DE1690694C

DE1690694C - Process for the production of semiconductor elements

Info

Publication number: DE1690694C
Application number: DE19671690694
Authority: DE
Inventors: Murray Los Angeles Calif Bloom (V St A)
Original assignee: TRW Ine, Redondo Beach, Calif (V St A )
Priority date: 1966-07-07
Filing date: 1967-07-07
Publication date: 1973-06-14

Description

gefälles von der Legicungsschicht zu der Unterlage unter Anreicherung des Halbleitermaterials in einer der Unterlage benachbarten Schicht, da durch gekennzeichnet, daß unter Verwendung einer an sich bekannten, mit Glimmentladung arbeitenden Kathodenzerstäubungsvorrichtung, bestehend aus einer umgebenden, ein ionisierbares Gas, eine Anode (16) und einefall from the alloy layer to the base with enrichment of the semiconductor material in a layer adjacent to the substrate, through that marked that using a cathode sputtering device known per se, working with glow discharge, consisting of a surrounding, an ionizable gas, an anode (16) and a

Kathode (18) enthaltenden Kammer (14), in der ₍^^<*. .Cathode (18) containing chamber (14) in which ₍ ^^ <*...

die Unterlage (12) mit einer a: f ihr angebrachten ao richtung zeigt einen Induktionsofen mit einem kul Metallschicht (50) angeordnet ist. die Unterlage leren Teil und einem bei 1 inschaltung einer indu, Metallschicht (50) durch dipthe base (12) with an a: f attached ao direction shows an induction furnace with a kul Metal layer (50) is arranged. the document leren part and one at 1 connection of an induct, Metal layer (50) by dip

ArtiKei »ivegiowiii wi j..^>·" ■■··—ο ing Zone Of Silicon-Gold Eutectic«, veröffentlicht π. »Journal of Applied Physics«, Band 25, Seite 54* 1954 ist ζ B ein Verfahren der erwähnten Art be schrieben; dort ist jedoch nicht erwähnt, wie pich ein, unerwünschte temperalurbedingtc Diffusion des Hall· leitermaterial in die Unterlage hinein vermeiden Iah· Auch eine Vorrichtung zur Durchführung eines ve; fahrens der eingangs genannten An ist bereits bekam (USA-Patentschrift 3043 517); die bekannte V..- ArtiKei "ivegiowiii wi j .. ^>·" ■■ ·· -ο ing Zone Of Silicon-Gold Eutectic ", published π." Journal of Applied Physics ", Volume 25, page 54 * 1954 ζ B is a method of the mentioned Type described; however, there is no mention of how to avoid undesired temperature-related diffusion of the Hall conductor material into the substrate Iah ); the well-known V ..-

(12) sowie die
Glimmentladung
Wärmeableitung(12) as well as the
Glow discharge
Heat dissipation

erwärmt werden_: daß durch von der Unterlage (12)be heated _: that by the support (12)

zur lionswicklung wärmcen Teil. Line Unterlage welcher eine epitaxiaie Schicht aus einem Halbleiter Legierungsmaterial erzeugt werden soll, wird dort airfor lions winding warm part. Line pad which is an epitaxial layer made of a semiconductor Alloy material is to be produced, there is air

Kammerwand ein I emperaturgefälle innerhalb 25 eine unterhalb des stochiometrischen Schmelzpunkt·, der Metallschich (SO) sowie der Unterlage (12) des Legierungsmak-mls hegende lemperatur ei hergestelltChamber wall an temperature gradient within 25 one below the stoichiometric melting point the metal layer (SO) as well as the base (12) of the alloy mak-mls hegende temperature ei manufactured

