auf den ao Rückkopplungswiderstand 185 so bemessen, daß die Spannungsabfälle an diesen beiden Widerständen annähernd gleich sind. Das heißt, der Widerstand 186 ist so bemessen, daß der Kollektorstrom des Transistors 151 in der Stufe 150 gleich dem des Transistors 182 in der Vorspannschaltung 180 ist. Bei gleichbemessenen Widerständen 153 und 184 in den Kollektorkreisen dieser Transistoren 151 und 182 isi der Widerstand 186 etwas größer bemessen als der Widerstand 185, um den Auswirkungen etwaiger Transistorfehlanpassungen und Kriechströme Rechnung zu tragen.The bias circuit 180 is connected to the second amplifier stage 150 via the insulating resistor 186 coupled. This is connected between the emitter of transistor 181 and the base of transistor 151 Resistor 186 is dimensioned with respect to ao feedback resistor 185 that the Voltage drops across these two resistors are approximately the same. That is, resistor 186 is dimensioned so that the collector current of the transistor 151 in the stage 150 is equal to that of the transistor 182 is in bias circuit 180. If the resistors 153 and 184 in the Collector circuits of these transistors 151 and 182 is dimensioned somewhat larger than the resistor 186 Resistor 185 to account for the effects of any transistor mismatches and leakage currents to wear.

Die dritte Verstärkerstufe 170 enthält einen Steuertransistor 171 in Emitterschaltung, dessen Basis die Ausgangssignale der Verstärkerstufe 150 zugeführt sind. Der Transistor 171 erhält seine Vorspannung von einer inneren Vorspannschaltung 190, die ähnlich ausgebildet ist wie die Vorspannschaltung 180, wobei jedoch die entsprechenden Isolier- und Rückkopplungswiderstände 196 bzw. 195 gleiche Werte haben. Die Verstärkerstufe 170 hat am Kontakt 106 einen eigenen Masseanschluß, um eine etwaige gemeinsame Impedanzkopplung auf die Stufen 130 und 150 zu vermeiden. Die Verwendung getrennter Vorspannschaltungen 180 und 190 für die Verstärkerstufen 150 und 170 dient außerdem dazu, diese Stufen zu isolieren und eine Signalrückkopplung über eine gemeinsame Metallzuleitung zu verhindern. Die Stufe 170 liefert ebenfalls eine Spannungsverstärkung von 40 db.The third amplifier stage 170 contains a control transistor 171 in the emitter circuit, the base of which is the Output signals of the amplifier stage 150 are fed. The transistor 171 is biased an inner bias circuit 190, which is constructed similarly to the bias circuit 180, however, the corresponding isolation and feedback resistances 196 and 195, respectively, have the same values to have. The amplifier stage 170 has its own ground connection at contact 106, around a possible common connection To avoid impedance coupling on stages 130 and 150. The use of separate bias circuits 180 and 190 for the amplifier stages 150 and 170 also serves to these stages to isolate and to prevent signal feedback via a common metal lead. the Stage 170 also provides a voltage gain of 40 db.

Der Kollektor des Transistors 171 ist mit einem Ausgangstransformator 31 verbunden, dessen Primärwicklung 33 zusammen mit der Kollektorkapazität und der dazugehörigen Streukapazität eine Resonanzfrequenz von ungefähr 18OkHz aufweist. Die Wicklung 33 ist zwischen den Ausgangskontakt 118 des Plättchens 100 und einen an die Spannungsquelle V_i angeschlossenen Widerstand 37 geschaltet. Die Sekundärwicklung 35 des Transformators 31 steuert die abgestimmten Kreise oder Stufen des Fernsteuerempfängers (nicht gezeigt) im Sinne der ' gewünschten Steuerfunktionen. Ein zusätzlicher Rückkopplungswiderstand 39 koppelt die Primärwicklung 33 über den Kontakt 116 mit dem Eingangskreis der Verstärkerstufe 171.The collector of the transistor 171 is connected to an output transformer 31, the primary winding 33 of which, together with the collector capacitance and the associated stray capacitance, has a resonance frequency of approximately 180 kHz. The winding 33 is connected between the output contact 118 of the plate 100 and a resistor 37 connected to the voltage source V _i. The secondary winding 35 of the transformer 31 controls the tuned circuits or stages of the remote control receiver (not shown) in terms of the desired control functions. An additional feedback resistor 39 couples the primary winding 33 via the contact 116 to the input circuit of the amplifier stage 171.

Die Art und Weise der Realisierung der verschiedenen Transistoren, Dioden und Widerstände auf dem integrierten Schaltungsplättchen 100 ist bekannt.The way of realizing the various transistors, diodes and resistors on integrated circuit die 100 is known.

