DE1698918U - ELECTRIC DISCHARGE TUBE, IN PARTICULAR TELEVISION RECORDING TUBE. - Google Patents

ELECTRIC DISCHARGE TUBE, IN PARTICULAR TELEVISION RECORDING TUBE.

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DE1698918U DEN4023U DEN0004023U DE1698918U DE 1698918 U DE1698918 U DE 1698918U DE N4023 U DEN4023 U DE N4023U DE N0004023 U DEN0004023 U DE N0004023U DE 1698918 U DE1698918 U DE 1698918U
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/39Charge-storage screens

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  • Lubricants (AREA)

Description

95052-38,3.5595052-38,3.55

If#V,Philips* Oloeilaapenfabrieken, Bindhoven/HollandIf # V, Philips * Oloeilaapenfabrieken, Bindhoven / Holland

Elektrische i&tladungsr8iiref insbesondere F aufnahmeröhre·Electric charge tubes for especially F recording tube

Die Neuerung bezieht sich auf eine elektrische Entladungsröhre mit mindestens einer ganz oder teilweise isolierenden Oberfläche* auf welche verMltniasäseig langsame Elektroden aufpralle»» und t>ei der eine solcher Elektronen an äer Ofcerfläeiie maerwrUnsciit ist. Dies trifft inekesonclere t>ei mit niedrigen Elektronenge-' sclxwiDtdigiceiten arbeitenden Bildaufiiafemeröhren zu» wie κ·Β« beim Bildorthikon und beim Vidikon.The innovation relates to an electrical discharge tube with at least one completely or partially insulating surface on which relatively slow electrodes collide and one of these electrons on the outer surface of the oven is hardened. This applies in particular to image display tubes working with low electron sclxwiDtdigiceiten "like κ · Β" in the image orthicon and in the vidicon.

Bei solchen löfcren werden auf isolierenden FlSohen oder Halbleitern Spannuagsbilder entspreohend dem MektbiM erzeugt, das «.!· auf eine diesen flächen gegenüber angeordnete BiötQkataod« projiziert wird. Biese Spannungsbilder* die Ton der τοη aen Biotoelektronen herbeige·* führten Sekundäremission herrühren oder, beim ?idikos» durch EhotiOleituBg eines Halbleiters entsteliemt werden. ?on einem %ndel langsamer Elektronen abgetastet, wobei soiriel Elektronen auf die positiven Stellen auftreffeii, dass diese entladen werden* unter langsamen Blektronen sind Elektronen von so geringer Energie mi Tersteilen» daß der Sekundäremisaionskoeffizient der 3?r«fflächeIn the case of such holes, voltage images are generated on insulating surfaces or semiconductors in accordance with the subject area, which is projected onto an area opposite these surfaces. These tension images * which cause the tone of the τοη aen biotoelectrons · * result from secondary emission or, in the case of "idikos", are created by the EhotiOleituBg of a semiconductor. ? scanned by one half of slow electrons, with so many electrons hitting the positive points that they are discharged * under slow electrons are electrons of so low energy with parts that the secondary emission coefficient of the 3? r surface

hierfür kleiner al» 1 ist· Hierbei ist es weeentlieh, &m& auf öle Oberfläche aufprallenden lle&tronen niont reflektiert werien» denn "bei starker Reflexion- wirä der wirlcssö&e; neutralisierende, llefctronenstrom niedrig sein.» so dass ein grosser Bündel« strom erforderlich sein wird, um die positive ladung semtmtieier«» zu können, was in ^rieXen Mllen einen BiidsohSrfeverliaet bedeutet· Dieser laoht©il wird stark kerafcgesetgt, waim h&t eimerthis small al »1 · This is weeentlieh, & m & impinging on surface oils lle & neutrons niont reflects werien" because "in strong Reflexion- wirä the wirlcssö &e; neutralizing, llefctronenstrom be low." so that a large bundle of electricity will be required in order to be able to semtmtieier the positive charge, which means in ^ rieXen garbage a picture socket · This laoht © il is strongly kerafcgeset, waim h & t bucket