wird, bei den> die Temperatur von der Oberfläche der Metallschicht (50) bis zu der an die Unterlage (12) angrenzend η Fläche hin abnimmt und daß die zerstäubten Atome des Halbleitermaterials erst nach dem Ausbilden dieses Tcmpcraturgefalles auf die relative heiße Oberfläche der Metallschicht (50) unter Bildung «Jer aus dem Metall sowie dem aufgedampften Halbleitermaterial bestehenden eutektischen Legieriingsschicht (62) auf der Un lerlage zum Auftreten gebracht werden.at which> the temperature from the surface of the metal layer (50) to the to the base (12) adjacent η area decreases and that the atomized atoms of the Semiconductor material only after the formation of this Tcmpcraturgefalles on the relative hot Surface of the metal layer (50) with the formation of "Jer" from the metal and the vapor deposited Semiconductor material existing eutectic alloy layer (62) on the Un be brought to occurrence.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das mittels Kathodenzerstäubung aufgedampfte Halbleitermaterial, welchem vorzugsweise aus Gold, Silber, Kupfer, Indium, Zinn oder Aluminium besteht, von dem Maleria! der Unterlage, welches vorzugsweise aus Silicium besteht, verschieden ist.2. The method according to claim 1, characterized in that the means of cathode sputtering vapor-deposited semiconductor material, which is preferably made of gold, silver, copper, indium, Tin or aluminum is made up of the maleria! the base, which is preferably made of silicon exists, is different.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, gekennzeichnet durch Stabilisierung der zwischen der Anode und der Kathode vorliegenden Spannung zur Aufrechterhaltung eines vorgegebenen Wertes der Temperatur der Unterlage.3. The method according to any one of claims 1 and 2, characterized by stabilizing the voltage present between the anode and the cathode to maintain a predetermined voltage Value of the temperature of the substrate.

wärmt, wonach durch Aufheizen des anderen Teil· des Ofens eine in dem Legierungsmaterial bereit enthaltene und dessen Schmelzpunkt zum eutekt, sehen Schmelzpunkt reduzierende Substanz verdampft wird. Das beim Bekannten auf der Unterlagbefindliche Lcgiemngsmaterial absorbiert diese dampfförmige Material und schmilzt alsdann, wöbe sich unterhalb des stöchiometrischen Schmelzpunk geschmolzenen 35 tes liegende BehändIungslemperatnren ergeben. Be: diesem Induktionsofen sind definierte Verfahrensparameter, weiche zur Vermeidung unerwünschter Diffusionserscheinungen erforderlich wären, auch mit verhältnismäßig großem technischen Aufwand nurwarms, after which by heating the other part of the furnace one already contained in the alloy material and its melting point to eutect, see melting point reducing substance is evaporated. The adhesive material on the base of the acquaintance absorbs it vaporous material and then melts, arching below the stoichiometric melting point melted 35 th lying treatment temperatures result. Be: This induction furnace are defined process parameters, soft to avoid undesirable Diffusion phenomena would be required, even with a relatively large technical effort only

schwierig einzuhalten.difficult to adhere to.

Der !Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Verfahren dt^r eingangs genannten Art, unerwünschte lemperalurbedingte Diffusionen zu vermeiden, ohne aufwendige Vorrichtungen einsetzenThe! Invention has the object, in a method ^r dt type mentioned above, to avoid unwanted lemperalurbedingte diffusions use without complex devices

zu müssen. Diese Aufgabe wird crfindungsgemüß dadurch gelöst, daß unter Verwendung einer an sich bekannten, mit Glimmentladung arbeitenden Kathodenzerstäubungsvorrichtung, bestehend aus einer umgebenden, ein ionisierbares Gas, eine Anode und eineto have to. This task is thereby made in accordance with the invention solved that using a known, glow discharge working cathode sputtering device, consisting of a surrounding, an ionizable gas, an anode and a

4. Vorrichturg zur Durchführung des Verfah- 50 Kathode enthaltenden Kammer, in der die Unterlage rens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekenn- mit einer auf ihr angebrachten Metallschicht angc4. Apparatus for carrying out the process- 50 cathode-containing chamber in which the base rens according to one of claims 1 to 3, marked with a metal layer attached to it angc

ordnet ist, dieis that

zeichnet durch einen von außen zu betätigenden Lamellsnvcrschluß (38, 40) zur Abschirmung der Metallschicht (50) bis zum Erreichen des vorgegebenen Wertes der Temperatur der Unterlage.characterized by an externally operated lamellar connector (38, 40) for shielding the Metal layer (50) until the predetermined value of the temperature of the base is reached.

5. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß dem Lamellenverschluß ein mit einem Temperaturanzeiger (52) für die Temperatur der Unterlage (12) gekoppeltes Stellglied Unterlage sowie die Metallschicht durch die Glimmentladung erwärmt werden, daß durch Wärmeableitung von der Unterlage zur Kammerwand ein Temperaturgefälle innerhalb der Metallschicht sowie der Unterlage hergestellt wird, bei dem die Temperatur von der Oberfläche der Metallschicht bis zu der an die Unterlage angrenzenden Fläche hin abnimmt, und daß die zerstäubten Atome des HaIb-5. Apparatus according to claim 5, characterized in that the shutter is a actuator coupled to a temperature indicator (52) for the temperature of the substrate (12) Base and the metal layer are heated by the glow discharge that by heat dissipation from the base to the chamber wall a temperature gradient is created within the metal layer and the substrate, in which the temperature from the surface of the metal layer to the surface adjacent to the substrate decreases, and that the atomized atoms of the half

(48) zugeordnet ist Γ weiche's auf¹" das Erreichen 60 lcitermatcrials erst nach dem Ausbilden dieses Temdes vorgesehenen Wertes der ^Tcmperatur
Unterlage (12) ansprechend ausgebildet ist.Is assigned (48) Γ soft visit ¹ "reaching 60 lcitermatcrials provided after the forming of this Temdes value of ^T cmperatur
Pad (12) is designed appropriately.

I tie Frlindung betrilTi ei η VVrl.ihren zur Herslcl-Iiim;¹ v(iii HalbleiteiYleMi'.'T-lcM. insbesondere λ;ίι Frperaturgcfälles auf die relativ heiße Oberfläche der Metallschicht unter Bildung der aus dem Metall sowie dem aufgedampften Halbleitermaterial bestehenden geschmolzenen eutektischen Legierungsschicht auf der Unterlage zum Auftreffen gebracht werden.I deeply concerned with ei η Vrl.your to Herslcl-Iiim; ¹ v (iii semiconductoreiYleMi '.' T-lcM. In particular λ; ίι Frperaturgcfälles are brought to impinge on the relatively hot surface of the metal layer with the formation of the molten eutectic alloy layer consisting of the metal and the vapor-deposited semiconductor material on the substrate.

Dadurch ergeben sich die Vorteile, daß sich wegen der kurzen erforderlichen Verfahrensdaucr uner-This results in the advantages that, because of the short duration of the process,

wünschte Diffusionen vermeiden lassen, daß bei der Durchführung des Verfahrens ein extremes Hochvakuum nicht erforderlich ist und daß der Raum für die Glimmentladung nur einen Druck von einigen U)⁴ Torr aufzuweisen braucht. Ferner ist es vorteil- r> hafierweise ohne weiteres möglich, die zerstäubten Atome des Halbleitermaterials so lange von der Mei.illschicht abzuschirmen, bis diese einen zur optimalen Verfahrensdurchführung geeigneten vorgegebenen Wert der Temperatur aufweist.Avoid desired diffusions, that an extremely high vacuum is not required when carrying out the process and that the space for the glow discharge only needs to have ^{a pressure of a few U) 4 Torr.} Further, it is advanta- r> hafierweise readily possible to shield the sputtered atoms of the semiconductor material as long as the Mei.illschicht until it has a suitable method for the optimal implementation predetermined value of temperature.

Zweckmäßigerweise ist eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens mil einem von außen Ii betätigenden Lamellenverschluß versehen, welcher .lic Metallschicht bis zum Erreichen des vorgegeber--..-Ii Wertes der Temperatur der Unterlage ab/uschirüii-n vermag. Dem Lamellenverschluß kann hierbei . :■■ mit einen; Temperaturanzeiger fur die Tempe-A device for carrying out the method is expediently provided with an externally actuated lamella closure which is able to remove the metal layer until the specified value of the temperature of the substrate is reached. The lamellar shutter can do this. : ■■ with one; Temperature indicator for the

iir der Unterlage gekoppeltes Stellglied zugeordnet •-.-üi. welches auf das I rrciehen des vorgegebenen Weites der Temperatur der Unterlage ansprechend zn .!^gebildet ist. Auf diese Weise wird die eutektische Legierungsschicht genau bei Eneichen it·.-··. \orgegebenen Wertes der Temperatur erzeugt t\ui unerwünschte Diffusionen weitgehend vermieden. associated actuator coupled to the base • -.- üi. which rrciehen to the I zn in response of the predetermined wide the temperature of the substrate.! ^ is formed. In this way, the eutectic alloy layer becomes exactly at Eneichen it · .- ··. The given value of the temperature produces undesirable diffusions to a large extent.