Da die Spannungsverstärkung vom Eingang 102 zum Ausgang 118 des Verstärkers in der Größenordnung von 120 db beträgt und das Plättchen in seinen Abmessungen sehr klein ist, ist die räumliche Auslegung dieser integrierten Schallungskomponenlen von großer Bedeutung. Bei einer praktisch ausgeführten Schaltung waren die Eingangs- und Ausgangsklemmen 102 und 118 an den beiden entgegengesetzten Enden des Plättchens angebracht. Die einzelnen Stufen waren außerdem so angeordnet, daß die Stufe 170 von der Stufe 150 durch einen in der Sperrichtung vorgespannten Isolierübergang und die Stufe 150 von der Stufe 130 durch einen weiteren solchen Übergang getrennt waren. Durch diese Mehrfachgebicte mit Sperrvorspannung wurde verhindert, daß das verhältnismäßig starke Ausgangssignal an der Klemme 118 die Eingangsklemme 102 erreichte. Die Transistoren 131 und 132 waren in ihren Abmessungen etwas größer als die übrigen Transistoren, so daß sich ein niedriger Rauschfaktor in der Stufe 130 bei verhältnismäßig niedrigen Frequenzen ergab.Since the voltage gain from input 102 to output 118 of the amplifier is of the order of magnitude of 120 db and the size of the plate is very small, is the spatial design these integrated sound components are of great importance. With a practically executed The circuit was the input and output terminals 102 and 118 on the two opposite one another Ends of the plate attached. The individual steps were also arranged so that the step 170 from stage 150 through a reverse biased isolation junction and the stage 150 were separated from stage 130 by another such transition. Through this multiple domination with reverse bias was prevented that the relatively strong output signal at the Terminal 118 reached input terminal 102. The transistors 131 and 132 were in their dimensions slightly larger than the other transistors, so that there is a lower noise factor in stage 130 relatively low frequencies resulted.

Wie bereits erwähnt, zeichnet sich die Verstärkerschaltung nach F i g. 2 dadurch aus, daß sie über einen weiten Bereich unterschiedlicher Eingangssignalpegel arbeiten kann. Bei den in der Zeichnung angegebenen Bemessungswerten der einzelnen Schaltungselemente ergibt sich eine Verstärkung von ungefähr 40 db pru Stufe, d. n. eine Gcsanstverstärkung von 120 db, was mehr als hinreichend ist, um die normalerweise in Fernsteuerempfängern verwendeten Detektorschaltungen und Relais mit einem Ausgangssignal ausreichender Amplitude zu speisen. Die im Verstärker erzeugte äquivalente Rauschspannung beträgt in der Größenordnung von 1 Mikrovolt, während die kleinste wahrnehmbare Signalspannung ungefähr 20 Mikrovolt beträgt.As already mentioned, the amplifier circuit according to FIG. 2 by being over can operate a wide range of different input signal levels. For those in the drawing specified rated values of the individual circuit elements results in a gain of approximately 40 db pru level, d. n. a gain in weight of 120 db, which is more than enough to match those normally used in remote control receivers To feed detector circuits and relays with an output signal of sufficient amplitude. The in The equivalent noise voltage generated by the amplifier is on the order of 1 microvolt while the smallest perceivable signal voltage is approximately 20 microvolts.

Wie ebenfalls bereits erwähnt, ist der Verstärker nach Fig. 2 weitgehend immun gegen Störsignale, d. h. störunanfällig. Willkürliche Signale, wie sie z.B. durch das Klingen von Münzen, das Klirren von Schlüsseln und das Läuten von Telephonen erzeugt werden, enthalten gleichzeitig unterschiedliche, nicht im Harmonischenverhältnis zueinander stehende Frequenzkomponenten, von denen einige in den Durchlaßbereich der mit dem Detektor des Fernsteuer empfängers gekoppelten abgestimmten Kreise oder Stufen fallen. Wenn diese einzelnen Frequenzen erhalten blieben, wie es bei Verarbeitung in einem linearen Verstärker der Fall wäre, könnte es geschehen, daß sie die Steuerrelais fälschlich betätiger und dadurch eine unerwünschte Funktionsänderung auslösen. Dies wird jedoch im Verstärker nacli F i g. 2 dadurch verhindert, daß die Eingangssignale beispielsweise durch Begrenzung, nichtlinear behandelt werden. Die in diesem Fall am Verstärkerausgang erzeugten Signalfrequenzen stehen dann insoweit nicht mehr in Beziehung zu den Signalfrequen zen am Verstärkereingang, daß sie, sofern es sich urr Störfrequenzen handelt, durch die nachgeschaftetei abgestimmten Kreise ohne weiteres unterdrückt wer den können.As already mentioned, the amplifier according to Fig. 2 is largely immune to interference signals, d. H. not susceptible to failure. Arbitrary signals, such as those caused by the clink of coins or the clink of Keys and the ringing of telephones generated, do not contain different ones at the same time harmonically related frequency components, some of which in the pass band the matched circuits coupled to the remote control receiver's detector or Steps fall. If these individual frequencies are retained, as is the case with processing in one linear amplifiers, it could happen that they incorrectly actuate the control relays and thereby trigger an undesired change in function. However, this is nacli in the amplifier F i g. 2 thereby prevents the input signals from being treated non-linearly, for example by limiting will. The signal frequencies generated at the amplifier output in this case are then no longer related to the signal frequencies zen at the amplifier input that they, if it is urr interference frequencies, through the nachgeschaftetei coordinated circles can be suppressed without further ado.