Intladuijgsröiire mit mindestens einer scfaleeJit öäer leit#nct«ii Fläche* auf welche laagsaa# Bl#ktr©aea Äitftreffen können* gea&i® ö*r leiatrusg äies<& !fläefce dieht ait -eis#3f as» g·- g#g«s#iaaat«r isolierte» ^eäocfe. sä »tea l«JLt»adwa stelieadt-R BcJfclcJit ferselits iet» derart» dass isrIntladuijgsröiire with at least one scfaleeJit öäer Leit # nct «ii area * on which laagsaa # Bl # ktr © aea Äitftreffen can * gea & i® ö * r leiatrusgäies <&! fläefce dieht ait -eis # 3f as »g · - g # g «s # iaaat« r isolated »^ eäocfe. sä »tea l« JLt »adwa stelieadt-R BcJfclcJit ferselits iet »such» that isr

t; dieser fläcbe annäherndt; this area approximates

des %t«rials der Bö&ie&t entspricht > oiaie äass 4i# iceit an dieser fläeÄt wimzläB&%& gesteigert wirä» Ee feat iierawsgeeteilt, dass entepreeäenä der Art öes leolierstofjCe» «nä der BetrielseverMltiiisss 4ie Ijeitfäiiigikeit ©ögar um eimea faktor 10 bis 100 smneftmen fcaoii* oJbne aase diese Ztmahate als aaztiläsöig ism erachten ist·des% t «rials der Bö & ie & t corresponds to> oiaie äass 4i # iceit at this area wimzläB &% & increased weä» Ee feat iierawsgeeteiled that entepreeeesä of the type öes leolierstofjCe »« next to the BetrielseverMltiiisss 4ie Ijeitfä * oJbne aase this Ztmahate is to be regarded as aaztiläsöig ism ·

Bekanntlicli (sieiie pjbyaiea T, 10» 193S ö» 914 unä 915) habenAs is known (theyiie pjbyaiea T, 10 »193S ö» 914 and 915) have

Metalle» und im allgemeinen gste lieiter, einen niedrigeren Beflexionekoeffizienten für laögsama Elektronen als f&tsaclie wirÄ feei äer Erfinäüng ^enutsst«Metals, and generally guests, have a lower reflection coefficient for laögsama electrons as f & tsaclie wirÄ feei äer inventions ^ enutsst «

hat sich gezeigt» dass tier Befleadonskoeffiaient-Halbleitera oder Isolierstoffes» tier meistens ajanäaernä 0·9 beträgt» dttreii di« Keuerung Ms auf 0*3 herabgesetzt werden kmm* Ui# lutziwirkung ä#r Abtastung d#r genannten fläche» di* X <· 6 proportional ist* wirä infölgeteasen τοη 1 - 0.9 * 0·1 %%& zu 1 · ΰ*3 β 0·7 g#«t*igert»it has been shown that "the load-on coefficient semiconductors or insulating material" is mostly ajanäaernä 0 · 9 »dttreii di« gearing Ms are reduced to 0 * 3 kmm * Ui # usefulness of the scanning of the mentioned area »di * X < · 6 is proportional * we are infölgeteasen τοη 1 - 0.9 * 0 · 1 %% & to 1 · ΰ * 3 β 0 · 7 g # «t * igert»

Eine Seaioht gemäi der ITemening iet auf TerseMe&ene Art «r* giellsar, s*B* durcfe lufästapfen eines Mstalleis äurcli «in gitter in Ta^urni äur^h Beheiming »in#r «ehr &ku&mt im ajifgeäaapften spiegelnden Metalls^hioht, woÄnroh die Metall— schient z*B* eine SillsersehioM amf Qrlimaer öfter £rlas> infolge 4er Olserfläclienepannung in gesonderte feilehen tifeergehtf dureli Autäsrnpfen eine» Metalles in einer inerten össaatmosphäre» wodureliA seaioht according to the ITemening iet in TerseMe & ene way "r * giellsar, s * B * thrown in the lattice of a Mstalleis aurcli" in lattice in Ta ^ urni aur ^ h home "in # r" ehr & ku & m t in ajifgeäaapften mirrored metal ^ hnioht The metal splint, for example, is a SillersehioM amf Qrlimaer more often than a razor> as a result of the tension in the oil surface in a separate sale is carried out during the carcassing of a "metal in an inert Ossa atmosphere" wodureli