Im folgenden sind Ausfuhrungsbeispicle der Franking an Hand der Zeichnung näher erläutert. Fs In the following, exemplary embodiments of franking are explained in more detail with reference to the drawing. Fs

i-ig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung /■:; Durchführung des beschriebenen Verfahrens im . ; iikalen Axialschnitt sowie in sehematischcr i)ar-• ^ llung,i-ig. 1 shows an embodiment of a device / ■ :; Implementation of the procedure described in. ; iical axial section as well as in sehematischcr i) ar- • ^ llung,

i i g. 2 einen Schnitt längs der Linie 2-2 von I 1 g. 1,i i g. 2 shows a section along line 2-2 of I 1 g. 1,

I i g. 3 a, 3 b, 3 c, 3 d, 3 e, 3 f verschiedene aufeinanJerfolgende Herstellungsphascn eines mit der Vorrichtung nach Fig. 1, 2 zu erzeugenden Halhlcilerelemcntcs im Schnitt.I i g. 3 a, 3 b, 3 c, 3 d, 3 e, 3 f different consecutive Production phase of a Halhlcilerelemcntcs to be produced with the device according to Fig. 1, 2 on average.

Durch eine Deckwandung einer beispielsweise aus Aluminium bestehenden zylindrischen Kammer 14 verläuft ein in einer gasdichten Durchführung 26 gehaltener Metallstift 22, der an seinem unteren Ende eine beispielsweise ans Silicium bestehende kreisscheibcnförmige Kathode 18 aufnimmt. Die Kathode 18 ist von einem Abschirm-Schutzblech 28 umgeben, um unerwünschte Streuungen zu verhindern. In ihrem mittleren Teil weist die Kammer 14 einen Gaseinlaßstutzen 30 sowie einen Hvakuierungsslutzen 32 auf. Am Boden der Kammer 14 ist ein Metallstift 17 angebracht, welcher an seinem oberen Fnde eine kreisscheibenförmige Melallanode 16 aufnimmt. Auf der Anode 16 ist eine plättchenförmige Unterlage 1? aus einem Material, beispielsweise Silicium, gelagert, auf dem eine cpitaxiale Schicht nach dem beschriebenen Verfahren erzeugt werden soll. Die obere Fläche der Unterlagen ist mit einer Metallschicht 50 beschichtet, beispielsweise aus Gold, Silber, Kupfer, Indium, Zinn, Aluminium oder dergleichen, welche mit dem Halbleitermaterial der Kathode 18 eine eutektische Legierung zu bilden vermag und deren fio Dicke vorzugsweise in der Größenordnung von 0,15 // liegt.Through a top wall of a cylindrical chamber 14 made, for example, of aluminum runs a held in a gas-tight passage 26 metal pin 22 at its lower end a circular disk-shaped one existing, for example, on silicon Cathode 18 receives. The cathode 18 is surrounded by a shielding protective sheet 28 to to prevent unwanted scatter. In its central part, the chamber 14 has a gas inlet connection 30 and a vacuum port 32. A metal pin 17 is attached to the bottom of the chamber 14, which receives a circular disc-shaped melal anode 16 at its upper end. On the Anode 16 is a platelet-shaped base 1? of a material, for example silicon, stored on which a cpitaxial layer is to be produced according to the method described. The upper face the base is coated with a metal layer 50, for example of gold, silver, copper, indium, tin, aluminum or the like, which is able to form a eutectic alloy with the semiconductor material of the cathode 18 and its fio Thickness preferably of the order of 0.15 // located.