Es sollen in dieser Hinsicht zunächst die folgende! Ruhespannungsverhältnisse betrachtet werden. Be der Verstärkerstufe 130 beträgt die Ruhespannun] an der Basis des Transistors 132 ungefähr 1 V_be ode 0,7 Volt über Masse. Die Spannung an der Basis de Transistors 131 ist dann um 1 V_bt größer, d. h 1,4VoIt, während die Spannung am Emitter äeIn this respect the following should be mentioned first! Open-circuit voltage relationships are considered. Be the amplifier stage 130 is the Ruhespannun] at the base of transistor 132 approximately 1 V _be ode 0.7 volts above ground. The voltage at the base of the transistor 131 is then 1 V _bt greater, i. h 1.4VoIt, while the voltage at the emitter is

Transistors 134 1,4VoIt plus dem Spannungsabfall 130, 150 und 170 ist durch die VorspannschaltungcnTransistor 134 1.4 volts plus voltage drops 130, 150 and 170 is through the bias circuit

an den Widerständen 13, 21 und 23 beträgt. Die 180 und 190 bestimmt, die im wesentlichen unabhän-across resistors 13, 21 and 23. The 180 and 190 determine the essentially independent

Ruhespannung an der Basis des Transistors 134 ist gig von Schwankungen der Speisespannung V₂ sind,Quiescent voltage at the base of transistor 134 is gig of fluctuations in the supply voltage V ₂ ,

um 1 V_bt größer als die Spannung am Emitter dieses Es soll jetzt die Arbeitsweise des Verstärkers nachby 1 V _bt higher than the voltage at the emitter of this. The mode of operation of the amplifier should now follow

Transistors, d. h. 2,1 Volt plus dem Spannungsabfall 5 Fig. 2 betrachtet werden. Es sei angenommen, daßTransistor, d. H. Consider 2.1 volts plus the voltage drop 5 in FIG. Assume that

an den drei genannten Widerständen. Die Verstärker- der Eingangsklcmmc 200 lediglich Nutzstcucrsignalcat the three resistors mentioned. The amplifiers of the input terminals 200 are only useful signals

ttufe 130 begrenzt somit große Eingangssignalc an zugeführt sind. Weiter sei angenommen, daß diesettufe 130 thus limits large input signals that are supplied to. It is further assumed that this

der Basis des Transistors 131 asymmetrisch, indem Signale eine für die Aussteuerung der Verstärkcr-of the base of the transistor 131 asymmetrically, in that signals have one for the modulation of the amplifier

die Kollcktorspannung des Transistors 132 vom stufe 130 in den Bcgrcnzungszustand ausreichendethe collector voltage of the transistor 132 from the stage 130 to the limited state is sufficient

Pegel von ungefähr 2,1 Volt stärker in der positiven io Amplitude (z. B. 25 Millivolt) haben. Diese SignaleHave levels approximately 2.1 volts higher in the positive amplitude (e.g. 25 millivolts). These signals

Richtung gegen die Speisespannung V_t von 12 Volt entsprechen in ihrer Form etwa dem Signalvcrlauf (α)The direction in relation to the supply voltage V _t of 12 volts corresponds roughly to the signal curve (α)

(wo der Transistor 131 gesperrt wird) ausschwingt in F i g. 3. Die daraufhin erzeugten Ausgangssignale(where transistor 131 is blocked) decays in FIG. 3. The output signals then generated

als in der negativen Richtung gegen Nullpotential der Stufe 130 am Kontakt 108 des Schallungsplätt-than in the negative direction towards zero potential of step 130 at contact 108 of the Schallungsplätt-

(wo der Transistor 131 gesättigt wird). chcns 100 haben eine etwa dem Signalverlauf (b) in(where transistor 131 saturates). chcns 100 have a signal curve roughly like (b) in

Bezüglich der Verstarkcrstufc 150 gilt, daß die 15 Fi g. 3 entsprechende Form. Diese über den äußeren Ruhespannung an der Basis des Transistors 182 in der Kondensator 19 auf die Stufe 150 gekoppelten Vorspannschaltung 180 ungefähr 1 V_bt oder 0,7 Volt Signale steuern diese Verstärkerstufe ebenfalls in den über Masse beträgt, während die Ruhespannung am Bcgrcnzungszustand. Die daraufhin erzeugten AusEmitter des Transistors 180 gleich diesen 0,7 Volt gangssignale der Stufe 150 am Kontakt 114 entplus dem Spannungsabfall am Widerstand 185 ist. ao sprechen dem Signalvcrlauf (r) in F i g. 3. Diese Die Spannung an der Basis des Transistors 181 ist um Signale werden über den äußeren Kondensator 29 auf 1 V_bl. größer als die Spannung am Emitter dieses die Basis der dritten Verstärkerstufe 170 gekoppelt, Transistors, d. h. 1,4 Volt plus dem Spannungsabfall wo sie eine dem Signalvcrlauf (d) in Fig. 3 entam Widerstand 185. Da die Widerstände 185 und 186 sprechende Form erhalten. Wie man sieht, werden so bemessen sind, daß die Spannungsabfälle an ihnen 35 durch Übersteuerung der beiden ersten Verstärkerungefähr gleich sind, und da der Widerstand 153 in stufen 130 und 150 die sinusförmigen Eingangsder Stu^fel50 so bemessen ist, daß er gleich dem signale in negativ gerichtete Impulssignalc umge-Widerstand 184 in der Vorspannschaltung 180 ist, formt, deren Dauer klein gegenüber der Periode der äibeiiet die Anordnung SO; daß die Ruhespannung Eingangssignale ist.With regard to the amplifier stage 150, the 15 Fi g. 3 corresponding form. These bias circuit 180, which is approximately 1 V _bt or 0.7 volt signals, which are coupled to stage 150 via the external open-circuit voltage at the base of transistor 182 in capacitor 19, also control this amplifier stage to the level above ground, while the open-circuit voltage at the limit state. The output emitters of the transistor 180 generated thereupon equal these 0.7 volt output signals of the stage 150 at the contact 114 entplus the voltage drop at the resistor 185. ao speak of the signal flow (r) in FIG. 3. This The voltage at the base of the transistor 181 is to be signals via the outer capacitor 29 to 1 V _bl . greater than the voltage at the emitter of this coupled to the base of the third amplifier stage 170, transistor, ie 1.4 volts plus the voltage drop where it corresponds to the signal curve (d) in FIG . As can be seen, are sized so that the voltage drops are in them 35 by clipping the first two Verstärkerungefähr the same, and since the resistor 153 in step 130 and 150, the sinusoidal Eingangsder Stu ^f is EL50 dimensioned to be equal to the signals in negative-going pulse signal c reversed resistance 184 in the bias circuit 180, forms the duration of which is small compared to the period of the arrangement SO; that the open-circuit voltage is input signals.