das Metall als ein« so&wer&e Sonicnt oder duron Schwärzung der Oberfläche, mit einer Flamm© oder Bestreichen mit einer GrapßitBUJspensiön» derart, dass eine nichtleitende Euss- oder £rapnitsöhiefct entsteht. Is soll aiser immer dafür Sorge getragen werden, dass der Bedeekungsgr&d möglichst gross ist» so dass der grüeste feil der Oberfläche aus the metal as a " so & wer & e sonicnt or duron blackening of the surface, with a flame or brushing with a grappling" in such a way that a non-conductive Euss or rapnite depth arises. Care should always be taken to ensure that the cover is as large as possible, so that the greenest part of the surface is off

bestellt·ordered·

I5ie ^feuerung wird an Hand einer Zeichnung beispielsweise nther erläutert» in derThe firing is illustrated, for example, on the basis of a drawing explained »in the

Pig» 1 ein Bildort&ikon wnä Pig »1 an image location & icon wnä

!ig* 2 eine feilassiciit eines Tidikons, !sei dem die Erfindimg Jtewendwng findet, dar steiles«! ig * 2 a feilassiciit of a tidicon,! be the one Invention finds the steep "

Xu fig· 1 ist der (rlaskolbeja eines sog.eni«aitea Bildorthikoae mit 1 beaeiohnet· Bieae Bohre eatiiält eine Slektrosenspritze S «ad eine BeschleuBigtmgs&node 3· Sine Shotokatliode 4 ist an dem der SiektroÄe&epritze 2 liegenden Ende der Eöiire angeordnet» In eimern Afegta^yd gegenüber der Hiotokatiioäe 4 ist eine »ehr diiime isolierende oder iiallsleiteiide, aus Ü-Iinuier oder Glas Platte 5 aiigeordiiet, der gegenüber ein se&r Gitter 6 angeordnet ist» das in Bezug auf die Platte 5 eilte positive Spunnuig von usgefS&r 1 IT bat« Me Platte 5 ist gestSß der Heuerung auf einer oder auf beiden Seiten Mit einer MetalXsohielit 7 verneinen» ilit S ist eiae ringförmige Elektrode lseaeicilmet, die zum Herabsetzen des Poteatiulfeldes vor der Hatte 5 dient» wodureli die Elektronen des i?riffiär.elektrG&e»stra&lea 9 abgefereaet werde» vmä mit Hullgesciiwindiglceit oder niedriger Geacnwiiidigkeit %ut lBolisrplatte 5 gelaageau Der StrsJal 9 tastet di« Hatte ab äuv&h AMeakuag Bitteis der Magnetspulen 10* Die iron der blatte 5 reflektierten Elektronen des Straitles 9 v/erden Tön der Anode 5 aufgefangen und lösen an dieser Gekundärelefctroaea aus» die in einem Vervielfältiger 11 verstärkt \/erden und Ausgangespannungsänderungen feewirken· Xu fig · 1 is the (rlaskolbeja of a so-called eni «aitea Bildorthikoae with 1 beaeiohnet · Bieae Bohre eats a slectrose syringe S« ad an accelerator & node 3 · Sine Shotokatliode 4 is arranged at the end of the Eöiire lying on the SiektroÄe & epritze 2 » In a yd opposite the hiotocation 4 is a "rather diiime isolating or secondary conductor, made of continuous or glass plate 5 aiigeordiiet, which is arranged opposite a se & r grid 6" which in relation to the plate 5 hurried positive spunnuig from usgefS & r 1 IT bat "Me Plate 5 is pressed against the hay on one or both sides. With a metal oxide 7, there is a ring-shaped electrode which is used to reduce the potential field in front of the plate 5, which detects the electrons of the riffiär.electrG & e 'stra & lea 9 Will " mostly with high windigibility or low tolerance % ut insulation plate 5 laid The StrsJal 9 probes the" Had from ou & h AMeakuag request of the magnet coils 1 0 * The iron of the leaf 5 reflected electrons of the Straitles 9 are captured by the ground tone of the anode 5 and trigger "which are amplified in a multiplier 11 and cause changes in the output voltage.