Über gasdichte Durchführungen am Boden der Kammer 14 verlaufen schwenkbare Achsen 42, 44, welche an ihren oberen Enden je eine Verschlußlamelle 38 bzw. 40 aufnehmen, die zusammen einen von. außen zu betätigenden Lamellenverschluß bilden. Den Achsen 42. 44 bzw. dem durch die Lamellen 38, 40 gebildeten Lamellenverschluß ist ein mit einem Temperaturanzeiger 52 für die I emperatur der Unterlage 12 gekoppeltes Stellglied 48 zugeordnet, welches auf das Erreichen eines vorgegebenen Wertes der Temperatur dei Unterlage 12 entsprechend ausgebildet ist. Ein von dem 'fernperaturanzeiger 52 geregelter Spannungssteller 54 hält nach Erreichen eines vorgegebenen Wertes der Temperatur der Unterlage 12 die Entladungsspannung zwischen der Kathode 18 sowie der Anode 16 auf einem Wert, welcher eine Stabilisierung dieses vorgegebenen Temperaturwertes der Unterlage 12 gewährleistet.Swiveling axes 42, 44, which at their upper ends each receive a shutter lamella 38 and 40, which together have a from. Form externally operated lamella lock. The axes 42.44 or the one through the slats 38, 40 formed lamella closure is a with a temperature indicator 52 for the I emperature of the pad 12 coupled actuator 48 assigned, which is based on reaching a predetermined value of the Temperature dei pad 12 is designed accordingly. A controlled by the remote temperature indicator 52 The tension regulator 54 holds the temperature of the substrate 12 after a predetermined value has been reached the discharge voltage between the cathode 18 and the anode 16 to a value which one Stabilization of this predetermined temperature value of the base 12 is guaranteed.

Die Schicht 50 kann, wenn sie gemäß der vorangehenden beispielsweisen Erwähnung aus Gold besten', durch Zerstäuben einer Goldkaihodc bei einem Druck von 2.10 'Torr übe ..-ine Stunde l>ci 4(M) bis 460° C niedergeschlagen werdenThe layer 50, if it is best made of gold in accordance with the preceding example, by atomizing a gold kaihodc at one Pressure of 2.10 'Torr over ..- in an hour l> ci 4 (M) to 460 ° C can be precipitated

1st die Unterlage 12 mit der Schicht 50 gemäß I- i g. 1 angeordnet, so wird bei geschlossenen Verschlußlamellen 38, 40 eine Spannung von etwa SOOOV zwischen der Kathode 18 sowie der Anode 16 bei Aufrechterhaltung eines geeigneten Gasdruckes innerhalb des Gehäuses 14 eingestellt. Durch das Gasentladungsplasma in dem Gehäuse 14 wird die Unterlage 12 erwärmt. Erreicht der IVmperaturan/ -iger 52 eine gewisse Stellung entsprechend dem vorgegebenen Wert der Temperatur der Unterlage 12, im Falle einer aus Silicium bestehenden Kathode 18 sowie einer aus Gold bestehenden Schicht 50 einen Wert von 400° (\ wobei dieser Wert ausreichend zur Bildung einer geschmolzenen eutektischen Legierungsschicht von Gold und Silicium ist, so wird das Stellglied 48 unter Öffnung der Verschhißiumellen 38, 40 betätigt, wonach die Schicht 50 mit Atomen des Materials der Kathode 18 bombardiert wird. Hierbei schmilzt die Schicht 50 und bildet mit den auftreifcndcn Teilchen der Kathode 18 eine geschmolzene eutektische Legierungsschicht. Infolge des Wärmeleitvermögens des Stiftes 17, welcher von der Anode 16 Wärme an das Gehäuse 14 abgibt, entsteht ein Temperaturgefälle zwischen der geschmolzenen eutektischen Legierungsschicht sowie der Unterlage 12. Diese Verhältnisse fuhren dazu, daß ausgehend von F i g. 3 ri, weiche das ursprüngliche Vorhandensein einer Goldschicht 50 auf einer Siliciumuntcrlage darstellt, nunmehr gemäß F i g. 3 b pi aktisch drei geschmolzene Schichten auf der Unterlage 12 vorliegen, nämlich eine mittlere geschmolzene eutektische I.cgierungsschicht 62, eine untere stark mit Silicium angereicherte Schicht 60 und eine stark mit Gold angereicherte obere Schicht 64. Die mit Silicium angercicher.e Schicht 60 bildet mit der Unterlage 12 eine cpitaxiale Schicht aus Halbleitermaterial an der Grenzfläche zwischen der unteren Fläche der Schicht 60 sowie der oberen Fläche der Unterlage 12.If the base 12 with the layer 50 is in accordance with I- i g. 1 arranged, it is with the shutter slats closed 38, 40 a voltage of about SOOOV between the cathode 18 and the anode 16 at Maintaining a suitable gas pressure within the housing 14 is set. Through the gas discharge plasma in the housing 14 is the base 12 heated. If the IVmperaturan / -iger reaches 52 a certain position corresponding to the predetermined value of the temperature of the pad 12, in the event a cathode 18 made of silicon and a layer 50 made of gold have a value of 400 ° (\ where this value is sufficient to form a molten eutectic alloy layer of gold and silicon, the actuator becomes 48 with opening of the sealing cells 38, 40 actuated, after which the layer 50 is bombarded with atoms of the material of the cathode 18. Here The layer 50 melts and forms with the contacts Particles of the cathode 18 form a molten eutectic alloy layer. Due to the thermal conductivity of the pin 17, which emits heat from the anode 16 to the housing 14, is created Temperature gradient between the molten eutectic alloy layer and the substrate 12. These conditions lead to the fact that, based on FIG. 3 ri, soft the original presence a gold layer 50 on a silicon substrate, now according to FIG. 3 b actually three melted ones Layers are present on the base 12, namely a central fused eutectic alloy layer 62, a lower heavily siliconized layer 60, and one heavily gold Top enriched layer 64. Silicon enriched layer 60 forms with backing 12 a cpitaxial layer of semiconductor material at the interface between the lower surface of the layer 60 and the upper surface of the pad 12.