am Verbindungspunkt der Widerstände 185 und 186 30 Bei Eintreffen dieser negativ gerichteten Irnpulr,at the junction of resistors 185 and 186 30 When this negative-going Irnpulr arrives,

effektiv zwei Kreise, nämlich einen mit dem Tran- signale an der Basis des Transistors 171 wird diesereffectively two circles, namely one with the tran signal at the base of transistor 171, this becomes

sislor 151 und einen mit dem Transistor 182, parallel Transistor gesperrt. Die in der Primärwicklung 33sislor 151 and one with transistor 182, parallel transistor blocked. The in the primary winding 33

speist. Bei im wesentlichen identisch ausgebildeten des Transformators 31 gespeicherte magnetischefeeds. When the transformer 31 is of essentially identical design, stored magnetic

und ausgelegten Transistoren 151 und 182 sind also Energie wird freigesetzt, und der Kollcktorkreis desand designed transistors 151 and 182 are so energy is released, and the collector circuit des

die in deren Kollektorkreisen fließenden Ströme an- 35 Transistors 171 schwingt mit seiner Eigenrcsonanz-the currents flowing in their collector circuits- 35 transistor 171 oscillates with its self-resonance-

nähernd gleich. Die Ruhespannung am Kollektor des frequenz von ungefähr 18OkHz. Die Dauer des zumalmost the same. The open-circuit voltage at the collector of the frequency of about 18OkHz. The duration of the

Transistors 151 ist somit gleich der Ruhespannung am Transistor 171 gelangenden negativen Impulses cpt-Transistor 151 is thus equal to the open-circuit voltage at transistor 171 reaching negative pulse cpt-

Kollektor des Transistors 182 oder annähernd spricht ungefähr der Dauer einer Schwingungs-Collector of transistor 182 or approximately speaks approximately the duration of an oscillation

1,4 Volt, wobei der Spannungsabfall am Widerstand pcriodc dieses 180-kHz-Signals. Die negative HaIb-1.4 volts, the voltage drop across the resistor pcriodc of this 180 kHz signal. The negative Halb

185 klein gegenüber diesem Wert ist. Die Verstärker- 40 welle des Schwingimpulses wird jedoch durch den185 is small compared to this value. The amplifier wave of the oscillation pulse is, however, through the

stufe 150 begrenzt daher ebenfalls asymmetrisch, da Basis-Kollcktor-Übcrgang des Transitors 171, derstage 150 therefore also limits asymmetrically, since the base-collector transition of the transistor 171, the

die Kollektorspannung des Transistors 151 von ihrem zu diesem Zeitpunkt in der Durchlaßrichtung ge-the collector voltage of the transistor 151 from its at this point in time in the forward direction

Ruhcwert stärker in positiver Richtung (gegen die spannt wird, abgekappt, d. h. weggeschnitten. DasThe rest value is stronger in the positive direction (against which the tension is applied, capped, i.e. cut away. The

Speisespannung V₂ von 12VoIt) als in negativer Ausgangssignal der Verstärkerstufe 170 (am KontaktSupply voltage V ₂ of 12VoIt) than a negative output signal of amplifier stage 170 (at contact

Richtung (gegen Nullpotcntial) ausschwingt. 45 118) hat eine dem Signal verlauf (r) in Fig. 3 cnt-Direction (towards zero potential) swings out. 45 118) has a cnt-

Bezüglich der Verstärker- oder Stcucrstufe 170 sprechende Form. Dieses Signal enthält den positivenSpeaking form with regard to the amplifier or stage 170. This signal contains the positive one

gilt, daß die Parameter dieser Stufe so gewählt sind, Teil des lSO-kHz-Schwingimpulscs und hat eineit is true that the parameters of this stage are chosen to be part of the 15 kHz oscillation pulse and has a

daß der Transistor 171 sehr stark leitet. Bei den in der Folgefrequenz, die gleich der 35 bis 45-kHz-Frcqucnzthat the transistor 171 conducts very strongly. In the case of the repetition frequency, which is equal to the 35 to 45 kHz frequency