Das Bild 12 wird duroÄ eine iänse 13 auf die halfedureJisiciitige iiiotokatiiode 4 projiziert und die i&otoelektronen der auf tivea !Potential gehaltenen Inotokatöode werden von dem aufThe picture 12 is duroÄ an iänse 13 on the halfedureJisiciitige iiiotokatiiode 4 and the i & otoelectrons of the tivea! potential held inotokatöode are of the on

niedrig«» Potential gehaltenen fitter $ angeaogen» treffen auf die Hatte 5 auf und erzeugen auf dieser durch Sekundäremission ein &m. Mohtbild auf der 2>&otokathoäe 4 entsprechendes Fötentialbild» Infolge aer sowieso bestehenden leitfähigkeit des Materials der im allgemeinen sehr öüme& isolierenden oder halbleitenden Platte 5 wird dieses 3?otentialbilii sxtf die andere Seite übertragen. fitter $ anaogenous potential held at a low level impinge on Hatte 5 and generate a & m on it through secondary emission. Mohtbild "on the 2>& otokathoäe 4 corresponding Fötentialbild result aer anyway existing conductivity of the material of the generally very öüme & insulating or semiconducting plate 5 is this 3? Otentialbilii the other side sxtf transmitted.

Die SelEöndSrelefctrone» von eier PliotokatJiode 4 gegenüberliegenden Oberflöene der Platte S werden durca das Sitter 6 abgefüiirt»The SelEöndSrelefctrone »of a PliotokatJiode 4 opposite The surface of the plate S is filled by the sitter 6 »

Wird die Platte 5 vom Elektronenstrahl 9 abgetastet, eo wird zurttefekehren&e Strahl moduliert sein» de bei äer Abtastung des PotentialMldes auf der Platt« 5 schwankende Mengen von Elektronen smm iieutralieieren der -verschiedenen aufgeladenen Stellen der Oberfläche der Platte 5 dem ütrahlstrom entnommen- werden· Es ist hierbei also wichtig» dass Sleictronen, naoMest eie auf die Oberfläche der Platte 5 aufgeprallt sind, dieee nicht wieder änroh Heflexion rerlassen, Ss seigt sich» dass die gesonderten leitenden Teilchen öer Schicht 7 gemäS der liQuerung annähernd dem gleichen niedrigen Befiexionakoeffizienten für solche Elektronen haben wie eine zusa^menhSngende Schicht äesseltjen Materials j. sie brauchen aber k^ine Zulässige Steigerung ö.er lieitfähiukeit herbeisuführen» so aase die Oberfläche der Blatte 3 hinreicheM isolierend bleibt.If the plate 5 is scanned by the electron beam 9, the return will return and the beam will be modulated, so that when the potential Mldes on the plate 5 is scanned, fluctuating quantities of electrons are taken from the various charged points on the surface of the plate 5 from the beam current It is therefore important here that sleictrons, even as most of them have hit the surface of the plate 5, which do not again allow flexion, it is evident that the separate conductive particles of layer 7 according to the flow have approximately the same low flexion coefficient for such electrons like a cohesive layer of material j. But they do not need a permissible increase in conductivity so that the surface of the leaf 3 remains sufficiently insulating.