In Nachfolge zu der gemäß F i g. 3 b erreichten Beschichtung werden nun die Gold enthaltenden Schichten 62, 64 mit Königswasser aufgelöst, so daß lediglich noch die Schicht 60 auf der Unterlage 12 verbleibt (F i g. 3 c). Die Schicht 60 kann gemäß F i g. 3 d in einem gewünschten Musler mit einer ätzbeständigen Schutzschicht 66 versehen werden, wonach gemäß F i g. 3 e eine Abätzung der Schicht 60 an den von der Schutzschicht 66 nicht bedeckten Bereichen erfolgen kann. Mittels eines spezifischen Lösungsmittels kann alsdann die Schutzschicht 66 wieder entfernt werden (F i g. 3 f), worauf das gewünschte Halbleiterelement erhalten wirdIn succession to the one according to FIG. 3 b achieved coating are now the gold-containing Layers 62, 64 dissolved with aqua regia so that only layer 60 remains on base 12 remains (Fig. 3 c). The layer 60 can according to FIG. 3 d in a desired musler with a Etch-resistant protective layer 66 are provided, after which according to FIG. 3 e an etching of the layer 60 can take place on the areas not covered by the protective layer 66. By means of a specific The protective layer 66 can then be removed again using a solvent (FIG. 3 f), whereupon the desired Semiconductor element is obtained

Wird beispielsweise das Verfahren mit einer /'-!eilenden Unterlage 12 sowie einer N-icitendcn SiIiciumkathodc 18 durchgeführt, so erhält man bei Herstellung einer Mesadiodc ahnlich F i g. 3 f einen scharfen Sprung der Kennlinie bei einer Umkehrspannung von 70 V sowie einen Umkehrstrom von weniger als I //A. Der Kcnnlinienknick bei Anlegung einer Spannung in Durchlaßrichtung liegt bei etwa 0,6 V. If, for example, the method is carried out with a hurrying base 12 and an N-icitendcn silicon cathode 18, a mesadiodec is produced similar to FIG. 3 f there is a sharp jump in the characteristic curve at a reverse voltage of 70 V and a reverse current of less than I // A. The kink when a voltage is applied in the forward direction is around 0.6 V.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. A method for the production of semiconductor elements, in particular for Erze'jgen epitaxial layers of semiconductor material on a
Backing, by applying a molten eutectic alloy layer containing semiconductor material as a component on ju ".«> - »—— -.

the underlay and training of a temperature- io Article »Regrowth Of Sii.con I hrougn A low mci.

ing Zone Of Silicon-Gold Hutectic «, published π "Journal of Applied Physics," Volume 25, Page 54

create epitaxial layers of semiconductor material on a base, by applying a half molten eutectic alloy layer containing conductor material as a component on the Base and formation of a temperature level from the luting layer to the base unic. Enrichment of the semiconductor material in one of the de; Underlay adjacent layer.

Such processes are already known. From the