Zeichnung angegebenen Bemessungswerten liegt die der zur Klemme 200 gelangenden Eingangssignale desThe rated values given in the drawing are those of the input signals of the to terminal 200

Kollektorspannung des Transistors 171 in diesem Fall 50 Verstärkers ist. Dieses positive Signal wird über dieCollector voltage of transistor 171 in this case is 50 amplifier. This positive signal is transmitted via the

nahe dem Nullpotential. Die Verstärkerstufe 170 Sekundärwicklung 35 des Transformators 31 auf dienear zero potential. The amplifier stage 170 secondary winding 35 of the transformer 31 to the

arbeitet ebenfalls als asymmetrischer Begrenzer, da abgestimmten Kreise des Fernstcuercmpfängcrs gc-also works as an asymmetrical limiter, since the adjusted circles of the remote control receiver

die positiven Auschwingungen der Kollcklorspannung koppelt, wo die Grundfrequenzkomponente unterthe positive oscillations of the Kollcklor voltage couples where the fundamental frequency component falls below

des Transistors 171 vom Ruhewert (gegen die Speise- Herausfiltcrung der Oberwellen zurückgewonnenof the transistor 171 from the quiescent value (recovered against the feed filtering out of the harmonics

spannung V₂ von 12VoIt) die negativen Auschwin- 55 wird. Die Amplitude dieser Grundfrcqurrizkompo-voltage V ₂ of 12VoIt) the negative Auschwin- 55 becomes. The amplitude of this basic component

gungen vom gleichen Pegel (gegen Nullpotential) nentc hängt von dem in der Wicklung 33 fließendenof the same level (towards zero potential) nentc depends on that flowing in the winding 33

weit übersteigen. Ruhestrom ab und reicht aus, die Funktionssleucr-far exceed. Quiescent current and is sufficient to control the function

In sämtlichen drei Verstärkerstufen 13G, 150 und relais im Empfänger zu betätigen.
170 beeinflussen etwaige Temperaturänderungen Die Schwingdauer des die Schwingungen crzeugcnlediglich den Pegel, bei dem die Begrenzungswirkung 60 den Ausgangsresonanzkreises ist durch die Dauer des einsetzt, während der Umstand, daR die Begrenzung dem Transistor 171 zugeführten negativen Impulsfür die entsprechenden Signalpegel erfolgt, unver- signals beschränkt, und die Anzahl der somit in jeder ändert bcstehenbleibt. Der die Primärwicklung 33 Periode des Eingangssignals auftretenden bcschnitdes Transformators 31 durchfließende Ruhestrom tcncn Sinusimpulsc kann durch Verändern der Dauhängt hauptsächlich vom Wert des Widerstands 37 ab 65 er des negativen Impulses beeinflußt werden. In der und ist im wesentlichen konstant sowie unabhängig Anordnung nath F'ig. 2 wird pro Srhw'.nfcungs- \\>n Änderungen der Transistorparamctcr. Der Be- periodc ein soldici Sinusimpuls erzeugt, so daß die grcnzungspcgel für die einzelnen Verstärkerstufen Folgefrequenz dieser Impulse gleich der F'rcquen?Actuate in all three amplifier stages 13G, 150 and relays in the receiver.
170 influence any temperature changes The oscillation duration of the oscillations creates only the level at which the limiting effect 60 of the output resonance circuit occurs through the duration of the, while the fact that the negative pulse supplied to transistor 171 is limited for the corresponding signal level is not signally limited, and the number of remains that thus changes in each. The section of the transformer 31 flowing through the primary winding 33 period of the input signal can be influenced by changing the duration mainly on the value of the resistor 37 from 65 er of the negative pulse. In the and is essentially constant and independent arrangement nath F'ig. 2 is per Srhw'.nfc- \\> n changes in the transistor parameters. The periodc generates a solid sine pulse, so that the limit pulse for the individual amplifier stages, the repetition frequency of these pulses is equal to the frequency of the pulse.

9 „ ίο9 "ίο

des Nulzciiigiingssignals ist. Im allgemeinen Fall ist nach Fig. 2 bei Auftreten von unerwünschten Stör-of the zero signal. In the general case, according to FIG. 2, when undesired interference occurs

jedoch die Folgefrequenz gleich demjenigen Viel- Signalen, wie sie z. B. durch das Läuten von TeIe-However, the repetition frequency is the same as that of many signals, as they are, for. B. by ringing telephones

fachen der Eingangssignalfrequenz, das der Anzahl phonen, das Klingen von Münzen usw. hervorge-times the input signal frequency, which is evident from the number of phones, the sound of coins, etc.

von pro F.ingangssignalperiodc erzeugten Sinusimpul- rufen werden, betrachtet werden. Diese Signale ent-sine pulse calls generated per input signal periodc can be considered. These signals

scii entspricht. 5 halten im allgemeinen nebeneinander verschiedene,scii corresponds. 5 generally hold next to each other different,