2 ist eine Seildarstellung eines sogenannten ¥Mikons· Diese Köhre ist grundsätzlich ähnlieh wie ä&& jBildorthiicon aufgebaöt* aber statt einer praktisch isolierenden blatte» die durch Sekundäremission ein fotentialbild erhält» besitzt sie eine blatte aus phot »leitendem Material» d.h» dass das Plattenaiateri&l bei der Belichtung weniger isolierend als im Bjaksln wird· Biese Tt&hxe hat eine O-laswand 14» auf der an der Innenseite der Endfläche, eine halbdurchsichtige leitende Schicht 15 angeordnet ist» auf die das üiia projiziert wird. Auf dieser schicht 15t die die Elektronen abführt, ist die photoleitemle Schicht 16 angeordnet» die Ton einem Elektronenstrahl mit niedriger Blektronengeschwindigkeit abgetastet wird» An den besser leitenden» belichtetes stellen2 is a rope representation of a so-called ¥ mikon · This tube is basically similar to ä && jBildorthiicon * but instead of a practically insulating sheet »which receives a photovoltaic image through secondary emission» it has a sheet made of photoconductive material »ie» that the plate material in the Exposure is less insulating than in Bjaksln. Biese Tt & hxe has an O-laswand 14 "on which a semitransparent conductive layer 15 is arranged on the inside of the end face" onto which the üiia is projected. On this layer 15t, which dissipates the electrons, the photoconductive layer 16 is arranged »the sound is scanned by an electron beam with a low metal electron speed» at the better conductive »exposed places

<$er Scaiclit 16 weräsn mehr Elektronen als as &«n dttsuclen Stellen aus äem Bümöel mir leitenden Schloßt 3.5 abgefU&rt* moüwmh gehwankunges la der Zuleitung tl#r leiten&en Schielit 15 Photolei tends Stoffe sinct 2.B. affio^piies Selen» ο «dgl»<$ 16 he Scaiclit weräsn more electrons than as &'s dttsuclen passages from äem Bümöel conducting Castle t 3.5 abgefU & rt me * moüwmh gehwankunges la the lead tl # r & s conduct Schielit 15 Photolei Tends substances sinct 2.B. affio ^ piies selenium »ο« dgl »

Auch hierbei ist es wieirfeig* iass BleictroneÄ» saßiidem sie auf äie SoMöiit 16 aufgetroffeu sinÄt äiese sioiit wieder S#fl#xion iFs^lass#n# Deshalls iet auf cley pftotel«it#n^ea Schicht eine aieiit-leiteade Sohieht 17 aus an sieh leit©&äem Stoff gemäßHere, too, it is very cowardly * that BleictroneÄ »sat there on the SoMöiit 16u sinÄ t äiese sioiit again S # fl # xion iFs ^ let # n # Deshalls iet on cley pftotel« it # n ^ ea layer an aieiit-Leiteade Sohicht 17 from see guide © & äem material according to

Eine Schicht gea^-δ der leuerimg icaim ί5·Β· dusrcii Atifdampfaa iai Vakuum öiKey Silbersöhiöht ψοη 0,5 Ms 1 ja Bt'uTkm auf «iae Gliarae^platt« aufgebracht werden» önsehliesseM wiM öi# ^t platte eis© Sttmäe in einer inerten οδβϊ reäuisierenclea in einem Ofen auf 5ÖOG 0 erhitzt* Bs zeigt sich äaam, Aase ii« Silberschielit iii gescnöerte teilchen aufgeteilt ist» die nicht In leitender Terbindung miteinc^näer stehen· OegeibenenfaUB dies melixwal® v/ieö©rholt weräen uis einen feoheii Bcileckuiigsg 25U erreichen·A layer of gea ^ -δ of the leuerimg icaim ί5 · Β · dusrcii Atifdampfaa iai vacuum öiKey Silbersöhiöht ψοη 0.5 Ms 1 ja Bt'uTkm on «iae Gliarae ^ platt are applied» önsehliesseM wiM öi an inert οδβϊ reäuisiertclea heated in an oven to 5ÖO G 0 * Bs shows aaam, Aase ii “Silberschielite iii scnöerte particles is divided” which are not in a conductive connection with one another reach feoheii Bcileckuiigsg 25U