Fs sei jetzt angenommen, daß die Amplitude der nicht im tlarmonischenvcrhältnis zueinander stehende Fingangssignale an der Klemme 200 nicht ausreicht, Fre(|uenzkomponenten. Einige dieser Frequenzkomum die Verstärkerstufe 130 in den Ikgrenzungszu- ponenten können dabei in den Durchlaßbereich der stand auszusteuern, jedoch nach Verstärkung in dieser abgestimmten Kreise des Fcrnsteucrempfängers, Stufe ausreicht, um die Stufe 150 in den Begren- io d. h. den Bereich zwischen 35 und 45 kHz fallen, zungszustand auszusteuern. Derartige Signalu ent- Zwei derartige Komponenten sind beispielsweise sprechen in ihrer Form etwa dem Signalverlauf (a) in durch die Signalverlaufe (α) und (b) in F i g. 6 ange-F ig. 4, wo für sie beispielsweise eine Amplitude von deutet, wobei der Signalverlauf (r) die resultierende 1 Millivolt angegeben ist. Die daraufhin erzeugten der beiden Kurven repräsentiert. Dieser Signalver-Ausgangssignale der Stufe 130 haben die gleiche all- 15 lauf (c) kann als ein zum Umgang 200 der Schaltung gemeine Form, entsprechend dem Signalverlauf (b) in nach Fig. 2 gelangendes Signal aufgefaßt werden, Fig. 4. Diese über den äußeren Kondensator 19 auf das, wenn es den Verstärker linear durchliefe, die die Stufe 150 gekoppelten Ausgangssignale erzeugen Funktionsstcucrrelais des Empfängers fälschlich beam Kontakt 114 des Schaltungsplättcliens 100 den tätigen würde; Auf Grund der Uegrenzungswirkung begrenzten Signalveilauf (c) nach Fig. 4 sowie ao der dritten Verstärkerstufe 170 besteht jedoch das außerdem an der Basis des Transistors 171 der dritten Ausgangssignal dieser Stufe [Signalverlauf (rf) in Stufe den Signalverlauf (ti) nach Fig. 4. Das Aus- Fig. 6] aus positiv gerichteten Sinusimpulsen, deren gangssignal der Verstärkerstufe 170 am Kontakt 118 Folgefrequenz in .keiner Beziehung zur Frequenz hat eine dem Signalverlauf (e) in F i g. 4 ent- irgendeines der Nutzcingangssignale des Verstärkers sprechende Form und besteht wiederum aus einzelnen as steht. Die Gruiulfrequenz des Ausgangssignals ist im positiv gerichteten Impulsen, deren Folgefrequenz wesentlichen gleich der Schwebungsfrequenz zwischen gleich der Frequenz des Eingangssignal an der den beiden F.ingangssignalen und wird von den Klemme 200 ist. Aus diesem Ausgangssignal wird in durch die abgestimmten Kreise gebildeten selektiven der gleichen Weise wie zuvor die Grundfrequenzkom- Filtern ohne weiteres unterdrückt. Die entstehenden ponente für die entsprechende Stcuerfunktion ge- 30 Oberwellen sind außerdem soweit in ihrer Ampliwonncn. tude reduziert, daß sie unterhalb desjenigen PegelsFs is now assumed that the amplitude of the not of the tlarmonischenvcrhältnis standing Fingangssignale not sufficient at the terminal 200, Fre (| uenzkomponenten Some of these Frequenzkomum the amplifier stage to components in the Ikgrenzungszu- 130 while in the pass band stood auszusteuern, but after amplification. sufficient in this tuned circuits of the Fcrnsteucrempfängers, stage to the stage 150 in the limitation io ie the region between 35 and 45 kHz drop wetting state auszusteuern. such Signalu corresponds Two such components are for example speak in shape as the waveform (a ) in indicated by the signal curves (α) and (b) in FIG. 6 -Fig. 4, where for them, for example, an amplitude of indicates, with the signal curve (r) indicating the resulting 1 millivolt of the two curves represents. These signal ver output signals of stage 130 have the same all- 15 run (c) can be used as one for handling 200 the circuit common shape, according to the waveform (b) in FIG. 2 to be deflected signal to be construed, Fig. 4. This, as it passes through would run through the outer capacitor 19 to the amplifier linearly, which generate the stage 150 coupled output signals Funktionsstcucrrelais of Receiver incorrectly beams contact 114 of circuit board 100 that would make; Due to the limited signal path (c) according to FIG. 4 and ao of the third amplifier stage 170 , however, there is also the signal path (rf) according to FIG. 4 at the base of the transistor 171 of the third output signal of this stage The FIG. 6] of positively directed sinusoidal pulses, whose output signal of the amplifier stage 170 at the contact 118 repetition frequency in no relation to the frequency has a signal curve (e) in FIG. 4 corresponds to any of the useful input signals of the amplifier and consists in turn of individual as stands. The basic frequency of the output signal is in the positive direction pulses, the repetition frequency of which is essentially equal to the beat frequency between the same as the frequency of the input signal at the two input signals and is from the terminal 200 . From this output signal, the fundamental frequency com filters are readily suppressed in the same way as before, selectively formed by the tuned circles. The resulting components for the corresponding control function - harmonics - are also so far in their amplification. tude reduced that they are below that level

In entsprechender Weise repräsentieren die Signal- liegen, bei dem die Steuerrelais ansprechen. Auf dieseIn a corresponding way, the signal ranges represent at which the control relays respond. To this

vet laufe (<i) bis (e) in Fig. 5 diejenigen Signale, die Weise werden die Funktionsrelais gegen Falschbe-vet run (<i) to (e) in Fig. 5 those signals that protect the function relays against incorrect

im Verstärker nach Fig. 2 auftreten, wenn die Am- tätigung geschützt, so daß die verschiedenen Stufenoccur in the amplifier according to FIG. 2 when the activity is protected, so that the various stages

plitiide der zur Klemme 200 gelangenden Eingangs- 35 des Fernsteuerempfängers nur auf die vom örtlichenplitiide of the input 35 of the remote control receiver coming to terminal 200 only to the one from the local one

signale so klein ist, daß weder die erste iioth die Sender stammenden Nutzsignale ansprechen,signals is so small that neither the first iioth the transmitter-originating useful signals address,

zweite Verstärkerstufc 130 bzw. 150 in den Be- Als letztes soll die Wirkungsweise des Verstärkerssecond amplifier stage 130 or 150 in the load

grcn/iings/ustand ausgesteuert wird, wobei jedoch das bei Auftreten von lediglich willkürlichen Störungen,grcn / iings / ustand is controlled, with the occurrence of merely arbitrary disturbances,

Eingangssignal obethalb des wahrnehmbaren Mini- d. h. bei Abwesenheit von Nutzeingangssignalcn be-Input signal above the perceptible mini d. H. in the absence of useful input signals

malpegcls (ungefähr 20 Mikrovolt) ist, so daß die Ge- 40 trachtet werden. Wie bereits erwähnt, beträgt die immalpegcls (about 20 microvolt) so that the 40 are sought. As mentioned earlier, the im

samtspannungsvL-rstäikung des Verstärkers ausreicht, Verstärker erzeugte Rauschspannung in der Größcn-total voltage amplification of the amplifier is sufficient, amplifier generated noise voltage in the

um die Begrenzungswirkung der dritten Verstärker- Ordnung von 1 Mikrovolt. Dieses Rauschen erscheintthe limiting effect of the third-order amplifier of 1 microvolt. This noise appears

stufe 170 auszulösen. Wiederum wird das dem Signal- als ein Spektrum von schwach energetischen Impul-trigger level 170 . Again this is presented to the signal as a spectrum of weakly energetic impulses

verlauf(r) in Fig. 5 entsprechende Signal in den sen, die um die 180-kHz-Rcsonanzfrequenz des Ver-course (r) in Fig. 5 corresponding signal in the sen, which is around the 180 kHz resonance frequency of the

F.iitpfängerstufcn so behandelt, daß die Grundfrc- 45 stärkerausgangskrcises zentriert sind. Durch Gkich-Receiving stages are treated in such a way that the basic 45 initial crises are centered more strongly. By Gkich-

quenzkomponente des Steuersignals für die betref- richtung diese: Impulse in der Detektorschaltung wirdfrequency component of the control signal for the relevant direction: pulses in the detector circuit

fende Funktion gewonnen wird. ein Rauschstrom oder Störstrom von weniger alsfende function is obtained. a noise current or interference current less than

Aus dem Vorstehenden wird ersichtlich, d.\ß das 0,5 niA erzeugt, tlas ist weniger als sowohl der An-From the foregoing it can be seen that the 0.5 niA produces tlas is less than both the an

von der Vcrstarterstufe 170 erzeugte Ausgangssignal zugsstrom von 7,5 mA als auch der Abfallstrom vonoutput signal generated by the Vcrstarterstufe 170 pull current of 7.5 mA as well as the waste current of

in seiner Amplitude unabhängig vom Pegel des 5° 1,5 mA, die gemäß den Charakteristiken typischerin its amplitude independent of the level of 5 ° 1.5 mA, which according to the characteristics more typical

dem Eingang 200 zugeführten Steuersignals ist. Das Fernsteuerrelaiseinheiten gegeben sind. Die Relais,the input 200 is supplied control signal. The remote control relay units are given. The relays,

heißt, für sämtliche Eingangssignalpegel oberhalb des deren Kontakte normalerweise, wenn der gleichge-means that for all input signal levels above their contacts normally if the same

wahrnehmbaren Minimalpegels wird der Transistor richtete Strom den Anzugspegel erreicht, schließenperceptible minimum level, the transistor-directed current will reach the pull-in level, close

171 gesperri und die Ausgangssignalamplitude allein und geschlossen bleiben, bis der Strom unter den Ab- 171 blocked and the output signal amplitude remain alone and closed until the current falls below the

durch die in der Wicklung 33 gespeicherte magne- 55 fallpegel absinkt, sind daher unempfindlich gegenas a result of the magnetic drop level stored in winding 33 , they are therefore insensitive to

tische Energie, d. h. durch den die Primärwicklung 33 etwaige im Verstärker selbst erzeugte Rausch-table energy, ie through which the primary winding 33 any noise generated in the amplifier itself

des Transformators 31 durchfließenden Ruhestrom störungen.of the transformer 31 flowing through quiescent current disturbances.