Die IkietallfcscMölit ist aber auch clureii Aufaiiffipfen äurofe eia feines OszogitterThe IkietallfcscMölit is also clureii Aufaiiffipfen aurofe eia fine Oszo lattice

Olglei eh nur sswei ,Ausbildungen I^esclirieben worden es ein.» dsse Sie !federung fttr sÄtliche fälle wiölitig ist» la denen eine isolierende oäer Jhalbleiteaae yiScfe* von BIftfctronen getroffen wi3?ä und Reflexion dieser unerwünscht ist»Olglei only sswei, training courses have been carried out it a. " that you! suspension is important for all cases »la which an isolating oäer Jhalbleiteaae yiScfe * of Bftfctronen hit like and reflection of these is undesirable »

Claims (1)

fill Cl UiIk \?*iü < hhfill Cl UiIk \? * iü < hh 2*30.3.552 * 3/30/55 1* Slefctrieo&e B&tladtmgsrShre mit mindestens einer 8e&l#öÄt~ oder aicht-Otaltendeß Oberfläche* ewf öle langsame Ble&tronen aufprallen lcSnnen» Äaätireii gekennzeichnet, dass diese Oberfläche mit eimer aus gesonderten, isolierten» aber aa imä für sieb leitönäen 2©ilöliett Scliieht; Tersehen ist» derart» dass äer1 * Slefctrieo & e B & tladtmgsrShre with at least one 8e & l # öÄt ~ or aicht-Otaltendeß surface * ewf oil slow Ble & tronen bounce lcSnnen »Äaätireii marked that this surface with bucket from separate, isolated »but aa imä for sie leitönänen 2 © ilöliett Looks; Seeing is "such" that a dieser Olberfläciie pralctiselithis oil surface pralctiseli BoMcfetaaterials ist, OI1S0 dass ate Leitfähigkeit aa iimamlässig gesteigert wird.BoMcfetaaterials is, OI1S0, that ate conductivity is aa iimlly increased. Hlektriseiis Entlm&uBgsrölire iiacii Anspraeli 1*Hlektriseiis Entlm & uBgsrölire iiacii Anspraeli 1 * dass öle a«s leitenäea ÜJeileiien feeeteiiente ScJaielit durcii Autäempfmn eines Metalles im TTakuum äuTCh einThat oils as a «s lead a ÜJeileiien feeeteiiente ScJaielit durcii Autäempfmn a metal in the vacuum outside ist·is· Elektrische EntlaäuJigsröiire aacto. iaspruoli t>Electrical EntlauJigsröiire aacto. iaspruoli t> » äaes äi% aus leitenden SeXlohan öuroii Zxbitmxig, &±m>T im faJteuium aufgeöaapftea Metallsaitiölit getoiMet ist·»Äaes äi% made of conductive SeXlohan öuroii Zxbitmxig, & ± m> T in the faJteuium oeaapftea metal string is getoiMet · 4. Blektrisohe Ktttlaäujigeröhre na&h Anspruch. 1»4. Blektrisohe Ktttlaäujigeröhre na & h claim. 1" gekejaiiaieieimet» dass die aus leitenden. !Seilüiien Soliicht durch Aufdampfen vo» Metall clurcli eine inerte atmosphäre gebildet ist·gekejaiiaieieimet »that the out senior. ! Seilüiien Soliot an inert by vapor deposition of metal clurcli atmosphere is formed Elelctrisoii# latlaätmgsrötoe naeh. Aaspraek 1»Elelctrisoii # latlaätmgsrötoe naeh. Aaspraek 1 » , ciaae ü±@ leitsjaden f#ilcii«ni d@r Sohiciit warn Kofalenstoff oder Srapbit bestehen·, ciaae ü ± @ leitsjaden f # ilcii «ni d @ r Sohiciit warn Kofalenstoff or Srapbit exist ·
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