bestimmt. Diese Amplitude bleibt im wesentlichen Eingangssignal mit einer Amplitude unterhalbdefinitely. This amplitude remains essentially input signal with an amplitude below

konstant, da sie durch den Widerstand 37 und nicht des minimal wahrnehmbaren Pegels von 2G Mikro-constant, as it is caused by the resistor 37 and not the minimum perceptible level of 2G micro-

durch die jeweilige Eingangssignalamplitude einge- ⁶° volt modulieren dieses willkürliche oder statistische ⁶ ° volts modulate this arbitrary or statistical

stellt wird. Ebenso haben auch Änderungen (¹^r Ein- Rauschen unter Erzeugung eines Ausgangssignals inwill provide. Likewise, changes ( ¹ ^ r on-noise with generation of an output signal in

gangssignalform keinen Einfluß auf die Ausgangs- Form von Störimpulsstößen, deren Foli»efrequenzoutput signal form has no influence on the output form of interference pulses, their sequence frequency

signalamplitude. Ferner sind die Auswirkungen von der Frequenz der zugeführten Signale entspricht. Diesignal amplitude. Furthermore, the effects of the frequency of the supplied signals are equivalent. the

Bstriebsteniperaturschwankungen des Empfängers Gmndfrequenzkomponente, die durch die an-Operating temperature fluctuations of the receiver Basic frequency component, which is caused by the different

auf die Ausgangsschwingung vernachlässigbar gering. ⁶S schließende Filterung in den abgestimmten Kreisennegligibly low on the output oscillation. ⁶ S closing filtering in the tuned circles

Der erfindungsgemäße Verstärker arbeitet also über des Empfängers erhalten wird, reich' jedoch in ihreiThe amplifier according to the invention thus works over the receiver being received 'rich' however in their own

einen weiten Temperaturbereich einwandfrei. Größe oder Amplitude wiederum nicht aus, diea wide temperature range flawlessly. In turn, size or amplitude does not affect that

Es soll jetzt die Wirkungsweise des Verstäikers Funktionssteuerrclais zu betätigen.It is now intended to operate the mode of action of the amplifier function control mechanism.

Ein Merkmal der Verstärkeranordnung nach Fig. 2 besteht darin, daß tin ferngesteuerter Empfänger, der mit dem Verstärker ausgerüstet ist, weitgehend unempfindlich gegen Steuersignale aus Nachbarkanälen ist. Es sei beispielsweise ein Empfänger betrachtet, der acht abgestimmte Filterkreise mit hohem ß-Wert mit gegenseitigen Frequenzabständen von 1,5 kHz zur Steuerung der gleichen Anzahl von Funktionen für einen SS-bis^S-kllz-Sendefrequenzbereich aufweist. Da die Ansprechcharnktcristik von Kreisen mit annehmbarem ß-Wcrt 1,5 kHz von derA feature of the amplifier arrangement according to FIG. 2 is that the remote-controlled receiver equipped with the amplifier is largely insensitive to control signals from adjacent channels. For example, let it be a recipient considered, the eight matched filter circuits with a high ß-value with mutual frequency spacings of 1.5 kHz to control the same number of functions for an SS to ^ S-kllz transmission frequency range. Since the response characteristic of Circles with an acceptable ß-Wcrt 1.5 kHz from the

1212th

Resonanzfrequenz auf ungefähr 12 db heruntergeht können Amplitudenänderungen in einem Eingangssteuersignal einer einem bestimmten Relais zugeordneten Frequenz, die größer sind als 12 db, ausResonance frequency drops to approximately 12 db, amplitude changes in an input control signal of a frequency assigned to a specific relay that are greater than 12 db can result reichen, um zugleich auch ein benachbartes Relais zi betätigen. Da jedoch das Ausgangsimpulssignal de; Verstärkers nach F i g. 2 in seiner Amplitude weit gehend konstant und unabhängig von Eingangs Signalschwankungen ist, wirken sich solche Änderun-enough to activate an adjacent relay at the same time. However, since the output pulse signal de; Amplifier according to FIG. 2 largely constant in its amplitude and independent of the input Signal fluctuations, such changes affect

to gen auf kein Relais aus, d. h., es wird nur das dem betreffenden Eingangssignal zugeordnete Relais betätigtto gen on no relay off, d. This means that only the relay assigned to the relevant input signal is actuated

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Receiver for a remote control switchgear. in which an acoustic signal, preferably an ultrasonic signal, is fed via a: i converter to a transistor amplifier and limiter containing a resonance circuit i'ad an actuation signal for at least one control relay is generated with the aid of a frequency-selective circuit, characterized in that the resonance circuit (primary winding 33 and Collector capacitance of transistor 171) is matched to a harmonic of the acoustic signal and that the transistor (171) driving it is biased in such a way that the limited signal supplied to its base periodically reduces its collector current and its collector-base diode represents a damping diode for oscillations of one polarity of the resonance circuit, and that the occurring half-wave of the resonance circuit oscillation is fed to the frequency-selective circuit (18).

2. Receiver according to claim 1, characterized in that the amplifier (16, 100) contains such asymmetrical limiter stages (130, 150) that the duration of a signal half-wave is significantly shorter than the duration of the opposite signal half-wave:, and that the unbalanced so limited Sipnale '' in the transistor (171) are supplied with such a polarity that the transistor is switched to the blocking state by the shorter signal half-waves.

3. Receiver according to claim 2, characterized in that the duration of the shorter signal half-waves is of the order of magnitude of a period of the harmonic on which the resonance circuit is matched.

4. Receiver according to claim 1, characterized in that the circuit of the transistor (171) is designed so that the amplitude of the half-wave occurring of the resonance circuit is determined by the inductance (33) flowing through the collector bias current of the transistor (171).